JP2002146523A - Sputtering target, and sputtering system using it - Google Patents
Sputtering target, and sputtering system using itInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、各種電子部品の配
線膜、電極、素子構成膜などを形成する際に用いられる
スパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリン
グ装置に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a sputtering target used for forming a wiring film, an electrode, an element constituting film and the like of various electronic parts and a sputtering apparatus using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体部品や液晶部品などを作製するに
あたっては、配線や電極などとして使用される各種薄膜
の形成にスパッタリング法が適用されている。具体的に
は、半導体基板やガラス基板などの被成膜基板上に、ス
パッタリング法を適用してＡｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｍｏ−Ｗ合金などの導電性金属の薄膜、ＭｏＳ
ｉ2、ＷＳｉ2、ＴｉＳｉ2などの導電性金属化合物の薄
膜、あるいはＴｉＮ、ＴａＮなどの金属化合物の薄膜を
形成し、これら薄膜を配線、電極、バリア層などとして
利用している。2. Description of the Related Art In manufacturing semiconductor parts and liquid crystal parts, a sputtering method is applied to the formation of various thin films used as wiring and electrodes. Specifically, on a deposition target substrate such as a semiconductor substrate or a glass substrate, Al, Cu, Ti, Mo,
Thin film of conductive metal such as W, Mo-W alloy, MoS
A thin film of a conductive metal compound such as i 2 , WSi 2 or TiSi 2 or a thin film of a metal compound such as TiN or TaN is formed, and these thin films are used as wirings, electrodes, barrier layers and the like.
【０００３】スパッタリング法は、荷電粒子によりスパ
ッタリングターゲット表面を衝撃して、ターゲットから
スパッタ粒子を叩き出し、ターゲットと対向させて配置
した基板上にスパッタ粒子を堆積させて薄膜を形成する
成膜法である。このような成膜方法を適用する際に用い
られるスパッタリングターゲットには、成膜材料からな
るターゲット本体を、バッキングプレートと呼ばれる基
板で保持した構造が一般的に適用されている。[0003] The sputtering method is a film forming method in which charged particles impinge on the surface of a sputtering target to strike out the sputtered particles from the target and deposit the sputtered particles on a substrate arranged opposite to the target to form a thin film. is there. A structure in which a target body made of a film forming material is held by a substrate called a backing plate is generally applied to a sputtering target used when applying such a film forming method.
【０００４】ところで、上述したような従来のスパッタ
リングターゲットを用いた成膜工程においては、半導体
素子などの高集積化、高信頼性化、高機能化などが進む
につれて、ターゲットに起因するダストの発生が重大な
問題として認識されている。ここで言うダストとは、例
えば直径が0.2μm以上の微細な粒子（パーティクル）で
あり、このような微細粒子が成膜した薄膜中に混入する
と、配線間のショートや配線のオープン不良などの原因
となるため、半導体素子や液晶表示素子などの電子部品
の製造歩留りを低下させることになる。By the way, in the film forming process using the conventional sputtering target as described above, as the degree of integration, reliability, and functionality of semiconductor elements and the like increases, generation of dust due to the target occurs. Has been recognized as a serious problem. The dust mentioned here is, for example, fine particles (particles) having a diameter of 0.2 μm or more. If such fine particles are mixed into the formed thin film, they cause a short circuit between wirings or an open defect of the wirings. Therefore, the production yield of electronic components such as a semiconductor element and a liquid crystal display element is reduced.
【０００５】例えば、工業的には効率のよいマグネトロ
ンスパッタ法が主として適用されており、その原理から
ターゲット本体にはエロージョン部と非エロージョン部
が存在する。スパッタされた粒子は基板に到達するもの
と、周辺に飛ぶもの、さらには再びターゲット本体側に
戻ってくるものとがある。ターゲット側に戻ってくるも
ののうち、非エロージョン部に付着した粒子（再付着粒
子）は基本的には再びスパッタされることがないため、
スパッタの進行が進むにつれて再付着粒子が堆積してい
く。この再付着粒子の堆積物（再付着膜）が何等かの要
因で剥離すると、ダストとして成膜した薄膜中に混入す
ることになる。For example, an efficient magnetron sputtering method is mainly applied industrially, and an erosion portion and a non-erosion portion exist in a target main body due to its principle. Some of the sputtered particles reach the substrate, some fly to the periphery, and some return to the target body again. Of the particles that return to the target side, particles that have adhered to the non-erosion portion (re-adhered particles) are basically not sputtered again,
As the sputtering proceeds, redeposited particles are deposited. If the deposits (re-adhesion film) of the re-adhesion particles are peeled off for some reason, they will be mixed into the thin film formed as dust.
【０００６】このように、再付着物の剥離はダストの発
生原因の一つとなっている。このようなダストを防止す
るために、非エロージョン部の表面粗さをエロージョン
部より粗くして、再付着物の剥離、脱落を防止する（例
えば特開平6-306597号公報参照）、また非エロージョン
部にブラスト粒子を打ち込み、アンカー効果で再付着物
の剥離、脱落を防止する（例えば特開平9-176843号公報
参照）、スパッタリング装置の構成部品表面に溶射膜を
形成する（特開平9-272965号公報参照）など、種々の対
策が採られている。As described above, the detachment of the re-adhered matter is one of the causes of dust generation. In order to prevent such dust, the surface roughness of the non-erosion portion is made coarser than that of the erosion portion to prevent peeling and falling off of the reattached material (see, for example, JP-A-6-306597). A blast particle is injected into the portion to prevent detachment and detachment of the reattached matter by an anchor effect (see, for example, JP-A-9-76843). Various measures have been taken.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来のダスト低減策は、ある一定の効果は認め
られているものの、ターゲットライフ近くまでスパッタ
リングが進行するにつれて、ダストが増加する傾向にあ
った。このようなことから、スパッタリングターゲット
の非エロージョン領域に堆積した再付着物の剥離、脱落
をより効果的に抑制し、ダストの発生をより一層低減す
ることが求められている。However, although the above-mentioned conventional dust reduction measures have been recognized to have a certain effect, the dust tends to increase as the sputtering proceeds to near the target life. Was. For these reasons, there is a demand for more effectively suppressing the detachment and detachment of the reattachment deposited on the non-erosion region of the sputtering target, and further reducing the generation of dust.
【０００８】特に、最近の半導体素子においては、256
M、1Gというような集積度を達成するために、0.2μm以
下さらには0.13μmや0.1μmというような配線幅が求め
られており、また一部実用化が進められている。このよ
うに狭小化された高密度配線においては、極微小粒子が
混入しても配線不良などを引起こすことから、高集積化
された半導体素子などの製造歩留りを高める上で、ダス
トの発生量を大幅に低減する必要がある。そこで、ダス
ト発生の一因となっている再付着物の剥離、脱落を抑制
することが強く求められている。In particular, in recent semiconductor devices, 256
In order to achieve a degree of integration such as M or 1G, a wiring width of 0.2 μm or less, and further, a wiring width of 0.13 μm or 0.1 μm is required, and some of them are being put to practical use. In such narrowed high-density wiring, even if extremely small particles are mixed in, wiring defects and the like are caused. Therefore, in order to increase the production yield of highly integrated semiconductor elements, the amount of generated dust is reduced. Needs to be greatly reduced. Therefore, there is a strong demand for suppressing the detachment and detachment of the reattachment, which contributes to the generation of dust.
【０００９】本発明はこのような課題に対処するために
なされたもので、ターゲット本体の非エロージョン領域
などからの再付着物の剥離、脱落を有効に抑制すること
によって、ダストの発生を低減することを可能にしたス
パッタリングターゲット、およびそれを用いたスパッタ
リング装置を提供することを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to address such a problem, and reduces the generation of dust by effectively suppressing the detachment and detachment of reattached substances from a non-erosion area of a target body. It is an object of the present invention to provide a sputtering target that enables the above, and a sputtering apparatus using the same.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明者等は、ターゲッ
ト本体の非エロージョン領域やバッキングプレートの露
出表面に付着、堆積した再付着物の形態について、詳細
に観察ならびに検討したところ、再付着物の堆積の仕方
は下地の影響を大きく受け、下地表面に予め表面処理と
してスパッタ膜やＣＶＤ膜などの比較的平滑な金属薄膜
や金属化合物薄膜を形成しておくことによって、再付着
物の緻密化や下地との密着強度の向上などを図ることが
でき、これらによってスパッタ後期でも再付着物の剥
離、脱落によるダスト発生を抑えることが可能であるこ
とを見出した。Means for Solving the Problems The present inventors have observed and studied in detail the form of the re-adhered matter deposited and deposited on the non-erosion area of the target body and on the exposed surface of the backing plate. The deposition method is greatly affected by the underlayer, and a relatively smooth metal film or metal compound thin film such as a sputter film or a CVD film is previously formed as a surface treatment on the underlayer surface, thereby densifying the re-deposits. It has been found that it is possible to improve the adhesion strength to the substrate and the base, and to suppress the generation of dust due to the detachment and detachment of the re-adhered matter even in the latter stage of the sputtering.
【００１１】本発明のスパッタリングターゲットはこの
ような知見に基づいて成されたものである。すなわち、
本発明の第１のスパッタリングターゲットは請求項１に
記載したように、ターゲット本体と、前記ターゲット本
体の非エロージョン領域の少なくとも一部に設けられ、
ＰＶＤ法またはＣＶＤ法により形成された再付着粒子剥
離防止膜とを具備することを特徴としている。The sputtering target of the present invention has been made based on such findings. That is,
As described in claim 1, the first sputtering target of the present invention is provided on a target body and at least a part of a non-erosion region of the target body,
And a re-adhesion particle peeling prevention film formed by a PVD method or a CVD method.
【００１２】本発明の第２のスパッタリングターゲット
は、請求項３に記載したように、ターゲット本体と、前
記ターゲット本体を支持するバッキングプレートと、前
記バッキングプレートの表面の少なくとも一部に設けら
れ、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法により形成された再付着粒
子剥離防止膜とを具備することを特徴としている。The second sputtering target of the present invention is provided on a target body, a backing plate for supporting the target body, and at least a part of the surface of the backing plate, and comprises a PVD. And a re-adhesion particle peeling prevention film formed by a CVD method or a CVD method.
【００１３】本発明のスパッタリングターゲットにおい
て、再付着粒子剥離防止膜は請求項５に記載したよう
に、スパッタリング法、イオンプレーティング法または
ＣＶＤ法により形成された金属薄膜または金属化合物薄
膜からなることが好ましい。また、具体的な構成材料と
しては、請求項６に記載したように、ターゲット本体を
構成する金属元素を含む金属薄膜または金属化合物薄膜
が好ましい。[0013] In the sputtering target of the present invention, the reattachment particle peeling prevention film may comprise a metal thin film or a metal compound thin film formed by a sputtering method, an ion plating method or a CVD method. preferable. Further, as a specific constituent material, as described in claim 6, a metal thin film or a metal compound thin film containing a metal element constituting the target main body is preferable.
【００１４】また、本発明のスパッタリング装置は、請
求項８に記載したように、真空容器と、前記真空容器内
に配置される被成膜試料保持部と、前記真空容器内に前
記被成膜試料保持部と対向して配置されるターゲット部
とを具備するスパッタリング装置において、前記ターゲ
ット部は上記した本発明のスパッタリングターゲットを
有することを特徴としている。According to another aspect of the present invention, there is provided a sputtering apparatus, comprising: a vacuum container; a film-forming sample holding unit disposed in the vacuum container; In a sputtering apparatus including a sample holding unit and a target unit arranged to face the target unit, the target unit includes the sputtering target of the present invention described above.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について説明する。図１は本発明の第１の実施形態に
よるスパッタリングターゲットの概略構造を示す断面図
である。同図において、１は各種の金属材料や化合物材
料などの成膜材料からなる、例えば円板状のターゲット
本体である。このターゲット本体１は、バッキングプレ
ート２により支持されており、これらによりスパッタリ
ングターゲット３が構成されている。Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a sectional view showing a schematic structure of a sputtering target according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a disk-shaped target body made of a film-forming material such as various metal materials and compound materials. The target body 1 is supported by a backing plate 2, and these constitute a sputtering target 3.
【００１６】バッキングプレート２は、ターゲット本体
１の支持部材であると共に、イオン衝撃（スパッタ熱）
によるターゲット本体１の温度上昇を抑制する冷却部材
としての機能を有するものである。このため、バッキン
グプレート２の構成材料には、例えば熱伝導率が高い無
酸素銅やＡｌ合金が用いられ、さらにバッキングプレー
ト２には図示を省略した冷却管が内蔵されている。The backing plate 2 serves as a support member for the target body 1 and also has ion bombardment (sputter heat).
And has a function as a cooling member for suppressing a rise in temperature of the target body 1 due to the above. For this reason, as a constituent material of the backing plate 2, for example, oxygen-free copper or an Al alloy having a high thermal conductivity is used, and the backing plate 2 incorporates a cooling pipe (not shown).
【００１７】ターゲット本体１の構成材料は特に限定さ
れるものではなく、スパッタリングターゲットの使用目
的に応じて種々の単体金属材料、合金材料、金属化合物
材料などが使用される。ターゲット本体１の構成材料の
具体例としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｃｕ、ＳｉおよびＧｅから選ばれる金
属元素の単体、もしくは上記した金属元素を含む合金や
化合物が挙げられる。The constituent material of the target body 1 is not particularly limited, and various simple metal materials, alloy materials, metal compound materials, etc. are used according to the intended use of the sputtering target. Specific examples of the constituent material of the target body 1 include Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta,
Cr, Mo, W, Pt, Ag, Ir, Ru, Fe, N
A simple substance of a metal element selected from i, Co, Al, Cu, Si, and Ge, or an alloy or a compound containing the above-described metal element is exemplified.
【００１８】ここで、図２に一般的なマグネトロンスパ
ッタリング装置の構成を模式的に示す。一般的なマグネ
トロンスパッタリング装置においては、スパッタリング
ターゲット３と基板５とを対向配置し、これらの間に電
界Ｅをかけると共に、これと直交する形でスパッタリン
グターゲット３の裏面側に配置したマグネット６により
ターゲット表面に磁界Ｍを生じさせる。FIG. 2 schematically shows the structure of a general magnetron sputtering apparatus. In a general magnetron sputtering apparatus, a sputtering target 3 and a substrate 5 are disposed to face each other, an electric field E is applied between them, and a target 6 is disposed at right angles to the sputtering target 3 by a magnet 6 disposed on the back side of the sputtering target 3. A magnetic field M is generated on the surface.
【００１９】これら磁界Ｍと電界Ｅとの作用によって、
電子がサイクロン運動を起こし、ターゲット面内と上部
磁界内に高密度のプラズマを生じさせ、磁界Ｍに囲まれ
た領域のターゲット面のエロージョンが進展していく。
一方、磁界Ｍから外れたターゲット領域、すなわちター
ゲット本体１の表面（スパッタ面）の中央部Ａや外周部
Ｂ、側面部Ｃはスパッタされないため、非エロージョン
領域として再付着粒子が堆積する。この非エロージョン
領域に堆積した再付着粒子の剥離、脱落がダストの発生
原因となっている。By the action of these magnetic field M and electric field E,
The electrons cause cyclone motion, generate high-density plasma in the target surface and in the upper magnetic field, and erosion of the target surface in a region surrounded by the magnetic field M progresses.
On the other hand, since the target region deviated from the magnetic field M, that is, the central portion A, the outer peripheral portion B, and the side surface portion C of the surface (sputtered surface) of the target main body 1 are not sputtered, the reattached particles are deposited as a non-erosion region. The detachment and detachment of the re-adhered particles deposited in the non-erosion area cause dust.
【００２０】そこで、図１に示したスパッタリングター
ゲット３においては、ターゲット本体１の非エロージョ
ン領域、すなわちターゲット本体１の表面中央部、表面
外周部および側面部に再付着粒子剥離防止膜４を形成し
ている。なお、再付着粒子剥離防止膜４は必ずしもター
ゲット本体１の非エロージョン領域全体に形成しなけれ
ばならないものではなく、その一部に形成した場合にお
いても効果を発揮する。例えば、特に再付着粒子の剥
離、脱落が問題となるターゲット本体１の表面外周部の
みに再付着粒子剥離防止膜４を形成することによって
も、ダストの抑制に対して効果を示す。Therefore, in the sputtering target 3 shown in FIG. 1, the non-erosion region of the target main body 1, ie, the central portion, the outer peripheral portion, and the side portion of the target main body 1, is formed with the reattachment particle peeling preventing film 4. ing. Note that the reattachment particle peeling prevention film 4 does not necessarily have to be formed on the entire non-erosion region of the target main body 1, and the effect is exhibited even when formed on a part thereof. For example, the formation of the redeposition particle separation preventing film 4 only on the outer peripheral portion of the surface of the target main body 1 in which the separation and detachment of the redeposition particles is a problem is particularly effective in suppressing dust.
【００２１】再付着粒子剥離防止膜４は、ＰＶＤ（Phys
ical Vapor Deposition：物理的気相成長）法またはＣ
ＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学的気相成長）
法により形成した金属薄膜や金属化合物薄膜からなるも
のである。従来の溶射膜などは表面が粗く、凸部の影と
なる部分（主に再付着粒子が被着する側と反対の面）に
付着した粒子が剥離しやすい傾向があるのに対し、ＰＶ
Ｄ法やＣＶＤ法により形成した再付着粒子剥離防止膜４
は、それ自体が薄膜であることに加えて、従来の溶射膜
などに比べて表面が平滑であることから、再付着粒子
（スパッタ粒子）に対して良好な馴染み性を示し、かつ
再付着粒子を高密度にかつ比較的平滑に堆積させること
ができる。The reattachment particle peeling prevention film 4 is made of PVD (Phys
ical Vapor Deposition method or C
VD (Chemical Vapor Deposition)
It consists of a metal thin film or a metal compound thin film formed by the method. Conventional thermal spray coatings have a rough surface, and particles adhering to the shadowed portion of the convex portion (mainly the surface opposite to the side on which the reattached particles are adhered) tend to peel off.
Redeposition particle peeling prevention film 4 formed by D method or CVD method
Shows good compatibility with redeposited particles (sputtered particles) because the surface itself is smoother than conventional thermal sprayed coatings, in addition to being a thin film itself. Can be deposited at a high density and relatively smoothly.
【００２２】このように、ターゲット本体１の非エロー
ジョン領域に予め表面処理として再付着粒子剥離防止膜
４を形成しておくことによって、その上に付着、堆積す
る再付着物自体の密着強度や再付着物と下地（再付着粒
子剥離防止膜４）との固着強度を高めることができる。
これらによって、再付着物の剥離、脱落を有効に抑制す
ることが可能となる。すなわち、再付着物の剥離、脱落
によるダストの発生を大幅に低減することができる。As described above, by forming the anti-adhesion particle peeling prevention film 4 as a surface treatment in advance in the non-erosion area of the target main body 1, the adhesion strength and re-adhesion of the re-adhesion substance adhering and depositing thereon can be improved. It is possible to increase the fixing strength between the adhered substance and the base (removable particle peeling prevention film 4).
With these, it is possible to effectively suppress the detachment and detachment of the reattachment. That is, the generation of dust due to the detachment and detachment of the reattachment can be significantly reduced.
【００２３】再付着粒子剥離防止膜４の形成方法として
は、真空蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、イ
オンプレーティング法、スパッタリング法、レーザデポ
ジション法、イオンビームデポジション法などのＰＶＤ
法、あるいは熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ
法などのＣＶＤ法を適用することができるが、特に下地
（ターゲット本体１）との密着強度に優れると共に、成
膜コストが安価なスパッタリング法、イオンプレーティ
ング法、または各種ＣＶＤ法を適用することが好まし
い。As a method for forming the reattachment particle peeling preventing film 4, PVD such as vacuum deposition, molecular beam epitaxy (MBE), ion plating, sputtering, laser deposition, ion beam deposition, etc.
Method, thermal CVD method, plasma CVD method, optical CVD
It is possible to apply a CVD method such as a sputtering method, and particularly to apply a sputtering method, an ion plating method, or various CVD methods which are excellent in adhesion strength to the base (target body 1) and in which the film formation cost is low. Is preferred.
【００２４】ここで、再付着粒子剥離防止膜４の形成方
法としてイオンプレーティング法を適用する場合には、
ターゲット本体１の表面を清浄化して再付着粒子剥離防
止膜４の密着性を向上させるために、ターゲット本体１
の表面にボンバードクリーニングを施すことが好まし
い。例えば、ターゲット本体１がＴｉからなる場合に
は、そのようなターゲット本体１を真空中で予熱し、Ａ
ｒボンバードクリーニング、Ｔｉボンバードクリーニン
グを施した後、ＴｉやＴｉＮ薄膜などからなる再付着粒
子剥離防止膜４を形成することが好ましい。Here, when the ion plating method is applied as a method for forming the reattachment particle peeling prevention film 4,
In order to clean the surface of the target main body 1 and improve the adhesion of the reattachment particle peeling prevention film 4, the target main body 1
Is preferably subjected to bombard cleaning. For example, when the target body 1 is made of Ti, such a target body 1 is preheated in a vacuum, and A
After the r bombard cleaning and the Ti bombard cleaning are performed, it is preferable to form the anti-redeposition particle peeling film 4 made of a thin film of Ti or TiN.
【００２５】さらに、ターゲット本体１の再付着粒子剥
離防止膜４が形成される面には、予めロータリー研磨お
よびポリッシングの少なくとも一方の処理を施しておく
ことが好ましく、特にロータリー研磨を実施した後にポ
リッシングを行うことが好ましい。本発明においてはタ
ーゲット本体１に研磨処理を施した後、さらにウェット
エッチングやドライエッチング、あるいは逆スパッタな
どによる表面処理を施すことが好ましい。ウェットエッ
チングは例えばフェリシアン化カリウム（赤血カリ）溶
液などをエッチング液として使用することができる。ま
た、ドライエッチングにおいては、例えばＣＦ4／Ｏ2混
合ガスなどをエッチングガスとして使用することができ
る。Further, it is preferable that at least one of rotary polishing and polishing is performed in advance on the surface of the target main body 1 on which the re-adhesion particle separation preventing film 4 is formed, and in particular, polishing is performed after the rotary polishing is performed. Is preferably performed. In the present invention, after subjecting the target body 1 to a polishing treatment, it is preferable to further perform a surface treatment by wet etching, dry etching, reverse sputtering, or the like. For wet etching, for example, a potassium ferricyanide (red blood potassium) solution or the like can be used as an etching solution. In dry etching, for example, a mixed gas of CF 4 / O 2 or the like can be used as an etching gas.
【００２６】上述したように、再付着粒子剥離防止膜４
を形成する前に、予めターゲット本体１に上記した研磨
処理や表面処理などを施しておくことによって、ターゲ
ット本体１の表面における結晶面の内部歪が低減され、
スパッタ時の熱影響により歪が開放されることによる再
付着粒子剥離防止膜４の剥離を抑制することが可能とな
る。さらに、再付着粒子剥離防止膜４の表面をさらに平
滑化することができるため、再付着粒子の剥離、脱落を
より一層有効に抑制することが可能となる。As described above, the redeposition particle peeling prevention film 4
By forming the above-mentioned polishing treatment or surface treatment on the target main body 1 before forming, the internal strain of the crystal plane on the surface of the target main body 1 is reduced,
It is possible to suppress the detachment of the re-attached particle detachment preventing film 4 due to the release of the strain due to the thermal effect at the time of sputtering. Furthermore, since the surface of the re-adhesion particle peeling prevention film 4 can be further smoothed, the re-adhesion particles can be more effectively prevented from peeling and falling off.
【００２７】また、再付着粒子剥離防止膜４の構成材料
は、特に限定されるものではなく、種々の金属材料（単
体金属もしくは合金）や金属化合物材料を使用すること
が可能であるが、再付着物の密着性や熱膨張差に起因す
る剥離防止、再付着粒子剥離防止膜４がスパッタされた
場合における薄膜への形成成分以外の成分の混入（コン
タミ）の防止などを考慮して、ターゲット本体１を構成
する金属元素を含む金属薄膜や金属化合物薄膜を適用す
ることが好ましい。The constituent material of the reattachment particle peeling prevention film 4 is not particularly limited, and various metal materials (simple metals or alloys) and metal compound materials can be used. Considering the prevention of separation due to the adhesion of the adhered substance and the difference in thermal expansion, and the prevention of contamination (contamination) of components other than the components formed into the thin film when the re-adhesion particle separation prevention film 4 is sputtered, the target is taken into consideration. It is preferable to apply a metal thin film or a metal compound thin film containing a metal element constituting the main body 1.
【００２８】具体的には、スパッタリングターゲット３
を用いて形成する薄膜が単体金属からなる場合には、こ
の金属薄膜自体で再付着粒子剥離防止膜４を構成するこ
とが好ましい。また、形成する薄膜が金属化合物の場合
には、この金属化合物を構成する金属元素の単体薄膜、
あるいは金属化合物薄膜自体で再付着粒子剥離防止膜４
を作製することが好ましい。例えば、反応性スパッタで
金属化合物膜を形成する場合、ターゲット本体１には金
属ターゲットが用いられるが、このような金属ターゲッ
トの非エロージョン領域に金属化合物薄膜からなる再付
着粒子剥離防止膜４を形成しておくことによって、そこ
に堆積した再付着物の応力緩和効果を得ることができ、
より一層再付着物の剥離抑制効果を高めることが可能と
なる。Specifically, the sputtering target 3
When the thin film formed by using a single metal is used, it is preferable that the metal thin film itself constitutes the anti-adhesion particle peeling prevention film 4. When the thin film to be formed is a metal compound, a simple thin film of a metal element constituting the metal compound,
Alternatively, the metal compound thin film itself is used to prevent the reattachment particle peeling film 4
It is preferable to produce For example, when a metal compound film is formed by reactive sputtering, a metal target is used for the target main body 1, and a redeposition particle separation preventing film 4 made of a metal compound thin film is formed in a non-erosion region of such a metal target. By doing so, it is possible to obtain a stress relaxation effect of the re-deposits deposited there,
It is possible to further enhance the effect of suppressing the detachment of the reattachment.
【００２９】再付着粒子剥離防止膜４には、ターゲット
本体１を構成する金属元素以外の金属薄膜や金属化合物
薄膜を適用することも可能であるが、その場合にはター
ゲット本体１との熱膨張率の差が1×10-6/K以内となる
ように材料選択することが好ましい。再付着粒子剥離防
止膜４とターゲット本体１との熱膨張率の差が1×10- 6/
Kを超えると、熱応力により再付着粒子剥離防止膜４自
体の剥離、さらには再付着物の剥離が生じやすくなるお
それがある。As the reattachment particle peeling prevention film 4, a metal thin film or a metal compound thin film other than the metal element constituting the target main body 1 can be applied. It is preferable to select the materials so that the difference in the rates is within 1 × 10 −6 / K. The difference in thermal expansion coefficient between the re-adhered particles peeling prevention film 4 and the target body 1 is 1 × 10 - 6 /
If it exceeds K, there is a possibility that peeling of the redeposition particle peeling prevention film 4 itself and further peeling of the redeposited matter may easily occur due to thermal stress.
【００３０】また、再付着粒子剥離防止膜４の膜厚は1
〜10μmの範囲とすることが好ましい。再付着粒子剥離
防止膜４の膜厚が10μmを超えると、それ自体が剥離し
やすくなるだけでなく、膜表面の状態が悪化して再付着
粒子が脱落しやすくなるおそれがある。一方、再付着粒
子剥離防止膜４の膜厚を1μm未満とした場合には、その
上に堆積した再付着粒子の高密度化効果や平滑化効果を
十分に得ることができないおそれがある。同様な理由か
ら、再付着粒子剥離防止膜４の膜表面の表面粗さは、JI
S G0601-1994で定義された算術平均粗さＲａで1μm以下
とすることが好ましい。The thickness of the reattachment particle peeling prevention film 4 is 1
It is preferably in the range of 10 to 10 μm. If the thickness of the re-adhesion particle peeling prevention film 4 exceeds 10 μm, not only the film itself may be easily peeled off, but also the state of the film surface may be deteriorated and the re-adhesion particles may easily fall off. On the other hand, when the thickness of the redeposition particle separation preventing film 4 is less than 1 μm, there is a possibility that the effect of increasing the density and smoothing effect of the redeposition particles deposited thereon may not be sufficiently obtained. For the same reason, the surface roughness of the film surface of the reattachment particle peeling prevention film 4 is JI
The arithmetic average roughness Ra defined in SG0601-1994 is preferably 1 μm or less.
【００３１】上述したように、第１の実施形態のスパッ
タリングターゲット３においては、ターゲット本体１の
非エロージョン領域に予め表面処理として再付着粒子剥
離防止膜４を形成しているため、その上に再付着粒子を
高固着強度の下で高密度にかつ平滑に堆積させることが
でき、再付着物自体の密着強度や下地（再付着粒子剥離
防止膜４）との固着強度を高めることが可能となる。こ
れらによって、再付着物の剥離、脱落に起因するダス
ト、具体的には直径0.2μm以下程度の微細なダストの発
生を有効に防止することができる。特に、スパッタ後期
（ターゲットライフ近く）においても、再付着物の剥
離、脱落によるダストの発生を有効に防止することが可
能となる。As described above, in the sputtering target 3 of the first embodiment, since the re-adhesion particle peeling prevention film 4 is formed in advance in the non-erosion region of the target main body 1 as a surface treatment, the re-coating is performed thereon. The adhered particles can be deposited with high density and smoothness under high fixing strength, and the adhesion strength of the re-adhered substance itself and the fixing strength with the base (re-adhered particle peeling prevention film 4) can be increased. . With these, it is possible to effectively prevent the generation of dust resulting from the detachment and detachment of the reattachment, specifically, fine dust having a diameter of about 0.2 μm or less. In particular, even in the latter stage of the sputtering (near the target life), it is possible to effectively prevent the generation of dust due to the detachment and detachment of the reattachment.
【００３２】次に、本発明の第２の実施形態によるスパ
ッタリングターゲットについて説明する。図３は第２の
実施形態によるスパッタリングターゲットの概略構造を
示す断面図である。図３に示すスパッタリングターゲッ
ト７は、円板状のターゲット本体１をバッキングプレー
ト２により支持した構造を有しており、これらの構成に
ついては前述した第１の実施形態と同様とされている。Next, a sputtering target according to a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a sectional view showing a schematic structure of a sputtering target according to the second embodiment. The sputtering target 7 shown in FIG. 3 has a structure in which the disk-shaped target main body 1 is supported by the backing plate 2, and these configurations are the same as those in the first embodiment.
【００３３】ここで、図２に示したマグネトロンスパッ
タリング装置からも明らかなように、再付着粒子はター
ゲット本体１の非エロージョン領域に限らず、バッキン
グプレート２の露出表面にも付着、堆積する。そこで、
図３に示したスパッタリングターゲット７においては、
バッキングプレート２の露出表面にＰＶＤ法またはＣＶ
Ｄ法により再付着粒子剥離防止膜４を形成している。な
お、再付着粒子剥離防止膜４の詳細条件は前述した第１
の実施形態と同様である。Here, as is clear from the magnetron sputtering apparatus shown in FIG. 2, the re-adhered particles adhere and deposit not only on the non-erosion area of the target body 1 but also on the exposed surface of the backing plate 2. Therefore,
In the sputtering target 7 shown in FIG.
PVD method or CV on the exposed surface of backing plate 2
The reattachment particle peeling prevention film 4 is formed by the method D. The detailed conditions of the reattachment particle peeling prevention film 4 are the same as those of the first
This is the same as the embodiment.
【００３４】このように、バッキングプレート２の露出
表面に再付着粒子剥離防止膜４を形成することによって
も、その上に付着した再付着粒子を高固着強度の下で高
密度にかつ平滑に堆積させることができるため、再付着
物の剥離、脱落を有効に抑制することができる。従っ
て、再付着物の剥離、脱落に起因するダスト発生を防止
することが可能となる。As described above, by forming the redeposited particle peeling prevention film 4 on the exposed surface of the backing plate 2, the redeposited particles adhered thereon are deposited with high density and smoothness under high fixing strength. Therefore, the detachment and detachment of the reattachment can be effectively suppressed. Therefore, it is possible to prevent the generation of dust due to the detachment and detachment of the reattachment.
【００３５】再付着粒子剥離防止膜４は、図４に示すよ
うに、ターゲット本体１の非エロージョン領域、すなわ
ちターゲット本体１の表面中央部、表面外周部および側
面部と、バッキングプレート２の露出表面にそれぞれ形
成することが特に好ましい。これによって、再付着物の
剥離、脱落に起因するダストの発生をより一層有効に低
減することが可能となる。As shown in FIG. 4, the non-erosion region of the target main body 1, that is, the central part, the outer peripheral part and the side part of the target main body 1, and the exposed surface of the backing plate 2, as shown in FIG. It is particularly preferable to form each of them. As a result, it is possible to further effectively reduce the generation of dust caused by the detachment and detachment of the re-attachment.
【００３６】本発明のスパッタリング装置は、図２に示
したような従来から一般的に用いられてきたスパッタリ
ング装置のターゲット部に、本発明のスパッタリングタ
ーゲット（３，７）を適用したものである。なお、図２
では図示を省略したが、被成膜試料である基板５はホル
ダなどに保持されており、また基板５とスパッタリング
ターゲット３は真空容器内に配置されている。The sputtering apparatus of the present invention is one in which the sputtering target (3, 7) of the present invention is applied to a target portion of a conventionally generally used sputtering apparatus as shown in FIG. Note that FIG.
Although not shown in the drawings, the substrate 5 which is a sample on which a film is to be formed is held by a holder or the like, and the substrate 5 and the sputtering target 3 are arranged in a vacuum vessel.
【００３７】上述した本発明のスパッタリングターゲッ
ト３、７によれば、それ自体に起因するダストの発生を
有効に防止することができる。従って、そのようなスパ
ッタリングターゲットを用いたスパッタリング装置によ
れば、スパッタ膜の品質を大幅に高めることが可能とな
る。そして、本発明のスパッタリングターゲットを用い
て成膜したスパッタ膜、すなわち金属薄膜や金属化合物
薄膜などを、半導体素子や液晶表示素子などの電子部品
の配線膜、電極、素子構成膜などに使用することによっ
て、電子部品の製造歩留りの向上を図ることが可能とな
る。According to the above-described sputtering targets 3 and 7 of the present invention, it is possible to effectively prevent the generation of dust due to itself. Therefore, according to a sputtering apparatus using such a sputtering target, the quality of a sputtered film can be significantly improved. Then, a sputtered film formed using the sputtering target of the present invention, that is, a metal thin film or a metal compound thin film is used as a wiring film, an electrode, an element constituent film, etc. of an electronic component such as a semiconductor element or a liquid crystal display element. This makes it possible to improve the production yield of electronic components.
【００３８】[0038]
【実施例】次に、本発明の具体的な実施例について説明
する。Next, specific examples of the present invention will be described.
【００３９】実施例１ まず、Ｔｉターゲット（ターゲット本体）となる純度5N
のＴｉ円板とバッキングプレートとなるＡｌ合金（606
1）板とをホットプレスにより拡散接合した。これらを
所望のターゲット形状およびバッキングプレート形状に
機械加工した。具体的には、Ｔｉターゲットは外径250m
m、厚さ15mmとした。バッキングプレートは外径300mmと
した。Example 1 First, a Ti target (target body) having a purity of 5N
Al alloy (606 to become Ti disk and backing plate)
1) The plate and the plate were diffusion bonded by hot pressing. These were machined to the desired target shape and backing plate shape. Specifically, the Ti target has an outer diameter of 250m.
m and a thickness of 15 mm. The backing plate had an outer diameter of 300 mm.
【００４０】次に、Ｔｉターゲット表面の内径240mmの
部分を被覆するようにマスキングした。すなわち、Ｔｉ
ターゲット表面の外周5mm幅の部分と側面部を露出させ
るように、マスキング処理を施した。このマスキングを
介してＣＶＤ法により膜厚約5μmのＴｉ薄膜を、再付着
粒子剥離防止膜としてＴｉターゲットの表面外周部と側
面部、さらにバッキングプレートの露出表面に形成し
た。このようにして再付着粒子剥離防止膜をＣＶＤ法に
より形成したＴｉスパッタリングターゲットを後述する
成膜試験に供した。Next, masking was performed so as to cover a portion having an inner diameter of 240 mm on the surface of the Ti target. That is, Ti
A masking treatment was performed so as to expose a portion having a width of 5 mm and a side surface of the target surface. Through this masking, a Ti thin film having a thickness of about 5 μm was formed as a re-adhesion particle peeling prevention film on the outer periphery and side surfaces of the Ti target and on the exposed surface of the backing plate by the CVD method. The Ti sputtering target on which the reattachment particle peeling prevention film was formed by the CVD method was subjected to a film formation test described later.
【００４１】実施例２ Ｔｉターゲットの表面外周部と側面部、さらにバッキン
グプレートの露出表面に、再付着粒子剥離防止膜（膜厚
約5μmのＴｉ薄膜）をスパッタリング法により形成する
以外は、実施例１と同様にしてＴｉスパッタリングター
ゲットを作製した。この再付着粒子剥離防止膜をスパッ
タリング法により形成したＴｉスパッタリングターゲッ
トを後述する成膜試験に供した。Example 2 The procedure of Example 2 was repeated except that a redeposition particle-preventing film (Ti thin film having a thickness of about 5 μm) was formed on the outer periphery and side surfaces of the Ti target and on the exposed surface of the backing plate by sputtering. In the same manner as in Example 1, a Ti sputtering target was produced. The Ti sputtering target having the reattachment particle peeling prevention film formed by a sputtering method was subjected to a film formation test described later.
【００４２】実施例３ Ｔｉターゲットの表面外周部と側面部、さらにバッキン
グプレートの露出表面に、再付着粒子剥離防止膜（膜厚
約3μmのＴｉ薄膜）をアークイオンプレーティング法に
より形成する以外は、実施例１と同様にしてＴｉスパッ
タリングターゲットを作製した。ここで、アークイオン
プレーティング法により再付着粒子剥離防止膜を形成す
る前処理として、膜形成前のＴｉターゲットを真空装置
に配置して2.4×10-3Paまで真空排気した後、300℃に予
熱してＡｒボンバードクリーニングを30分間行い、さら
にＴｉボンバードクリーニングを10分間行った。このよ
うにして再付着粒子剥離防止膜をアークイオンプレーテ
ィング法により形成したＴｉスパッタリングターゲット
を後述する成膜試験に供した。Example 3 Except that an anti-adhesion particle peeling film (Ti thin film having a thickness of about 3 μm) was formed on the outer periphery and side surfaces of the Ti target and on the exposed surface of the backing plate by the arc ion plating method. In the same manner as in Example 1, a Ti sputtering target was produced. Here, as a pre-treatment for forming a re-adhesion particle peeling prevention film by the arc ion plating method, a Ti target before film formation was placed in a vacuum apparatus, evacuated to 2.4 × 10 −3 Pa, and then heated to 300 ° C. Preheating was performed, and Ar bombard cleaning was performed for 30 minutes, and further Ti bombard cleaning was performed for 10 minutes. The Ti sputtering target on which the reattachment particle peeling prevention film was formed by the arc ion plating method was subjected to a film formation test described later.
【００４３】比較例１ Ｔｉターゲットの表面外周部と側面部、さらにバッキン
グプレートの露出表面に何等処理を施さない以外は、実
施例１と同様にしてＴｉスパッタリングターゲットを作
製した。この再付着粒子の剥離防止処理を施していない
Ｔｉスパッタリングターゲットを後述する成膜試験に供
した。Comparative Example 1 A Ti sputtering target was produced in the same manner as in Example 1, except that no treatment was applied to the outer peripheral portion and the side surface portion of the Ti target and the exposed surface of the backing plate. The Ti sputtering target not subjected to the reattachment particle separation prevention treatment was subjected to a film formation test described later.
【００４４】比較例２ Ｔｉターゲットの表面外周部と側面部、さらにバッキン
グプレートの露出表面に対してブラスト処理のみを施す
以外は、実施例１と同様にしてＴｉスパッタリングター
ゲットを作製した。この再付着粒子の剥離防止処理とし
てブラスト処理を適用したＴｉスパッタリングターゲッ
トを後述する成膜試験に供した。Comparative Example 2 A Ti sputtering target was produced in the same manner as in Example 1 except that only the blast treatment was performed on the outer peripheral portion and the side portion of the surface of the Ti target, and on the exposed surface of the backing plate. A Ti sputtering target to which a blast treatment was applied as a treatment for preventing the reattached particles from peeling was subjected to a film formation test described later.
【００４５】比較例３ Ｔｉターゲットの表面外周部と側面部、さらにバッキン
グプレートの露出表面に、溶射法により膜厚約5μmのＴ
ｉ薄膜を形成する以外は、実施例１と同様にしてＴｉス
パッタリングターゲットを作製した。この再付着粒子の
剥離防止処理として溶射膜の形成を行ったＴｉスパッタ
リングターゲットを後述する成膜試験に供した。COMPARATIVE EXAMPLE 3 The outer periphery and side surfaces of the Ti target and the exposed surface of the backing plate were sprayed with a T
A Ti sputtering target was produced in the same manner as in Example 1 except that an i thin film was formed. The Ti sputtering target on which a thermal sprayed film was formed as a treatment for preventing the reattached particles from peeling was subjected to a film formation test described later.
【００４６】上述した実施例１〜３および比較例１〜３
による各Ｔｉスパッタリングターゲットを用いて、スパ
ッタ圧4×10-１Pa、スパッタ電流5A、Ａｒ流量15sccm、
Ｎ2流量30sccmの条件でマグネトロンスパッタリングを
行って、6インチＳｉウェハー上にＴｉ薄膜を形成し
た。そして、100ロット後、150ロット後、200ロット後
の各Ｔｉ薄膜上の0.2μm以上のダスト数（パーティクル
数）をパーティクルカウンタでそれぞれ測定した。それ
らの測定結果を表１に示す。Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 described above
Using each Ti sputtering target according to the above, sputtering pressure 4 × 10 -1 Pa, sputtering current 5A, Ar flow rate 15sccm,
Magnetron sputtering was performed under the conditions of an N 2 flow rate of 30 sccm to form a Ti thin film on a 6-inch Si wafer. Then, after 100 lots, 150 lots, and 200 lots, the number of particles (particle number) of 0.2 μm or more on each Ti thin film was measured by a particle counter. Table 1 shows the measurement results.
【００４７】[0047]
【表１】 [Table 1]
【００４８】表１から明らかなように、実施例１〜３に
よる各Ｔｉスパッタリングターゲットによれば、比較例
１〜３のＴｉスパッタリングターゲットに比べてダスト
発生量が低減している。特に、ターゲットライフ近くの
ダスト発生量が大幅に低減していることが分かる。As is clear from Table 1, according to each of the Ti sputtering targets of Examples 1 to 3, the amount of dust generation is smaller than that of the Ti sputtering targets of Comparative Examples 1 to 3. In particular, it can be seen that the amount of dust generated near the target life is significantly reduced.
【００４９】実施例４ Ｔｉターゲットの表面外周部と側面部、さらにバッキン
グプレートの露出表面に、それぞれ膜厚が5μm、20μ
m、50μm、100μmのＴｉ薄膜からなる再付着粒子剥離防
止膜をアークイオンプレーティング法により形成する以
外は、実施例３と同様にしてそれぞれスパッタリングタ
ーゲットを作製した。これらのスパッタリングターゲッ
トについて、実施例３と同一条件下で成膜試験を実施
し、100ロット後、150ロット後、200ロット後の各Ｔｉ
薄膜上の0.2μm以上のダスト数（パーティクル数）をそ
れぞれ測定した。それらの測定結果を表２に示す。な
お、表２には再付着粒子剥離防止膜（Ｔｉ薄膜）の表面
粗さを併せて示す。Example 4 A film thickness of 5 μm and a thickness of 20 μm were formed on the outer periphery and side surfaces of the Ti target and on the exposed surface of the backing plate, respectively.
Sputtering targets were produced in the same manner as in Example 3, except that the anti-reattachment particle peeling film composed of the m, 50 μm, and 100 μm Ti thin films was formed by the arc ion plating method. A film forming test was performed on these sputtering targets under the same conditions as in Example 3, and after 100 lots, 150 lots, and 200 lots each Ti
The number of dust (particle number) of 0.2 μm or more on the thin film was measured. Table 2 shows the measurement results. Table 2 also shows the surface roughness of the reattachment particle peeling prevention film (Ti thin film).
【００５０】[0050]
【表２】 [Table 2]
【００５１】表２から明らかなように、実施例３および
実施例４の試料1による各Ｔｉスパッタリングターゲッ
トはダスト発生量が少ないのに対し、Ｔｉ薄膜の膜厚を
厚くした実施例４の試料2〜4による各スパッタリングタ
ーゲットはダスト発生量が増加している。これは、実施
例４の試料2〜4ではＴｉ薄膜の表面粗さが膜厚の増大に
伴って大きくなっているため、膜表面の凸部の影にあた
る部分に付着した再付着粒子が脱落したり、あるいは膜
表面の凸部先端に集中的に再付着粒子が堆積して膜スト
レスが大きくなることで、ダストの発生数が実施例３や
実施例４の試料1に比べて増加したものと考えられる。
この結果から分かるように、再付着粒子剥離防止膜の膜
厚は1〜10μmの範囲とすることが好ましい。As is clear from Table 2, each of the Ti sputtering targets according to Samples 1 of Examples 3 and 4 produced a small amount of dust, whereas Sample 2 of Example 4 having a thicker Ti thin film. Each of the sputtering targets Nos. 1 to 4 has an increased dust generation amount. This is because, in Samples 2 to 4 of Example 4, since the surface roughness of the Ti thin film increased with the increase in the film thickness, the redeposited particles that had adhered to the portion of the film surface that was in the shadow of the projections fell off. The number of dusts increased as compared with the sample 1 of Example 3 or Example 4 due to the increase in film stress due to the accumulation of redeposited particles on the tip of the convex portion of the film surface. Conceivable.
As can be seen from this result, the thickness of the anti-redeposition particle peeling film is preferably in the range of 1 to 10 μm.
【００５２】実施例５ 再付着粒子剥離防止膜を形成する前に、Ｔｉターゲット
の表面にエッチング処理を施して加工歪層などの除去お
よび表面清浄化を行った後、膜厚3μmのＴｉ薄膜からな
る再付着粒子剥離防止膜をアークイオンプレーティング
法により形成する以外は、実施例３と同様にしてスパッ
タリングターゲットを作製した。このスパッタリングタ
ーゲットについて、実施例３と同一条件下で成膜試験を
実施し、100ロット後、150ロット後、200ロット後の各
Ｔｉ薄膜上の0.2μm以上のダスト数をそれぞれ測定し
た。その測定結果を表３に示す。なお、表３には再付着
粒子剥離防止膜（Ｔｉ薄膜）の表面粗さを併せて示す。Example 5 Before forming a re-adhesion particle peeling prevention film, the surface of a Ti target was subjected to an etching treatment to remove a processing strain layer and the like and to clean the surface. A sputtering target was produced in the same manner as in Example 3, except that the anti-reattachment particle peeling-off film was formed by the arc ion plating method. For this sputtering target, a film formation test was performed under the same conditions as in Example 3, and the number of dust particles of 0.2 μm or more on each Ti thin film after 100, 150, and 200 lots was measured. Table 3 shows the measurement results. Table 3 also shows the surface roughness of the reattachment particle peeling prevention film (Ti thin film).
【００５３】[0053]
【表３】 [Table 3]
【００５４】表３から明らかなように、実施例５のスパ
ッタリングターゲットは、実施例３のスパッタリングタ
ーゲットに比べてダスト発生量が若干低下している。こ
のことから分かるように、再付着粒子剥離防止膜の形成
面（ターゲット本体の表面）は、予め加工歪層などを除
去した清浄な面であることが好ましい。As is apparent from Table 3, the amount of dust generated by the sputtering target of Example 5 is slightly lower than that of the sputtering target of Example 3. As can be seen from this, it is preferable that the surface on which the reattachment particle peeling prevention film is formed (the surface of the target main body) be a clean surface from which a work distortion layer or the like has been removed in advance.
【００５５】実施例６ 表面を鏡面加工したＴｉターゲット（試料1）と表面を
鏡面加工およびエッチング処理したＴｉターゲット（試
料2）をそれぞれ用意し、これらの表面外周部と側面部
に膜厚3μmのＴｉ薄膜からなる再付着粒子剥離防止膜を
アークイオンプレーティング法により形成する以外は、
実施例３と同様にしてスパッタリングターゲットを作製
した。これらのスパッタリングターゲットについて、実
施例３と同一条件下で成膜試験を実施し、100ロット
後、150ロット後、200ロット後の各Ｔｉ薄膜上の0.2μm
以上のダスト数をそれぞれ測定した。それらの測定結果
を表４に示す。なお、表４には再付着粒子剥離防止膜
（Ｔｉ薄膜）の表面粗さを併せて示す。Example 6 A Ti target (sample 1) having a mirror-finished surface and a Ti target (sample 2) having a mirror-polished surface and an etched surface were prepared. Except for forming a redeposition particle peeling prevention film composed of a Ti thin film by an arc ion plating method,
A sputtering target was produced in the same manner as in Example 3. A film formation test was performed on these sputtering targets under the same conditions as in Example 3, and after 100 lots, 150 lots, and 200 lots, 0.2 μm
Each of the above dust numbers was measured. Table 4 shows the measurement results. Table 4 also shows the surface roughness of the reattachment particle peeling prevention film (Ti thin film).
【００５６】[0056]
【表４】 [Table 4]
【００５７】表４から明らかなように、実施例６の各ス
パッタリングターゲットは、実施例３のスパッタリング
ターゲットに比べてダスト発生量が若干低下している。
このことから分かるように、再付着粒子剥離防止膜の形
成面（ターゲット本体の表面）は平滑な面であることが
好ましい。As is clear from Table 4, the amount of dust generated in each of the sputtering targets of Example 6 is slightly lower than that of the sputtering target of Example 3.
As can be seen from this, it is preferable that the surface on which the reattachment particle separation preventing film is formed (the surface of the target body) be a smooth surface.
【００５８】実施例７ まず、Ｔａターゲット（ターゲット本体）となる純度5N
のＴａ円板とバッキングプレートとなるＡｌ合金（606
1）板とをホットプレスにより拡散接合した。これらを
所望のターゲット形状およびバッキングプレート形状に
機械加工した。具体的には、Ｔａターゲットは外径250m
m、厚さ15mmとした。バッキングプレートは外径300mmと
した。Example 7 First, a purity of 5N to be a Ta target (target body)
Al alloy (606 to be Ta disk and backing plate)
1) The plate and the plate were diffusion bonded by hot pressing. These were machined to the desired target shape and backing plate shape. Specifically, the Ta target has an outer diameter of 250m.
m and a thickness of 15 mm. The backing plate had an outer diameter of 300 mm.
【００５９】次に、Ｔａターゲット表面の内径240mmの
部分を被覆するようにマスキングした。すなわち、Ｔａ
ターゲット表面の外周5mm幅の部分と側面部を露出させ
るように、マスキング処理を施した。このマスキングを
介してＣＶＤ法により膜厚約5μmのＴａ薄膜を、再付着
粒子剥離防止膜としてＴａターゲットの表面外周部と側
面部、さらにバッキングプレートの露出表面に形成し
た。このようにして再付着粒子剥離防止膜をＣＶＤ法に
より形成したＴａスパッタリングターゲットを後述する
成膜試験に供した。Next, masking was performed so as to cover a portion having an inner diameter of 240 mm on the surface of the Ta target. That is, Ta
A masking treatment was performed so as to expose a portion having a width of 5 mm and a side surface of the target surface. Through this masking, a Ta thin film having a thickness of about 5 μm was formed as a re-adhesion particle peeling prevention film on the outer peripheral portion and side surface portion of the Ta target, and further on the exposed surface of the backing plate by the CVD method. The Ta sputtering target on which the re-adhesion particle peeling prevention film was formed by the CVD method was subjected to a film formation test described later.
【００６０】実施例８ Ｔａターゲットの表面外周部と側面部、さらにバッキン
グプレートの露出表面に、再付着粒子剥離防止膜（膜厚
約5μmのＴａ薄膜）をスパッタリング法により形成する
以外は、実施例７と同様にしてＴａスパッタリングター
ゲットを作製した。この再付着粒子剥離防止膜をスパッ
タリング法により形成したＴａスパッタリングターゲッ
トを後述する成膜試験に供した。Example 8 The same procedure as in Example 8 was carried out except that a redeposition particle-preventing film (Ta thin film having a thickness of about 5 μm) was formed on the outer periphery and side surfaces of the Ta target and on the exposed surface of the backing plate by sputtering. 7, a Ta sputtering target was produced. A Ta sputtering target having the reattachment particle peeling prevention film formed by a sputtering method was subjected to a film formation test described later.
【００６１】実施例９ Ｔａターゲットの表面外周部と側面部、さらにバッキン
グプレートの露出表面に、再付着粒子剥離防止膜（膜厚
約3μmのＴａ薄膜）をアークイオンプレーティング法に
より形成する以外は、実施例７と同様にしてＴａスパッ
タリングターゲットを作製した。ここで、アークイオン
プレーティング法により再付着粒子剥離防止膜を形成す
る前処理として、膜形成前のＴａターゲットを真空装置
に配置して2.4×10-3Paまで真空排気した後、300℃に予
熱してＡｒボンバードクリーニングを30分間行い、さら
にＴａボンバードクリーニングを10分間行った。このよ
うにして再付着粒子剥離防止膜をアークイオンプレーテ
ィング法により形成したＴａスパッタリングターゲット
を後述する成膜試験に供した。Example 9 Except that an anti-removable particle peeling film (Ta thin film having a thickness of about 3 μm) was formed by an arc ion plating method on the outer peripheral portion and the side surface portion of the Ta target, and on the exposed surface of the backing plate. In the same manner as in Example 7, a Ta sputtering target was produced. Here, as a pretreatment for forming a re-adhesion particle peeling prevention film by the arc ion plating method, a Ta target before film formation was placed in a vacuum apparatus, evacuated to 2.4 × 10 −3 Pa, and then heated to 300 ° C. Arbon bombard cleaning was performed for 30 minutes by preheating, and Ta bombard cleaning was performed for 10 minutes. The Ta sputtering target on which the reattachment particle peeling prevention film was formed by the arc ion plating method was subjected to a film formation test described later.
【００６２】比較例４ Ｔａターゲットの表面外周部と側面部、さらにバッキン
グプレートの露出表面に何等処理を施さない以外は、実
施例７と同様にしてＴａスパッタリングターゲットを作
製した。この再付着粒子の剥離防止処理を施していない
Ｔａスパッタリングターゲットを後述する成膜試験に供
した。Comparative Example 4 A Ta sputtering target was produced in the same manner as in Example 7, except that no treatment was applied to the outer peripheral portion and the side surface portion of the Ta target and the exposed surface of the backing plate. The Ta sputtering target which had not been subjected to the treatment for preventing the reattached particles from peeling was subjected to a film formation test described later.
【００６３】比較例５ Ｔａターゲットの表面外周部と側面部、さらにバッキン
グプレートの露出表面に対してブラスト処理のみを施す
以外は、実施例７と同様にしてＴａスパッタリングター
ゲットを作製した。この再付着粒子の剥離防止処理とし
てブラスト処理を施したＴａスパッタリングターゲット
を後述する成膜試験に供した。Comparative Example 5 A Ta sputtering target was produced in the same manner as in Example 7, except that only the blast treatment was performed on the outer peripheral portion and the side surface portion of the Ta target, and on the exposed surface of the backing plate. The Ta sputtering target subjected to the blast treatment as the treatment for preventing the reattached particles from peeling was subjected to a film formation test described later.
【００６４】比較例６ Ｔａターゲットの表面外周部と側面部、さらにバッキン
グプレートの露出表面に、溶射法により膜厚約5μmのＴ
ａ薄膜を形成する以外は、実施例７と同様にしてＴａス
パッタリングターゲットを作製した。この再付着粒子の
剥離防止処理として溶射膜の形成を行ったＴａスパッタ
リングターゲットを後述する成膜試験に供した。COMPARATIVE EXAMPLE 6 The outer peripheral portion and the side portion of the Ta target and the exposed surface of the backing plate were sprayed with a T
A Ta sputtering target was produced in the same manner as in Example 7, except that the a thin film was formed. The Ta sputtering target on which the thermal sprayed film was formed as a treatment for preventing the reattached particles from peeling was subjected to a film formation test described later.
【００６５】上述した実施例７〜９および比較例４〜６
による各Ｔａスパッタリングターゲットを用いて、スパ
ッタ圧4×10-１Pa、スパッタ電流5A、Ａｒ流量5sccm、
Ｎ2流量3sccmの条件でマグネトロンスパッタリングを行
って、6インチＳｉウェハー上にＴａＮ薄膜を形成し
た。そして、100ロット後、150ロット後、200ロット後
の各ＴａＮ薄膜上の0.2μm以上のダスト（パーティク
ル）数をパーティクルカウンタでそれぞれ測定した。そ
れらの測定結果を表５に示す。The above Examples 7 to 9 and Comparative Examples 4 to 6
Using each Ta sputtering target, a sputtering pressure of 4 × 10 −1 Pa, a sputtering current of 5 A, an Ar flow rate of 5 sccm,
A TaN thin film was formed on a 6-inch Si wafer by magnetron sputtering with a N 2 flow rate of 3 sccm. The number of dust (particles) of 0.2 μm or more on each TaN thin film after 100, 150, and 200 lots was measured by a particle counter. Table 5 shows the measurement results.
【００６６】[0066]
【表５】 [Table 5]
【００６７】表５から明らかなように、実施例７〜９に
よる各Ｔａスパッタリングターゲットによれば、比較例
４〜６のＴａスパッタリングターゲットに比べてダスト
発生量が低減している。特に、ターゲットライフ近くの
ダスト発生量が大幅に低減していることが分かる。As is clear from Table 5, according to the Ta sputtering targets of Examples 7 to 9, the amount of dust generation is smaller than that of the Ta sputtering targets of Comparative Examples 4 to 6. In particular, it can be seen that the amount of dust generated near the target life is significantly reduced.
【００６８】実施例１０ Ｔａターゲットの表面外周部と側面部、さらにバッキン
グプレートの露出表面に、それぞれ膜厚が5μm、20μ
m、50μm、100μmのＴａ薄膜からなる再付着粒子剥離防
止膜をアークイオンプレーティング法により形成する以
外は、実施例９と同様にしてそれぞれスパッタリングタ
ーゲットを作製した。これらのスパッタリングターゲッ
トについて、実施例９と同一条件下で成膜試験を実施
し、100ロット後、150ロット後、200ロット後の各Ｔａ
Ｎ膜上の0.2μm以上のダスト数（パーティクル数）をそ
れぞれ測定した。それらの測定結果を表６に示す。な
お、表６には再付着粒子剥離防止膜（Ｔａ薄膜）の表面
粗さを併せて示す。Example 10 A film thickness of 5 μm and a film thickness of 20 μm were formed on the outer peripheral portion and the side portion of the Ta target and on the exposed surface of the backing plate, respectively.
Sputtering targets were produced in the same manner as in Example 9 except that the redeposition particle-preventing film composed of the m, 50 μm, and 100 μm thin films was formed by the arc ion plating method. A film formation test was performed on these sputtering targets under the same conditions as in Example 9, and after 100 lots, 150 lots, and 200 lots of each Ta,
The number of dust (particle number) of 0.2 μm or more on the N film was measured. Table 6 shows the measurement results. Table 6 also shows the surface roughness of the reattachment particle peeling prevention film (Ta thin film).
【００６９】[0069]
【表６】 [Table 6]
【００７０】実施例１１ 再付着粒子剥離防止膜を形成する前に、Ｔａターゲット
の表面にエッチング処理を施して加工歪層などの除去お
よび表面清浄化を行った後、膜厚3μmのＴａ薄膜からな
る再付着粒子剥離防止膜をアークイオンプレーティング
法により形成する以外は、実施例９と同様にしてスパッ
タリングターゲットを作製した。このスパッタリングタ
ーゲットについて、実施例９と同一条件下で成膜試験を
実施し、100ロット後、150ロット後、200ロット後の各
ＴａＮ膜上の0.2μm以上のダスト数をそれぞれ測定し
た。その測定結果を表７に示す。なお、表７には再付着
粒子剥離防止膜（Ｔａ薄膜）の表面粗さを併せて示す。Example 11 Before forming a re-adhesion particle peeling prevention film, the surface of a Ta target was subjected to an etching treatment to remove a processing strain layer and the like and to clean the surface. A sputtering target was produced in the same manner as in Example 9 except that the anti-redeposition particle peeling film was formed by an arc ion plating method. For this sputtering target, a film formation test was performed under the same conditions as in Example 9, and the number of dust particles of 0.2 μm or more on each TaN film after 100, 150, and 200 lots was measured. Table 7 shows the measurement results. Table 7 also shows the surface roughness of the antiadhesion particle peeling prevention film (Ta thin film).
【００７１】[0071]
【表７】 [Table 7]
【００７２】実施例１２ 表面を鏡面加工したＴａターゲット（試料1）と表面を
鏡面加工およびエッチング処理したＴａターゲット（試
料2）をそれぞれ用意し、これらの表面外周部と側面部
に膜厚3μmのＴａ薄膜からなる再付着粒子剥離防止膜を
アークイオンプレーティング法により形成する以外は、
実施例９と同様にしてスパッタリングターゲットを作製
した。これらのスパッタリングターゲットについて、実
施例９と同一条件下で成膜試験を実施し、100ロット
後、150ロット後、200ロット後の各ＴａＮ膜上の0.2μm
以上のダスト数をそれぞれ測定した。それらの測定結果
を表８に示す。なお、表８には再付着粒子剥離防止膜
（Ｔａ薄膜）の表面粗さを併せて示す。Example 12 A Ta target (sample 1) having a mirror-finished surface and a Ta target (sample 2) having a mirror-finished surface and an etched surface were prepared, and a 3 μm-thick film was formed on the outer periphery and side surfaces thereof. Except for forming a redeposition particle peeling prevention film made of a Ta thin film by an arc ion plating method,
A sputtering target was produced in the same manner as in Example 9. For these sputtering targets, a film formation test was performed under the same conditions as in Example 9 and 0.2 μm on each TaN film after 100 lots, 150 lots, and 200 lots.
Each of the above dust numbers was measured. Table 8 shows the measurement results. Table 8 also shows the surface roughness of the reattachment particle peeling prevention film (Ta thin film).
【００７３】[0073]
【表８】 [Table 8]
【００７４】[0074]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のスパッタ
リングターゲットによれば、それ自体からの再付着物の
剥離、脱落を有効に抑制し得るため、この再付着物の剥
離、脱落に起因するダストの発生を大幅に低減すること
ができる。従って、高品質のスパッタ膜を再現性よく提
供することが可能となる。As described above, according to the sputtering target of the present invention, the detachment and detachment of the reattachment from itself can be effectively suppressed. Generation of dust can be significantly reduced. Therefore, it is possible to provide a high quality sputtered film with good reproducibility.
【図１】 本発明の第１の実施形態によるスパッタリン
グターゲットの概略構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a sputtering target according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 一般的なマグネトロンスパッタリング装置の
構成を模式的に示す図である。FIG. 2 is a diagram schematically showing a configuration of a general magnetron sputtering apparatus.
【図３】 本発明の第２の実施形態によるスパッタリン
グターゲットの概略構成を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a schematic configuration of a sputtering target according to a second embodiment of the present invention.
【図４】 図３に示すスパッタリングターゲットの変形
例を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a modification of the sputtering target shown in FIG.
１……ターゲット本体 ２……バッキングプレート ３、７……スパッタリングターゲット ４……再付着粒子剥離防止膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Target body 2 ... Backing plate 3, 7 ... Sputtering target 4 ... Re-adhesion particle peeling prevention film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石上 隆 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 渡邊 光一 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 渡辺 高志 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 藤岡 直美 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 高阪 泰郎 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 鈴木 幸伸 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 Ｆターム(参考） 4K029 DC07 DC12 4M104 BB01 BB02 BB04 BB05 BB06 BB08 BB13 BB14 BB16 BB17 BB18 BB32 BB36 DD39 DD40 DD42 HH20 5F103 AA08 BB22 BB60 DD28 RR10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Takashi Ishigami, 8-8 Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Toshiba Yokohama Office (72) Koichi Watanabe 8th, Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa (72) Inventor Takashi Watanabe, Inc.8, Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Toshiba Yokohama Office (72) Naomi Fujioka, 8-8 Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Toshiba Corporation Inside Yokohama Works (72) Inventor Yasuo Takasaka 8th Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside Toshiba Yokohama Works (72) Inventor Yukinobu Suzuki 8th Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Toshiba Yokohama Co., Ltd. F-term (reference) 4K029 DC07 DC12 4M104 BB01 BB02 BB04 BB05 BB06 BB08 BB13 BB14 BB16 BB17 BB18 BB3 2 BB36 DD39 DD40 DD42 HH20 5F103 AA08 BB22 BB60 DD28 RR10
Claims (8)
一部に設けられ、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法により形成さ
れた再付着粒子剥離防止膜とを具備することを特徴とす
るスパッタリングターゲット。1. A sputtering target comprising: a target main body; and a re-adhesion particle peeling prevention film provided on at least a part of a non-erosion region of the target main body and formed by a PVD method or a CVD method. .
トにおいて、 前記ターゲット本体はバッキングプレートにより支持さ
れていることを特徴とするスパッタリングターゲット。2. The sputtering target according to claim 1, wherein the target body is supported by a backing plate.
られ、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法により形成された再付着
粒子剥離防止膜とを具備することを特徴とするスパッタ
リングターゲット。3. A target body, a backing plate for supporting the target body, and a redeposition particle peeling prevention film provided on at least a part of a surface of the backing plate and formed by a PVD method or a CVD method. A sputtering target.
トにおいて、 さらに、前記ターゲット本体の非エロージョン領域の少
なくとも一部に前記再付着粒子剥離防止膜が形成されて
いることを特徴とするスパッタリングターゲット。4. The sputtering target according to claim 3, wherein the reattachment particle separation preventing film is formed on at least a part of a non-erosion region of the target body.
記載のスパッタリングターゲットにおいて、 前記再付着粒子剥離防止膜は、スパッタリング法、イオ
ンプレーティング法またはＣＶＤ法により形成された金
属薄膜または金属化合物薄膜からなることを特徴とする
スパッタリングターゲット。5. The sputtering target according to claim 1, wherein the reattachment particle separation preventing film is a metal thin film or metal formed by a sputtering method, an ion plating method, or a CVD method. A sputtering target comprising a compound thin film.
記載のスパッタリングターゲットにおいて、 前記再付着粒子剥離防止膜は、前記ターゲット本体を構
成する金属元素を含む金属薄膜または金属化合物薄膜か
らなることを特徴とするスパッタリングターゲット。6. The sputtering target according to claim 1, wherein the reattachment particle peeling prevention film is formed of a metal thin film or a metal compound thin film containing a metal element constituting the target main body. A sputtering target characterized by the above-mentioned.
記載のスパッタリングターゲットにおいて、 前記ターゲット本体は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｆ
ｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｃｕ、ＳｉおよびＧｅから選ば
れる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金
または化合物からなることを特徴するスパッタリングタ
ーゲット。7. The sputtering target according to claim 1, wherein the target body is made of Ti, Zr, Hf, V, Nb,
Ta, Cr, Mo, W, Pt, Ag, Ir, Ru, F
A sputtering target comprising a simple substance of a metal element selected from e, Ni, Co, Al, Cu, Si and Ge, or an alloy or a compound containing the metal element.
る被成膜試料保持部と、前記真空容器内に前記被成膜試
料保持部と対向して配置されるターゲット部とを具備す
るスパッタリング装置において、 前記ターゲット部は、請求項１ないし請求項７のいずれ
か１項記載のスパッタリングターゲットを有することを
特徴とするスパッタリング装置。8. A vacuum vessel, a film-holding sample holding section disposed in the vacuum vessel, and a target section disposed in the vacuum vessel so as to face the film-forming sample holding section. A sputtering apparatus, wherein the target section includes the sputtering target according to any one of claims 1 to 7.
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006144119A (en) * | 2004-10-19 | 2006-06-08 | Kobelco Kaken:Kk | Layered product for sputtering aluminum-neodymium alloys |
| WO2010101051A1 (en) * | 2009-03-03 | 2010-09-10 | 日鉱金属株式会社 | Sputtering target and process for producing same |
| JP2011084765A (en) * | 2009-10-14 | 2011-04-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Sintered target for use in producing thin film and manufacturing method therefor |
| US8562794B2 (en) | 2010-12-14 | 2013-10-22 | Asahi Glass Company, Limited | Process for producing reflective mask blank for EUV lithography and process for producing substrate with functional film for the mask blank |
| JP2014231639A (en) * | 2013-04-30 | 2014-12-11 | 株式会社コベルコ科研 | Li-CONTAINING OXIDE TARGET JOINED BODY |
| US9139899B2 (en) | 2011-12-13 | 2015-09-22 | Ulvac, Inc. | Target device, sputtering apparatus and method for manufacturing a target device |
| WO2016021101A1 (en) * | 2014-08-08 | 2016-02-11 | 株式会社アルバック | Target assembly |
| US20160053365A1 (en) * | 2014-08-20 | 2016-02-25 | Honeywell International Inc. | Encapsulated composite backing plate |
-
2001
- 2001-08-30 JP JP2001262186A patent/JP4820508B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006144119A (en) * | 2004-10-19 | 2006-06-08 | Kobelco Kaken:Kk | Layered product for sputtering aluminum-neodymium alloys |
| TWI481735B (en) * | 2009-03-03 | 2015-04-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target and its manufacturing method |
| US9034154B2 (en) | 2009-03-03 | 2015-05-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target and process for producing same |
| CN102224276A (en) * | 2009-03-03 | 2011-10-19 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | Sputtering target and process for producing same |
| JP4846872B2 (en) * | 2009-03-03 | 2011-12-28 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | Sputtering target and manufacturing method thereof |
| WO2010101051A1 (en) * | 2009-03-03 | 2010-09-10 | 日鉱金属株式会社 | Sputtering target and process for producing same |
| CN102224276B (en) * | 2009-03-03 | 2014-02-19 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | Sputtering target and process for producing same |
| JP2011084765A (en) * | 2009-10-14 | 2011-04-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Sintered target for use in producing thin film and manufacturing method therefor |
| US8562794B2 (en) | 2010-12-14 | 2013-10-22 | Asahi Glass Company, Limited | Process for producing reflective mask blank for EUV lithography and process for producing substrate with functional film for the mask blank |
| US9139899B2 (en) | 2011-12-13 | 2015-09-22 | Ulvac, Inc. | Target device, sputtering apparatus and method for manufacturing a target device |
| JP2014231639A (en) * | 2013-04-30 | 2014-12-11 | 株式会社コベルコ科研 | Li-CONTAINING OXIDE TARGET JOINED BODY |
| WO2016021101A1 (en) * | 2014-08-08 | 2016-02-11 | 株式会社アルバック | Target assembly |
| JPWO2016021101A1 (en) * | 2014-08-08 | 2017-05-25 | 株式会社アルバック | Target assembly |
| US9972479B2 (en) | 2014-08-08 | 2018-05-15 | Ulvac, Inc. | Target assembly |
| US20160053365A1 (en) * | 2014-08-20 | 2016-02-25 | Honeywell International Inc. | Encapsulated composite backing plate |
| JP2017525846A (en) * | 2014-08-20 | 2017-09-07 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | Encapsulated composite backing plate |
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