JP2006144119A - Layered product for sputtering aluminum-neodymium alloys - Google Patents

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JP2006144119A JP2005303332A JP2005303332A JP2006144119A JP 2006144119 A JP2006144119 A JP 2006144119A JP 2005303332 A JP2005303332 A JP 2005303332A JP 2005303332 A JP2005303332 A JP 2005303332A JP 2006144119 A JP2006144119 A JP 2006144119A
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Kazuki Moyama
和基 茂山
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a layered product for sputtering an Al-Nd alloy capable of reducing warp caused by bonding or film deposition of an Al-Nd alloy thin film of the assembly in which an Al-Nd alloy sputtering target and a backing plate are brazed to each other, and performing stable film deposition over a long time. <P>SOLUTION: In the layered product, an Al-Nd alloy sputtering target formed of an Al alloy having a Nd content of 0.1 to 3 atomic%, and a backing plate are brazed to each other. The assembly has an average coefficient of linear expansion A at temperatures of 25 to 100°C, and the backing plate has an average coefficient of linear expansion B at temperatures of 25 to 100°C. The A and B satisfy the inequalities -0.15≤(B-A)/A≤0.15. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、Al−Nd合金スパッタリング用積層体に関するものであり、殊に、Al−Nd合金スパッタリングターゲット材と支持体がロウ付されてなる積層体であって、ボンディングやAl−Nd合金薄膜の成膜(スパッタリング成膜)で生じる該積層体の反りを抑制して、長期間にわたり安定した成膜操業を行なうことのできるAl合金スパッタリング用積層体に関するものである。   The present invention relates to a laminate for sputtering an Al—Nd alloy, and in particular, a laminate in which an Al—Nd alloy sputtering target material and a support are brazed, and includes bonding and Al—Nd alloy thin film. The present invention relates to an Al alloy sputtering laminate that can suppress the warpage of the laminate that occurs during film formation (sputtering film formation) and can perform stable film formation over a long period of time.

テレビ、ノートパソコン、その他のモニターの用途で形成される液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ等を構成する薄膜や、光記録分野、半導体分野における配線膜等の形成には、一般にスパッタリング法が採用されている。スパッタリング法とは、基板とスパッタリングターゲット材(以後、ターゲット材と称する)との間でプラズマ放電を形成し、該プラズマ放電によりイオン化した気体をターゲット材に衝突させて、該ターゲット材の原子をたたき出し基板上に堆積させて薄膜を作製する方法であり、真空蒸着法やAIP法と異なり、ターゲット材と同じ組成の薄膜を形成できるメリットを有する。   Sputtering is generally used to form thin films that constitute liquid crystal displays, organic EL displays, etc., which are formed for televisions, notebook computers, other monitors, and wiring films in the optical recording field and semiconductor field. . In the sputtering method, a plasma discharge is formed between a substrate and a sputtering target material (hereinafter referred to as a target material), and a gas ionized by the plasma discharge is collided with the target material to knock out atoms of the target material. This is a method for producing a thin film by depositing on a substrate, and has a merit that a thin film having the same composition as that of a target material can be formed unlike a vacuum vapor deposition method or an AIP method.

このスパッタリング法に用いる上記ターゲット材としては、一般に長方形状、円盤状等の平板状のものが使用され、該ターゲットは、その冷却や支持を目的に支持体(冷却板,バッキングプレートともいう)にロウ付けされた状態で用いられるのが一般的である。   As the target material used in this sputtering method, a flat plate having a rectangular shape or a disk shape is generally used, and the target is used as a support (also called a cooling plate or a backing plate) for the purpose of cooling or supporting the target. In general, it is used in a brazed state.

ところで上記支持体は、上述の通り、成膜時に加熱されたターゲットの冷却を目的としていることから、一般に熱伝導率の高いCu製またはCu合金製のものが使用されている。一方、上記支持体に取り付けられるターゲット材は、形成する薄膜に応じた金属材料からなり、例えば支持体とは異なるAl、Al合金、Mo、Ta、Tiといった金属材料のものが使用される場合が多い。   By the way, as described above, the support is intended to cool the target heated during the film formation, and therefore, the support made of Cu or Cu alloy having high thermal conductivity is generally used. On the other hand, the target material attached to the support is made of a metal material corresponding to the thin film to be formed. For example, a metal material such as Al, Al alloy, Mo, Ta, Ti different from the support may be used. Many.

しかし、この様に異なる金属材料のものをロウ付けして得られる積層体は、図1に示す通り反りが生じやすく、矯正が必要となる。またこの様に矯正された積層体を用いて成膜を行う場合にも、加熱と冷却が繰り返されるため応力が生じる。従って、成膜、積層体の反りの発生および矯正を何度も繰り返す必要があり、操業が煩雑となるだけでなく、ターゲット材1と支持体2の間のロウ材3にクラックが生じて、ターゲット材が消耗する前にターゲット材と支持体が分離し、繰り返し成膜できなくなるといった不具合も生じる。   However, such a laminate obtained by brazing different metal materials is likely to warp as shown in FIG. 1 and requires correction. In addition, when film formation is performed using the layered body thus corrected, stress is generated because heating and cooling are repeated. Therefore, it is necessary to repeat film formation, occurrence of warpage and correction of the laminate many times, not only the operation becomes complicated, but cracks occur in the brazing material 3 between the target material 1 and the support 2, There is also a problem that the target material and the support are separated before the target material is consumed, and the film cannot be repeatedly formed.

ターゲットと支持体(バッキングプレート)をロウ付けして得られる積層体の問題を解消したものとして、例えば特許文献1には、ボンディング材を介してターゲット材とバッキングプレートを接合したものであって、該バッキングプレートに、ボンディング材用の凹陥部を設けると共に、該凹陥部と連通する連通窪み部を該凹陥部の外周壁に形成したものが提案されている。この様な構造とすることで、ボンディング材が凝固収縮する場合でも、ターゲット材の反りが発生しないと示されている。しかし該技術は、ボンディング部(ロウ材)の剥離を問題とするものでなく、またバッキングプレートとして形状の複雑なものを用意しなければならないといった問題がある。   As what solved the problem of the laminated body obtained by brazing a target and a support (backing plate), for example, in patent documents 1, a target material and a backing plate are joined via a bonding material, There has been proposed a structure in which a concave portion for a bonding material is provided on the backing plate and a communication concave portion communicating with the concave portion is formed on the outer peripheral wall of the concave portion. It is shown that the warping of the target material does not occur even when the bonding material is solidified and contracted by using such a structure. However, this technique does not have a problem of peeling of the bonding part (the brazing material), and there is a problem that a complicated shape must be prepared as a backing plate.

特許文献2には、スパッタリングターゲットよりも熱膨張率の大きな板材と小さな板材をバッキングプレートの片面にそれぞれ配置して一体化すれば、温度変化によるバッキングプレートの反りを防止し、かつ支持するターゲットと同等の熱膨張特性を付与でき、ターゲットの反りや亀裂、ロウ接部の剥がれなどを抑制できると示されている。しかし該技術の場合も、バッキングプレートの構造が複雑となるといったデメリットがある。   In Patent Document 2, if a plate material having a coefficient of thermal expansion larger than that of a sputtering target and a small plate material are respectively arranged and integrated on one side of the backing plate, the backing plate is prevented from warping due to a temperature change, and a supporting target is provided. It has been shown that the same thermal expansion characteristics can be imparted, and warping and cracking of the target, peeling of the brazed portion, etc. can be suppressed. However, this technique also has a demerit that the structure of the backing plate is complicated.

また特許文献3には、ターゲットとバッキングプレートをAl合金で形成することで、線膨張率の差を縮めることが提案されている。しかし該技術におけるターゲットとバッキングプレートの組み合わせでは、ターゲットとしてAl−Nd合金が用いられる場合においては、両者の熱膨張率の差が十分に縮められておらず、上記ロウ材の亀裂を確実に抑制することができない。
特開2003−183822号公報 特開平08−246144号公報 特開平10−046327号公報
Patent Document 3 proposes that the difference between the linear expansion coefficients is reduced by forming the target and the backing plate with an Al alloy. However, in the combination of the target and the backing plate in this technology, when an Al—Nd alloy is used as the target, the difference in thermal expansion coefficient between the two is not sufficiently reduced, and the crack of the brazing material is surely suppressed. Can not do it.
JP 2003-183822 A Japanese Patent Laid-Open No. 08-246144 Japanese Patent Laid-Open No. 10-046327

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、Ndを含有するAl合金スパッタリングターゲット材と支持体がロウ付されてなる積層体の、ボンディングによる反りやAl−Nd合金薄膜の成膜(スパッタリング成膜)で生じる応力を抑制して、反りの矯正を省略することができ、また長期間にわたり安定した成膜操業を行なうことのできるAl−Nd合金スパッタリング用積層体を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to provide a warped or Al-Nd alloy thin film of a laminate in which an Al alloy sputtering target material containing Nd and a support are brazed. An Al—Nd alloy sputtering laminate that suppresses the stress caused by film formation (sputtering film formation), eliminates the correction of warping, and can perform stable film formation over a long period of time is provided. There is to do.

本発明に係るAl−Nd合金スパッタリング用積層体は、Ndを0.1〜3原子%含むAl−Nd合金スパッタリングターゲット材と支持体がロウ付されてなる積層体であって、前記Al−Nd合金スパッタリングターゲット材の25〜100℃の平均線膨張係数:Aと、前記支持体の25〜100℃の平均線膨張係数:Bが、下記式(1)を満たすところに特徴を有する。
−0.15 ≦ (B−A)/A ≦ 0.15 …(1)
An Al—Nd alloy sputtering laminate according to the present invention is a laminate in which an Al—Nd alloy sputtering target material containing 0.1 to 3 atomic% of Nd and a support are brazed, and the Al—Nd The alloy sputtering target material is characterized in that the average linear expansion coefficient A of 25 to 100 ° C. and the average linear expansion coefficient B of 25 to 100 ° C. of the support satisfy the following formula (1).
−0.15 ≦ (BA) /A≦0.15 (1)

尚、上記25〜100℃の平均線膨張係数は、装置として理学電気株式会社製TMA8140型を用い、JIS K 7197「プラスチックの熱機械分析による線膨張率試験方法」に規定の通り測定したものである。   The average coefficient of linear expansion at 25 to 100 ° C. was measured as specified in JIS K 7197 “Test method for linear expansion coefficient by thermomechanical analysis of plastics” using a TMA 8140 model manufactured by Rigaku Corporation. is there.

前記積層体を構成する支持体としては、Al合金からなるものが好ましく、その中でもJIS規格のA5052またはA 6061で規定されるAl合金からなるものが特に好ましい。   As the support constituting the laminate, one made of an Al alloy is preferable, and one made of an Al alloy defined by JIS standard A5052 or A6061 is particularly preferable.

また特に前記支持体として、前記Al−Nd合金スパッタリングターゲット材と同一のAl合金からなるものを用いれば、上記式(1)を容易に達成することができるので望ましい。   In particular, it is desirable to use the support made of the same Al alloy as the Al—Nd alloy sputtering target material because the above formula (1) can be easily achieved.

本発明によれば、Al−Nd合金スパッタリングターゲット材と支持体がロウ付されてなる積層体の、ボンディングやAl−Nd合金薄膜の成膜(スパッタリング成膜)で生じる反りを抑制できるため、反りの矯正を省略することが可能となり、またターゲット材と支持体を接合するロウ材の亀裂・剥離が抑制されて、長期間にわたり安定した成膜操業を行なうことができる。   According to the present invention, since a warp caused by bonding or film formation (sputtering film formation) of an Al—Nd alloy thin film of a laminate in which an Al—Nd alloy sputtering target material and a support are brazed can be suppressed, warpage is prevented. It is possible to omit the correction, and cracking and peeling of the brazing material joining the target material and the support are suppressed, and a stable film forming operation can be performed over a long period of time.

本発明者らは、ボンディング時や成膜時の加熱とその後の冷却で、Al合金スパッタリングターゲット材と支持体がロウ付されてなる積層体(以下、単に積層体ということがある)に反りが生じるのを抑制して、該反りの矯正を省略することができ、また反りの発生と矯正の繰り返しに起因するターゲット材−支持体間のロウ材の亀裂・剥離を抑制して、長期間にわたり安定した成膜操業を行なうことのできる積層体を実現すべく鋭意研究を行なった。   The inventors have warped a laminated body (hereinafter sometimes simply called a laminated body) in which an Al alloy sputtering target material and a support are brazed by heating at the time of bonding or film formation and subsequent cooling. It is possible to suppress the occurrence of the warpage by suppressing the occurrence of the warpage, and to suppress the cracking / peeling of the brazing material between the target material and the support due to the occurrence of the warpage and the repetition of the correction. We conducted intensive research to realize a laminate that can perform stable film formation.

その結果、積層体におけるAl−Nd合金スパッタリングターゲット材の25〜100℃の平均線膨張係数:Aと、支持体の25〜100℃の平均線膨張係数:Bとの差が、下記式(1)に示される通り、前記Aに対して−15%以上15%以下となるようにすればよいことを見出し、本発明に想到した。
−0.15 ≦ (B−A)/A ≦ 0.15 …(1)
As a result, the difference between the average linear expansion coefficient A of 25 to 100 ° C. of the Al—Nd alloy sputtering target material in the laminate and the average linear expansion coefficient B of 25 to 100 ° C. of the support is represented by the following formula (1 ), The inventors have found that the content of A should be −15% or more and 15% or less with respect to A, and have arrived at the present invention.
−0.15 ≦ (BA) /A≦0.15 (1)

本発明の積層体は、Al−Nd合金スパッタリングターゲット材と支持体の25〜100℃の平均線膨張係数それぞれが上記式(1)を満たすものであればよく、支持体の詳細な材質等については特に問わないが、上記式(1)を満たす積層体を効率よく得るには、使用するAl合金スパッタリングターゲット材に応じて、支持体の平均線膨張係数を制御することが有効であり、該支持体としてAl合金からなるものを用いることが好ましい。該Al合金としては、既存品のAl合金からなるものを用いることができ、その中でもJIS規格のA5000番系またはA 6000番系のAl合金からなるものが好適に用いられるが、特に、A5052またはA 6061で規定されるAl合金からなるものが好ましい。   The laminated body of this invention should just be what the average linear expansion coefficient of 25-100 degreeC of an Al-Nd alloy sputtering target material and a support satisfy | fills said Formula (1), and about the detailed material of a support, etc. However, in order to efficiently obtain a laminate satisfying the above formula (1), it is effective to control the average linear expansion coefficient of the support according to the Al alloy sputtering target material to be used, A support made of an Al alloy is preferably used. As the Al alloy, those made of existing Al alloys can be used, and among them, those made of JIS standard A5000 series or A6000 series Al alloys are preferably used. What consists of Al alloy prescribed | regulated by A6061 is preferable.

上記Al−Nd合金スパッタリングターゲット材と支持体の25〜100℃の平均線膨張係数それぞれの差を小さくするという観点からは、該Al−Nd合金スパッタリングターゲット材と支持体が同一のAl合金からなる積層体が特に好ましい。   From the viewpoint of reducing the difference between the average linear expansion coefficients of 25 to 100 ° C. between the Al—Nd alloy sputtering target material and the support, the Al—Nd alloy sputtering target material and the support are made of the same Al alloy. A laminate is particularly preferred.

尚、これらのAl合金は、熱伝導率が従来使用されてきたCu系材料よりも低いが、ロウ接したターゲットを冷却する機能は十分発揮しうる。   Although these Al alloys have a lower thermal conductivity than Cu-based materials that have been conventionally used, they can sufficiently exhibit the function of cooling the brazed target.

本発明の積層体における支持体は、その内部がターゲットを冷却する構造のものでもよく、該冷却構造は一般的に採用されている構造とすればよい。一例として、支持体を構成する2部材を、例えば溶接または摩擦拡散接合により接合して、支持体内部に冷媒流路を形成することが挙げられる。またその他、電源等の設備、成膜装置への設置部品等が積層体に取り付けられていてもよい。   The support in the laminate of the present invention may have a structure in which the inside cools the target, and the cooling structure may be a generally adopted structure. As an example, two members constituting the support may be joined by, for example, welding or friction diffusion bonding to form a coolant channel inside the support. In addition, equipment such as a power supply, installation parts for the film forming apparatus, and the like may be attached to the laminate.

上記積層体を構成する、Ndを0.1〜3原子%含むAl−Nd合金スパッタリングターゲットの製造方法としては、例えば真空溶解・鋳造法、スプレイフォーミング法、粉末焼結法等で製造することができるが、その中でもスプレイフォーミング法で製造されたものが推奨される。スプレイフォーミング法で製造すれば、合金元素が含まれる場合でも母相であるAl中に均一に固溶ないし分散して材質の均一なものが得られるからである。   As a manufacturing method of the Al—Nd alloy sputtering target containing 0.1 to 3 atomic% of Nd constituting the laminate, for example, it can be manufactured by a vacuum melting / casting method, a spray forming method, a powder sintering method, or the like. Among them, those manufactured by the spray forming method are recommended. This is because, when produced by the spray forming method, even when an alloy element is contained, a uniform material can be obtained by uniformly dissolving or dispersing in Al as a matrix phase.

スパッタリングターゲットを上記スプレイフォーミング法で製造する場合には、例えば、直径数mmのノズルから溶解した材料を滴下させ、その滴下途中で例えばNガスを吹き付けて材料を粉末化させ、該粉末状の材料が完全に凝固しないうちにプリフォームといわれる中間素材(密度:約50〜60%)を成形する。そして該中間素材をHIP装置で緻密化した後、鍛造して板状の金属材とし、更に板厚がほぼターゲットと同程度となるよう圧延する方法が挙げられる(尚、上記HIP、鍛造、圧延等のその他の製造工程の条件については一般的な条件を採用することができる)。 When the sputtering target is manufactured by the spray forming method, for example, a dissolved material is dropped from a nozzle having a diameter of several mm, and, for example, N 2 gas is blown in the middle of dropping to pulverize the material. An intermediate material (density: about 50 to 60%) called a preform is formed before the material is completely solidified. Then, after the intermediate material is densified with a HIP apparatus, it is forged into a plate-like metal material, and further rolled so that the plate thickness is substantially the same as the target (in addition, the above HIP, forging, rolling) General conditions can be adopted for other manufacturing process conditions such as).

本発明の積層体は、上記Al合金スパッタリングターゲットが上記支持板の平面にロウ付けされた状態で成膜に供されるが、その際に使用されるロウ材やロウ付けの方法も特に限定されず、一般的な材料や方法を採用することができる。ロウ材として、例えばインジウム、鉛錫はんだ、錫亜鉛はんだ等の一般的なロウ材を使用した場合でも、成膜を繰り返し良好に行うことができる。   The laminate of the present invention is used for film formation in a state where the Al alloy sputtering target is brazed to the plane of the support plate, but the brazing material and brazing method used at that time are also particularly limited. Instead, general materials and methods can be employed. Even when a general brazing material such as indium, lead-tin solder, tin-zinc solder, or the like is used as the brazing material, the film formation can be performed repeatedly and satisfactorily.

尚、本発明の積層体は、その形状やサイズの限定されるものでなく、ターゲットの形状やサイズに応じて四辺形状、円盤状等の様々な形状のものに適用できるが、上記ロウ材の亀裂等は、積層体のサイズが大きくなるほど顕著となることから、特に、ターゲットを接合するロウ付け部分が0.25m以上占める大型の積層体に本発明を適用すれば、上記ロウ材の亀裂を著しく抑制することができる。 The laminate of the present invention is not limited in its shape and size, and can be applied to various shapes such as a quadrilateral shape and a disk shape depending on the shape and size of the target. Since cracks and the like become more prominent as the size of the laminate increases, particularly when the present invention is applied to a large laminate in which a brazed portion for joining a target occupies 0.25 m 2 or more, the cracks in the brazing material Can be remarkably suppressed.

以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited by the following examples, but may be appropriately modified within a range that can meet the purpose described above and below. It is also possible to implement, and they are all included in the technical scope of the present invention.

スパッタリングターゲットとして、Al−2原子%Ndターゲット(サイズ:400mm×500mm)を用意した。また支持体(冷却板)として、表1に示す様々な種類の材料からなる支持体(サイズ:420mm×520mm)を用意した。そして、上記Al−2原子%Ndターゲットと支持体(冷却板)のそれぞれの25〜100℃の平均線膨張係数を、装置として理学電気株式会社製TMA8140型を用い、JIS K 7197「プラスチックの熱機械分析による線膨張率試験方法」に規定の通り測定し、該ターゲット材の25〜100℃の平均線膨張係数(A)と、上記支持体の25〜100℃の平均線膨張係数(B)の値から(B−A)/Aを求めた。その結果を表1に併記する。   As a sputtering target, an Al-2 atomic% Nd target (size: 400 mm × 500 mm) was prepared. Further, as a support (cooling plate), supports (size: 420 mm × 520 mm) made of various types of materials shown in Table 1 were prepared. The average linear expansion coefficient of 25 to 100 ° C. of each of the Al-2 atomic% Nd target and the support (cooling plate) was used as a device using TMA8140 type manufactured by Rigaku Corporation. JIS K 7197 “Plastic heat Measured as prescribed in "Method of testing linear expansion coefficient by mechanical analysis", the average linear expansion coefficient (A) of the target material of 25 to 100 ° C and the average linear expansion coefficient (B) of 25 to 100 ° C of the support. (BA) / A was determined from the value of. The results are also shown in Table 1.

Figure 2006144119
Figure 2006144119

表1より、No.1〜3は、Al−Nd合金ターゲットと支持体(冷却板)の平均線膨張係数の関係が本発明で規定する要件を満たすが、No.4は該要件を満たさず、Al−Nd合金ターゲットと支持体(冷却板)の平均線膨張係数の差が大きいことがわかる。   From Table 1, No. 1-3, the relationship between the average linear expansion coefficients of the Al—Nd alloy target and the support (cooling plate) satisfies the requirements specified in the present invention. 4 does not satisfy this requirement, and it can be seen that the difference in average linear expansion coefficient between the Al—Nd alloy target and the support (cooling plate) is large.

次に、前記表1に示すAl−Nd合金ターゲットと支持体(冷却板)をボンディングして得られる積層体の反りの程度を調べた。詳細には、ロウ材として錫亜鉛はんだを用い、250℃に加熱して表1のターゲットと支持体のボンディングを行い、得られた積層体の反りを図2に示す位置で測定した。その結果を表1に併記する(表1中の測定位置:L1、L2・・・は図2における測定位置を示している)。   Next, the degree of warpage of the laminate obtained by bonding the Al—Nd alloy target shown in Table 1 and a support (cooling plate) was examined. Specifically, tin-zinc solder was used as a brazing material, heated to 250 ° C. to bond the target and support in Table 1, and the warpage of the obtained laminate was measured at the position shown in FIG. The results are also shown in Table 1 (measurement positions in Table 1: L1, L2,... Indicate the measurement positions in FIG. 2).

尚、測定位置L1、L2、L3の反り量が3.5mmを超え、かつ測定位置W1、W2、W3の反り量が2.0mmを超え、かつ測定位置D1、D2の反り量が5.0mmを超えるものを反りが大きいと判断し、これ以内のものを反りが小さいと判断する。   It should be noted that the amount of warpage at the measurement positions L1, L2, L3 exceeds 3.5 mm, the amount of warpage at the measurement positions W1, W2, W3 exceeds 2.0 mm, and the amount of warpage at the measurement positions D1, D2 is 5.0 mm. A warp exceeding that is judged to have a large warp, and those within this are judged to have a small warp.

表1より次の様に考察できる。即ち、表1のNo.1〜4のうち、No.1〜3の様に本発明の要件を満たすAl−Nd合金ターゲットと支持体の組み合わせからなるAl−Nd合金スパッタリング用積層体は、ボンディング後の反りが小さく矯正する必要はないが、本発明の要件を満たさないNo.4の積層体は、ボンディング後の反りが大きく矯正する必要のあることがわかる。   From Table 1, it can be considered as follows. That is, No. 1 in Table 1. 1-4. The laminated body for sputtering of Al—Nd alloy comprising a combination of an Al—Nd alloy target and a support that satisfies the requirements of the present invention as in 1 to 3 does not need to be corrected with small warpage after bonding. No. that does not meet the requirements. It can be seen that the laminate of No. 4 needs to greatly correct the warpage after bonding.

積層体の反りの様子を模式的に示した側面図である。It is the side view which showed typically the mode of the curvature of a laminated body. 実施例のボンディングテストにおける積層体の反りの測定位置を示す上面図である。It is a top view which shows the measurement position of the curvature of the laminated body in the bonding test of an Example.

符号の説明Explanation of symbols

1 ターゲット
2 支持体(冷却板)
3 ロウ材
1 target 2 support (cooling plate)
3 brazing material

Claims (5)

Ndを0.1〜3原子%含むAl合金からなるAl−Nd合金スパッタリングターゲット材と支持体がロウ付されてなる積層体であって、
前記Al−Nd合金スパッタリングターゲット材の25〜100℃の平均線膨張係数:Aと、前記支持体の25〜100℃の平均線膨張係数:Bが、
下記式(1)を満たすことを特徴とするAl−Nd合金スパッタリング用積層体。
−0.15 ≦ (B−A)/A ≦ 0.15 …(1)
A laminate in which an Al—Nd alloy sputtering target material made of an Al alloy containing 0.1 to 3 atomic% of Nd and a support are brazed,
The average linear expansion coefficient A of 25-100 ° C. of the Al—Nd alloy sputtering target material and the average linear expansion coefficient B of 25-100 ° C. of the support are:
The laminated body for Al-Nd alloy sputtering characterized by satisfy | filling following formula (1).
−0.15 ≦ (BA) /A≦0.15 (1)
前記支持体は、Al合金からなるものである請求項1に記載のAl−Nd合金スパッタリング用積層体。   The laminate for sputtering an Al—Nd alloy according to claim 1, wherein the support is made of an Al alloy. 前記支持体は、JIS規格のA 5052で規定されるAl合金からなるものである請求項2に記載のAl−Nd合金スパッタリング用積層体。   The said support body is a laminated body for Al-Nd alloy sputtering of Claim 2 which consists of Al alloy prescribed | regulated by A5052 of JIS specification. 前記支持体は、JIS規格のA 6061で規定されるAl合金からなるものである請求項2に記載のAl−Nd合金スパッタリング用積層体。   The said support body is a laminated body for Al-Nd alloy sputtering of Claim 2 which consists of Al alloy prescribed | regulated by A6061 of JIS specification. 前記支持体は、前記Al−Nd合金スパッタリングターゲット材と同一のAl合金からなるものである請求項2に記載のAl−Nd合金スパッタリング用積層体。   The laminate for sputtering an Al-Nd alloy according to claim 2, wherein the support is made of the same Al alloy as the Al-Nd alloy sputtering target material.
JP2005303332A 2004-10-19 2005-10-18 Layered product for sputtering aluminum-neodymium alloys Pending JP2006144119A (en)

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