JPH0863715A - 磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH0863715A JPH0863715A JP20354994A JP20354994A JPH0863715A JP H0863715 A JPH0863715 A JP H0863715A JP 20354994 A JP20354994 A JP 20354994A JP 20354994 A JP20354994 A JP 20354994A JP H0863715 A JPH0863715 A JP H0863715A
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- antiferromagnetic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 信頼性が高く交換バイアス磁界量の大きいＭ
Ｒヘッドを提供する。 【構成】 アルティック基板１０上に下シールド１１，
ギャップ層１２、ＣｏＺｒＭｏからなる隣接バイアス材
１３を順次積層し、この上にＮｉＦｅからなるＭＲ膜１
４を形成し、この上に縦方向バイアス磁界を生じさせる
ためのＭｎ合金からなる反強磁性膜１５を形成する。さ
らに、リード電極１６を設け、所定膜厚のギャップ層１
７、ＮｉＦｅからなる上シールド１８、ギャップ層１９
を積層し、最後にＮｉＦｅからなる書き込みポール２０
を形成する。このとき、反強磁性膜１５を成膜するため
のＭｎ合金ターゲットを、３００℃で窒素中に２０時間
の熱処理を行い、ターゲット表面に析出した酸素をエッ
チングにより除去し、そのターゲットを用いて反強磁性
膜を形成する。これにより、反強磁性膜中の酸素，Ｃ濃
度を１０原子％以下に抑え、交換バイアス量を大きくす
ることができる。
Ｒヘッドを提供する。 【構成】 アルティック基板１０上に下シールド１１，
ギャップ層１２、ＣｏＺｒＭｏからなる隣接バイアス材
１３を順次積層し、この上にＮｉＦｅからなるＭＲ膜１
４を形成し、この上に縦方向バイアス磁界を生じさせる
ためのＭｎ合金からなる反強磁性膜１５を形成する。さ
らに、リード電極１６を設け、所定膜厚のギャップ層１
７、ＮｉＦｅからなる上シールド１８、ギャップ層１９
を積層し、最後にＮｉＦｅからなる書き込みポール２０
を形成する。このとき、反強磁性膜１５を成膜するため
のＭｎ合金ターゲットを、３００℃で窒素中に２０時間
の熱処理を行い、ターゲット表面に析出した酸素をエッ
チングにより除去し、そのターゲットを用いて反強磁性
膜を形成する。これにより、反強磁性膜中の酸素，Ｃ濃
度を１０原子％以下に抑え、交換バイアス量を大きくす
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果磁気ヘッ
ドおよびその製造方法に関し、特に強磁性磁気抵抗効果
を利用して読み出す強磁性磁気抵抗効果素子（以下、Ｍ
Ｒ素子と略す）を備える磁気抵抗効果ヘッド（以下、Ｍ
Ｒヘッドと略す）およびその製造方法に関する。
ドおよびその製造方法に関し、特に強磁性磁気抵抗効果
を利用して読み出す強磁性磁気抵抗効果素子（以下、Ｍ
Ｒ素子と略す）を備える磁気抵抗効果ヘッド（以下、Ｍ
Ｒヘッドと略す）およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭＲ素子は高い出力が得られ、出力が素
子と記録媒体との相対速度に依存しないため、小型高密
度の磁気記録装置の再生用ヘッドへの応用が期待されて
いる。しかし、ＭＲ素子を磁気記録の信号再生用ヘッド
として実用化するためには、再生印号のノイズの主因と
なり再生信号の再現性を低下させるバルクハウゼンノイ
ズを抑制する必要がある。
子と記録媒体との相対速度に依存しないため、小型高密
度の磁気記録装置の再生用ヘッドへの応用が期待されて
いる。しかし、ＭＲ素子を磁気記録の信号再生用ヘッド
として実用化するためには、再生印号のノイズの主因と
なり再生信号の再現性を低下させるバルクハウゼンノイ
ズを抑制する必要がある。
【０００３】バルクハウゼンノイズの原因は、ＭＲ素子
端部での反磁界によって生じる磁壁の不連続な移動であ
ると考えられる。このため、ＭＲ素子端部を単磁区化し
て磁壁をなくす方法が数多く提案されている。その一つ
として、特開昭６２−４０６１０号公報には、ＭＲ素子
の両端に反強磁性材料を置いて反強磁性材料の交換相互
作用によってセンス電流方向にバイアス磁界（以下縦方
向バイアス磁界と呼ぶ）を加える構造が開示されてい
る。
端部での反磁界によって生じる磁壁の不連続な移動であ
ると考えられる。このため、ＭＲ素子端部を単磁区化し
て磁壁をなくす方法が数多く提案されている。その一つ
として、特開昭６２−４０６１０号公報には、ＭＲ素子
の両端に反強磁性材料を置いて反強磁性材料の交換相互
作用によってセンス電流方向にバイアス磁界（以下縦方
向バイアス磁界と呼ぶ）を加える構造が開示されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】バルクハウゼンノイズ
を抑えるための反強磁性材料としてＭｎ合金がある。可
能なＭｎ合金の中で、ＦｅＭｎはＭＲ素子材料であるＮ
ｉＦｅ層と交換結合する能力が最も大きいと考えられ、
ＦｅＭｎをＮｉＦｅ層に直接付着する方法が提案されて
いる。しかしながら、ＦｅＭｎは、非常に酸化しやすい
物質であり、大気中に晒すことにより、バイアス磁界量
の低下が観測された。
を抑えるための反強磁性材料としてＭｎ合金がある。可
能なＭｎ合金の中で、ＦｅＭｎはＭＲ素子材料であるＮ
ｉＦｅ層と交換結合する能力が最も大きいと考えられ、
ＦｅＭｎをＮｉＦｅ層に直接付着する方法が提案されて
いる。しかしながら、ＦｅＭｎは、非常に酸化しやすい
物質であり、大気中に晒すことにより、バイアス磁界量
の低下が観測された。
【０００５】そこで、Ｃｒやその他元素をＦｅＭｎに添
加し、耐食性を向上させることを目的とした特許が、特
開昭６３−２７３３７２号公報および特開平４−２１１
１０６号公報に開示されている。このＦｅＭｎＣｒを用
いて作製した膜の交換バイアス磁界を測定したところ、
交換バイアス磁界量が“０”となる結果となった。一
方、信頼性の得られる膜となったＮｉＭｎについても交
換バイアス磁界量が“０”となる結果となった。
加し、耐食性を向上させることを目的とした特許が、特
開昭６３−２７３３７２号公報および特開平４−２１１
１０６号公報に開示されている。このＦｅＭｎＣｒを用
いて作製した膜の交換バイアス磁界を測定したところ、
交換バイアス磁界量が“０”となる結果となった。一
方、信頼性の得られる膜となったＮｉＭｎについても交
換バイアス磁界量が“０”となる結果となった。
【０００６】本発明の目的は、上記従来技術の欠点に鑑
みなされたものであって、その原因を追求し、信頼性の
高い交換バイアス磁界量の大きいＭＲヘッドを提供する
ことにある。
みなされたものであって、その原因を追求し、信頼性の
高い交換バイアス磁界量の大きいＭＲヘッドを提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果ヘ
ッドは、強磁性磁気抵抗効果層と、この強磁性磁気抵抗
効果層に接し、交換力により縦方向バイアス磁界を生じ
させる反強磁性体層とを備える磁気抵抗効果ヘッドにお
いて、前記反強磁性体層中の酸素濃度を前記反強磁性体
層組成の１０原子％以下にしたことを特徴とする。さら
に、前記反強磁性体層と前記強磁性磁気抵抗効果層との
界面における酸素濃度を前記反強磁性体層組成の１０原
子％以下にしたことを特徴とする。また、前記酸素濃度
が、炭素濃度であってもよい。
ッドは、強磁性磁気抵抗効果層と、この強磁性磁気抵抗
効果層に接し、交換力により縦方向バイアス磁界を生じ
させる反強磁性体層とを備える磁気抵抗効果ヘッドにお
いて、前記反強磁性体層中の酸素濃度を前記反強磁性体
層組成の１０原子％以下にしたことを特徴とする。さら
に、前記反強磁性体層と前記強磁性磁気抵抗効果層との
界面における酸素濃度を前記反強磁性体層組成の１０原
子％以下にしたことを特徴とする。また、前記酸素濃度
が、炭素濃度であってもよい。
【０００８】次に、本発明の磁気抵抗効果ヘッドの製造
方法は、反強磁性体層を成膜するためのＭｎ合金ター
ゲットを窒素中で熱処理し、表面に酸素を析出させる工
程、Ｍｎ合金ターゲットの表面に析出した酸素をエッ
チング法により除去する工程、酸素を除去した低酸素
濃度のＭｎ合金ターゲットを用い、蒸着法もしくはスパ
ッタリング法により反強磁性体層を成膜する工程、とを
含んでいる。
方法は、反強磁性体層を成膜するためのＭｎ合金ター
ゲットを窒素中で熱処理し、表面に酸素を析出させる工
程、Ｍｎ合金ターゲットの表面に析出した酸素をエッ
チング法により除去する工程、酸素を除去した低酸素
濃度のＭｎ合金ターゲットを用い、蒸着法もしくはスパ
ッタリング法により反強磁性体層を成膜する工程、とを
含んでいる。
【０００９】
【作用】反強磁性体であるＦｅＭｎＣｒ膜およびＮｉＭ
ｎ膜を、ガラス基板上に形成したＮｉＦｅ膜上にそれぞ
れ積層し、バイアス磁界の大きさ（交換バイアス量）に
ついて調べた。それによると、ＦｅＭｎＣｒ膜を形成し
た場合、バイアス磁界が“０”となった試料があった。
この試料のオージェ分析による成分分析の結果を図３に
示す。図３は、横軸に試料の表面層の深さを表すものと
して測定の際のスパッタ時間で示し、縦軸にはその組成
を比で示した。これによると、ＦｅＭｎＣｒ膜の中には
Ｃが多く存在していることがわかる。
ｎ膜を、ガラス基板上に形成したＮｉＦｅ膜上にそれぞ
れ積層し、バイアス磁界の大きさ（交換バイアス量）に
ついて調べた。それによると、ＦｅＭｎＣｒ膜を形成し
た場合、バイアス磁界が“０”となった試料があった。
この試料のオージェ分析による成分分析の結果を図３に
示す。図３は、横軸に試料の表面層の深さを表すものと
して測定の際のスパッタ時間で示し、縦軸にはその組成
を比で示した。これによると、ＦｅＭｎＣｒ膜の中には
Ｃが多く存在していることがわかる。
【００１０】一方、ＦｅＭｎ膜を形成した場合、バイア
ス磁界の大きさが２５（Ｏｅ：エルステッド）となり、
図４に示すように、膜中にはＣ（炭素）がほとんど含ま
れていないことがわかる。すなわち、ＦｅＭｎＣｒ膜を
形成した試料でバイアス磁界が“０”となったのは、こ
の膜中のＣの影響であると考えられる。
ス磁界の大きさが２５（Ｏｅ：エルステッド）となり、
図４に示すように、膜中にはＣ（炭素）がほとんど含ま
れていないことがわかる。すなわち、ＦｅＭｎＣｒ膜を
形成した試料でバイアス磁界が“０”となったのは、こ
の膜中のＣの影響であると考えられる。
【００１１】さらに、ＮｉＭｎ膜を形成した試料では、
バイアス磁界の大きさが１０（Ｏｅ）となった。この試
料を同様にオージェ分析により調べた結果を図５に示
す。これによると、ＮｉＭｎ膜中には酸素が多く存在し
ていることがわかった。このようにＮｉＦｅ膜との界面
に存在する酸素（Ｏ）のみではなく、膜中の酸素もバイ
アス磁界の大きさに関与しており、酸素濃度が高いとバ
イアス磁界は小さくなることがわかった。ここで、反強
磁性膜中の酸素濃度（原子％）とバイアス磁界の大きさ
（交換バイアス量）との関係を図６に示す。これによる
と、バイアス磁界を大きくするには、反強磁性膜中の酸
素，Ｃの濃度を１０原子％以下に抑える必要がある。な
お、図に示す反強磁性膜の組成に存在するＴａは、磁気
的分離層もしくは結晶性の向上をはかるための層に用い
たものである。
バイアス磁界の大きさが１０（Ｏｅ）となった。この試
料を同様にオージェ分析により調べた結果を図５に示
す。これによると、ＮｉＭｎ膜中には酸素が多く存在し
ていることがわかった。このようにＮｉＦｅ膜との界面
に存在する酸素（Ｏ）のみではなく、膜中の酸素もバイ
アス磁界の大きさに関与しており、酸素濃度が高いとバ
イアス磁界は小さくなることがわかった。ここで、反強
磁性膜中の酸素濃度（原子％）とバイアス磁界の大きさ
（交換バイアス量）との関係を図６に示す。これによる
と、バイアス磁界を大きくするには、反強磁性膜中の酸
素，Ｃの濃度を１０原子％以下に抑える必要がある。な
お、図に示す反強磁性膜の組成に存在するＴａは、磁気
的分離層もしくは結晶性の向上をはかるための層に用い
たものである。
【００１２】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。 （実施例１）図１は、本発明の一実施例を示す構成図で
あって、複合ヘッドを構成するＭＲヘッド部の構成を示
している。本実施例は、図１に示すように、まず、アル
ティック（ＡｌＴｉＣ：アルミナ・チタン・カーバイ
ド）基板１０上にＮｉＦｅからなる下シールド１１、ギ
ャップ層１２、ＣｏＺｒＭｏ等からなる隣接バイアス材
１３を順次積層し、この上にＮｉＦｅからなるＭＲ膜１
４を形成し、さらに、この上に縦方向バイアス磁界を生
じさせるためのＦｅＭｎＣｒからなる反強磁性膜１５を
形成する。そして、Ａｕ等からなるリード電極１６を設
け、所定膜厚のアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）等からなるギャ
ップ層１７を形成する。その後、ＮｉＦｅからなる上シ
ールド１８、アルミナからなるギャップ層１９を積層
し、最後に、ＮｉＦｅからなる書き込みポール２０を形
成する。
る。 （実施例１）図１は、本発明の一実施例を示す構成図で
あって、複合ヘッドを構成するＭＲヘッド部の構成を示
している。本実施例は、図１に示すように、まず、アル
ティック（ＡｌＴｉＣ：アルミナ・チタン・カーバイ
ド）基板１０上にＮｉＦｅからなる下シールド１１、ギ
ャップ層１２、ＣｏＺｒＭｏ等からなる隣接バイアス材
１３を順次積層し、この上にＮｉＦｅからなるＭＲ膜１
４を形成し、さらに、この上に縦方向バイアス磁界を生
じさせるためのＦｅＭｎＣｒからなる反強磁性膜１５を
形成する。そして、Ａｕ等からなるリード電極１６を設
け、所定膜厚のアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）等からなるギャ
ップ層１７を形成する。その後、ＮｉＦｅからなる上シ
ールド１８、アルミナからなるギャップ層１９を積層
し、最後に、ＮｉＦｅからなる書き込みポール２０を形
成する。
【００１３】ここで、第２の実施例で用いた反強磁性膜
の評価のために、ガラス基板上にＮｉＦｅ／ＦｅＭｎＣ
ｒと順次形成した試料について、バイアス磁界の大きさ
を測定した。その結果、バイアス磁界は２０（Ｏｅ）で
あり、十分に大きな値が得られた。また、このときの膜
のＣ濃度は、図２のオージェ分析結果に示すように、十
分に小さいことがわかった。 （実施例２）次に、本発明の第２の実施例によるＭＲヘ
ッドについて説明する。本実施例は、実施例１におい
て、図１に示す反強磁性膜１５のＦｅＭｎＣｒに代えて
ＮｉＭｎを用いたものであって、それ以外は同様の構成
である。従って、構成の説明は重複を避けるために省略
する。
の評価のために、ガラス基板上にＮｉＦｅ／ＦｅＭｎＣ
ｒと順次形成した試料について、バイアス磁界の大きさ
を測定した。その結果、バイアス磁界は２０（Ｏｅ）で
あり、十分に大きな値が得られた。また、このときの膜
のＣ濃度は、図２のオージェ分析結果に示すように、十
分に小さいことがわかった。 （実施例２）次に、本発明の第２の実施例によるＭＲヘ
ッドについて説明する。本実施例は、実施例１におい
て、図１に示す反強磁性膜１５のＦｅＭｎＣｒに代えて
ＮｉＭｎを用いたものであって、それ以外は同様の構成
である。従って、構成の説明は重複を避けるために省略
する。
【００１４】ここで、第２の実施例で用いた反強磁性膜
の評価のために、ガラス基板上にＮｉＦｅ／ＮｉＭｎと
順次形成した試料について、バイアス磁界の大きさを測
定した。その結果、バイアス磁界は２０（Ｏｅ）であ
り、十分に大きな値が得られた。また、このときの膜の
酸素濃度は十分に小さいことがわかった。 （実施例３）次に、本発明の第３の実施例によるＭＲヘ
ッドについて説明する。本実施例の構成は、実施例２の
場合と同様であるが、反強磁性膜１５の形成する際に用
いたＮｉＭｎターゲットに処理を加えたものであって、
それ以外は同様の構成であり、構成に関する説明は重複
を避けるために省略するが、このＮｉＭｎターゲットに
処理は、、まず、反強磁性膜１５のＮｉＭｎを成膜する
ためのＮｉＭｎターゲットを、３００℃で窒素中に２０
時間の熱処理を行った後、ＮｉＭｎターゲットの表面に
析出した酸素をエッチング法にて除去する。そして、酸
素を除去した低酸素濃度ＮｉＭｎターゲットを用いてス
パッタ法により反強磁性膜１５を形成する。
の評価のために、ガラス基板上にＮｉＦｅ／ＮｉＭｎと
順次形成した試料について、バイアス磁界の大きさを測
定した。その結果、バイアス磁界は２０（Ｏｅ）であ
り、十分に大きな値が得られた。また、このときの膜の
酸素濃度は十分に小さいことがわかった。 （実施例３）次に、本発明の第３の実施例によるＭＲヘ
ッドについて説明する。本実施例の構成は、実施例２の
場合と同様であるが、反強磁性膜１５の形成する際に用
いたＮｉＭｎターゲットに処理を加えたものであって、
それ以外は同様の構成であり、構成に関する説明は重複
を避けるために省略するが、このＮｉＭｎターゲットに
処理は、、まず、反強磁性膜１５のＮｉＭｎを成膜する
ためのＮｉＭｎターゲットを、３００℃で窒素中に２０
時間の熱処理を行った後、ＮｉＭｎターゲットの表面に
析出した酸素をエッチング法にて除去する。そして、酸
素を除去した低酸素濃度ＮｉＭｎターゲットを用いてス
パッタ法により反強磁性膜１５を形成する。
【００１５】ここで、第３の実施例で用いた反強磁性膜
の評価のために、ガラス基板上にＮｉＦｅ／ＮｉＭｎ
（低酸素濃度ターゲットで成膜）と順次形成した試料に
ついて、バイアス磁界の大きさを測定した。その結果、
バイアス磁界は２５（Ｏｅ）以上であり、十分に大きな
値が得られた。また、このときの膜の酸素濃度は十分に
小さいことがわかった。
の評価のために、ガラス基板上にＮｉＦｅ／ＮｉＭｎ
（低酸素濃度ターゲットで成膜）と順次形成した試料に
ついて、バイアス磁界の大きさを測定した。その結果、
バイアス磁界は２５（Ｏｅ）以上であり、十分に大きな
値が得られた。また、このときの膜の酸素濃度は十分に
小さいことがわかった。
【００１６】なお、第３の実施例では、反強磁性膜とし
てＮｉＭｎを用いたが、ＦｅＭｎＣｒについても前述の
処理（熱処理と表面に析出した酸素の除去）を行うこと
により、同様の結果が得られる。
てＮｉＭｎを用いたが、ＦｅＭｎＣｒについても前述の
処理（熱処理と表面に析出した酸素の除去）を行うこと
により、同様の結果が得られる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気抵抗
効果ヘッドは、信頼性が高く、交換バイアス磁界量も十
分に大きいＭＲヘッドが得られるという効果がある。
効果ヘッドは、信頼性が高く、交換バイアス磁界量も十
分に大きいＭＲヘッドが得られるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す構成図である。
【図２】反強磁性体層の組成を説明するための図であ
る。
る。
【図３】反強磁性体層の組成を説明するための図であ
る。
る。
【図４】反強磁性体層の組成を説明するための図であ
る。
る。
【図５】反強磁性体層の組成を説明するための図であ
る。
る。
【図６】反強磁性体層の酸素濃度と交換バイアス量との
関係を示す図である。
関係を示す図である。
１０ アルティック基板（ＡｌＴｉＣ基板） １１ 下シールド １３ 隣接バイアス材 １４ ＭＲ膜（磁気抵抗効果膜） １５ 反強磁性膜 １６ リード電極 １２，１７，１９ ギャップ層 ２０ 書き込みポール
Claims (4)
- 【請求項１】 強磁性磁気抵抗効果層と、この強磁性磁
気抵抗効果層に接し、交換力により縦方向バイアス磁界
を生じさせる反強磁性体層とを備える磁気抵抗効果ヘッ
ドにおいて、前記反強磁性体層中の酸素濃度を前記反強
磁性体層組成の１０原子％以下にしたことを特徴とする
磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項２】 強磁性磁気抵抗効果層と、この強磁性磁
気抵抗効果層に接し、交換力により縦方向バイアス磁界
を生じさせる反強磁性体層とを備える磁気抵抗効果ヘッ
ドにおいて、前記反強磁性体層と前記強磁性磁気抵抗効
果層との界面における酸素濃度を前記反強磁性体層組成
の１０原子％以下にしたことを特徴とする磁気抵抗効果
ヘッド。 - 【請求項３】 前記酸素濃度が、炭素濃度であることを
特徴とする請求項１または２記載の磁気抵抗効果ヘッ
ド。 - 【請求項４】 次の工程を含むことを特徴とする磁気抵
抗効果ヘッドの製造方法。 （イ）反強磁性体層を成膜するためのＭｎ合金ターゲッ
トを窒素中で熱処理し、表面に酸素を析出させる工程 （ロ）Ｍｎ合金ターゲットの表面に析出した酸素をエッ
チング法により除去する工程 （ハ）酸素を除去した低酸素濃度のＭｎ合金ターゲット
を用い、蒸着法もしくはスパッタリング法により反強磁
性体層を成膜する工程
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20354994A JP2669357B2 (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20354994A JP2669357B2 (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0863715A true JPH0863715A (ja) | 1996-03-08 |
| JP2669357B2 JP2669357B2 (ja) | 1997-10-27 |
Family
ID=16475983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20354994A Expired - Fee Related JP2669357B2 (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2669357B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0883196A2 (en) * | 1997-06-05 | 1998-12-09 | TDK Corporation | Magnetoresistance effect film and magnetoresistance effect type head |
-
1994
- 1994-08-29 JP JP20354994A patent/JP2669357B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0883196A2 (en) * | 1997-06-05 | 1998-12-09 | TDK Corporation | Magnetoresistance effect film and magnetoresistance effect type head |
| US5968676A (en) * | 1997-06-05 | 1999-10-19 | Tdk Corporation | Magnetoresistance effect film and magnetoresistance effect type head |
| EP0883196A3 (en) * | 1997-06-05 | 2000-01-12 | TDK Corporation | Magnetoresistance effect film and magnetoresistance effect type head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2669357B2 (ja) | 1997-10-27 |
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