JPH0862859A - Developing method for semiconductor device - Google Patents
Developing method for semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置の現像処理
方法に関し、特に現像後の純水リンスの改良に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a development processing method for a semiconductor device, and more particularly to improvement of pure water rinse after development.
【０００２】[0002]
【従来の技術】リソグラフィ技術ではアルカリ現像液で
露光後のフォトレジストを現像して微細なパターンを形
成した後、パターン表面を洗浄リンスするために、半導
体基板上に純水を放出して所定の時間接触させた後、半
導体基板を高速に回転させることで半導体基板表面の水
分を遠心力で振り切り乾燥させている。図５は従来の洗
浄リンスから乾燥させる処理装置の要部概要図であり、
図において、１は被処理基板である半導体基板、２はモ
ータ３で駆動され半導体基板１を吸着して回転させる回
転用吸着板、４は現像処理等がなされる現像カップ、５
は純水放出ノズル、６はノズル５の支持台、７は分岐用
継ぎ手、８は純水供給用配管、９はリンス液として供さ
れた純水である。2. Description of the Related Art In the lithographic technique, the exposed photoresist is developed with an alkaline developing solution to form a fine pattern, and then pure water is discharged onto a semiconductor substrate to wash the pattern surface for cleaning. After contacting for a time, the semiconductor substrate is rotated at high speed to remove water on the surface of the semiconductor substrate by centrifugal force to dry the semiconductor substrate. FIG. 5 is a schematic view of a main part of a processing device for drying from a conventional cleaning rinse.
In the drawing, 1 is a semiconductor substrate which is a substrate to be processed, 2 is a suction plate for rotation which is driven by a motor 3 to suck and rotate the semiconductor substrate 1, 4 is a developing cup for performing development processing, and 5
Is a pure water discharge nozzle, 6 is a support for the nozzle 5, 7 is a branch joint, 8 is pure water supply piping, and 9 is pure water provided as a rinse liquid.
【０００３】この構成にはリンス前の処理装置について
は示してないが、半導体基板１はフォトレジストを塗布
された後、所定のパターンを露光され、現像工程に進
む、一般的なレジストではアルカリ水溶液により露光部
が溶解し、レジストパターンが形成される。この時点で
平面状の膜であったレジストが微小寸法の壁状や柱状の
パターンとして基板上に林立することになる。この装置
では形成された微細パターンの表面および露出した基板
表面のアルカリ現像液を洗い流すために、現像カップ４
内で回転用吸着板２に吸着してセットされ静止または低
回転している半導体基板１の上方に位置する純水放出ノ
ズル５から純水９を注ぎかけて洗浄している。この洗浄
が所定の時間、動的または静的に半導体基板１のパター
ン表面と純水９の接触が行われた後、半導体基板１上の
純水９は半導体基板１の回転による遠心力で振り切ら
れ、さらに高速回転時の気流により乾燥がなされる。Although the processing apparatus before rinsing is not shown in this configuration, the semiconductor substrate 1 is exposed to a predetermined pattern after being coated with a photoresist, and the semiconductor substrate 1 proceeds to a developing step. As a result, the exposed portion is dissolved and a resist pattern is formed. At this point, the resist, which was a flat film, stands on the substrate in the form of minute wall-shaped or columnar patterns. In this apparatus, in order to wash away the alkaline developer on the surface of the formed fine pattern and the exposed substrate surface, the developing cup 4
Pure water 9 is poured from the pure water discharge nozzle 5 located above the semiconductor substrate 1 which is sucked and set on the rotary suction plate 2 and is stationary or at low rotation for cleaning. After this cleaning is performed by contacting the pattern surface of the semiconductor substrate 1 with the pure water 9 dynamically or statically for a predetermined time, the pure water 9 on the semiconductor substrate 1 is shaken off by the centrifugal force generated by the rotation of the semiconductor substrate 1. In addition, drying is performed by the air flow during high speed rotation.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置の現
像処理方法は以上のようになされていたので、リンスに
使用される洗浄液が純水であり表面張力値は２５℃にお
いて７２．６ｄｙｎ／ｃｍ2と高く、パターンサイズが
微小になるにつれて、パターンのアスペクト比が高くな
ると、リンス時またはリンス後の半導体基板１の乾燥時
にパターン同志が互いに引き寄せられるように倒れてし
まうという現象が起こる（１９９３年９月号ＮＩＫＫＥ
Ｉ ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥ １５頁にも記載）という
問題点があった。なお、リンス液である純水に界面活性
剤を加える手法も考えられるが、この場合半導体基板お
よびパターン表面上に界面活性剤成分が微量に残る可能
性があり、不要な元素や不純物が半導体基板上に残りか
ねない。Since the conventional method of developing a semiconductor device is as described above, the cleaning liquid used for rinsing is pure water and the surface tension value is 72.6 dyn / cm at 25.degree. 2 and the aspect ratio of the pattern becomes higher as the pattern size becomes smaller, the phenomenon occurs that the patterns come together so as to be attracted to each other during the rinsing or the drying of the semiconductor substrate 1 after the rinsing (1993). September issue NIKKE
I MICRODEVICE, page 15). A method of adding a surfactant to pure water, which is a rinse liquid, may be considered, but in this case, a small amount of the surfactant component may remain on the semiconductor substrate and the pattern surface, and unnecessary elements and impurities may be removed from the semiconductor substrate. It may remain on top.
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、リンス中またはリンス後の乾燥
時に、リンス液の表面張力を下げることのできる半導体
装置の現像処理方法を得ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and provides a method for developing a semiconductor device capable of lowering the surface tension of the rinse liquid during or after rinsing and during drying. With the goal.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
の半導体装置の現像処理方法は、半導体基板上にフォト
レジストを塗布し露光して現像しパターン形成後、純水
でリンスする現像処理方法において、上記リンス中もし
くはリンス後の純水にアルコールを加えリンス液をアル
コールとの混合液としたものである。[Means for Solving the Problems] Claim 1 according to the present invention
In the development processing method for a semiconductor device, a semiconductor substrate is coated with a photoresist, exposed and developed to form a pattern, and then rinsed with pure water in the development processing method in which pure water is rinsed or rinsed with alcohol. The rinse liquid is a mixed liquid with alcohol.
【０００７】また、請求項２の半導体装置の現像処理方
法は、請求項１において、アルコールは半導体基板上方
の専用ノズルから放出されるものである。According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device development processing method according to the first aspect, wherein the alcohol is discharged from a dedicated nozzle above the semiconductor substrate.
【０００８】また、請求項３の半導体装置の現像処理方
法は、請求項１において、アルコールは半導体基板上方
のスプレーで霧化した状態とし放出されるものである。According to a third aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device development processing method according to the first aspect, wherein the alcohol is discharged in a state of being atomized by spraying above the semiconductor substrate.
【０００９】また、請求項４の半導体装置の現像処理方
法は、請求項１において、アルコールは蒸気化処理され
て放出されるものである。According to a fourth aspect of the development processing method of a semiconductor device, in the first aspect, alcohol is vaporized and released.
【００１０】また、請求項５の半導体装置の現像処理方
法は、請求項１において、アルコールはメタノール，エ
タノール，１−プロパノール，２−プロパノール，ｔｅ
ｒｔ．−ブタノールの内のいずれかであるものである。A semiconductor device development processing method according to claim 5 is the method according to claim 1, wherein the alcohol is methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, or te.
rt. It is one of butanol.
【００１１】[0011]
【作用】この発明における半導体装置の現像処理方法
は、リンス液である純水に加えられたアルコールによっ
てリンス液の表面張力が低くなりリンス中もしくはリン
ス後の高速回転による乾燥中におけるレジストパターン
の倒れを防止する。In the method for developing a semiconductor device according to the present invention, the surface tension of the rinse liquid becomes low due to the alcohol added to the pure water which is the rinse liquid, and the resist pattern collapses during the rinse or during the drying by the high speed rotation after the rinse. Prevent.
【００１２】また、スプレーで霧化したアルコールは半
導体基板上の純水への混入が均等化される。The alcohol atomized by the spray is evenly mixed with pure water on the semiconductor substrate.
【００１３】また、蒸気化されたアルコールは半導体基
板上の純水への混入がさらに均等化される。Further, the vaporized alcohol is further equalized in mixing with pure water on the semiconductor substrate.
【００１４】[0014]
実施例１．以下、この発明の実施例１を図について説明
する。図１はこの発明の実施例１における半導体装置の
現像処理方法に用いる洗浄リンスから乾燥させる処理装
置の要部概要図である。図において、１〜６，８は従来
と同様でありその説明は省略する。１０は後述するアル
コール１５の加圧容器、１１は加圧用窒素配管、１２は
アルコールを供給する供給用配管、１３は処理される半
導体基板１の上方に位置しアルコールを放出するノズ
ル、１４はノズル１３の支持台である。Example 1. Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings. First Embodiment FIG. 1 is a schematic diagram of a main part of a processing apparatus for drying from a cleaning rinse used in a developing processing method for a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. In the figure, 1 to 6 and 8 are the same as the conventional one, and the description thereof is omitted. Reference numeral 10 is a pressure vessel for alcohol 15 described later, 11 is a pressure nitrogen pipe, 12 is a supply pipe for supplying alcohol, 13 is a nozzle located above the semiconductor substrate 1 to be processed and discharging alcohol, and 14 is a nozzle. 13 is a support base.
【００１５】１５は放出される選定アルコールで、表面
張力が低くかつ、純水への溶解度が高いこと、さらにフ
ォトレジスト表面を溶解しにくいことを必須条件として
選定し、メタノール，エタノール，１−プロパノール
（＝ｎ−プロピルアルコール），２−プロパノール（＝
イソプロピルアルコール），ｔｅｒｔ．−ブタノール
（＝ｔｅｒｔ．ブチルアルコール）の内いずれかを使用
する。選定したアルコールの各表面張力値を以下に示
す。メタノール２２．５５ｄｙｎ／ｃｍ2（２０℃）、
エタノール２２．２７ｄｙｎ／ｃｍ2（２０℃）、１−
プロパノール２３．８ｄｙｎ／ｃｍ2（２０℃）、２−
プロパノール２１．７ｄｙｎ／ｃｍ2（２０℃）、ｔｅ
ｒｔ．−ブタノール１９．４５ｄｙｎ／ｃｍ2（２５
℃）。Reference numeral 15 is a selected alcohol to be released, which has been selected as essential conditions such as low surface tension, high solubility in pure water, and difficulty in dissolving the photoresist surface, and methanol, ethanol, 1-propanol. (= N-propyl alcohol), 2-propanol (=
Isopropyl alcohol), tert. Use any of butanol (= tert. Butyl alcohol). The surface tension values of the selected alcohol are shown below. Methanol 22.55 dyn / cm 2 (20 ° C.),
Ethanol 22.27 dyn / cm 2 (20 ° C.), 1-
Propanol 23.8 dyn / cm 2 (20 ° C.), 2-
Propanol 21.7 dyn / cm 2 (20 ° C.), te
rt. -Butanol 19.45 dyn / cm 2 (25
C).
【００１６】次に動作について説明する。従来と同要領
で半導体基板１に現像後のレジストパターンが形成され
た状態で、純水放出ノズル５から純水９を注ぎかけると
同時または時間差的にアルコール放出ノズル１３より選
定アルコール１５を半導体基板１の表面に放出させる。
これによりリンス中の純水９に選定アルコール１５が混
入されリンス液は純水と選定アルコールとの混合液とな
りその表面張力値は低くなる。このような混合液状態で
リンスおよびリンス後の乾燥がされることにより、パタ
ーン同志が互いに引き寄せられるように倒れる現象が防
止されることになる。なお、この処理方法によれば純水
９に対し選定アルコール１５の放出タイミングおよび放
出量などの自由度が高いことでリンス液の表面張力値を
徐々に低下させることも可能である。Next, the operation will be described. In the same manner as in the prior art, when pure water 9 is poured from pure water discharge nozzle 5 in a state where a resist pattern after development is formed on semiconductor substrate 1, alcohol 15 is selected from alcohol discharge nozzle 13 and alcohol 15 is selected on the semiconductor substrate. 1 is released on the surface.
As a result, the selected alcohol 15 is mixed into the pure water 9 in the rinse, and the rinse liquid becomes a mixed liquid of pure water and the selected alcohol, and the surface tension value becomes low. By rinsing and drying after rinsing in such a mixed liquid state, it is possible to prevent a phenomenon in which the patterns are collapsed so as to be attracted to each other. According to this treatment method, the degree of freedom in the release timing and release amount of the selected alcohol 15 with respect to the pure water 9 is high, so that the surface tension value of the rinse liquid can be gradually reduced.
【００１７】また、リンス時もしくはリンス後の純水９
に加えられる選定アルコール１５の対応品が実施例１に
示すように複数種類あるが、これらを状況に応じて選択
して使用する場合、図２に示すように、それぞれの供給
用配管１２ａ〜１２ｅと、ノズルホルダ１６にセットさ
れたそれぞれの放出ノズル１３ａ〜１３ｅと、任意のノ
ズルを挟持し半導体基板１の上方位置まで移動させる選
択式ノズルアーム駆動装置１７とを備え、純水９と適正
な選定アルコール１５との組み合わせを容易に可能とす
る装置を使用するようにしても良い。Pure water 9 during or after rinsing
There are a plurality of corresponding products of the selected alcohol 15 added to the first embodiment as shown in the first embodiment, but when these are selected and used according to the situation, as shown in FIG. 2, the respective supply pipes 12a to 12e are supplied. And discharge nozzles 13a to 13e set in the nozzle holder 16 and a selective nozzle arm driving device 17 that holds an arbitrary nozzle and moves it to a position above the semiconductor substrate 1, and the pure water 9 and an appropriate amount are provided. It is also possible to use a device that allows easy combination with the selected alcohol 15.
【００１８】実施例２．以下、この発明の実施例２を図
に基づいて説明する。図３はこの発明の実施例２におけ
る半導体装置の現像処理方法に用いる洗浄リンスから乾
燥させる処理装置の要部概要図である。図において、１
〜６，９〜１５は実施例１と同様でありその説明は省略
する。１８は選定アルコール１５を霧化１５ａして放出
するスプレー式ノズル、１９はスプレー加圧用窒素配管
である。Example 2. The second embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 3 is a schematic view of a main part of a processing apparatus for drying from a cleaning rinse used in a developing processing method for a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention. In the figure, 1
6 and 9 to 15 are the same as those in the first embodiment, and the description thereof will be omitted. Reference numeral 18 is a spray type nozzle for atomizing and discharging the selected alcohol 15 and 19 is a spray pressurizing nitrogen pipe.
【００１９】次に動作について説明する。純水９が注が
れリンスが開始された後、スプレー加圧用窒素配管１９
より送られた窒素によって選定アルコール１５が加圧さ
れスプレー式ノズル１８より霧化して純水９面に放出さ
れる。即ち、現像後の半導体基板１を純水リンスした段
階で、純水９が盛られたままの半導体基板に選定アルコ
ール１５をスプレー噴霧することにより、リンス液９の
表面張力を下げる方法である。従来の処理方法では純水
リンスした後、高速回転により純水を振り切り乾燥する
ため、半導体基板上の微細パターンには純水の表面張力
および遠心力によって動く純水の力が相当加わっている
と考えられる。そこでこの実施例では純水リンス後の純
水９が半導体基板１上に溜まっている状態、または純水
リンス中に霧状の選定アルコール１５を噴霧し均等にリ
ンス液の表面張力を下げた後、回転によるリンス液の振
り切りで乾燥させるようにするものである。霧化したア
ルコール１５ａは純水表面に均等に噴霧され易く純水と
の混合が均等に短時間でなされる。Next, the operation will be described. After the pure water 9 is poured and the rinse is started, the spray pressurizing nitrogen pipe 19
The selected alcohol 15 is pressurized by the sent nitrogen and atomized from the spray type nozzle 18 and discharged to the pure water 9 surface. That is, when the semiconductor substrate 1 after development is rinsed with pure water, the surface tension of the rinse liquid 9 is lowered by spraying the selected alcohol 15 onto the semiconductor substrate on which the pure water 9 is still deposited. In the conventional processing method, after rinsing with pure water, the pure water is shaken off and dried by high-speed rotation, so that the surface tension of pure water and the force of pure water moving due to centrifugal force are considerably applied to the fine pattern. Conceivable. Therefore, in this embodiment, the pure water 9 after rinsing with pure water is accumulated on the semiconductor substrate 1, or the atomized selective alcohol 15 is sprayed into the pure water rinse to uniformly reduce the surface tension of the rinse liquid. The rinsing liquid is shaken off by rotation so as to be dried. The atomized alcohol 15a is easily evenly sprayed on the surface of pure water and mixed with pure water in a short time.
【００２０】実施例３．以下、この発明の実施例３を図
に基づいて説明する。図４はこの発明の実施例３におけ
る半導体装置の現像処理方法に用いる洗浄リンスから乾
燥させる処理装置の要部概要図である。図において、１
〜４，９〜１２，１５は実施例１と同様でありその説明
は省略する。２０は選定アルコール１５をアルコール蒸
気１５ｂにさせる蒸気発生容器、２１は蒸気発生容器２
０を加熱するヒータ、２２はアルコール蒸気１５ｂの供
給配管、２３は供給配管２２の先端の蒸気放出ノズル、
２４は現像カップ４の上面を密閉する上ブタ、２５は上
ブタ２４の支持アーム、２６は支持アーム２５を連動さ
せ上ブタを自在に開閉する上ブタ駆動装置である。Example 3. The third embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 4 is a schematic diagram of a main part of a processing device for drying from a rinse rinse used in a developing processing method for a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention. In the figure, 1
˜4, 9 to 12, and 15 are the same as those in the first embodiment, and the description thereof is omitted. 20 is a steam generation container for converting the selected alcohol 15 into alcohol vapor 15b, and 21 is a steam generation container 2
A heater for heating 0, a supply pipe 22 for the alcohol vapor 15b, a vapor discharge nozzle 23 at the tip of the supply pipe 22,
Reference numeral 24 is an upper lid for sealing the upper surface of the developing cup 4, 25 is a support arm for the upper lid 24, and 26 is an upper lid drive device for interlocking the support arm 25 to freely open and close the upper lid.
【００２１】次に動作について説明する。実施例４と同
様に現像後、純水９によるリンスまで行った後、洗浄工
程でよく使われている選定アルコール１５，ここではイ
ソプロピルアルコールによる蒸気乾燥を現像カップ４内
で行う方法に用いる装置である。純水９用のノズル５
（図示してない）が現像カップ上から退避した後、上ブ
タ駆動装置２６を動作させ現像カップ４用上ブタ２４が
上面を覆い密閉する。この後、蒸気発生容器２０で発生
させたアルコール蒸気１５ｂが供給配管２２を通過して
蒸気放出ノズル２３より密閉された現像カップ４内に放
出される。このアルコール蒸気１５ｂが半導体基板１上
に溜まっているリンス液の純水９に溶け込んでいき、リ
ンス液の表面張力が下がりこの状態で回転によるリンス
液の振り切りで乾燥させるようにするものである。アル
コール蒸気は実施例２に比較して純水への混合の均等化
をさらに良くする。Next, the operation will be described. After developing, as in Example 4, after rinsing with pure water 9, a selected alcohol 15, which is often used in the cleaning step, here, vapor drying with isopropyl alcohol is performed in the developing cup 4. is there. Nozzle 5 for pure water 9
After (not shown) retracts from above the developing cup, the upper lid driving device 26 is operated and the upper lid 24 for the developing cup 4 covers and seals the upper surface. After that, the alcohol vapor 15b generated in the vapor generation container 20 passes through the supply pipe 22 and is discharged from the vapor discharge nozzle 23 into the closed developing cup 4. The alcohol vapor 15b dissolves in the pure water 9 of the rinse liquid accumulated on the semiconductor substrate 1, and the surface tension of the rinse liquid is lowered. In this state, the rinse liquid is shaken off and dried. Alcohol vapor improves the equalization of mixing with pure water as compared with the second embodiment.
【００２２】[0022]
【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
れば、半導体基板上にフォトレジストを塗布し露光して
現像しパターン形成後、純水でリンスする現像処理方法
において、上記リンス中もしくはリンス後の純水にアル
コールを加えリンス液をアルコールとの混合液としたの
で、リンス液の表面張力が低くなりリンス中もしくはリ
ンス後の乾燥中におけるレジストパターンの倒れを防止
できる半導体装置の現像処理方法が得られる効果があ
る。As described above, according to the first aspect of the present invention, in the development processing method of applying a photoresist on a semiconductor substrate, exposing and developing the same to form a pattern, and then rinsing with pure water, the rinse is performed. Since alcohol is added to pure water after or after rinsing and the rinsing liquid is a mixed liquid with alcohol, the surface tension of the rinsing liquid becomes low and the collapse of the resist pattern during the rinsing or drying after rinsing can be prevented. There is an effect that a development processing method can be obtained.
【００２３】また、この発明の請求項２によれば、請求
項１において、アルコールは半導体基板上方の専用ノズ
ルから放出されるので、放出量および放出のタイミング
の調整が容易である。According to the second aspect of the present invention, in the first aspect, since the alcohol is discharged from the dedicated nozzle above the semiconductor substrate, it is easy to adjust the discharge amount and the discharge timing.
【００２４】また、この発明の請求項３によれば、請求
項１において、アルコールは半導体基板上方のスプレー
で霧化した状態とし放出されるので、純水への混入が均
等化されリンス液の表面張力も均等に低下する。According to a third aspect of the present invention, in the first aspect, the alcohol is discharged in a state of being atomized by the spray above the semiconductor substrate, so that the mixture with the pure water is equalized and the rinse liquid is removed. The surface tension also decreases uniformly.
【００２５】また、この発明の請求項４によれば、請求
項１において、アルコールは蒸気化処理されて放出され
るので、純水への混入がさらに均等化されリンス液の表
面張力もさらに均等に低下する。According to a fourth aspect of the present invention, in the first aspect, since the alcohol is vaporized and released, the mixing in the pure water is further equalized, and the surface tension of the rinse liquid is further equalized. Fall to.
【００２６】また、この発明の請求項５によれば、請求
項１において、アルコールはメタノール，エタノール，
１−プロパノール，２−プロパノール，ｔｅｒｔ．−ブ
タノールの内のいずれかとしたので純水への溶解度が高
くかつ、フォトレジスト表面を溶解しにくいのでリンス
液の表面張力を効果的に低くできる。According to a fifth aspect of the present invention, in the first aspect, the alcohol is methanol, ethanol,
1-propanol, 2-propanol, tert. Since any one of butanol is used, the solubility in pure water is high and the photoresist surface is hardly dissolved, so that the surface tension of the rinse liquid can be effectively lowered.
【図１】 この発明の実施例１における半導体装置の現
像処理方法に用いるリンス，乾燥処理装置の要部概要図
である。FIG. 1 is a schematic view of a main part of a rinse / drying processing apparatus used in a semiconductor device development processing method according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 実施例１の構成で他の部分構成を示す要部平
面図である。FIG. 2 is a main part plan view showing another partial structure in the structure of the first embodiment.
【図３】 この発明の実施例２における半導体装置の現
像処理方法に用いる処理装置の要部概要図である。FIG. 3 is a schematic view of a main part of a processing apparatus used in a semiconductor device development processing method according to a second embodiment of the present invention.
【図４】 この発明の実施例３における半導体装置の現
像処理方法に用いるリンス，乾燥処理装置の要部概要図
である。FIG. 4 is a schematic view of a main part of a rinse / drying processing apparatus used in a semiconductor device development processing method according to a third embodiment of the present invention.
【図５】 従来の半導体装置の現像処理方法に用いるリ
ンス，乾燥処理装置の要部概要図である。FIG. 5 is a schematic view of a main part of a rinse and dry processing apparatus used in a conventional semiconductor device development processing method.
１ 半導体基板、４ 現像カップ、５ 純水放出ノズル、
９ 純水、１０ アルコールの加圧容器、１３ アルコー
ル放出ノズル、１５ 選定アルコール（アルコール）、１
５ａ 霧化したアルコール、１５ｂ アルコール蒸気、１
８ スプレー式ノズル、１９ スプレー加圧用窒素配管、
２０ 蒸気発生容器、２１ ヒータ、 ２３ 蒸気放出ノズル、２４ 上ブタ、２６ 上ブタ駆動
装置。1 semiconductor substrate, 4 developing cup, 5 pure water discharge nozzle,
9 pure water, 10 pressurized container of alcohol, 13 alcohol discharge nozzle, 15 selected alcohol (alcohol), 1
5a atomized alcohol, 15b alcohol vapor, 1
8 spray nozzles, 19 spray pressurizing nitrogen piping,
20 vapor generation container, 21 heater, 23 vapor discharge nozzle, 24 upper pig, 26 upper pig drive device.
Claims (5)
露光して現像しパターン形成後、純水でリンスする現像
処理方法において、上記リンス中もしくはリンス後の上
記純水にアルコールを混入させ上記半導体基板上のリン
ス液の表面張力を低下させたことを特徴とする半導体装
置の現像処理方法。1. A development processing method in which a photoresist is applied onto a semiconductor substrate, exposed and developed to form a pattern, and then rinsed with pure water in the developing treatment method, wherein alcohol is mixed into the pure water during the rinse or after the rinse. A development processing method for a semiconductor device, characterized in that the surface tension of a rinse liquid on a substrate is lowered.
ルから放出されることを特徴とする請求項１に記載の半
導体装置の現像処理方法。2. The method of developing a semiconductor device according to claim 1, wherein the alcohol is discharged from a dedicated nozzle above the semiconductor substrate.
で霧化した状態とし放出されることを特徴とする請求項
１に記載の半導体装置の現像処理方法。3. The method of developing a semiconductor device according to claim 1, wherein the alcohol is discharged in a state of being atomized by a spray above the semiconductor substrate.
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の現像
処理方法。4. The method of developing a semiconductor device according to claim 1, wherein the alcohol is vaporized and released.
１−プロパノール，２−プロパノール，ｔｅｒｔ．−ブ
タノールの内のいずれかであることを特徴とする請求項
１に記載の半導体装置の現像処理方法。5. The alcohol is methanol, ethanol,
1-propanol, 2-propanol, tert. The method for developing a semiconductor device according to claim 1, wherein the method is any one of butanol.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19844494A JPH0862859A (en) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | Developing method for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19844494A JPH0862859A (en) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | Developing method for semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0862859A true JPH0862859A (en) | 1996-03-08 |
Family
ID=16391198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19844494A Pending JPH0862859A (en) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | Developing method for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0862859A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002073677A1 (en) * | 2001-03-14 | 2002-09-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and evaporating solution for rinsing a developed photoresist layer |
| WO2005010620A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-02-03 | Reynolds Reese M | A method for drying developed photoresist in semiconductor processing |
| JP2007504646A (en) * | 2003-08-29 | 2007-03-01 | 東京エレクトロン株式会社 | A method and system for drying a substrate. |
| JP2011135002A (en) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing method, storage medium recording program for executing substrate processing method, and substrate processing apparatus |
-
1994
- 1994-08-23 JP JP19844494A patent/JPH0862859A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002073677A1 (en) * | 2001-03-14 | 2002-09-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and evaporating solution for rinsing a developed photoresist layer |
| US6660459B2 (en) | 2001-03-14 | 2003-12-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for developing a photoresist layer with reduced pattern collapse |
| WO2005010620A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-02-03 | Reynolds Reese M | A method for drying developed photoresist in semiconductor processing |
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| JP2011135002A (en) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing method, storage medium recording program for executing substrate processing method, and substrate processing apparatus |
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