JPH0862646A - 光スイッチ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】一時的外力を加えることにより光路を切り替え
たり遮光または透過の状態を切り替え、外力を除いても
その状態を保持する自己保持型の光スイッチを得る。 【構成】磁気光学効果を有する結晶薄膜２２を用いた光
スイッチにおいて、上記薄膜２２面に平行な方向の磁場
により非相反４５度回転効果を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光通信や光信号処理に
用いられる光スイッチの構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来提案されている光スイッチとして
は、化合物半導体材料の電荷注入に基づく過飽和吸収や
屈折率変化およびガラス材料の熱光学効果等を用いるこ
とによって、遮光あるいは透過させ、または光路の切り
替えを行っていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記原理を用いた従来
技術の構成では、電流等の外力を切ると、その光スイッ
チはスイッチング機能が失われるという欠点を有してい
た。

【０００４】本発明の目的は、一時的に外力を加えるこ
とにより光路を切り替えたり遮光または透光の状態を切
り替え、外力を加えることなくその状態を保持し続ける
自己保持型の光スイッチを得ることにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的は、磁気光学効
果を有する結晶薄膜を用いた光スイッチにおいて、上記
薄膜面に平行な方向の磁場による非相反４５度回転効果
を用いることにより達成される。上記結晶薄膜は、磁性
体光導波路であることにより、あるいはガーネットであ
ることにより、さらにまた、膜面に平行な磁場を反転さ
せて動作させることにより達成される。

【０００６】また、上記磁場の反転が光の透過率を切り
替えることにより、あるいは、上記磁場の反転が偏向光
の直交した成分を分離する機能を有する素子、および偏
向光の相反回転機能を有する素子を用いて行うことによ
り、あるいはまた、上記偏向光の相反回転機能が、磁場
の反転により光路を切り替えることにより、さらにま
た、上記４５度非相反回転効果が、外力なしにその状態
を維持することによって達成される。

【０００７】

【作用】本発明は光波の偏向状態を非相反に４５°回転
する機能を有する磁性体導波路（ファラディー回転子）
と上記回転子の一端に配置されて、光波の偏向状態を４
５°回転する機能を有する素子およびこれら回転子の両
側に配置された光波の偏向成分を分離する機能を有する
素子、さらにファラディー回転子に磁場を印加する磁石
により構成され、いわゆる光サーキュレーターと類似な
構造を有しており、磁石の磁化方向を反転可能とするこ
とにより、スイッチング機能を実現したものである。

【０００８】また、上記回転子の両端に配置された偏光
子検光子およびファラディー回転子に磁場を印加する磁
石により構成され、いわゆる光アイソレータと類似な構
造を有する場合も、磁石の磁化方向を反転可能とするこ
とによりスイッチング機能を実現したものである。

【０００９】図１０および図１１を用いて上記光サーキ
ュレータと類似構造の光スイッチにおけるスイッチング
機能を説明する。ファラディー回転子１と相反回転子２
およびこれらの回転子の両側に配置された偏向分離合波
素子３に任意の偏向状態にある光波４が、図１０（ａ）
に示すように第１ポート５から入射し、磁場６が矢印で
示すように印加されている。任意の偏向状態にある光波
４は偏向分離合波素子３により直交した２成分の偏向光
に分離され、分離された２光波の偏向角はファラディー
回転子１により磁場方向６のとき４５°回転され、さら
に相反回転子２によって４５°回転される。（ａ）に示
した偏向状態で右端の偏向分離合波素子３に入射し、２
光波は右端の偏向分離合波素子３により合波されて第３
ポート７より出射する。また、（ｂ）に示したように第
２ポート８に入射した任意の偏向状態にある光波９は、
磁場方向６のとき第４ポート１０より出射される。同様
に第３ポート７と第４ポート１０に入射した任意の偏向
状態にある光波１１と１２とは、（ｃ）および（ｄ）に
示すように磁場方向６のときそれぞれ第２ポート８およ
び第１ポート５より出射され、この素子は磁場方向６の
とき入出射光の関係が、第１ポート→第３ポート→第２
ポート→第４ポート→第１ポートとなる光サーキュレー
ターとして動作し、さらに偏波無依存のアイソレータと
して機能する。 ファラディー回転子に印加する磁場を
反転したときには図１１（ａ）に示すように、磁場方向
１４であるときに分離された２光波の偏向角はファラデ
ィー回転子１により４５°回転され、第１ポート５に入
射した任意の偏向状態にある光波１３は第４ポート１０
より出射される。同様に、第２ポートと第３ポートおよ
び第４ポートに入射した任意の偏向状態にある光波１５
と１６および１７は、磁場方向１４のときそれぞれ第３
ポート７と第１ポート５および第２ポート８より出射さ
れる。この素子は磁場方向１４のとき入出射光の関係
が、第１ポート→第４ポート→第２ポート→第３ポート
→第１ポートとなる光サーキュレーターとして動作し、
さらに偏波無依存のアイソレータとしても機能する。

【００１０】この際、第１ポートと第２ポートとを入力
端、第３ポートと第４ポートとを出力端として使用する
と、ファラディー回転子への印加磁場方向の反転によ
り、それぞれの入力端に対する出力端が入れ替ることに
なり、２×２のチャンネルセレクターとして機能するこ
とになる。第３ポートと第４ポートとを入力端、第１ポ
ートと第２ポートとを出力端として使用しても、同様の
機能を実現することができる。また１つのポートだけを
使用すると、アイソレーター機能付きのチャンネルセレ
クターとしても使用することができる。

【００１１】つぎに、上記光アイソレーターと類似構造
の光スイッチのスイッチング機能を図１２を用いて説明
する。ファラディー回転子１と回転子の両側に配置した
偏光子１３および検光子１４に光波４が入射し、磁場１
７が矢印方向に印加されている。偏光子１３と検光子１
４はそれぞれ１５および１６の偏向状態にある光だけを
図１２（ａ）に示すように透過する機能を有し、ファラ
ディー回転子１は磁場方向１７のとき入射光の偏向状態
１８の光を出射時に偏向状態１９に回転する機能を有し
ている。このため、磁場方向１７のときには光の透過状
態になる。しかし、ファラディー回転子１は磁場方向２
０のとき入射光の偏向状態１８の光を、出射時に図１２
（ｂ）に示すように偏向状態２１に回転する機能を有し
ているため、磁場方向が２０のときには検光子１４を光
が通過することができず遮光状態になる。

【００１２】基板上に液相エピタキシャル（ＬＰＥ）成
長された磁気光学効果を有するガーネット薄膜結晶は、
一般に磁化方向の異方性を有している。すなわち、基板
面に平行な方向への飽和磁化を得るために必要な外部磁
場強度は数百Ｏｅ以下であるのに対し、基板面に垂直な
方向の飽和磁化を得るためには数千Ｏｅ程度の強度が必
要とされ、基板面に平行な方向への磁化は、垂直方向へ
の磁化に較べ一桁以上弱い外部磁場により磁化される。
このため、基板面に垂直な方向の非相反４５°回転効果
を利用する従来のガーネット薄膜結晶では、数千Ｏｅの
磁界を均一にガーネット結晶に印加する必要上、磁気回
路が大型化せざるを得ない欠点を有していた。これに対
して、特開平５−８８０３７号、特開平５−８８０３３
号等に記載された磁性体導波路の磁気光学効果を利用す
る本発明の場合には、基板面に平行な方向の非相反４５
°回転効果を用いるため、必要とされる外部磁場は数百
Ｏｅ以下と小さく、磁気回路を小型化することができ
る。

【００１３】

【実施例】つぎに本発明の実施例を図面とともに説明す
る。

【００１４】第１実施例 図１は本発明の光スイッチにおける第１実施例を示す図
であって、磁性体光導波路を含む磁性体導波路チップ２
２（導波路長３ｍｍ、コア寸法４×４μｍ角、上部およ
び下部クラッド厚さ６μｍ、基板厚さ４５０μｍ、導波
路間隔１．０ｍｍ、導波路数２本）を導波路と光ファイ
バの接続治具２３に固定した。これの両端に偏波保持光
ファイバ２４、２５、２６、２７を、偏向軸（偏波保持
光ファイバ２４と２５は基板と平行および垂直な偏波方
向へ、また、偏波保持光ファイバ２６と２７は基板と±
４５°の傾きをなす偏波方向へ）および光軸調芯後ＵＶ
硬化樹脂により接続固定し、さらに接続補強治具２８に
より芯線ジャケット部も固定した。偏波保持光ファイバ
２４、２５、２６、２７の片側にはＳＣコネクタを取り
付け、偏波光分離合波部２９、３０の接続端子３１、３
２、３３、３４に接続した。偏波光分離合波部２９と３
０はプリズム型偏光ビームスプリッタ３５を用い、入射
側の先端球シングルモード光ファイバ３６と３７から出
射されれる任意の偏向状態にある光波を、光波の進行方
向に応じ出射側の先端球偏波保持光ファイバ３８と３９
とに、ｐおよびｓ偏光に分離する機能と、先端球偏波保
持光ファイバ３８と３９からのｐおよびｓ偏光波を、光
波の進行方向に応じ、先端球シングルモード光ファイバ
３６と３７のいずれかに合波する機能を有している。プ
リズム型偏光ビームスプリッタ３５は、ＢＫ７ガラスの
直角プリズム斜面に誘電体多層偏光薄膜コートして張り
合わせ、各入出射面に無反射コートを施した構造であ
り、入射光に対し、ｐ偏光直進ｓ偏光直角反射の特性を
有している。また、ＳＣコネクタ接続部では、偏波保持
光ファイバ２４、２５、２６、２７と偏波光分離合波部
２９と３０におけるそれぞれの先端球偏波保持光ファイ
バの偏向の主軸が一致するように配置した。このため、
基板と±４５°の傾きをなす偏波方向で磁性体導波路と
接続した偏波保持光ファイバ２６と２７は相反回転子と
しての機能も有している。

【００１５】ファラディー回転子の駆動用磁気回路は、
サマリウム／コバルト系焼結体磁石４０に常磁性体の鉄
ブロックよりなるヨーク４１をＮおよびＳ両極に接着し
た構造を有し、これにギヤー部４２を取り付け、モータ
ーにより３６０°回転可能な機構にした。これにより、
ファラディー回転子に印加される磁場は、モーターへの
電流供給を停止しても保持されることになる。この素子
を使用して光波長１．５５μｍで無偏波光源により、ク
ロストーク平均−２０ｄＢ、挿入損平均１．８ｄＢの光
サーキュレーター動作と２×２のチャンネルセレクター
動作が得られた。 第２実施例 図２は、本発明の第２実施例を示す図で、磁性体光導波
路アレーチップ４３（導波路長３ｍｍ、コア寸法４×４
μｍ角、上部および下部クラッド厚さ６μｍ、基板厚さ
４５０μｍ、導波路間隔１．５ｍｍ、導波路数２本）の
両側に２個の偏波保持ファイバ接続用アレーブロック４
４と４５を光軸調芯後接着固定し、さらに補強用の保持
台４６上に固着した。これに、非磁性の薄膜４７に固着
した半硬質磁石４８を装着固定し、ソレノイドコイル４
９を実装した。偏波保持ファイバ接続用アレーブロック
４４と４５とは、偏波保持ファイバの偏向の主軸が基板
と平行５０、基板と垂直５１で、４５°の角度５２およ
び−４５°の角度５３をなすようにファイバを固定し、
両側の偏波保持ファイバはファイバコード５２の中間部
５３で融着接続してファイバ型偏波分離合波機能を有し
ており、偏波保持ファイバ５２と５３はファイバ融着接
続部まで相反回転子として機能する。また、ファイバの
一端はＦＣコネクタ５４とした。半硬質磁石４８は鉄と
銅およびモリブデンを主成分とし、±４０Ｏｅ外部磁場
により磁化の極性を反転し、磁性体導波路（飽和磁場７
０Ｏｅ）に１００Ｏｅ以上の磁場を印加する。ソレノイ
ドコイル４９は１ｍｍ径のニクロム線を用い、１ｃｍあ
たりの巻き数５０回とし１Ａで５０Ｏｅ以上の磁場を発
生し、十分に半硬質磁石４８の極性を反転する。これに
より、磁性体導波路に印加される磁場は、ソレノイドコ
イル４９への電流供給を停止しても保持されることにな
る。この素子を使用して動作光波長１．５５μｍ、クロ
ストーク−１８ｄＢ、挿入損平均１．５ｄＢの光サーキ
ュレータ動作と２×２のチャンネルセレクタ動作が得ら
れた。

【００１６】第３実施例 図３は本発明の第３実施例を示す図であって、磁性体光
導波路チップ５５（導波路長３ｍｍ、コア寸法４×４μ
ｍ角、上部および下部クラツド厚さ６μｍ、基板厚さ４
５０μｍ）を導波路と光ファイバの接続治具５６に固定
し、両端に１対の偏波保持ファイバ５７と５８とを光軸
調芯後に接着固定し、さらに補助用のファイバ保持台５
９上に固着した。偏波保持ファイバ５７と５８とは、偏
波保持ファイバの偏向の主軸が基板と平行および４５°
の角度をなすように、また、偏波保持ファイバ６０と６
１は偏波保持ファイバの偏向の主軸が基板と垂直および
４５°の角度をなすように固定されていてる。それぞれ
のファイバの片端は、シリンドリカルレンズ６２により
偏向光分離合波部６３と６４に光波が結合するように固
定した。さらに、偏向光分離合波部の光路の他端は、同
様にシリンドリカルレンズを介してＳＣコネクタ付きシ
ングルモードファイバ６５に接続している。偏向光分離
合波部６３は方解石を用い、直交する常光と異常光とを
空間的に分離する機能を利用している。偏向光分離合波
部６４に方解石６６を同様に用いるほか、延伸したポリ
イミド薄膜波長板６７を相反回転子として用いた。磁性
体導波路上にはバリウムフェライト（Ｂａ：Ｆｅ：Ｏ＝
１：１２：１９、Ｆｅ一部Ｃｏイオン置換）を基板温度
５００℃でスパッタリング法により１μｍ積層し、窒化
シリコンをマスクにして熱燐酸を用いパタン化（長さ３
ｍｍ、幅０．６ｍｍ）した半硬質磁性薄膜磁石６８が実
装されている。鉄を用いて作製した磁芯６９にソレノイ
ドコイル７０を実装し、ヨーク７１を装着した小型電磁
石により、半硬質磁性薄膜磁石６８の磁化反転を行う構
造にしている。半硬質磁性薄膜磁石６８は±６０Ｏｅの
外部磁場により磁化の極性を反転し、磁性体導波路（飽
和磁場７０Ｏｅ）に１００Ｏｅ以上の磁場を印加する。
ソレノイドコイル７０は１ｍｍ径のニクロム線を用い、
１ｃｍ当り７０回の巻数で１Ａで７０Ｏｅ以上の磁場を
発生し、十分に半硬質磁性薄膜磁石６８の極性を反転す
る。これにより磁性体導波路に印加される磁場は、ソレ
ノイドコイル７０への電流供給を停止しても保持される
ことになる。この素子を使用し光波長１．５５μｍで無
偏波光源により、クロストーク平均−１５ｄＢ、挿入損
平均３ｄＢの光サーキュレータ動作と２×２のチャンネ
ルセレクタ動作が得られた。

【００１７】上記実施例中で偏向光分離合波部６３は方
解石を用い、偏向光分離合波部６４に方解石６６と延伸
したポリイミド薄膜波長板６７を相反回転子として用い
たが、方解石の替りにルチルプリズムあるいは文献オプ
チクス・レターズ（Optics Letters）１５＃９'９０Ｐ
５１６（K.Shiraishi＆S.Kawakami）に見られる偏向光
空間分離素子、また、延伸したポリイミド薄膜波長板の
替りに石英波長板を用いても同様の効果が得られる。ま
た、半硬質磁性薄膜磁石６８を用いなくても、小型電磁
石の磁芯６９に半硬質磁性体を使用し、実施例と同様に
ヨーク７１を装着した構造とすることにより、磁場反転
可能な自己保持型磁気回路を構成することができ、実施
例と同様な効果を実現できる。

【００１８】なお、上記発明の２×２のチャンネルセレ
クタを一構成要素として用いることによって、図４と図
５に示すような構成の４×４または８×８等の多数のア
イソレータ機能付きのチャンネルセレクタを容易に作製
することができる。また、本発明に示した２×２のチャ
ンネルセレクタを２段連結した素子を一構成要素として
用いると、図６（ａ）〜（ｅ）に示すような２×２、４
×４等の多段の容易に作製することができる。本発明で
は、スイッチング機能が信号光の偏波状態によらないた
めに、光ファイバを用いた光通信あるいは光信号処理の
分やにおいても十分な適用性を有している。

【００１９】第４実施例 本発明の第４実施例を図４に示す。磁性体光導波路を含
む磁性体導波路チップ７２（導波路長３ｍｍ、コア寸法
４×４μｍ角、上部および下部クラッド厚さ６μｍ、基
板厚さ４５０μｍ）の両側に入射側ラミポール偏光子７
３（厚さ１６μｍ）と出射側ラミポール検光子７４（厚
み１６μｍ）を密着し、導波路と光ファイバの接続治具
７５に固定した。入射側ラミポール偏光子７３は、基板
と平行な方向の偏波を透過するように、また、出射側ラ
ミポール７４は入射側偏向方向と４５°の傾きをなすよ
うに主軸を合わせた。これに入射側には偏波保持光ファ
イバ７６と出射側にはシングルモードファイバ７７を、
偏向軸および光軸調芯後にＵＶ硬化樹脂により接続固定
し、さらに接続補強治具７８により芯線ジャケット部も
固定した。ファラディー回転子の駆動用磁気回路は、サ
マリウム／コバルト系焼結体磁石７９に常磁性体の鉄ブ
ロックよりなるヨーク８０をＮおよびＳの両極に接着し
た構造を有し、これにギヤ部８１を取り付け、モーター
により３６０回転可能な機構とした。これにより、ファ
ラディー回転子に印加される磁場はモーターへの電流供
給を停止しても保持されることになり、光透過状態ある
いは遮光状態を保ち続ける。この素子を使用し動作光波
長１．５５μｍで、消光比３０ｄＢのスイッチング動作
が得られた。

【００２０】第５実施例 本発明の第５実施例を図５に示す。磁性体光導波路アレ
ーチップ８２（導波路長３ｍｍ、コア寸法４×４μｍ
角、上部および下部クラッド厚さ６μｍ、基板厚さ４５
０μｍ、導波路間隔１．５ｍｍ、導波路数３本）の両側
に３本の偏波保持ファイバ接続用アレーブロック８３を
光軸調芯後接着固定し、さらに補強用の保持具８４上に
固着した。これに半硬質磁石８５を装着固定し、ソレノ
イドコイル８６を実装した。偏波保持ファイバ接続用ア
レーブロック８３は、偏波保持ファイバの偏向の主軸が
基板と平行（８７）および４５°の角度（８８）をなす
ようにファイバを固定し、ファイバコード８９の中間部
９０にラミポール偏光子をファイバと偏向主軸が一致す
るように装着してある。また、ファイバの一端はＦＣコ
ネクタ９１とした。半硬質磁石８５は鉄と銅およびモリ
ブデンを主成分とし、±４０Ｏｅの外部磁場により磁化
の極性を反転し、磁性体導波路（飽和磁場７０Ｏｅ）に
１００Ｏｅ以上の磁場を印加する。ソレノイドコイル８
６は１ｍｍ径のニクロム線を用い１ｃｍ当り５０回の巻
数で、１Ａで５０Ｏｅ以上の磁場を発生し、十分に半硬
質磁石８５の極性を反転する。これにより、磁性体導波
路に印加される磁場はソレノイドコイルへの電流供給を
停止しても保持されることになり、半透過状態あるいは
遮光状態を保ち続ける。この素子を使用し動作光波長
１．５５μｍで、消光比平均２５ｄＢのスイッチング動
作が得られた。

【００２１】第６実施例 本発明の第６実施例を図９により説明する。磁性体光導
波路アレーチップ９２（導波路長３ｍｍ、コア寸法４×
４μｍ角、上部および下部クラッド厚さ６μｍ、基板厚
さ４５０μｍ、導波路間隔１．０ｍｍ、導波路数２本）
を導波路と光ファイバの接続治具９３に固定し、両端に
２対の偏波保持ファイバ９４を光軸調芯後接着固定し、
さらに補強用のファイバ保持台９５上に固着した。偏波
保持ファイバ９４は偏波保持ファイバの偏向の主軸が基
板と平行および４５°の角度をなすようにファイバが固
定され、ファイバコードの中間部にラミポール偏光子を
ファイバと偏向主軸が一致するように装着している。ま
た、ファイバの一端はＳＣコネクタとした。磁性体導波
路上にはバリウムフェライト（Ｂａ：Ｆｅ：Ｏ＝１：１
２：１９、Ｆｅ一部Ｃｏイオン置換）を基板温度５００
℃でスパッタリング法で１μｍ積層し、窒化シリコンを
マスクとして熱燐酸によりパタン化（長さ３ｍｍ、幅
０．６ｍｍ）した半硬質磁性薄膜磁石９６が実装されて
いる。鉄を用いて作製した磁芯とヨーク９７にソレノイ
ドコイル９８を実装した小型電磁石により、半硬質磁性
薄膜磁石９６の磁化反転を行う構造になっている。半硬
質磁性薄膜磁石９６は±６０Ｏｅの外部磁場により磁化
の極性を反転し磁性体導波路（飽和磁場７０Ｏｅ）に１
００Ｏｅ以上の磁場を印加する。ソレノイドコイル９８
は１ｍｍ径のニクロム線を用い、１ｃｍ当り７０回の巻
数で１Ａ流し７０Ｏｅ以上の磁場を発生し、十分に半硬
質磁性薄膜磁石９６の極性を反転する。これにより、磁
性体導波路に印加される磁場は、ソレノイドコイルへの
電流供給を停止しても保持されることになり、光透過状
態あるいは遮光状態を保ち続ける。この素子を使用し、
動作光波長１．５５μｍで、消光比平均２０ｄＢのスイ
ッチング動作が得られた。

【００２２】

【発明の効果】上記のように本発明による光スイッチ
は、磁気光学効果を有する結晶薄膜を用いた光スイッチ
において、上記薄膜面に平行な方向の磁場による非相反
４５度回転効果を用いることによって、一般的に外力を
加えることにより光路を切り替え、上記外力を取り除い
てもその状態を保持し続ける自己保持型光スイッチの製
作が可能になり、さらに本発明のスイッチのチャンネル
セレクタを構成要素として用いると、多段のアイソレー
タ機能付きチャンネルセレクタや、多段双方向通信用マ
トリクスチャンネルスイッチを容易に作製することがで
きる。本発明ではスイッチング機能が信号光の偏波状態
によらないために、光ファイバを用いた光通信あるいは
光信号処理の分野でも、十分に適用性を有するという特
徴を持っている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による光スイッチの第１実施例を示す図
で、（ａ）は光スイッチを示し、（ｂ）は偏波光分離合
波部を示す図、（ｃ）はプリズム型偏光ビームスプリッ
タを示す図である。

【図２】本発明の第２実施例を示す図で、（ａ）は光ス
イッチの基本構成を示す図、（ｂ）はソレノイドコイル
を示す図である。

【図３】本発明の第３実施例を示す図である。

【図４】本発明の応用例として２×２のチャンネルセレ
クタおよび４×４アイソレータ機能付きチャンネルセレ
クタの構成を（ａ）〜（ｄ）にそれぞれ示す図である。

【図５】本発明の応用例として８×８アイソレータ機能
付きチャンネルセレクタの構成を示す図である。

【図６】本発明の応用例として（ａ）〜（ｄ）に２×２
双方向通信用マトリクスチャンネルスイッチを、（ｅ）
に４×４双方向通信用マトリクスチャンネルスイッチの
構成を示す図である。

【図７】本発明の第４実施例を示す図である。

【図８】本発明の第５実施例を示す図で、（ａ）は光ス
イッチ本体を示し、（ｂ）はソレノイドコイルを示す図
である。

【図９】本発明の第６実施例を示す図である。

【図１０】本発明の動作原理を（ａ）〜（ｄ）により説
明する図である。

【図１１】本発明の動作原理を（ａ）〜（ｄ）により説
明する図である。

【図１２】本発明の動作原理を説明する図で、（ａ）は
光透過状態を示し、（ｂ）は光遮光状態を説明する図で
ある。

【符号の説明】

２２、４３、５５、８２、９２ 磁性体光導波路（結
晶薄膜） ２９、３０、６３、６４ 偏波光分離合波部

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】磁気光学効果を有する結晶薄膜を用いた光
   スイッチにおいて、上記薄膜面に平行な方向の磁場によ
   る非相反４５度回転効果を用いることを特徴とする光ス
   イッチ。
2. 【請求項２】上記結晶薄膜は、磁性体光導波路であるこ
   とを特徴とする請求項１記載の光スイッチ。
3. 【請求項３】上記結晶薄膜は、ガーネットであることを
   特徴とする請求項１または請求項２記載の光スイッチ。
4. 【請求項４】上記結晶薄膜は、該膜面に平行な磁場を反
   転させて動作させることを特徴とする請求項１から請求
   項３のいずれかに記載の光スイッチ。
5. 【請求項５】上記磁場の反転は、光の透過率を切り替え
   ることを特徴とする請求項４記載の光スイッチ。
6. 【請求項６】上記光の透過率の切り換えは、偏光子、検
   光子および非相反４５度回転機能を有する素子を用いて
   行うことを特徴とする請求項５記載の光スイッチ。
7. 【請求項７】上記磁場を反転させる動作は、直交する成
   分を２分する機能を有する素子または偏向光の非相反４
   ５度回転機能を有する素子、または偏向光の相反回転性
   能を有する素子を用いて、磁場の反転により光路を切り
   替えて行うことを特徴とする請求項６記載の光スイッ
   チ。
8. 【請求項８】上記非相反４５度回転効果は、外力なしに
   その状態を維持することを特徴とする請求項１記載の光
   スイッチ。