JPH08509833A - 昼光下で視やすい薄膜ｅｌディスプレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 交流薄膜ＥＬディスプレイパネルは各透明電極の上に電気的接触するように形成した金属アシスト構造と、光吸収性の黒ずんだ層とを有し、これらの組み合わせにより昼光の下で視やすいＥＬディスプレイパネルが提供される。

Description

【発明の詳細な説明】 昼光下で視やすい薄膜ＥＬディスプレイ 関連出願との相互参照 本出願は、１９９２年６月１１日付けで出願され、同一の譲受人に譲渡され、 共に係属中の出願第０７／８９７，２１０号（発明の名称：ＥＬディスプレイの ための低抵抗で熱安定性を有する電極構造）；出願第０７／９９０，３２２号（ 発明の名称：黒ずんだ金属電極を有する昼光下で視やすい薄膜ＥＬディスプレイ ）（弁護士整理番号Ｎ−１２２１）；及び出願第０７／９８９，６７２号（発明 の名称：光吸収性物質の遷移組成層を有する昼光下で視やすい薄膜ＥＬディスプ レイ）（弁護士整理番号Ｎ−１２２２）に関連する主題を含んでいる。 技術分野 本発明はＥＬディスプレイパネルに関し、さらに詳細にはパネルを昼光下で視 やすくするため周囲光の反射を減少することに関する。 背景技術 薄膜ＥＬ（ＴＦＥＬ）ディスプレイパネルは陰極線管（ＣＲＴ）及び液晶ディ スプレイ（ＬＣＤ）のような他のディスプレイ技術に比べて幾つかの利点を有す る。ＣＲＴと比べるとＴＦＥＬは必要とする電力が少なく、可視角が大きく、一 段と薄い。また、ＬＣＤと比較して可視角が大きく、補助光源が不要であると共 にディスプレイ面積を大きくできる。 図１は典型的な従来型ＴＦＥＬディスプレイパネルを示す。このＴＦＥＬディ スプレイはガラスパネル１０、複数の透明電極１２、第１の誘電体層１４、けい 光体層１６、第２の誘電体層１８、透明電極１２に直交する複数の金属電極２０ を有する。透明電極１２は通常、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）であり、金属 電極２０はアルミニウムが普通である。誘電体層１４，１８はけい光体層１６を 過大な直流電流から保護する。透明電極１２と金属電極２０の間に約２００ボル トの電圧を印加すると、誘電体層１４，１８とけい光体層１６の間の界面の１つ から電子がけい光体層に侵入し、そこで急速に加速される。けい光体層１６は通 常、マンガンでドープされたＺｎＳよりなる。けい光体層１６に入った電子はこ のマンガンを励起し、マンガンが光子を放出する。光子は第１誘電体層１４、透 明電極１２及びガラスパネル１０を通過して可視像を形成する。 現存のＴＦＥＬは用途によっては満足できるものであるが、さらに進んだ用途 ではより明るく高いコントラストの画面、大型の画面、また昼光下で視やすい画 面が必要とされる。周りの光が多いところでパネルに適当なコントラストを与え る１つのアプローチとして周囲の反射光を減少させる円偏光フィルタを用いるこ とがある。このアプローチによると適度の周囲光がある状態でかなりのコントラ ストが得られるが、高コスト及び約３７％の最大光反射率を含む多くの問題点も ある。 発明の開示 本発明の目的は、周囲光の反射を減少させてＴＦＥＬディスプレイのコントラ ストを向上させることにより昼光下で視やすいディスプレイを提供することにあ る。 本発明の別の目的は、高コントラストの大型ＴＦＥＬディスプレイを提供する ことにある。 本発明によると、低抵抗の透明電極を有するＴＦＥＬディスプレイの多層構造 に光吸収性の黒ずんだ物質の層が包含される。 本発明は直射日光の下で視やすいＴＦＥＬディスプレイパネルを提供する。本 発明の他の特徴は、低抵抗電極を有する（これによりディスプレイを早いレート で駆動できる）ＴＦＥＬディスプレイにおいて光吸収性の黒ずんだ物質の層を用 いることにより３６インチよりも大きいような大型で，高コントラストのディス プレイが実現できることである。 本発明の上記及び他の目的、特徴及び利点は添付図面に示したような実施例の 以下の詳細な説明からさらに明らかになるであろう。 図面の簡単な説明 図１は従来型ＴＦＥＬディスプレイの横断面図である。 図２は本発明によるＴＦＥＬディスプレイの横断面図である。 図３はＰｒＭｎＯ₃の組成対抵抗率及び誘電定数のグラフである。 図４は図２の単一のＩＴＯライン及びその関連の金属アシスト構造の拡大した 横断面図である。 図５は本発明のＴＦＥＬディスプレイの別の実施例を示す横断面図である。 図６はさらに別の実施例の横断面図である。 発明を実施するための最適モード 一実施例において、ＥＬディスプレイパネルにはパネルに当たる周囲光の反射 を抑えるために光吸収性で黒ずんだ物質の層が含まれている。 図２を参照して、金属アシスト構造２２は透明電極１２と電気接触し、電極１ ２の長さ全体に亘って延びる。金属アシスト構造２２は、ＴＦＥＬディスプレイ パネルの透明電極１２及び他の構造と適合性ある導電性金属の１または２以上の 層よりなる。金属アシスト構造２２により覆われる光透過領域を小さくするため に、金属アシスト構造は透明電極１２の小部分だけを覆うようにする必要がある 。例えば、金属アシスト構造２２は透明電極１２の約１０％またはそれ以下を覆 うようにできる。従って、幅が約２５０ｐｍ（１０ミル）の典型的な透明電極１ ２では、金属アシスト構造２２と透明電極のオーバーラップの大きさを約２５μ ｍ（１ミル）またはそれ以下にする必要がある。オーバーラップを約６μｍ（０ ．２５ミル）乃至約１３μｍ（０．５ミル）の小さいものにすることが望ましい 。金属アシスト構造２２と透明電極１２のオーバーラップをできるだけ少なくす る必要があるが、金属アシスト構造は電気抵抗を小さくするためにできるだけ幅 広にする必要がある。例えば、幅が約５０ｐｍ（２ミル）乃至約７５μｍ（３ミ ル）の金属アシスト構造２２が望ましい。これら２つの設計パラメータは、金属 アシスト構造２２を透明電極だけでなくガラスパネル１０ともオーバーラップさ せることにより満足することができる。現在の製造方法により、金属アシスト構 造２２の厚さを第１誘電体層１６の厚さに等しいかそれ以下にして第１誘電体層 １６ が透明電極１２及び金属アシスト構造を適当に覆うようにする必要がある。例え ば、金属アシスト構造２２は厚さを約２５０ｎｍ以下にすることができる。好ま しくは、金属アシスト構造２２の厚さを約２００ｎｍ以下、例えば１５０ｎｍ乃 至約２００ｎｍにする。しかしながら、製造方法の改善により金属アシスト構造 ２２を第１誘電体層１６よりも厚くすることが実際的になるかもしれない。 ＴＦＥＬディスプレイパネルはまた、アルミニウムの後部電極２０により反射 される周囲光の量を減少させることによってディスプレイのコントラストを改善 するために光吸収性の黒ずんだ物質の層２４を有する。黒ずんだ物質の層２４は アルミニウムの後部電極２０と直接接触し、その抵抗率は後部電極間の漏洩電流 に起因するその後部電極２０の間の電気的クロストークを充分に減少できるほど の大きさでなければならない。好ましくは、この黒ずんだ物質の抵抗率は少なく とも１０⁸オーム／ｃｍでなければならない。黒ずんだ物質の層２４はまた第２ 誘電体１８の誘電定数と少なくとも等しいかそれよりも大きい誘電定数をもつ必 要があり、その好ましい誘電定数の値は７よりも大きい。拡散反射率を０．５％ より小さくするため、この黒ずんだ物質は約１０⁵／ｃｍの光吸収係数をもたね ばならない。 黒ずんだ物質の層２４の候補材料としてはＧｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ、Ｓｂ₂ Ｓ₃、ＧｅＮ及びＰｒＭｎＯ₃がある。Ｇｅの使用では充分な成功が得られなかっ た。より適当な材料としては、その高いブレークダウンしきい値からＧｅＮがあ ろう。適当な組成のＰｒＭｎＯ₃は１０⁸オーム／ｃｍより大きい抵抗率と、２０ ０と３００の間の誘電定数と、５００ｎｍで１０⁵／ｃｍよりも大きい光吸収係 数を有する。これらの特性の組み合わせでこのＰｒＭｎＯ₃は好ましい黒色の層 の材料となる。Ｐｒ−Ｍｎ酸化物薄膜はＲＦスパッタリング法を用い、基板温度 を２００°Ｃ乃至３５０°Ｃの範囲にして、ＡｒまたはＡｒ＋Ｏ₂の雰囲気中で 付着させることができる。図３は、このＰｒＭｎＯ₃の抵抗率と誘電定数をＰｒ −Ｍｎ酸化物薄膜の組成を変えることにより特定の用途に適合するように調整で きることを示している。ライン２５に沿って示すこのＰｒＭｎＯ₃で得られる極 端に高い誘電定数は、ディスプレイのしきい電圧を顕著に増加させずにＰｒＭｎ Ｏ₃を使用できることを示唆していることに注意されたい。 図４を参照して、金属アシスト構造２２の好ましい実施例は、接着層２６、第 １の耐熱金属層２８、主要導体層３０、第２の耐熱金属層３２がサンドイッチに なったものである。接着層２６は金属アシスト構造２２のガラスパネルと透明電 極１２への接着を促進する。この接着層は、ガラスパネル１０、透明電極１２及 び第１耐熱金属層２８に、接着層２６或いは他の任意の層をこれらの構造からの 剥がすように作用する応力を発生させずに、接着できる任意の導電性金属或いは 合金を含むことができる。適当な金属としてはＣｒ、Ｖ、Ｔｉがある。Ｃｒは容 易に蒸発して良好な接着を与える点で好ましい。好ましくは、接着層２６の厚さ を接触する構造体間に安定な接合が形成されるに必要な値に限定する。例えば、 接着層２６はその厚さを約１０ｎｍ乃至約２０ｎｍにする。第１耐熱金属層２８ がガラスパネル１０及び透明電極１２と安定で低応力の接合を形成するものであ れば、接着層２６は不要であろう。その場合、金属アシスト構造２２は２つの耐 熱金属層２８、３２と主要導体層３０の３層だけで形成できる。 耐熱金属層２８、３２は、ディスプレイを以下に述べるようにアニーリングし てけい光体層を活性化する際、主要導体層３０が酸化されないように保護すると 共に、この主要導体層が第１誘電体層１４及びけい光体層１６８内へ拡散しない ようにする。従って、耐熱金属層２８、３２はアニーリング温度で安定であり、 主要導体層３０への酸素の浸透を阻止することができ、また第１誘電体層１４ま たはけい光体層１６への主要導体層３０の拡散を阻止できる金属または合金を含 む必要がある。適当な金属としてはＷ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｏｓがある。耐熱金 属層２８、３２の厚さは共に最大約５０ｎｍである。耐熱金属層の抵抗率は主要 導体層３０の抵抗率よりも高いため、耐熱金属層２８、３２をできるだけ薄くし て主要導体層３０をできるだけ厚くする必要がある。好ましくは、耐熱金属層２ ８、３２の厚さは約２０ｎｍ乃至約４０ｎｍである。 主要導体層３０は金属アシスト構造２２を流れる電流の大部分を導通させる。 この主要導体層はＡｌ、Ｃｕ、ＡｇまたはＡｕのような導電率の高い金属または 合金で形成できる。Ａｌは導電率が高く、コストが低く、後の処理との適合性が よいため好ましい。主要導体層３０は金属アシスト構造２２の導電率を最大にす るためできるだけ厚くする必要がある。その厚さは金属アシスト構造２２全体の 厚さと他の層の厚さとにより制限を受ける。例えば、主要導体層３０の厚さは最 大約２００ｎｍである。主要導体層３０の厚さは好ましくは約５０ｎｍ乃至約１ ８０ｎｍである。 本発明のＴＦＥＬディスプレイは所望の構造を形成する任意の方法で製造可能 である。透明電極１２、誘電体層１４、１８、けい光体層１６及び金属電極２０ は当業者に知られた従来の方法で形成できる。金属アシスト構造２２はエッチバ ック（etch-back）法、リフトオフ（lift-off）法、或いは他の任意適当な方法 で形成可能である。 図２に示すようなＴＦＥＬディスプレイを製造する第１のステップとして、適 当なガラスパネル１０の上に透明な導体の層を付着させる。ガラスパネルとして は、以下に述べるけい光体のアニーリングに耐え得る任意の耐高温ガラスを用い ることができる。例えば、ガラスパネルとしてコーニング７０５９（Corning Gl assworks，Corning，NY）のようなホウケイ酸ガラスがある。透明な導体として は、導電性で所望の用途にとり充分な光透過性を持つ任意適当な材料を用いる。 例えば、透明な導体としてＩＴＯがあるが、これは約１０モル％のＩｎよりなり 、導電性で、約２００ｎｍの厚さで約８５％の光透過性を有する遷移金属の半導 体である。透明な導体としては、ガラスを完全に覆い所望の導電性を与える任意 適当な厚さのものでよい。適当なＩＴＯ層がすでに付着されたガラスパネルはド ネリー社（Donnelly Corporation，Holland，MI）から購入することが可能であ る。本発明のＴＦＥＬディスプレイを製造する残りの工程については、透明電極 としてＩＴＯを用いる例を説明する。当業者にとっては別の透明な導体を用いる 方法も同様であることが分かるであろう。 ＩＴＯ電極１２は従来のエッチバック法または他の任意適当な方法によりＩＴ Ｏ層として形成可能である。例えば、ＩＴＯ電極１２となるＩＴＯ層の一部を浄 化して耐エッチング剤マスクで覆うことができる。耐エッチング剤マスクは、Ｉ ＴＯ層に適当なホトレジスト化学物質を適用し、このホトレジスト化学物質に適 当な波長の光を露光し、ホトレジスト化学物質を現像することによって形成可能 である。２−エトキシエチルアセテート、ｎ−ブチルアセテート、キシレン及び キシロールを主要成分として含むホトレジスト化学物質は本発明にとって適当で ある。かかるホトレジスト化学物質の１つとしてＡＺ４２１０ホトレジスト（Ho echst Celanese Corp.，Somerville，NJ）がある。ＡＺ現像剤（Hoechst Celane se Corp.，Somerville，NJ）はＡＺ４２１０ホトレジストに適合する知的財産権 に係わる現像剤である。他の市販のホトレジスト化学物質及び現像剤も本発明に とって適当であろう。ＩＴＯのマスクで覆わなかった部分は適当なエッチング剤 で除去してＩＴＯ層にＩＴＯ電極１２の側部を画定するチャンネルを形成する。 エッチング剤は、マスクで覆ったＩＴＯまたはマスクで覆わなかったＩＴＯの下 にあるガラスに損傷を与えずにマスクで覆わなかったＩＴＯを除去できなければ ならない。適当なＩＴＯエッチング剤は、約１０００ミリリットルの水、約２０ ００ミリリットルのＨＣｌ、及び約３７０ｇの無水ＦｅＣｌ₃を混合することに より調製可能である。このエッチング剤は約５５°Ｃで用いると特に効果的であ る。マスクで覆わなかったＩＴＯを除去するに必要な時間はＩＴＯ層の厚さによ る。例えば、厚さ３００ｎｍのＩＴＯ層は約２分で除去することができる。ＩＴ Ｏ電極１２の側部は図示のように面取りをして第１誘電体層１４がＩＴＯ電極を 適当に覆うことができるようにする必要がある。ＩＴＯ電極１２の大きさと間隔 はＴＦＥＬディスプレイの寸法による。例えば、高さ１２．７ｃｍ（５インチ） 、幅１７．８ｃｍ（７インチ）の典型的なディスプレイに、厚さ約３０ｎｍ、幅 約２５０μｍ（１０ミル）で、間隔が約１２５μｍ（５ミル）のＩＴＯ電極１２ を形成できる。エッチング終了後、耐エッチング剤マスクを水酸化テトラメチル アンモニウムを含むもののような適当なストリップ剤で除去する。ＡＺ４００Ｔ ホトレジストストリップ剤（Hoechst Celanese Corp.）はＡＺ４２１０ホトレジ ストと適合する市販の製品である。他の市販のストリップ剤にもまた本発明に適 合するものがある。 ＩＴＯ電極１２を形成した後、金属アシスト構造を形成する金属の層を均一な 組成と抵抗の層を形成できる従来の方法によりＩＴＯ電極の上に付着させる。適 当な方法としてはスパッタリング及び熱蒸着がある。好ましくは、全ての金属層 を単一の工程で付着させ、金属界面の酸化や表面汚染を防止することによって接 着性を向上させる。モデルＶＥＳ−２５５０（Airco Temescal，Berkley，CA） のような電子ビーム蒸着装置、或いは３またはそれ以上の金属源を使用できる任 意 のそれに匹敵する装置を用いることができる。金属層はそれらがＩＴＯに近い順 にパネルの表面全体に亘って所望の厚さに付着させる必要がある。 金属アシスト構造２２はエッチバックを含む任意適当な方法により金属層とし て形成できる。金属アシスト構造２２となる金属層の部分は従来の方法で市販の ホトレジスト化学物質より形成した耐エッチング剤マスクで覆うことができる。 ＩＴＯを覆うのに用いると同じ方法及び化学物質を金属アシスト構造２２に対し て使用することができる。金属層のマスクで覆わない部分は一連のエッチング剤 によりそれらが付着されたとは逆の順序で除去する。エッチング剤はパネル上の 他の任意の層に損傷を与えずに単一の、マスクで覆われていない金属層を除去で きるものでなければならない。適当なタングステンエッチング剤は約４００ミリ リットルの水、約５ミリリットルの３０重量％のＨ₂Ｏ₂の溶液、約３ｇのＫＨ₂ ＰＯ₄、約２ｇのＫＯＨを混合することにより調製できる。約４０°Ｃで特に効 果的であるこのエッチング剤は約４０ｎｍのタングステン耐熱金属層を約３０秒 で除去できる。適当なアルミニウムエッチング剤は約２５ミリリットルの水、約 １６０ミリリットルのＨ₃ＰＯ₄、約１０ミリリットルのＨＮＯ₃、約６ミリリッ トルのＣＨ₃ＣＯＯＨを混合することによって調製可能である。室温で効果的な このエッチング剤は約１２０ｎｍのアルミニウム主要導体層を約３分で除去でき る。ＨＣｌＯ₄及びＣｅ（ＮＨ₄）₂（ＮＯ₃）₆を含む市販のクロムエッチング剤 はクロム層に用いることができる。ＣＲ−７ホトマスク（Cyantek Corp.，Fremo nt，CA）は本発明に適合する１つのクロムエッチング剤である。このエッチング 剤は約４０°Ｃで特に効果的である。他の市販のクロムエッチング剤もまた本発 明に適合する。ＩＴＯ電極１２に関しては、段部を適切に遮蔽できるように金属 アシスト構造２２の側部を面取りする必要がある。 誘電体層１４，１８及びけい光体層１６はスパッタリングまたは熱蒸着を含む 任意適当な従来方法によりＩＴＯライン１２及び金属アシスト構造２２の上に付 着させることができる。２つの誘電体層１４，１８は約８０ｎｍ乃至約２５０ｎ ｍのような任意適当な厚さでよく、けい光体層１６を過大な電流から保護するた めキャパシタとして作用可能な任意の誘電体により形成すればよい。好ましくは 、誘電体層１４，１８の厚さは約２００ｎｍであり、ＳｉＯ_xＮ_xよりなる。けい 光体層１６は約１％未満のマンガンをドープしたＺｎＳのような任意の従来型Ｔ ＦＥＬけい光体でよく、任意の厚さにすることができる。好ましくは、けい光体 層１６の厚さは約５００ｎｍである。これらの層を付着させた後、ディスプレイ を約５００°Ｃで約１時間加熱してけい光体をアニーリングする必要がある。ア ニーリングによりマンガン原子がＺｎＳ格子のＺｎ部位に移動し、励起されると そこから光子を放出する。 けい光体層１６をアニーリングして後、金属電極２０をエッチバックまたはリ フトオフを含む任意適当な方法により第２誘電体層１８の上に形成する。金属電 極２０はアルミニウムのような任意の高導電性金属から形成可能である。ＩＴＯ 電極１２と同じように、金属電極２０のサイズ及び間隔はディスプレイの寸法に より異なる。例えば、高さ１２．７ｃｍ（５インチ）、幅１７．８ｃｍ（７イン チ）の典型的なＴＦＥＬディスプレイの金属電極２０を厚さが約１００ｎｍ、幅 が約２５０μｍ（１０ミル）、間隔が約１２５μｍ（５ミル）にすることができ る。金属電極２０はグリッドを形成するためにＩＴＯ電極１２と直交させる必要 がある。 図５は別の実施例を示す。この実施例において画像はディスプレイのガラスパ ネル１０の方からでなくてカラーフィルタ３８の側から見る。カラーフィルタ３ ８により単色でなくて多色の画像を形成できる。この別の実施例ではアルミニウ ムの電極２０がガラスパネル１０の上に、また光吸収性の黒ずんだ物質の層２４ がアルミニウム電極２０の上に配置され、これに続いて第１誘電体層１４が黒ず んだ物質層２４を被覆する。第１誘電体層１４と第２誘電体層１８の間にけい光 体層１６が配設される。それぞれが図４に示す金属アシスト構造２２を組み込ん だ複数の透明電極１２が第２誘電体層１８の上に配設される。第２誘電体層１８ の非被覆部分、透明電極１２及び金属アシスト構造２２の上には偏光層３９が配 設され、平らな面を形成する。そしてこの平らな面の上には赤と緑の縞が隣接配 置されたガラス板のようなカラーフィルタ３８が配設される。偏光層３９はスパ ンオンガラス（spun-on-glass）、透明なポリマー物質或いは珪酸ナトリウムの ような材料を含んでもよい。当業者は上述のＴＦＥＬディスプレイ製造方法を図 ５に示すようなディスプレイを製造できるようにいかに変更するかが解るであろ う。 例えば、当業者はけい光体層１６のアニーリング後第２誘電体層１８の上に透明 電極１２を形成できることが解るであろう。 図６は本発明のさらに別の実施例を示す。図６の実施例は図２の実施例に似て いるが、これら２つの実施例は主として、黒ずんだ層２４と第２誘電体層１８の 位置関係が逆である点で相違する。図６に示す実施例の残りの層は図２の実施例 と同一またはほぼ同一の材料を用いる。 図２、５及び６に示す実施例とは別に、本発明のＴＦＥＬディスプレイは、低 抵抗電極と、光吸収性の黒ずんだ物質の層との組み合わせによる利点を有する任 意の他の構成にすることができる。 本発明は従来技術と比べていくつかの利点を有する。例えば、低抵抗電極と光 吸収性の黒ずんだ物質の層との組み合わせにより、高コントラストと、高いリフ レッシュレートによる大きな明るさとが得られる全てのサイズのＴＦＥＬディス プレイを実現できる。このため、低抵抗電極がパネル全部にパネル全体に亘って 一様な明るさを与えるに充分な電流を供給することができ、また黒ずんだ層の物 質が周囲光の反射を減少させてパネルのコントラストを改善することから、表示 画面の大きさが約９１ｃｍ（３６インチ）×９１ｃｍのような大型ＴＦＥＬディ スプレイが可能になる。低抵抗電極と黒ずんだ層とを有するディスプレイは、昼 光の下で直接視やすい薄膜ＥＬディスプレイを提供するのに充分なコントラスト を得るにつき重要である。 本発明を特定の実施例に関連して図示説明したが、本発明の精神及び範囲から 逸脱することなく図示の実施例に対して種々の他の変形、削除及び追加を行える ことが当業者にとって理解されるであろう。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 モナーキー，ドミニック，エル アメリカ合衆国，コネチカット州 06851, ノーウォーク，ウェイフェアリング・ロー ド ５ (72)発明者 ポドバ，マイロスロウ アメリカ合衆国，コネチカット州 06492, ウォーリングフォード，ハイヒル・ロード 87 (72)発明者 スワットソン，リチャード，アール アメリカ合衆国，コネチカット州 06611, トランブル，ヘッジホッグ・ロード 21

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．１．昼光の下で視やすいＥＬディスプレイパネルであって、 ガラス基板と、 前記ガラス基板上に付着され、それぞれの一部の上に金属アシスト構造が電気 的接触状態に形成された複数の平行な透明電極と、 前記複数の透明電極の上に付着された第１の誘電体層と、 前記第１誘電体層の上に付着されたけい光体層と、 前記けい光体層の上に付着された第２の誘電体層と、 前記第２誘電体層の上に付着され、反射光を減少させる、光吸収性の黒ずんだ 物質の層と、 各々が前記光吸収性の黒ずんだ物質層の上方に平行に付着された複数の金属電 極とより成るＥＬディスプレイパネル。 ２．前記金属アシスト構造の各々は、第１の耐熱金属層と、第１耐熱金属層の上 に形成された主要導体層と、主要導体層の上に形成された第２の耐熱金属層とよ り成り、第１及び第２耐熱金属層はＥＬディスプレイが前記けい光体層を活性化 するためアニーリングされるとき主要導体層を酸化しないように保護することが できる、請求項１の昼光の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 ３．前記金属アシスト構造は前記透明電極の約１０％またはそれ以下を覆う、請 求項２の昼光の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 ４．前記光吸収性の黒ずんだ物質層はＰｂＭｎＯ₃である、請求項２の昼光の下 で視やすいＥＬディスプレイパネル。 ５．前記光吸収性の黒ずんだ物質層の抵抗率は少なくとも１０⁸オーム／ｃｍで ある請求項１の昼光の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 ６．前記光吸収性の黒ずんだ物質層の誘電定数は少なくとも７である、請求項１ の昼光の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 ７．前記光吸収性の黒ずんだ物質層の吸収定数は約１０⁵／ｃｍである、請求項 １の昼光の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 ８．前記光吸収性の黒ずんだ物質層はＧｅＮである、請求項１の昼光の下で視や すいＥＬディスプレイパネル。 ９．前記金属アシスト構造の端縁部は面取りされている、請求項２の昼光の下で 視やすいＥＬディスプレィパネル。 １０．前記光吸収性の黒ずんだ物質層は別個の黒ずんだ層である、請求項９の昼 光の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 １１．前記金属アシスト構造はさらに前記第１耐熱金属層と透明電極との間に形 成された接着層を有し、前記接着層は透明電極と前記第１耐熱金属層に接着可能 である、請求項２の昼光の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 １２．前記金属アシスト構造は前記透明電極の約１０％またはそれ以下を覆う、 請求項１１の昼光の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 １３．前記光吸収性の黒ずんだ物質層はＰｂＭｎＯ₃である、請求項１２の昼光 の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 １４．前記光吸収性の黒ずんだ物質層の抵抗率は少なくとも１０⁸オーム／ｃｍ である請求項１３の昼光の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 １５．前記光吸収性の黒ずんだ物質層の誘電定数は少なくとも７である、請求項 １４の昼光の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 １６．前記光吸収性の黒ずんだ物質層の吸収定数は約１０⁵／ｃｍである、請求 項１５の昼光の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 １７．前記光吸収性の黒ずんだ物質層はＧｅＮである、請求項１６の昼光の下で 視やすいＥＬディスプレイパネル。 １８．前記金属アシスト構造の端縁部は面取りされている、請求項１７の昼光の 下で視やすいＥＬディスプレィパネル。 １９．前記光吸収性の黒ずんだ物質層は別個の黒ずんだ層である、請求項１８の 昼光の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 ２０．昼光の下で反対側から視覚可能なＥＬディスプレイパネルであって、 ガラス基板と、 各々が前記ガラス基板上に平行に付着された複数の金属電極と、 前記複数の金属電極の各々と前記ガラス基板の露出部分の上方に形成された光 吸収性の黒ずんだ物質の層と 前記光吸収性の黒ずんだ物質層の上に付着された第１の誘電体層と、 前記第１誘電体層の上に付着されたけい光体層と、 前記けい光体層の上に付着された第２の誘電体層と、 前記第２誘電体層の上に付着され、それぞれの一部の上に金属アシスト構造が 電気的接触状態に形成された複数の平行な透明電極とより成るＥＬディスプレイ パネル。 ２１．前記複数の平行な透明電極の各々と前記第２誘電体層の露出部分の上に付 着されて平らな面を形成する偏光層と、 前記平らな面の上に設けたカラーフィルタをさらに備えた、請求項２０の昼光 の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 ２２．前記金属アシスト構造の各々は、第１の耐熱金属層と、第１耐熱金属層の 上に形成された主要導体層と、主要導体層の上に形成された第２の耐熱金属層と より成り、第１及び第２耐熱金属層はＥＬディスプレイが前記けい光体層を活性 化するためアニーリングされるとき主要導体層を酸化しないように保護すること ができる、請求項２０の昼光の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 ２３．前記金属アシスト構造は前記透明電極の約１０％またはそれ以下を覆う、 請求項２２の昼光の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 ２４．前記光吸収性の黒ずんだ物質層はＰｂＭｎＯ₃である、請求項２３の昼光 の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 ２５．前記光吸収性の黒ずんだ物質層の抵抗率は少なくとも１０⁸オーム／ｃｍ である請求項２２の昼光の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 ２６．前記光吸収性の黒ずんだ物質層の誘電定数は少なくとも７である、請求項 ２２の昼光の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 ２７．前記光吸収性の黒ずんだ物質層の吸収定数は約１０⁵／ｃｍである、請求 項２２の昼光の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 ２８．前記光吸収性の黒ずんだ物質層はＧｅＮである、請求項２２の昼光の下で 視やすいＥＬディスプレイパネル。 ２９．前記金属アシスト構造の端縁部は面取りされている、請求項２２の昼光の 下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 ３０．前記光吸収性の黒ずんだ物質層は別個の黒ずんだ層である、請求項２２の 昼光の下で視やすいＥＬディスプレィパネル。 ３１．前記光吸収性の黒ずんだ物質層は光吸収性の黒ずんだ物質の遷移組成層で ある、請求項２２の昼光の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 ３２．前記光吸収性の黒ずんだ物質の遷移組成層は不定比窒化珪素、ＳｉＮ_X、 である、請求項３１の昼光の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 ３３．前記金属アシスト構造はさらに前記第１耐熱金属層と透明電極との間に形 成された接着層を有し、前記接着層は透明電極と前記第１耐熱金属層に接着可能 である、請求項２２の昼光の下で視やすいＥＬディスプレイパネル。 ３４．前記偏光層はスパンオンガラス物質よりなる、請求項２２の昼光の下で視 やすいＥＬディスプレイパネル。 ３５．前記偏光層は透明なポリマーよりなる、請求項２２の昼光の下で視やすい ＥＬディスプレイパネル。 ３６．前記偏光層は珪酸ナトリウムよりなる、請求項２２の昼光の下で視やすい ＥＬディスプレイパネル。