JPH0850271A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH0850271A JPH0850271A JP7173217A JP17321795A JPH0850271A JP H0850271 A JPH0850271 A JP H0850271A JP 7173217 A JP7173217 A JP 7173217A JP 17321795 A JP17321795 A JP 17321795A JP H0850271 A JPH0850271 A JP H0850271A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 時分割駆動特性の優れた液晶表示素子を提供
することにある。 【構成】 液晶分子のらせん構造のねじれ角αを２００
度から２６０度の範囲内とし、この液晶分子のらせん構
造の前後に配置された一対の偏光板の吸収軸（あるいは
偏光軸）８，９を電極基板に隣接する液晶分子の配向方
向６，７に対し一定の角度β1 ，β2 ずらせることを特
徴とする。
することにある。 【構成】 液晶分子のらせん構造のねじれ角αを２００
度から２６０度の範囲内とし、この液晶分子のらせん構
造の前後に配置された一対の偏光板の吸収軸（あるいは
偏光軸）８，９を電極基板に隣接する液晶分子の配向方
向６，７に対し一定の角度β1 ，β2 ずらせることを特
徴とする。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子に係り、特
に優れた時分割駆動特性を有する電界効果型液晶表示素
子に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来の液晶表示素子のツイステッドネマ
チックタイプと言われるものは、２枚の電極基板間に正
の誘電異方性を有するネマチック液晶による９０°ねじ
れたらせん構造を有し、かつ両電極基板の外側には偏光
板をその偏光軸（あるいは吸収軸）が電極基板に隣接す
る液晶分子に対し直交あるいは平行になるように配置す
るものであった（特公昭５１−１３６６６号公報）。 【０００３】２枚の電極基板間で液晶分子が９０°ねじ
れたらせん状構造をなすように配向させるには、例えば
電極基板の、液晶に接する表面を布などで一方向にこす
る方法、いわゆるラビング法によってなされる。このと
きのこする方向、即ちラビング方向が液晶分子の配列方
向となる。このようにして配向処理された２枚の電極基
板をそれぞれのラビング方向が互いにほぼ９０度に交差
するように間隙をもたせて対向させ、２枚の電極基板を
シール剤により接着し、その間隙に正の誘電異方性をも
ったネマチック液晶を封入すると、液晶分子はその電極
基板間でほぼ９０度回転したらせん状構造の分子配列を
する。このようにして構成された液晶セルの上下には偏
光板が設けられるが、その偏光軸あるいは吸収軸はそれ
ぞれの電極基板に隣接する液晶分子の配列方向とほぼ平
行にする。ここで、以降の説明に必要な時分割駆動特性
を表わす量の定義について簡単に説明する。 【０００４】図５は従来の９０度ねじれた液晶分子のら
せん構造を持つ液晶表示素子の典型的な電圧−輝度特性
を示している。これは印加電圧に対する反射輝度の相対
値をとったものであり、輝度の初期値を１００％、最終
値（印加電圧が十分大きいときの値）を０％にしてい
る。一般には、相対輝度が９０％となる電圧をしきい値
Ｖth，１０％となる電圧を飽和値Ｖsat として液晶の特
性のめやすにする。しかし、実用上は９０％以上あれば
画素は十分明るく液晶は非点灯状態、５０％以下であれ
ば画素は十分暗く、液晶は点灯状態としてよく、以下本
明細書においては、相対輝度が、９０％，５０％になる
電圧をそれぞれ、しきい値電圧Ｖth，飽和電圧Ｖsat と
する。 【０００５】さらに液晶表示素子の電気光学特性は、見
る方向によっても変り、この特性が、良好な表示品質が
得られる視野を制限している。 【０００６】ここで視角角度φの定義を図６によって説
明する。図において、液晶表示素子１の上側電極基板１
１のラビング方向を２、下側電極基板１２のラビング方
向を３とし、液晶分子のねじれ角を４とする。また液晶
表示素子１の表面に直交座標ＸＹ軸をとり、Ｘ軸方向を
液晶分子のねじれ角４を２等分する方向に規定し、Ｚ軸
をＸＹ面の法線方向に定め、観察方向５がＺ軸となす角
を視角角度φとする。なお、この場合簡単のために観察
方向５はＸＺ面内にあることとする。また、図６に示さ
れたφを正とし、このような方向から見た場合、コント
ラストが高くなるので、このような方向を視野方向とい
う。 【０００７】図５において、角度φ＝１０度における輝
度が９０％になる電圧をＶth1 ５０％になる電圧をＶsa
t1とし、角度φ＝４０度における輝度が９０％になる電
圧をＶth2 としたとき、立ち上がり特性γ，角度特性Δ
φ及び時分割能ｍを次式のように定義する。 【０００８】γ＝Ｖsat1／Ｖth1 Δφ＝Ｖth2 ／Ｖth1 ｍ＝Ｖth1 ／Ｖsat1 従来の液晶表示素子の時分割駆動特性は、液晶の屈折率
異方性をΔｎ，上下電極基板間間隙をｄとした場合Δｎ
・ｄに依存しており、Δｎ・ｄが大きい場合（例えば
０．８μｍ以上）にはγが良く（小さく）、Δφが悪い
（小さい）。一方、Δｎ・ｄが小さい場合（例えば０．
８μｍ以下）にはγが悪く（大きく）、Δφが良い（大
きい）。しかし、時分割能ｍで比較した場合には、Δｎ
・ｄの小さい方が良い。以上の具体的な例を表１に示
す。 【０００９】 【表１】 【００１０】ここで時分割駆動について、ドットマトリ
クスディスプレイを例に取って簡単に説明する。図７に
示すように下側電極基板１２にストライプ状のＹ電極
（信号電極）１３を、上側電極基板１１にＸ電極（走査
電極）１４を形成し、文字等の表示は、Ｘ，Ｙ両電極の
交点部の液晶を点灯あるいは非点灯にして行う。図にお
いてｎ本の走査電極をＸ1 ，Ｘ2 ，・・・・・Ｘn ，Ｘ
1 ，Ｘ2 ・・・・・Ｘnと繰り返し線順次走査を繰返し
て時分割駆動する。ある走査電極が選択されたとき、そ
の電極上のすべての画素に、信号電極１３であるＹ1 ，
Ｙ2 ，・・・・・Ｙn より、表示すべき信号に従い選択
または非選択の表示信号を同時に加える。このように、
走査電極と信号電極に加える電圧パルスの組合せで交点
の点灯、非点灯を選択する。この場合の走査電極Ｘの数
が時分割数に相当する。 【００１１】 【発明が解決しようとする課題】従来の液晶表示素子で
は、表１に例示したような時分割駆動特性しか得られな
いために、時分割数３２あるいは６４が実用的には限界
であった。しかし、近年、液晶表示素子の画質の改善と
表示情報量増大に対する要求が厳しくなっており、要求
仕様を満足できない状況に到っている。 【００１２】本発明の目的は、従来の液晶表示素子と全
く異なったセル構造をとることによって、極めて優れた
時分割駆動特性を持ち、時分割数１００以上でも良好な
画質を持った液晶表示素子を提供することにある。 【００１３】 【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明による液晶表示素子は、液晶分子のらせ
ん構造のねじれ角を２００度から２６０度の範囲とし、
この液晶分子のらせん構造の前後に一対の偏光板を設
け、それら偏光板の吸収軸（あるいは偏光軸）を、電極
基板に隣接する液晶分子の配向方向に対し一定角度ずら
せて配設することを特徴とするものである。 【００１４】 【作用】本発明の液晶表示素子においては、液晶分子の
らせん構造のねじれ角を２００度から２６０度の範囲と
し、この液晶分子のらせん構造の前後に配設された偏光
板の吸収軸（あるいは偏光軸）をそれに隣接する液晶分
子の配向方向に対し一定の角度ずらせて配設することに
より、印加電圧−光透過率特性カーブが急峻になり、時
分割能が大幅に向上する。 【００１５】 【実施例】次に、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。 【００１６】図１は本発明になる液晶表示素子を上側か
ら見た場合の液晶分子の配列方向（例えばラビング方
向）、液晶分子のねじれ方向、偏光板の吸収軸（あるい
は偏光軸）方向を示している。図２はそれらの関係を示
す斜視図である。図６と構造、機能が同一な部分は同一
の符号を付した。 【００１７】液晶分子１７のねじれ方向１０とねじれ角
αは、上側電極基板１１のラビング方向６と下側電極基
板１２のラビング方向７及びネマチック液晶に添加され
る旋光性物質の種類と量によって規定される。 【００１８】ねじれ角αはしきい値近傍の点灯状態が光
を散乱する配向となることから最大値が制限され、２６
０度が上限であり、また下限はコントラストによって制
限され、２００度が限界である。 【００１９】また、上側の偏光板１５の吸収軸（あるい
は偏光軸）８と上側電極基板１１のラビング方向６との
なす角β1 及び下側の偏光板１６の吸収軸（あるいは偏
光軸）９と下側電極基板１２のラビング方向７とのなす
角β2 はコントラスト，明るさ及び色等を考慮すると、
それぞれ２０度から７０度の範囲に設定することが好ま
しく、さらに３０度から６０度の範囲に設定することが
より好ましい。 【００２０】また、本発明になる液晶表示素子は顕著な
Δｎ・ｄ依存性を示し、コントラスト，明るさ，色の点
から０．８μｍ≦Δｎ・ｄ≦１．２μｍの条件を満足す
ると良好な結果を示し、０．９μｍ≦Δｎ・ｄ≦１．１
μｍの条件を満足すると殊に良好な結果を示す。ここで
Δｎの値については一般に波長依存性があり、短波長側
で大きく、長波長側で小さくなる傾向がある。本明細書
で使用しているΔｎの値は、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光（波長
６３２８Å）を使用し、２５°Ｃで測定したものである
から、他の波長で測定した場合には本明細書におけるΔ
ｎ・ｄの値は若干変化する。 【００２１】ここで本発明になる液晶表示素子の具体的
な一実施例について、その構造と測定結果を説明する。 【００２２】図３はその構造、即ち電極基板のラビング
方向、液晶分子のらせん構造のねじれ方向及び角度、偏
光板の偏光軸（あるいは吸収軸）の関係を示し、液晶表
示素子を上側から見た図である。 【００２３】使用した液晶はビフェニール系液晶とエス
テルシクロヘキサン（ＥＣＨ）系液晶を主成分とするネ
マチック液晶で、旋光性物質としてメルク社の 【００２４】 【化１】 【００２５】を０．７重量％添加したものである。この
混合液晶のΔｎは０．１２３である。図３において、上
側及び下側電極基板のラビング方向６，７は２２０度の
角度で交差し、旋光性物質Ｓ８１１によって、ねじれ方
向は１０，ねじれ角αは２２０度となる。 【００２６】上側の偏光板の吸収軸８と下側の偏光板の
吸収軸９が、ラビング方向６，７となす角β1 ，β2 は
いずれも４５度である。 【００２７】次に以上のようなセル構造で、液晶層の厚
さｄを変えて、Δｎ・ｄを変化させた液晶セルを作り、
色及び明るさを観察した。その結果を表２に示す。 【００２８】この結果からΔｎ・ｄが１μｍ近傍で明る
さ及び色ともに表示素子として問題のないレベルである
ことが分かった。Δｎ・ｄの更に詳細な検討から、図３
の関係がある場合はΔｎ・ｄが０．７μｍから１．２μ
ｍの範囲においては実用上問題ないことが分かった。 【００２９】 【表２】 【００３０】次にΔｎ・ｄ＝０．９８μｍの液晶セルの
時分割駆動特性を測定した結果を表３に示す。表１に示
した従来の液晶表示素子に比較して、γ，Δφ，ｍいず
れもが著しく改良されていることが分かる。 【００３１】 【表３】 【００３２】図３では偏光板の軸として吸収軸を使った
が、偏光軸を使用してもほとんど同様の結果が得られ
た。また実施例ではビフェニール系とＥＣＨ系の混合液
晶を使用したが、他の種類の正の誘電異方性を持つネマ
チック液晶でも同様の効果が得られることは言うまでも
ない。特にフェニルシクロヘキサン（ＰＣＨ）系の混合
液晶を用いると応答特性の点で有利である。なお、以上
の例では、らせん構造のねじれ方向を反時計回りとして
説明したが、図４に示す如く時計回りのねじれ方向の場
合も全く同じ作用効果が得られることは勿論である。偏
光板の偏光軸あるいは吸収軸を、隣接する電極基板の液
晶分子配列方向から所定の角度ずらせる方向は、液晶の
らせん構造のねじれ方向あるいはその反対方向のいずれ
でも同等の作用効果が得られる。 【００３３】また旋光性物質についてもラビング方向と
ねじれ方向との関係を図１，図３及び図４の如く保てば
種類を限定するものではないことは言うまでもない。 【００３４】 【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、従
来全く不可能であった高時分割駆動特性および高品質の
表示特性を持つ液晶表示素子が得られる。
に優れた時分割駆動特性を有する電界効果型液晶表示素
子に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来の液晶表示素子のツイステッドネマ
チックタイプと言われるものは、２枚の電極基板間に正
の誘電異方性を有するネマチック液晶による９０°ねじ
れたらせん構造を有し、かつ両電極基板の外側には偏光
板をその偏光軸（あるいは吸収軸）が電極基板に隣接す
る液晶分子に対し直交あるいは平行になるように配置す
るものであった（特公昭５１−１３６６６号公報）。 【０００３】２枚の電極基板間で液晶分子が９０°ねじ
れたらせん状構造をなすように配向させるには、例えば
電極基板の、液晶に接する表面を布などで一方向にこす
る方法、いわゆるラビング法によってなされる。このと
きのこする方向、即ちラビング方向が液晶分子の配列方
向となる。このようにして配向処理された２枚の電極基
板をそれぞれのラビング方向が互いにほぼ９０度に交差
するように間隙をもたせて対向させ、２枚の電極基板を
シール剤により接着し、その間隙に正の誘電異方性をも
ったネマチック液晶を封入すると、液晶分子はその電極
基板間でほぼ９０度回転したらせん状構造の分子配列を
する。このようにして構成された液晶セルの上下には偏
光板が設けられるが、その偏光軸あるいは吸収軸はそれ
ぞれの電極基板に隣接する液晶分子の配列方向とほぼ平
行にする。ここで、以降の説明に必要な時分割駆動特性
を表わす量の定義について簡単に説明する。 【０００４】図５は従来の９０度ねじれた液晶分子のら
せん構造を持つ液晶表示素子の典型的な電圧−輝度特性
を示している。これは印加電圧に対する反射輝度の相対
値をとったものであり、輝度の初期値を１００％、最終
値（印加電圧が十分大きいときの値）を０％にしてい
る。一般には、相対輝度が９０％となる電圧をしきい値
Ｖth，１０％となる電圧を飽和値Ｖsat として液晶の特
性のめやすにする。しかし、実用上は９０％以上あれば
画素は十分明るく液晶は非点灯状態、５０％以下であれ
ば画素は十分暗く、液晶は点灯状態としてよく、以下本
明細書においては、相対輝度が、９０％，５０％になる
電圧をそれぞれ、しきい値電圧Ｖth，飽和電圧Ｖsat と
する。 【０００５】さらに液晶表示素子の電気光学特性は、見
る方向によっても変り、この特性が、良好な表示品質が
得られる視野を制限している。 【０００６】ここで視角角度φの定義を図６によって説
明する。図において、液晶表示素子１の上側電極基板１
１のラビング方向を２、下側電極基板１２のラビング方
向を３とし、液晶分子のねじれ角を４とする。また液晶
表示素子１の表面に直交座標ＸＹ軸をとり、Ｘ軸方向を
液晶分子のねじれ角４を２等分する方向に規定し、Ｚ軸
をＸＹ面の法線方向に定め、観察方向５がＺ軸となす角
を視角角度φとする。なお、この場合簡単のために観察
方向５はＸＺ面内にあることとする。また、図６に示さ
れたφを正とし、このような方向から見た場合、コント
ラストが高くなるので、このような方向を視野方向とい
う。 【０００７】図５において、角度φ＝１０度における輝
度が９０％になる電圧をＶth1 ５０％になる電圧をＶsa
t1とし、角度φ＝４０度における輝度が９０％になる電
圧をＶth2 としたとき、立ち上がり特性γ，角度特性Δ
φ及び時分割能ｍを次式のように定義する。 【０００８】γ＝Ｖsat1／Ｖth1 Δφ＝Ｖth2 ／Ｖth1 ｍ＝Ｖth1 ／Ｖsat1 従来の液晶表示素子の時分割駆動特性は、液晶の屈折率
異方性をΔｎ，上下電極基板間間隙をｄとした場合Δｎ
・ｄに依存しており、Δｎ・ｄが大きい場合（例えば
０．８μｍ以上）にはγが良く（小さく）、Δφが悪い
（小さい）。一方、Δｎ・ｄが小さい場合（例えば０．
８μｍ以下）にはγが悪く（大きく）、Δφが良い（大
きい）。しかし、時分割能ｍで比較した場合には、Δｎ
・ｄの小さい方が良い。以上の具体的な例を表１に示
す。 【０００９】 【表１】 【００１０】ここで時分割駆動について、ドットマトリ
クスディスプレイを例に取って簡単に説明する。図７に
示すように下側電極基板１２にストライプ状のＹ電極
（信号電極）１３を、上側電極基板１１にＸ電極（走査
電極）１４を形成し、文字等の表示は、Ｘ，Ｙ両電極の
交点部の液晶を点灯あるいは非点灯にして行う。図にお
いてｎ本の走査電極をＸ1 ，Ｘ2 ，・・・・・Ｘn ，Ｘ
1 ，Ｘ2 ・・・・・Ｘnと繰り返し線順次走査を繰返し
て時分割駆動する。ある走査電極が選択されたとき、そ
の電極上のすべての画素に、信号電極１３であるＹ1 ，
Ｙ2 ，・・・・・Ｙn より、表示すべき信号に従い選択
または非選択の表示信号を同時に加える。このように、
走査電極と信号電極に加える電圧パルスの組合せで交点
の点灯、非点灯を選択する。この場合の走査電極Ｘの数
が時分割数に相当する。 【００１１】 【発明が解決しようとする課題】従来の液晶表示素子で
は、表１に例示したような時分割駆動特性しか得られな
いために、時分割数３２あるいは６４が実用的には限界
であった。しかし、近年、液晶表示素子の画質の改善と
表示情報量増大に対する要求が厳しくなっており、要求
仕様を満足できない状況に到っている。 【００１２】本発明の目的は、従来の液晶表示素子と全
く異なったセル構造をとることによって、極めて優れた
時分割駆動特性を持ち、時分割数１００以上でも良好な
画質を持った液晶表示素子を提供することにある。 【００１３】 【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明による液晶表示素子は、液晶分子のらせ
ん構造のねじれ角を２００度から２６０度の範囲とし、
この液晶分子のらせん構造の前後に一対の偏光板を設
け、それら偏光板の吸収軸（あるいは偏光軸）を、電極
基板に隣接する液晶分子の配向方向に対し一定角度ずら
せて配設することを特徴とするものである。 【００１４】 【作用】本発明の液晶表示素子においては、液晶分子の
らせん構造のねじれ角を２００度から２６０度の範囲と
し、この液晶分子のらせん構造の前後に配設された偏光
板の吸収軸（あるいは偏光軸）をそれに隣接する液晶分
子の配向方向に対し一定の角度ずらせて配設することに
より、印加電圧−光透過率特性カーブが急峻になり、時
分割能が大幅に向上する。 【００１５】 【実施例】次に、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。 【００１６】図１は本発明になる液晶表示素子を上側か
ら見た場合の液晶分子の配列方向（例えばラビング方
向）、液晶分子のねじれ方向、偏光板の吸収軸（あるい
は偏光軸）方向を示している。図２はそれらの関係を示
す斜視図である。図６と構造、機能が同一な部分は同一
の符号を付した。 【００１７】液晶分子１７のねじれ方向１０とねじれ角
αは、上側電極基板１１のラビング方向６と下側電極基
板１２のラビング方向７及びネマチック液晶に添加され
る旋光性物質の種類と量によって規定される。 【００１８】ねじれ角αはしきい値近傍の点灯状態が光
を散乱する配向となることから最大値が制限され、２６
０度が上限であり、また下限はコントラストによって制
限され、２００度が限界である。 【００１９】また、上側の偏光板１５の吸収軸（あるい
は偏光軸）８と上側電極基板１１のラビング方向６との
なす角β1 及び下側の偏光板１６の吸収軸（あるいは偏
光軸）９と下側電極基板１２のラビング方向７とのなす
角β2 はコントラスト，明るさ及び色等を考慮すると、
それぞれ２０度から７０度の範囲に設定することが好ま
しく、さらに３０度から６０度の範囲に設定することが
より好ましい。 【００２０】また、本発明になる液晶表示素子は顕著な
Δｎ・ｄ依存性を示し、コントラスト，明るさ，色の点
から０．８μｍ≦Δｎ・ｄ≦１．２μｍの条件を満足す
ると良好な結果を示し、０．９μｍ≦Δｎ・ｄ≦１．１
μｍの条件を満足すると殊に良好な結果を示す。ここで
Δｎの値については一般に波長依存性があり、短波長側
で大きく、長波長側で小さくなる傾向がある。本明細書
で使用しているΔｎの値は、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光（波長
６３２８Å）を使用し、２５°Ｃで測定したものである
から、他の波長で測定した場合には本明細書におけるΔ
ｎ・ｄの値は若干変化する。 【００２１】ここで本発明になる液晶表示素子の具体的
な一実施例について、その構造と測定結果を説明する。 【００２２】図３はその構造、即ち電極基板のラビング
方向、液晶分子のらせん構造のねじれ方向及び角度、偏
光板の偏光軸（あるいは吸収軸）の関係を示し、液晶表
示素子を上側から見た図である。 【００２３】使用した液晶はビフェニール系液晶とエス
テルシクロヘキサン（ＥＣＨ）系液晶を主成分とするネ
マチック液晶で、旋光性物質としてメルク社の 【００２４】 【化１】 【００２５】を０．７重量％添加したものである。この
混合液晶のΔｎは０．１２３である。図３において、上
側及び下側電極基板のラビング方向６，７は２２０度の
角度で交差し、旋光性物質Ｓ８１１によって、ねじれ方
向は１０，ねじれ角αは２２０度となる。 【００２６】上側の偏光板の吸収軸８と下側の偏光板の
吸収軸９が、ラビング方向６，７となす角β1 ，β2 は
いずれも４５度である。 【００２７】次に以上のようなセル構造で、液晶層の厚
さｄを変えて、Δｎ・ｄを変化させた液晶セルを作り、
色及び明るさを観察した。その結果を表２に示す。 【００２８】この結果からΔｎ・ｄが１μｍ近傍で明る
さ及び色ともに表示素子として問題のないレベルである
ことが分かった。Δｎ・ｄの更に詳細な検討から、図３
の関係がある場合はΔｎ・ｄが０．７μｍから１．２μ
ｍの範囲においては実用上問題ないことが分かった。 【００２９】 【表２】 【００３０】次にΔｎ・ｄ＝０．９８μｍの液晶セルの
時分割駆動特性を測定した結果を表３に示す。表１に示
した従来の液晶表示素子に比較して、γ，Δφ，ｍいず
れもが著しく改良されていることが分かる。 【００３１】 【表３】 【００３２】図３では偏光板の軸として吸収軸を使った
が、偏光軸を使用してもほとんど同様の結果が得られ
た。また実施例ではビフェニール系とＥＣＨ系の混合液
晶を使用したが、他の種類の正の誘電異方性を持つネマ
チック液晶でも同様の効果が得られることは言うまでも
ない。特にフェニルシクロヘキサン（ＰＣＨ）系の混合
液晶を用いると応答特性の点で有利である。なお、以上
の例では、らせん構造のねじれ方向を反時計回りとして
説明したが、図４に示す如く時計回りのねじれ方向の場
合も全く同じ作用効果が得られることは勿論である。偏
光板の偏光軸あるいは吸収軸を、隣接する電極基板の液
晶分子配列方向から所定の角度ずらせる方向は、液晶の
らせん構造のねじれ方向あるいはその反対方向のいずれ
でも同等の作用効果が得られる。 【００３３】また旋光性物質についてもラビング方向と
ねじれ方向との関係を図１，図３及び図４の如く保てば
種類を限定するものではないことは言うまでもない。 【００３４】 【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、従
来全く不可能であった高時分割駆動特性および高品質の
表示特性を持つ液晶表示素子が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明になる液晶表示素子の液晶分子の配列方
向、液晶分子のねじれ方向及び偏光板の軸の方向の関係
を示した説明図である。 【図２】本発明になる液晶表示素子の液晶分子の配列方
向、液晶分子のねじれ方向及び偏光板の軸の方向の関係
を示す斜視図である。 【図３】本発明の第１の実施例の液晶表示素子の液晶分
子の配列方向、液晶分子のねじれ方向及び偏光板の軸の
方向の関係を示した説明図である。 【図４】本発明の第２の実施例における液晶分子の配列
方向、液晶分子のねじれ方向及び偏光板の軸の方向の関
係を示した説明図である。 【図５】時分割駆動特性の定義に用いられる液晶表示素
子の電圧輝度特性を示す説明図である。 【図６】時分割駆動特性の測定方向を定義する説明図で
ある。 【図７】時分割駆動を説明する図である。 【符号の説明】 １・・・液晶表示素子、２，６・・・上側電極基板のラ
ビング方向、３，７・・・下側電極基板のラビング方
向、４，１０・・・液晶分子のねじれ方向、８・・・上
側偏光板の吸収軸あるいは偏光軸方向、９・・・下側偏
光板の吸収軸あるいは偏光軸方向、１７・・・液晶分
子。
向、液晶分子のねじれ方向及び偏光板の軸の方向の関係
を示した説明図である。 【図２】本発明になる液晶表示素子の液晶分子の配列方
向、液晶分子のねじれ方向及び偏光板の軸の方向の関係
を示す斜視図である。 【図３】本発明の第１の実施例の液晶表示素子の液晶分
子の配列方向、液晶分子のねじれ方向及び偏光板の軸の
方向の関係を示した説明図である。 【図４】本発明の第２の実施例における液晶分子の配列
方向、液晶分子のねじれ方向及び偏光板の軸の方向の関
係を示した説明図である。 【図５】時分割駆動特性の定義に用いられる液晶表示素
子の電圧輝度特性を示す説明図である。 【図６】時分割駆動特性の測定方向を定義する説明図で
ある。 【図７】時分割駆動を説明する図である。 【符号の説明】 １・・・液晶表示素子、２，６・・・上側電極基板のラ
ビング方向、３，７・・・下側電極基板のラビング方
向、４，１０・・・液晶分子のねじれ方向、８・・・上
側偏光板の吸収軸あるいは偏光軸方向、９・・・下側偏
光板の吸収軸あるいは偏光軸方向、１７・・・液晶分
子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １．液晶層を介して相互に対向配置される上側電極基板
と下側電極基板と、上記上側電極基板の外側に配置され
た上偏光板と、上記下側電極基板の外側に配置された下
偏光板とから構成される液晶表示素子であって、 上記上側電極基板の上記液晶層側に形成されたストライ
プ状の走査電極と上記下側電極基板の上記液晶層側に形
成されたストライプ状の信号電極とは交差するように対
応配置され、１００以上の時分割数の時分割駆動により
繰り返し線順次走査される上記走査電極が選択のための
表示信号が印加された時に、表示内容に応じた表示信号
が該当する信号電極に印加されるようにし、 上記液晶層の液晶は正の誘電異方性を有し、フェニルシ
クロヘキサン（ＰＣＨ）系の液晶を混合し、所定の旋光
性物質が添加されたネマチック液晶であり、かつ、その
厚さ方向に２００〜２６０度ねじれた螺旋構造を形成し
ており、更に、上記液晶の上記上側電極基板界面の液晶
分子配列及び上記下側電極基板界面の液晶分子配列は全
てラビング配向処理によって規定され、 上記上偏光板の偏光軸あるいは吸収軸の方向と該上偏光
板に隣接する上記上側電極基板界面の液晶分子配列方向
とがなす角度を２０〜７０度の範囲とし、 かつ、上記下偏光板の偏光軸あるいは吸収軸の方向が該
下偏光板に隣接する上記下側電極基板界面の液晶分子配
列方向からずれる角度を、上記上偏光板の偏光軸あるい
は吸収軸の方向が該上偏光板に隣接する上記上側電極基
板界面の液晶分子配列方向となす角度の方向と平面的に
みて同一方向に２０〜７０度の範囲とし、 上記液晶層の厚みｄ（μｍ）と上記液晶の屈折率異方性
Δｎとの積Δｎ・ｄが０．７〜１．２μｍの範囲にある
ことを特徴とする液晶表示素子。 ２．前記上偏光板の偏光軸あるいは吸収軸の方向と該上
偏光板に隣接する前記上側電極基板界面の液晶分子配列
方向との角度を３０〜６０度の範囲内でずらし、かつ、
前記下偏光板の偏光軸あるいは吸収軸の方向と該下変更
板に隣接する前記下側電極基板界面の液晶分子配列方向
との角度を３０〜６０度の範囲内でずらしたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7173217A JPH0850271A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7173217A JPH0850271A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 液晶表示素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3017403A Division JPH03248121A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0850271A true JPH0850271A (ja) | 1996-02-20 |
Family
ID=15956308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7173217A Pending JPH0850271A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0850271A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0131216A2 (de) * | 1983-07-12 | 1985-01-16 | BBC Brown Boveri AG | Flüssigkristallanzeige |
| JPS61210324A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-18 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
-
1995
- 1995-07-10 JP JP7173217A patent/JPH0850271A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0131216A2 (de) * | 1983-07-12 | 1985-01-16 | BBC Brown Boveri AG | Flüssigkristallanzeige |
| JPS61210324A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-18 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
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