JPH0849069A - スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法Info
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- JPH0849069A JPH0849069A JP6201399A JP20139994A JPH0849069A JP H0849069 A JPH0849069 A JP H0849069A JP 6201399 A JP6201399 A JP 6201399A JP 20139994 A JP20139994 A JP 20139994A JP H0849069 A JPH0849069 A JP H0849069A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 パーティクルの発生が少ないＴｉＮｘターゲ
ットを提供する。 【構成】 本発明のターゲットは、実質的にチタンと窒
素から構成され、チタンに対する窒素の原子量比Ｎ／Ｔ
ｉが０．３０ないし０．６０であり、ターゲットの相対
密度が９９．５％以上、抗折強度が３５０Ｍｐａ以上で
あることを特徴とするターゲットである。本発明は、タ
ーゲット組織中にチタン濃度の高い部分が分散している
ことが望ましい。本発明のターゲットは、チタンの窒化
物粉末とチタン粉末あるいは水素化チタン混合した後、
温度１３００℃以上、圧力１５０ＭＰａ以上の条件で熱
間静水圧プレスにより得ることができる。
ットを提供する。 【構成】 本発明のターゲットは、実質的にチタンと窒
素から構成され、チタンに対する窒素の原子量比Ｎ／Ｔ
ｉが０．３０ないし０．６０であり、ターゲットの相対
密度が９９．５％以上、抗折強度が３５０Ｍｐａ以上で
あることを特徴とするターゲットである。本発明は、タ
ーゲット組織中にチタン濃度の高い部分が分散している
ことが望ましい。本発明のターゲットは、チタンの窒化
物粉末とチタン粉末あるいは水素化チタン混合した後、
温度１３００℃以上、圧力１５０ＭＰａ以上の条件で熱
間静水圧プレスにより得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩの拡散防止層と
なる窒化チタン層あるいは窒化チタン層とチタンシリサ
イド層の形成などに用いるスパッタリング用ターゲット
およびその製造方法に関するものである。
なる窒化チタン層あるいは窒化チタン層とチタンシリサ
イド層の形成などに用いるスパッタリング用ターゲット
およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年ＬＳＩの高集積化に伴い、コンタク
トホール下に形成されるＰ型あるいはＮ型のドープ層
は、より浅く狭い領域に形成されるようになってきてい
る。上述したＬＳＩのドープ層が浅い場合、配線として
使用されるアルミニウム等をシリコン基板上に直接形成
すると、これらが相互拡散反応を起こしアルミニウム等
がドープ層を容易に突き破り、半導体の接合構造を破壊
するという問題が起こる。このような相互拡散反応を防
止するため、配線とシリコン基板との間にチタン−タン
グステン合金層あるいは窒化チタン化合物層といった高
融点材料からなる拡散防止層（バリアメタル層とも言
う）を形成することが行われている。
トホール下に形成されるＰ型あるいはＮ型のドープ層
は、より浅く狭い領域に形成されるようになってきてい
る。上述したＬＳＩのドープ層が浅い場合、配線として
使用されるアルミニウム等をシリコン基板上に直接形成
すると、これらが相互拡散反応を起こしアルミニウム等
がドープ層を容易に突き破り、半導体の接合構造を破壊
するという問題が起こる。このような相互拡散反応を防
止するため、配線とシリコン基板との間にチタン−タン
グステン合金層あるいは窒化チタン化合物層といった高
融点材料からなる拡散防止層（バリアメタル層とも言
う）を形成することが行われている。
【０００３】拡散防止層のうち窒化チタン化合物層は特
に拡散防止性に優れているとされ、現在シリコン基板と
のコンタクト抵抗を下げるための研究が進められている
ところである。シリコン基板と窒化チタン化合物層のコ
ンタクト抵抗を下げる一つの手段として月刊 Semicond
uctor World 1992.12,p196-p205あるいは月刊 Semicon
ductorWorld 1989.12,p189-p192に示されるように、窒
化チタン化合物層とシリコン基板との間にコンタクト抵
抗の低いチタンシリサイド層を形成することが有効であ
ることがわかってきた。
に拡散防止性に優れているとされ、現在シリコン基板と
のコンタクト抵抗を下げるための研究が進められている
ところである。シリコン基板と窒化チタン化合物層のコ
ンタクト抵抗を下げる一つの手段として月刊 Semicond
uctor World 1992.12,p196-p205あるいは月刊 Semicon
ductorWorld 1989.12,p189-p192に示されるように、窒
化チタン化合物層とシリコン基板との間にコンタクト抵
抗の低いチタンシリサイド層を形成することが有効であ
ることがわかってきた。
【０００４】チタンシリサイド層の形成は、（１）上述
した文献にも示されるようにスパッタリングにより純チ
タン薄膜をシリコン基板上に形成した後、窒素あるいは
アンモニアガス雰囲気で加熱処理することによって、純
チタン薄膜の表層を窒化し窒化チタン化合物層を形成す
るとともに純チタン薄膜とシリコン基板を反応させチタ
ンシリサイドを形成させるか、あるいは（２）スパッタ
リングにより極薄の純チタン薄膜を形成した後、加熱処
理してチタンシリサイド膜とし、その後チタンシリサイ
ド膜上にスパッタリングガス中の窒素とチタンターゲッ
トを反応させる反応性スパッタリングにより化学量論組
成の窒化チタン薄膜を形成する方法が通常とられてい
る。これらはいずれも純チタン薄膜をシリコン基板と反
応させる点で一致している。
した文献にも示されるようにスパッタリングにより純チ
タン薄膜をシリコン基板上に形成した後、窒素あるいは
アンモニアガス雰囲気で加熱処理することによって、純
チタン薄膜の表層を窒化し窒化チタン化合物層を形成す
るとともに純チタン薄膜とシリコン基板を反応させチタ
ンシリサイドを形成させるか、あるいは（２）スパッタ
リングにより極薄の純チタン薄膜を形成した後、加熱処
理してチタンシリサイド膜とし、その後チタンシリサイ
ド膜上にスパッタリングガス中の窒素とチタンターゲッ
トを反応させる反応性スパッタリングにより化学量論組
成の窒化チタン薄膜を形成する方法が通常とられてい
る。これらはいずれも純チタン薄膜をシリコン基板と反
応させる点で一致している。
【０００５】また（３）Applied Surface Science 41/4
2(1989)272-276に示されるように、純チタンをターゲッ
トとして用い、気相中で窒素と反応させるイオンプレー
ティング法で化学量論組成よりも窒素の少ないＴｉＮｘ
膜を成膜したのち、これを加熱処理することにより、
シリサイド化反応を起こすと同時に膜中の窒素を膜表面
に移動させて化学量論組成に近い窒化チタンを表層に形
成することも試みられている。さらに、新しい技術とし
て、（４）本発明者等は、特開平５−２３９６３３号等
に示すように化学量論組成に対して窒素の少ないＴｉＮ
ｘターゲットを使用して反応性スパッタリングにより窒
化チタンを得る方法、および（５）化学量論組成よりも
チタンが過剰であるターゲット（以下ＴｉＮｘターゲッ
トという）を用いて、通常のスパッタリングによってタ
ーゲットとほぼ同じ組成のＴｉＮｘ 膜を生成し、これ
を加熱処理することにより窒化チタン層を得る方法を提
案している(第40回応用物理学会連合講演会講演予稿集P
667 29a-ZY-2)。
2(1989)272-276に示されるように、純チタンをターゲッ
トとして用い、気相中で窒素と反応させるイオンプレー
ティング法で化学量論組成よりも窒素の少ないＴｉＮｘ
膜を成膜したのち、これを加熱処理することにより、
シリサイド化反応を起こすと同時に膜中の窒素を膜表面
に移動させて化学量論組成に近い窒化チタンを表層に形
成することも試みられている。さらに、新しい技術とし
て、（４）本発明者等は、特開平５−２３９６３３号等
に示すように化学量論組成に対して窒素の少ないＴｉＮ
ｘターゲットを使用して反応性スパッタリングにより窒
化チタンを得る方法、および（５）化学量論組成よりも
チタンが過剰であるターゲット（以下ＴｉＮｘターゲッ
トという）を用いて、通常のスパッタリングによってタ
ーゲットとほぼ同じ組成のＴｉＮｘ 膜を生成し、これ
を加熱処理することにより窒化チタン層を得る方法を提
案している(第40回応用物理学会連合講演会講演予稿集P
667 29a-ZY-2)。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、本発
明者等はＬＳＩの拡散防止層形成等に用いるターゲット
として、ＴｉＮｘターゲットの使用を検討してきた。Ｔ
ｉＮｘターゲットを使用する際の最大の解決すべき課題
は、スパッタリングにおいて発生するパーティクルの問
題である。パーティクルとは、スパッタリング中に発生
する巨大粒子であり、生成すべき薄膜上に付着して正常
な薄膜の形成ができなくなるものである。
明者等はＬＳＩの拡散防止層形成等に用いるターゲット
として、ＴｉＮｘターゲットの使用を検討してきた。Ｔ
ｉＮｘターゲットを使用する際の最大の解決すべき課題
は、スパッタリングにおいて発生するパーティクルの問
題である。パーティクルとは、スパッタリング中に発生
する巨大粒子であり、生成すべき薄膜上に付着して正常
な薄膜の形成ができなくなるものである。
【０００７】本発明者等は、上記の特開平５−２３９６
３３号公報に記載したように、ＴｉＮｘターゲットを製
造する際に溶体化処理することにより均一組織を得てパ
ーティクルを低減できることを提案している。しかし、
この溶体化処理は、均一組織を得ることができ、パーテ
ィクルの低減には有効であるが、溶体化処理によりター
ゲットの靭性が低下することがパーティクルの発生の別
の要因となるため、パーティクルの問題が完全に解決で
きていないのが現状である。本発明の目的は、上述した
問題に鑑み、パーティクルの発生を防止できる新しいタ
ーゲットおよびその製造方法を提供することである。
３３号公報に記載したように、ＴｉＮｘターゲットを製
造する際に溶体化処理することにより均一組織を得てパ
ーティクルを低減できることを提案している。しかし、
この溶体化処理は、均一組織を得ることができ、パーテ
ィクルの低減には有効であるが、溶体化処理によりター
ゲットの靭性が低下することがパーティクルの発生の別
の要因となるため、パーティクルの問題が完全に解決で
きていないのが現状である。本発明の目的は、上述した
問題に鑑み、パーティクルの発生を防止できる新しいタ
ーゲットおよびその製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ＴｉＮｘ
ターゲットのパーティクル発生要因とターゲット組織を
検討したところ、高密度化すると同時に靭性を確保する
には、従来の加圧焼結条件よりも高圧の条件で焼結し、
また靭性を劣化しないようにターゲット中にチタン濃度
の高い部分を分散させておくことが有効であることを見
いだした。
ターゲットのパーティクル発生要因とターゲット組織を
検討したところ、高密度化すると同時に靭性を確保する
には、従来の加圧焼結条件よりも高圧の条件で焼結し、
また靭性を劣化しないようにターゲット中にチタン濃度
の高い部分を分散させておくことが有効であることを見
いだした。
【０００９】すなわち、本発明は実質的にチタンと窒素
から構成され、チタンに対する窒素の原子量比Ｎ／Ｔｉ
が０．３０ないし０．６０であり、ターゲットの相対密
度が９９．５％以上、抗折強度が３５０ＭＰａ以上であ
ることを特徴とするスパッタリング用ターゲットであ
る。
から構成され、チタンに対する窒素の原子量比Ｎ／Ｔｉ
が０．３０ないし０．６０であり、ターゲットの相対密
度が９９．５％以上、抗折強度が３５０ＭＰａ以上であ
ることを特徴とするスパッタリング用ターゲットであ
る。
【００１０】上記本発明のスパッタリング用ターゲット
はチタンの窒化物粉末とチタン粉末とをチタンに対する
窒素の原子量比Ｎ／Ｔｉが０．３０ないし０．６０にな
るように混合した後、温度１３００℃以上、圧力１５０
ＭＰａ以上の条件で熱間静水圧プレスを行なうことによ
り得ることができる。また上記チタン粉末に変えて水素
化チタン粉末を用い、チタンに対する窒素の原子量比Ｎ
／Ｔｉが０．３０ないし０．６０になるように混合し脱
水素処理を行った後、同様に熱間静水圧プレスを行なっ
ても良い。
はチタンの窒化物粉末とチタン粉末とをチタンに対する
窒素の原子量比Ｎ／Ｔｉが０．３０ないし０．６０にな
るように混合した後、温度１３００℃以上、圧力１５０
ＭＰａ以上の条件で熱間静水圧プレスを行なうことによ
り得ることができる。また上記チタン粉末に変えて水素
化チタン粉末を用い、チタンに対する窒素の原子量比Ｎ
／Ｔｉが０．３０ないし０．６０になるように混合し脱
水素処理を行った後、同様に熱間静水圧プレスを行なっ
ても良い。
【００１１】
【作用】本発明の最大の特徴の一つは、相対密度９９．
５％以上という高密度でしかも抗折強度３５０ＭＰａ以
上の靭性の高いスパッタリング用ターゲットとしたこと
である。このような高密度で抗折強度の高いターゲット
とするには、窒化チタン粉末とチタン粉末を温度１３０
０℃以上、圧力１５０ＭＰａ以上の条件で熱間静水圧プ
レスを行い、組織中にチタン濃度の高い部分を分散させ
るように調整して得ることができる。ここで、重要なの
は高圧で焼結する際に完全に溶体化させず、組織中にチ
タンを残留させることである。
５％以上という高密度でしかも抗折強度３５０ＭＰａ以
上の靭性の高いスパッタリング用ターゲットとしたこと
である。このような高密度で抗折強度の高いターゲット
とするには、窒化チタン粉末とチタン粉末を温度１３０
０℃以上、圧力１５０ＭＰａ以上の条件で熱間静水圧プ
レスを行い、組織中にチタン濃度の高い部分を分散させ
るように調整して得ることができる。ここで、重要なの
は高圧で焼結する際に完全に溶体化させず、組織中にチ
タンを残留させることである。
【００１２】単純に、窒化チタン粉末とチタン粉末を焼
結しただけでは、抗折強度は３５０ＭＰａ以上の抗折強
度を得ることはできない。また、溶体化処理を行って均
一な組織としても抗折強度は低下する。これに対して、
高圧で焼結することによってチタン濃度の高い部分を残
したまま高密度化でき、チタン濃度の高い部分によって
靭性が確保されたターゲット材となるのである。
結しただけでは、抗折強度は３５０ＭＰａ以上の抗折強
度を得ることはできない。また、溶体化処理を行って均
一な組織としても抗折強度は低下する。これに対して、
高圧で焼結することによってチタン濃度の高い部分を残
したまま高密度化でき、チタン濃度の高い部分によって
靭性が確保されたターゲット材となるのである。
【００１３】本発明において、ターゲット中のチタンに
対する窒素の原子量比（Ｎ／Ｔｉ）を０．３０以上と規
定したのは、０．３０未満では窒素が少なく組織は単相
になるため、本発明のように高圧焼結する必要はないか
らである。また、窒素を導入するターゲットとしては、
できるだけ窒素が多いことが望ましいためである。一
方、ターゲット中のチタンに対する窒素の原子比（Ｎ／
Ｔｉ）を０．６０以下と規定したのは、窒素量が多くな
り靭性が劣化するとともに、焼結性が低下し、相対密度
９９．５％以上の高密度のターゲットが得られなくなる
ためである。
対する窒素の原子量比（Ｎ／Ｔｉ）を０．３０以上と規
定したのは、０．３０未満では窒素が少なく組織は単相
になるため、本発明のように高圧焼結する必要はないか
らである。また、窒素を導入するターゲットとしては、
できるだけ窒素が多いことが望ましいためである。一
方、ターゲット中のチタンに対する窒素の原子比（Ｎ／
Ｔｉ）を０．６０以下と規定したのは、窒素量が多くな
り靭性が劣化するとともに、焼結性が低下し、相対密度
９９．５％以上の高密度のターゲットが得られなくなる
ためである。
【００１４】また、本発明の製造方法において、チタン
粉末に変えて、水素化チタンを用いると、粉砕性が向上
するとともに、脱水素過程で不純物としての酸素および
炭素を減少させることができるため好ましいものとな
る。なお、本発明における相対密度とは、ＴｉＮｘター
ゲットが化学量論的な窒化チタンＴｉＮと純チタンが複
合したものと仮定した場合の密度を理論密度として、こ
の理論密度に対するターゲットの真密度の比を意味する
ものである。
粉末に変えて、水素化チタンを用いると、粉砕性が向上
するとともに、脱水素過程で不純物としての酸素および
炭素を減少させることができるため好ましいものとな
る。なお、本発明における相対密度とは、ＴｉＮｘター
ゲットが化学量論的な窒化チタンＴｉＮと純チタンが複
合したものと仮定した場合の密度を理論密度として、こ
の理論密度に対するターゲットの真密度の比を意味する
ものである。
【００１５】
（実施例１）チタンに対する窒素の原子比が１の化学量
論組成を有する純度９９．９９％以上、平均結晶粒径４
０μｍの窒化チタン粉末と、純度９９．９９％以上、平
均結晶粒径４０μｍの水素化チタン粉末をチタンに対す
る窒素の原子比が０．３３〜０．６３となる混合比で配
合し、ボールミルで粉砕混合した。得られた混合粉を内
径φ１３３ｍｍの熱間静水圧プレス用のカプセルに充填
し、７００℃で脱水素処理後、表１に示す条件で熱間静
水圧プレス（ＨＩＰ）を行い焼結体とした。この焼結体
をφ７５ｍｍ×６ｍｍに機械加工してＴｉＮｘ ターゲ
ットを得た。また、比較例として、本発明より低い圧力
で焼結した試料２および本発明の試料１と同様にして得
られた焼結体を１３８０℃で４８時間溶体化処理した
後、同様のターゲットとした試料３を作製した。このよ
うにして得られた本発明のターゲットおよび比較例のタ
ーゲットを表２に示す条件でスパッタリングを行い、６
インチウエハー上に生成する２μｍ以上のパーティクル
の数を数えた。この結果を表１に示す。
論組成を有する純度９９．９９％以上、平均結晶粒径４
０μｍの窒化チタン粉末と、純度９９．９９％以上、平
均結晶粒径４０μｍの水素化チタン粉末をチタンに対す
る窒素の原子比が０．３３〜０．６３となる混合比で配
合し、ボールミルで粉砕混合した。得られた混合粉を内
径φ１３３ｍｍの熱間静水圧プレス用のカプセルに充填
し、７００℃で脱水素処理後、表１に示す条件で熱間静
水圧プレス（ＨＩＰ）を行い焼結体とした。この焼結体
をφ７５ｍｍ×６ｍｍに機械加工してＴｉＮｘ ターゲ
ットを得た。また、比較例として、本発明より低い圧力
で焼結した試料２および本発明の試料１と同様にして得
られた焼結体を１３８０℃で４８時間溶体化処理した
後、同様のターゲットとした試料３を作製した。このよ
うにして得られた本発明のターゲットおよび比較例のタ
ーゲットを表２に示す条件でスパッタリングを行い、６
インチウエハー上に生成する２μｍ以上のパーティクル
の数を数えた。この結果を表１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】表１に示すように、本発明のターゲットで
ある試料１は、抗折強度が高く、相対密度も９９．５％
と高いものとなり、パーティクルの発生も少ないものと
することができた。本発明のターゲットに対して、圧力
の低い条件で焼結した比較例のターゲットである試料２
は、抗折強度が低く、またパーティクルの発生数が多い
ものとなっていることがわかる。また、溶体化処理を行
ったターゲットである試料３は、試料２の圧力の低い条
件で焼結したターゲットに比べると、パーティクルの発
生数は少ないが、本発明のターゲットよりもパーティク
ルの発生数が多くなっており、抗折強度が低く脆いこと
がパーティクルの発生の要因の一つになっていることが
わかる。
ある試料１は、抗折強度が高く、相対密度も９９．５％
と高いものとなり、パーティクルの発生も少ないものと
することができた。本発明のターゲットに対して、圧力
の低い条件で焼結した比較例のターゲットである試料２
は、抗折強度が低く、またパーティクルの発生数が多い
ものとなっていることがわかる。また、溶体化処理を行
ったターゲットである試料３は、試料２の圧力の低い条
件で焼結したターゲットに比べると、パーティクルの発
生数は少ないが、本発明のターゲットよりもパーティク
ルの発生数が多くなっており、抗折強度が低く脆いこと
がパーティクルの発生の要因の一つになっていることが
わかる。
【００１９】また、試料１ないし３の本発明および比較
例のターゲットを水 ５０ｃｃ、３８重量％の硝酸水溶
液 ２０ｃｃ、４０重量％の弗酸水溶液８ｃｃを混合し
たエッチング液でエッチングした場合のミクロ組織をそ
れぞれ図１、図２および図３に示す。本発明のターゲッ
トの組織を示す図１において、黒色部はエッチングが進
行した部分を意味し、チタン濃度の高い部分が分散して
存在していることを示している。また、結晶粒界にチタ
ン濃度の高い部分の存在を示しており、この組織により
高い抗折強度が得られたと考えられる。これに対して、
図２に示す圧力の低い条件で焼結して得たターゲットで
は、黒色部の面積が多いものとなっており、結晶粒界に
チタン濃度の高い部分は、明確には確認されなかった。
また、図３に示す溶体化処理を行ったターゲットは、チ
タンの濃度の高い部分が検出されず、均一の組織となっ
ていることがわかる。
例のターゲットを水 ５０ｃｃ、３８重量％の硝酸水溶
液 ２０ｃｃ、４０重量％の弗酸水溶液８ｃｃを混合し
たエッチング液でエッチングした場合のミクロ組織をそ
れぞれ図１、図２および図３に示す。本発明のターゲッ
トの組織を示す図１において、黒色部はエッチングが進
行した部分を意味し、チタン濃度の高い部分が分散して
存在していることを示している。また、結晶粒界にチタ
ン濃度の高い部分の存在を示しており、この組織により
高い抗折強度が得られたと考えられる。これに対して、
図２に示す圧力の低い条件で焼結して得たターゲットで
は、黒色部の面積が多いものとなっており、結晶粒界に
チタン濃度の高い部分は、明確には確認されなかった。
また、図３に示す溶体化処理を行ったターゲットは、チ
タンの濃度の高い部分が検出されず、均一の組織となっ
ていることがわかる。
【００２０】（実施例２）チタンに対する窒素の原子比
が１の化学量論組成を有する純度９９．９９％以上、平
均結晶粒径４０μｍの窒化チタン粉末と、純度９９．９
９％以上、平均結晶粒径４０μｍのチタン粉末をチタン
に対する窒素の原子比が０．４となる混合比で配合し、
ボールミルで粉砕混合した。得られた混合粉を内径φ１
３３ｍｍの熱間静水圧プレス用のカプセルに充填し、７
００℃で脱水素処理後、表１に示す条件で熱間静水圧プ
レスを行い焼結体とした。この焼結体をφ７５ｍｍ×６
ｍｍに機械加工してＴｉＮｘ ターゲットを得た。
が１の化学量論組成を有する純度９９．９９％以上、平
均結晶粒径４０μｍの窒化チタン粉末と、純度９９．９
９％以上、平均結晶粒径４０μｍのチタン粉末をチタン
に対する窒素の原子比が０．４となる混合比で配合し、
ボールミルで粉砕混合した。得られた混合粉を内径φ１
３３ｍｍの熱間静水圧プレス用のカプセルに充填し、７
００℃で脱水素処理後、表１に示す条件で熱間静水圧プ
レスを行い焼結体とした。この焼結体をφ７５ｍｍ×６
ｍｍに機械加工してＴｉＮｘ ターゲットを得た。
【００２１】また、比較例として、本発明より低い圧力
で焼結した試料２および本発明の試料９と同様にして得
られた焼結体を１３８０℃で４８時間溶体化処理した
後、同様のターゲットした場合も試料１１として示す。
このようにして得られた本発明のターゲットおよび比較
例のターゲットを実施例１と同じ条件でスパッタリング
を行い、６インチウエハー上に生成する２μｍ以上のパ
ーティクルの数を数えた。この結果を表３に示す。
で焼結した試料２および本発明の試料９と同様にして得
られた焼結体を１３８０℃で４８時間溶体化処理した
後、同様のターゲットした場合も試料１１として示す。
このようにして得られた本発明のターゲットおよび比較
例のターゲットを実施例１と同じ条件でスパッタリング
を行い、６インチウエハー上に生成する２μｍ以上のパ
ーティクルの数を数えた。この結果を表３に示す。
【００２２】
【表３】
【００２３】表３に示すように、原料としてチタン粉末
を使用した場合も、実施例１と同様に 本発明のターゲ
ットは、抗折強度が高く、相対密度も９９．５％と高い
ものとなり、パーティクルの発生も少ないものとするこ
とができた。
を使用した場合も、実施例１と同様に 本発明のターゲ
ットは、抗折強度が高く、相対密度も９９．５％と高い
ものとなり、パーティクルの発生も少ないものとするこ
とができた。
【００２４】
【発明の効果】本発明のターゲットは、靭性が高く、し
かも高密度であり、パーティクルの発生を一段と少ない
ものとすることができる。これにより、微小なパーティ
クル一つでＬＳＩ自体が不良となる極めて厳しいＬＳＩ
の製造にとって、信頼性を向上するために極めて有効な
手段となる。また、本発明のターゲットは靭性が高いこ
とから、ターゲット形状に加工する際の割れ等の加工不
良の発生を防止することができるため、ターゲットの製
造にとって好ましいものとなる。
かも高密度であり、パーティクルの発生を一段と少ない
ものとすることができる。これにより、微小なパーティ
クル一つでＬＳＩ自体が不良となる極めて厳しいＬＳＩ
の製造にとって、信頼性を向上するために極めて有効な
手段となる。また、本発明のターゲットは靭性が高いこ
とから、ターゲット形状に加工する際の割れ等の加工不
良の発生を防止することができるため、ターゲットの製
造にとって好ましいものとなる。
【図１】本発明のターゲットの金属ミクロ組織を示す写
真である。
真である。
【図２】比較例のターゲットの金属ミクロ組織を示す写
真である。
真である。
【図３】溶体化処理を行った比較例のターゲットの金属
ミクロ組織を示す写真である。
ミクロ組織を示す写真である。
Claims (4)
- 【請求項１】 実質的にチタンと窒素から構成され、チ
タンに対する窒素の原子量比Ｎ／Ｔｉが０．３０ないし
０．６０であり、ターゲットの相対密度が９９．５％以
上、抗折強度が３５０ＭＰａ以上であることを特徴とす
るスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項２】ターゲット組織中にチタン濃度の高い部分
が分散していることを特徴とする請求項１に記載のスパ
ッタリング用ターゲット - 【請求項３】 チタンの窒化物粉末とチタン粉末とをチ
タンに対する窒素の原子量比Ｎ／Ｔｉが０．３０ないし
０．６０になるように混合した後、温度１３００℃以
上、圧力１５０ＭＰａ以上の条件で熱間静水圧プレスを
行ない抗折強度が３５０ＭＰａ以上、相対密度９９．５
％以上のターゲットを得ることを特徴とするスパッタリ
ング用ターゲットの製造方法。 - 【請求項４】 チタンの窒化物粉末と水素化チタン粉末
とをチタンに対する窒素の原子量比Ｎ／Ｔｉが０．３０
ないし０．６０になるように混合し脱水素処理を行った
後、温度１３００℃以上、圧力１５０ＭＰａ以上の条件
で熱間静水圧プレスを行ない抗折強度が３５０ＭＰａ以
上、相対密度９９．５％以上のターゲットを得ることを
特徴とするスパッタリング用ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6201399A JPH0849069A (ja) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6201399A JPH0849069A (ja) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0849069A true JPH0849069A (ja) | 1996-02-20 |
Family
ID=16440450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6201399A Pending JPH0849069A (ja) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0849069A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6241859B1 (en) | 1997-08-22 | 2001-06-05 | Nec Corporation | Method of forming a self-aligned refractory metal silicide layer |
| US7041200B2 (en) | 2002-04-19 | 2006-05-09 | Applied Materials, Inc. | Reducing particle generation during sputter deposition |
| JP2007154248A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 酸化物を含有したＣｏ基スパッタリングターゲット材の製造方法 |
| JP2012041583A (ja) * | 2010-08-17 | 2012-03-01 | Sanyo Special Steel Co Ltd | チタン製品またはチタン合金製品の製造方法 |
-
1994
- 1994-08-03 JP JP6201399A patent/JPH0849069A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6241859B1 (en) | 1997-08-22 | 2001-06-05 | Nec Corporation | Method of forming a self-aligned refractory metal silicide layer |
| US7041200B2 (en) | 2002-04-19 | 2006-05-09 | Applied Materials, Inc. | Reducing particle generation during sputter deposition |
| JP2007154248A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 酸化物を含有したＣｏ基スパッタリングターゲット材の製造方法 |
| JP2012041583A (ja) * | 2010-08-17 | 2012-03-01 | Sanyo Special Steel Co Ltd | チタン製品またはチタン合金製品の製造方法 |
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