JPH0848563A - Molybdenum disilicide-based composite ceramics and its production - Google Patents

Molybdenum disilicide-based composite ceramics and its production

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JPH0848563A
JPH0848563A JP6184621A JP18462194A JPH0848563A JP H0848563 A JPH0848563 A JP H0848563A JP 6184621 A JP6184621 A JP 6184621A JP 18462194 A JP18462194 A JP 18462194A JP H0848563 A JPH0848563 A JP H0848563A
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molybdenum disilicide
whiskers
based composite
mosi2
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莞 江
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Abstract

PURPOSE:To produce molybdenum disilicide-based composite ceramics having satisfactory deformation resistance at a high temp. of >=1,000 deg.C and excellent in oxidation resistance. CONSTITUTION:An MoSi2 matrix is combined with 3-40vol.% SiC whiskers having 0.2-1.0mum average diameter and 2-50mum average length to obtain the objective molybdenum disilicide-based ceramics. In this ceramics, >=50wt.% of the SiC whiskers are made of 1st SiC having an alpha-form crystal structure and/or 2nd SiC having a beta-form crystal structure and a peak at 33.6 deg. (2theta) and no peak at 41.4 deg. (2theta) in its X-ray diffraction pattern.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、改善された機械的強度
をもち耐酸化性に優れた二珪化モリブデン系複合セラミ
ックス及びその製造方法に関し、詳しくは室温での改善
された機械的強度と破壊靭性をもち、且つ高温で耐変形
性に優れた炭化珪素ウィスカーで強化した二珪化モリブ
デン系複合セラミックス及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a molybdenum disilicide-based composite ceramic having improved mechanical strength and excellent oxidation resistance and a method for producing the same, and more particularly to improved mechanical strength and fracture at room temperature. The present invention relates to a molybdenum disilicide-based composite ceramic reinforced with silicon carbide whiskers having toughness and excellent deformation resistance at high temperatures, and a method for producing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】二珪化モリブデンは、大気中でシリカ保
護皮膜が生成する能力が高いために、優れた耐酸化性を
示すので、大気中での高温炉用ヒーターとして例えば1
750℃までの加熱に利用されている。このように二珪
化モリブデンは優れた高温特性をもつためにガスタービ
ン部材等の高温構造材料としても注目され、材料評価さ
れている。
2. Description of the Related Art Molybdenum disilicide exhibits excellent oxidation resistance due to its high ability to form a silica protective film in the atmosphere.
Used for heating up to 750 ° C. Since molybdenum disilicide has excellent high-temperature characteristics as described above, it is attracting attention as a high-temperature structural material for gas turbine members and the like, and is being evaluated.

【0003】しかしながら、二珪化モリブデンは室温で
脆性でありかつ高温で低強度であるために機械的負荷が
かかる構造材料として使用できないのが実状である。
However, since molybdenum disilicide is brittle at room temperature and has low strength at high temperatures, it cannot be used as a structural material subjected to a mechanical load.

【0004】そこで、二珪化モリブデンの靭性改善や高
温での強度改善を目的に様々の第2相を複合する試みが
行われている。古くは特開昭60−195061号公報
に見られるようにホウ化物を複合する系に始まり、特開
平1−115876号公報に開示されているように、第
2相としてMo及びWのホウ化物を複合した系により1
600℃以上でも十分な耐酸化性を達成している。
Therefore, attempts have been made to combine various second phases for the purpose of improving the toughness of molybdenum disilicide and the strength at high temperatures. In the old days, it began with a system combining borides as seen in JP-A-60-195061, and as disclosed in JP-A-1-115876, boride of Mo and W was used as a second phase. 1 depending on the combined system
Sufficient oxidation resistance is achieved even at 600 ° C. or higher.

【0005】D.H.CarterらはCeramic Engineering & S
cience Proceedings Vol. 10, No.9-10, pp. 1121-112
9, 1989 において炭化珪素ウィスカーを複合した二珪化
モリブデンを加圧焼結した材料は、室温曲げ強度が15
0MPaから約300MPaに、1300℃での曲げ強
度も70MPaから170MPaに改善されると報告し
ている。ここで、炭化珪素ウィスカーは Los Alamos Na
tional Laboratory,Los Alamos, NM, USAで作製されたV
APOR −LIQUID−SOLID (VLS )炭化珪素ウィスカー、
あるいは、Fuber Corporation のVAPOR −SOLID (VS)
炭化珪素ウィスカーで、VLS ,SiC ウィスカーはβ型結
晶で直径5μm、長さ100〜200μm、VS SiCウィ
スカーは直径0.1μm、長さ1〜5μmであった。
DH Carter et al., Ceramic Engineering & S
cience Proceedings Vol. 10, No. 9-10, pp. 1121-112
In 9 and 1989, a material obtained by pressure-sintering molybdenum disilicide composited with silicon carbide whiskers has a room temperature bending strength of 15%.
It reports that the bending strength at 1300 ° C. is improved from 0 MPa to about 300 MPa from 70 MPa to 170 MPa. Here, the silicon carbide whiskers are Los Alamos Na
V made at the National Laboratory, Los Alamos, NM, USA
APOR-LIQUID-SOLID (VLS) silicon carbide whisker,
Alternatively, Fuber Corporation's VAPOR-SOLID (VS)
Among silicon carbide whiskers, VLS and SiC whiskers were β-type crystals having a diameter of 5 μm and a length of 100 to 200 μm, and VS SiC whiskers had a diameter of 0.1 μm and a length of 1 to 5 μm.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】このように炭化珪素ウ
ィスカーを複合した二珪化モリブデンの機械的強度はマ
トリックス単体の機械的強度に比べ大幅に改善されてい
るが、まだ実際に構造部材として利用するには絶対強度
が不足しており十分でないというのが現実である。
Although the mechanical strength of molybdenum disilicide composited with silicon carbide whiskers has been greatly improved as compared with the mechanical strength of the matrix alone, it is still practically used as a structural member. The reality is that the absolute strength is insufficient and not enough.

【0007】したがって、本発明の目的は、室温で十分
な機械的強度と破壊靭性をもち、且つ1000℃以上の
高温で十分な耐変形性をもち、耐酸化性に優れた二珪化
モリブデン系複合セラミックス、及びその製造方法を提
供することである。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a molybdenum disilicide composite material having sufficient mechanical strength and fracture toughness at room temperature, sufficient deformation resistance at a high temperature of 1000 ° C. or more, and excellent oxidation resistance. An object of the present invention is to provide a ceramic and a method for producing the ceramic.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明に係る二珪化モリ
ブデン系複合セラミックスは、MoSi2 及びSiCウ
ィスカーからなる実質的になる複合セラミックにおい
て、MoSi2 マトリックスに、平均直径及び平均長さ
がそれぞれ0.2〜1.0μm及び2〜50μmである
SiCウィスカーを3〜40容量%複合してなるととも
に、前記SiCウィスカーの50重量%以上がα型の結
晶構造をもつ第1SiC、あるいはβ型の結晶構造をも
つSiCであってX線回折パターンで2θ=33.6°
のピークが現れ2θ=41.4°のピークが現れない第
2SiCの1種又は2種であることを特徴とするもので
ある。
A molybdenum disilicide-based composite ceramic according to the present invention is a composite ceramic consisting essentially of MoSi2 and SiC whiskers, wherein the MoSi2 matrix has an average diameter and an average length of 0.2. 3 to 40% by volume of SiC whiskers of 1 to 1.0 μm and 2 to 50 μm, and 50% by weight or more of the SiC whiskers have a first SiC or β type crystal structure having an α type crystal structure. 2C = 33.6 ° in X-ray diffraction pattern
And one or two types of second SiC in which a peak at 2θ = 41.4 ° does not appear.

【0009】本発明の好ましい実施態様に係る二珪化モ
リブデン系複合セラミックスは、(イ)SiCウィスカ
ーの平均直径及び平均長さがそれぞれ0.4〜0.9μ
m、及び10〜40μmであり、(ロ)SiCウィスカ
ーの80重量%以上が第1SiCあるいは第2SiCの
1種又は2種であり、(ハ)MoSi2 マトリックス
に、さらに、Si3 N4 ,TiC,ZrC,HfC,T
iB,TiB2 ,ZrB2 ,HfB2 ,ZrO2 ,Hf
O2 ,SiC,MoB,Mo2 B,MoB2 ,Mo2 B
5 ,WB,W2 B,WB2 ,W2 B5 からなる群より選
択される1種又は2種以上の化合物を複合し、(ニ)前
記1種又は2種以上の化合物をMoSi2とSiCの合
計容量を100容量%として30容量%以下複合し、
(ホ)前記1種又は2種以上の化合物がMoBあるいは
WBであり、(ヘ)前記1種又は2種以上の化合物が1
0容量%以下複合されている二珪化モリブデン系複合セ
ラミックスに関する。
The molybdenum disilicide-based composite ceramics according to a preferred embodiment of the present invention comprises: (a) an SiC whisker having an average diameter and an average length of 0.4 to 0.9 μm, respectively.
and (b) at least 80% by weight of the SiC whiskers are one or two of the first SiC or the second SiC, and (c) the MoSi2 matrix further includes Si3 N4, TiC, ZrC, HfC, T
iB, TiB2, ZrB2, HfB2, ZrO2, Hf
O2, SiC, MoB, Mo2B, MoB2, Mo2B
5, one or two or more compounds selected from the group consisting of WB, W2B, WB2, and W2B5, and (d) combining the one or more compounds with the total capacity of MoSi2 and SiC. Combine 30% by volume or less as 100% by volume,
(E) the one or more compounds are MoB or WB, and (f) the one or more compounds are
The present invention relates to a molybdenum disilicide-based composite ceramic having a composite of 0 vol% or less.

【0010】本発明に係る二珪化モリブデン系複合セラ
ミックスの製造方法は、(a)平均粒径2μm以下のM
oSi2 粉末と、(b)平均直径及び平均長さがそれぞ
れ0.2〜1.0μm、及び2〜50μmであるSiC
ウィスカーであって、該SiCウィスカーの50重量%
以上がα型結晶構造をもつ第1SiC、あるいはβ型結
晶構造をもつSiCであってX線回折パターンで2θ=
33.6°のピークが現れ2θ=41.4°のピークが
現れない第2SiCの1種又は2種であるウィスカーと
を含有する原料粉末を用い、1400〜1850℃で、
50〜500kg/cm2 の圧力で、10分〜5時間の
加圧焼結を行うことを特徴とする方法である。
The method for producing a molybdenum disilicide-based composite ceramic according to the present invention comprises the steps of:
oSi2 powder and (b) SiC having an average diameter and an average length of 0.2 to 1.0 .mu.m and 2 to 50 .mu.m, respectively.
Whiskers, 50% by weight of the SiC whiskers
The above is the first SiC having the α-type crystal structure or the SiC having the β-type crystal structure, and 2θ =
A whisker, which is one or two kinds of second SiC in which a peak at 33.6 ° appears and a peak at 2θ = 41.4 ° does not appear, is used at 1400 to 1850 ° C.
This method is characterized in that pressure sintering is performed at a pressure of 50 to 500 kg / cm 2 for 10 minutes to 5 hours.

【0011】以下、本発明を詳細に説明する。本発明で
は、MoSi2 マトリックスをウィスカー強化するため
に平均直径が0.2〜1.0μmで、平均長さが2〜5
0μmのSiCウィスカーを用いる。SiCウィスカー
の平均直径が0.2μm未満では、靭性と強度の向上が
十分でなく、また1.0μmより大きいSiCウィスカ
ーは導入される欠陥密度が高くなり強度が劣るようにな
る。また、SiCウィスカーの平均長さ、すなわち各ウ
ィスカーの最大長さを全ウィスカーにつき平均した長
さ、が2μm未満であるとウィスカーによる強度の向上
が十分とならない。一方、平均長さが50μmを越える
SiCウィスカーは焼結体中に欠陥を導入する確率が高
くなり、その結果複合体の強度が低下する。好ましく
は、平均直径が0.4〜0.9μm程度で、平均長さが
10〜40μm程度のSiCウィスカーを用いる。
Hereinafter, the present invention will be described in detail. In the present invention, the average diameter is 0.2 to 1.0 μm and the average length is 2 to 5 to strengthen the whisker of the MoSi 2 matrix.
A 0 μm SiC whisker is used. If the average diameter of the SiC whiskers is less than 0.2 μm, the toughness and strength are not sufficiently improved, and if the SiC whiskers are larger than 1.0 μm, the density of introduced defects becomes high and the strength becomes poor. Further, if the average length of the SiC whiskers, that is, the average length of each whisker for all whiskers, is less than 2 μm, the strength improvement by the whiskers is not sufficient. On the other hand, SiC whiskers having an average length exceeding 50 μm increase the probability of introducing defects into the sintered body, and as a result, the strength of the composite decreases. Preferably, a SiC whisker having an average diameter of about 0.4 to 0.9 μm and an average length of about 10 to 40 μm is used.

【0012】また本発明では、強化に用いるSiCウィ
スカーのうち、少なくとも50重量%以上が前記第1及
び/又は第2ウィスカーであることが必要である。第1
ウィスカーとはα型の結晶構造すなわち六方晶構造をも
つSiCである。第2ウィスカーは立方晶SiCであっ
てCuKα−X線回折パターンにおいて2θ=33.6
°のピークが現れ、2θ=41.4°のピークが現れな
い結晶構造からなるものとする。第1SiC及び第2S
iCのX線回折パターンの例をそれぞれ図1及び図2に
示し、さらに通常のβSiCウィスカーのX線回折パタ
ーンを図3に示す。回折条件は40KVA−30mAの
CuKα線で速度4°/minであった。
Further, in the present invention, it is necessary that at least 50% by weight or more of the SiC whiskers used for reinforcement is the first and / or second whiskers. First
A whisker is SiC having an α-type crystal structure, that is, a hexagonal structure. The second whisker is cubic SiC, and 2θ = 33.6 in the CuKα-X-ray diffraction pattern.
It is assumed that the crystal has a crystal structure in which a peak at ° appears and a peak at 2θ = 41.4 ° does not appear. 1st SiC and 2nd S
Examples of the X-ray diffraction pattern of iC are shown in FIGS. 1 and 2, respectively, and the X-ray diffraction pattern of ordinary βSiC whiskers is shown in FIG. The diffraction condition was a speed of 4 ° / min with CuKα radiation of 40 KVA-30 mA.

【0013】第1及び/又は第2ウィスカーが50重量
%未満であると、複合セラミックスの靭性及び強度の向
上が見られない。好ましくはSiCウィスカーの80重
量%以上を第1及び/又は第2ウィスカーとする。
If the first and / or second whiskers are less than 50% by weight, no improvement in the toughness and strength of the composite ceramic is observed. Preferably, 80% by weight or more of the SiC whiskers are used as the first and / or second whiskers.

【0014】本発明においてはSiCウィスカーの効果
を妨げない範囲でMoSi2 マトリックスに、さらに、
Si3 N4 ,TiC,ZrC,HfC,TiB,TiB
2 ,ZrB2 ,HfB2 ,ZrO2 ,HfO2 ,Si
C,MoB,Mo2 B,MoB2 ,Mo2 B5 ,WB,
W2 B,WB2 ,W2 B5 からなる群より選択される1
種又は2種以上の化合物を複合することができる。これ
らの化合物中ホウ化物は耐酸化性を向上させ、特にMo
BあるいはWBはその作用が顕著である。これら1種又
は2種以上の化合物をMoSi2 とSiCの合計容量を
100%として30容量%以下、特に10容量%以下複
合することが好ましい。
In the present invention, the MoSi 2 matrix is added to the MoS 2 matrix as long as the effect of the SiC whisker is not impaired.
Si3 N4, TiC, ZrC, HfC, TiB, TiB
2, ZrB2, HfB2, ZrO2, HfO2, Si
C, MoB, Mo2 B, MoB2, Mo2 B5, WB,
1 selected from the group consisting of W2B, WB2, and W2B5
Species or two or more compounds can be combined. Borides in these compounds improve oxidation resistance, and
B or WB has a remarkable effect. It is preferable that one or more of these compounds is combined with 30% by volume or less, particularly 10% by volume or less, with the total volume of MoSi2 and SiC being 100%.

【0015】上記の化合物として2μm以上の原料粉末
を用いると、複合セラミックスは焼結で緻密化する前に
粒成長し機械的強度に劣るようになる。好ましくは、特
にMoSi2 において平均粒径1μm以下の原料粉末を
用いる。各成分の配合は以下の通りとする。即ち、Mo
Si2 系セラミックス及びSiCウィスカーの合計を1
00容量%としてSiC3〜40容量%、残部MoSi
2 系セラミックスとする。SiCウィスカーの量が3%
未満では、複合セラミックスの靭性及び強度の向上が十
分とならない。一方、40容量%を越す量SiCウィス
カーを配合すると、逆に焼結体中に欠陥を導入し強度が
低下する。好ましくは、10〜30容量%とする。な
お、焼結体の密度は相対密度で92%以上特に97%以
上とすることが機械的強度の面から好ましい。
When a raw material powder having a size of 2 μm or more is used as the above compound, the composite ceramics grows grains before being densified by sintering, resulting in poor mechanical strength. Preferably, a raw material powder having an average particle diameter of 1 .mu.m or less is used, especially for MoSi2. The composition of each component is as follows. That is, Mo
The sum of Si2 ceramics and SiC whiskers is 1
3% to 40% by volume of SiC, with the balance being MoSi
2 series ceramics. 3% SiC whiskers
If it is less than 10, the toughness and strength of the composite ceramics are not sufficiently improved. On the other hand, when the SiC whisker is added in an amount exceeding 40% by volume, defects are introduced into the sintered body and the strength is reduced. Preferably, it is 10 to 30% by volume. The relative density of the sintered body is preferably 92% or more, particularly 97% or more, from the viewpoint of mechanical strength.

【0016】次に、MoSi2 −SiCウィスカー複合
セラミックスの製造方法について説明する。まず、原料
となるMoSi2 及び第2〜n相を同時に複合する場合
は、Si3N4 ,TiC,ZrC,HfC,TiB,T
iB2 ,ZrB2 ,HfB2 ,ZrO2 ,HfO2 ,S
iC,MoB,Mo2 B,MoB2, Mo2 B5 ,W
B,W2 B,WB2 ,W2 B5 等の粒子と上述の寸法、
構造のSiCウィスカーを所定量秤量し、これらを混合
する。この混合をボールミルなどにより十分に、例えば
48時間以上行うのがよい。平均粒径が2μm以上ある
原料粉から始める時は、最初にこれらの原料粉末をアト
ライタなどで十分粉砕し、その後SiCウィスカーを加
え、ボールミルで混合してもよい。
Next, a method for producing the MoSi 2 —SiC whisker composite ceramics will be described. First, when MoSi2 as a raw material and the second to n-th phases are simultaneously composited, Si3N4, TiC, ZrC, HfC, TiB, T
iB2, ZrB2, HfB2, ZrO2, HfO2, S
iC, MoB, Mo2 B, MoB2, Mo2 B5, W
Particles such as B, W2 B, WB2, W2 B5
A predetermined amount of the SiC whiskers having the structure is weighed and mixed. This mixing is preferably performed sufficiently by a ball mill or the like, for example, for 48 hours or more. When starting from raw material powders having an average particle size of 2 μm or more, these raw material powders may be first sufficiently pulverized with an attritor or the like, and then SiC whiskers may be added and mixed with a ball mill.

【0017】得られた混合粉を乾燥後、所望の形状の型
に入れ、50〜500kg/cm2の圧力を加えなが
ら、1400〜1850℃で、10分〜5時間の加圧焼
結を行う。ここで、焼結時の圧力が50kg/cm2 未
満であると、焼結体は十分緻密化せず向上した機械的強
度が得られない。また、圧力は500kg/cm2 を超
えても効果に差がでないので上限を500kg/cm2
とする。一方、焼結温度については、1400℃未満と
すると複合セラミックスの緻密化が達成できない。ま
た、1850℃を超える温度で焼結すると、MoSi2
が避けられない不純物と反応して融点を下げ、バブリン
グ現象を起こし緻密な焼結体を得ることができない。ま
た、焼結時間を10分未満とすると、複合セラミックス
の緻密化が達成できない。一方、5時間を越す焼結時間
は実用的ではないので上限を5時間とする。
After the obtained mixed powder is dried, it is placed in a mold having a desired shape, and is subjected to pressure sintering at 1400 to 1850 ° C. for 10 minutes to 5 hours while applying a pressure of 50 to 500 kg / cm 2. Here, if the pressure during sintering is less than 50 kg / cm 2, the sintered body will not be sufficiently densified and improved mechanical strength cannot be obtained. Further, even if the pressure exceeds 500 kg / cm2, there is no difference in the effect, so the upper limit is set to 500 kg / cm2.
And On the other hand, if the sintering temperature is lower than 1400 ° C., densification of the composite ceramics cannot be achieved. When sintering at a temperature exceeding 1850 ° C., MoSi 2
Reacts with inevitable impurities to lower the melting point, causing a bubbling phenomenon and making it impossible to obtain a dense sintered body. On the other hand, if the sintering time is less than 10 minutes, densification of the composite ceramics cannot be achieved. On the other hand, since the sintering time exceeding 5 hours is not practical, the upper limit is set to 5 hours.

【0018】[0018]

【作用】P.F. Becher らがウィスカー強化メカニズムの
観点で、Journal of AmericanCeramic Society, Vo. 7
1, No. 12, pp. 1051 −1061, 1988に報告しているよう
に、ウィスカー強化セラミックス(複合体)の破壊靭性
の増加ΔKは、一般に ΔK=σf[Vf・r・Ec・Gm/6(l−ν2 )E
w・Gi]1/2 で表すことができる。ここで、σfはウィスカーの破壊
強度であり、Vfはウィスカーの体積率であり、rはウ
ィスカーの半径であり、Ecは複合体のヤング率であ
り、Gmはマトリックスの歪エネルギー解放速度であ
り、νは複合体のポアソン比であり、Ewはウィスカー
のヤング率であり、そしてGiはウィスカー/マトリッ
クス界面の歪エネルギー解放速度である。
[Function] PF Becher et al. Described the Journal of American Ceramic Society, Vo.
1, No. 12, pp. 1051-1061, 1988, the increase in fracture toughness ΔK of whisker reinforced ceramics (composite) is generally ΔK = σf [Vf · r · Ec · Gm / 6. (L-ν2) E
w · Gi] 1/2. Where σf is the whisker breaking strength, Vf is the whisker volume fraction, r is the whisker radius, Ec is the composite Young's modulus, Gm is the matrix strain energy release rate, v is the Poisson's ratio of the composite, Ew is the whisker's Young's modulus, and Gi is the whisker / matrix interface strain energy release rate.

【0019】この式によれば、ウィスカーの配合量を体
積率で同一とすれば、ウィスカーの破壊強度が高く、ま
たウィスカー径が大きい程セラミックス複合体の破壊靭
性が向上することになる。ところが、実際にはウィスカ
ー内部には欠陥が存在することがあるので、A.Kelly の
“Strong Solids",Oxford University Press, 1966,に
も述べられているように、径の小さなウィスカーほど内
部に欠陥を有する確率が小さく、もって強度も大きいこ
とが期待される。また、上記の書にあるように、高強度
のウィスカーは本質的に表面が平滑である。SiCウィ
スカーにおけるα型(六方晶)、β型(立方晶)の2結
晶型を比較すると、c軸方向に成長するα型ウィスカー
の方が表面が平滑になる傾向が強い。また、β型でも成
長方向にたくさんの積層欠陥(不整)を持つもの(X線
回折パターンでは通常のβ型結晶で現れる2θ=41.
4°のピークが現れず2θ=33.6°のピークが現れ
る)も真直性に優れ表面が平滑になることが観察されて
いる。このようなウィスカーは、通常のβ型結晶構造を
有するウィスカーより高強度である。
According to this equation, if the mixing amount of the whiskers is the same in volume ratio, the fracture strength of the whiskers is high, and the fracture toughness of the ceramic composite is improved as the whisker diameter increases. However, in practice, defects may exist inside whiskers, so as described in A. Kelly's "Strong Solids", Oxford University Press, 1966, whiskers with smaller diameters have more defects inside. Is expected to be small, and therefore the strength is also expected to be large. Also, as noted above, high strength whiskers have an essentially smooth surface. Comparing the two crystal forms of α-type (hexagonal) and β-type (cubic) in SiC whiskers, α-type whiskers growing in the c-axis direction tend to have a smoother surface. Also, the β-type has many stacking faults (irregularities) in the growth direction (2θ = 41.appearing in a normal β-type crystal in an X-ray diffraction pattern).
(The peak at 4 ° does not appear but the peak at 2θ = 33.6 ° appears), and it has been observed that the straightness is excellent and the surface becomes smooth. Such whiskers have higher strength than whiskers having a normal β-type crystal structure.

【0020】以上の点を考慮して鋭意研究の結果、本発
明者らは、二珪化モリブデン系セラミックスの中にSi
Cウィスカーを導入する系を選択し、SiCウィスカー
としては、ウィスカー強化の観点からSiCウィスカー
自身の破壊強度が高いもの、即ち基本的にはα型結晶の
ものか、あるいはβ型でも多数の不整合等をもつものを
選択し、また、ウィスカー径も破壊靭性向上の観点と内
部の欠陥確率の観点から0.2−1.0μmを選択し
た。
As a result of intensive studies in consideration of the above points, the present inventors have found that molybdenum disilicide-based ceramics
A system into which C whiskers are introduced is selected. As the SiC whiskers, those having high fracture strength of the SiC whiskers from the viewpoint of strengthening the whiskers, that is, basically those of α-type crystals or many mismatches even in β-type The whisker diameter was also selected from the viewpoint of improving the fracture toughness and the probability of internal defects from 0.2 to 1.0 μm.

【0021】さらに、二珪化モリブデン系セラミックス
の製造に当っては、焼結の条件を精密に制御して緻密な
セラミックス組織とすれば、機械的強度に優れた二珪化
モリブデン複合セラミックスを得ることができることを
発見し、本発明方法に想到した。以下の具体的実施例に
より、本発明をさらに詳細に説明する。
Further, in the production of molybdenum disilicide ceramics, if the sintering conditions are precisely controlled to obtain a dense ceramic structure, it is possible to obtain a molybdenum disilicide composite ceramic having excellent mechanical strength. They discovered what they could do and came up with the method of the present invention. The present invention will be described in more detail with reference to the following specific examples.

【0022】[0022]

【実施例】【Example】

実施例1(jl) 純度99%、平均粒径0.8μmのMoSi2 粉末が7
5容量%、平均直径0.5μm、平均長さ30μm、α
型の結晶の比率(α/(α+β))が85重量%のSi
Cウィスカー(SiCw )が25容量%となるように配
合した混合粉をボールミルで72時間湿式混合し、これ
を乾燥させた。
Example 1 (jl) MoSi2 powder having a purity of 99% and an average particle diameter of 0.8 μm was 7
5% by volume, average diameter 0.5 μm, average length 30 μm, α
Si with a type crystal ratio (α / (α + β)) of 85% by weight
The mixed powder mixed so that C whisker (SiCw) became 25% by volume was wet-mixed with a ball mill for 72 hours and dried.

【0023】得られた混合粉を用い、アルゴンガス気流
中、300kg/cm2 の圧力をかけながら1700℃
で1時間加圧焼結し、50φ×5mmの焼結体を得た。
得られた焼結体から、3×4×40mmの試験片、及び
1.5×4×25mmの試験片を採取し、3×4×40
mmの試験片では、3点曲げ試験(スパン30mm、ク
ロスヘッド速度0.5mm/min)及び破壊靭性試験
(新原の式によるインデンテーション法)を、1.5×
4×25mmの試験片では、0.1μmまで測定できる
歪計を用い、0.03mm/minのクロスヘッド速
度、上スパン10mm,下スパン20mmの4点曲げ試
験を室温、1000℃、及び1300℃で行い、荷重/
変位曲線から荷重5Nでの変位量とヤング率を測定し
た。結果を表1に示す。
Using the obtained mixed powder, at a temperature of 1700 ° C. while applying a pressure of 300 kg / cm 2 in an argon gas stream.
For 1 hour to obtain a sintered body of 50φ × 5 mm.
From the obtained sintered body, a test piece of 3 × 4 × 40 mm and a test piece of 1.5 × 4 × 25 mm were collected, and 3 × 4 × 40 mm.
mm test piece, a three-point bending test (span 30 mm, crosshead speed 0.5 mm / min) and a fracture toughness test (indentation method according to Niihara's formula) were performed at 1.5 ×
For a 4 × 25 mm specimen, a 4-point bending test with a crosshead speed of 0.03 mm / min, an upper span of 10 mm and a lower span of 20 mm was performed at room temperature, 1000 ° C., and 1300 ° C. using a strain gauge capable of measuring up to 0.1 μm. And load /
The displacement and the Young's modulus at a load of 5 N were measured from the displacement curve. Table 1 shows the results.

【0024】 [0024]

【表1】 実施例 3点 破壊 変位量 ヤング率 (J) 曲強度 靭性 (荷重/5N) GPa μm MPa MPam1/2 R.T. 1000℃ 1300 ℃ R.T. 1000℃ 1300 ℃ Jl. MoSi2 670 4.8 2.0 2.8 6.3 338 196 104 /25SiCw [Table 1] Example 3 points Fracture Displacement Young's modulus (J) Bending strength Toughness (Load / 5N) GPa μm MPa MPam1 / 2 RT 1000 ℃ 1300 ℃ RT 1000 ℃ 1300 ℃ Jl. MoSi2 670 4.8 2.0 2.8 6.3 338 196 104 / 25SiCw

【0025】実施例2(J2) 平均直径0.8μm、平均長さ20μmであり、X線回
折パターンにおいて2θ=33.6°のピークが現れ2
θ=41.4°のピークが現れないβ型の結晶構造を有
するSiCウィスカー(第2SiC)を用いた以外は、
実施例1と同様にして複合セラミックスを作製した。こ
の複合セラミックスに対し、実施例1と同様に強度、破
壊靭性、変位量、ヤング率の測定を行った。結果を表2
に示す。
Example 2 (J2) The average diameter was 0.8 μm and the average length was 20 μm, and a peak at 2θ = 33.6 ° appeared in the X-ray diffraction pattern.
Except for using a SiC whisker (second SiC) having a β-type crystal structure in which a peak at θ = 41.4 ° does not appear,
A composite ceramic was produced in the same manner as in Example 1. The strength, fracture toughness, displacement, and Young's modulus of this composite ceramic were measured in the same manner as in Example 1. Table 2 shows the results
Shown in

【0026】 [0026]

【表2】 実施例 3点 破壊 変位量 ヤング率 曲強度 靭性 (荷重/5N) GPa μm MPa MPam1/2 R.T. 1000℃ 1300 ℃ R.T. 1000℃ 1300 ℃ J2. MoSi2 590 4.5 1.8 3.0 5.8 356 210 112 /25SiCw [Table 2] Example 3 points Fracture Displacement Young's modulus Bending strength Toughness (Load / 5N) GPa μm MPa MPam1 / 2 RT 1000 ℃ 1300 ℃ RT 1000 ℃ 1300 ℃ J2. MoSi2 590 4.5 1.8 3.0 5.8 356 210 112 / 25SiCw

【0027】比較例1(Hl) 比較のために純度99%、平均粒径0.8μmのMoS
i2 粉末のみで、実施例1と同様にして焼結体を作製
し、強度、破壊靭性、変位量、ヤング率の測定を行っ
た。結果を表3に示す。
Comparative Example 1 (Hl) For comparison, MoS having a purity of 99% and an average particle diameter of 0.8 μm was used.
A sintered body was prepared using i2 powder alone in the same manner as in Example 1, and the strength, fracture toughness, displacement, and Young's modulus were measured. Table 3 shows the results.

【0028】 [0028]

【表3】 比較例 3点 破壊 変位量 ヤング率 (H) 曲強度 靭性 (荷重/5N) GPa μm MPa MPam1/2 R.T. 1000℃ 1300 ℃ R.T. 1000℃ 1300 ℃ Hl. MoSi2 240 1.7 2.1 3.9 13.5 290 146 38 [Table 3] Comparative example 3 points Fracture Displacement Young's modulus (H) Bending strength Toughness (Load / 5N) GPa μm MPa MPam1 / 2 RT 1000 ℃ 1300 ℃ RT 1000 ℃ 1300 ℃ Hl.MoSi2 240 1.7 2.1 3.9 13.5 290 146 38

【0029】実施例3〜4(J3〜J4)及び比較例2〜3
(H2〜H3) 純度98%、平均粒径1.2μmのMoB粉末、あるい
は純度99%、平均粒径0.9μmのWB粉末を用いて
粒子分散強化したMoSi2 マトリックスについても、
実施例1と同様にしてSiCウィスカー強化複合セラミ
ックスを作製した。ここで、MoBあるいはWBの配合
量はそれぞれ10容量%、SiCウィスカーは25容量
%とした。従ってMoSi2 は65容量%となる。特性
値も実施例1と同様、強度、破壊靭性、変位量、ヤング
率の測定を行った。また比較のためにSiCウィスカー
を配合しない粒子分散強化したMoSi2複合セラミッ
クスについても同様に作製し、同様な特性評価を行っ
た。結果を表4に示す。
Examples 3-4 (J3-J4) and Comparative Examples 2-3
(H2-H3 ) MoB2 powder having a purity of 98% and an average particle size of 1.2 μm, or a MoSi2 matrix having a particle dispersion strengthened by using a WB powder having a purity of 99% and an average particle size of 0.9 μm,
In the same manner as in Example 1, a SiC whisker-reinforced composite ceramic was produced. Here, the content of MoB or WB was 10% by volume, and the content of SiC whiskers was 25% by volume. Therefore, MoSi2 is 65% by volume. As for the characteristic values, the strength, fracture toughness, displacement, and Young's modulus were measured as in Example 1. For comparison, MoSi2 composite ceramics not containing SiC whiskers and strengthened in particle dispersion were similarly prepared and subjected to the same property evaluation. Table 4 shows the results.

【0030】 [0030]

【表4】 実施例、 3点 破壊 変位量 ヤング率 比較例 曲強度 靭性 (荷重/5N) GPa μm MPa MPam1/2 R.T. 1000℃ 1300 ℃ R.T. 1000℃ 1300 ℃ J3. MoSi2 700 5.5 1.9 2.4 3.6 370 225 126 /MoBi /SiCw J4. MoSi2 650 5.2 2.0 2.5 3.9 410 240 135 /WB /SiCw H2. MoSi2 530 3.9 1.8 2.9 10.2 375 204 54 /MoB H3. MoSi2 490 3.5 2.1 3.1 9.5 403 210 69 /WB [Table 4] Example, 3 points Breaking Displacement Young's modulus Comparative example Bending strength Toughness (Load / 5N) GPa μm MPa MPam1 / 2 RT 1000 ° C 1300 ° C RT 1000 ° C 1300 ° C J3. MoSi2 700 5.5 1.9 2.4 3.6 370 225 126 126 / MoBi / SiCw J4. MoSi2 650 5.2 2.0 2.5 3.9 410 240 135 / WB / SiCw H2. MoSi2 530 3.9 1.8 2.9 10.2 375 204 54 / MoB H3. MoSi2 490 3.5 2.1 3.1 9.5 403 210 69 / WB

【0031】実施例5〜7(J5〜J7)及び比較例4〜9
(H4〜H9) 用いたSiCウィスカーの平均直径、結晶型の比率、及
びSiCウィスカーの配合量を表5に示すようにした以
外は、実施例3と同様にしてMoSi2 /MoB/Si
Cウィスカー複合セラミックスを作製した。
Examples 5 to 7 (J5 to J7) and Comparative Examples 4 to 9
(H4 to H9) MoSi2 / MoB / Si in the same manner as in Example 3 except that the average diameter of SiC whiskers, the ratio of crystal form, and the blending amount of SiC whiskers were as shown in Table 5.
C whisker composite ceramics were produced.

【0032】[0032]

【表5】 例 MoSi2 MoB SiCウィスカー 配合 配合 配合 平均直径 α/(α+β) (容量%) (容量%) (容量%) (μm) (%) J5 80 10 10 0.5 85 J6 70 10 20 0.5 85 J7 60 10 30 0.5 85 H4 88 10 2 0.5 85 H5 45 10 45 0.5 85 H6 65 10 25 1.5 90 H7 65 10 25 0.6 0 H8 65 10 25 1.8 0 H9 65 10 25 0.4 30 [Table 5] Example MoSi2 MoB SiC whisker blending blending blending average diameter α / (α + β) (volume%) (volume%) (volume%) (μm) (%) J5 80 10 10 0.5 85 J6 70 10 10 20 0.5 85 J7 60 10 30 0.5 85 H4 88 10 20.5 85 H5 45 10 45 0.5 85 H6 65 10 25 1.5 90 H7 65 10 25 0.60 H8 65 10 25 1.8 0 H9 65 10 25 0.4 30

【0033】得られた複合セラミックスについて、実施
例1の3点曲げ試験と破壊靭性試験を行った。結果を表
6に示す。
The obtained composite ceramics were subjected to the three-point bending test and the fracture toughness test of Example 1. Table 6 shows the results.

【0034】[0034]

【表6】 例 3点曲強度 破壊靭性 備 考 MPa MPam1/2 J5 584 5.1 − J6 650 5.4 − J7 720 5.8 − H4 512 4.0 SiC配合量が少ない H5 550 6.0 SiC配合量が多い H6 560 6.2 SiCの平均直径が大きい H7 620 4.6 SiCがβ構造のみ H8 490 4.8 SiCがβ構造のみ H9 605 4.2 β比率が高い、α比率が小 [Table 6] Example 3-point bending strength Fracture toughness Remarks MPa MPam1 / 2 J5 584 5.1-J6 650 5.4-J7 720 5.8-H4 512 4.0 Low SiC content H5 550 6.0 SiC content H6 560 6.2 SiC has a large average diameter of SiC H7 620 4.6 SiC has only β structure H8 490 4.8 SiC has only β structure H9 605 4.2 High β ratio, low α ratio

【0035】実施例8〜10(J8〜J10 )及び比較例1
0〜15(H10 〜H15 ) 表7に示す条件の加圧焼結とした以外は、実施例1と同
一の組成かつ条件で複合セラミックスを作製した。得ら
れた複合セラミックスについて、実施例1の3点曲げ試
験と破壊靭性試験を行った。結果を表7に合わせて示
す。
Examples 8 to 10 (J8 to J10) and Comparative Example 1
0 to 15 (H10 to H15) A composite ceramic was produced under the same composition and conditions as in Example 1 except that pressure sintering was performed under the conditions shown in Table 7. The composite ceramic thus obtained was subjected to the three-point bending test and the fracture toughness test of Example 1. The results are shown in Table 7.

【0036】 [0036]

【表7】 加圧焼結 機械的性質 温 度 圧 力 時 間 3点曲強度 破壊靭性 備考 (℃) (kg/cm2 )(時) MPa MPam1/2 J8 1450 450 1 595 4.9 − J9 1600 200 1 650 5.1 − J10 1800 450 1 686 4.7 − H10 1350 450 1 220 1.5 低温焼結 H11 1900 450 1 137 1.1 高温焼結 H12 1700 450 0.05 380 3.9 短時間焼結 H13 1700 450 6 574 4.8 長時間焼結 H14 1700 30 1 290 3.4 低圧焼結 H15 1700 600 1 699 5.0 高圧焼 [Table 7] Example Mechanical properties of pressure sintering Temperature Pressure time Three-point bending strength Fracture toughness Remarks (° C) (kg / cm2) (hour) MPa MPam1 / 2 J8 1450 450 1595 4.9-J9 1600 200 1650 5.1-J10 1800 450 1 686 4.7-H10 1350 450 1 220 1.5 Low temperature sintering H11 1900 450 1 137 1.1 High temperature sintering H12 1700 450 0.05 380 3.9 Short time firing Conclusion H13 1700 450 6 574 4.8 Long time sintering H14 1700 30 1 290 3.4 Low pressure sintering H15 1700 600 1 699 5.0 High pressure sintering

【0037】[0037]

【発明の効果】以上説明した通り、本発明による二珪化
モリブデン系複合セラミックスは室温での機械的強度及
び高温での耐変形性に優れており、高温構造部材として
使用できる。
As described above, the molybdenum disilicide-based composite ceramic according to the present invention has excellent mechanical strength at room temperature and deformation resistance at high temperature, and can be used as a high-temperature structural member.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 α型結晶構造をもつSiCのX線回折パター
ン図である。
FIG. 1 is an X-ray diffraction pattern diagram of SiC having an α-type crystal structure.

【図2】 2θ=33.6°のピークが現れ、2θ=4
1.4°のピークが現れないβ結晶構造をもつSiCの
X線回折パターン図である。
FIG. 2 shows a peak at 2θ = 33.6 °, and 2θ = 4
FIG. 7 is an X-ray diffraction pattern diagram of SiC having a β crystal structure in which a peak at 1.4 ° does not appear.

【図3】 通常のβ型結晶構造をもつSiCのX線回折
パターン図である。
FIG. 3 is an X-ray diffraction pattern diagram of SiC having a normal β-type crystal structure.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山下 洋市 埼玉県熊谷市末広4丁目14番1号 株式会 社リケン熊谷事業所内 ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Inventor Hiroshi Yamashita 4-14-1, Suehiro, Kumagaya-shi, Saitama Pref.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 MoSi2 及びSiCウィスカーから実
質的になる複合セラミックスにおいて、MoSi2 マト
リックスに、平均直径及び平均長さがそれぞれ0.2〜
1.0μm及び2〜50μmであるSiCウィスカーを
3〜40容量%複合してなるとともに、前記SiCウィ
スカーの50重量%以上がα型結晶構造をもつ第1Si
C、あるいはβ型結晶構造をもつSiCであってX線回
折パターンで2θ=33.6°のピークが現れ2θ=4
1.4°のピークが現れない第2SiCの1種又は2種
であることを特徴とする二珪化モリブデン系複合セラミ
ックス。
1. A composite ceramic consisting essentially of MoSi2 and SiC whiskers, wherein the MoSi2 matrix has an average diameter and an average length of 0.2 to 2.0, respectively.
3 to 40% by volume of SiC whiskers of 1.0 μm and 2 to 50 μm, and at least 50% by weight of the first SiC whiskers have an α-type crystal structure.
C or SiC having a β-type crystal structure, and a peak at 2θ = 33.6 ° appears in the X-ray diffraction pattern, and 2θ = 4
A molybdenum disilicide-based composite ceramic, which is one or two types of second SiC in which a peak at 1.4 ° does not appear.
【請求項2】 前記SiCウィスカーの平均直径及び平
均長さがそれぞれ0.4〜0.9μm、及び10〜40
μmであることを特徴とする請求項1記載の二珪化モリ
ブデン系複合セラミックス。
2. The SiC whiskers have an average diameter and an average length of 0.4 to 0.9 μm and 10 to 40, respectively.
The molybdenum disilicide-based composite ceramic according to claim 1, wherein the thickness of the composite ceramic is μm.
【請求項3】 前記SiCウィスカーの80重量%以上
が第1SiCあるいは第2SiCの1種又は2種である
請求項1記載又は2記載の二珪化モリブデン系複合セラ
ミックス。
3. The molybdenum disilicide-based composite ceramic according to claim 1, wherein 80% by weight or more of the SiC whisker is one or two of the first SiC and the second SiC.
【請求項4】 MoSi2 マトリックスに、さらに、S
i3 N4 ,TiC,ZrC,HfC,TiB,TiB2
,ZrB2 ,HfB2 ,ZrO2 ,HfO2,SiC,
MoB,Mo2 B,MoB2 ,Mo2 B5 ,WB,W2
B,WB2 ,W2 B5 からなる群より選択される1種又
は2種以上の化合物を複合したことを特徴とする請求項
1から3までのいずれか1項記載の二珪化モリブデン系
複合セラミックス。
4. The MoSi2 matrix further comprises S
i3 N4, TiC, ZrC, HfC, TiB, TiB2
, ZrB2, HfB2, ZrO2, HfO2, SiC,
MoB, Mo2 B, MoB2, Mo2 B5, WB, W2
The molybdenum disilicide-based composite ceramics according to any one of claims 1 to 3, wherein one or more compounds selected from the group consisting of B, WB2, and W2B5 are compounded.
【請求項5】 前記MoSi2 及びSiCの合計を10
0容量%として、前記1種又は2種以上の化合物を30
容量%以下複合したことを特徴とする請求項4記載の二
珪化モリブデン系複合セラミックス。
5. The total of MoSi2 and SiC is 10
Assuming that 0% by volume, the one or more compounds are used in 30
The molybdenum disilicide-based composite ceramic according to claim 4, wherein the composite is not more than a volume%.
【請求項6】 前記1種又は2種以上の化合物がMoB
あるいはWBであることを特徴とする請求項5記載の二
珪化モリブデン系複合セラミックス。
6. The method according to claim 1, wherein the one or more compounds are MoB.
6. The molybdenum disilicide-based composite ceramic according to claim 5, wherein the ceramic is WB.
【請求項7】 前記1種又は2種以上の化合物が10容
量%以下複合されていることを特徴とする請求項5又は
6記載の二珪化モリブデン系複合セラミックス。
7. The molybdenum disilicide-based composite ceramic according to claim 5, wherein the one or more compounds are compounded in an amount of 10% by volume or less.
【請求項8】 (a)平均粒径2μm以下のMoSi2
粉末と、(b)平均直径及び平均長さがそれぞれ0.2
〜1.0μm、及び2〜50μmであるSiCウィスカ
ーであって、該SiCウィスカーの50重量%以上がα
型結晶構造をもつ第1SiC、あるいはβ型結晶構造を
もつSiCであってX線回折パターン2θ=33.6°
のピークが現れ2θ=41.4°のピークが現れない第
2SiCの1種又は2種であるウィスカーと、を含有す
る原料粉末を用い、1400〜1850℃で、50〜5
00kg/cm2 の圧力で、10分〜5時間の加圧焼結
を行うことを特徴とする二珪化モリブデン系複合セラミ
ックスの製造方法。
8. (a) MoSi2 having an average particle size of 2 μm or less.
Powder and (b) the average diameter and average length are each 0.2
-1.0 μm and 2-50 μm, wherein at least 50% by weight of the SiC whiskers is α.
X-ray diffraction pattern 2θ = 33.6 °, which is first SiC having a type crystal structure or SiC having a β type crystal structure.
And a whisker which is one or two types of second SiC in which a peak of 2θ = 41.4 ° does not appear and a peak of 2θ = 41.4 ° is used.
A method for producing a molybdenum disilicide-based composite ceramics, wherein pressure sintering is performed at a pressure of 00 kg / cm2 for 10 minutes to 5 hours.
【請求項9】 前記原料粉末がさらに(c)Si3 N4
,TiC,ZrC,HfC,TiB,TiB2 ,Zr
B2 ,HfB2 ,ZrO2 ,HfO2 ,SiC,Mo
B,Mo2 B,MoB2,Mo2 B5 ,WB,W2 B,W
B2 ,W2 B5 からなる群より選択される1種又は2種
以上を含有することを特徴とする請求項8記載の二珪化
モリブデン系複合セラミックスの製造方法。
9. The raw material powder further comprises (c) Si3 N4
, TiC, ZrC, HfC, TiB, TiB2, Zr
B2, HfB2, ZrO2, HfO2, SiC, Mo
B, Mo2 B, MoB2, Mo2 B5, WB, W2 B, W
9. The method for producing a molybdenum disilicide-based composite ceramic according to claim 8, comprising one or more selected from the group consisting of B2 and W2 B5.
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