JPH0845808A

JPH0845808A - 電子ビーム描画用アパーチャ

Info

Publication number: JPH0845808A
Application number: JP17788294A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Nozue; 寛野末
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1994-07-29
Filing date: 1994-07-29
Publication date: 1996-02-16
Anticipated expiration: 2012-04-30
Also published as: JP2605633B2

Abstract

(57)【要約】【目的】複数の描画用開口パターン１１〜１５が並べ形
成された電子ビーム描画用アパーチャにおいて、描画さ
れるレジストパターン寸法の制御し易く高精度に形成し
かつアパーチャ自体の設計製作を容易にし安価に得られ
るようにする。【構成】最外郭の描画用開口パターン１１と１５に所定
の間隔で離間して配設されるとともにレジストの解像限
界内で幅をもつ開口によって通過する電子量を制御し近
接効果を補正する単純な矩形形状の電子量制御用開口１
６，１７を設け、この電子量制御用開口１６，１７を通
過する電子量が描画されるパターンへの近接効果の影響
度を緩やかに作用させ描画されるパターン寸法を制御し
易くしている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板上に半導体
集積回路などの回路パターンを形成するために半導体基
板に被着されたレジストに直接電子ビームで描画する電
子ビーム描画法に用いる電子ビーム描画用アパーチャに
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路の進歩は目ざまし
く、特にＤＲＡＭに代表されるメモリ素子では記憶容量
の３年毎に４倍という大容量化が実現されている。この
進歩は微細加工技術の進歩によるところが大きく、特に
リソグラフィ技術の進歩に依存するものである。

【０００３】微細パターンを半導体基板であるウェーハ
上に形成するには、紫外光を光源とした縮小露光装置い
わゆるステッパーが用いられていた。ところが、より微
細パターンを転写するために、光源の短波長化が行なわ
れ、水銀ランプのｇ線（４３６ｎｍ）から同じ水銀ラン
プのｉ線（３６５ｎｍ）へ、さらには弗化クリプトンガ
スを用いたＫｒＦエキシマレーザ光（２４９ｎｍ）へと
変化してきた。ところが光源の短波長化による微細パタ
ーン転写能力すなわち解像力の向上は、逆に焦点深度の
低下を招いている。

【０００４】また、半導体集積回路の製造に於いては、
１０〜３０回ものパターン転写を繰り返すため、半導体
基板上にはパターンが順次重ねられ大きな段差が生じて
くる。従って、焦点深度の低下は段差上へのパターン転
写を困難とし半導体集積回路の製造を難しくしている。
そこで焦点深度が光露光に比べ飛躍的に広い電子ビーム
描画法が注目されてる。

【０００５】この電子ビーム描画法は半導体集積回路パ
ターンをスポットの小さな電子ビームで順次パターンを
倣って描画するため、より微細化が可能であるものの光
露光法に比べ処理能力の低いことが問題であった。しか
しがらこの一筆書き描画方法に代って、新たに半導体集
積回路の一部を形成したアパーチャを用い一括転写しそ
れらの一括パターンを繋げて全体の回路パターンを転写
する部分一括電子ビーム描画法が開発され処理能力が飛
躍的に向上した。

【０００６】図７は半導体集積回路の一部分を形成した
アパーチャを用いる電子ビーム描画装置の一例を説明す
るための電子光学系の構成を示す斜視図である。この部
分一括描画法は、図７に示すように、電子銃１からの電
子ビーム８を第１アパーチャ２によって適当な大きさお
よび形状に成形し、その後選択偏向器３により第２アパ
ーチャ４上に照射する。この第２アパーチャ４には半導
体集積回路パターンの一部である部分一括パターン群が
形成され選択偏向器３によりこれらのパターン群のうち
の１つのパターン群が選択される。そして選択された第
２アパーチャ４のパターン群を通過した電子ビームは、
対物レンズである縮小レンズ５により縮小され、さら
に、位置決め偏向器６により半導体基板７上の所望の位
置に一括描画される。

【０００７】図８（ａ）〜（ｃ）は第２アパーチャの断
面図および第２アパーチャを透過した電子ビームの電子
線分布強度を示す図ならびに半導体基板のレジストパタ
ーンを示す断面図である。しかしながら、この部分一括
描画法においては、近接効果により第２アパーチャ４上
に形成されたパターン群が半導体基板７上のレジストに
忠実に描画されない問題がある。

【０００８】例えば、図８（ａ）に示すように、第２ア
パーチャの本体４に１１〜１５までの５つの描画用開口
パターンがパターン群として形成されていたとすると、
これらパターン群を通過した電子ビームは半導体基板７
に投射される。この半導体基板７のレジストに直接入射
する電子線は、レジスト内に入射され半導体基板面で反
射し再び半導体基板上に戻ってくる。この入射および反
射の繰返しがいわゆる後方散乱電子となり描画されるパ
ターンの寸法あるいは形状に影響を及ぼす。この後方散
乱電子の広がりの程度は、入射電子線の加速電圧や半導
体基板の材質等によって異なるが、半導体基板上電子線
入射位置から離れる程、後方散乱電子の数は減る。

【０００９】従って、この近接効果による描画パターン
への影響は、一般的に入射位置及び両隣のパターンに対
する影響のみ考慮すれば良い。即ち、半導体基板７上の
部位２３では描画用開口パターン１３からの入射電子及
び後方散乱電子に加え描画用開口パターン１２及び１４
を通って半導体基板７に照射された電子ビームによる後
方散乱電子の影響を受け、図８（ｂ）のような電子強度
分布を持つ。これに対し、半導体基板７上の部位２１は
描画用開口パターン１１からの入射電子及び後方散乱電
子と描画用開口パターン１２を通った電子ビームによる
後方散乱電子の影響を受ける。この時、描画用開口パタ
ーン１１の隣には描画用開口パターン１２しかなく、従
って、後方散乱電子が少なく近接効果の影響が少ないた
め、電子強度は図８（ｃ）に示した如く、半導体基７板
上の部位２２〜２４に比べ低くなっている。

【００１０】今、仮に電子強度がＩ_oの時、部位２２〜
２４でのトランジスタパターンが描画用開口パターン１
２〜１４に対応した寸法に形成されるとすると、部位２
１及び２５では図８（ｃ）に示す如く、レジストパター
ン９が部位２２〜２４に比べ細く、時にはレジストパタ
ーン９の頭部がなくなり高さが低くなる。このように近
接効果の受け難い部位のパターンは、近接効果の受け易
い部位のパターンと比べ寸法が小さくなる。この対策と
して近接効果を補正する方法を採用した電子ビーム描画
方法が特開平４−２６１０１２号公報および特開平３−
１７４７１６号公報に開示されている。

【００１１】図９および図１０は従来のアパーチャの例
を説明するための第２アパーチャの断面図（ａ）、電子
強度分布図（ｂ）およびレジストパターンの模式断面図
（ｃ）である。特開平開平４−２６１０２号公報に開示
されている第２アパーチャは、図９（ａ）に示すよう
に、本体４Ａの中央の位置する一辺がｄ₁の正方形の描
画用開口パターン１３に対し周辺の描画用開口パターン
１１，１５は一辺をｄ₂だけ広くしている。このた
め、半導体基板７上で描画用開口パターン１１及び１５
に対応する部位２１及び２５では描画用開口パターン１
２〜１４に対応する部位２２〜２４に比べ入射電子数が
多く、描画用開口パターン１３に対応する部位２３の入
射電子数が最も少なくなる。その結果、図９（ｂ）に示
したように、部位２１及び２５の電子強度分布が寸法補
正前に比べ広く高くなり、図９（ｃ）に示すように部位
２１〜２５までの全てのレジストパターン９の寸法が等
しくなる。

【００１２】また、特開平３−１７４７１６号公報に開
示されている第２アパーチャは、図１０（ａ）に示すよ
うに、本体４Ｂの中央部に配設される描画用開口パター
ン１２〜１４には電子線の解像分解能より微小なメッシ
ュ状の遮蔽物１２Ａ〜１４Ａを設け、この描画用開口パ
ターン１２〜１４を通過する電子の数が、描画用開口パ
ター１及び１５を通る電子の数よりも少なくなるように
して近接効果を補正している。その結果、図１０（ｂ）
に示すように、半導体基板上の部位２２，２３，２４で
は電子強度が低くなり部位２１，２５と同程度となる。
そして描画されるパターンは、図１０（ｃ）に示すよう
に部位２１から２５まで全てのレジストパターン９の寸
法が等しくなる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の前者に
おける電子ビーム描画用アパーチャでは、周辺部の描画
用開口パターンの面積を中央部の描画用開口パターン１
３の面積より大きくして電子強度を調節し近接効果を補
正しているものの、描画すべきパターンが小さくなるに
伴ない増加させる面積分が小さくなり、増加面積分を辺
の増加分に換算すると辺の増加分（ｄ₂）は微小とな
る。このような微小寸法差はアパーチャの描画用開口パ
ターン自体に加工することは、リソグラフイ加工技術の
分解能に近くなり精密に辺の増加分（ｄ₂）を得ること
が困難になる。また、この辺の増加分（ｄ₂）が正確に
得られない限り僅かの寸法誤差だけで、最外側の描画用
開口パターンで形成されるレジストパターンの寸法が大
幅に狂うという問題がある。

【００１４】さらに、半導体基板の種類が異なったり、
半導体基板上に酸化シリコン，タングステンなどの被着
されている材料が異なると、生じる後方散乱電子の数が
異なる結果電子強度分布が種々変化する。従って、一定
のレジスト寸法を得るために下地材に応じてｄ₂を種々
変化させた電子ビーム描画用アパーチャを準備し半導体
基板の下地の種類が変わるたびに最適のｄ₂を有するア
パーチャに交換する必要がある。このことは半導体デバ
イスの製造を複雑にし運用コストの増大を招きひいては
価格を上昇さするという問題がある。

【００１５】一方、後者の電子ビーム描画用アパーチャ
は、描画用開口パターンに微小なメッシュ状の電子線遮
蔽物を付加させることによって通過電子数を制御してい
るので、前者のアパーチャのような制御がクリティカル
でなくメッシュの大きさで制御が幅広く緩やに制御でき
る利点があるものの、開口パターン自体にメッシュ状の
電子遮蔽物を付加させることは、アパーチャの設計製作
が複雑となるばかりか多大な工数を必要とする。このこ
とは前者と同様に価格の上昇をもたらす。さらに、この
遮蔽物によって放射された電子の数を減らしているため
有効に電子ビームを利用していないばかりか、電子ビー
ムエネルギーが減少した分だけ描画時間が長くかかり、
装置の処理能力が低下させる問題も含んでいる。

【００１６】従って、本発明の目的は、レジストパター
ン寸法の制御し易く設計製作が容易でかつ安価な電子ビ
ーム描画用アパーチャを提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
基板に被着されたレジストに描画すべき描画用開口パタ
ーンの複数を板部材に並べて形成された電子ビーム描画
用アパーチャにおいて、最外側の前記描画用開口パター
ンに所定の間隔をおいて隣接して配設されるとともに前
記最外側の前記描画用開口パターンによる描画パターン
への近接効果を補正する前記レジストの解像限界以下の
電子量を通過する幅をもつ電子量制御用開口を備える電
子ビーム描画用アパーチャである。また、前記所定の間
隔を調節し前記描画パターンへの近接効果を補正するこ
とが望ましい。

【００１８】さらに、本発明の他の特徴は、並べ形成さ
れた前記描画用開口パターンの間に前記電子量制御用開
口が配設されていることを特徴とする電子ビーム描画用
アパーチャ。

【００１９】

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。

【００２０】図１（ａ）および（ｂ）は本発明の一実施
例を示す電子ビーム描画用アパーチャの平面図およびＡ
Ａ断面図である。この電子ビーム描画用アパーチャは、
図１に示すように、開口形状と開口面積とが同じで横一
列に並べ穿設された矩形状の描画用開口パターン１１〜
１５と、外側の描画用開口パターン１１と１５に隣接し
て配設されレジストを感応しない程度の電子量の電子を
通過させる線状の開口を有するとともに該開口を通過す
る電子量で描画用開口パターン１１，１５によって描画
されるパターン対し近接効果の補正を施す電子量制御用
開口１６と１７とを本体４ｃに設けている。

【００２１】ここで、描画用開口パターン１１〜１５は
長さがｌ₁，幅がｄ₁をもつ開口である。また、電子量
制御用開口１６，１７は最外郭の描画用開口パターン１
１，１５と間隔ｗ₁で隣接し平行に配設されており、長
さｌ₁，幅ｄ₃の線幅をもつ開口である。そして、本ア
パーチャを用いる電子線描画装置でパターンの解像の可
能最小パターン寸法を本アパーチャ上での長さ成分をＲ
とすると、ｄ₃≦Ｒ〈ｄ₁の関係にしてある。このこと
は、通常の解像限界をもつレジストを用い、アパーチャ
に解像度限界以下の開口を設けてこの開口に電子を通過
させレジストに投射してもレジシトに潜像として描画さ
れないという事象を掴みなされたものである。

【００２２】例えば、レジストの解像限界を０．１μ
ｍ、描画パターンの描画用開口パターンに対する縮小率
を２５分の１とすれば、単純に計算してもＲという寸法
成分は０．５μｍとなる。すなわち、電子量制御用開口
１６，１７の開口における線幅を解像限界Ｒ以下である
例えば０．３μｍにすれば良いことになる。この０．３
μｍという幅寸法をもつ線状の開口は現在のリソグラフ
ィ技術で容易に得ることができる。また、この開口の幅
を０．１〜０．５μｍの範囲で設定し、描画パターンへ
の近接効果を補正することである。

【００２３】図２（ａ）〜（ｃ）は図１の電子ビーム描
画用アパーチャの動作を説明するための電子ビーム描画
用アパーチャの断面図、電子強度分布を示す図および描
画されたレジストパターンを示す図である。いま、図２
（ａ）に示すように、アパーチャの本体４ｃに電子ビー
ム８が照射されると、描画用開口パターン１２〜１５お
よび電子量制御用開口１６，１７とをそれぞれの開口に
応じた電子数をもつ電子ビームが通過する。このことに
より、図２（ｂ）に示すように、開口パターン１１〜１
５に対応して、半導体基板７上の部位２１〜２５にレジ
ストが感応し得る規定電子強度Ｉ₀を超えるピークをも
つ電子流波形が形成される。一方、解像限界以下の微小
な開口をもつ電子量制御用開口１６及び１７を通過する
電子ビームの強度は、解像限界以下の強度で低く撫だら
かなピークをもつＳで示す電子流波形となる。そして、
部位２１および２５における電子強度分布と合成され部
位２１と部位２５の電子強度を増加させる。

【００２４】その結果、半導体基板７上の隣接するパタ
ーンからの近接効果を受けない最外郭の部位２１，２５
のレジストパターン９は、前述の合成された電子強度に
より近接効果が補正され部位２２〜２４のレジストパタ
ーンと同じ寸法で得られる。言い換えれば、電子量制御
用開口１６，１７を通過した電子流は半導体基板７のレ
ジストに入射し下地から後方散乱電子を発生し、半導体
基板７上の部位２１，２５の電子強度を高くして部位２
２〜２４のレジストパターン９と同じパターンに形成す
ることができる。

【００２５】図３（ａ）および（ｂ）は電子量制御用開
口の幅および描画用開口パターンとの間隔に対するレジ
ストパターン寸法との関係を示すグラフである。次に、
電子量制御用開口１６，１７の幅ｄ₃と最外郭の描画用
開口パターン１１と１６との最短距離Ｗ₁とレジストパ
ターン寸法に関して図を用い説明する。図３（ａ）に示
すように、電子量制御用開口１６，１７の幅ｄがｄ₃の
時、レジストパターンは所望の寸法ｄ₁で形成される。
レジストパターンに許容される寸法がｄ₁±Δｄ₁の
時、電子量制御開口１６，１７に許容される寸法は
ｄ₃′とｄ₃″の間となる。

【００２６】このことを前述した従来例の場合にあては
めると、図８の開口パターン１１に寸法補正をｄだけの
せるとき、レジストパターン寸法ｄ₁を得るためにはｄ
₂だけ補正が必要であった。従って、レジストパターン
の許容寸法がｄ₁±Δｄ₁の時、アパーチャに許容され
る寸法精度はｄ₂′とｄ₂″の間である。このことから
明らかなように、電子量制御開口１６，１７の寸法許容
幅（ｄ₃′からｄ₃″）が従来の開口パターン自身に電
子量制御機能をもたせたときの寸法許容値（ｄ₂′から
ｄ₂″）よりもかなり広くアパーチャの開口部に対する
寸法精度がゆるく作成が容易であることが判る。

【００２７】次に、電子量制御用開口１６，１７と描画
用開パターン１１，１５との間隔距離に関して図３
（ｂ）を参照して説明する。いま、間隔距離ＷがＷ₁の
とき所望の寸法ｄ₁が得られるとすると、図３（ｂ）に
示すように、Ｗ₁が解像限界値Ｒよりも大きくなると、
レジスト寸法ｘはほとんど変化しない。このことは、Ｗ
はＲよりも小さい時に効果が大きいことが判る。さら
に、開口パターンが小さくなり微小な電子量制御が必要
となる場合は、むしろ電子量制御用開口１６，１７を製
作し易い幅の開口にし、この距離Ｗによって近接効果を
補正した方がより制御し易いものとなる。

【００２８】図４は本発明の他の実施例を示す電子ビー
ム描画用アパーチャの平面図、図５は電子量制御用開口
の幅の許容値に対する描画用開口パターンによるレジス
トパターン寸法との関係を示すグラフである。この電子
ビーム描画用アパーチャは、図４に示すように、本体４
Ｄの外側に配設された描画用開口パターン１１及び１５
に隣接して複数の断続した線状開口で構成される電子量
制御用開口群１８および１９を設けたことである。ここ
で、電子量制御用開口群１８，１９を構成する個々の線
状開口は寸法は解像限界Ｒより小さい寸法の幅および長
さのｄ₄×ｄ₅の矩形パターンである。

【００２９】この実施例では、電子量制御用開口１８，
１９を複数の線状の開口を並べて構成することによって
開口間に隙間を生じさせ開口度に対する近接効果を減じ
させたことである。その結果、描画されるレジストパタ
ーンの許容差に対する電子量制御用開口１８，１９にお
ける開口幅ｄ₅の寸法誤差は、前述の細長い電子量制御
用開口に比べパターンへの許容寸法に対してより緩和さ
れるようになった。すなわち、電子量制御用開口の寸法
差によるパターン寸法への影響度がより低くなり、図５
に示すように、レジストパターンの許容寸法をｄ₁±Δ
ｄ₁とすると、矩形状開口の幅ｄ₅）はｄ₅′〜ｄ₅″
の範囲で許容される。このことは、前述の実施例よりも
許容範囲が広く、この点からアパーチャ作成はより容易
であることが判る。

【００３０】上述した実施例では、線状の電子量制御用
開口を微小な幅をもつ矩形状の開口で説明したが、実際
の製作に際しては、必ずしも矩形でなくとも製作し易い
形状でも良い。例えば、図４のように、正方形の開口で
なくとも三角形形状や円弧状の開口でも良い。ただ、い
ずれの形状でも描画用開口パターンの外辺と近接する辺
は平行であることが望ましい。そして、この平行な辺と
反対側の角部あるいは円弧部の張出し寸法を解像限界Ｒ
以下の量にすることである。

【００３１】図６は他の電子ビーム用描画アパーチャに
本発明を適用した例を説明するためのアパーチャの部分
平面図である。上述した実施例では、電子量制御用開口
を最外郭の描画用開口パターンに隣接して穿設したが、
必ずしも描画用開口パターンの周辺でなくとも描画用開
口パターン間に電子量制御用開口を設けても効果が得ら
れる。

【００３２】例えば、図６に示すように、幅の異なる描
画用開口パターン１５Ａが並べて形成されている場合も
適用できる。この場合は最外郭の描画用開口パターン１
５Ａの幅の広い部分の外側に隣接して細長い電子量制御
用開口１６Ａを、あるいは、描画用開口パターン１５Ａ
の幅の細い部分に隣接して電子量制御用開口１８Ａを設
ければ、所望のパターン寸法が得られる。要は、隣接す
る描画用開口パターンを通過する電子ビームによる近接
効果の影響のない描画用開口パターンに隣接して電子量
制御用開口を配設すれば良い。

【００３３】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、板状本体
に並べ形成された複数の描画用開口パターン群の中で、
近接効果を受け難い描画用開口パターンに隣接し通過す
る電子量をレジストの解像限界内で制御し近接効果を補
正する電子量制御用開口を設けることによって、従来の
ように描画用開口パターン自体に近接効果を補正する電
子量制御機構をもたせる必要がなく、単独で前記開口の
設計製作ができるので、極めて短時間の設計製作で済み
安価で得られるという効果がある。

【００３４】また、描画用開口パターンから離れた位置
に電子量制御用開口を設けているので通過する電子量が
描画されるパターンへの近接効果の影響度が、描画用開
口パターン自体に電子量制御機構をもつをもつ従来に比
べ小さく、従来のように制御がクリティカルでなく描画
するレジストパターン寸法を制御し易くその結果精度の
高く安定した描画パターンが得られるという効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す電子ビーム描画用アパ
ーチャの平面図およびＡＡ断面図である。

【図２】図１の電子ビーム描画用アパーチャの動作を説
明するための電子ビーム描画用アパーチャの断面図、電
子強度分布を示す図および描画されたレジストパターン
を示す図である。

【図３】電子量制御用開口の幅および開口パターンとの
間隔に対するレジストパターン寸法との関係を示すグラ
フである。

【図４】本発明の他の実施例を示す電子ビーム描画用ア
パーチャの平面図である。

【図５】電子量制御用開口の幅の許容値に対する描画用
開口パターンによるレジストパターン寸法との関係を示
すグラフである。

【図６】電子ビーム用描画アパーチャに本発明を適用し
た例を説明するためのアパーチャの部分平面図である。

【図７】半導体集積回路の一部分を形成したアパーチャ
を用いる電子ビーム描画装置の一例を説明するための電
子光学系の構成を示す斜視図である。

【図８】第２アパーチャの断面図および第２アパーチャ
を透過した電子ビームの電子線分布強度を示す図ならび
に半導体基板のレジストパターンを示す断面図である。

【図９】従来のアパーチャの一例を説明するための第２
アパーチャの断面図（ａ）、電子強度分布図（ｂ）およ
びレジストパターンの模式断面図（ｃ）である。

【図１０】従来のアパーチャの他の例を説明するための
第２アパーチャの断面図（ａ）、電子強度分布図（ｂ）
およびレジストパターンの模式断面図（ｃ）である。

【符号の説明】

１電子銃２第１アパーチャ３選択偏向器４，４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ本体５縮小レンズ６位置決め偏向器７半導体基板８電子ビーム９レジストパターン１１，１２，１３，１４，１５，１５Ａ描画用開口
パターン１２Ａ，１３Ａ，１４Ａ遮蔽物１６，１６Ａ，１７，１８Ａ，電子量制御用開口１８，１９電子量制御用開口群

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板に被着されたレジストに描画
すべき描画用開口パターンの複数を板部材に並べて形成
された電子ビーム描画用アパーチャにおいて、最外側の
前記描画用開口パターンに所定の間隔をおいて隣接して
配設されるとともに前記最外側の前記描画用開口パター
ンによる描画パターンへの近接効果を補正する前記レジ
ストの解像限界以下の電子量を通過する幅をもつ電子量
制御用開口を備えることを特徴とする電子ビーム描画用
アパーチャ。
【請求項２】前記所定の間隔を調節し前記描画パター
ンへの近接効果を補正することを特徴とする請求項１記
載の電子ビーム描画用アパーチャ。
【請求項３】前記電子量制御用開口は前記幅をもつと
ともに前記描画用開口パターンと略同じ長さの辺をもつ
短冊状開口であることを特徴とする請求項１または請求
項２記載の電子ビーム描画用アパーチャ。
【請求項４】前記電子量制御用開口は前記描画用開口
パターンに平行に並べ配設されるとともに前記幅と該幅
以下の寸法の辺をもつ開口の複数個で構成されることを
特徴とする請求項１または請求項２記載の電子ビーム描
画用アパーチャ。
【請求項５】並べ形成された前記描画用開口パターン
の間に請求項１記載の電子量制御用開口が配設されてい
ることを特徴とする電子ビーム描画用アパーチャ。