JPH0845026A - Magneto-resistive magnetic head - Google Patents

Magneto-resistive magnetic head

Info

Publication number
JPH0845026A
JPH0845026A JP17846994A JP17846994A JPH0845026A JP H0845026 A JPH0845026 A JP H0845026A JP 17846994 A JP17846994 A JP 17846994A JP 17846994 A JP17846994 A JP 17846994A JP H0845026 A JPH0845026 A JP H0845026A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetoresistive effect
electronic cooling
bias
electrode
magnetic head
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP17846994A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kiyoshi Ota
清志 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP17846994A priority Critical patent/JPH0845026A/en
Publication of JPH0845026A publication Critical patent/JPH0845026A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3109Details
    • G11B5/313Disposition of layers
    • G11B5/3133Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
    • G11B5/3136Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure for reducing the pole-tip-protrusion at the head transducing surface, e.g. caused by thermal expansion of dissimilar materials
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/40Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B2005/0002Special dispositions or recording techniques
    • G11B2005/0005Arrangements, methods or circuits
    • G11B2005/0008Magnetic conditionning of heads, e.g. biasing
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B33/00Constructional parts, details or accessories not provided for in the other groups of this subclass
    • G11B33/14Reducing influence of physical parameters, e.g. temperature change, moisture, dust

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

PURPOSE:To absorb the heat generated in an magneto-resistive element (MR element) and to increase the sense current to the MR element so as to improve reproduced output by providing the magnetic head with an electron cooling element as near as the MR element as possible. CONSTITUTION:This magnetic head has a pair of shielding magnetic materials 2, 3 on one side face of a slider 1 and the MR element 6 formed by laminating a front end electrode 4 and a rear end electrode 5 between these magnetic materials 2 and 3. The head has also a bias conductor 7 for impressing a bias magnetic field on the MR element 6 and the electron cooling element 12 which is disposed in a part of the bias conductor 7 and exhibits a Peltier effect right above the MR element 6. As a result, the heat generated in the MR element 6 by the energization of the sense current is absorbed by the electron cooling element 12. Then, the sense current to the MR element 6 is increased and the output is improved. Since the heat radiated from the MR element 6 is absorbed, the thermal deterioration of the MR element 6 is averted and the continuous energization life of the MR head is greatly prolonged.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
駆動装置等に用いて有用な磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetoresistive effect magnetic head useful for, for example, a hard disk drive.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、磁気抵抗効果を有するパーマロイ
等の磁気抵抗効果素子(以下、MR素子という。)を用
いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド(以下、MRヘッドとい
う。)の開発が盛んに進められている。
2. Description of the Related Art In recent years, a magnetoresistive effect type magnetic head (hereinafter referred to as MR head) using a magnetoresistive effect element (hereinafter referred to as MR element) such as permalloy having a magnetoresistive effect has been actively developed. Has been.

【0003】かかるMRヘッドは、磁気記録媒体から漏
れ出る信号磁束によりパーマロイよりなるMR素子の抵
抗が変化し、その抵抗変化を検出することによって上記
磁気記録媒体に記録された情報を読み取ることができる
ようになされている。
In such an MR head, the resistance of the MR element made of permalloy changes due to the signal magnetic flux leaking from the magnetic recording medium, and the information recorded on the magnetic recording medium can be read by detecting the change in the resistance. It is done like this.

【0004】このようなMRヘッドは、通常の電磁誘導
型磁気ヘッド(以下、インダクティブヘッドと称す
る。)に比べて、短波長感度に優れることから、狭トラ
ック再生、短波長再生、超低速再生において高い感度が
得られるとされている。
Such an MR head is superior in short wavelength sensitivity to a general electromagnetic induction type magnetic head (hereinafter referred to as an inductive head), and therefore, in narrow track reproduction, short wavelength reproduction, and ultra-low speed reproduction. It is said that high sensitivity can be obtained.

【0005】一般に、MRヘッドは、例えばAl2 3
−TiC等からなるスライダーと称される基体の一側面
上にパーマロイよりなるMR素子を有し、そのMR素子
の長手方向における両端部に電極が設けられ、これら電
極間にセンス電流を流すことで、媒体からMR素子に入
り込んだ磁束による抵抗変化を電圧変化として取り出す
ことができるように構成されている。
In general, an MR head has, for example, Al 2 O 3
By having an MR element made of permalloy on one side surface of a base body called a slider made of -TiC or the like, electrodes are provided at both ends in the longitudinal direction of the MR element, and a sense current is passed between these electrodes. The resistance change due to the magnetic flux entering the MR element from the medium can be extracted as a voltage change.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】このように、MRヘッ
ドでは、出力信号を取り出すために、MR素子にセンス
電流を流す必要がある。このため、センス電流を通電す
ることによって発生するジュール熱により、MR素子に
流せる電流は制限されてしまう。従って、最大出力での
使用ができず、ヘッドの高出力化の妨げとなっている。
かかる発熱による影響は、MR素子膜の熱劣化、マイグ
レーションによる断線、またはヘッド寿命の短縮化等を
誘発し、信頼性の面で不利となる。
As described above, in the MR head, it is necessary to flow a sense current through the MR element in order to extract the output signal. For this reason, the current that can flow in the MR element is limited by the Joule heat generated by passing the sense current. Therefore, the head cannot be used at the maximum output, which hinders the high output of the head.
The influence of such heat generation causes thermal deterioration of the MR element film, disconnection due to migration, shortening of the head life, and the like, which is disadvantageous in terms of reliability.

【0007】これまでは、MR素子の発熱対策として、
MR素子を表面に露出させることにより空気中へ放熱す
る方法やMR素子の周りを熱伝導の良い材料で覆うこと
で、放熱を促す等の方法を採用してきた。
Up to now, as a measure against heat generation of the MR element,
A method of radiating heat to the air by exposing the MR element to the surface and a method of accelerating heat radiation by covering the MR element with a material having good thermal conductivity have been adopted.

【0008】しかしながら、これらの方法では、充分で
はなく、MR素子の最大通電電流を決めて、発熱を抑え
ながら使用しているのが現状である。
However, these methods are not sufficient, and the current state is that the maximum energizing current of the MR element is determined and the MR element is used while suppressing heat generation.

【0009】そこで本発明は、上述の従来の有する技術
的な課題に鑑みて提案されたものであって、MR素子の
発熱を吸収し、該MR素子へのセンス電流の増加を図
り、再生出力の向上を実現するMRヘッドを提供するこ
とを目的とする。
Therefore, the present invention has been proposed in view of the above-mentioned technical problems of the related art, and absorbs the heat generated by the MR element to increase the sense current to the MR element and reproduce output. It is an object of the present invention to provide an MR head that realizes the improvement of

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明では、MR素子の
発熱を抑え、該MR素子へのセンス電流を増加させて再
生出力の向上を図るべく、ペルチェ効果を示す電子冷却
素子を設ける。
In the present invention, an electronic cooling element exhibiting a Peltier effect is provided in order to suppress heat generation of the MR element and increase the sense current to the MR element to improve the reproduction output.

【0011】電子冷却素子を設ける場所は、MR素子よ
り放熱される熱を効率良く吸収すべく、該MR素子にな
るべく近いところが好ましく、例えばバイアス導体、先
端電極、後端電極のうち少なくともいずれか一カ所に設
けることが望ましい。もちろん、バイアス導体、先端電
極、後端電極の全てに設けるようにしてもよい。但し、
電子冷却素子をバイアス導体に設ける場合は、バイアス
導体に電流を流してバイアス磁界をMR素子に印加す
る,いわゆる電流バイアス方式のMRヘッドに適用する
必要がある。
The place where the electronic cooling element is provided is preferably as close as possible to the MR element in order to efficiently absorb the heat radiated from the MR element. For example, at least one of the bias conductor, the front electrode and the rear electrode. It is desirable to install it in one place. Of course, it may be provided on all of the bias conductor, the front electrode, and the rear electrode. However,
When the electronic cooling element is provided on the bias conductor, it is necessary to apply it to a so-called current bias type MR head in which a current is applied to the bias conductor to apply a bias magnetic field to the MR element.

【0012】この電子冷却素子が設けられるMRヘッド
としては、磁気記録媒体との対向面に対して長手方向が
垂直に配されたMR素子を有した,いわゆる縦型MRヘ
ッドであるか、媒体対向面に対して長手方向が平行に配
されたMR素子を有した,いわゆる横型MRヘッドであ
るかを問わない。
The MR head provided with this electronic cooling element is a so-called vertical MR head having an MR element whose longitudinal direction is perpendicular to the surface facing the magnetic recording medium, or the MR head. It does not matter whether it is a so-called lateral MR head having an MR element whose longitudinal direction is parallel to the surface.

【0013】縦型MRヘッドというのは、磁気記録媒体
との対向面に対して長手方向が垂直となるように配され
ると共に、その先端側の一側縁が媒体対向面に臨むよう
になされた磁気抵抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子
の先端側に積層され、その先端側の一側縁が媒体対向面
に臨む先端電極と、上記磁気抵抗効果素子の後端側に積
層される後端電極と、上記先端電極と後端電極が積層さ
れた磁気抵抗効果素子を膜厚方向から挟み込む一対のシ
ールド磁性体と、電流の通電により発生するバイアス磁
界を磁気抵抗効果素子に印加するバイアス導体とを備え
た構成である。横型MRヘッドというのは、磁気記録媒
体との対向面に対して長手方向が平行となるように配さ
れると共に、先端側の一側縁が媒体対向面に臨むように
なされた磁気抵抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子の
長手方向における両端部に積層され、媒体対向面に対し
て垂直方向に該媒体対向面より後方に引き出される一対
の電極とを備えた構成である。
The vertical MR head is arranged so that its longitudinal direction is perpendicular to the surface facing the magnetic recording medium, and one side edge on the tip side faces the medium facing surface. And a magnetoresistive effect element, a tip electrode laminated on the tip side of the magnetoresistive element, and one edge of the tip side facing the medium facing surface, and a magnetoresistive element laminated on the rear end side of the magnetoresistive element. An end electrode, a pair of shield magnetic bodies that sandwich the magnetoresistive effect element in which the front electrode and the rear end electrode are laminated from the film thickness direction, and a bias conductor that applies a bias magnetic field generated by current application to the magnetoresistive effect element. It has a configuration including and. The lateral MR head is a magnetoresistive element that is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the surface facing the magnetic recording medium, and one side edge on the tip side faces the medium facing surface. And a pair of electrodes that are stacked on both ends in the longitudinal direction of the magnetoresistive effect element and that are drawn out rearward from the medium facing surface in a direction perpendicular to the medium facing surface.

【0014】また、これら縦型MRヘッドと横型MRヘ
ッドのいずれの場合においても、MR素子を含む電気回
路と、ペルチェ効果を示す電子冷却素子を設けたバイア
ス導体を直列または並列に接続するようにしてもよい。
In both the vertical MR head and the horizontal MR head, the electric circuit including the MR element and the bias conductor provided with the electronic cooling element exhibiting the Peltier effect are connected in series or in parallel. May be.

【0015】[0015]

【作用】本発明に係るMRヘッドにおいては、ペルチェ
効果を示す電子冷却素子が素子内に設けられているの
で、センス電流の通電によってMR素子に発生する熱
が、この電子冷却素子によって吸収される。従って、M
R素子へのセンス電流の増加が図れ、該MR素子の出力
の向上が実現される。また、電子冷却素子によってMR
素子より放熱される熱が吸収されるので、該MR素子の
熱劣化が回避され、連続通電寿命が大幅に伸びる。
In the MR head according to the present invention, since the electronic cooling element exhibiting the Peltier effect is provided inside the element, the heat generated in the MR element due to the passage of the sense current is absorbed by the electronic cooling element. . Therefore, M
The sense current to the R element can be increased, and the output of the MR element can be improved. In addition, the MR can be
Since the heat radiated from the element is absorbed, thermal deterioration of the MR element is avoided and the continuous energization life is greatly extended.

【0016】[0016]

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Specific embodiments to which the present invention is applied will be described in detail below with reference to the drawings.

【0017】実施例1 この実施例は、MR素子を含む電気回路とバイアス導体
を直列に接続したもので、そのバイアス導体に電子冷却
素子を設けた例である。
Embodiment 1 In this embodiment, an electric circuit including an MR element and a bias conductor are connected in series, and an electronic cooling element is provided on the bias conductor.

【0018】本実施例のMRヘッドは、図1及び図2に
示すように、Al2 3 −TiC等からなるスライダー
1の一側面上に形成される一対のシールド磁性体2,3
と、これらシールド磁性体2,3間に先端電極4と後端
電極5が積層されてなるMR素子6と、このMR素子6
にバイアス磁界を印加するバイアス導体7とを有して構
成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the MR head of this embodiment has a pair of shield magnetic bodies 2, 3 formed on one side surface of a slider 1 made of Al 2 O 3 --TiC or the like.
And an MR element 6 in which a front end electrode 4 and a rear end electrode 5 are laminated between these shield magnetic bodies 2 and 3, and this MR element 6
And a bias conductor 7 for applying a bias magnetic field.

【0019】なお以下、下層に形成されるシールド磁性
体2を下部シールド磁性体2、上層に形成されるシール
ド磁性体3を上部シールド磁性体3という。
Hereinafter, the shield magnetic body 2 formed in the lower layer will be referred to as the lower shield magnetic body 2, and the shield magnetic body 3 formed in the upper layer will be referred to as the upper shield magnetic body 3.

【0020】MR素子6は、例えば平面形状が略長方形
パターンとして形成され、その長手方向が磁気記録媒体
との対向面(以下、ABS面8という。)に対して垂直
となるように設けられると共に、その先端側の一側縁が
上記ABS面8に臨むようになされている。そして、か
かるMR素子6は、例えばパーマロイ等の強磁性体薄膜
からなり、下部シールド磁性体2上に下層ギャップ膜と
して機能する絶縁膜9を介して蒸着やスパッタリング等
の真空薄膜形成手段によって形成されている。
The MR element 6 is formed, for example, in a substantially rectangular pattern in a plan view, and is provided such that its longitudinal direction is perpendicular to a surface facing the magnetic recording medium (hereinafter referred to as ABS surface 8). The one side edge of the tip side thereof faces the ABS surface 8. The MR element 6 is made of, for example, a ferromagnetic thin film such as permalloy, and is formed on the lower shield magnetic body 2 by a vacuum thin film forming means such as vapor deposition or sputtering via an insulating film 9 functioning as a lower gap film. ing.

【0021】上記MR素子6は、パーマロイよりなる薄
膜素子の単層膜であってもよいが、例えばSiO2 等よ
りなる非磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対の
薄膜素子を積層した積層膜構造であってもよい。積層膜
構造とすれば、バルクハウゼンノイズの発生を回避する
ことができる。
The MR element 6 may be a single layer film of a thin film element made of permalloy, but a pair of thin film elements magnetostatically coupled via a non-magnetic insulating layer made of, for example, SiO 2 is used. It may have a laminated film structure in which the layers are laminated. With the laminated film structure, it is possible to avoid the occurrence of Barkhausen noise.

【0022】先端電極4は、その一側縁がABS面8に
臨むようにしてMR素子6の先端部に直接積層され、こ
のMR素子6と電気的に接続されるようになっている。
かかる先端電極4は、MR素子6にセンス電流を通電す
る電極としての機能を有する他、再生用磁気ギャップの
上層ギャップ膜としても機能するようになっている。
The tip electrode 4 is directly laminated on the tip of the MR element 6 so that one side edge thereof faces the ABS 8 and is electrically connected to the MR element 6.
The tip electrode 4 has a function as an electrode for supplying a sense current to the MR element 6, and also as an upper gap film of the reproducing magnetic gap.

【0023】一方、後端電極5は、MR素子6の後端部
の一部に重なるようにして積層され、ABS面8とは反
対側の素子後方に引き出されている。その後端電極5の
引き出された導体部分は、後述するバイアス導体7と直
列に接続されている。
On the other hand, the rear end electrode 5 is laminated so as to partially overlap the rear end portion of the MR element 6, and is drawn out to the rear side of the element on the side opposite to the ABS surface 8. The drawn out conductor portion of the rear end electrode 5 is connected in series with a bias conductor 7 which will be described later.

【0024】バイアス導体7は、MR素子6にバイアス
磁界を印加するためのもので、先端電極4と後端電極5
の間であって、該MR素子6の長手方向に対して直交す
る方向に設けられている。かかるバイアス導体7には、
図示しない定電流源より直流電流が通電されるようにな
されている。この電流により発生するバイアス磁界は、
MR素子6に対してその長手方向に亘り印加されるよう
になっている。
The bias conductor 7 is for applying a bias magnetic field to the MR element 6, and includes the front electrode 4 and the rear electrode 5.
And is provided in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the MR element 6. The bias conductor 7 includes
A direct current is supplied from a constant current source (not shown). The bias magnetic field generated by this current is
It is adapted to be applied to the MR element 6 in the longitudinal direction thereof.

【0025】そして、上記MR素子6を上下方向から挟
み込む形で設けられる一対のシールド磁性体2,3は、
MR素子6から離れた位置の媒体からの磁界の影響を受
けないようにするシールドとして機能するもので、例え
ばパーマロイやセンダスト等によって形成されている。
The pair of shield magnetic bodies 2 and 3 provided so as to sandwich the MR element 6 from above and below,
It functions as a shield that is not affected by the magnetic field from the medium located away from the MR element 6, and is formed of, for example, permalloy or sendust.

【0026】下部シールド磁性体2は、上記ABS面8
にその一側縁を臨ませるようにして、このABS面8に
対して垂直方向に延在して設けられている。一方、これ
に対向して設けられる上部シールド磁性体3は、先の下
部シールド磁性体2と同様に上記ABS面8にその一側
縁を臨ませるようにして、このABS面8に対して垂直
にバック側へ延在して設けられている。この上部シール
ド磁性体3は、ABS面8側で先端電極4に対して直接
積層されると共に、その後方側においてMR素子6やバ
イアス導体7との絶縁性を確保するための絶縁層10を
介して積層されている。
The lower shield magnetic body 2 has the ABS surface 8
Is provided so as to face one side edge thereof in the direction perpendicular to the ABS surface 8. On the other hand, the upper shield magnetic body 3 provided so as to face this is perpendicular to the ABS surface 8 so that one side edge thereof is faced to the ABS surface 8 like the lower shield magnetic body 2 described above. It is provided to extend to the back side. The upper shield magnetic body 3 is directly laminated on the ABS 8 side with respect to the tip electrode 4, and an insulating layer 10 for ensuring insulation with the MR element 6 and the bias conductor 7 is provided on the rear side thereof. Are stacked.

【0027】なお、上部シールド磁性体3の後方には、
この上部シールド磁性体3と電気的に接続する導体パタ
ーン13が接続されている。また、上部シールド磁性体
3の上には、ヘッド素子を保護するための保護膜11が
積層されている。
In addition, behind the upper shield magnetic body 3,
A conductor pattern 13 electrically connected to the upper shield magnetic body 3 is connected. A protective film 11 for protecting the head element is laminated on the upper shield magnetic body 3.

【0028】そして特に、このMRヘッドでは、バイア
ス導体7の一部にペルチェ効果を示す電子冷却素子12
が設けられている。電子冷却素子12は、異なる2種金
属間に電流を流すと、接合面で発熱又は吸熱現象を起こ
す素子である。この現象は、ペルチェ効果と呼ばれる。
ペルチェ効果は、次式(1)で表される。
In particular, in this MR head, the electronic cooling element 12 showing the Peltier effect in a part of the bias conductor 7.
Is provided. The electronic cooling element 12 is an element that causes heat generation or heat absorption at the bonding surface when a current is passed between two different metals. This phenomenon is called the Peltier effect.
The Peltier effect is expressed by the following equation (1).

【0029】Qp=π×Is ・・・・(1)式 (π:ペルチェ係数、Is:ペルチェ効果を示す素子に
流れる電流) そして、MR素子部の発熱は、次式(2)で表される。
Qp = π × Is Equation (1) (π: Peltier coefficient, Is: current flowing in the element exhibiting the Peltier effect) The heat generated in the MR element is expressed by the following equation (2). It

【0030】 Qmr=Rmr×Is2 ・・・・(2)式 (Rmr:MR素子の抵抗) ペルチェ効果を示す電子冷却素子12としては、例えば
表1に示される2種金属の組み合わせが挙げられる。
Qmr = Rmr × Is 2 (2) Formula (Rmr: Resistance of MR Element) As the electronic cooling element 12 exhibiting the Peltier effect, for example, a combination of two kinds of metals shown in Table 1 can be mentioned. .

【0031】[0031]

【表1】 [Table 1]

【0032】かかる表1中、ペルチェ係数がプラスのも
のは発熱を、マイナスのものは吸熱を示し、その係数が
大きくなる程、発熱量又は吸熱量が多くなることを示
す。但し、ペルチェ係数がプラスのものでも、これら金
属に流す電流の向きを変えることで吸熱となる。したが
って、表1に示す例1〜例6に挙げられる全ての電子冷
却素子12を使用することができる。
In Table 1, the positive Peltier coefficient indicates heat generation and the negative Peltier coefficient indicates heat absorption. The larger the coefficient, the larger the calorific value or the calorific value. However, even if the Peltier coefficient is positive, heat is absorbed by changing the direction of the current passed through these metals. Therefore, all the electronic cooling elements 12 listed in Examples 1 to 6 shown in Table 1 can be used.

【0033】この電子冷却素子12を設ける場所は、M
R素子6より発生する熱を効率よく吸収するために、な
るべくMR素子6に近い場所に設ける。この実施例で
は、図1中斜線で示すMR素子6の真上に電子冷却素子
12を設けている。
The place where the electronic cooling element 12 is provided is M
In order to efficiently absorb the heat generated by the R element 6, it is provided as close to the MR element 6 as possible. In this embodiment, the electronic cooling element 12 is provided directly above the MR element 6 shown by the diagonal lines in FIG.

【0034】電子冷却素子12は、例えば図3に示すよ
うに、ペルチェ効果を示す第1の金属膜12aと第2の
金属膜12bとからなり、これら金属膜12a,12b
がバイアス導体7の中途部に設けられた構成とされてい
る。
As shown in FIG. 3, for example, the electronic cooling element 12 is composed of a first metal film 12a and a second metal film 12b exhibiting a Peltier effect, and these metal films 12a, 12b.
Is provided in the middle of the bias conductor 7.

【0035】第1の金属膜12aは、バイアス導体7の
端縁部7aに一部重なるようにして設けられている。そ
して、この第1の金属膜12aの後端部には、その一部
が重なり合うようにして第2の金属膜12bが設けられ
ている。また、この第2の金属膜12bの後端部には、
バイアス導体7の端縁部7bが重なり合うようにして設
けられている。これら第1の金属膜12aと第2の金属
膜12bよりなる電子冷却素子12は、左側のバイアス
導体7、第1の金属膜12a、第2の金属膜12b、バ
イアス導体7の順にスパッタリングまたは蒸着すること
によって形成される。
The first metal film 12a is provided so as to partially overlap the edge portion 7a of the bias conductor 7. Then, a second metal film 12b is provided at the rear end portion of the first metal film 12a so that the second metal film 12b partially overlaps. In addition, at the rear end portion of the second metal film 12b,
The end portions 7b of the bias conductor 7 are provided so as to overlap each other. The electronic cooling element 12 including the first metal film 12a and the second metal film 12b is formed by sputtering or vapor deposition in the order of the left bias conductor 7, the first metal film 12a, the second metal film 12b, and the bias conductor 7. Is formed by

【0036】以上のようにして構成されたMRヘッドに
おいては、MR素子6を含む電気回路と、電子冷却素子
12が設けられたバイアス導体7が直列に接続された構
造とされている。このため、バイアス導体7に流れる電
流によりMR素子6の長手方向にバイアス磁界が印加さ
れると共に、かかる電流が電子冷却素子12を流れるこ
とにより第1の金属膜12aと第2の金属膜12bの接
合面Sで吸熱現象を起こす。その結果、MR素子6で発
生する熱が電子冷却素子12によって吸収され、該MR
素子6へのセンス電流の増加が図れ、再生出力を大きく
とれる。また、MR素子6の発熱が電子冷却素子12に
よって吸熱されるので、MR素子6の熱劣化が防止さ
れ、連続通電寿命を大幅に延ばすことができ、最大通電
電流も大きく確保することができる。さらに、高温雰囲
気での耐熱性が向上するので、信頼性も確保される。
In the MR head constructed as described above, the electric circuit including the MR element 6 and the bias conductor 7 provided with the electronic cooling element 12 are connected in series. Therefore, a bias magnetic field is applied in the longitudinal direction of the MR element 6 by the current flowing through the bias conductor 7, and the current flows through the electronic cooling element 12, whereby the first metal film 12a and the second metal film 12b are separated. An endothermic phenomenon occurs at the joint surface S. As a result, the heat generated in the MR element 6 is absorbed by the electronic cooling element 12,
The sense current to the element 6 can be increased, and the reproduction output can be increased. Further, since the heat generated by the MR element 6 is absorbed by the electronic cooling element 12, the thermal deterioration of the MR element 6 can be prevented, the continuous energizing life can be greatly extended, and the maximum energizing current can be secured large. Furthermore, since the heat resistance in a high temperature atmosphere is improved, the reliability is also secured.

【0037】これらの効果が得られるのは、次のデータ
に基づく。先ず、図4にMR素子の発熱による推定温度
とセンス電流との関係を示す。この図は、室温のMR素
子の抵抗を8Ωとして計算したものである。このときの
MR素子の寸法は、厚み,幅,長さをそれぞれ20nm
(2層)×3.75μm×11μmである。
The reason why these effects are obtained is based on the following data. First, FIG. 4 shows the relationship between the estimated temperature due to heat generation of the MR element and the sense current. This figure is calculated assuming that the resistance of the MR element at room temperature is 8Ω. The dimensions of the MR element at this time are 20 nm in thickness, width, and length, respectively.
(2 layers) × 3.75 μm × 11 μm.

【0038】MR素子の断線は(斜線で示す領域)、セ
ンス電流が40〜45mAで起こるが、実際にはMR素
子の膜劣化のため、35mAまでセンス電流は制限され
る。
The disconnection of the MR element (shaded area) occurs at a sense current of 40 to 45 mA, but the sense current is actually limited to 35 mA due to film deterioration of the MR element.

【0039】また、図5には、連続通電によるMRヘッ
ドの推定寿命を示す。この表から、使用電流Is=15
mAによる連続通電時の推定寿命は、約2万時間(2
年)と推定される。この図から、ヘッド寿命を延ばすに
は、使用電流を下げるか放熱の効率を上げるしかない。
Further, FIG. 5 shows the estimated life of the MR head with continuous energization. From this table, the used current Is = 15
The estimated life when continuously energized with mA is approximately 20,000 hours (2
Year). From this figure, the only way to extend the life of the head is to reduce the current used or increase the efficiency of heat dissipation.

【0040】ここで、バイアス導体に設けた電子冷却素
子として負極にSbを正極にBiを用いた場合の熱量を
求めてみる。MR素子の抵抗Rmrを8Ω、ペルチェ係
数πを+448mV、電子冷却素子の吸熱効率を50%
とすると、MR素子と電子冷却素子の熱量の差ΔQは、
次式(3)で表される。
Here, the amount of heat when Sb is used for the negative electrode and Bi is used for the positive electrode as the electronic cooling element provided on the bias conductor will be calculated. The resistance Rmr of the MR element is 8Ω, the Peltier coefficient π is +448 mV, and the heat absorption efficiency of the electronic cooling element is 50%.
Then, the difference ΔQ in the amount of heat between the MR element and the electronic cooling element is
It is expressed by the following equation (3).

【0041】 ΔQ=Qmr−Qp =Rmr×Is2 −0.5×π×Is =8Is2 −0.5×0.448Is ・・・・(3)式 この(3)式を仮想ΔQとし図6に示す。図6は、電子
冷却素子として正極にSb、負極にBiを用いたときの
データである。MR素子の膜劣化が起こる温度は、約2
80度、センス電流は35mAとする。このときのMR
素子の発熱量Qmrは、Qmr=8×0.0352
9.8(mW)となる。
ΔQ = Qmr−Qp = Rmr × Is 2 −0.5 × π × Is = 8Is 2 −0.5 × 0.448Is (3) Equation (3) is a virtual ΔQ 6 shows. FIG. 6 shows data when Sb is used for the positive electrode and Bi is used for the negative electrode as the electronic cooling element. The temperature at which the film deterioration of the MR element occurs is about 2
The current is 80 degrees and the sense current is 35 mA. MR at this time
Calorific QMR of elements, Qmr = 8 × 0.035 2 =
It becomes 9.8 (mW).

【0042】(3)式においてΔQ=9.8mWになる
には、電子冷却素子を設けた場合、Is=50mAまで
流すことができる。また、センス電流30mAまでは、
発熱量も低く抑えられている。したがって、素子寿命の
延長も期待できる。
In order to obtain ΔQ = 9.8 mW in the equation (3), it is possible to flow up to Is = 50 mA when an electronic cooling element is provided. Also, up to a sense current of 30 mA,
The calorific value is also kept low. Therefore, the life of the device can be expected to be extended.

【0043】また、動作させたい使用電流領域は、ペル
チェ係数の違う材料を用いて変えることができる。例え
ば、電子冷却素子として負極にCu、正極にコンスタン
タンを用い、π=0.102mVとしたときのΔQを図
7に示す。かかる電子冷却素子を用いた場合には、ΔQ
=9.8mWになるには、Is=37.5mA程度まで
流すことができる。
The operating current region to be operated can be changed by using materials having different Peltier coefficients. For example, FIG. 7 shows ΔQ when Cu is used for the negative electrode and Constantan is used for the positive electrode as the electronic cooling element, and π = 0.102 mV. When such an electronic cooling element is used, ΔQ
To reach 9.8 mW, Is can flow up to about 37.5 mA.

【0044】実施例2 この実施例は、図8に示すように、MR素子6を含む電
気回路とバイアス導体7を並列に接続したもので、その
バイアス導体7に電子冷却素子12を設けた例である。
その他の構成は、実施例1と同じである。
Embodiment 2 In this embodiment, as shown in FIG. 8, an electric circuit including the MR element 6 and a bias conductor 7 are connected in parallel, and an electronic cooling element 12 is provided on the bias conductor 7. Is.
Other configurations are the same as those in the first embodiment.

【0045】この実施例のMRヘッドにおいても、実施
例1のMRヘッドと同様に、バイアス導体7に流す電流
によって電子冷却素子12が吸熱現象を起こし、MR素
子6で発生する熱を吸収するようになっている。したが
って、MR素子6へのセンス電流の増加が図れ、再生出
力を大きくとることができる。
In the MR head of this embodiment as well, as in the MR head of the first embodiment, the electronic cooling element 12 causes an endothermic phenomenon due to the current flowing through the bias conductor 7 and absorbs the heat generated in the MR element 6. It has become. Therefore, the sense current to the MR element 6 can be increased, and the reproduction output can be increased.

【0046】実施例3 この実施例では、先端電極に電子冷却素子を用いた例で
ある。
Example 3 In this example, an electronic cooling element is used for the tip electrode.

【0047】本実施例のMRヘッドにおいては、図9に
示すように、実施例1の縦型MRヘッドにおける先端電
極部分に電子冷却素子12を設けた構造とされている。
なお、実施例1のMRヘッドと同一の部材については、
同一の符号を付するものとし、その説明は省略する。
As shown in FIG. 9, the MR head of the present embodiment has a structure in which the electronic cooling element 12 is provided at the tip electrode portion of the vertical MR head of the first embodiment.
Regarding the same members as the MR head of Example 1,
The same reference numerals are given and the description thereof is omitted.

【0048】すなわち、ABS面8に一側縁が臨むよう
にして、MR素子6の先端部に下地膜14を介してペル
チェ効果を示す第1の金属膜12aと第2の金属膜12
bが順次積層された電子冷却素子12が設けられてい
る。
That is, the first metal film 12a and the second metal film 12 exhibiting the Peltier effect at the tip of the MR element 6 via the base film 14 so that one side edge faces the ABS surface 8.
An electronic cooling element 12 in which b is sequentially stacked is provided.

【0049】電子冷却素子12には、前記した表1に示
す例1〜例6までに挙げるものがいずれも使用できる。
この例では、第1の金属膜12aとしてCu、第2の金
属膜12bとしてコンスタンタンを使用した。この電子
冷却素子12の下に設けられる下地膜14は、第1の金
属膜12aとMR素子6との密着性を確保すると共に、
磁気特性を下げないために設けられる。
As the electronic cooling element 12, any one of the examples 1 to 6 shown in Table 1 can be used.
In this example, Cu is used as the first metal film 12a and Constantan is used as the second metal film 12b. The base film 14 provided under the electronic cooling element 12 ensures the adhesion between the first metal film 12a and the MR element 6, and
It is provided so as not to deteriorate the magnetic characteristics.

【0050】なお、この下地膜14と第1の金属膜12
a、第2の金属膜12bが先端電極として機能すること
になる。
The base film 14 and the first metal film 12 are
The a and the second metal film 12b function as a tip electrode.

【0051】かかる構成のMRヘッドでは、後端電極5
側よりMR素子6へと流れるセンス電流Isにより、電
子冷却素子12が吸熱現象を起こし、MR素子6で発生
する熱を吸収するようになっている。その結果、MR素
子6へのセンス電流の増加が図れ、再生出力を大きく確
保できる。
In the MR head having such a structure, the rear end electrode 5
The electronic cooling element 12 causes a heat absorption phenomenon by the sense current Is flowing from the side to the MR element 6, and absorbs the heat generated in the MR element 6. As a result, the sense current to the MR element 6 can be increased, and a large reproduction output can be secured.

【0052】また、このMRヘッドでは、電子冷却素子
12に電流を流すことのできる構成であれば、MR素子
6を含む電気回路とバイアス導体7を直列または並列に
したもののいずれにも適用できる。さらに、この実施例
3のMRヘッドの構成に加えて、バイアス導体に電子冷
却素子を設けるようにしてもよい。
Further, this MR head can be applied to any one in which the electric circuit including the MR element 6 and the bias conductor 7 are connected in series or in parallel as long as the electric current can be passed through the electronic cooling element 12. Further, in addition to the structure of the MR head of the third embodiment, an electronic cooling element may be provided on the bias conductor.

【0053】実施例4 この実施例では、後端電極に電子冷却素子を設けた例で
ある。
Embodiment 4 In this embodiment, an electronic cooling element is provided on the rear end electrode.

【0054】本実施例のMRヘッドにおいては、図10
に示すように、実施例1の縦型MRヘッドにおける後端
電極部分に電子冷却素子12を用いた構造とされてい
る。なお、実施例1のMRヘッドと同一の部材について
は、同一の符号を付するものとし、その説明は省略す
る。
In the MR head of this embodiment, FIG.
As shown in FIG. 5, the vertical MR head of Example 1 has a structure in which the electronic cooling element 12 is used in the rear end electrode portion. The same members as those of the MR head of the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

【0055】すなわち、MR素子6と後端電極5の間に
電子冷却素子12が設けられた構成とされている。電子
冷却素子12は、実施例1で説明したように図3に示す
第1の金属膜12aと第2の金属膜12bを接触するよ
うに形成した構成であり、その金属膜の組み合わせも表
1に挙げられるものが使用される。
That is, the electronic cooling element 12 is provided between the MR element 6 and the rear end electrode 5. The electronic cooling element 12 has a configuration in which the first metal film 12a and the second metal film 12b shown in FIG. 3 are formed in contact with each other as described in Embodiment 1, and the combination of the metal films is also shown in Table 1. The ones listed in are used.

【0056】通常、後端電極5にはCuが用いられるこ
とから、MR素子6と後端電極5との間には、このCu
との組み合わせによりペルチェ効果を示す金属膜を設け
ることで、電子冷却素子12が形成されることになる。
Since Cu is usually used for the rear end electrode 5, the Cu is not provided between the MR element 6 and the rear end electrode 5.
By providing a metal film exhibiting a Peltier effect in combination with, the electronic cooling element 12 is formed.

【0057】このような構成としたMRヘッドでは、後
端電極5側よりMR素子6へと流れるセンス電流Isに
より、電子冷却素子12が吸熱現象を起こし、MR素子
6で発生する熱を効率良く吸収する。その結果、MR素
子6へのセンス電流の増加が図れ、再生出力を大きくと
ることができる。
In the MR head having such a structure, the sense current Is flowing from the rear end electrode 5 side to the MR element 6 causes the thermoelectric cooling element 12 to absorb heat, and the heat generated in the MR element 6 is efficiently generated. Absorb. As a result, the sense current to the MR element 6 can be increased and the reproduction output can be increased.

【0058】また、このMRヘッドでは、電子冷却素子
12に電流を流すことのできる構成であれば、MR素子
6を含む電気回路とバイアス導体7を直列または並列に
したもののいずれにも適用できる。さらに、この実施例
4のMRヘッドの構成に加えて、バイアス導体に電子冷
却素子を設けるようにしてもよい。
Further, this MR head can be applied to any one in which the electric circuit including the MR element 6 and the bias conductor 7 are connected in series or in parallel as long as the electric current can be passed through the electronic cooling element 12. Further, in addition to the structure of the MR head of the fourth embodiment, an electronic cooling element may be provided on the bias conductor.

【0059】実施例5 この実施例では、先端電極と後端電極の両方に電子冷却
素子を設けた例である。
Embodiment 5 This embodiment is an example in which electronic cooling elements are provided on both the front electrode and the rear electrode.

【0060】本実施例のMRヘッドにおいては、図11
に示すように、実施例3のMRヘッドと実施例4のMR
ヘッドを組み合わせたもので、実施例3のMRヘッドの
後端電極に電子冷却素子12を使用した構造とされてい
る。なお、実施例3のMRヘッドと同一の部材について
は、同一の符号を付するものとし、その説明は省略す
る。
FIG. 11 shows the MR head of this embodiment.
As shown in FIG. 5, the MR head of Example 3 and the MR head of Example 4
This is a combination of heads and has a structure in which the electronic cooling element 12 is used for the rear end electrode of the MR head of the third embodiment. The same members as those of the MR head of the third embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

【0061】すなわち、このMRヘッドでは、先端電極
と後端電極の両方に電子冷却素子12を設けた構造とさ
れている。電子冷却素子12には、表1に挙げられるも
のが使用される。このように、先端電極と後端電極の両
方に電子冷却素子12を設けた場合、MR素子6で発生
する熱がこれら電子冷却素子12によってその前後より
吸収されるので、より効率良く冷却することができる。
それによって、MR素子6へのセンス電流の増加が図
れ、再生出力をより一層大きくとることができる。
That is, this MR head has a structure in which the electronic cooling elements 12 are provided on both the front electrode and the rear electrode. As the electronic cooling element 12, those listed in Table 1 are used. As described above, when the electronic cooling elements 12 are provided on both the front electrode and the rear electrode, the heat generated by the MR element 6 is absorbed by the electronic cooling elements 12 before and after the cooling, so that the cooling can be performed more efficiently. You can
Thereby, the sense current to the MR element 6 can be increased, and the reproduction output can be further increased.

【0062】また、このMRヘッドにおいても、MR素
子6を含む電気回路とバイアス導体7を直列または並列
にしたもののいずれにも適用できる。
Also, this MR head can be applied to either an electric circuit including the MR element 6 and the bias conductor 7 connected in series or in parallel.

【0063】実施例6 この実施例では、先端電極と後端電極の両方に電子冷却
素子を用いると共に、バイアス導体にも電子冷却素子を
用いた例である。
Embodiment 6 This embodiment is an example in which electronic cooling elements are used for both the front electrode and the rear electrode, and electronic cooling elements are also used for the bias conductor.

【0064】本実施例のMRヘッドにおいては、実施例
5のMRヘッドに加え、バイアス導体7に電子冷却素子
12を設けた構造とされている。先端電極と後端電極の
両方に電子冷却素子12を用いた構造に加えて、バイア
ス導体7にも電子冷却素子12を設けた構造とすると、
実施例5のMRヘッドよりもさらにMR素子6で発生す
る熱をより効率良く吸収することができ、さらなる再生
出力の向上が期待できる。また、このMRヘッドにおい
ても、MR素子6を含む電気回路とバイアス導体7を直
列または並列にしたもののいずれにも適用できる。
The MR head of the present embodiment has a structure in which the electronic cooling element 12 is provided on the bias conductor 7 in addition to the MR head of the fifth embodiment. In addition to the structure in which the electronic cooling element 12 is used for both the front electrode and the rear electrode, the electronic cooling element 12 is also provided in the bias conductor 7,
The heat generated in the MR element 6 can be absorbed more efficiently than in the MR head of the fifth embodiment, and further improvement of the reproduction output can be expected. Also, this MR head can be applied to either an electric circuit including the MR element 6 and the bias conductor 7 connected in series or in parallel.

【0065】図12には、実施例3のMRヘッド、実施
例5のMRヘッド、実施例6のMRヘッドにおける仮想
ΔQの計算結果に基づく特性図を示す。吸熱の効率は全
ての場合で50%とする。この結果から明らかなよう
に、電子冷却素子を先端電極だけでなく、後端電極にも
使用したものの方がより良い結果が得られていることが
わかる。そして、先端電極と後端電極に加えバイアス導
体にも電子冷却素子を使用した場合には、より一層優れ
た結果が得られていることがわかる。
FIG. 12 is a characteristic diagram based on the calculation results of the virtual ΔQ in the MR head of the third embodiment, the MR head of the fifth embodiment, and the MR head of the sixth embodiment. The heat absorption efficiency is 50% in all cases. As is clear from this result, better results are obtained when the electronic cooling element is used not only for the front electrode but also for the rear electrode. It can be seen that even better results are obtained when the electronic cooling element is used for the bias conductor in addition to the front end electrode and the rear end electrode.

【0066】実施例7 この実施例では、MR素子をABS面に対してその長手
方向が平行となるように配すると共に、先端側の一側縁
がABS面に臨むようになされた,いわゆる横型MRヘ
ッドの例である。
Embodiment 7 In this embodiment, the so-called horizontal type, in which the MR element is arranged so that its longitudinal direction is parallel to the ABS surface, and one side edge on the front end side faces the ABS surface, It is an example of an MR head.

【0067】本実施例のMRヘッドは、図13に示すよ
うに、先端側の一側縁がABS面に臨むようにして、そ
の長手方向がABS面に対して平行となるように配され
たMR素子6と、このMR素子6の長手方向における両
端部に積層され、ABS面に対して垂直方向に該ABS
面より後方に引き出される一対の電極と、この電極に設
けられる電子冷却素子12とから構成されている。
In the MR head of this embodiment, as shown in FIG. 13, the MR element is arranged so that one longitudinal edge of the MR head faces the ABS surface and its longitudinal direction is parallel to the ABS surface. 6 and the MR element 6 are laminated on both ends in the longitudinal direction of the MR element 6, and
It is composed of a pair of electrodes that are drawn out rearward of the surface and an electronic cooling element 12 provided on the electrodes.

【0068】MR素子6としては、例えばパーマロイか
らなる薄膜素子が使用される。このMR素子6の下に
は、Ti,Ta,Cr等からなる非磁性膜15とMR素
子6の磁化の方向を安定化させるSAL膜16が設けら
れる。
As the MR element 6, for example, a thin film element made of permalloy is used. Below the MR element 6, a non-magnetic film 15 made of Ti, Ta, Cr or the like and a SAL film 16 for stabilizing the magnetization direction of the MR element 6 are provided.

【0069】電子冷却素子12は、ペルチェ効果を示す
第1の金属膜12aと第2の金属膜12bとからなる。
これら第1の金属膜12aと第2の金属膜12bの組み
合わせとしては、前述した表1に示す例1〜例6のもの
がいずれも適用できる。この実施例では、図面に向かっ
て左側の第1の金属膜12aにはBi、右側の第1の金
属膜12bにはFe、第2の金属膜12bには左右共に
Cuを用いた。
The electronic cooling element 12 is composed of a first metal film 12a and a second metal film 12b exhibiting a Peltier effect.
As the combination of the first metal film 12a and the second metal film 12b, any of the examples 1 to 6 shown in Table 1 described above can be applied. In this embodiment, Bi is used for the first metal film 12a on the left side of the drawing, Fe is used for the first metal film 12b on the right side, and Cu is used for both the left and right sides of the second metal film 12b.

【0070】このCuよりなる第2の金属膜12bは、
電子冷却素子12としての機能の他に、電極としての導
体パターンとしても機能する。つまり、電子冷却素子1
2の一部が電極として作用する。
The second metal film 12b made of Cu is
In addition to the function as the electronic cooling element 12, it also functions as a conductor pattern as an electrode. That is, the electronic cooling element 1
Part of 2 acts as an electrode.

【0071】このように構成された横型MRヘッドで
は、一方の電極からセンス電流Isが流れるとMR素子
6を通して他方の電極へと流れるが、かかる電流が電子
冷却素子12を流れることで、第1の金属膜12aと第
2の金属膜12bの界面で吸熱現象が起こる。従って、
MR素子6で発生する熱が効率良く吸収され、該MR素
子6へのセンス電流の増加が図れ、再生出力を大きくと
ることができる。
In the lateral MR head having such a structure, when the sense current Is flows from one electrode, it flows through the MR element 6 to the other electrode. An endothermic phenomenon occurs at the interface between the metal film 12a and the second metal film 12b. Therefore,
The heat generated in the MR element 6 is efficiently absorbed, the sense current to the MR element 6 can be increased, and a large reproduction output can be obtained.

【0072】[0072]

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明のMRヘッドにおいては、ペルチェ効果を示す電子冷
却素子を先端電極、後端電極、バイアス導体のうち少な
くともいずれか一カ所に使用しているので、MR素子で
発生する熱をこの電子冷却素子によって吸収することが
でき、該MR素子へ通電するセンス電流を増加させるこ
とが可能となり、再生出力を向上させることができる。
As is clear from the above description, in the MR head of the present invention, the electronic cooling element exhibiting the Peltier effect is used at at least one of the front electrode, the rear electrode and the bias conductor. Therefore, the heat generated in the MR element can be absorbed by the electronic cooling element, the sense current supplied to the MR element can be increased, and the reproduction output can be improved.

【0073】また、MR素子の発熱を抑えられるので、
MR素子の熱劣化が防止され、連続通電寿命を延ばすこ
とができると共に、最大通電電流も大きくとることがで
きる。さらに、高温雰囲気での耐熱性が向上するので、
信頼性も高まる。
Further, since the heat generation of the MR element can be suppressed,
The thermal deterioration of the MR element can be prevented, the continuous energization life can be extended, and the maximum energization current can be increased. Furthermore, since the heat resistance in a high temperature atmosphere is improved,
Reliability also increases.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施例1のMRヘッドの概略的な平面図であ
る。
FIG. 1 is a schematic plan view of an MR head of Example 1. FIG.

【図2】実施例1のMRヘッドの断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the MR head of Example 1.

【図3】バイアス導体に電子冷却素子を設けた状態を示
す要部拡大斜視図である。
FIG. 3 is an enlarged perspective view of an essential part showing a state where an electronic cooling element is provided on a bias conductor.

【図4】MR素子の発熱による推定温度とセンス電流の
関係を示す特性図である。
FIG. 4 is a characteristic diagram showing a relationship between an estimated temperature due to heat generation of the MR element and a sense current.

【図5】連続通電によるMRヘッドの推定寿命を示す特
性図である。
FIG. 5 is a characteristic diagram showing an estimated life of an MR head with continuous energization.

【図6】電子冷却素子としてSbとBiを用いたときの
発熱と吸熱の差に対するセンス電流依存性を示す特性図
である。
FIG. 6 is a characteristic diagram showing the sense current dependency on the difference between heat generation and heat absorption when Sb and Bi are used as the electronic cooling element.

【図7】電子冷却素子としてCuとコンスタンタンを用
いたときの発熱と吸熱の差に対するセンス電流依存性を
示す特性図である。
FIG. 7 is a characteristic diagram showing the sense current dependency on the difference between heat generation and heat absorption when Cu and constantan are used as the electronic cooling element.

【図8】実施例2のMRヘッドの概略的な平面図であ
る。
FIG. 8 is a schematic plan view of an MR head of Example 2.

【図9】実施例3のMRヘッドの断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of an MR head of Example 3.

【図10】実施例4のMRヘッドの断面図である。FIG. 10 is a sectional view of an MR head of Example 4.

【図11】実施例5のMRヘッドの断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of an MR head of Example 5.

【図12】実施例3、実施例5、実施例6のMRヘッド
における発熱と吸熱の差に対するセンス電流依存性を示
す特性図である。
FIG. 12 is a characteristic diagram showing the sense current dependency on the difference between heat generation and heat absorption in the MR heads of Example 3, Example 5, and Example 6.

【図13】実施例7のMRヘッドの断面図である。FIG. 13 is a sectional view of an MR head of Example 7.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 スライダー 2 下部シールド磁性体 3 上部シールド磁性体 4 先端電極 5 後端電極 6 MR素子 7 バイアス導体 8 ABS面 12 電子冷却素子 12a 第1の金属膜 12b 第2の金属膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 slider 2 lower shield magnetic body 3 upper shield magnetic body 4 front electrode 5 rear electrode 6 MR element 7 bias conductor 8 ABS surface 12 electronic cooling element 12a first metal film 12b second metal film

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ペルチェ効果を示す電子冷却素子を有し
たことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
1. A magnetoresistive magnetic head having an electronic cooling element exhibiting a Peltier effect.
【請求項2】 バイアス導体に電流を流してバイアス磁
界を磁気抵抗効果素子に印加するようにした磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいて、 上記磁気抵抗効果素子を含む電気回路と、ペルチェ効果
を示す電子冷却素子を設けたバイアス導体を直列に接続
したことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
2. A magnetoresistive effect magnetic head in which an electric current is applied to a bias conductor to apply a bias magnetic field to the magnetoresistive effect element, wherein an electric circuit including the magnetoresistive effect element and electronic cooling exhibiting a Peltier effect are provided. A magnetoresistive effect magnetic head characterized in that bias conductors provided with elements are connected in series.
【請求項3】 バイアス導体に電流を流してバイアス磁
界を磁気抵抗効果素子に印加するようにした磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいて、 上記磁気抵抗効果素子を含む電気回路と、ペルチェ効果
を示す電子冷却素子を設けたバイアス導体を並列に接続
したことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
3. A magnetoresistive effect type magnetic head in which a bias magnetic field is applied to a magnetoresistive effect element by applying a current to a bias conductor, and an electric circuit including the magnetoresistive effect element and electronic cooling exhibiting a Peltier effect. A magnetoresistive effect magnetic head characterized in that bias conductors provided with elements are connected in parallel.
【請求項4】 磁気記録媒体との対向面に対して長手方
向が垂直となるように配されると共に、その先端側の一
側縁が媒体対向面に臨むようになされた磁気抵抗効果素
子と、 上記磁気抵抗効果素子の先端側に積層され、その先端側
の一側縁が媒体対向面に臨む先端電極と、 上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電極
と、 上記先端電極と後端電極が積層された磁気抵抗効果素子
を膜厚方向から挟み込む一対のシールド磁性体と、 電流の通電により発生するバイアス磁界を磁気抵抗効果
素子に印加するバイアス導体とを備えてなり、 上記先端電極にペルチェ効果を示す電子冷却素子を用い
たことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
4. A magnetoresistive element which is arranged such that its longitudinal direction is perpendicular to the surface facing the magnetic recording medium, and one side edge of the front end faces the medium facing surface. A tip electrode laminated on the tip side of the magnetoresistive effect element, one edge of which is on the tip end side facing the medium facing surface; a rear end electrode laminated on the rear end side of the magnetoresistive effect element; A pair of shield magnetic bodies sandwiching the magnetoresistive effect element in which the electrode and the rear end electrode are laminated from the film thickness direction, and a bias conductor for applying a bias magnetic field generated by energization of current to the magnetoresistive effect element, A magnetoresistive effect magnetic head, characterized in that an electronic cooling element exhibiting a Peltier effect is used for the tip electrode.
【請求項5】 磁気記録媒体との対向面に対して長手方
向が垂直となるように配されると共に、その先端側の一
側縁が媒体対向面に臨むようになされた磁気抵抗効果素
子と、 上記磁気抵抗効果素子の先端側に積層され、その先端側
の一側縁が媒体対向面に臨む先端電極と、 上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電極
と、 上記先端電極と後端電極が積層された磁気抵抗効果素子
を膜厚方向から挟み込む一対のシールド磁性体と、 電流の通電により発生するバイアス磁界を磁気抵抗効果
素子に印加するバイアス導体とを備えてなり、 上記後端電極にペルチェ効果を示す電子冷却素子を用い
たことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
5. A magnetoresistive effect element which is arranged such that its longitudinal direction is perpendicular to a surface facing a magnetic recording medium, and one side edge of the tip side faces the medium facing surface. A tip electrode laminated on the tip side of the magnetoresistive effect element, one edge of which is on the tip end side facing the medium facing surface; a rear end electrode laminated on the rear end side of the magnetoresistive effect element; A pair of shield magnetic bodies sandwiching the magnetoresistive effect element in which the electrode and the rear end electrode are laminated from the film thickness direction, and a bias conductor for applying a bias magnetic field generated by energization of current to the magnetoresistive effect element, A magnetoresistive effect type magnetic head characterized in that an electronic cooling element exhibiting a Peltier effect is used for the rear end electrode.
【請求項6】 磁気記録媒体との対向面に対して長手方
向が垂直となるように配されると共に、その先端側の一
側縁が媒体対向面に臨むようになされた磁気抵抗効果素
子と、 上記磁気抵抗効果素子の先端側に積層され、その先端側
の一側縁が媒体対向面に臨む先端電極と、 上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電極
と、 上記先端電極と後端電極が積層された磁気抵抗効果素子
を膜厚方向から挟み込む一対のシールド磁性体と、 電流の通電により発生するバイアス磁界を磁気抵抗効果
素子に印加するバイアス導体とを備えてなり、 上記先端電極と後端電極にペルチェ効果を示す電子冷却
素子を用いたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。
6. A magnetoresistive effect element which is arranged such that its longitudinal direction is perpendicular to a surface facing a magnetic recording medium, and one side edge of the tip side thereof faces the medium facing surface. A tip electrode laminated on the tip side of the magnetoresistive effect element, one edge of which is on the tip end side facing the medium facing surface; a rear end electrode laminated on the rear end side of the magnetoresistive effect element; A pair of shield magnetic bodies sandwiching the magnetoresistive effect element in which the electrode and the rear end electrode are laminated from the film thickness direction, and a bias conductor for applying a bias magnetic field generated by energization of current to the magnetoresistive effect element, A magnetoresistive effect type magnetic head, characterized in that an electronic cooling element exhibiting a Peltier effect is used for the front electrode and the rear electrode.
【請求項7】 磁気記録媒体との対向面に対して長手方
向が平行となるように配されると共に、先端側の一側縁
が媒体対向面に臨むようになされた磁気抵抗効果素子
と、 上記磁気抵抗効果素子の長手方向における両端部に積層
され、媒体対向面に対して垂直方向に該媒体対向面より
後方に引き出される一対の電極とを備えてなり、 上記両電極にペルチェ効果を示す電子冷却素子を用いた
ことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
7. A magnetoresistive effect element, which is arranged such that its longitudinal direction is parallel to a surface facing a magnetic recording medium, and one side edge of the front end faces the medium facing surface. The magnetoresistive effect element is provided with a pair of electrodes laminated on both ends in the longitudinal direction of the magnetoresistive element and extending rearward from the medium facing surface in a direction perpendicular to the medium facing surface, and exhibits a Peltier effect on both electrodes. A magnetoresistive effect magnetic head using an electronic cooling element.
【請求項8】 磁気抵抗効果素子を含む電気回路と、ペ
ルチェ効果を示す電子冷却素子を設けたバイアス導体を
直列に接続したことを特徴とする請求項4記載の磁気抵
抗効果型磁気ヘッド。
8. The magnetoresistive effect magnetic head according to claim 4, wherein an electric circuit including the magnetoresistive effect element and a bias conductor provided with an electronic cooling element exhibiting a Peltier effect are connected in series.
【請求項9】 磁気抵抗効果素子を含む電気回路と、ペ
ルチェ効果を示す電子冷却素子を設けたバイアス導体を
直列に接続したことを特徴とする請求項5記載の磁気抵
抗効果型磁気ヘッド。
9. A magnetoresistive effect type magnetic head according to claim 5, wherein an electric circuit including the magnetoresistive effect element and a bias conductor provided with an electronic cooling element exhibiting a Peltier effect are connected in series.
【請求項10】 磁気抵抗効果素子を含む電気回路と、
ペルチェ効果を示す電子冷却素子を設けたバイアス導体
を直列に接続したことを特徴とする請求項6記載の磁気
抵抗効果型磁気ヘッド。
10. An electric circuit including a magnetoresistive effect element,
7. A magnetoresistive effect type magnetic head according to claim 6, wherein bias conductors provided with an electronic cooling element exhibiting a Peltier effect are connected in series.
【請求項11】 磁気抵抗効果素子を含む電気回路と、
ペルチェ効果を示す電子冷却素子を設けたバイアス導体
を並列に接続したことを特徴とする請求項4記載の磁気
抵抗効果型磁気ヘッド。
11. An electric circuit including a magnetoresistive effect element,
5. A magnetoresistive effect type magnetic head according to claim 4, wherein bias conductors provided with an electronic cooling element exhibiting a Peltier effect are connected in parallel.
【請求項12】 磁気抵抗効果素子を含む電気回路と、
ペルチェ効果を示す電子冷却素子を設けたバイアス導体
を並列に接続したことを特徴とする請求項5記載の磁気
抵抗効果型磁気ヘッド。
12. An electric circuit including a magnetoresistive effect element,
6. A magnetoresistive effect type magnetic head according to claim 5, wherein bias conductors provided with an electronic cooling element exhibiting a Peltier effect are connected in parallel.
【請求項13】 磁気抵抗効果素子を含む電気回路と、
ペルチェ効果を示す電子冷却素子を設けたバイアス導体
を並列に接続したことを特徴とする請求項6記載の磁気
抵抗効果型磁気ヘッド。
13. An electric circuit including a magnetoresistive effect element,
7. The magnetoresistive effect type magnetic head according to claim 6, wherein bias conductors provided with an electronic cooling element exhibiting a Peltier effect are connected in parallel.
JP17846994A 1994-07-29 1994-07-29 Magneto-resistive magnetic head Withdrawn JPH0845026A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17846994A JPH0845026A (en) 1994-07-29 1994-07-29 Magneto-resistive magnetic head

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17846994A JPH0845026A (en) 1994-07-29 1994-07-29 Magneto-resistive magnetic head

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0845026A true JPH0845026A (en) 1996-02-16

Family

ID=16049057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17846994A Withdrawn JPH0845026A (en) 1994-07-29 1994-07-29 Magneto-resistive magnetic head

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0845026A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004051762A1 (en) * 2002-12-03 2004-06-17 Fujitsu Limited Electromagnetic conversion element and ccp structure magnetoresistance effect element
US6987650B2 (en) * 2003-05-22 2006-01-17 Headway Technologies, Inc. Device with thermoelectric cooling
WO2009004521A3 (en) * 2007-07-02 2009-10-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Thermally stabilized pet detector for hybrid pet-mr system
US7869154B2 (en) 2008-03-17 2011-01-11 Hitachi Maxell, Ltd. Magnetic tape driving apparatus

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004051762A1 (en) * 2002-12-03 2004-06-17 Fujitsu Limited Electromagnetic conversion element and ccp structure magnetoresistance effect element
US6987650B2 (en) * 2003-05-22 2006-01-17 Headway Technologies, Inc. Device with thermoelectric cooling
WO2009004521A3 (en) * 2007-07-02 2009-10-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Thermally stabilized pet detector for hybrid pet-mr system
US8378677B2 (en) 2007-07-02 2013-02-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Thermally stabilized pet detector for hybrid PET-MR system
US7869154B2 (en) 2008-03-17 2011-01-11 Hitachi Maxell, Ltd. Magnetic tape driving apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008152834A (en) Thin-film magnetic head
JP3130811B2 (en) Magnetoresistive thin film magnetic head
JPH0845026A (en) Magneto-resistive magnetic head
JPH07192227A (en) Magneto-resistance effect type magnetic head
US5661620A (en) Magneto-resistance effect magnetic head
JP3186132B2 (en) Magnetoresistive magnetic head
JPWO2004051762A1 (en) Electromagnetic conversion element and CPP structure magnetoresistive effect element
JPH07201021A (en) Composite magnetic head
JPH0375929B2 (en)
JPH07307010A (en) Magneto-resistive head
JP2002359414A (en) Huge magnetoresistive effect element
JP2982841B2 (en) Composite type thin film magnetic head
JPH0554340A (en) Composite magnetic head
JP4066839B2 (en) Thermally assisted magnetic recording head and thermally assisted magnetic recording apparatus
JP3367161B2 (en) Method of manufacturing magnetoresistive head
JPH0830925A (en) Magneto-resistance effect type thin-film magnetic head
JP3340781B2 (en) Magnetoresistive head
JP2002367118A (en) Magnetic head and magnetic recording/reproducing device using the same
JPH07210826A (en) Magnetoresistance effect magnetic head
JPH06195647A (en) Magneto-resistance effect type thin film magnetic head
JP2000090417A (en) Thin-film magnetic head
JPH0554341A (en) Composite magnetic head
JPH06150258A (en) Magnetoresistance effect-type thin-film head
JPH0572642B2 (en)
JPH05101342A (en) Magneto-resistance effect type head

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20011002