JPH0843229A - 圧力測定装置 - Google Patents
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- JPH0843229A JPH0843229A JP18135894A JP18135894A JPH0843229A JP H0843229 A JPH0843229 A JP H0843229A JP 18135894 A JP18135894 A JP 18135894A JP 18135894 A JP18135894 A JP 18135894A JP H0843229 A JPH0843229 A JP H0843229A
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- insulating film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイヤフラムとカバー間で電気回路を形成せ
ず、ダイヤフラムの電気化学的な腐食を防止する。 【構成】 シールダイヤフラム６を保護するカバー２０
の内面に絶縁膜３２を形成し、シールダイヤフラム６と
カバー２０とを電気的に絶縁する。シールダイヤフラム
６とカバー２０を電気的に絶縁すると、その電位差に起
因する電気回路が形成されず、電気回路が形成されなけ
れば、被測定流体がシールダイヤフラム６に直接接触し
ても、局部電池は形成されず、シールダイヤフラム６の
電気化学的な腐食を防止することができる。
ず、ダイヤフラムの電気化学的な腐食を防止する。 【構成】 シールダイヤフラム６を保護するカバー２０
の内面に絶縁膜３２を形成し、シールダイヤフラム６と
カバー２０とを電気的に絶縁する。シールダイヤフラム
６とカバー２０を電気的に絶縁すると、その電位差に起
因する電気回路が形成されず、電気回路が形成されなけ
れば、被測定流体がシールダイヤフラム６に直接接触し
ても、局部電池は形成されず、シールダイヤフラム６の
電気化学的な腐食を防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はダイヤフラムの変位によ
って差圧、圧力等を測定する圧力測定装置に関し、特に
局部電池の形成によるダイヤフラムのガルバニック腐食
を防止し得るようにした圧力測定装置に関するものであ
る。
って差圧、圧力等を測定する圧力測定装置に関し、特に
局部電池の形成によるダイヤフラムのガルバニック腐食
を防止し得るようにした圧力測定装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】この種の圧力測定装置の代表的なものと
しては、２点間の差圧を測定してプロセス制御流体の圧
力を測定する差圧・圧力発信器が知られている。この種
の差圧・圧力発信器は一般に高圧側および低圧側のシー
ルダイヤフラムに各プロセス流体圧を与え、検出器ボデ
ィ内における封入液の移動を封入回路を仕切って設けた
半導体圧力センサの歪みにより電気的な出力として取り
出すように構成されている（例：実公昭５９−３０４４
４号等）。
しては、２点間の差圧を測定してプロセス制御流体の圧
力を測定する差圧・圧力発信器が知られている。この種
の差圧・圧力発信器は一般に高圧側および低圧側のシー
ルダイヤフラムに各プロセス流体圧を与え、検出器ボデ
ィ内における封入液の移動を封入回路を仕切って設けた
半導体圧力センサの歪みにより電気的な出力として取り
出すように構成されている（例：実公昭５９−３０４４
４号等）。
【０００３】図２はかかる差圧・圧力発信器の従来例を
示すもので、これを概略説明すると、１は高圧側ボディ
２と低圧側ボディ３を電子ビーム等によって一体的に接
合して形成された円板状の検出器ボディ、４は検出器ボ
ディ１の溶接部、５，６は検出器ボディ１の高圧，低圧
側の各受圧側面７，８に周縁部を溶接固定されて配設さ
れたシールダイヤフラムである。シールダイヤフラム
５，６の素材としては、耐食性が要求される場合、タン
タル、チタン、ステンレス鋼、Ｎｉ基合金等によって皿
状に形成され、受圧側面７，８に対向する中央部がこれ
ら受圧側面と同形の同心円状波形面を形成している。９
は検出器ボディ１の中央接合部に設けた内室１０を２つ
の室、すなわち高圧側ボディ内室１０Ａと低圧側ボディ
内室１０Ｂとに仕切るセンターダイヤフラム、１１は検
出器ボディ１の上部外周面に加工形成されたヘッダーカ
バー取付部１２に溶接固定されたヘッダーカバー、１３
はヘッダーカバー１１内に組み込まれた差圧測定用圧力
センサで、この圧力センサ１３の半導体ダイヤフラム１
４の表裏面にプロセス流体の高圧ＰH と、低圧ＰL を、
検出器ボディ１内の封入回路１５，１６に封入したシリ
コンオイル等の圧力伝達用封入液１７Ａ，１７Ｂを介し
てそれぞれ伝達するようにしている。封入回路１５，１
６にはリストリクタ１８が圧入固定されており、これに
よってプロセス流体の急激な圧力変動や脈動を抑制し、
前記ダイヤフラム５，６，９および圧力センサ１３を保
護している。なお、１９，２０は検出器ボディ１の各側
面に嵌合固定されシールダイヤフラム５，６を保護する
カバーである。
示すもので、これを概略説明すると、１は高圧側ボディ
２と低圧側ボディ３を電子ビーム等によって一体的に接
合して形成された円板状の検出器ボディ、４は検出器ボ
ディ１の溶接部、５，６は検出器ボディ１の高圧，低圧
側の各受圧側面７，８に周縁部を溶接固定されて配設さ
れたシールダイヤフラムである。シールダイヤフラム
５，６の素材としては、耐食性が要求される場合、タン
タル、チタン、ステンレス鋼、Ｎｉ基合金等によって皿
状に形成され、受圧側面７，８に対向する中央部がこれ
ら受圧側面と同形の同心円状波形面を形成している。９
は検出器ボディ１の中央接合部に設けた内室１０を２つ
の室、すなわち高圧側ボディ内室１０Ａと低圧側ボディ
内室１０Ｂとに仕切るセンターダイヤフラム、１１は検
出器ボディ１の上部外周面に加工形成されたヘッダーカ
バー取付部１２に溶接固定されたヘッダーカバー、１３
はヘッダーカバー１１内に組み込まれた差圧測定用圧力
センサで、この圧力センサ１３の半導体ダイヤフラム１
４の表裏面にプロセス流体の高圧ＰH と、低圧ＰL を、
検出器ボディ１内の封入回路１５，１６に封入したシリ
コンオイル等の圧力伝達用封入液１７Ａ，１７Ｂを介し
てそれぞれ伝達するようにしている。封入回路１５，１
６にはリストリクタ１８が圧入固定されており、これに
よってプロセス流体の急激な圧力変動や脈動を抑制し、
前記ダイヤフラム５，６，９および圧力センサ１３を保
護している。なお、１９，２０は検出器ボディ１の各側
面に嵌合固定されシールダイヤフラム５，６を保護する
カバーである。
【０００４】このような構成からなる差圧・圧力発信器
において、シールダイヤフラム５，６にプロセス流体の
高圧ＰH と、低圧ＰL をそれぞれ印加すると、この時の
差圧（ＰH −ＰL ）に応じてこれら両ダイヤフラム５，
６が変位し、その変位により封入液１７Ａ，１７Ｂが移
動してセンターダイヤフラム９を変位させ、さらにセン
ターダイヤフラム９の変位が封入液１７Ａ，１７Ｂを介
して圧力センサ１３の半導体ダイヤフラム１４に加えら
れる。したがって、半導体ダイヤフラム１４はその差圧
に応じて変形し、その変形量が電気信号に変換されて取
り出されることで差圧測定が行われる。
において、シールダイヤフラム５，６にプロセス流体の
高圧ＰH と、低圧ＰL をそれぞれ印加すると、この時の
差圧（ＰH −ＰL ）に応じてこれら両ダイヤフラム５，
６が変位し、その変位により封入液１７Ａ，１７Ｂが移
動してセンターダイヤフラム９を変位させ、さらにセン
ターダイヤフラム９の変位が封入液１７Ａ，１７Ｂを介
して圧力センサ１３の半導体ダイヤフラム１４に加えら
れる。したがって、半導体ダイヤフラム１４はその差圧
に応じて変形し、その変形量が電気信号に変換されて取
り出されることで差圧測定が行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した差
圧・圧力発信器において、被測定流体中に含まれている
水素原子の一部がシールダイヤフラム５，６の表面に吸
着すると、ダイヤフラムを拡散、透過して封入液１７
Ａ，１７Ｂ中に侵入する。この現象を水素透過という。
そして、封入液中に水素ガスとなって溜まると、封入液
１７Ａ，１７Ｂの圧力が変化するため、正確な差圧測定
ができなくなったり、水素脆性によってダイヤフラム
５，６自体が劣化し、測定不能になるという問題があっ
た。この水素透過において、シールダイヤフラム表面に
水素原子が吸着する過程には次の２つがある。 高温、高圧下において気体の水素分子はそのエネル
ギが高いためにダイヤフラム表面に解離、吸着する。 被制御流体が液体の場合、カバー１９，２０、被制
御流体の導圧管、配管、その他付属品に存在する亜鉛、
アルミニウム等がアノードとなり、シールダイヤフラム
がカソードとなって電池が形成され、ダイヤフラム表面
に水素原子が発生する。
圧・圧力発信器において、被測定流体中に含まれている
水素原子の一部がシールダイヤフラム５，６の表面に吸
着すると、ダイヤフラムを拡散、透過して封入液１７
Ａ，１７Ｂ中に侵入する。この現象を水素透過という。
そして、封入液中に水素ガスとなって溜まると、封入液
１７Ａ，１７Ｂの圧力が変化するため、正確な差圧測定
ができなくなったり、水素脆性によってダイヤフラム
５，６自体が劣化し、測定不能になるという問題があっ
た。この水素透過において、シールダイヤフラム表面に
水素原子が吸着する過程には次の２つがある。 高温、高圧下において気体の水素分子はそのエネル
ギが高いためにダイヤフラム表面に解離、吸着する。 被制御流体が液体の場合、カバー１９，２０、被制
御流体の導圧管、配管、その他付属品に存在する亜鉛、
アルミニウム等がアノードとなり、シールダイヤフラム
がカソードとなって電池が形成され、ダイヤフラム表面
に水素原子が発生する。
【０００６】水素原子の発生、封入液内への侵入、滞留
のメカニズムは、次のように推定される。すなわち、シ
ールダイヤフラム５，６の金属より検出器ボディ１、カ
バー１９，２０等の金属（ステンレス，炭素鋼，アルミ
ニウム等）の方が卑（イオン化傾向が大きい）である
と、次式で示すように検出器ボディ１やカバー１９，２
０の金属（Ｍ）が、被測定流体内に溶出して電子を放出
する。 Ｍ→Ｍ2 ＋２ｅ- ・・・・（１） 次いで、起こる反応は、次式に基づくものが主になる。 ２Ｈ+ ＋２ｅ- →２Ｈ ・・・・（２） したがって、シールダイヤフラム５，６側に上記式
（２）の反応が起これば、その表面に吸着した水素原子
Ｈは、その大部分が、次式に基づいて分子状の水素とな
り、水素ガスとなる。 ２Ｈ→Ｈ2 ・・・・（３） この水素ガスＨ2 は、分子の大きさからダイヤフラムを
透過することは不可能であるが、一部の水素原子Ｈは、
上式（２）における水素原子の状態のときにダイヤフラ
ム中を拡散、透過し、封入液中に侵入して水素ガスとな
る。
のメカニズムは、次のように推定される。すなわち、シ
ールダイヤフラム５，６の金属より検出器ボディ１、カ
バー１９，２０等の金属（ステンレス，炭素鋼，アルミ
ニウム等）の方が卑（イオン化傾向が大きい）である
と、次式で示すように検出器ボディ１やカバー１９，２
０の金属（Ｍ）が、被測定流体内に溶出して電子を放出
する。 Ｍ→Ｍ2 ＋２ｅ- ・・・・（１） 次いで、起こる反応は、次式に基づくものが主になる。 ２Ｈ+ ＋２ｅ- →２Ｈ ・・・・（２） したがって、シールダイヤフラム５，６側に上記式
（２）の反応が起これば、その表面に吸着した水素原子
Ｈは、その大部分が、次式に基づいて分子状の水素とな
り、水素ガスとなる。 ２Ｈ→Ｈ2 ・・・・（３） この水素ガスＨ2 は、分子の大きさからダイヤフラムを
透過することは不可能であるが、一部の水素原子Ｈは、
上式（２）における水素原子の状態のときにダイヤフラ
ム中を拡散、透過し、封入液中に侵入して水素ガスとな
る。
【０００７】そこで、このような水素原子Ｈの透過を防
止するために、従来はダイヤフラムの表面に金（Ａｕ）
をメッキ等によりコーティングしたり（実開昭６２−８
６５２８号公報）、あるいはまた金属層と絶縁層とで多
層コーティングする方法（特開平５−２０９８００号公
報）が提案されている。
止するために、従来はダイヤフラムの表面に金（Ａｕ）
をメッキ等によりコーティングしたり（実開昭６２−８
６５２８号公報）、あるいはまた金属層と絶縁層とで多
層コーティングする方法（特開平５−２０９８００号公
報）が提案されている。
【０００８】しかしながら、このような方法においても
以下に述べるような問題があった。ダイヤフラムにＡｕ
等をコーティングする方法は、Ａｕ自体が密度が小さく
イオントラップ機能を有し、吸着水素原子の拡散、透過
を防止する効果を有するが、上記による電気化学的な
現象が原因となる場合には殆ど防ぐことができなかっ
た。すなわち、検出器ボディ１、カバー１９，２０等の
金属よりもイオン化傾向が小さいＡｕをコーティングす
ると、例えばＡｕとカバー１９，２０との間でその電位
差に起因する電気回路が形成され、Ａｕコーティングに
ピンホールがあると、このピーンホールにより被測定流
体とダイヤフラムが直接接触するため、前記電気回路に
よる局部電池が形成され、ダイヤフラム自身が局部的に
腐食を起こす。この腐食をガルバニック腐食と呼んでい
る。ダイヤフラムは、厚さが通常０．１ｍｍ程度である
ため、ガルバニック腐食により孔が明くと、測定不能に
なる。
以下に述べるような問題があった。ダイヤフラムにＡｕ
等をコーティングする方法は、Ａｕ自体が密度が小さく
イオントラップ機能を有し、吸着水素原子の拡散、透過
を防止する効果を有するが、上記による電気化学的な
現象が原因となる場合には殆ど防ぐことができなかっ
た。すなわち、検出器ボディ１、カバー１９，２０等の
金属よりもイオン化傾向が小さいＡｕをコーティングす
ると、例えばＡｕとカバー１９，２０との間でその電位
差に起因する電気回路が形成され、Ａｕコーティングに
ピンホールがあると、このピーンホールにより被測定流
体とダイヤフラムが直接接触するため、前記電気回路に
よる局部電池が形成され、ダイヤフラム自身が局部的に
腐食を起こす。この腐食をガルバニック腐食と呼んでい
る。ダイヤフラムは、厚さが通常０．１ｍｍ程度である
ため、ガルバニック腐食により孔が明くと、測定不能に
なる。
【０００９】一方、上記特開平５−２０９８００号公報
に開示された多層コーティング方法は、図３に示すよう
にシールダイヤフラム２５の被測定流体と接する面に、
水素透過防止金属層２６、中間金属層２７および絶縁層
２８を順次積層コーティングし、水素透過防止金属層２
６によって水素原子の透過を防止するように構成したも
のである。中間金属層２７は、水素透過防止金属層２６
と絶縁層２８との線膨張係数の差による応力を緩和し、
コーティング層の密着性を向上させるもので、水素透過
防止金属層２６を構成する金属（例：金、タングステ
ン）よりもイオン化傾向が大きく、かつ水素透過防止金
属層２６を構成する金属の線膨張係数と絶縁層２８を構
成する材料の線膨張係数との中間の線膨張係数を有する
金属（例：チタン、タングステン、クロム、モリブデン
等）が用いられる。これにより検出器ボディ２９との電
位差が低減され、局部電池の形成によるダイヤフラムの
ガルバニック腐食を低減防止する。絶縁層２８はダイヤ
フラム２５の耐食性を確保すると共に、被測定流体側表
面での電気化学反応を防止するもので、ＳｉＣ，Ａｌ2
Ｏ3 ，ＡｌＮ ，ＳｉＯ2 等で形成される。このような
構成によれば、金等からなる水素透過防止金属層を中間
金属層と絶縁層によって覆っているので、検出器ボディ
側との電位差が低減され、局部電池の形成によるガルバ
ニック腐食を低減防止することができる反面、膜形成工
程が３工程と多く、製作に時間がかかるという問題があ
った。また、水素原子の透過を防止するため、各層の膜
厚を厚く形成すると、それだけ時間を要するばかりか、
ダイヤフラム自体の剛性が増大し、ダイヤフラムの応答
特性を損なうという問題もあった。
に開示された多層コーティング方法は、図３に示すよう
にシールダイヤフラム２５の被測定流体と接する面に、
水素透過防止金属層２６、中間金属層２７および絶縁層
２８を順次積層コーティングし、水素透過防止金属層２
６によって水素原子の透過を防止するように構成したも
のである。中間金属層２７は、水素透過防止金属層２６
と絶縁層２８との線膨張係数の差による応力を緩和し、
コーティング層の密着性を向上させるもので、水素透過
防止金属層２６を構成する金属（例：金、タングステ
ン）よりもイオン化傾向が大きく、かつ水素透過防止金
属層２６を構成する金属の線膨張係数と絶縁層２８を構
成する材料の線膨張係数との中間の線膨張係数を有する
金属（例：チタン、タングステン、クロム、モリブデン
等）が用いられる。これにより検出器ボディ２９との電
位差が低減され、局部電池の形成によるダイヤフラムの
ガルバニック腐食を低減防止する。絶縁層２８はダイヤ
フラム２５の耐食性を確保すると共に、被測定流体側表
面での電気化学反応を防止するもので、ＳｉＣ，Ａｌ2
Ｏ3 ，ＡｌＮ ，ＳｉＯ2 等で形成される。このような
構成によれば、金等からなる水素透過防止金属層を中間
金属層と絶縁層によって覆っているので、検出器ボディ
側との電位差が低減され、局部電池の形成によるガルバ
ニック腐食を低減防止することができる反面、膜形成工
程が３工程と多く、製作に時間がかかるという問題があ
った。また、水素原子の透過を防止するため、各層の膜
厚を厚く形成すると、それだけ時間を要するばかりか、
ダイヤフラム自体の剛性が増大し、ダイヤフラムの応答
特性を損なうという問題もあった。
【００１０】本発明は上記したような従来の問題点に鑑
みてなされたものであり、その目的とするところは、ダ
イヤフラムとカバー間での局部電池の形成によるダイヤ
フラムのガルバニック腐食を防止し得るようにした圧力
測定装置を提供することにある。
みてなされたものであり、その目的とするところは、ダ
イヤフラムとカバー間での局部電池の形成によるダイヤ
フラムのガルバニック腐食を防止し得るようにした圧力
測定装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、圧力伝達用封入液が封入された検出器ボディ
の各受圧側面に、一面が被測定流体に接し、他面が前記
圧力伝達用封入液に接するダイヤフラムと、流体導入孔
を有し前記ダイヤフラムを保護するカバーとをそれぞれ
配設した圧力測定装置において、前記カバーの内面に絶
縁膜を形成し、前記ダイヤフラムとカバーを電気的に絶
縁したことを特徴とする。
本発明は、圧力伝達用封入液が封入された検出器ボディ
の各受圧側面に、一面が被測定流体に接し、他面が前記
圧力伝達用封入液に接するダイヤフラムと、流体導入孔
を有し前記ダイヤフラムを保護するカバーとをそれぞれ
配設した圧力測定装置において、前記カバーの内面に絶
縁膜を形成し、前記ダイヤフラムとカバーを電気的に絶
縁したことを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明において、絶縁膜はダイヤフラムとカバ
ー間を絶縁することで、これら両部材間に電気回路が形
成されないようにする。
ー間を絶縁することで、これら両部材間に電気回路が形
成されないようにする。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１は本発明に係る圧力測定装置の一実施例を示す要部拡
大断面図である。なお、図中図２と同一構成部材のもの
に対しては同一符号をもって示す。同図において、本発
明は検出器ボディ１の低圧側受圧側面にＯリング３１を
介して嵌合固定されシールダイヤフラム６を保護するカ
バー２０の内面に絶縁膜３２を形成したものである。カ
バー２０はステンレス、炭素鋼等で製作され、低圧側測
定流体をシールダイヤフラム６に導く導圧管３３の一端
が接続される流体導入孔３４を有している。カバー２０
が炭素鋼で製作されている場合、錆止めのため通常亜鉛
（Ｚｎ）メッキされているので、その上に絶縁膜３２が
形成される。絶縁膜３２の形成箇所としては本実施例に
おいてはカバー内面全体に形成した場合を示したが、こ
れに限らず、シールダイヤフラム６との接触部にのみ形
成されるものであってもよい。
１は本発明に係る圧力測定装置の一実施例を示す要部拡
大断面図である。なお、図中図２と同一構成部材のもの
に対しては同一符号をもって示す。同図において、本発
明は検出器ボディ１の低圧側受圧側面にＯリング３１を
介して嵌合固定されシールダイヤフラム６を保護するカ
バー２０の内面に絶縁膜３２を形成したものである。カ
バー２０はステンレス、炭素鋼等で製作され、低圧側測
定流体をシールダイヤフラム６に導く導圧管３３の一端
が接続される流体導入孔３４を有している。カバー２０
が炭素鋼で製作されている場合、錆止めのため通常亜鉛
（Ｚｎ）メッキされているので、その上に絶縁膜３２が
形成される。絶縁膜３２の形成箇所としては本実施例に
おいてはカバー内面全体に形成した場合を示したが、こ
れに限らず、シールダイヤフラム６との接触部にのみ形
成されるものであってもよい。
【００１４】絶縁膜３２としては、セラミックス、有機
材料等が用いられる。絶縁膜３２がセラミックスの場合
は、ＳｉＣ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯ2 ，Ｚｒ
Ｏ2等で形成される。有機材料の場合は、塩化ゴム、塩
酸ゴム、合成ゴム、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エ
ポキシ樹脂、ケイ素樹脂、塩化ビニル樹脂、フッ素樹脂
等で形成される。絶縁膜３２の厚さとしては、シールダ
イヤフラム６とカバー２０を電気的に絶縁し、微小な電
流を断ち切れればよいので、数μｍ以上であればよい。
その他の構成は図２に示した従来構造と同様である。
材料等が用いられる。絶縁膜３２がセラミックスの場合
は、ＳｉＣ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯ2 ，Ｚｒ
Ｏ2等で形成される。有機材料の場合は、塩化ゴム、塩
酸ゴム、合成ゴム、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エ
ポキシ樹脂、ケイ素樹脂、塩化ビニル樹脂、フッ素樹脂
等で形成される。絶縁膜３２の厚さとしては、シールダ
イヤフラム６とカバー２０を電気的に絶縁し、微小な電
流を断ち切れればよいので、数μｍ以上であればよい。
その他の構成は図２に示した従来構造と同様である。
【００１５】なお、図１においては低圧側のカバー２０
についてのみ示したが、高圧側のカバー１９（図２）に
ついても低圧側カバー２０と同様に構成されている。ま
た、図１においては絶縁膜３２の厚さを便宜上厚く示し
たが、実際の寸法と異なっている。
についてのみ示したが、高圧側のカバー１９（図２）に
ついても低圧側カバー２０と同様に構成されている。ま
た、図１においては絶縁膜３２の厚さを便宜上厚く示し
たが、実際の寸法と異なっている。
【００１６】かくしてこのような構成からなるカバー２
０を備えた差圧・圧力発信器においては、カバー２０の
内面を絶縁膜３２によって覆い、これによってシールダ
イヤフラム６とカバー２０とを電気的に絶縁しているの
で、これら両部材間にその電位差に起因する電気回路が
形成されず、したがって、局部電池の形成による電気化
学的なダイヤフラムの腐食を低減防止することができ
る。その結果、ダイヤフラムの耐久性を向上させること
ができる。
０を備えた差圧・圧力発信器においては、カバー２０の
内面を絶縁膜３２によって覆い、これによってシールダ
イヤフラム６とカバー２０とを電気的に絶縁しているの
で、これら両部材間にその電位差に起因する電気回路が
形成されず、したがって、局部電池の形成による電気化
学的なダイヤフラムの腐食を低減防止することができ
る。その結果、ダイヤフラムの耐久性を向上させること
ができる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る圧力測
定装置によれば、圧力伝達用封入液が封入された検出器
ボディの受圧側面に配設されダイヤフラムを保護するカ
バーの内面に絶縁膜を形成し、ダイヤフラムとカバーを
電気的に絶縁したので、これら両部材間で電気回路が形
成されず、したがって、この電気回路による局部電池も
形成されず、ダイヤフラムの電気化学的な腐食を確実に
防止することができ、ダイヤフラムの耐久性を向上させ
ることができる。また、ダイヤフラム自体には多層膜等
を形成する必要がないので、製作が簡単で、ダイヤフラ
ム自体の剛性を増大させたりすることがなく、通常のも
のと変わらない精度を得ることができる。
定装置によれば、圧力伝達用封入液が封入された検出器
ボディの受圧側面に配設されダイヤフラムを保護するカ
バーの内面に絶縁膜を形成し、ダイヤフラムとカバーを
電気的に絶縁したので、これら両部材間で電気回路が形
成されず、したがって、この電気回路による局部電池も
形成されず、ダイヤフラムの電気化学的な腐食を確実に
防止することができ、ダイヤフラムの耐久性を向上させ
ることができる。また、ダイヤフラム自体には多層膜等
を形成する必要がないので、製作が簡単で、ダイヤフラ
ム自体の剛性を増大させたりすることがなく、通常のも
のと変わらない精度を得ることができる。
【図１】 本発明に係る圧力測定装置の一実施例を示す
要部の拡大断面図である。
要部の拡大断面図である。
【図２】 差圧・圧力発信器の従来例を示す断面図であ
る。
る。
【図３】 シールダイヤフラムの従来構造を示す要部拡
大断面図である。
大断面図である。
１…検出器ボディ、５…波状のシールダイヤフラム、６
…波状のシールダイヤフラム、７…受圧側面、８…受圧
側面、９…センターダイヤフラム、１０…内室、１３…
差圧測定用圧力センサ、１４…半導体ダイヤフラム、１
５…封入回路、１６…封入回路、１７Ａ，１７Ｂ…圧力
伝達用封入液、３２…絶縁膜、３３…導圧管、３４…流
体導入孔。
…波状のシールダイヤフラム、７…受圧側面、８…受圧
側面、９…センターダイヤフラム、１０…内室、１３…
差圧測定用圧力センサ、１４…半導体ダイヤフラム、１
５…封入回路、１６…封入回路、１７Ａ，１７Ｂ…圧力
伝達用封入液、３２…絶縁膜、３３…導圧管、３４…流
体導入孔。
Claims (1)
- 【請求項１】 圧力伝達用封入液が封入された検出器ボ
ディの各受圧側面に、一面が被測定流体に接し、他面が
前記圧力伝達用封入液に接するダイヤフラムと、流体導
入孔を有し前記ダイヤフラムを保護するカバーとをそれ
ぞれ配設した圧力測定装置において、前記カバーの内面
に絶縁膜を形成し、前記ダイヤフラムとカバーを電気的
に絶縁したことを特徴とする圧力測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18135894A JPH0843229A (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | 圧力測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18135894A JPH0843229A (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | 圧力測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0843229A true JPH0843229A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16099330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18135894A Pending JPH0843229A (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | 圧力測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0843229A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004001359A1 (de) * | 2002-06-19 | 2003-12-31 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Druckmesseinheit |
| JP2009540271A (ja) * | 2006-06-07 | 2009-11-19 | キストラー ホールディング アクチエンゲゼルシャフト | 膜を有するセンサ用の膜保護体及び膜を有するセンサと膜保護体 |
| WO2012133065A1 (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | オムロン株式会社 | 圧力センサパッケージ |
-
1994
- 1994-08-02 JP JP18135894A patent/JPH0843229A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004001359A1 (de) * | 2002-06-19 | 2003-12-31 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Druckmesseinheit |
| JP2009540271A (ja) * | 2006-06-07 | 2009-11-19 | キストラー ホールディング アクチエンゲゼルシャフト | 膜を有するセンサ用の膜保護体及び膜を有するセンサと膜保護体 |
| WO2012133065A1 (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | オムロン株式会社 | 圧力センサパッケージ |
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