JPH084201B2 - モノリシック共振回路の製造方法 - Google Patents
モノリシック共振回路の製造方法Info
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- JPH084201B2 JPH084201B2 JP11887793A JP11887793A JPH084201B2 JP H084201 B2 JPH084201 B2 JP H084201B2 JP 11887793 A JP11887793 A JP 11887793A JP 11887793 A JP11887793 A JP 11887793A JP H084201 B2 JPH084201 B2 JP H084201B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonant circuit
- film
- transmission line
- monolithic
- insulating film
- Prior art date
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高Ｑモノリシックマイ
クロ波共振回路の製造方法に関する。
クロ波共振回路の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、衛星放送、マイクロ波通信、マイ
クロ波計測等技術の進展に伴い、広帯域、低消費電力、
且つ小型のモノリシック共振器、増幅器、及びフィルタ
等を含むマイクロ波回路の需要が増大している。これら
のマイクロ波回路において、その動作周波数の設定及び
安定化を行うために、高Ｑの共振回路が必要である。高
Ｑ共振回路を実現するために、一般に誘電体共振器が用
いられている。
クロ波計測等技術の進展に伴い、広帯域、低消費電力、
且つ小型のモノリシック共振器、増幅器、及びフィルタ
等を含むマイクロ波回路の需要が増大している。これら
のマイクロ波回路において、その動作周波数の設定及び
安定化を行うために、高Ｑの共振回路が必要である。高
Ｑ共振回路を実現するために、一般に誘電体共振器が用
いられている。
【０００３】図３は従来のモノリシック共振回路の一例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【０００４】図３に示すように、セラミック基板１１の
上に形成した伝送線路６の近傍に接着剤１２を用いて誘
電体共振器９を接着して固定し、伝送線路６に誘電体共
振器９を結合させることにより共振回路を構成してい
る。
上に形成した伝送線路６の近傍に接着剤１２を用いて誘
電体共振器９を接着して固定し、伝送線路６に誘電体共
振器９を結合させることにより共振回路を構成してい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来のモノリシッ
ク共振回路は、セラミック基板上に形成されているた
め、個別に実装された発振器、フィルタ等のＧａＡｓモ
ノリシック回路との接続は半田付け及びワイヤーボンデ
ィングによって行われていたため寸法が大きくなり、ま
た、誘電体共振器は接着剤によりセラミック基板に固定
されていたため、共振回路の共振周波数を調整してモノ
リシック回路全体の動作周波数を調整することは困難で
コストが高くなるという問題があった。
ク共振回路は、セラミック基板上に形成されているた
め、個別に実装された発振器、フィルタ等のＧａＡｓモ
ノリシック回路との接続は半田付け及びワイヤーボンデ
ィングによって行われていたため寸法が大きくなり、ま
た、誘電体共振器は接着剤によりセラミック基板に固定
されていたため、共振回路の共振周波数を調整してモノ
リシック回路全体の動作周波数を調整することは困難で
コストが高くなるという問題があった。
【０００６】本発明の目的は、小型化低価格化、且つ動
作周波数の調整が可能となったモノリシック共振回路の
製造方法を提供する事にある。
作周波数の調整が可能となったモノリシック共振回路の
製造方法を提供する事にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のモノリシック共
振回路の製造方法は、半絶縁性ＧａＡｓ基板の表面に絶
縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の表面にリフトオフ
法により所定の特性インピーダンスを有する伝送線路を
形成する工程と、前記伝送線路の少くとも片側近傍の前
記絶縁膜を選択的にエッチングして所定の直径を有する
円形の凹部を形成する工程と、前記凹部に円柱形の誘電
体共振器の底部を嵌め込んで固定する工程とを含んで構
成される。
振回路の製造方法は、半絶縁性ＧａＡｓ基板の表面に絶
縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の表面にリフトオフ
法により所定の特性インピーダンスを有する伝送線路を
形成する工程と、前記伝送線路の少くとも片側近傍の前
記絶縁膜を選択的にエッチングして所定の直径を有する
円形の凹部を形成する工程と、前記凹部に円柱形の誘電
体共振器の底部を嵌め込んで固定する工程とを含んで構
成される。
【０００８】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１（ａ）〜（ｃ）および図２（ａ）〜
（ｄ）は本発明の一実施例を説明するための工程順に示
した平面図および断面図であり、図１（ａ），図２
（ｂ）は平面図、図１（ｂ），（ｃ），図２（ａ）は図
１（ａ）のＡ−Ａ′線断面図、図２（ｃ），（ｄ）は図
２（ｂ）のＢ−Ｂ′線断面図である。
（ｄ）は本発明の一実施例を説明するための工程順に示
した平面図および断面図であり、図１（ａ），図２
（ｂ）は平面図、図１（ｂ），（ｃ），図２（ａ）は図
１（ａ）のＡ−Ａ′線断面図、図２（ｃ），（ｄ）は図
２（ｂ）のＢ−Ｂ′線断面図である。
【００１０】まず、図１（ａ），（ｂ）に示すように、
発振器やフィルタ等のモノリシックマイクロ波回路を構
成した半絶縁性ＧａＡｓ基板１の表面にＳｉＯ2 膜２を
２００μｍの厚さに形成し、ＳｉＯ2 膜２の上にフォト
レジスト膜３を２μｍの厚さに塗布してパターニング
し、幅１００μｍの溝４を形成する。
発振器やフィルタ等のモノリシックマイクロ波回路を構
成した半絶縁性ＧａＡｓ基板１の表面にＳｉＯ2 膜２を
２００μｍの厚さに形成し、ＳｉＯ2 膜２の上にフォト
レジスト膜３を２μｍの厚さに塗布してパターニング
し、幅１００μｍの溝４を形成する。
【００１１】次に図１（ｃ）に示すように、溝４を含む
フォトレジスト膜３の表面にＴｉ膜，Ｐｔ膜，Ａｕ膜を
順次蒸着して積層した厚さ１μｍの金属膜５を形成す
る。
フォトレジスト膜３の表面にＴｉ膜，Ｐｔ膜，Ａｕ膜を
順次蒸着して積層した厚さ１μｍの金属膜５を形成す
る。
【００１２】次に、図２（ａ）に示すように、前記フォ
トレジスト膜３を有機溶剤に溶かすことによって前記フ
ォトレジスト膜３及びフォトレジスト膜３の上の金属膜
５を除去する（つまり、リフトオフ法を用いる）ことに
よって溝４に残された金属膜５からなる所定の特性イン
ピーダンスを有する伝送線路６を形成する。
トレジスト膜３を有機溶剤に溶かすことによって前記フ
ォトレジスト膜３及びフォトレジスト膜３の上の金属膜
５を除去する（つまり、リフトオフ法を用いる）ことに
よって溝４に残された金属膜５からなる所定の特性イン
ピーダンスを有する伝送線路６を形成する。
【００１３】次に、図２（ｂ），（ｃ）に示すように、
伝送線路６の少くとも片側近傍のＳｉＯ2 膜２の上部を
選択的に１００μｍ程度の深さまでエッチングして所定
の直径を有する円形の凹部７を形成する。
伝送線路６の少くとも片側近傍のＳｉＯ2 膜２の上部を
選択的に１００μｍ程度の深さまでエッチングして所定
の直径を有する円形の凹部７を形成する。
【００１４】次に、図２（ｄ）に示すように、ＧａＡｓ
基板１の厚さが１４０μｍ程度になるまでＧａＡｓ基板
１の裏面を研磨した後、ＧａＡｓ基板１の裏面に金属膜
８を形成する。次に、凹部７に円柱形の誘電体共振器９
の底部を嵌め込んで固定し、モノリシック共振回路を構
成する。
基板１の厚さが１４０μｍ程度になるまでＧａＡｓ基板
１の裏面を研磨した後、ＧａＡｓ基板１の裏面に金属膜
８を形成する。次に、凹部７に円柱形の誘電体共振器９
の底部を嵌め込んで固定し、モノリシック共振回路を構
成する。
【００１５】なお、凹部７はＳｉＯ2 膜２を貫通してＧ
ａＡｓ基板１の中程に達する深さに形成しても良い。
ａＡｓ基板１の中程に達する深さに形成しても良い。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、共振器，
フィルタ等のモノリシックマイクロ回路と同一のＧａＡ
ｓ基板上に共振回路を形成することにより、回路全体の
小型化が実現できると共に工程を簡略化できるという効
果を有する。
フィルタ等のモノリシックマイクロ回路と同一のＧａＡ
ｓ基板上に共振回路を形成することにより、回路全体の
小型化が実現できると共に工程を簡略化できるという効
果を有する。
【００１７】また誘電体共振器を伝送線路近傍の絶縁膜
に設けた凹部に嵌め込んで固定することにより、誘電体
共振器の交換が容易になり、共振回路の動作周波数の調
整が容易に実現できるという効果を有する。
に設けた凹部に嵌め込んで固定することにより、誘電体
共振器の交換が容易になり、共振回路の動作周波数の調
整が容易に実現できるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を説明するための工程順に示
した平面図及び断面図。
した平面図及び断面図。
【図２】本発明の一実施例を説明するための工程順に示
した平面図及び断面図。
した平面図及び断面図。
【図３】従来のモノリシック共振回路の一例を示す断面
図。
図。
１ ＧａＡｓ基板 ２ ＳｉＯ2 膜 ３ フォトレジスト膜 ４ 溝 ５，８ 金属膜 ６ 伝送線路 ７ 凹部 ９ 誘電体共振器 １１ セラミック基板 １２ 接着剤
Claims (1)
- 【請求項１】 半絶縁性ＧａＡｓ基板の表面に絶縁膜を
形成する工程と、前記絶縁膜の表面にリフトオフ法によ
り所定の特性インピーダンスを有する伝送線路を形成す
る工程と、前記伝送線路の少くとも片側近傍の前記絶縁
膜を選択的にエッチングして所定の直径を有する円形の
凹部を形成する工程と、前記凹部に円柱形の誘電体共振
器の底部を嵌め込んで固定する工程とを含むことを特徴
とするモノリシック共振回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11887793A JPH084201B2 (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | モノリシック共振回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11887793A JPH084201B2 (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | モノリシック共振回路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06334413A JPH06334413A (ja) | 1994-12-02 |
| JPH084201B2 true JPH084201B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=14747336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11887793A Expired - Fee Related JPH084201B2 (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | モノリシック共振回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH084201B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0915528A3 (en) * | 1997-11-07 | 1999-08-11 | Nec Corporation | High frequency filter and frequency characteristics regulation method therefor |
| JP3149831B2 (ja) | 1997-11-07 | 2001-03-26 | 日本電気株式会社 | 高周波集積回路およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-05-21 JP JP11887793A patent/JPH084201B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06334413A (ja) | 1994-12-02 |
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