JPH083745A - Apparatus for processing workpiece - Google Patents

Apparatus for processing workpiece

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JPH083745A
JPH083745A JP28667494A JP28667494A JPH083745A JP H083745 A JPH083745 A JP H083745A JP 28667494 A JP28667494 A JP 28667494A JP 28667494 A JP28667494 A JP 28667494A JP H083745 A JPH083745 A JP H083745A
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JP
Japan
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work piece
opening
lid portion
gas
recess
Prior art date
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Pending
Application number
JP28667494A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Gordon Robert Green
ロバート グリーン ゴールドン
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Electrotech Ltd
Original Assignee
Electrotech Ltd
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Filing date
Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like

Abstract

PURPOSE: To process a workpiece, such as a semiconductor, in a chamber formed of a first closure part.
CONSTITUTION: The chamber 11 of the first closure part 10 has an opening 17 through which the workpiece 12 is moved in and out along a moving path. The opening 17 is closed in a second closure part 18 mounted at a suitable RAM 19 and is actuated to open and close in a direction inclined with the moving path of the workpiece 12. The opening 17 may be made relatively small according the constitution.
COPYRIGHT: (C)1996,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は被加工片を処理する処理
装置に係る。特に被加工片が半導体ウエーハーの場合に
関するがこれに限るものではない。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus for processing a work piece. In particular, although the piece to be processed is a semiconductor wafer, it is not limited to this.

【0002】[0002]

【従来の技術】本出願人になる国際出願WO93/08
591においては半導体ウエーハ及びこれに類する被加
工片を処理する処理装置について検討されここでは被加
工片が高温及び/或は高圧力を与えるように設計されて
いる。半導体ウエーハ及びこれに類する被加工片を処理
するにはウエーハ上の層内の小さなホール(vias)
を埋めるための層を作ることがしばしば必要である。こ
れらのホールを埋めるためにはウエーハに高圧をかけた
り、時には高温にして上層を変形せしめてホールを埋め
得ることが知られている。
2. Description of the Related Art International application WO93 / 08 which is the applicant of the present invention
In 591, a semiconductor wafer and a processing device for processing a work piece similar to the semiconductor wafer are studied. Here, the work piece is designed to provide high temperature and / or high pressure. Small holes (vias) in layers on a wafer for processing semiconductor wafers and similar workpieces
It is often necessary to create layers to fill the. It is known that in order to fill these holes, high pressure may be applied to the wafer or the temperature may be raised to deform the upper layer to fill the holes.

【0003】上記国際出願WO93/08591におい
ては一対の蓋部分が一体になった時に両者の対向面が閉
囲凹所を形成するようにしている。この閉囲凹所には処
理されるべき被加工片が収容され、該凹所にガスが送り
込まれ内部の圧力を上げる。一対の蓋部分を用いる理由
はこれら蓋部分が合体される前にウエーハが蓋部分間に
置き得るからである。一般に半導体ウエーハがその面に
全体的に並行に動かされ、然してこれら2つの蓋部分の
間に挿入される。それから蓋部分がウエーハ面に全体的
に垂直方向に動いて一体となされる。
In the above-mentioned international application WO93 / 08591, when the pair of lid portions are integrated, the opposing surfaces of the two lid portions form a closed recess. A work piece to be processed is accommodated in the enclosed recess, and gas is sent into the recess to raise the internal pressure. The reason for using a pair of lid portions is that the wafer can be placed between the lid portions before the lid portions are combined. Generally, a semiconductor wafer is moved generally parallel to its surface, and is then inserted between these two lid parts. Then, the lid portion is moved vertically to the wafer surface as a whole to be integrated.

【0004】[0004]

【発明の概要】本発明は上記国際出願WO93/085
91に開示された処理装置の改良ないしは変形に係るも
のである。又EP−A−0516344にも関するがこ
の出願はウエーハに高圧をかけウエーハ内の小さなホー
ル等を埋めるため半導体ウエーハに処理をなす出願に係
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is based on the above-mentioned international application WO93 / 085.
The present invention relates to an improvement or modification of the processing device disclosed in 91. This application, which relates to EP-A-0516344, also relates to an application in which a semiconductor wafer is processed in order to apply a high pressure to the wafer to fill a small hole or the like in the wafer.

【0005】[0005]

【本発明の要旨】本発明の第1の要旨はウエーハが高温
及び/或は高圧を受けるようにした閉囲体(蓋部材)に
ある。上述した様に出願WO93/08591では蓋部
分がウエーハ面に対して垂直に動かされる。
SUMMARY OF THE INVENTION The first aspect of the present invention resides in an enclosure (lid member) in which a wafer is subjected to high temperature and / or high pressure. As described above, in the application WO93 / 08591, the lid portion is moved perpendicular to the wafer surface.

【0006】本発明の第1の要旨によれば第1蓋部分が
被加工片を受け入れる凹所を形成しこの凹所内で被加工
片が高温及び/或は高圧をうけるようにされ且つ被加工
片が適当な装入手段を用いて開口から第1蓋部分の凹所
内へと送られる。然して、第2蓋部分が開口を密閉する
ため設けられる。この第2蓋部分は被加工片の凹所への
移動路を開けておくことができるような方向に動いて密
閉位置から或はこの位置へ向かって可動とする。
According to a first aspect of the present invention, the first lid portion forms a recess for receiving a work piece in which the work piece is subjected to high temperature and / or high pressure and to be processed. The pieces are fed from the opening into the recess of the first lid part using suitable charging means. Therefore, a second lid portion is provided to seal the opening. The second lid portion is movable in a direction such that a moving path to the recess of the work piece can be left open, and is movable from or to the closed position.

【0007】好ましくはこの第2蓋部分は被加工片の移
動路に対し斜めの方向に動かす。
Preferably, the second lid portion is moved in an oblique direction with respect to the moving path of the work piece.

【0008】このようにして、第2蓋部分を動かす作動
手段は第1蓋部分への被加工片の通路を妨げず且つ出願
WO93/08591の様な垂直移動を避ける様に動か
す。このため、第1蓋部分の開口は比較的小さく出来、
第1蓋部分と第2蓋部分との間のシール面の寸法が小さ
く出来、漏洩少なく、密閉力が小さくてすむという要望
が達成される。
In this way, the actuating means for moving the second lid part move so as not to obstruct the passage of the work piece to the first lid part and avoid the vertical movement as in application WO93 / 08591. Therefore, the opening of the first lid can be made relatively small,
It is possible to reduce the size of the sealing surface between the first lid portion and the second lid portion, reduce leakage, and achieve a small sealing force.

【0009】本発明変形においては、第2蓋部分を板状
となし、これが第1蓋部分の開口の周囲に衝接されて適
当なシールにより密閉する様にされる。或は又、第2蓋
部分をプラグとし、これが第1蓋部分の開口に受け入れ
られ、シールする様にしてもよい。シール面に滑りがな
いから通常は前者が好ましいが、後者はよりコンパクト
な構成になし得よう。
In a variant of the invention, the second lid part is plate-shaped, which is abutted around the opening of the first lid part and sealed with a suitable seal. Alternatively, the second lid portion may be a plug, which is received and sealed in the opening in the first lid portion. The former is usually preferred because the sealing surface is non-slip, but the latter could be made more compact.

【0010】第2蓋部分は適当な液圧、空圧、電気式ラ
ムで動かすことが出来、第1蓋部分は被加工片を加熱す
るヒータを入れておくことが出来る。
The second lid portion can be moved by an appropriate hydraulic, pneumatic or electric ram, and the first lid portion can contain a heater for heating the work piece.

【0011】一方或は他方の蓋部分は、第1蓋部分が第
2蓋部分により密封された時に第1蓋部分内の凹所内を
加圧し、被加工片に高圧をかけるガス用の出入り口を必
要とする。
One or the other of the lid portions serves as a gas inlet / outlet for applying a high pressure to the work piece by pressurizing the inside of the recess in the first lid portion when the first lid portion is sealed by the second lid portion. I need.

【0012】然して、被加工片が半導体ウエーハである
場合はこれは装入手段により第1蓋部分内部に移動され
ここで適当な装架台上に受けられ、装入手段を取り去
る。第1蓋部分内部はウエーハを受けるのにそして装入
手段を受け入れるのに十分な広さを必要とするが、内部
及び第1蓋部分の開口を被加工片形状に一致する様な形
状にすれば無駄なスペースを少なくすることが出来る。
However, when the piece to be processed is a semiconductor wafer, it is moved to the inside of the first lid portion by the loading means and is received there on a suitable mounting table, and the loading means is removed. Although the interior of the first lid portion needs to be wide enough to receive the wafer and to receive the loading means, the interior and opening of the first lid portion can be shaped to match the shape of the workpiece. If so, it is possible to reduce the wasted space.

【0013】一旦、被加工片が第1蓋部分内におかれる
と装入手段が取り除かれ第2蓋部分が第1蓋部分の開口
をシールする様に動く、次いでウエーハが高圧、高温を
受ける。
Once the work piece is placed in the first lid portion, the loading means is removed and the second lid portion moves to seal the opening in the first lid portion, then the wafer is subjected to high pressure and temperature. .

【0014】本発明第2の要旨は被加工片が処理される
閉囲体に高圧ガスを供給する点にある。
A second gist of the present invention is that high-pressure gas is supplied to the enclosure in which the workpiece is processed.

【0015】公知の高圧処理装置にあっては、用いられ
る高圧ガスは処理装置のバルブ及びアクチュエータの作
動障害を防止するため屡々濾過される。一般にこの濾過
の目的は処理されている被加工片からか或はガス圧縮送
給系から発生して装置の故障を招く微粒子を除去するこ
とにある。このような装置に用いられているフイルタは
1μ或はそれ以上の大きさの微粒子を保持することが出
来るのが典型的である。このような公知の高圧ガス処理
システムにおいては被加工片自体の汚染を防ぐ目的では
ガス濾過は利用していない。
In the known high-pressure processing equipment, the high-pressure gas used is often filtered in order to prevent operation failures of the processing equipment valves and actuators. In general, the purpose of this filtration is to remove particulates from the work piece being treated or from the gas compression feed system which can cause equipment failure. Filters used in such devices are typically capable of holding microparticles of size 1 μ or greater. In such a known high-pressure gas treatment system, gas filtration is not used for the purpose of preventing contamination of the workpiece itself.

【0016】本発明第2の要旨によれば、被加工片処理
装置は被加工片を処理する閉囲体、該閉囲体内にガスを
導入してこれを加圧するガス導入手段、上記閉囲体内に
ガスを導入する前にガスを濾過する手段とよりなる。
According to the second aspect of the present invention, the work piece treating apparatus includes an enclosure for treating a work piece, a gas introducing means for introducing gas into the enclosure and pressurizing the gas, and the enclosure. It comprises means for filtering the gas before it is introduced into the body.

【0017】このような装置を利用して高圧ガスは濾過
され、被加工片が処理される際化学的及び/或は、微粒
子汚染から防護される。これは処理される被加工片が半
導体ウエーハの場合の特定の例でありこの場合はこのよ
うな汚染に特に敏感である。従って、第2の要旨の処理
装置は半導体ウエーハ処理に好適である。更に、この装
置は上述国際出願WO93/08591号、或は本発明
第1の要旨による形式の処理装置でもよい。濾過手段は
2つのフイルタより成るのが好ましく、その第1はガス
から化学的不純物を取り除き、第2は微粒子不純物を取
り除くことを目的とする。第 1のフイルタは活性炭素フ
イルタで、ガスからオイル蒸気を除去する。第2フイル
タは理想的には処理装置に出来るだけ至近に配置し、好
ましくは粒径0.02μ或はこれ以上の大きさから0.
01μ程度までの微粒子を取り込める程度のものであ
る。或は又、このフイルタは処理される被加工片の特定
寸法に見合った微粒子を取り込める規模のものとしても
よい。この特定寸法とは被加工片上に形成しようとする
最小パターンに関する寸法を言う。従って、処理にもよ
るがこのフイルタは上記特定寸法と同寸法或はそれ以
上、または上記特定寸法の1/10、さらには1/50
以下すらの寸法の微粒子を取り込むものである。このよ
うな高性能濾過は被加工片高圧処理技術においては独特
のものである。本装置は処理閉囲体を例えば100バー
ル或はそれ以上の圧力にすることが出来る。又本装置は
通常、処理閉囲体及び/或はこれに内包される被加工片
の加熱手段を具備する。そして本装置は所要の処理条件
にするためヒータとかその他適当な装置を更に具備させ
てもよい。
Using such a device, the high pressure gas is filtered to protect the workpiece from chemical and / or particulate contamination during processing. This is a particular case where the workpiece to be processed is a semiconductor wafer, which is particularly sensitive to such contamination. Therefore, the processing apparatus of the second aspect is suitable for semiconductor wafer processing. Further, this apparatus may be a processing apparatus of the type described in the above-mentioned International Application WO93 / 08591 or the first aspect of the present invention. The filtering means preferably consists of two filters, the first of which is intended to remove chemical impurities from the gas and the second of which is intended to remove particulate impurities. The first filter is an activated carbon filter that removes oil vapor from the gas. The second filter should ideally be located as close as possible to the processor, preferably with a particle size of 0.02μ or more, and a particle size of 0.
It is such that fine particles up to about 01 μ can be taken in. Alternatively, the filter may be of a size that allows for the inclusion of fine particles which are commensurate with the particular dimensions of the piece being processed. The specific dimension is a dimension related to the minimum pattern to be formed on the work piece. Therefore, depending on the treatment, this filter has the same size as or larger than the specified size, or 1/10 or even 1/50 of the specified size.
Fine particles of even the following dimensions are incorporated. Such high-performance filtration is unique in the high-pressure processing technology of the work piece. The apparatus can bring the process enclosure to a pressure of, for example, 100 bar or more. The apparatus usually also comprises a treatment enclosure and / or heating means for the work piece contained therein. The apparatus may be further equipped with a heater or other suitable apparatus for achieving the required processing conditions.

【0018】本発明は被加工片、特に半導体ウエーハの
処理方法をも提起する。この方法は閉囲体内にガスを導
入して該閉囲体内の被加工片に高圧をかけるが、この導
入前にガスを濾過することを含む。又上述した様にガス
が2つのフイルタを通され、化学的不純物及び微粒子不
純物両方に対して濾過されることも含む。
The present invention also proposes a method of treating a work piece, in particular a semiconductor wafer. The method includes introducing a gas into the enclosure to apply a high pressure to the work piece in the enclosure, but prior to this introduction, filtering the gas. It also includes passing the gas through two filters and filtering for both chemical and particulate impurities as described above.

【0019】[0019]

【実施例】本発明実施例を添付図面により詳細に説明す
る。
Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

【0020】図 1に示す様に第1蓋部分10は2つの部
分13、14よりなり、これらはボルト15で保持され
るがシール16によって密封される。チェンバ11の1
端は閉鎖されるが他端は開口17で開き、この開口はチ
ェンバの延長方向に傾斜した面内にある。第2蓋部分1
8は適当なラム19の手段により開口17から離される
ように取り付けられている。開口17の周囲にはシール
20が設けられ第1蓋部分10と第21蓋部分18とを
密閉する。半導体ウエーハのような被加工片を第1蓋部
分10内に挿入するには第2蓋部分18がラム19によ
って開口17から引かれる。適当な装入手段30が被加
工片12を第1蓋部分10の外部から開口17を通り凹
所11の第1図に示す位置へと装填する。この位置にお
いて被加工片12は支持体31で受けられ、装入手段3
0が第1蓋部分から完全に引き出される。それからラム
19が第2蓋部分18を動かしシール20に衝接させ開
口17を密閉する。第1蓋部分10にはヒータ32が設
けられ凹所11をして被加工片12を加熱する適当な電
源接続33が設けられる。ガスの出入口34が設けられ
凹所11を高圧とし被加工片12が高圧に曝される。ガ
スの出入口34にはシール35が設けられるのが好まし
い。
As shown in FIG. 1, the first lid portion 10 comprises two portions 13, 14 which are retained by bolts 15 but are sealed by a seal 16. Chamber 1 of 1
One end is closed but the other end is opened by an opening 17, which lies in a plane inclined in the direction of extension of the chamber. Second lid part 1
8 is mounted so that it is separated from the opening 17 by means of a suitable ram 19. A seal 20 is provided around the opening 17 to seal the first lid portion 10 and the 21st lid portion 18. To insert a workpiece such as a semiconductor wafer into the first lid portion 10, the second lid portion 18 is pulled from the opening 17 by the ram 19. A suitable charging means 30 loads the work piece 12 from outside the first lid part 10 through the opening 17 into the recess 11 at the position shown in FIG. At this position, the work piece 12 is received by the support 31, and the charging means 3
0 is completely withdrawn from the first lid part. The ram 19 then moves the second lid portion 18 against the seal 20 and seals the opening 17. The first lid portion 10 is provided with a heater 32 which is provided with a suitable power supply connection 33 which recesses 11 and heats the work piece 12. A gas inlet / outlet 34 is provided so that the recess 11 is exposed to a high pressure and the workpiece 12 is exposed to the high pressure. The gas inlet / outlet 34 is preferably provided with a seal 35.

【0021】図1からわかるように第2蓋部分18の動
く方向は装入手段30の動く方向とは(矢線36で示
す)傾斜しており被加工片12が第1蓋部分10に挿入
される際ラムが第2蓋部分18を開口17から完全に引
っ込め、第1蓋部分10に被加工片12を挿入出来るよ
うにする。この動きの傾斜は厳密ではない。一般に開口
の寸法が小さいほど傾斜は小さい。また一般には開口は
出来るだけ小さくしてシール面積を小さくするのが有利
である。然し、傾斜角度が小さいと装入手段30の移動
路を邪魔しないようにするには第2蓋部分18は大きく
動かす必要がある。従って特定の実施に従ってこれら条
件のバランスが必要である。実際にはこの角度は30〜
60度が適当である。
As can be seen from FIG. 1, the direction of movement of the second lid portion 18 is inclined (shown by the arrow 36) with respect to the direction of movement of the charging means 30 so that the work piece 12 is inserted into the first lid portion 10. When rammed, the ram retracts the second lid portion 18 completely through the opening 17 and allows the work piece 12 to be inserted into the first lid portion 10. The slope of this movement is not exact. Generally, the smaller the size of the opening, the smaller the slope. In general, it is advantageous to make the opening as small as possible to reduce the sealing area. However, if the inclination angle is small, it is necessary to move the second lid portion 18 largely in order not to obstruct the movement path of the charging means 30. Therefore, a balance of these conditions is required according to the particular implementation. Actually this angle is 30 ~
60 degrees is suitable.

【0022】図1に示す実施例では第2蓋部分18は幅
が開口17より広く従ってその周囲のシールも大きい。
図3に示す第2の実施例においては第2蓋部分18は第
1蓋部分10の開口を形成する領域40内に嵌着するよ
うな形状にしてあり、シール41が該第2蓋部分18に
設けられてこれを領域40の壁に対しシールする。本実
施例の他の部分は図1、2と同じであり同じ数字を以て
示す。
In the embodiment shown in FIG. 1, the second lid portion 18 is wider than the opening 17 and thus the seal around it is also large.
In the second embodiment shown in FIG. 3, the second lid part 18 is shaped so that it fits within the region 40 forming the opening of the first lid part 10 and the seal 41 is provided on the second lid part 18. Is provided on the wall of the region 40 to seal it. The other parts of this embodiment are the same as those in FIGS. 1 and 2 and are indicated by the same numerals.

【0023】図3の実施例では第2蓋部分18が第1蓋
部分10に挿入された時にシール41が領域40の壁に
沿って滑る欠点がありこれは常に好ましくない。特に被
加工片が半導体ウエーハである場合はこのようなシール
の滑りはウエーハを汚染する微粒子を生じることがあり
好ましくない。一方その他の条件については図3装置は
満足である。
The embodiment of FIG. 3 has the disadvantage that the seal 41 slips along the wall of the region 40 when the second lid part 18 is inserted into the first lid part 10, which is always undesirable. Especially when the piece to be processed is a semiconductor wafer, such slipping of the seal may cause fine particles to contaminate the wafer, which is not preferable. On the other hand, with respect to other conditions, the apparatus of FIG. 3 is satisfactory.

【0024】図4、5は図1に示されたのと同じく処理
装置を示すが 同じ部分は同じ数字で示す。図4、5装
置は第1蓋部分10の開口17をシールするために他の
形式の第2蓋部分18を有する。この場合、第2蓋部分
は凹所11のなかにおいたシールプレートであって、こ
の閉鎖位置にあってはシール20に重なって衝接するよ
うに開口17の周縁に配置される。このシールプレート
はラム19の作動回数により開口17に対し開閉する。
開放位置にあっては、シールプレート18は凹所11に
設けた50で示す空間に納まる。図4と図1との第2蓋
部材の違いの要部は図4実施例においてはラム19が凹
部11内ガス圧による力に抗する必要がない点にある。
凹所11の内壁に対してシールプレート18は凹所11
内に入ってくる圧入ガスによる力により付勢される。
4 and 5 show the same processing apparatus as that shown in FIG. 1, but the same parts are indicated by the same numbers. The device of FIGS. 4 and 5 has another form of second lid portion 18 for sealing the opening 17 of the first lid portion 10. In this case, the second lid part is a seal plate placed in the recess 11 and is arranged at the periphery of the opening 17 so as to overlap and abut the seal 20 in this closed position. This seal plate opens and closes with respect to the opening 17 depending on the number of times the ram 19 is operated.
In the open position, the seal plate 18 fits in the space designated by 50 in the recess 11. The main difference between the second lid member shown in FIG. 4 and that shown in FIG. 1 is that in the embodiment shown in FIG. 4, the ram 19 does not have to resist the force due to the gas pressure in the recess 11.
With respect to the inner wall of the recess 11, the seal plate 18
It is urged by the force of the pressurizing gas entering inside.

【0025】一方、図4、5実施例は図1、2実施例に
比べ不利な点もある。即ち被加工片12の凹所出入り用
の余地を取るためシールプレートが動かねばならないた
めの空間50が凹所全体の嵩を増すことになる点であ
る。
On the other hand, the embodiments of FIGS. 4 and 5 also have disadvantages as compared with the embodiments of FIGS. In other words, the space 50 for moving the seal plate in order to leave room for the recess 12 of the work piece 12 increases the bulk of the recess.

【0026】図4実施例は他に図示した実施例と同じよ
うにラム19以外に第2蓋部分18を動かす他の機構も
利用出来る。これが図4実施例の特殊性であり、作動機
構がガス高圧に抗する必要がないから高圧シールを通し
て凹所11の頂部に入る電磁アクチュエータやラムのよ
うな他の形式の機構も用い得る。
The embodiment of FIG. 4 can utilize other mechanisms for moving the second lid portion 18 in addition to the ram 19 as in the other illustrated embodiments. This is a peculiarity of the FIG. 4 embodiment, and other types of mechanisms such as electromagnetic actuators or rams that enter the top of the recess 11 through the high pressure seal because the actuating mechanism does not have to withstand high gas pressure may be used.

【0027】図4装置の側面を示す図5には2つのラム
19を示しシールプレート18をその閉鎖、開放位置へ
と動かす。
FIG. 5, which shows the side view of the device, shows two rams 19 for moving the sealing plate 18 into its closed and open positions.

【0028】シールプレート18を動かす機構は被加工
片12を開口17を経て凹所11へと出し入れが出来る
様な適切な形状を取らねばならないこと当然である。
It is natural that the mechanism for moving the seal plate 18 must have an appropriate shape so that the work piece 12 can be put into and taken out of the recess 11 through the opening 17.

【0029】図6に示す処理装置は本発明の第1及び第
2実施例に基づくものである。殆どの実施例は図1装置
と同じであり、同じ様な部分は同じ数字で示す。然し、
図 6装置は凹所11の入口直前のガス出入り口34にお
いたフイルタ組立体53が追加されている。このフイル
タ組立体53は53aと53bとの2つのフイルタより
なり、第 1フイルタ53aは凹所11内へはいるガスか
ら化学的汚染物質を除去する目的を有し、第2フイルタ
53bは粒状の汚染物質を除去する目的のものである。
然して、被加工片12は凹所11内に入る汚染物から防
護される。
The processing apparatus shown in FIG. 6 is based on the first and second embodiments of the present invention. Most of the embodiments are the same as in the FIG. 1 device and like parts are designated by the same numerals. However,
The apparatus shown in FIG. 6 additionally includes a filter assembly 53 located at the gas inlet / outlet port 34 immediately before the inlet of the recess 11. The filter assembly 53 consists of two filters 53a and 53b, the first filter 53a having the purpose of removing chemical contaminants from the gas entering the recess 11, and the second filter 53b having a granular shape. It is intended to remove pollutants.
Thus, the work piece 12 is protected from contaminants entering the recess 11.

【0030】フイルタ自体は従来のものであるが、問題
は本発明処理装置に用いられる凹所11に対する位置及
び目的であり、図6装置では本質的なものである。この
特定なフイルタも特に細かく、0.01μ又は0.02
μ或はこれ以上の大きさの微粒子をトラップ出来る。こ
のフイルタの実際の作動特性は上述した様に被加工片の
寸法と釣り合うように選ばれる。
Although the filter itself is conventional, the problem is the location and purpose with respect to the recess 11 used in the processing apparatus of the present invention, which is essential in the FIG. 6 apparatus. This particular filter is also very fine, 0.01 μ or 0.02
It can trap microparticles of μ or larger. The actual operating characteristics of this filter are chosen to be commensurate with the size of the work piece, as described above.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1要旨の第 1実施例を示す断面図で
ある。
FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of the first gist of the present invention.

【図2】図1の側面図である。FIG. 2 is a side view of FIG.

【図3】本発明の第1要旨の第2実施例の1部を示す断
面図である。
FIG. 3 is a sectional view showing a part of a second embodiment of the first gist of the present invention.

【図4】本発明の第1要旨の第3実施例を示す断面図で
ある。
FIG. 4 is a sectional view showing a third embodiment of the first gist of the present invention.

【図5】図 4の側面図である。FIG. 5 is a side view of FIG.

【図6】本発明第 1要旨、第2要旨の実施例を示す側面
図である。
FIG. 6 is a side view showing an embodiment of the first and second aspects of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…第1蓋部分 11…凹所 12…被加工片 17…開口 18…第2蓋部分 19…ラム 10 ... First lid portion 11 ... Recess 12 ... Work piece 17 ... Opening 18 ... Second lid portion 19 ... Ram

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被加工片を入れる凹所及び上記被加工片
を挿入し移動路に沿って取り出す開口とを形成する第1
蓋部分、上記凹所の開口を密閉する第2蓋部分、上記第
2蓋部分を上記開口を密閉する第1のシール部分へ動か
し、該第1のシール部分から被加工片移動路を開ける第
2の部分へと動かす作動手段とを具備して成ることを特
徴とする被加工片の処理装置。
1. A first opening for forming a recess for receiving a work piece and an opening for inserting the work piece and taking it out along a moving path.
A lid portion, a second lid portion that seals the opening of the recess, and a second seal portion that moves the second lid portion to a first seal portion that seals the opening, and open a workpiece movement path from the first seal portion. 2. An apparatus for treating a work piece, comprising: an actuating means for moving to a second part.
【請求項2】 作動手段が上記第2蓋部分を上記被加工
片の移動路に傾斜した方向に動かすことを特徴とする被
加工片の処理装置。
2. An apparatus for processing a work piece, wherein an actuating means moves the second lid portion in a direction inclined to a moving path of the work piece.
【請求項3】 上記第2蓋部分がプレートであり、上記
第1蓋部分が上記開口の周縁に衝接部を形成し、且つ該
開口の回りに延びるシール手段を含むことを特徴とする
前記請求項1又は2記載の被加工片の処理装置。
3. The second lid portion is a plate, the first lid portion forming an abutting portion on the periphery of the opening, and including sealing means extending around the opening. The processing device for a processed piece according to claim 1 or 2.
【請求項4】 上記第2蓋部分が上記開口に挿入出来て
これを密封するプラグの形態のものであることを特徴と
する前記請求項1又は2記載の被加工片の処理装置。
4. The processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the second lid portion is in the form of a plug that can be inserted into the opening and seals the opening.
【請求項5】 上記第1蓋部分及び上記第2蓋部分が上
記凹所内にあることを特徴とする前記請求項各項の何れ
かに記載の被加工片の処理装置。
5. The processing device for a work piece according to claim 1, wherein the first lid portion and the second lid portion are in the recess.
【請求項6】 上記作動手段がラムを含むことを特徴と
する前記請求項各項の何れかに記載の被加工片の処理装
置。
6. The processing apparatus for a work piece according to claim 1, wherein the actuating means includes a ram.
【請求項7】 上記被加工片を加熱する手段を更に具備
することを特徴とする前記請求項各項の何れかに記載の
被加工片の処理装置。
7. The processing apparatus for a work piece according to claim 1, further comprising means for heating the work piece.
【請求項8】 上記凹所が上記第2蓋部分でシールされ
た時に該凹所を加圧するためのガス入口を具備し、然し
て上記被加工片が高圧に曝されることを特徴とする前記
請求項各項の何れかに記載の被加工片の処理装置。
8. The method according to claim 1, further comprising a gas inlet for pressurizing the recess when the recess is sealed by the second lid portion, the work piece being exposed to high pressure. A processing device for a processed piece according to any one of claims.
【請求項9】 上記凹所への出入路に上記被加工片を移
動する装入手段を具備することを特徴とする前記請求項
各項の何れかに記載の被加工片の処理装置。
9. The processing apparatus for a work piece according to claim 1, further comprising: charging means for moving the work piece in an entrance / exit path to / from the recess.
【請求項10】 上記凹所内で上記被加工片を支持する
支持体を更に含むことを特徴とする前記請求項各項の何
れかに記載の被加工片の処理装置。
10. The processing apparatus for a work piece according to claim 1, further comprising a support for supporting the work piece in the recess.
【請求項11】 閉囲体を具備してなる被加工片の処理
装置において、処理され得る被加工片、該閉囲体内にガ
スを導入してこれを加圧するガス導入手段、上記閉囲体
内にガスを導入する前にガスを濾過する手段、とを具備
してなることを特徴とする被加工片の処理装置。
11. A processing piece treating apparatus comprising an enclosure, the piece to be processed, gas introducing means for introducing gas into the enclosure and pressurizing the same, the enclosure. And a means for filtering the gas before introducing the gas into the work piece.
【請求項12】 上記濾過する手段が2つのフイルタよ
りなり、その第1はガスから化学的不純物を除去し、そ
の第2は微粒子不純物を除去することを特徴とする前記
請求項11に記載の被加工片の処理装置。
12. The filter according to claim 11, wherein the filtering means comprises two filters, the first of which removes chemical impurities from the gas and the second of which removes particulate impurities. Equipment for processing workpieces.
【請求項13】 上記フイルタが所期の被加工片寸法に
見合った微粒子を取り込むことを特徴とする前記請求項
12に記載の被加工片の処理装置。
13. The processing device for a work piece according to claim 12, wherein the filter takes in fine particles corresponding to a desired size of the work piece.
【請求項14】 上記第2のフイルタが0、01μ又は
それ以上の寸法の微粒子を取り込むことが出来ることを
特徴とする前記請求項12又は13に記載の被加工片の
処理装置。
14. The processing apparatus according to claim 12, wherein the second filter can take in fine particles having a size of 0, 01 μ or more.
【請求項15】 上記閉囲体内にガスを導入して該閉囲
体内の被加工片に高圧をかけるが、この導入前にガスが
濾過されることを特徴とする被加工片の処理方法。
15. A method for treating a work piece, wherein gas is introduced into the enclosure to apply a high pressure to the work piece in the enclosure, and the gas is filtered before the introduction.
【請求項16】 化学的不純物及び微粒子不純物両方に
対してガスが濾過されることを特徴とする前記請求項1
5記載の被加工片の処理方法。
16. The method of claim 1, wherein the gas is filtered for both chemical and particulate impurities.
5. The method for treating a work piece according to item 5.
【請求項17】 上記被加工片を開口を通して上記閉囲
体内へ移動路に沿って装入し、該被加工片移動路に傾斜
する行程に沿ってシール部分を動かすことにより上記開
口をシールすることを特徴とする被加工片の処理方法。
17. The opening is sealed by loading the work piece through the opening into the enclosure along a moving path and moving a sealing portion along a stroke inclined to the work piece moving path. A method for processing a piece to be processed, which is characterized by the above.
JP28667494A 1993-11-22 1994-11-21 Apparatus for processing workpiece Pending JPH083745A (en)

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GB9324002.6 1993-11-22
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001262375A (en) * 2000-03-22 2001-09-26 Shibaura Mechatronics Corp Dry etching apparatus

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2009359C3 (en) * 1970-02-27 1974-05-02 Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen Arrangement for diffusing dopants into a semiconductor material
US4293249A (en) * 1980-03-03 1981-10-06 Texas Instruments Incorporated Material handling system and method for manufacturing line
US4548699A (en) * 1984-05-17 1985-10-22 Varian Associates, Inc. Transfer plate rotation system
DE3588237T2 (en) * 1984-09-19 2002-11-14 Applied Materials Inc Device for scanning wafers by an ion beam
US5143103A (en) * 1991-01-04 1992-09-01 International Business Machines Corporation Apparatus for cleaning and drying workpieces
GB9122676D0 (en) * 1991-10-25 1991-12-11 Electrotech Ltd Processing system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001262375A (en) * 2000-03-22 2001-09-26 Shibaura Mechatronics Corp Dry etching apparatus

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GB9422824D0 (en) 1995-01-04
GB2284096A (en) 1995-05-24
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