JPH0837260A - 半導体冷却装置 - Google Patents
半導体冷却装置Info
- Publication number
- JPH0837260A JPH0837260A JP17067694A JP17067694A JPH0837260A JP H0837260 A JPH0837260 A JP H0837260A JP 17067694 A JP17067694 A JP 17067694A JP 17067694 A JP17067694 A JP 17067694A JP H0837260 A JPH0837260 A JP H0837260A
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- cooling
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Abstract
(57)【要約】
【目的】基板上に配列された各半導体素子の冷却能力を
冷却媒体の増加を伴うことなく向上させる半導体冷却装
置を提供する。 【構成】高発熱する半導体素子３の面に冷却媒体を噴射
する冷却媒体供給部材５とこの噴射された冷却媒体を半
導体素子３の周辺部にごく近い場所から強制的に排出す
る排出部材７を設ける。冷却媒体強制排出部材７を冷却
媒体供給ヘッダ４を横切るように配置する。
冷却媒体の増加を伴うことなく向上させる半導体冷却装
置を提供する。 【構成】高発熱する半導体素子３の面に冷却媒体を噴射
する冷却媒体供給部材５とこの噴射された冷却媒体を半
導体素子３の周辺部にごく近い場所から強制的に排出す
る排出部材７を設ける。冷却媒体強制排出部材７を冷却
媒体供給ヘッダ４を横切るように配置する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子などの高発
熱密度素子の冷却手段に係り、特に、高速コンピュータ
などに用いられる半導体素子から発生する熱を効果的に
除去するのに好適な半導体冷却装置に関する。
熱密度素子の冷却手段に係り、特に、高速コンピュータ
などに用いられる半導体素子から発生する熱を効果的に
除去するのに好適な半導体冷却装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】年々、コンピュータの高速化が要求さ
れ、大規模な半導体集積回路を高密度に実装する方法が
開発されている。そのため、半導体素子からの発熱は膨
大となり、この半導体素子を効率良く冷却することはま
すます重要になってきている。
れ、大規模な半導体集積回路を高密度に実装する方法が
開発されている。そのため、半導体素子からの発熱は膨
大となり、この半導体素子を効率良く冷却することはま
すます重要になってきている。
【０００３】そこで、高い冷却性能を得る従来の冷却装
置として、図７に示すように、高発熱する半導体素子３
を強制対流伝熱と沸騰伝熱とを組み合わせた衝突噴流沸
騰伝熱によって冷却する方法が提案されている。この冷
却構造は、基板１上に多数配列された半導体素子３のそ
れぞれに、冷却媒体供給ヘッダ４に連通する冷却媒体供
給部材５の先端の冷却媒体噴出口から冷却媒体を噴出
し、半導体素子３の冷却面上を放射上に流して半導体素
子３を冷却している。
置として、図７に示すように、高発熱する半導体素子３
を強制対流伝熱と沸騰伝熱とを組み合わせた衝突噴流沸
騰伝熱によって冷却する方法が提案されている。この冷
却構造は、基板１上に多数配列された半導体素子３のそ
れぞれに、冷却媒体供給ヘッダ４に連通する冷却媒体供
給部材５の先端の冷却媒体噴出口から冷却媒体を噴出
し、半導体素子３の冷却面上を放射上に流して半導体素
子３を冷却している。
【０００４】また、図９に示す特開平2−298054 号公報
には、高発熱する半導体素子３を冷却する手段として、
第１の冷却媒体供給部材５によって半導体素子中央部に
冷却媒体を噴射し、更に第２の冷却媒体供給部材５´に
よって半導体素子周辺部に冷却媒体を噴射し半導体素子
を冷却する方法が提案されている。
には、高発熱する半導体素子３を冷却する手段として、
第１の冷却媒体供給部材５によって半導体素子中央部に
冷却媒体を噴射し、更に第２の冷却媒体供給部材５´に
よって半導体素子周辺部に冷却媒体を噴射し半導体素子
を冷却する方法が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図７に示す従来技術は
半導体素子３の中央部に低温の冷却媒体を噴射し冷却す
るものである。しかし、大形化した半導体素子を冷却す
る場合、図８に示すように液体中に浸漬された半導体素
子に対して液体を噴射する液中噴流では噴流の中心から
離れるにつれて半導体素子面上の冷却媒体局所流速が急
激に減衰する。そのため、噴流の中心から最も遠くに位
置する半導体素子の角部では上記流速が著しく小さくな
るため、この流速に依存する局所熱伝達率も小さくなっ
てしまう。
半導体素子３の中央部に低温の冷却媒体を噴射し冷却す
るものである。しかし、大形化した半導体素子を冷却す
る場合、図８に示すように液体中に浸漬された半導体素
子に対して液体を噴射する液中噴流では噴流の中心から
離れるにつれて半導体素子面上の冷却媒体局所流速が急
激に減衰する。そのため、噴流の中心から最も遠くに位
置する半導体素子の角部では上記流速が著しく小さくな
るため、この流速に依存する局所熱伝達率も小さくなっ
てしまう。
【０００６】そこで、半導体素子周辺部での熱伝達率を
向上させるため図９に示す特開平2−298054号公報に記
載の従来技術は、第１の冷却媒体供給部材５によって半
導体素子中央部に向けて冷却媒体を噴射し、第２の冷却
媒体供給部材５′によって半導体素子周辺部に噴射する
ことによって中央部と周辺部を一様に冷却しようとする
ものである。
向上させるため図９に示す特開平2−298054号公報に記
載の従来技術は、第１の冷却媒体供給部材５によって半
導体素子中央部に向けて冷却媒体を噴射し、第２の冷却
媒体供給部材５′によって半導体素子周辺部に噴射する
ことによって中央部と周辺部を一様に冷却しようとする
ものである。
【０００７】第１の冷却媒体供給部材５によって噴射さ
れた冷却媒体は、半導体素子３に衝突し、この面上を中
央部から周辺部に向かって放射状に流れながら伝熱に寄
与する。しかし、第２の冷却媒体供給部材５′から噴射
され半導体素子周辺に衝突した冷却媒体は周辺部から中
央部に向かって流れる。そのため、第１の冷却媒体供給
部材５からの流れと第２の冷却媒体供給部材５′からの
冷却媒体の流れが半導体素子３面上でぶつかり合う。そ
れによって、流れがよどむ領域が発生しその部分は局所
熱伝達率が低下し、全体としての冷却性能も低下する。
即ち、従来技術は半導体素子面上での冷却媒体の干渉に
ついて何ら考慮されていない。
れた冷却媒体は、半導体素子３に衝突し、この面上を中
央部から周辺部に向かって放射状に流れながら伝熱に寄
与する。しかし、第２の冷却媒体供給部材５′から噴射
され半導体素子周辺に衝突した冷却媒体は周辺部から中
央部に向かって流れる。そのため、第１の冷却媒体供給
部材５からの流れと第２の冷却媒体供給部材５′からの
冷却媒体の流れが半導体素子３面上でぶつかり合う。そ
れによって、流れがよどむ領域が発生しその部分は局所
熱伝達率が低下し、全体としての冷却性能も低下する。
即ち、従来技術は半導体素子面上での冷却媒体の干渉に
ついて何ら考慮されていない。
【０００８】本発明の目的は、高発熱する半導体素子面
に冷却媒体を噴射する冷却媒体供給部材と、この噴射さ
れた冷却媒体を半導体素子の周辺部にごく近い場所から
強制的に排出する排出部材を設けた構成によって局所熱
伝達率の平坦化した全体としての冷却性能を高めた半導
体冷却装置を提供することにある。
に冷却媒体を噴射する冷却媒体供給部材と、この噴射さ
れた冷却媒体を半導体素子の周辺部にごく近い場所から
強制的に排出する排出部材を設けた構成によって局所熱
伝達率の平坦化した全体としての冷却性能を高めた半導
体冷却装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体冷却装置の構成は、基板上に配列さ
れた一つないし複数の半導体素子に冷却媒体を供給する
冷却媒体供給ヘッダと、前記冷却媒体供給ヘッダに突設
されそれぞれの半導体素子面（冷却面）に前記冷却媒体
を噴出する少なくとも一つの冷却媒体噴出口を備えた半
導体冷却装置において、強制的に冷却媒体を排出する冷
却媒体強制排出口を半導体素子周辺部近傍に設けたもの
である。
に、本発明の半導体冷却装置の構成は、基板上に配列さ
れた一つないし複数の半導体素子に冷却媒体を供給する
冷却媒体供給ヘッダと、前記冷却媒体供給ヘッダに突設
されそれぞれの半導体素子面（冷却面）に前記冷却媒体
を噴出する少なくとも一つの冷却媒体噴出口を備えた半
導体冷却装置において、強制的に冷却媒体を排出する冷
却媒体強制排出口を半導体素子周辺部近傍に設けたもの
である。
【００１０】さらに、冷却媒体供給ヘッダ内を冷却媒体
強制排出口を有する冷却媒体強制排出部材が横切るよう
に構成したものである。
強制排出口を有する冷却媒体強制排出部材が横切るよう
に構成したものである。
【００１１】さらに、冷却媒体を加圧し供給するポンプ
と、冷却媒体を強制的に排出するポンプを設けた。
と、冷却媒体を強制的に排出するポンプを設けた。
【００１２】さらに、この２種類のポンプを同時に制御
する。
する。
【００１３】
【作用】本発明によれば、図８に示すように、高発熱す
る半導体素子面に冷却媒体を噴射する冷却媒体供給部材
とこの噴射された冷却媒体を半導体素子の周辺部にごく
近い場所から強制的に排出する排出部材を設けることに
よって構成し、半導体素子面上で噴流中心から離れるに
伴ってδ1 のように増加する冷却媒体壁噴流部の厚さを
δ2 のように抑制する。それによって冷却媒体局所速度
の減少も抑えられ局所熱伝達率は平坦化し、全体として
の冷却性能を高める。また、半導体素子の沸騰によって
発生した気泡を速やかに排出するため、気泡が他の半導
体素子の近くに及び冷却媒体の流動を妨げることによる
熱伝達率の低下を防止できる。
る半導体素子面に冷却媒体を噴射する冷却媒体供給部材
とこの噴射された冷却媒体を半導体素子の周辺部にごく
近い場所から強制的に排出する排出部材を設けることに
よって構成し、半導体素子面上で噴流中心から離れるに
伴ってδ1 のように増加する冷却媒体壁噴流部の厚さを
δ2 のように抑制する。それによって冷却媒体局所速度
の減少も抑えられ局所熱伝達率は平坦化し、全体として
の冷却性能を高める。また、半導体素子の沸騰によって
発生した気泡を速やかに排出するため、気泡が他の半導
体素子の近くに及び冷却媒体の流動を妨げることによる
熱伝達率の低下を防止できる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００１５】図１は、本発明の係る半導体冷却装置の一
実施例を示すマルチチップモジュールの断面図である。
セラミック製多層配線基板１上に電気接続部材２を介し
て配列された多数の半導体素子３のそれぞれに、冷却媒
体供給ヘッダ４に連通する管状の冷却媒体供給部材５が
半導体素子３の方向に突き出して配置されている。そし
て、半導体素子の周辺部近傍に排出口６を有する冷却媒
体強制排出部材７が設けられており冷却媒体戻りヘッダ
８に連通する。
実施例を示すマルチチップモジュールの断面図である。
セラミック製多層配線基板１上に電気接続部材２を介し
て配列された多数の半導体素子３のそれぞれに、冷却媒
体供給ヘッダ４に連通する管状の冷却媒体供給部材５が
半導体素子３の方向に突き出して配置されている。そし
て、半導体素子の周辺部近傍に排出口６を有する冷却媒
体強制排出部材７が設けられており冷却媒体戻りヘッダ
８に連通する。
【００１６】冷却媒体貯溜タンク９から冷却媒体供給用
ポンプ１０によって加圧された、例えば、フロロカーボ
ンに代表される素子温度よりも低い沸点の過冷却された
冷却媒体は、モジュールの冷却媒体供給管１１より供給
ヘッダ４に導かれ各冷却媒体供給部材５に分配された
後、各素子の平面上に噴射される。各素子に衝突した噴
流はその流れ方向を９０度変え、素子平面を放射状に流
れる。この際、半導体素子３から受熱して加熱され、気
泡１２を発生しながら後流側へと流れる。そして、半導
体素子の角部に至った冷却媒体は、冷却媒体強制排出口
６から排出部材７内部を通り自給式冷却媒体排出ポンプ
１３の作用を受け低圧の冷却媒体戻りヘッダ８に強制的
に導かれる。そして、モジュールの戻り管１４からモジ
ュール系外へと排出される。モジュールから排出された
比較的温度が高く気泡が混入した二相状態の冷却媒体
は、低温水などの２次冷却媒体と熱交換を行う熱交換器
１５を通過し、ここで再び凝縮され自給式冷却媒体排出
ポンプ１３から再び冷却媒体貯溜タンク９に戻る。冷却
媒体供給用ポンプ１０と自給式冷却媒体排出ポンプ１３
の動作中はこの一連の冷却媒体の流れが繰り返される。
本発明による特徴的な冷却媒体の流れは、各冷却媒体供
給部材５から半導体素子３面に衝突した後に半導体素子
３面上を放射状に流れ、圧力の低い冷却媒体強制排出口
６まで強制的に導かれる。そのため半導体素子面上での
冷却媒体の壁噴流厚さの増加に伴う速度の減少が抑制さ
れ半導体素子の角部においても、ある程度の高い熱伝達
率を得ることができる。さらに、沸騰現象によって気泡
が混ざり合った冷却媒体は、冷却媒体排出部材５の内部
を流れるが、このとき部材７は低温の冷却媒体が流れる
冷却媒体供給ヘッダ４を横切るため冷やされ気泡が小さ
くもしくは消失しやすくなる。なお、図１では冷却媒体
供給部材５と冷却媒体強制排出部材７の端部を半導体素
子３から等しい距離の位置に記しているが、冷却媒体強
制排出口６の位置は半導体素子３に近いほど強制排出の
効果が強くなる。
ポンプ１０によって加圧された、例えば、フロロカーボ
ンに代表される素子温度よりも低い沸点の過冷却された
冷却媒体は、モジュールの冷却媒体供給管１１より供給
ヘッダ４に導かれ各冷却媒体供給部材５に分配された
後、各素子の平面上に噴射される。各素子に衝突した噴
流はその流れ方向を９０度変え、素子平面を放射状に流
れる。この際、半導体素子３から受熱して加熱され、気
泡１２を発生しながら後流側へと流れる。そして、半導
体素子の角部に至った冷却媒体は、冷却媒体強制排出口
６から排出部材７内部を通り自給式冷却媒体排出ポンプ
１３の作用を受け低圧の冷却媒体戻りヘッダ８に強制的
に導かれる。そして、モジュールの戻り管１４からモジ
ュール系外へと排出される。モジュールから排出された
比較的温度が高く気泡が混入した二相状態の冷却媒体
は、低温水などの２次冷却媒体と熱交換を行う熱交換器
１５を通過し、ここで再び凝縮され自給式冷却媒体排出
ポンプ１３から再び冷却媒体貯溜タンク９に戻る。冷却
媒体供給用ポンプ１０と自給式冷却媒体排出ポンプ１３
の動作中はこの一連の冷却媒体の流れが繰り返される。
本発明による特徴的な冷却媒体の流れは、各冷却媒体供
給部材５から半導体素子３面に衝突した後に半導体素子
３面上を放射状に流れ、圧力の低い冷却媒体強制排出口
６まで強制的に導かれる。そのため半導体素子面上での
冷却媒体の壁噴流厚さの増加に伴う速度の減少が抑制さ
れ半導体素子の角部においても、ある程度の高い熱伝達
率を得ることができる。さらに、沸騰現象によって気泡
が混ざり合った冷却媒体は、冷却媒体排出部材５の内部
を流れるが、このとき部材７は低温の冷却媒体が流れる
冷却媒体供給ヘッダ４を横切るため冷やされ気泡が小さ
くもしくは消失しやすくなる。なお、図１では冷却媒体
供給部材５と冷却媒体強制排出部材７の端部を半導体素
子３から等しい距離の位置に記しているが、冷却媒体強
制排出口６の位置は半導体素子３に近いほど強制排出の
効果が強くなる。
【００１７】図２は、図１における冷却媒体供給部材５
と冷却媒体強制排出部材７の位置関係を平面的に示した
もので冷却媒体供給部材５を各半導体素子の中央部に配
置し、また、冷却媒体強制排出部材７を半導体素子角部
に設けている。この冷却媒体強制排出部材７を図では４
本で記しているが、更に多くても効果はある。
と冷却媒体強制排出部材７の位置関係を平面的に示した
もので冷却媒体供給部材５を各半導体素子の中央部に配
置し、また、冷却媒体強制排出部材７を半導体素子角部
に設けている。この冷却媒体強制排出部材７を図では４
本で記しているが、更に多くても効果はある。
【００１８】図３は、冷却媒体強制排出部材７を半導体
素子３の外周部に沿って設けたもので、このような構成
により半導体素子３の外周部全域にわたって冷却媒体の
速度減少に対する抑制効果がある。
素子３の外周部に沿って設けたもので、このような構成
により半導体素子３の外周部全域にわたって冷却媒体の
速度減少に対する抑制効果がある。
【００１９】図４は、冷却媒体供給部材５の断面形状が
２次元矩形断面である場合のもので、半導体素子３上で
冷却媒体の流れが後流に位置する部分に、矩形断面の冷
却媒体強制排出部材７を配置した。このような構造でも
効果はある。
２次元矩形断面である場合のもので、半導体素子３上で
冷却媒体の流れが後流に位置する部分に、矩形断面の冷
却媒体強制排出部材７を配置した。このような構造でも
効果はある。
【００２０】図５は、図４における冷却媒体供給部材５
と冷却媒体強制排出部材７の１組の組み合わせを立体的
に示した図である。
と冷却媒体強制排出部材７の１組の組み合わせを立体的
に示した図である。
【００２１】図６は、半導体素子３近傍に圧力センサ１
６を設け冷却媒体圧力を測定し冷却媒体供給用ポンプ１
０と自給式冷却媒体強制排出ポンプ１３を同時にインバ
ータ式等のコントローラ１７で自動的に制御することに
よって半導体素子３近傍の圧力を加減し冷却媒体の飽和
温度を変化させ沸騰性能を制御しようとするものであ
る。
６を設け冷却媒体圧力を測定し冷却媒体供給用ポンプ１
０と自給式冷却媒体強制排出ポンプ１３を同時にインバ
ータ式等のコントローラ１７で自動的に制御することに
よって半導体素子３近傍の圧力を加減し冷却媒体の飽和
温度を変化させ沸騰性能を制御しようとするものであ
る。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、高発熱する半導体素子
面に冷却媒体を噴射する冷却媒体供給部材とこの噴射さ
れた冷却媒体を半導体素子の周辺部にごく近い場所から
強制的に排出する排出部材を設けることによって構成
し、図８に示すように半導体素子面上で噴流中心から離
れるに伴って増加する冷却媒体壁噴流部厚さδ1をδ2の
ように抑制する。この作用により冷却媒体局所速度の減
少は抑えられる。その結果、局所熱伝達率は平坦化され
全体としての冷却性能が高まる。また、半導体素子の沸
騰によって発生した気泡を速やかに排出するため、気泡
が他の半導体素子の近くに及び冷却媒体の流動の妨げに
よる熱伝達率の低下を防止できる。
面に冷却媒体を噴射する冷却媒体供給部材とこの噴射さ
れた冷却媒体を半導体素子の周辺部にごく近い場所から
強制的に排出する排出部材を設けることによって構成
し、図８に示すように半導体素子面上で噴流中心から離
れるに伴って増加する冷却媒体壁噴流部厚さδ1をδ2の
ように抑制する。この作用により冷却媒体局所速度の減
少は抑えられる。その結果、局所熱伝達率は平坦化され
全体としての冷却性能が高まる。また、半導体素子の沸
騰によって発生した気泡を速やかに排出するため、気泡
が他の半導体素子の近くに及び冷却媒体の流動の妨げに
よる熱伝達率の低下を防止できる。
【図１】本発明の一実施例を示す系統面図。
【図２】本発明の一実施例を示す平面図。
【図３】本発明の第二の実施例を示す平面図。
【図４】本発明の第三の実施例を示す平面図。
【図５】本発明の一実施例を示す斜視図。
【図６】本発明の第二の実施例を示す系統図。
【図７】従来の半導体冷却装置の断面図。
【図８】本発明の効果の説明図。
【図９】従来の他の半導体冷却装置の説明図。
１…セラミック製多層配線基板、２…電気接続部材、３
…半導体素子、４…冷却媒体供給ヘッダ、５…冷却媒体
供給部材、６…排出口、７…冷却媒体強制排出部材、８
…冷却媒体戻りヘッダ、９…冷却媒体貯溜タンク、１０
…冷却媒体供給ポンプ、１１…冷却媒体供給管、１２…
気泡、１３…自給式冷却媒体強制排出ポンプ、１４…冷
却媒体排出管、１５…熱交換器。
…半導体素子、４…冷却媒体供給ヘッダ、５…冷却媒体
供給部材、６…排出口、７…冷却媒体強制排出部材、８
…冷却媒体戻りヘッダ、９…冷却媒体貯溜タンク、１０
…冷却媒体供給ポンプ、１１…冷却媒体供給管、１２…
気泡、１３…自給式冷却媒体強制排出ポンプ、１４…冷
却媒体排出管、１５…熱交換器。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に配列された一つないし複数の半導
体素子に冷却媒体を供給する冷却媒体供給ヘッダと、前
記冷却媒体供給ヘッダに突設されそれぞれの半導体素子
面に前記冷却媒体を噴出する少なくとも一つの冷却媒体
噴出口を備えた半導体冷却装置において、強制的に前記
冷却媒体を排出する少なくとも一つの冷却媒体強制排出
口を前記各半導体素子の周辺部近傍に設けたことを特徴
とする半導体冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17067694A JPH0837260A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | 半導体冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17067694A JPH0837260A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | 半導体冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0837260A true JPH0837260A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=15909327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17067694A Pending JPH0837260A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | 半導体冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0837260A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG120104A1 (en) * | 2003-06-30 | 2006-03-28 | Singapore Tech Aerospace Ltd | Spray cooling method and apparatus |
| JP2006242455A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 冷却方法及び装置 |
| JP2007142390A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-06-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 冷却装置、冷却システム及び熱伝導方法 |
| JP2007273983A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 熱分散アセンブリ、熱伝達のためのシステムおよび熱制御のための方法（高出力マイクロジェット・クーラー） |
| CN102148207A (zh) * | 2009-11-06 | 2011-08-10 | 英特尔公司 | 用于半导体器件的温度控制的直接流体接触微通道热传递装置、方法及其形成工艺 |
| US8410802B2 (en) | 2009-12-24 | 2013-04-02 | Intel Corporation | System including thermal control unit having conduit for dispense and removal of liquid thermal interface material |
| EP3188230A1 (en) * | 2015-12-30 | 2017-07-05 | IMEC vzw | Liquid cooling of electronic devices |
-
1994
- 1994-07-22 JP JP17067694A patent/JPH0837260A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG120104A1 (en) * | 2003-06-30 | 2006-03-28 | Singapore Tech Aerospace Ltd | Spray cooling method and apparatus |
| JP2006242455A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 冷却方法及び装置 |
| JP2007142390A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-06-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 冷却装置、冷却システム及び熱伝導方法 |
| JP2007273983A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 熱分散アセンブリ、熱伝達のためのシステムおよび熱制御のための方法（高出力マイクロジェット・クーラー） |
| CN102148207A (zh) * | 2009-11-06 | 2011-08-10 | 英特尔公司 | 用于半导体器件的温度控制的直接流体接触微通道热传递装置、方法及其形成工艺 |
| KR101299371B1 (ko) * | 2009-11-06 | 2013-08-27 | 인텔 코오퍼레이션 | 직접 액체-접촉 마이크로-채널 열 전달 디바이스들, 반도전성 디바이스들에 대한 온도 제어의 방법, 및 그것을 형성하는 프로세스들 |
| US9347987B2 (en) | 2009-11-06 | 2016-05-24 | Intel Corporation | Direct liquid-contact micro-channel heat transfer devices, methods of temperature control for semiconductive devices, and processes of forming same |
| US9448278B2 (en) | 2009-11-06 | 2016-09-20 | Intel Corporation | Direct liquid-contact micro-channel heat transfer devices, methods of temperature control for semiconductive devices, and processes of forming same |
| US8410802B2 (en) | 2009-12-24 | 2013-04-02 | Intel Corporation | System including thermal control unit having conduit for dispense and removal of liquid thermal interface material |
| EP3188230A1 (en) * | 2015-12-30 | 2017-07-05 | IMEC vzw | Liquid cooling of electronic devices |
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