JPH07120866B2 - 半導体素子の冷却装置 - Google Patents
半導体素子の冷却装置Info
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- JPH07120866B2 JPH07120866B2 JP62183833A JP18383387A JPH07120866B2 JP H07120866 B2 JPH07120866 B2 JP H07120866B2 JP 62183833 A JP62183833 A JP 62183833A JP 18383387 A JP18383387 A JP 18383387A JP H07120866 B2 JPH07120866 B2 JP H07120866B2
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- heat generating
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体素子の冷却装置であって、プリント板に実装され
る半導体素子を強制空冷する場合において、発熱量の大
きい素子は噴射空気で局部的に集中冷却するように構成
し、冷却構造の大型化を抑えて個々の素子の冷却効率を
向上することを可能とする。
る半導体素子を強制空冷する場合において、発熱量の大
きい素子は噴射空気で局部的に集中冷却するように構成
し、冷却構造の大型化を抑えて個々の素子の冷却効率を
向上することを可能とする。
本発明は、プリント板に実装される半導体素子を強制空
冷する冷却装置に関し、詳しくは、発熱量の異なる素子
が混在する場合の特に高発熱素子の冷却に関する。
冷する冷却装置に関し、詳しくは、発熱量の異なる素子
が混在する場合の特に高発熱素子の冷却に関する。
プリント板には一般に多種類の半導体素子が実装されて
おり、これらの素子で生じる熱を奪って熱的ダメジを防
ぐため、一般には空気を流して強制的に冷却する方法が
用いられている。特に、近年LSI等の素子の高密度化が
進んでそれに伴う発熱量も増大する傾向にあり、このた
め冷却も重要視されている。
おり、これらの素子で生じる熱を奪って熱的ダメジを防
ぐため、一般には空気を流して強制的に冷却する方法が
用いられている。特に、近年LSI等の素子の高密度化が
進んでそれに伴う発熱量も増大する傾向にあり、このた
め冷却も重要視されている。
そこで、従来上記半導体素子の空気冷却は、第４図に示
すようになっている。即ち、低発熱の素子1aと高発熱の
素子1bが混在するプリント板２にカバー３を被せ、ファ
ン４によりカバー３内部に空気を流して各素子1a、1bを
一律に強制冷却するものである。
すようになっている。即ち、低発熱の素子1aと高発熱の
素子1bが混在するプリント板２にカバー３を被せ、ファ
ン４によりカバー３内部に空気を流して各素子1a、1bを
一律に強制冷却するものである。
ところで、上記従来のものにあっては、冷却系が１組で
発熱量の異なる素子1a、1bが一律に冷却されるので、高
発熱素子1bの冷却が不充分になり易い。そこで，高発熱
素子1bを許容温度以下に冷却するには、ファン４による
全体の風量、風速を増す必要があり、装置の大型化、必
要以上の冷却を招く問題がある。
発熱量の異なる素子1a、1bが一律に冷却されるので、高
発熱素子1bの冷却が不充分になり易い。そこで，高発熱
素子1bを許容温度以下に冷却するには、ファン４による
全体の風量、風速を増す必要があり、装置の大型化、必
要以上の冷却を招く問題がある。
本発明は、このような点に鑑みて創作されたもので、発
熱量の異なる素子が混在する場合に、個々の素子を発熱
量に見合って的確に空気冷却することが可能な半導体素
子の冷却装置を提供することを目的としている。
熱量の異なる素子が混在する場合に、個々の素子を発熱
量に見合って的確に空気冷却することが可能な半導体素
子の冷却装置を提供することを目的としている。
上記目的を達成するため、本発明は実施例に対応した第
１図に示すように、 プリント板２の素子1a、1bを一律に冷却する共通空冷手
段６に対し、高圧の集中空冷手段10を各別に設ける。
１図に示すように、 プリント板２の素子1a、1bを一律に冷却する共通空冷手
段６に対し、高圧の集中空冷手段10を各別に設ける。
そして、集中空冷手段10により高発熱素子1bに各別に噴
流を当ててその冷却効率を増すように構成されている。
流を当ててその冷却効率を増すように構成されている。
上記構成に基づき、プリント板２の低発熱素子1aは共通
空冷手段６のみで充分冷却され、高発熱素子1bは共通と
集中の空冷手段６、10により効果的に冷却されるように
なる。
空冷手段６のみで充分冷却され、高発熱素子1bは共通と
集中の空冷手段６、10により効果的に冷却されるように
なる。
こうして本発明では、発熱量の異なる半導体素子1a、1b
を無駄無く適確に冷却することができ、強制空冷の方法
を拡大することが可能となる。
を無駄無く適確に冷却することができ、強制空冷の方法
を拡大することが可能となる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図において、符号２はプリント板、1a、1bは低発熱
と高発熱の素子であり、かかるプリント板２にカバー３
を被せて室５を成し、この室５の一方にファン４が取付
けられて共通空冷手段６が構成される。また、カバー３
には高圧空気通路７が設けられ、この通路７の一端は閉
じて他端に小型高圧ファン８が設置される。そして、高
発熱素子1bの直上のカバー３側に小孔、ノズル等の噴出
口９が開口して集中空冷手段10が構成される。
と高発熱の素子であり、かかるプリント板２にカバー３
を被せて室５を成し、この室５の一方にファン４が取付
けられて共通空冷手段６が構成される。また、カバー３
には高圧空気通路７が設けられ、この通路７の一端は閉
じて他端に小型高圧ファン８が設置される。そして、高
発熱素子1bの直上のカバー３側に小孔、ノズル等の噴出
口９が開口して集中空冷手段10が構成される。
このように構成された冷却装置の作用について述べる
と、ファン４の駆動による空気流Ａは素子1a、1bの室５
を所定の風量、風速により流れ、この空気流Ａに素子1
a、1bが触れて冷却され、低発熱素子1aはこの空気流Ａ
のみで充分冷却される。このとき集中空冷手段10のファ
ン８も同時に駆動することで、高圧空気が通路７により
導かれて噴出口９から高発熱素子1bに向けて噴出する。
そこで、素子1bは上述の空気流Ａに加えてこの噴流Ｂが
更に強く当たることになり、この両者により多量の発熱
が奪われて充分冷却されることになる。
と、ファン４の駆動による空気流Ａは素子1a、1bの室５
を所定の風量、風速により流れ、この空気流Ａに素子1
a、1bが触れて冷却され、低発熱素子1aはこの空気流Ａ
のみで充分冷却される。このとき集中空冷手段10のファ
ン８も同時に駆動することで、高圧空気が通路７により
導かれて噴出口９から高発熱素子1bに向けて噴出する。
そこで、素子1bは上述の空気流Ａに加えてこの噴流Ｂが
更に強く当たることになり、この両者により多量の発熱
が奪われて充分冷却されることになる。
第２図の実施例によると、素子1aには通常のフィン11a
が取付けられるのに対し、素子1bには、図示の通り外部
を冷却する空気流Ａと内部を冷却する噴流Ｂとを仕切る
ような形状のフィン、いわゆるティーカップ型フィン11
bが取り付けられる。ティーカップ型フィン11bが図示の
通り、接着面よりも上方が広がるような形状となってお
り、フィンの表面積を増大させている。そこで、フィン
11bは全体の表面積の増大で空気流Ａによる冷却効率が
増大すると共に、更に噴流Ｂがフィン11bの内部に入っ
て広範囲で触れることで、この場合の冷却効率も増すこ
とになる。
が取付けられるのに対し、素子1bには、図示の通り外部
を冷却する空気流Ａと内部を冷却する噴流Ｂとを仕切る
ような形状のフィン、いわゆるティーカップ型フィン11
bが取り付けられる。ティーカップ型フィン11bが図示の
通り、接着面よりも上方が広がるような形状となってお
り、フィンの表面積を増大させている。そこで、フィン
11bは全体の表面積の増大で空気流Ａによる冷却効率が
増大すると共に、更に噴流Ｂがフィン11bの内部に入っ
て広範囲で触れることで、この場合の冷却効率も増すこ
とになる。
第３図には複数のプリント板に同時に適用した場合の実
施例が示されており、複数のプリント板２、２′を覆う
カバー３の内部において素子部分の貫通した室５、５′
に対し、仕切り12、12′により一端を閉じた通路７、
７′が設けられる。そして、カバー３の少なくとも一方
にファン４が設置され、各プリント板２、２′の高発熱
素子1b、1b′の個所に噴出口９、９′が開口する。
施例が示されており、複数のプリント板２、２′を覆う
カバー３の内部において素子部分の貫通した室５、５′
に対し、仕切り12、12′により一端を閉じた通路７、
７′が設けられる。そして、カバー３の少なくとも一方
にファン４が設置され、各プリント板２、２′の高発熱
素子1b、1b′の個所に噴出口９、９′が開口する。
これにより、複数のプリント板２、２′はファン４の空
気流で同時に冷却され、ファン４による空気は通路７、
７′にも入り且つ噴出口９、９′から各高発熱素子1b、
1b′に噴出して集中冷却するようになる。
気流で同時に冷却され、ファン４による空気は通路７、
７′にも入り且つ噴出口９、９′から各高発熱素子1b、
1b′に噴出して集中冷却するようになる。
尚、集中空冷手段10の空気源、配管は種々考えられる。
以上述べてきたように、本発明によれば、 発熱量の異なる素子が混在する場合において、高発熱素
子は更に噴流で集中するので、その後発熱素子の冷却も
充分に行い得る。
子は更に噴流で集中するので、その後発熱素子の冷却も
充分に行い得る。
高発熱素子の冷却不足を集中冷却手段で補う方式である
から、無駄が無くて種々の形態に対処し得る。
から、無駄が無くて種々の形態に対処し得る。
第２図のようにフィンの形状により冷却効果を増した
り、第３図のように多層化にも容易に適用できる。
り、第３図のように多層化にも容易に適用できる。
第１図は本発明の冷却装置の実施例を一部断面して示す
側面図、 第２図と第３図は他の実施例を示す断面図、 第４図は従来例を示す断面図である。 第１図において、 1aは低発熱素子、 1bは高発熱素子、 ２はプリント板、 ６は共通空冷手段、 10は集中空冷手段である。
側面図、 第２図と第３図は他の実施例を示す断面図、 第４図は従来例を示す断面図である。 第１図において、 1aは低発熱素子、 1bは高発熱素子、 ２はプリント板、 ６は共通空冷手段、 10は集中空冷手段である。
Claims (2)
- 【請求項１】プリント板（２）の発熱量の異なる素子
（1a）、（1b）を一律に冷却する共通空冷手段（６）を
有する冷却装置において、 高発熱素子（1b）には更に高圧噴流を当てる集中空冷手
段（１）を付設する半導体素子の冷却装置。 - 【請求項２】上記高発熱素子（1b）は共通および集中空
冷手段（６）、（10）の空気を仕切る形状のフィン（11
b）を備える特許請求の範囲第（１）項記載の半導体素
子の冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62183833A JPH07120866B2 (ja) | 1987-07-23 | 1987-07-23 | 半導体素子の冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62183833A JPH07120866B2 (ja) | 1987-07-23 | 1987-07-23 | 半導体素子の冷却装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6428896A JPS6428896A (en) | 1989-01-31 |
| JPH07120866B2 true JPH07120866B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=16142640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62183833A Expired - Fee Related JPH07120866B2 (ja) | 1987-07-23 | 1987-07-23 | 半導体素子の冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120866B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2738563B2 (ja) * | 1989-06-20 | 1998-04-08 | 富士通株式会社 | 集積回路素子の冷却構造およびその冷却方法 |
| JPH04196395A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Hitachi Ltd | 冷却装置を備えた電子計算機 |
| US5218513A (en) * | 1992-08-04 | 1993-06-08 | Digital Equipment Corporation | Plenum for air-impingement cooling of electronic components |
| JPH10163660A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Hitachi Ltd | 空冷電子機器装置 |
| JP3907580B2 (ja) | 2002-12-11 | 2007-04-18 | 富士通株式会社 | 通信装置 |
| TW201236555A (en) * | 2011-02-18 | 2012-09-01 | Wistron Corp | Heat dissipation device and closed system having the same |
| WO2012141339A1 (ja) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | 日本電気株式会社 | 電子機器 |
| JP6015209B2 (ja) * | 2012-07-31 | 2016-10-26 | 株式会社ソシオネクスト | 温度調節装置、温度調節方法、電子装置の製造方法及び温度調節プログラム |
| WO2019048864A1 (en) * | 2017-09-06 | 2019-03-14 | Iceotope Limited | THERMAL DISSIPATOR, THERMAL DISSIPATOR ARRANGEMENT AND MODULE FOR IMMERSION COOLING IN A LIQUID |
| CN113519052A (zh) | 2019-03-05 | 2021-10-19 | 株式会社爱信 | 半导体装置 |
-
1987
- 1987-07-23 JP JP62183833A patent/JPH07120866B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6428896A (en) | 1989-01-31 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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