JPH0836976A

JPH0836976A - 表示装置

Info

Publication number: JPH0836976A
Application number: JP19129694A
Authority: JP
Inventors: Sadahisa Yonezawa; 禎久米沢; Shigeo Ito; 茂生伊藤
Original assignee: Futaba Corp
Current assignee: Futaba Corp
Priority date: 1994-07-22
Filing date: 1994-07-22
Publication date: 1996-02-06
Anticipated expiration: 2013-09-10
Also published as: JP2795184B2

Abstract

(57)【要約】【目的】絶縁性および導電性を問わずどのような蛍光
体でも採用することができる表示装置を提供すること。【構成】フィラメント６から放出された電子は、制御
電極５を通過して紫外線放射蛍光体層４に衝突し、紫外
線放射蛍光体４を励起して紫外線が放射される。放射さ
れた紫外線は、透明陽極薄膜導体３を通過して透明支持
板１の溝部内に形成された可視発光薄膜蛍光体２を励起
し、可視発光薄膜蛍光体２が可視光を発光する。この可
視光は透明支持板１を通して観察することができる。可
視発光薄膜蛍光体２は完全に密閉されていると共に、そ
の前面が透明陽極薄膜導体で覆われているため、電子源
よりの電子線により分解されることがない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、蛍光体を電子源より放
出される電子線を利用して発光させる表示装置の改良に
関するものである。

【０００２】金属または半導体表面の印加電界を１０⁹
［Ｖ／ｍ］程度にするとトンネル効果により、電子が障
壁を通過して常温でも真空中に電子放出が行われる。こ
の現象は電界放出（Field Emission）といわれており古
くから知られた現象であるが、このような原理を利用し
て電子を放出するカソードを電界放出カソード（Field
Emission Cathode）と呼んでいる。近年、半導体微細加
工技術を駆使して、ミクロンサイズの前記電界放出カソ
ードの作成が可能となり、この電界放出カソードを基板
上に多数形成することにより、面放出型の電界放出アレ
イを作成することが可能となっている。このような電界
放出アレイは、表示装置、ＣＲＴ、電子顕微鏡や電子ビ
ーム装置の電子源として適用することが提案されてい
る。

【０００３】図６に、適用例の一例である従来の表示装
置（特公平６−１４２６３号公報参照）を示す。この表
示装置（以下、ＦＥＤと記す）は、電界放出アレイが形
成されたカソード基板１００と、透明支持板１０８とが
所定間隔をもって対向配置されて内部が高真空とされる
外囲器を構成している。このカソード基板１００に形成
された電界放出アレイは、スパッタ等により形成された
カソード導体１０１と、その上に複数形成された円錐状
のエミッタコーン１０２と、このエミッタコーン１０２
の先端近傍で、絶縁膜１０３上に形成されたゲート導体
１０４とから構成されるスピント（Spindt）型の電界放
出アレイとされている。さらに、カソード基板１００に
対向するアノード基板１０８上にアノード導体１０５お
よび蛍光体層１０６が積層されている。

【０００４】このエミッタコーン１０２間のピッチは１
０ミクロン以下の寸法で作成することが出来、このよう
なエミッタコーン１０２を数万ないし数１０万個、１枚
のカソード基板１００上に設けるようにしている。な
お、この電界放出アレイにおいては、ゲート・カソード
間の距離をサブミクロンとすることが出来るため、ゲー
ト・カソード間に僅か数１０ボルトの電圧Ｖ_GEを電圧供
給部１０７から印加することによりエミッタコーン１０
２から電子を放出することが出来る。

【０００５】ところで、アノード導体１０５とゲート導
体１０４間には正電圧Ｖ_A が電圧供給部１０９から印加
されているため、エミッタコーン１０２から放出された
電子は、正電圧Ｖ_A により加速されてアノード導体１０
５により捕捉されるようになる。この時、捕捉される電
子がアノード導体１０５上に積層されている蛍光体層１
０６に衝突してこれを励起するため、蛍光体層１０６が
発光するようになる。この発光は透明支持板１０８を介
して図示する紙面の上の方向から観察することができ
る。

【０００６】この表示装置の斜視図を図７の上部に示す
が、カソード基板１００上にストライプ状の複数のカソ
ード導体１０１を形成すると共に、このカソード導体１
０１と直交するようストライプ状のゲート導体１０４を
複数本形成する。すなわち、カソード導体１０１とゲー
ト導体１０４とでマトリクスを構成し、このマトリクス
をカソード走査部１１０−１とゲート走査部１１０−２
とで走査する。この場合、例えばゲート走査部１１０−
２には表示信号が印加されており、１フィールドの走査
が終了した時に１枚の画像が表示される。

【０００７】この表示装置の斜視図を一部拡大して下部
に示すが、この図ではアノード基板１０８上に積層され
たアノード導体１０５、蛍光体層１０６を省略して示し
ている。この図に示されているように、ゲート導体１０
４には微少な孔が開いており、この孔からエミッタコー
ン１０２の先端が臨んでいる。このため、エミッタコー
ン１０２はゲート導体１０４と微少間隙を介して対向す
るようにされている。そして、エミッタコーン１０２の
先端から放出された電子は前記孔を通って放出されるよ
うになる。

【０００８】ところで、蛍光体を電子源より放出される
電子線を利用して紫外線放射蛍光体を励起させ、放射さ
れる紫外線により可視発光蛍光体を発光させる他の表示
装置として、蛍光表示管が知られている。そこで、この
ような従来の蛍光表示管の断面図を図５に示す（特開昭
６３−１９７３７号公報参照）。この図において、１１
１は内部が真空とされる外囲器の一部を構成している基
板、１１２は電子を捕捉するよう基板１１１の内面に形
成されている陽極導体、１１３は陽極導体１１２上に形
成されている可視発光蛍光体、１１４は可視発光蛍光体
１１３上にさらに形成されている紫外線放射蛍光体、１
１５は電子の陽極導体１１２への到達を制御する制御電
極、１１６は電子を放出するフィラメント、１１７は外
囲器の一部を構成している側面板、１１８は外囲器の底
面を構成している平面板、１２０は外囲器内を高真空に
引くための排気管、１２１は紫外線放射蛍光体１１４に
電子が衝突し、発生した紫外線が隣接する可視発光蛍光
体１１３を発光させないための遮蔽板である。

【０００９】この蛍光表示管において、基板１１１は透
明のガラス板により形成されており、その内側内面には
ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜あるいはネサ膜等の透明
導電膜からなる陽極電極１１２が形成されている。ま
た、陽極電極１１２上には紫外線で励起発光される可視
発光蛍光体１１３が形成されている。この可視発光蛍光
体１１３は紫外線の励起により効率よく発光する蛍光体
であり、例えば硫化物系のＺｎＳ：Ａｇ蛍光体が用いら
れる。

【００１０】さらに、可視発光蛍光体１１３の上には電
子線で励起される紫外線放射蛍光体１１４が積層されて
いる。そして、この紫外線放射蛍光体１１４から離隔さ
れると共に対面して制御電極１１５が設けられており、
この制御電極１１５に印加される電位に応じて、フィラ
メント１１６から放出された電子線が、陽極導体１１２
に到達することを制御することができる。すなわち、可
視発光蛍光体１１３の発光をオン／オフすることができ
る。この制御電極１１５はメッシュ状あるいはワイヤー
状とされている。

【００１１】また、制御電極１１５からさらに離隔され
ると共に紫外線放射蛍光体１１４に対面して電子を放出
するフィラメント１１６が設けられている。前記した各
部を収納している容器が基板１１１、側面板１１７、及
び平面板１１８からなる外囲器であり、各部を収納した
後、排気管１２０から排気を行い外囲器内部を高真空と
した後に排気管１２０が封止されている。

【００１２】なお、可視発光蛍光体１１３上に紫外線放
射蛍光体１１４を積層しているのは、次の理由による。
可視発光蛍光体１１３は電子線で励起されて発光する
が、電子線のエネルギのすべてが発光に寄与するもので
はなく、エネルギの一部は可視発光蛍光体１１３を分解
させ、蛍光体１１３の成分をガス体として飛散させるこ
とになる。特に、可視発光蛍光体が硫化物とされている
場合は、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂ 、Ｈ₂ Ｓ等の硫化物系のガス
が飛散されることになり、このガスがフィラメントに付
着するとその表面を毒化させてしまうため、フィラメン
トのエミッションが低下することになる。

【００１３】従って、表示装置の輝度が次第に減少する
ことになる。また、電流密度を上げて輝度を上げようと
しても、この現象は硫化物蛍光体に衝突する電子線の密
度が大きいほどガスの飛散が大となるため、電流密度を
上げて輝度を上げることはできない。そこで、可視発光
蛍光体１１３を電子線で励起する替わりに紫外線で励起
して発光させるようにすると共に、仮に可視発光蛍光体
１１３が分解してもガスが飛散されないように紫外線放
射蛍光体１１４により、可視発光蛍光体１１３を覆うよ
うにしているのである。

【００１４】このような構造の蛍光表示管の動作を説明
すると、フィラメント１１６から放出された電子は、制
御電極１１５を通過して紫外線放射蛍光体１１４に衝突
し、紫外線放射蛍光体１１４が励起されるため、この蛍
光体１１４から紫外線が放射される。放射された紫外線
は、紫外線放射蛍光体１１４の内側に積層されている可
視発光蛍光体１１３を励起し、可視発光蛍光体１１４が
可視光を発光するようになる。この可視光は透明の基板
１１１を通して外部から観察することができる。

【００１５】なお、前記した蛍光表示管における蛍光体
の分解を防止する構造は、前記した電界放出型の表示装
置においても採用することができるものである。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来の表
示装置において、ＦＥＣあるいはフィラメント等の電子
源から放出された電子により、直接硫化物系の可視発光
蛍光体を励起させるようにすると、蛍光体が分解し電子
源を汚染することになる。そして、これを防止するため
に、前記したように可視発光蛍光体に前置して紫外線放
射蛍光体を配置して、紫外線により可視発光蛍光体を励
起するようにすると、電子源が汚染されることは防止で
きるが、紫外線放射蛍光体は電子線で励起されているた
めに、後置される可視発光蛍光体を導電性の蛍光体とす
る必要が生じる。

【００１７】しかしながら、蛍光体は一般に絶縁性のも
のが多く導電性の蛍光体とする場合は、その範囲が狭ま
り所望の発光特性を有する蛍光体を採用することに支障
を生じる場合が多いという問題点があった。特に、フル
カラーの表示装置においては赤（Ｒ），青（Ｂ），緑
（Ｇ）の蛍光体が一般に必要であり、輝度等の発光特性
が互いに近い３種類の蛍光体を上記条件の基で選択する
ことは困難なこととなっていた。

【００１８】そこで、本発明は絶縁性および導電性を問
わずどのような蛍光体でも採用することができる表示装
置を提供することを目的としている。

【００１９】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の表示装置は、電子を放出する電子源と、該
電子源に対向配置された透明支持板とを備え、前記透明
支持板の内側に形成されている可視発光蛍光体層を覆う
ように陽極導体が形成されており、前記陽極導体上に、
前記可視発光蛍光体が励起される紫外線を放射する紫外
線放射蛍光体層を積層するようにしたものである。

【００２０】また、具体的には、前記透明支持板に溝部
が形成されており、この溝部内に前記可視発光蛍光体層
を形成するようにしたものであり、前記可視発光蛍光体
層および陽極導体を薄膜で形成するようにしたものであ
る。さらに、前記陽極導体を複数本のストライプ状の導
体で構成するようにし、この陽極導体を走査することに
より画像を表示するようにしたものである。

【００２１】

【作用】本発明によれば、紫外線放射蛍光体が陽極導体
に直接接しているため、紫外線放射蛍光体と陽極導体と
の間に抵抗の高い可視発光蛍光体層が挟まれているもの
と比較して、可視発光蛍光体層による電圧降下がなくな
り、より強度の強い紫外線を放出することができるよう
になる。このため、可視発光蛍光体層の発光輝度も向上
するようになる。また、紫外線により可視発光蛍光体が
励起されているため、可視発光蛍光体に導電性を有させ
る必要がなくなり、絶縁性の蛍光体を使用することがで
きるようになる。さらに、可視発光蛍光体層は陽極導体
により密閉された状態とされているため、紫外線放射蛍
光体層や電子源などからの汚染を受けるおそれが極めて
少なくなる。

【００２２】

【実施例】本発明の表示装置の第１実施例の断面図を図
１に示すが、この表示装置は蛍光表示管とされている。
この図において、１は内部が真空とされる外囲器の一部
を構成している透明支持基板、２は透明支持基板１に形
成された溝部内に形成されている可視発光薄膜蛍光体、
３は可視発光薄膜蛍光体２を覆うように形成されている
と共に、電子源から放出された電子を捕捉するための透
明陽極薄膜導体、４は透明陽極薄膜導体３上に積層され
ている紫外線放射蛍光体、５は電子の透明陽極薄膜導体
３への到達を制御するグリット、６は電子を放出する電
子源であるフィラメント、７は外囲器の一部を構成して
いる平面板である。

【００２３】この蛍光表示管において、透明支持板１は
透明のガラス板により形成されており、その内側内面に
は溝部がエッチング等により形成されており、この溝部
内に可視発光薄膜蛍光体２が蒸着あるいはスパッタ等に
より形成されている。可視発光薄膜蛍光体２は紫外線の
励起により効率よく発光する蛍光体であり、例えば硫化
物系のＺｎＳ：Ｍｎ蛍光体が用いられる。さらに、この
可視発光薄膜蛍光体２を密閉するように、ＩＴＯ（Indi
um Tin Oxide）膜あるいはネサ膜等の透明導電膜からな
る透明陽極薄膜電極３が蒸着あるいはスパッタ等により
形成されている。そして、透明陽極薄膜電極３上には電
子線で励起されて紫外線を放射する紫外線放射蛍光体層
４が積層されている。

【００２４】また、この紫外線放射蛍光体層４から離隔
されると共に対面してグリット５が設けられており、こ
のグリット５に印加される電位に応じて、フィラメント
６から放出された電子が、透明陽極薄膜導体３に到達す
ることを制御することができる。すなわち、紫外線放射
蛍光体層４の励起をオン／オフすることができる。この
グリット５はメッシュ状あるいはワイヤー状とされてい
る。また、グリット５からさらに離隔されると共に紫外
線放射蛍光体４に対面して電子を放出するフィラメント
６が設けられている。前記した各部を収納している容器
が透明支持板１及び平面板７からなる外囲器である。

【００２５】このような構造の表示装置の動作を説明す
ると、電流により加熱されたフィラメント６から放出さ
れた電子は、グリット５を通過して紫外線放射蛍光体層
４に衝突し、これにより紫外線放射蛍光体４が励起され
るため、この蛍光体層４から紫外線が放射される。放射
された紫外線は、紫外線放射蛍光体４の内側に積層され
ている透明陽極薄膜導体３を通過して可視発光薄膜蛍光
体２を励起し、可視発光薄膜蛍光体２が可視光を発光す
るようになる。この可視光は透明支持板１を通して図示
する方向から観察することができる。

【００２６】この第１実施例によれば、可視発光薄膜蛍
光体２は完全に密閉されていると共に、その前面が透明
陽極薄膜導体で覆われているため、電子源よりの電子線
は到達せず分解されることがないと共に、紫外線放射蛍
光体に直接接していないためこの蛍光体から汚染を受け
ることを回避することができる。また、可視発光薄膜蛍
光体２は紫外線のみにより励起されるため、導電性であ
る必要はなく、絶縁性の蛍光体であってもを使用するこ
とができる。

【００２７】なお、可視発光薄膜蛍光体２を薄膜として
いるのは、薄膜でないとその上に他の薄膜を形成するこ
とが困難なためである。また、透明陽極薄膜導体３を薄
膜としているのも同様の理由である。ここで、透明支持
板１に形成する溝部の深さは約１〜２ミクロンとされて
おり、可視発光薄膜蛍光体２はこの溝部内に約２ミクロ
ンの厚さで成膜されている。可視発光薄膜蛍光体２は、
例えばＺｎＳ：Ｍｎの蛍光体が採用され、紫外線放射蛍
光体層４は、例えばＢａＳｉ₂ Ｏ₅ ：Ｐｂの蛍光体が採
用されている。また、透明陽極薄膜導体３としては、Ｉ
ＴＯあるいはＳｎＯ₂ ，ＺｎＯ等を使用して成膜されて
いる。

【００２８】なお、図示するように透明陽極薄膜導体３
は可視発光薄膜蛍光体２毎に分割して作成すると共に、
透明陽極薄膜導体３をストライプ状に形成する。さら
に、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかの色を発光する蛍光体を順次
透明支持板１の溝部内に形成することにより可視発光薄
膜蛍光体２を構成すると共に、透明陽極薄膜導体３を順
次走査して駆動するようにすると、フルカラーの蛍光表
示管とすることができる。この場合、フィラメント６と
グリット５とでマトリクスを構成しており、このマトリ
クスは図示しない駆動回路で透明陽極薄膜導体３の走査
に同期して走査されている。

【００２９】次に、本発明の表示装置の第２実施例を図
２に示すが、この第２実施例は電界放出型表示装置の実
施例である。第２実施例の表示装置は、前記第１実施例
の表示装置と比べて電子源の構成が異なるだけであり、
可視発光蛍光体及び紫外線放射蛍光体の設けられている
透明支持板側の発光部の構成は同一とされているので、
電子源だけの説明を行う事とする。図２における電子源
は、カソード基板１４上にストライプ状に形成された複
数本のカソード導体１３と、このカソード導体１３上に
複数個形成されたエミッタコーン１２と、絶縁層１１を
介してエミッタコーン１２の先端近傍に形成されている
ゲート導体１０とから構成されている。

【００３０】この電子源は前記したように半導体微細加
工技術を用いて作成されており、エミッタコーン１２間
のピッチは１０ミクロン以下の寸法で、エミッタコーン
１２を数万ないし数１０万個、カソード基板１４上に設
けるようにしている。なお、この電界放出アレイにおい
ては、ゲート・カソード間の距離がサブミクロンとされ
ており、ゲート導体１０・カソード導体１３間に数１０
ボルトの電圧を印加することによりエミッタコーン１２
の先端から電子を放出することができる。

【００３１】このようにして放出された電子は、破線で
示す軌道でゲート導体１０より正電圧が印加されている
透明陽極薄膜導体３の発生する電界により加速されて紫
外線放射蛍光体４に衝突する。これにより紫外線放射蛍
光体４が励起されるため、この蛍光体層４から紫外線が
放射される。放射された紫外線は、紫外線放射蛍光体４
の内側に積層されている透明陽極薄膜導体３を通過して
可視発光薄膜蛍光体２を励起し、可視発光薄膜蛍光体２
が可視光を発光するようになる。この可視光は透明支持
板１を通して図示する方向から観察することができる。

【００３２】この場合、ストライプ状のカソード導体１
３に対応して透明陽極薄膜導体３をストライプ状に設け
るようにすると共に、透明陽極薄膜導体３で封じ込める
蛍光体として、Ｒ，Ｇ，Ｂを発光する可視発光薄膜蛍光
体を２を順次透明支持板１の溝部内に設けるようにす
る。そして、カソード導体１３と直交するストライプ状
に設けられているゲート導体１０とにより、前記図７に
示すように構成したマトリクスを走査すると共に、Ｒ，
Ｇ，Ｂを発光する可視発光薄膜蛍光体をそれぞれ封じ込
めている透明陽極薄膜導体３を順次走査することにより
フルカラーの表示装置とすることができる。

【００３３】ここで、透明支持板１に形成する溝部の深
さは約１〜２ミクロンとされており、可視発光薄膜蛍光
体２はこの溝部内に約２ミクロンの厚さで成膜されてい
る。可視発光薄膜蛍光体２は、例えばＺｎＳ：Ｍｎの蛍
光体が採用され、紫外線放射蛍光体層４は、例えばＢａ
Ｓｉ₂ Ｏ₅ ：ＰｂやＺｎＧａ₂ Ｏ₄ 等の蛍光体が採用さ
れている。また、透明陽極薄膜導体３としては、ＩＴＯ
あるいはＳｎＯ₂ ，ＺｎＯ等を使用して成膜されてい
る。

【００３４】なお、第２実施例においても、可視発光薄
膜蛍光体２は完全に密閉されていると共に、その前面が
透明陽極薄膜導体で覆われているため、電子源よりの電
子線により分解されることがないと共に、紫外線放射蛍
光体に直接接していないためこの蛍光体から汚染を受け
ることを回避することができる。また、可視発光薄膜蛍
光体２は紫外線のみにより励起されるため、導電性であ
る必要はなく、絶縁性の蛍光体であっても使用すること
ができる。

【００３５】次に、第１実施例及び第２実施例の透明支
持板１側の発光部の構成の変形例を図３に示す。図３
（ａ）は、透明支持板１に設けられている溝部内に形成
されている可視発光薄膜蛍光体を、ベタに構成した一枚
の透明陽極薄膜導体３で覆うように封じ込めており、更
にその上に紫外線放射蛍光体４をベタに積層して構成し
ている。この構成は、透明陽極薄膜導体３を複数本設け
て走査する必要のないモノクロの表示装置や、Ｒ，Ｇ，
Ｂごとに電子源を有するフルカラー表示装置等に用いる
ことができる。

【００３６】また、図３（ｂ）は溝部を透明支持板１に
設けなくても良い構成例であり、フラットな透明支持板
１の内側にストライプ状の可視発光薄膜蛍光体２を蒸着
あるいはスパッタ等により形成し、この可視発光薄膜蛍
光体２の側面を含めて覆うようにＩＴＯ膜あるいはネサ
膜等の透明導電膜からなる透明陽極薄膜電極３が蒸着あ
るいはスパッタ等により形成されている。そして、透明
陽極薄膜電極３上には励起されて紫外線を放射する紫外
線放射蛍光体層４が積層されている。

【００３７】このような変形例の発光部を、前記第１実
施例及び第２実施例に適用することにより前記したよう
な作用効果を奏することができる。また、透明支持板１
の構成は図４にその一例を示すように、内側に複数本の
溝部２０−１，２０−２，２０−３・・・２０−ｎが設
けられており、この溝部２０−１，２０−２，２０−３
・・・２０−ｎ内には紫外線で励起されてＲ，Ｇ，Ｂの
いずれかを発光する可視発光蛍光体が順次設けられてい
る。このように構成された透明支持板は、前記した第１
実施例及び第２実施例のフルカラーの表示装置に適用し
て好適なものである。

【００３８】

【発明の効果】本発明は以上のように構成しているの
で、紫外線放射蛍光体が陽極導体に直接接しており、紫
外線放射蛍光体と陽極導体との間に可視発光蛍光体層が
挟まれているものと比較して、可視発光蛍光体層による
電圧降下がなくなり、より強度の強い紫外線を放出する
ことができるようになる。このため、可視発光蛍光体層
の発光輝度も向上するようになる。また、紫外線により
可視発光蛍光体が励起されているため、可視発光蛍光体
が導電性を有している必要がなく、絶縁性の可視発光蛍
光体でも採用することができる。さらに、可視発光蛍光
体層は陽極導体により密閉された状態とされているた
め、紫外線放射蛍光体層や電子源などからの汚染を受け
ることが極めて少なくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の表示装置の第１実施例の断面図であ
る。

【図２】本発明の表示装置の第２実施例の断面図であ
る。

【図３】本発明の発光側の変形例を示す断面図である。

【図４】本発明の透明支持板の構成を示す図である。

【図５】従来の蛍光表示管の断面図である。

【図６】従来の電界放出型表示装置の原理を示す断面図
である。

【図７】従来の電界放出型表示装置の断面図である。

【符号の説明】

１透明支持板２可視発光薄膜蛍光体３透明陽極薄膜導体４紫外線放射蛍光体５グリット６フィラメント７平面板１０ゲート導体１１絶縁層１２エミッタコーン１３カソード導体１４カソード基板２０−１〜２０−ｎ溝部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子を放出する電子源と、該電子源に対向配置された透明支持板とを備え、前記透明支持板の内側に形成されている可視発光蛍光体
層を覆うように陽極導体が形成されており、前記陽極導体上に、前記可視発光蛍光体が励起される紫
外線を放射する紫外線放射蛍光体層が積層されているこ
とを特徴とする表示装置。
【請求項２】前記透明支持板に溝部が形成されてお
り、この溝部内に前記可視発光蛍光体層が形成されてい
ることを特徴とする表示装置。
【請求項３】前記可視発光蛍光体層および陽極導体が
薄膜で形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】前記陽極導体が複数本のストライプ状の
導体とされており、前記陽極導体を走査することにより
画像を表示するようにしたことを特徴とする表示装置。