JPH0834760B2 - Flat display device - Google Patents

Flat display device

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JPH0834760B2
JPH0834760B2 JP60231107A JP23110785A JPH0834760B2 JP H0834760 B2 JPH0834760 B2 JP H0834760B2 JP 60231107 A JP60231107 A JP 60231107A JP 23110785 A JP23110785 A JP 23110785A JP H0834760 B2 JPH0834760 B2 JP H0834760B2
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JP
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pixel
thin film
transistor
flat display
drive
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和雄 砂原
幹男 高橋
博文 国藤
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Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は液晶表示装置等のフラツトデイスプレイに係
り、特に各表示素子にアクテイブ素子を付設したアクテ
イブ・マトリツクス方式のフラツトデイスプレイに関す
るものである。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat display such as a liquid crystal display device, and more particularly to an active matrix type flat display in which each display element is provided with an active element.

〔発明の背景〕[Background of the Invention]

近年、この種のデイスプレイの研究が盛んなことは、
例えば日経エレクトロニクス1984年9月10日号の第211
頁に記載されている通りである。
In recent years, there has been a great deal of research on this type of display.
For example, Nikkei Electronics September 11, 1984 issue 211
As described on the page.

このようなデイスプレイは、マトリツクス状に駆動配
線と信号配線とが配列され、それによつて各配線で囲ま
れた各領域に配置した各表示素子を個々のアクテイブ素
子によりスイツチング駆動させる構成を有しており、ア
クテイブ素子のスイツチオンのとき、表示素子に画像情
報が表示され、スイツチオフのとき、その情報が保持さ
れる。
Such a display has a structure in which drive wirings and signal wirings are arranged in a matrix, and each display element arranged in each region surrounded by each wiring is driven by individual active elements for switching driving. Therefore, when the active element is switched on, the image information is displayed on the display element, and when the active element is switched off, the information is held.

しかしながら、このように構成されるフラツトデイス
プレイは、1個の表示素子に対して1個の薄膜トランジ
スタを有しているので、薄膜トランジスタのオン電流が
不足すると、表示素子の表示画像上に黒点不良を発生
し、またオフ電流が大であると、白点不良を発生させて
いた。
However, since the flat display having such a structure has one thin film transistor for one display element, if the ON current of the thin film transistor is insufficient, a black dot defect appears on the display image of the display element. If it occurs and the off-current is large, a white spot defect occurs.

また、特開昭58−171860号公報に示されているように
アクテイブ素子としてポリシリコンを活性層とする薄膜
トランジスタにおいては、粒界のリーク電流を防止する
ため、複数個のトランジスタを、そのゲートを共通にし
て直列接続しているが、リダンダンシを目的としたもの
ではないので、そのうちの1個のトランジスタのオフ電
流が大となると、白点不良となる欠点があつた。その他
の公知例としては、特開昭55−530号、特開昭56−77887
号、特開昭58−143377号、特開昭58−144888号、特開昭
59−15282号、特開昭59−57217号、特開昭59−81621
号、特開昭59−188283号、特開昭60−169837号公報が有
るが、いずれも1つの画素内の全ての薄膜トランジスタ
のゲートは画素に対応する1つの駆動配線に接続される
構造の記載はない。特開昭60−26991号公報にはスイッ
チ素子に活性層が分離された複数の薄膜トランジスタを
用いる記載はない。先願としては特開昭61−292683号公
報が有るが、信号配線により活性層内に活性層の長手方
向に対し垂直方向に電界が発生する如く構成される薄膜
トランジスタの記載はない。特開昭61−67095号、特開
昭61−121034号、特開昭61−290490号公報には1つの画
素内の複数の薄膜トランジスタのゲートは画素に対応す
る1つの駆動配線に接続される構造の記載はない。
Further, in a thin film transistor using polysilicon as an active layer as an active element as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-171860, in order to prevent a leak current at a grain boundary, a plurality of transistors are provided with gates thereof. Although they are connected in series in common, they are not intended for redundancy. Therefore, when the off-current of one of the transistors becomes large, there is a drawback that white spot defects occur. Other known examples include JP-A-55-530 and JP-A-56-77887.
No. 58, JP-A-58-143377, JP-A-58-144888, JP-A-SHO
59-15282, JP-A-59-57217, JP-A-59-81621
JP-A-59-188283 and JP-A-60-169837, all of which describe the structure in which the gates of all thin film transistors in one pixel are connected to one drive wiring corresponding to the pixel. There is no. Japanese Unexamined Patent Publication No. 60-26991 does not describe the use of a plurality of thin film transistors having active layers separated in a switch element. As a prior application, there is JP-A-61-292683, but there is no description of a thin film transistor configured so that an electric field is generated in the active layer by the signal wiring in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the active layer. JP-A-61-67095, JP-A-61-121034 and JP-A-61-290490 disclose a structure in which the gates of a plurality of thin film transistors in one pixel are connected to one drive wiring corresponding to the pixel. Is not stated.

〔発明の目的〕[Object of the Invention]

本発明は上記従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は、薄膜トランジスタの
オン電流の不足に起因する黒点不良の発生を防止し、画
素欠陥の発生を防止することが可能なフラツトデイスプ
レイを提供することにある。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to prevent the occurrence of a black dot defect due to a shortage of the ON current of a thin film transistor and prevent the occurrence of a pixel defect. It is to provide a possible flat display.

本発明の他の目的は、薄膜トランジスタのオフ電流の
大に起因する白点不良の発生を防止し、画素欠陥の発生
を防止することが可能なフラツトデイスプレイを提供す
ることにある。
Another object of the present invention is to provide a flat display capable of preventing the occurrence of a white spot defect due to a large off current of a thin film transistor and the occurrence of a pixel defect.

〔発明の概要〕[Outline of Invention]

本発明の一実施例によれば、1個の表示素子に対して
複数個の薄膜トランジスタを接続することにより、アク
テイブ素子回路に冗長性をもたせたフラツトデイスプレ
イが提供される。
According to one embodiment of the present invention, by connecting a plurality of thin film transistors to one display element, a flat display in which the active element circuit has redundancy is provided.

〔発明の実施例〕Example of Invention

次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図はアクテイブマトリツクス方式のフラツトデイ
スプレイを示す回路構成図である。同図において、1は
駆動配線、2は信号配線、3はアクテイブ素子としての
薄膜トランジスタ(以下トランジスタと称する)、4は
例えば液晶表示素子あるいはEL(エレクトロ・ルミネツ
センス)等の表示素子であり、1個のトランジスタ3と
表示素子4とで一画素5を構成している。
FIG. 1 is a circuit configuration diagram showing an active matrix type flat display. In the figure, 1 is a drive wiring, 2 is a signal wiring, 3 is a thin film transistor (hereinafter referred to as a transistor) as an active element, 4 is a display element such as a liquid crystal display element or an EL (electro luminescence), The transistor 3 and the display element 4 constitute one pixel 5.

本発明によるフラツトデイスプレイは、第2図に示す
ように個々の画素5′が駆動配線1,信号配線2と表示素
子4との間に第1のトランジスタ3aおよび第2のトラン
ジスタ3bを並列接続して構成されている。
In the flat display according to the present invention, as shown in FIG. 2, each pixel 5'connects the first transistor 3a and the second transistor 3b in parallel between the drive wiring 1, the signal wiring 2 and the display element 4. Is configured.

このような構成によれば、表示素子4をスイツチング
駆動する第1のトランジスタ3aもしくは第2のトランジ
スタ3bの一方が、オン電流が小となる欠陥が発生して
も、残る他方がオン電流を供給するので、黒点不良を発
生させることはなくなる。
According to such a configuration, even if one of the first transistor 3a and the second transistor 3b, which drive the display element 4 by switching, has a defect that the on-current is small, the other one supplies the on-current. Therefore, the black dot defect does not occur.

ここで、黒点不良となる確率を計算すると、今、画素
数が1000×1000個のフラツトデイスプレイには通常10個
程度の黒点不良があり、良品とはならない。ここで、前
述したようにトランジスタを並列接続した構成とする
と、オン電流が小となる欠陥トランジスタの数は20個で
あり、これらが同一の画素面に集まる確率が、画素が黒
点となる確率を与える。
Calculating the probability of defective black spots, a flat display having 1000 × 1000 pixels usually has about 10 defective black spots and is not a good product. Here, when the transistors are connected in parallel as described above, the number of defective transistors whose on-state current is small is 20, and the probability that they are gathered on the same pixel surface is the probability that a pixel becomes a black dot. give.

20(個)×19÷(2×106)=1.9×10-4 すなわち、黒点画素に関する歩留りは約99.98%と計算
され、極めて有効である。
20 (pieces) × 19 ÷ (2 × 10 6 ) = 1.9 × 10 −4 That is, the yield for black dot pixels is calculated to be about 99.98%, which is extremely effective.

第3図は第2図で説明したトランジスタが並列接続さ
れた具体例を示す平面構成図であり、前述の図と同一符
号は同一部分を示す。同図において、駆動配線1と信号
配線2とが交差する2辺に、例えばアモルフアスシリコ
ンを活性層6a,6bとしソース電極7a,7bが接続されたトラ
ンジスタ3a,3bがそれぞれ形成され、ソース電極7a,7bは
表示素子の画素電極8に並列接続されて形成される。こ
のように形成されたトランジスタ3a,3bは信号配線2に
より活性層6a,6bの長手方向に対し垂直方向に電界が発
生する如く構成されており、駆動配線1により前述のオ
ン電流が制御される。また、第3図に示す様に信号配線
2の一部は駆動配線1と活性層6a,6bを挾んで重なる様
に設けられている。
FIG. 3 is a plan configuration diagram showing a specific example in which the transistors described in FIG. 2 are connected in parallel, and the same reference numerals as those in the above-mentioned figures indicate the same parts. In the same figure, transistors 3a and 3b to which source electrodes 7a and 7b are connected are formed respectively on two sides where the drive wiring 1 and the signal wiring 2 intersect, and the source electrodes 7a and 7b are connected to the source electrodes. 7a and 7b are formed by being connected in parallel to the pixel electrode 8 of the display element. The transistors 3a and 3b thus formed are configured such that an electric field is generated by the signal line 2 in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the active layers 6a and 6b, and the on-current is controlled by the drive line 1. . Further, as shown in FIG. 3, a part of the signal wiring 2 is provided so as to overlap the driving wiring 1 with the active layers 6a and 6b interposed therebetween.

第4図は本発明の他の実施例を示す回路構成図であ
る。同図において、フラツトデイスプレイは、個々の画
素5″が第1のトランジスタ3aと第2のトランジスタ3b
とが直列接続して構成されている。
FIG. 4 is a circuit configuration diagram showing another embodiment of the present invention. In the flat display shown in the figure, each pixel 5 ″ has a first transistor 3a and a second transistor 3b.
And are connected in series.

このような構成によれば、第1のトランジスタ3aもし
くは第2のトランジスタ3bのオフ電流が大となる不良を
発生しても直列接続された他のトランジスタがオフ特性
を保障するので、白点画素の発生を防止することができ
る。
With such a configuration, even if a defect in which the off-current of the first transistor 3a or the second transistor 3b becomes large is generated, the other transistors connected in series guarantee the off-characteristics. Can be prevented.

第5図は第4図で説明したトランジスタが直列接続さ
れた具体例を示す平面構成図であり、同図において、信
号配線2と画素電極8との間に、アモルフアスシリコン
を活性層6a,6bとした第1のトランジスタ3aと第2のト
ランジスタ3bとが直列接続されて形成される。
FIG. 5 is a plan configuration diagram showing a concrete example in which the transistors described in FIG. 4 are connected in series. In FIG. 5, amorphous silicon is used as an active layer 6a between the signal line 2 and the pixel electrode 8. The first transistor 3a and the second transistor 3b, which are 6b, are formed by being connected in series.

第6図は本発明のさらに他の実施例を示す回路構成図
である。同図において、フラツトデイスプレイは、個々
の画素5が第1のトランジスタ3aおよび第2のトラン
ジスタ3bが直列接続され、さらに第3のトランジスタ3c
および第4のトランジスタ3dが並列接続されて構成され
ている。すなわち、4個のトランジスタ3a,3b,3c,3dが
直列接続されて構成されている。
FIG. 6 is a circuit configuration diagram showing still another embodiment of the present invention. In the flat display shown in the figure, each pixel 5 has a first transistor 3a and a second transistor 3b connected in series, and a third transistor 3c.
And a fourth transistor 3d are connected in parallel. That is, four transistors 3a, 3b, 3c, 3d are connected in series.

このような構成によれば、直列接続された第1のトラ
ンジスタ3aおよび第2のトランジスタ3bにより白点不良
の発生を防止でき、並列接続された第3のトランジスタ
3cおよび第4のトランジスタ3dにより黒点不良の発生を
防止できる。すなわち、白点および黒点不良の発生を同
時に防止することができる。
With such a configuration, the first transistor 3a and the second transistor 3b connected in series can prevent the occurrence of a white dot defect, and the third transistor connected in parallel can be used.
Occurrence of a black dot defect can be prevented by 3c and the fourth transistor 3d. That is, it is possible to simultaneously prevent the occurrence of white spot and black spot defects.

第7図は第6図で説明したトランジスタが直並列接続
された具体例を示す平面構成図であり、同図において、
駆動配線1と信号配線2とが交差する2辺に、2組のト
ランジスタ3a,3bおび3c,3dが中間電極9a,9bにより接続
され、画素電極8に直並列接続されて形成される。
FIG. 7 is a plan configuration diagram showing a specific example in which the transistors described in FIG. 6 are connected in series and parallel. In FIG.
Two sets of transistors 3a, 3b and 3c, 3d are connected by intermediate electrodes 9a, 9b on two sides where the drive wiring 1 and the signal wiring 2 intersect with each other, and are connected in series and parallel to the pixel electrode 8.

なお、前述した実施例においては、アクテイブ素子に
アモルフアスシリコンを活性層とする薄膜トランジスタ
を用いた場合について説明したが、ポリシリコンを活性
層とする薄層トランジスタを用いても同様の効果が得ら
れることは勿論である。
In addition, in the above-described embodiment, the case where the thin film transistor having amorphous silicon as an active layer is used as the active element has been described, but the same effect can be obtained by using a thin layer transistor having polysilicon as an active layer. Of course.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明によれば、表示素子の一画
素に複数個のスイツチングトランジスタを設けたことに
より、トランジスタの不良に起因する白点不良および黒
点不良等の画素欠陥を防止できるので、高品位の表示画
像が得られるなどの極めて優れた効果を有する。
As described above, according to the present invention, by providing a plurality of switching transistors in one pixel of a display element, it is possible to prevent pixel defects such as white spot defects and black spot defects due to transistor defects. It has an extremely excellent effect such as obtaining a high-quality display image.

第3図に示す様に活性層が分離された2つの薄膜トラ
ンジスタを用いているので、2つの薄膜トランジスタの
間に活性層が存在せず、光が当たることにより発生する
光電流を少なくすることができる。
As shown in FIG. 3, since two thin film transistors having separate active layers are used, there is no active layer between the two thin film transistors, and the photocurrent generated by light irradiation can be reduced. .

また、第3図に示す様に、1つの画素内の全ての薄膜
トランジスタのゲートは上記画素に対応する1つの駆動
配線に接続され、上記画素内のすべての薄膜トランジス
タの活性層は上記画素に対応する1つの信号配線に接続
することにより1つの画素内に薄膜トランジスタを複数
設けても開口率を損なうことがない。
Further, as shown in FIG. 3, the gates of all the thin film transistors in one pixel are connected to one drive wiring corresponding to the pixel, and the active layers of all the thin film transistors in the pixel correspond to the pixel. Even if a plurality of thin film transistors are provided in one pixel by connecting to one signal wiring, the aperture ratio is not damaged.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はアクテイブ・マトリツクス方式のフラツトデイ
スプレイを示す回路構成図、第2図,第3図は本発明に
よるフラツトデイスプレイの一実施例を示す要部回路
図,平面構成図、第4図,第5図は本発明の他の実施例
を示す要部回路図,平面構成図、第6図,第7図は本発
明のさらに他の実施例を示す要部回路図,平面構成図で
ある。 1……駆動配線、2……信号配線、3,3a,3b,3c,3d……
薄膜トランジスタ、4……表示素子、5,5′,5″,5…
…画素、6a,6b……活性層、7a,7b……ソース電極、8…
…画素電極、9a,9b……中間電極。
FIG. 1 is a circuit configuration diagram showing an active matrix type flat display, and FIGS. 2 and 3 are main circuit diagrams, plan configuration diagrams, and FIG. 4 showing an embodiment of the flat display according to the present invention. FIG. 5 is a circuit diagram of a main part showing another embodiment of the present invention, a plan configuration diagram, and FIG. 6 and FIG. 7 are a circuit diagram of a main part showing another embodiment of the present invention. is there. 1 …… Drive wiring, 2 …… Signal wiring, 3,3a, 3b, 3c, 3d ……
Thin film transistor, 4 ... Display element, 5,5 ', 5 ", 5 ...
... Pixels, 6a, 6b ... Active layers, 7a, 7b ... Source electrodes, 8 ...
… Pixel electrodes, 9a, 9b …… Intermediate electrodes.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 幹男 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (72)発明者 国藤 博文 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (56)参考文献 特開 昭56−77887(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Mikio Takahashi 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba Hitachi Mobara factory (72) Inventor Hirofumi Kunito 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba Hitachi Mobara plant, Inc. (56) References JP-A-56-77887 (JP, A)

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の駆動配線と、複数の信号配線を有
し、上記複数の駆動配線と上記複数の信号配線はマトリ
ックス状に配置され、上記複数の駆動配線と上記複数の
信号配線で囲まれた個々の領域にそれぞれ画素を形成
し、該各画素は表示素子とスイッチ素子を有し、該スイ
ッチ素子は活性層が分離された複数の薄膜トランジスタ
よりなり、1つの上記画素内の全ての上記薄膜トランジ
スタのゲートは上記画素に対応する1つの上記駆動配線
に接続され、1つの上記画素内の複数の上記薄膜トラン
ジスタの上記活性層は上記画素に対応する1つの上記信
号配線にそれぞれ接続され、上記薄膜トランジスタは上
記信号配線により上記活性層内に上記活性層の長手方向
に対し垂直方向に電界が発生する如く構成されることを
特徴とするフラットディスプレイ装置。
1. A plurality of drive wirings and a plurality of signal wirings, wherein the plurality of drive wirings and the plurality of signal wirings are arranged in a matrix and surrounded by the plurality of drive wirings and the plurality of signal wirings. Pixels are formed in the respective individual regions, and each pixel has a display element and a switch element, and the switch element is composed of a plurality of thin film transistors whose active layers are separated, and The gate of the thin film transistor is connected to one of the drive wirings corresponding to the pixel, the active layers of the plurality of thin film transistors in one pixel are connected to one of the signal wirings corresponding to the pixel, respectively. Is configured such that an electric field is generated in the active layer by the signal wiring in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the active layer. Spray equipment.
【請求項2】上記活性層は非晶質シリコンよりなること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のフラットディ
スプレイ装置。
2. The flat display device as claimed in claim 1, wherein the active layer is made of amorphous silicon.
【請求項3】上記信号配線は上記活性層を挾んで上記駆
動配線と重なっていることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載のフラットディスプレイ装置。
3. The flat display device according to claim 1, wherein the signal line is overlapped with the drive line across the active layer.
【請求項4】上記薄膜トランジスタを上記駆動配線の分
岐した部分と、上記信号配線を分岐した部分にそれぞれ
設けたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のフ
ラットディスプレイ装置。
4. The flat display device according to claim 1, wherein the thin film transistor is provided in each of the branched portion of the drive wiring and the branched portion of the signal wiring.
JP60231107A 1985-10-18 1985-10-18 Flat display device Expired - Lifetime JPH0834760B2 (en)

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