JPH08333188A

JPH08333188A - Ｆｚ法による半導体単結晶製造装置

Info

Publication number: JPH08333188A
Application number: JP8050896A
Authority: JP
Inventors: Teruyasu Iijima; 照康飯島
Original assignee: Komatsu Electronic Metals Co Ltd
Current assignee: Sumco Techxiv Corp
Priority date: 1995-04-06
Filing date: 1996-03-11
Publication date: 1996-12-17

Abstract

(57)【要約】【課題】ＦＺ法による半導体単結晶製造において、浮
遊溶融帯域の溶融状態を変化させず、あるいは浮遊溶融
帯域に接している単結晶成長界面の成長開始端面の放熱
速度を変えずに浮遊溶融帯域の攪拌を行い、水平断面内
における電気抵抗率のばらつきが小さい単結晶を精製す
る。【解決手段】精製室４に導入する回転可能な偏芯軸１
４の内部に、ＲＦコイル接続用フィーダ１２と回転およ
び直線移動可能な上軸５とを配置保持する。偏芯軸１４
の回転により、上軸５とＲＦコイル接続用フィーダ１２
は偏芯軸の回転中心１６を原点とする円弧上を移動す
る。上軸５と下軸とは偏芯するが、前記フィーダ１２と
上軸５との距離ｃは常に一定である。従って、前記フィ
ーダ１２の先端に固定されたＲＦコイルと上軸５との相
対位置を変えることなく、上軸と下軸とを偏芯させて浮
遊溶融帯域の攪拌を行い、電気抵抗率の面内ばらつきの
小さい単結晶を精製することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＦＺ法による半導
体単結晶製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＦＺ法による半導体単結晶製造装置は、
多結晶素材を高周波誘導加熱用コイル（以下ＲＦコイル
という）で部分的に加熱溶融し、その浮遊溶融帯域を移
動させることによって単結晶成長を行い、多結晶素材か
ら単結晶を精製する装置である。

【０００３】従来から用いられているＦＺ法による半導
体単結晶製造装置の垂直断面模式図を図９および図１０
に示す。これらの装置は、上軸５に取り付けた素材ホル
ダ６に棒状の多結晶素材１を吊るし、下軸８に取り付け
た種結晶ホルダ９に直径の小さい種結晶を保持し、ＲＦ
コイル１１により多結晶素材１の一端を溶融し、前記種
結晶に融着して種付けをし、種絞りによる無転位化を行
いながら多結晶素材１と単結晶３とを互いに反対方向に
回転させ、かつ鉛直方向に沿って多結晶素材の浮遊溶融
帯域２を移動させて単結晶を精製する機能をもってい
る。ここで、多結晶素材１を連続して部分的に加熱溶融
するためには浮遊溶融帯域２を移動させなければならな
いが、その方法として、図９に示すようにＲＦコイル１
１を固定したまま上軸回転および送り機構７、下軸回転
および送り機構１０によって上軸５、下軸８を鉛直上下
方向に相対的に移動させる方法と、図１０に示すように
上軸５、下軸８はそれぞれ上軸回転機構７′、下軸回転
機構１０′により回転させ、ＲＦコイル接続用フィーダ
送り機構１７によってＲＦコイル１１を上下方向に移動
させる方法とがある。ただし、後の方法の場合、多結晶
素材１を種結晶に融着する種付け作業のために前記上軸
回転機構７′、下軸回転機構１０′の少なくとも一方に
軸の送り機構を具備していなければならない。なお、前
記図９、図１０において４は精製室、１２はＲＦコイル
接続用フィーダである。

【０００４】一方、素材の溶融に関しては、安定した溶
融状態を与えることが必要であり、素材溶融後、熱歪を
抑え安定して単結晶を成長させるため、上記浮遊溶融帯
域と接している単結晶成長界面の成長開始端面をゆるや
かに放熱しなければならない。また、単結晶の水平断面
内の電気抵抗率のばらつきを小さくするには、浮遊溶融
帯域中の攪拌を行えばよい。しかし、溶融前の素材もし
くは成長中の単結晶を同芯のまま高速回転させて強制的
に攪拌を起こさせると、遠心力により浮遊溶融帯域が外
周部に大きく移動してしまう。更に、単結晶はその下端
に形成した絞り部で支えられているので、単結晶化が進
むにつれて結晶重量が増えると絞り部で折損して成長中
の単結晶が倒壊する不都合がある。そのため、上軸ある
いは下軸を水平方向に移動させる偏芯動作により、浮遊
溶融帯域内でゆるやかな攪拌を起こして単結晶化を進め
る必要がある。

【０００５】ここで偏芯動作の概念について、偏芯機構
の水平断面を示した図１１を用いて説明する。１４は偏
芯軸、１６は偏芯軸の回転中心、５は上軸、５ａ，５
ｂ，５ｃは偏芯動作により移動した上軸、８は下軸（上
軸５と同軸上に存在している）、ａ，ｂ，ｃは偏芯軸１
４の回転により生ずる上軸と下軸との軸間距離、１８は
偏芯軸１４の回転により生ずる上軸５の移動軌跡を表し
ている。ただし、上軸５は偏芯軸１４の内部に配置保持
されているものとし、下軸８は偏芯軸１４の軸端より下
方にあるものとする。

【０００６】図１１から明らかなように、偏芯軸の回転
中心１６を中心として偏芯軸１４を回転させれば、上軸
５は５ａ，５ｂ，５ｃのように移動するし、更に回転を
続ければ移動軌跡１８を描くことになる。一方、下軸８
は偏芯軸１４が回転しても移動しないので、上軸５と下
軸８との軸間距離はａ，ｂ，ｃのように変化する。な
お、図１１では上軸５を偏芯軸１４の内部で保持し、下
軸８を偏芯軸１４の軸端より下方に設けているが、下軸
８を偏芯軸１４の内部に配置保持し、上軸５を偏芯軸１
４の軸端より上方に配置しても同じことがいえる。

【０００７】次に、上記の偏芯機構を付加したＦＺ法に
よる半導体単結晶製造装置の浮遊溶融帯域、ＲＦコイル
付近の水平断面を図１２に示す。同図において２は浮遊
溶融帯域、２ａは偏芯動作により移動した浮遊溶融帯
域、１１はＲＦコイル、１６は偏芯軸の回転中心、１９
はＲＦコイル接続用フィーダへの接続ポート、２０は偏
芯動作による浮遊溶融帯域の移動軌跡、ｒは前記移動軌
跡の半径を表している。

【０００８】図１２から、偏芯軸の回転中心１６を中心
として偏芯軸が回転すれば、浮遊溶融帯域２は２ａの位
置に移動し、更に回転を続ければ移動軌跡２０を描く。
浮遊溶融帯域が２ａの位置にある場合、偏芯前の位置か
ら比べるとＸ軸方向でａ、Ｙ軸方向でｂ、直線距離にし
て（ａ²＋ｂ²）^1/2だけ移動したことになる。これ
は、偏芯動作により浮遊溶融帯域がＲＦコイルの中心位
置からずれ、偏芯前に比べて浮遊溶融帯域にかかる磁束
の分布状態が変化して渦電流の発生状況が変わり、浮遊
溶融帯域の溶融状態が変動することを意味している。こ
の不都合を解消するため、図１３に示すように浮遊溶融
帯域の移動に合わせてＲＦコイルを１軸だけ水平方向に
移動させる機構を付加した半導体単結晶製造装置があ
る。図１３において、１４は上軸５を保持する偏芯軸、
１５は偏芯軸回転機構、１７はＲＦコイル接続用フィー
ダ送り機構で、上軸５の移動に伴って前記ＲＦコイル接
続用フィーダ送り機構１７が作動してＲＦコイル１１を
水平移動させる。また、図１４は図１３に示した装置の
浮遊溶融帯域付近における水平断面図である。

【０００９】しかし、図１４からも明らかなように、Ｙ
軸方向にＲＦコイル１１を直線移動させても偏芯動作に
よって浮遊溶融帯域２のＸ軸方向のずれａは残ってしま
う。図示しないが、Ｘ軸方向にＲＦコイル１１を直線移
動させた場合も前記と同じようにＹ軸方向のずれｂが残
る。図１４においてＲＦコイル１１がＸＹ軸自在に移動
可能であればよいが、図１３のように、ＲＦコイル接続
用フィーダ送り機構１７を精製室４の外部に配置し、Ｒ
Ｆコイル接続用フィーダ１２を水平面内で一方向にのみ
移動させる場合は、精製室４の内部と外部とのシールは
可能であっても、水平面内で２方向に移動させる場合は
シールできない。従って、ＲＦコイル１１を図１４にお
いてＸＹ軸自在に移動させることはできず、移動方向は
Ｘ軸またはＹ軸のいずれか１軸に限定されることにな
る。

【００１０】一方、ＲＦコイル接続用フィーダ送り機構
１７を精製室４の内部に配置すれば、ＲＦコイル接続用
フィーダ１２を水平面内で２方向に移動させることは可
能だが、単結晶精製中に精製室４の内部は高温になるた
め、ＲＦコイル接続用フィーダの送り機構１７の耐熱性
に問題があると同時に、この送り機構の動力伝達部分か
ら生ずる発塵、潤滑剤の揮発により精製室４が汚染され
るので非現実的である。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】単結晶の水平断面内の
電気抵抗率のばらつきを低減する一つの方法として、偏
芯動作により浮遊溶融帯域の攪拌を行っていた。偏芯の
機構は、偏芯軸の内部に上軸もしくは下軸を配置保持し
て偏芯軸を回転させるものである。このとき、ＲＦコイ
ル接続用フィーダを精製室背面または側面から精製室に
導入し、精製室内部にあるＲＦコイルに接続している。
そして図１４に示したように、ＲＦコイル接続用フィー
ダを介してＲＦコイル１１を水平面上のＸ軸方向または
Ｙ軸方向に平行移動させることにより、ＲＦコイル１１
と浮遊溶融帯域２との相対位置が大きく変化しないよう
にしていた。しかし、上軸または下軸が偏芯するときの
軌跡は円弧であるのに対し、ＲＦコイルが移動するとき
の軌跡は直線であるため、浮遊溶融帯域２とＲＦコイル
１１との相対位置は変化してしまう。そのため、偏芯前
と偏芯後とを比べた場合、浮遊溶融帯域にかかる磁束の
分布状態が変化して渦電流の発生状況が変わり、浮遊溶
融帯域の溶融状態が変動していた。ここで、図１４にお
ける浮遊溶融帯域の移動軌跡２０の半径ｒを大きくすれ
ば、ｂの値を変えない場合ａの値は小さくなり、偏芯前
後における浮遊溶融帯域のＸ軸方向でのずれ量は減少し
ていくが、ずれ量自身はあくまでも存在し、しかもｒを
大きくすることは偏芯軸の半径を大きくすることなの
で、偏芯軸が大径化し、装置が大型化するという欠点が
ある。

【００１２】本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、ＦＺ法による半導体単結晶の製造におい
て、上軸または下軸を偏芯させた場合でも上軸とＲＦコ
イルもしくは下軸とＲＦコイルの相対位置を変えず、浮
遊溶融帯域の溶融状態を変化させないで、あるいは浮遊
溶融帯域に接している単結晶成長界面の成長開始端面の
放熱速度を変えないで、浮遊溶融帯域の攪拌を行い、水
平断面内における電気抵抗率のばらつきが小さい単結晶
を精製することができるＦＺ法による半導体単結晶製造
装置を提供することを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るＦＺ法による半導体単結晶製造装置
は、精製室内部に設けたＲＦコイルに対して、精製室上
面から精製室内部に導入してＲＦコイルに接続するフィ
ーダと多結晶素材を吊るす回転可能な上軸とを持ち、か
つ精製室上面から精製室内部に導入される回転可能な偏
芯軸の内部に、前記ＲＦコイル接続用フィーダと上軸と
を配置保持する構成、または、精製室内部に設けたＲＦ
コイルに対して、精製室下面から精製室内部に導入して
ＲＦコイルに接続するフィーダと単結晶を支持する回転
可能な下軸とを持ち、かつ精製室下面から精製室内部に
導入される回転可能な偏芯軸の内部に、前記ＲＦコイル
接続用フィーダと下軸とを配置保持する構成とした。

【００１４】ここで、上記ＦＺ法による半導体単結晶製
造装置は、精製室内部に導入する回転可能な上軸および
下軸が、鉛直方向に直線移動可能な機構を持っていても
よいし、精製室内部に導入するＲＦコイル接続用フィー
ダが鉛直方向に直線移動可能な機構を持っていてもよ
い。また、ＲＦコイルにガスドープ管を取り付けてもよ
い。

【００１５】

【作用】上記構成によれば、精製室の上面（または下
面）から精製室内部に導入される回転可能な偏芯軸の内
部に、ＲＦコイルに接続するためのフィーダと回転可能
な上軸（または下軸）とが配置保持されており、偏芯軸
の回転により、ＲＦコイル接続用フィーダと上軸（また
は下軸）の軸線は偏芯軸の水平断面上において、偏芯軸
中心を原点とした円弧上を移動する軌跡を描く。従っ
て、偏芯軸の回転により上軸の軸線に対して下軸の軸線
は偏芯するが、ＲＦコイル接続用フィーダの軸線および
上軸の軸線の回転中心は同じなので、前記２つの軸線の
間隔は偏芯軸が回転しても常に一定である。すなわち、
精製室内部でＲＦコイル接続用フィーダにＲＦコイルを
取り付ければ、ＲＦコイルと上軸との相対位置（または
ＲＦコイルと下軸との相対位置）を変えることなく、上
軸と下軸とを偏芯させて浮遊溶融帯域内にゆるやかな攪
拌を起こさせつつ半導体単結晶を精製することが可能に
なる。また、ＲＦコイルに取り付けたガスドープ管から
浮遊溶融帯域にドーパントガスを吹きつけた場合も、浮
遊溶融帯域のゆるやかな攪拌によりドーパントを単結晶
内にほぼ均一に分布させることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るＦＺ法によ
る半導体単結晶製造装置の実施例について、図面を参照
して説明する。図１は、本発明の第１実施例に基づく半
導体単結晶製造装置の垂直断面を示す模式図で、１は多
結晶素材、２は浮遊溶融帯域、３は単結晶、４は精製
室、５は上軸、６は素材ホルダ、７は上軸回転および送
り機構、８は下軸、９は種結晶ホルダ、１０は下軸回転
および送り機構、１１はＲＦコイル、１２はＲＦコイル
接続用フィーダ、１３は高周波電源接続ポート、１４は
偏芯軸、１５は偏芯軸回転機構である。また、図２は図
１に示した半導体単結晶製造装置の水平断面模式図で、
５ａは偏芯軸１４をθだけ回転させたときの上軸、１２
ａは同じくＲＦコイル接続用フィーダ、１６は偏芯軸１
４の回転中心である。

【００１７】単結晶精製中、偏芯軸回転機構１５を駆動
させると、偏芯軸１４は偏芯軸中心１６の回りに回転す
る。上軸５とＲＦコイル接続用フィーダ１２は偏芯軸１
４の内部に配置保持されているため、前記偏芯軸中心１
６を中心とする円弧上を移動する軌跡を描くことにな
る。ここで、上軸５とＲＦコイル接続用フィーダ１２と
を回転移動させるときの回転中心は偏芯軸中心１６と同
一なので、偏芯前の上軸５とＲＦコイル接続用フィーダ
１２との水平断面上の距離ｃは、偏芯後の上軸５ａとＲ
Ｆコイル接続用フィーダ１２ａとの水平断面上の距離ｃ
と同じになる。これはすなわち、上軸５の延長線上で形
成される浮遊溶融帯域とＲＦコイル接続用フィーダ１２
の延長線上で固定されるＲＦコイルとの相対位置が変わ
らないことを表しており、浮遊溶融帯域にかかる磁束の
分布状態が変化しないので、浮遊溶融帯域で安定した溶
融状態を得ることができる。しかも、偏芯により浮遊溶
融帯域内でゆるやかな攪拌を起こして単結晶を精製でき
るので、単結晶の水平断面内の電気抵抗率のばらつきを
小さくすることができる。

【００１８】図３は、本発明の第２実施例に基づく半導
体単結晶製造装置の垂直断面を示す模式図で、偏芯軸１
４は精製室４の下部に取り付けられている。本実施例の
場合は、偏芯軸１４の内部に下軸８とＲＦコイル接続用
フィーダ１２とが配置保持されているので、偏芯動作を
しても下軸８とＲＦコイル接続用フィーダ１２との距離
は変わらない。従って、浮遊溶融帯域２と下側で接して
いる単結晶成長界面の成長開始端面における磁束の分布
状態は変化しないので、前記成長開始端面の放熱速度は
変わらず、熱歪を抑えて安定した単結晶を成長させるこ
とができる。しかも、偏芯により浮遊溶融帯域内でゆる
やかな攪拌を起こして単結晶を成長させることができる
ので、単結晶の水平断面内の電気抵抗率のばらつきを小
さくすることができる。

【００１９】図４は、本発明の第３実施例に基づく半導
体単結晶製造装置の垂直断面を示す模式図である。この
装置はＲＦコイル接続用フィーダ１２を上下方向に直線
移動することにより単結晶精製を行うもので、１７はＲ
Ｆコイル接続用フィーダ送り機構、７′は上軸回転機
構、１０′は下軸回転機構である。ＲＦコイル１１を上
下に移動させることにより、浮遊溶融帯域２を移動させ
て単結晶を成長させる。第１実施例と同じく偏芯軸１４
の内部に上軸５とＲＦコイル接続用フィーダ１２とが配
置保持されているので、偏芯動作をしても上軸５とＲＦ
コイル接続用フィーダ１２との距離は変わらず、第１実
施例と同等の効果を得ることができる。

【００２０】図５は本発明の第４実施例に基づく半導体
単結晶製造装置の垂直断面を示す模式図であり、図４に
おける偏芯軸１４を精製室４の下部に取り付けたもので
ある。偏芯軸１４の内部に下軸８とＲＦコイル接続用フ
ィーダ１２が配置保持されているので、偏芯動作をして
も下軸８とＲＦコイル接続用フィーダ１２との距離は変
わらず、第２実施例と同等の効果を得ることができる。

【００２１】図６は、ガスドープ管を備えたＲＦコイル
の斜視図である。半導体単結晶の極性や電気抵抗率を変
えるため、多結晶素材の溶融と同時にドーピング処理を
行うが、ＰＨ₃、Ｂ₂Ｈ₆などのドーパントガスは、ガ
スドープ管２１から浮遊溶融帯域に吹きつけられる。前
記ガスドープ管２１はＲＦコイル接続用フィーダととも
に精製室内に導入され、図４、図５に示した半導体単結
晶製造装置の場合はＲＦコイル接続用フィーダ１２とと
もに上下動可能である。ガスドープ管２１の吹き出し口
は１個以上とし、ＲＦコイル１１の上面または下面に取
り付けられている。

【００２２】図７は、第１実施例の半導体単結晶製造装
置を用いて製造したシリコンウェーハの電気抵抗率を、
ウェーハ中心を通る直径上でプロットしたプロファイル
の一例を示すグラフである。ここでウェーハ面内の電気
抵抗率のばらつき（ＲａｄｉａｌＲｅｓｉｓｔｉｖｉ
ｔｙＧｒａｄｉｅｎｔ）をＲＲＧ＝（ρmax-ρmin)／
ρmin ×１００（％）で定義する。このシリコンウェー
ハでは、電気抵抗率（Ω・ｃｍ）の最大値、最小値はそ
れぞれ１０９．３および９１．２になっており、ＲＲＧ
＝（１０９．３−９１．２）／９１．２×１００＝１
９．８％となる。これを、１方向へのＲＦコイル水平移
動機構と偏芯機構とを備えた従来のＦＺ法による半導体
単結晶製造装置（図１３参照）で製造したシリコンウェ
ーハの電気抵抗率のプロファイルの一例を示すグラフ
（図１５参照）の電気抵抗率の最大値１１４．２、最小
値８６．２から算出したＲＲＧ＝（１１４．２−８６．
２）／８６．２×１００＝３２．５％及び偏芯機構を具
備しない従来のＦＺ法による半導体単結晶製造装置（た
とえば図９参照）で製造したシリコンウェーハの電気抵
抗率のプロファイルの一例を示すグラフ（図１６参照）
の電気抵抗率の最大値１２０．８、最小値８１．６から
算出したＲＲＧ＝（１２０．８−８１．６）／８１．６
×１００＝４７．１％からみると、ＲＲＧは大きく改善
されたことがわかる。

【００２３】また、ＲＦコイルと下軸との相対位置を変
えずに偏芯を行って単結晶を成長させる場合、浮遊溶融
帯域に接する単結晶成長界面の成長開始端面の放熱速度
を大きくは変えないで安定した単結晶を成長させること
ができ、かつ浮遊溶融帯域内でゆるやかな攪拌を起こさ
せるため、単結晶の水平断面内の電気抵抗率のばらつき
を小さくすることができる。図８は、第２実施例の半導
体単結晶製造装置を用いて製造したシリコンウェーハの
電気抵抗率を、ウェーハ中心を通る直径上でプロットし
たプロファイルの一例を示すグラフであるが、電気抵抗
率の最大値、最小値はそれぞれ１１０．６および８８．
７になっており、ＲＲＧ＝（１１０．６−８８．７）／
８８．７×１００＝２４．７％となる。これを、１方向
へのコイル水平移動機構と偏芯機構とを備えた従来のＦ
Ｚ法による半導体単結晶製造装置（図１３参照）で製造
したシリコンウェーハの電気抵抗率のプロファイルの一
例を示すグラフ（図１５参照）の電気抵抗率の最大値１
１４．２、最小値８６．２から算出したＲＲＧ＝３２．
５％及び、偏芯機構を具備しない従来のＦＺ法による半
導体単結晶製造装置（たとえば図９参照）で製造したシ
リコンウェーハの電気抵抗率のプロファイルの一例を示
すグラフ（図１６参照）の電気抵抗率の最大値１２０．
８、最小値８１．６から算出したＲＲＧ＝４７．１％か
らみるとＲＲＧは大きく改善されたことがわかる。

【００２４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｒ
Ｆコイルと上軸または下軸との相対位置を変えずに上軸
と下軸とを偏芯させる半導体単結晶製造装置を構成した
ので、この製造装置を用いれば、浮遊溶融帯域で安定し
た溶融状態を得つつ、浮遊溶融帯域内でゆるやかな攪拌
を起こさせることが可能である。従って、従来よりも水
平断面における電気抵抗率のばらつきの小さい高品質の
半導体単結晶を容易に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に基づく半導体単結晶製造
装置の垂直断面を示す模式図である。

【図２】図１に示した半導体単結晶製造装置の水平断面
を示す模式図である。

【図３】本発明の第２実施例に基づく半導体単結晶製造
装置の垂直断面を示す模式図である。

【図４】本発明の第３実施例に基づく半導体単結晶製造
装置の垂直断面を示す模式図である。

【図５】本発明の第４実施例に基づく半導体単結晶製造
装置の垂直断面を示す模式図である。

【図６】ガスドープ管を備えたＲＦコイルの斜視図であ
る。

【図７】本発明の第１実施例の半導体単結晶製造装置で
製造したシリコンウェーハの電気抵抗率をウェーハ中心
を通る直径上でプロットしたプロファイルの一例を示す
グラフである。

【図８】本発明の第２実施例の半導体単結晶製造装置で
製造したシリコンウェーハの電気抵抗率ウェーハ中心を
通る直径上でプロットしたプロファイルの一例を示すグ
ラフである。

【図９】従来のＲＦコイル固定型の半導体単結晶製造装
置の垂直断面を示す模式図である。

【図１０】従来のＲＦコイル上下移動型の半導体単結晶
製造装置の垂直断面を示す模式図である。

【図１１】偏芯動作の概念について、偏芯機構の水平断
面を表した模式図である。

【図１２】偏芯前後における浮遊溶融帯域と固定された
ＲＦコイルとの位置関係を表す水平断面模式図である。

【図１３】１方向へのＲＦコイル水平移動機構と偏芯機
構とを具備した従来の半導体単結晶製造装置の垂直断面
を示す模式図である。

【図１４】偏芯前後における浮遊溶融帯域とＹ軸方向へ
の水平移動を可能にしたＲＦコイルとの位置関係を表す
水平断面模式図である。

【図１５】１方向へのＲＦコイル水平移動機構と偏芯機
構とを具備した従来のＦＺ法による半導体単結晶製造装
置で製造したシリコンウェーハの電気抵抗率を、ウェー
ハ中心を通る直径上でプロットしたプロファイルの一例
を示すグラフである。

【図１６】偏芯機構を具備しない従来のＦＺ法による半
導体単結晶製造装置で製造したシリコンウェーハの電気
抵抗率を、ウェーハ中心を通る直径上でプロットしたプ
ロファイルの一例を示すグラフである。

【符号の説明】

１多結晶素材２浮遊溶融帯域３単結晶４精製室５上軸８下軸１１高周波誘導加熱コイル（ＲＦコイル）１２ＲＦコイル接続用フィーダ１４偏芯軸２１ガスドープ管。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】精製室内部に設けた高周波誘導加熱コイ
ルに対して、精製室上面から精製室内部に導入して高周
波誘導加熱コイルに接続するフィーダと多結晶素材を吊
るす回転可能な上軸とを持ち、かつ精製室上面から精製
室内部に導入される回転可能な偏芯軸の内部に前記高周
波誘導加熱コイル接続用フィーダと上軸とを配置保持し
たことを特徴とするＦＺ法による半導体単結晶製造装
置。
【請求項２】精製室内部に設けた高周波誘導加熱コイ
ルに対して、精製室下面から精製室内部に導入して高周
波誘導加熱コイルに接続するフィーダと単結晶を支持す
る回転可能な下軸とを持ち、かつ精製室下面から精製室
内部に導入される回転可能な偏芯軸の内部に前記高周波
誘導加熱コイル接続用フィーダと下軸とを配置保持した
ことを特徴とするＦＺ法による半導体単結晶製造装置。
【請求項３】精製室内部に導入する回転可能な上軸ま
たは下軸が鉛直方向に直線移動可能であることを特徴と
する請求項１または請求項２のＦＺ法による半導体単結
晶製造装置。
【請求項４】精製室内部に導入する高周波誘導加熱コ
イル接続用フィーダが鉛直方向に直線移動可能であるこ
とを特徴とする請求項１または請求項２もしくは請求項
３のＦＺ法による半導体単結晶製造装置。
【請求項５】高周波誘導加熱コイルにガスドープ管を
取り付けたことを特徴とする請求項１または請求項２ま
たは請求項３もしくは請求項４のＦＺ法による半導体単
結晶製造装置。