JPH08330651A - 光通信システム - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ３レベル信号モード光ファイバ増幅器のコア
に注入されるポンピングパワーを増加する方法と装置を
提供する。 【解決手段】 ダイオードアレイのハイパワー出力は、
クラッドポンプされた構造体内で動作する４レベル光フ
ァイバレーザにより、シングルモードコア内の集中回析
制限型ビームに変換される。完全な直列接続構成をした
実施例においては、このようにして得られたビームを用
いて従来の３レベル光ファイバレーザをポンピングし、
そのレーザからの出力を用いて３レベル光ファイバ増幅
器をポンピングする。また他の実施例においては、４レ
ベルレーザと３レベルレーザとをクラッド層ポンプされ
たレーザ内のシングルモード合成コア内で結合する。そ
してこの合成コアの内側部分即ち３レベル部分の出力
は、３レベル光ファイバ増幅器に結合され、それに対す
るハイパワーポンピング信号として機能できる。
に注入されるポンピングパワーを増加する方法と装置を
提供する。 【解決手段】 ダイオードアレイのハイパワー出力は、
クラッドポンプされた構造体内で動作する４レベル光フ
ァイバレーザにより、シングルモードコア内の集中回析
制限型ビームに変換される。完全な直列接続構成をした
実施例においては、このようにして得られたビームを用
いて従来の３レベル光ファイバレーザをポンピングし、
そのレーザからの出力を用いて３レベル光ファイバ増幅
器をポンピングする。また他の実施例においては、４レ
ベルレーザと３レベルレーザとをクラッド層ポンプされ
たレーザ内のシングルモード合成コア内で結合する。そ
してこの合成コアの内側部分即ち３レベル部分の出力
は、３レベル光ファイバ増幅器に結合され、それに対す
るハイパワーポンピング信号として機能できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバレーザ
に関し、特に、ハイパワーで光ファイバレーザ増幅器を
ポンピングする装置に関する。
に関し、特に、ハイパワーで光ファイバレーザ増幅器を
ポンピングする装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在急速に成長している光ファイバ信号
通信システムにおいては、稀土類イオン（ネオジミウム
(neodymium)，イッテルビウム(ytterbium)，エルビウム
(erbium)，ツリウム(thulium)）をドープした光伝送コ
アは、このような光通信システムにおける重要な構成要
素であると認識されている。かくして例えば稀土類（ド
ープした）光ファイバレーザは、このようなシステム内
で光ファイバ信号生成機，光信号増幅器，他の光ファイ
バ増幅器のポンプレーザとして用いられている。
通信システムにおいては、稀土類イオン（ネオジミウム
(neodymium)，イッテルビウム(ytterbium)，エルビウム
(erbium)，ツリウム(thulium)）をドープした光伝送コ
アは、このような光通信システムにおける重要な構成要
素であると認識されている。かくして例えば稀土類（ド
ープした）光ファイバレーザは、このようなシステム内
で光ファイバ信号生成機，光信号増幅器，他の光ファイ
バ増幅器のポンプレーザとして用いられている。
【０００３】実際の通信システムで用いられる光ファイ
バレーザ増幅器は、エルビウム（特に、Ｅｒ3+のエルビ
ウムイオンをドープした）をドープしたシングルモード
コアを有する。このような標準の３レベルモードで動作
するエルビウム光ファイバレーザは、通信信号が１．５
μｍの波長の光信号を増幅する９８０ｎｍの波長でポン
プされるときに機能する。１．５μｍは従来のシングル
モードガラスファイバの最低損失波長であるため、この
エルビウム光ファイバ増幅器は、１．５μｍで光信号を
伝播させる光ファイバシステムに組み込まれるのにその
性質上最も優れたものである。
バレーザ増幅器は、エルビウム（特に、Ｅｒ3+のエルビ
ウムイオンをドープした）をドープしたシングルモード
コアを有する。このような標準の３レベルモードで動作
するエルビウム光ファイバレーザは、通信信号が１．５
μｍの波長の光信号を増幅する９８０ｎｍの波長でポン
プされるときに機能する。１．５μｍは従来のシングル
モードガラスファイバの最低損失波長であるため、この
エルビウム光ファイバ増幅器は、１．５μｍで光信号を
伝播させる光ファイバシステムに組み込まれるのにその
性質上最も優れたものである。
【０００４】実際の通信システムで用いられるのに適し
たエルビウム光ファイバレーザ増幅器を生成するため
に、かなりの研究開発がそのゲイン特性を増加させ出力
パワー特性を改良することに費やされた。これらの特性
を改良するためにエルビウム増幅器に入力されるポンピ
ングパワーを増加させる必要がある。
たエルビウム光ファイバレーザ増幅器を生成するため
に、かなりの研究開発がそのゲイン特性を増加させ出力
パワー特性を改良することに費やされた。これらの特性
を改良するためにエルビウム増幅器に入力されるポンピ
ングパワーを増加させる必要がある。
【０００５】ダイオードレーザが通常エルビウムシング
ルモード光ファイバ増幅器をポンピングするソースとし
て好ましいものである。しかし、このようなダイオード
レーザからシングルモードビームに利用できるパワーに
は限界がある。最大数ワットまでの高出力パワーは、ア
レイ状に並べたダイオードレーザから得ることができ
る。しかし、このようなアレイ状のダイオードレーザに
より生成されるビームは、マルチモードでシングルモー
ドコアに直接注入するには適したものではない。
ルモード光ファイバ増幅器をポンピングするソースとし
て好ましいものである。しかし、このようなダイオード
レーザからシングルモードビームに利用できるパワーに
は限界がある。最大数ワットまでの高出力パワーは、ア
レイ状に並べたダイオードレーザから得ることができ
る。しかし、このようなアレイ状のダイオードレーザに
より生成されるビームは、マルチモードでシングルモー
ドコアに直接注入するには適したものではない。
【０００６】クラッドポンピングと称する技術は、ダイ
オードレーザをダイオードレーザアレイからなるポンピ
ングソースのマルチモード出力を光ファイバレーザのシ
ングルモードコアに結合することができる。この技術に
よればシングルモードコアは、マルチモードクラッド層
に包囲され、そしてこのマルチモードクラッド層は、最
外側の層により包囲されている。このダイオードアレイ
からクラッド層に注入されるハイパワーのマルチモード
ポンピング信号は、クラッド層に閉じこめられその中に
導入される。ポンピング光は、このクラッド層に沿って
伝播するので、このポンピング光は、シングルモードコ
アと交わりそこで吸収されそれによりポンピングパワー
をシングルモードコアに供給することになる。このよう
にして吸収されたマルチモードパワーは、光ファイバコ
ア内でシングルモードレーザ放射に変換される。多くの
アプリケーションにおいては、この技術は、ハイパワー
ポンピング信号をシングルモード光ファイバレーザに供
給する有効な技術である。
オードレーザをダイオードレーザアレイからなるポンピ
ングソースのマルチモード出力を光ファイバレーザのシ
ングルモードコアに結合することができる。この技術に
よればシングルモードコアは、マルチモードクラッド層
に包囲され、そしてこのマルチモードクラッド層は、最
外側の層により包囲されている。このダイオードアレイ
からクラッド層に注入されるハイパワーのマルチモード
ポンピング信号は、クラッド層に閉じこめられその中に
導入される。ポンピング光は、このクラッド層に沿って
伝播するので、このポンピング光は、シングルモードコ
アと交わりそこで吸収されそれによりポンピングパワー
をシングルモードコアに供給することになる。このよう
にして吸収されたマルチモードパワーは、光ファイバコ
ア内でシングルモードレーザ放射に変換される。多くの
アプリケーションにおいては、この技術は、ハイパワー
ポンピング信号をシングルモード光ファイバレーザに供
給する有効な技術である。
【０００７】しかし実際には、クラッドポンピングは、
３レベル光ファイバレーザをポンピングするのには有効
ではない。したがってこの技術は、エルビウム光ファイ
バ増幅器を有する装置の重要な部分を直接ポンピングし
たり他の３レベル光ファイバレーザを直接ポンピングし
たりすることはできない。
３レベル光ファイバレーザをポンピングするのには有効
ではない。したがってこの技術は、エルビウム光ファイ
バ増幅器を有する装置の重要な部分を直接ポンピングし
たり他の３レベル光ファイバレーザを直接ポンピングし
たりすることはできない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目
的は、例えばエルビウム光ファイバ増幅器のような３レ
ベル信号モード光ファイバ増幅器のコアに注入されるポ
ンピングパワーを増加する方法と装置を提供することで
ある。さらに本発明の目的は、光通信システムで使用す
るのに適したハイパワー出力光ファイバ増幅器を提供す
ることである。
的は、例えばエルビウム光ファイバ増幅器のような３レ
ベル信号モード光ファイバ増幅器のコアに注入されるポ
ンピングパワーを増加する方法と装置を提供することで
ある。さらに本発明の目的は、光通信システムで使用す
るのに適したハイパワー出力光ファイバ増幅器を提供す
ることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、従来の
ダイオードレーザポンプアレイのハイパワー出力は、シ
ングルモードコアを有するクラッドポンピングされた４
レベル光ファイバレーザのマルチモードクラッド層に入
力される。このようにしてダイオードアレイのハイパワ
ー出力は、シングルモードコア内の集中回析制限ビーム
に変換される。そしてこの４レベル光ファイバレーザに
より与えられる出力を３レベル光ファイバレーザのシン
グルモードコア用のハイパワーポンピングソースとして
用いる。
ダイオードレーザポンプアレイのハイパワー出力は、シ
ングルモードコアを有するクラッドポンピングされた４
レベル光ファイバレーザのマルチモードクラッド層に入
力される。このようにしてダイオードアレイのハイパワ
ー出力は、シングルモードコア内の集中回析制限ビーム
に変換される。そしてこの４レベル光ファイバレーザに
より与えられる出力を３レベル光ファイバレーザのシン
グルモードコア用のハイパワーポンピングソースとして
用いる。
【００１０】さらに本発明によれば、このダイオードア
レイによりポンピングされた光ファイバレーザは、ネオ
ジミウムをドープしたコアを有し、９４０ｎｍの出力で
提供される４レベルモードで動作する。このネオジミウ
ムレーザのハイパワー出力をその後用いて３レベルイッ
テルビウムレーザのシングルモードコアをポンピング
し、その結果９８０ｎｍの出力を与えるようそれに応答
する。その結果イッテルビウムレーザの出力は、３レベ
ルエルビウムレーザ増幅器のシングルモードコア用のハ
イパワーポンピングソースとして用いることができる。
かくしてこのエルビウムレーザは、１．５μｍで高レベ
ルの増幅ができるようパワー入力される。
レイによりポンピングされた光ファイバレーザは、ネオ
ジミウムをドープしたコアを有し、９４０ｎｍの出力で
提供される４レベルモードで動作する。このネオジミウ
ムレーザのハイパワー出力をその後用いて３レベルイッ
テルビウムレーザのシングルモードコアをポンピング
し、その結果９８０ｎｍの出力を与えるようそれに応答
する。その結果イッテルビウムレーザの出力は、３レベ
ルエルビウムレーザ増幅器のシングルモードコア用のハ
イパワーポンピングソースとして用いることができる。
かくしてこのエルビウムレーザは、１．５μｍで高レベ
ルの増幅ができるようパワー入力される。
【００１１】本発明の一実施例によれば、クラッドポン
ピングされたネオジミウムレーザ増幅器と、イッテルビ
ウム光ファイバレーザ増幅器と、エルビウム光ファイバ
レーザ増幅器とはその順に直列接続で配置される。
ピングされたネオジミウムレーザ増幅器と、イッテルビ
ウム光ファイバレーザ増幅器と、エルビウム光ファイバ
レーザ増幅器とはその順に直列接続で配置される。
【００１２】本発明の別の実施例によれば、クラッドポ
ンピングされたレーザのシングルモードコアの内側部分
は、イッテルビウムイオンでドーピングされ、その外側
部分は、ネオジミウムイオンでドーピングされる。この
ような二重にドープされたコアの出力は、９８０ｎｍの
ビームである。この二重ドープのコアから放出されるビ
ームは、ポンピング信号を構成し、そしてこのコンピン
グ信号がエルビウムレーザ増幅器のコアに入力される。
ンピングされたレーザのシングルモードコアの内側部分
は、イッテルビウムイオンでドーピングされ、その外側
部分は、ネオジミウムイオンでドーピングされる。この
ような二重にドープされたコアの出力は、９８０ｎｍの
ビームである。この二重ドープのコアから放出されるビ
ームは、ポンピング信号を構成し、そしてこのコンピン
グ信号がエルビウムレーザ増幅器のコアに入力される。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１の光通信システムは、例えば
ドープしたシリカガラスから形成された従来のシングル
モード光ファイバ１０を有する。中心波長が１．５μｍ
（従来の光ファイバの最低損失波長）の入力光信号が、
シングルモード光ファイバ１０を介して伝送される。本
発明によればこれらの信号は、従来の光カプラ１４を介
して標準のシングルモード出力用光ファイバ１２に伝播
される。そしてこのシングルモードファイバ部分は、稀
土類をドープしたコアを有する。この稀土類をドープし
た光ファイバ部分は、１．５μｍの信号に対し３レベル
光ファイバ増幅器１６を構成する。
ドープしたシリカガラスから形成された従来のシングル
モード光ファイバ１０を有する。中心波長が１．５μｍ
（従来の光ファイバの最低損失波長）の入力光信号が、
シングルモード光ファイバ１０を介して伝送される。本
発明によればこれらの信号は、従来の光カプラ１４を介
して標準のシングルモード出力用光ファイバ１２に伝播
される。そしてこのシングルモードファイバ部分は、稀
土類をドープしたコアを有する。この稀土類をドープし
た光ファイバ部分は、１．５μｍの信号に対し３レベル
光ファイバ増幅器１６を構成する。
【００１４】図１の３レベル光ファイバ増幅器１６のコ
アにはＥｒ3+イオンが標準の方法でドープされている。
このような増幅器は、３レベルモードとして動作し、９
８０ｎｍの波長でポンピングされると１．５μｍの波長
で増幅が行われる。このためエルビウムファイバレーザ
は、通信システムに導入されその中を伝播する１．５μ
ｍ信号の増幅と再生を行う。
アにはＥｒ3+イオンが標準の方法でドープされている。
このような増幅器は、３レベルモードとして動作し、９
８０ｎｍの波長でポンピングされると１．５μｍの波長
で増幅が行われる。このためエルビウムファイバレーザ
は、通信システムに導入されその中を伝播する１．５μ
ｍ信号の増幅と再生を行う。
【００１５】本発明によれば、ハイパワーポンピング信
号が３レベル光ファイバ増幅器１６に光カプラ１４を介
して注入される。図１のポンピングソース１８は、ハイ
パワー信号を提供する装置である。図１のポンピングソ
ース１８は従来の半導体ダイオードレーザアレイ２０を
有する。この実施例においては、半導体ダイオードレー
ザアレイ２０は、８０８ｎｍを中心波長とするハイパワ
ーポンピング放射（例えば、１−３ワット）を提供す
る。そしてこの８０８ｎｍの出力は、レンズ２２を介し
てクラッド層ポンプされたレーザ２４の入力端に接続さ
れる。このクラッド層ポンプされたレーザ２４の軸方向
長さは、通常１−５０ｍである。
号が３レベル光ファイバ増幅器１６に光カプラ１４を介
して注入される。図１のポンピングソース１８は、ハイ
パワー信号を提供する装置である。図１のポンピングソ
ース１８は従来の半導体ダイオードレーザアレイ２０を
有する。この実施例においては、半導体ダイオードレー
ザアレイ２０は、８０８ｎｍを中心波長とするハイパワ
ーポンピング放射（例えば、１−３ワット）を提供す
る。そしてこの８０８ｎｍの出力は、レンズ２２を介し
てクラッド層ポンプされたレーザ２４の入力端に接続さ
れる。このクラッド層ポンプされたレーザ２４の軸方向
長さは、通常１−５０ｍである。
【００１６】この図１のクラッド層ポンプされたレーザ
２４を図２の断面図に詳細に説明する。図２においてク
ラッド層ポンプされたレーザ２４は、内側シングルモー
ドコア２６を有する。この内側シングルモードコア２６
は、ドープしたシリカ製ガラスから形成され、その屈折
率は１．４７で、直径は約５μｍで、適当な稀土類イオ
ンでドーピングされている。この稀土類イオンがレーザ
内の活性要素を構成するので、クラッド層ポンプされた
レーザ２４により提供される出力波長を支配する。
２４を図２の断面図に詳細に説明する。図２においてク
ラッド層ポンプされたレーザ２４は、内側シングルモー
ドコア２６を有する。この内側シングルモードコア２６
は、ドープしたシリカ製ガラスから形成され、その屈折
率は１．４７で、直径は約５μｍで、適当な稀土類イオ
ンでドーピングされている。この稀土類イオンがレーザ
内の活性要素を構成するので、クラッド層ポンプされた
レーザ２４により提供される出力波長を支配する。
【００１７】図２の吸収層２８を省略すると内側シング
ルモードコア２６の軸方向全体がマルチモードクラッド
層３０により包囲されている。半導体ダイオードレーザ
アレイ２０とレンズ２２により提供されるポンピング信
号が、マルチモードクラッド層３０に入力される。
ルモードコア２６の軸方向全体がマルチモードクラッド
層３０により包囲されている。半導体ダイオードレーザ
アレイ２０とレンズ２２により提供されるポンピング信
号が、マルチモードクラッド層３０に入力される。
【００１８】マルチモードクラッド層３０は、アンドー
プのシリカ製で、その屈折率は約１．４６である。図２
においては、マルチモードクラッド層３０はその断面が
長方形をしており、幅Ｗは約３６０μｍで、高さＨは約
１２０μｍである。
プのシリカ製で、その屈折率は約１．４６である。図２
においては、マルチモードクラッド層３０はその断面が
長方形をしており、幅Ｗは約３６０μｍで、高さＨは約
１２０μｍである。
【００１９】次にマルチモードクラッド層３０は、第２
クラッド層３２により包囲されている。この第２クラッ
ド層３２は、断面が円形でフルオロポリマのようなポリ
マ製あるいは従来の低屈折率ガラス製である。いずれに
しても第２クラッド層３２の屈折率は、約１．３９でそ
の直径ｄ１は約５００μｍである。
クラッド層３２により包囲されている。この第２クラッ
ド層３２は、断面が円形でフルオロポリマのようなポリ
マ製あるいは従来の低屈折率ガラス製である。いずれに
しても第２クラッド層３２の屈折率は、約１．３９でそ
の直径ｄ１は約５００μｍである。
【００２０】図１の半導体ダイオードレーザアレイ２０
により出力されたハイパワーマルチモードビームは、ク
ラッド層ポンプされたレーザ２４のマルチモードクラッ
ド層３０にレンズ２２を介して入力される。マルチモー
ドクラッド層３０と第２クラッド層３２のそれぞれの屈
折率は、上記のように設定されているので、マルチモー
ドクラッド層３０に入力されるマルチモードポンピング
信号は、光が従来の光ファイバの中を伝播するように伝
播する。このガイドされたポンピング信号は、マルチモ
ードクラッド層３０内を軸方向に伝播するのでマルチモ
ード信号からのエネルギは内側シングルモードコア２６
にリークする。かくして内側シングルモードコア２６
は、マルチモードビームによりポンピングされた状態に
ある。このときほとんど全てのこの吸収されたマルチモ
ードパワーは、内側シングルモードコア２６内でシング
ルモード放射に変換される。
により出力されたハイパワーマルチモードビームは、ク
ラッド層ポンプされたレーザ２４のマルチモードクラッ
ド層３０にレンズ２２を介して入力される。マルチモー
ドクラッド層３０と第２クラッド層３２のそれぞれの屈
折率は、上記のように設定されているので、マルチモー
ドクラッド層３０に入力されるマルチモードポンピング
信号は、光が従来の光ファイバの中を伝播するように伝
播する。このガイドされたポンピング信号は、マルチモ
ードクラッド層３０内を軸方向に伝播するのでマルチモ
ード信号からのエネルギは内側シングルモードコア２６
にリークする。かくして内側シングルモードコア２６
は、マルチモードビームによりポンピングされた状態に
ある。このときほとんど全てのこの吸収されたマルチモ
ードパワーは、内側シングルモードコア２６内でシング
ルモード放射に変換される。
【００２１】上述したように図１，２に記載されたクラ
ッド層ポンプされたレーザは、４レベルモードで動作す
る光ファイバレーザのハイパワーポンピングを達成す
る。しかし、３レベルモードの動作中に通常発生する基
底状態吸収が高いために、このクラッド層ポンプ技術
は、３レベル光ファイバレーザをポンピングするのには
実際には有効ではない。
ッド層ポンプされたレーザは、４レベルモードで動作す
る光ファイバレーザのハイパワーポンピングを達成す
る。しかし、３レベルモードの動作中に通常発生する基
底状態吸収が高いために、このクラッド層ポンプ技術
は、３レベル光ファイバレーザをポンピングするのには
実際には有効ではない。
【００２２】したがって図１の３レベル光ファイバ増幅
器１６の活性要素を合成する３レベルエルビウム光ファ
イバレーザコアは、クラッド層ポンプ構造体に直接含ま
れるものとはなり得ない。したがって何らかの別の方法
でもってハイパワーポンピング信号をこのような３レベ
ルエルビウム増幅器のコアに注入しなければならない。
特に、１．５μｍでのハイパワー増幅を達成するために
は、９８０ｎｍのハイパワーポンピング信号を提供する
必要がある。
器１６の活性要素を合成する３レベルエルビウム光ファ
イバレーザコアは、クラッド層ポンプ構造体に直接含ま
れるものとはなり得ない。したがって何らかの別の方法
でもってハイパワーポンピング信号をこのような３レベ
ルエルビウム増幅器のコアに注入しなければならない。
特に、１．５μｍでのハイパワー増幅を達成するために
は、９８０ｎｍのハイパワーポンピング信号を提供する
必要がある。
【００２３】従来のダイオードレーザソースを用いて例
えばエルビウム光ファイバ増幅器のような３レベル装置
のシングルモードコアにポンピングパワーを直接供給す
ることが行われていた。しかし実際には、このような小
さな直径のコアに結合できるような適当なポンピング信
号のパワーレベルを得ることには限界がある。その結
果、従来方法でポンピングされた増幅器から得られる出
力パワーは、せいぜい１００ｍＷである。
えばエルビウム光ファイバ増幅器のような３レベル装置
のシングルモードコアにポンピングパワーを直接供給す
ることが行われていた。しかし実際には、このような小
さな直径のコアに結合できるような適当なポンピング信
号のパワーレベルを得ることには限界がある。その結
果、従来方法でポンピングされた増幅器から得られる出
力パワーは、せいぜい１００ｍＷである。
【００２４】イッテルビウム光ファイバレーザ（特にＹ
ｂ3+イオンでドープされたもの）は、約９４０ｎｍでポ
ンプされ、３レベルレーザとして動作する場合には、約
９８０ｎｍのシングルモード出力信号を提供する場合に
は有効である。そのためＹｂ3+レーザの出力は、Ｅｒ3+
ファイバ増幅器のシングルモードコアをポンピングする
のに用いられる適正な波長である。ハイパワーポンピン
グ信号をＥｒ3+増幅器に提供するために、このような３
レベルＹｂ3+レーザからの充分な出力パワーを得ること
により、従来の方法で３レベルＥｒ3+増幅器をポンピン
グする際に存在する同一の困難性に遭遇することにな
る。
ｂ3+イオンでドープされたもの）は、約９４０ｎｍでポ
ンプされ、３レベルレーザとして動作する場合には、約
９８０ｎｍのシングルモード出力信号を提供する場合に
は有効である。そのためＹｂ3+レーザの出力は、Ｅｒ3+
ファイバ増幅器のシングルモードコアをポンピングする
のに用いられる適正な波長である。ハイパワーポンピン
グ信号をＥｒ3+増幅器に提供するために、このような３
レベルＹｂ3+レーザからの充分な出力パワーを得ること
により、従来の方法で３レベルＥｒ3+増幅器をポンピン
グする際に存在する同一の困難性に遭遇することにな
る。
【００２５】本発明によれば、ハイパワーダイオードア
レイによりポンピングされたクラッド層ポンプされた光
ファイバレーザは、約９４０ｎｍのハイパワーシングル
モード出力を提供する。そしてこのハイパワー信号は、
その後３レベルＹｂ3+ファイバレーザのシングルモード
コアに直接結合される。そしてＹｂ3+ファイバレーザの
ハイパワー出力信号は、その後Ｅｒ3+ファイバ増幅器の
シングルモードコアへのポンピング信号として入力され
る。このようにして充分に高い出力パワーレベルが、Ｅ
ｒ3+増幅器から得られる。
レイによりポンピングされたクラッド層ポンプされた光
ファイバレーザは、約９４０ｎｍのハイパワーシングル
モード出力を提供する。そしてこのハイパワー信号は、
その後３レベルＹｂ3+ファイバレーザのシングルモード
コアに直接結合される。そしてＹｂ3+ファイバレーザの
ハイパワー出力信号は、その後Ｅｒ3+ファイバ増幅器の
シングルモードコアへのポンピング信号として入力され
る。このようにして充分に高い出力パワーレベルが、Ｅ
ｒ3+増幅器から得られる。
【００２６】本発明によれば、図１のクラッド層ポンプ
されたレーザ２４は、Ｎｄ3+レーザを含む。特にこのク
ラッド層ポンプされたレーザ２４は、約９４０ｎｍの出
力信号を生成するために４レベルモードで動作するため
に、そして半導体ダイオードレーザアレイ２０により提
供されるハイパワーの８０８ｎｍ放射に応答する。特に
このような４レベルレーザは、半導体ダイオードレーザ
アレイ２０のハイパワーマルチモード出力をクラッド層
ポンプされたレーザ２４の内側シングルモードコア２６
内で約９４０ｎｍの集中回析制限ビームに変換できる。
されたレーザ２４は、Ｎｄ3+レーザを含む。特にこのク
ラッド層ポンプされたレーザ２４は、約９４０ｎｍの出
力信号を生成するために４レベルモードで動作するため
に、そして半導体ダイオードレーザアレイ２０により提
供されるハイパワーの８０８ｎｍ放射に応答する。特に
このような４レベルレーザは、半導体ダイオードレーザ
アレイ２０のハイパワーマルチモード出力をクラッド層
ポンプされたレーザ２４の内側シングルモードコア２６
内で約９４０ｎｍの集中回析制限ビームに変換できる。
【００２７】本発明によれば、約９４０ｎｍの波長でレ
ーザ発振するためにクラッド層ポンプされたレーザ２４
を励起し、基底レベル以上の４レベルモード動作で放射
する技術が望ましい。かくして９４０ｎｍの波長を反射
するために、例えばグレーティング３４，３６（図１）
のような従来の反射性素子をクラッド層ポンプされたレ
ーザ２４の内側シングルモードコア２６のそれぞれの端
部あるいはその近傍に形成する。従来公知のようにこの
ようなグレーティングは、コアの屈折率を変化させるよ
うな適当な元素を、内側シングルモードコア２６の軸方
向に沿って離間した部分にそれを横切る方向にドーピイ
ングすることにより形成される。
ーザ発振するためにクラッド層ポンプされたレーザ２４
を励起し、基底レベル以上の４レベルモード動作で放射
する技術が望ましい。かくして９４０ｎｍの波長を反射
するために、例えばグレーティング３４，３６（図１）
のような従来の反射性素子をクラッド層ポンプされたレ
ーザ２４の内側シングルモードコア２６のそれぞれの端
部あるいはその近傍に形成する。従来公知のようにこの
ようなグレーティングは、コアの屈折率を変化させるよ
うな適当な元素を、内側シングルモードコア２６の軸方
向に沿って離間した部分にそれを横切る方向にドーピイ
ングすることにより形成される。
【００２８】図１の左端グレーティング３４は、約８０
８ｎｍのダイオードポンピング信号を透過させ、９４０
ｎｍの内側シングルモードコア２６内を伝播する放射を
約１００％反射させる。右端グレーティング３６は、９
４０ｎｍで１００％以下（例えば約５０％）の反射性で
あり、これによりクラッド層ポンプされたレーザ２４に
より提供される９４０ｎｍのシングルモード放射は、コ
アの右側即ち出力端から放射される。
８ｎｍのダイオードポンピング信号を透過させ、９４０
ｎｍの内側シングルモードコア２６内を伝播する放射を
約１００％反射させる。右端グレーティング３６は、９
４０ｎｍで１００％以下（例えば約５０％）の反射性で
あり、これによりクラッド層ポンプされたレーザ２４に
より提供される９４０ｎｍのシングルモード放射は、コ
アの右側即ち出力端から放射される。
【００２９】したがってグレーティング３４と３６は、
９４０ｎｍの共鳴キャビティを形成する。９４０ｎｍの
放射を決定づける複数のエネルギレベル間のレーザ遷移
に基づく放射は、クラッド層ポンプされたレーザ２４に
とって都合のよいものである。
９４０ｎｍの共鳴キャビティを形成する。９４０ｎｍの
放射を決定づける複数のエネルギレベル間のレーザ遷移
に基づく放射は、クラッド層ポンプされたレーザ２４に
とって都合のよいものである。
【００３０】Ｎｄ3+ファイバレーザもまた１０６０ｎｍ
のレーザ放射を引き起こす４レベル遷移により特徴づけ
られる。この波長における放射を最小にしたり抑制した
りするために、クラッド層ポンプされたレーザ２４の内
側シングルモードコア２６を軸方向に図２に示すように
吸収層２８でもって包囲することが好ましい。この吸収
層２８は、約１０００ｎｍ以上の波長を有する好ましく
ない遷移からの放出を吸収する。かくしてクラッド層ポ
ンプされたレーザ２４からの所望の出力モードの出力パ
ワー９４０ｎｍが、非常に強調される。
のレーザ放射を引き起こす４レベル遷移により特徴づけ
られる。この波長における放射を最小にしたり抑制した
りするために、クラッド層ポンプされたレーザ２４の内
側シングルモードコア２６を軸方向に図２に示すように
吸収層２８でもって包囲することが好ましい。この吸収
層２８は、約１０００ｎｍ以上の波長を有する好ましく
ない遷移からの放出を吸収する。かくしてクラッド層ポ
ンプされたレーザ２４からの所望の出力モードの出力パ
ワー９４０ｎｍが、非常に強調される。
【００３１】吸収層２８を形成する材料は、サマリウム
イオン（特にＳｍ3+イオン）をドープしたシリカ製ガラ
スである。吸収層２８の屈折率は、例えば１．４７であ
る。かくして、本発明によれば、図１の半導体ダイオー
ドレーザアレイ２０のハイパワー出力は、クラッド層ポ
ンプされたレーザ２４により約９４０ｎｍの集中回析制
限出力ビームに変換され、このビームがクラッド層ポン
プされたレーザ２４の内側シングルモードコア２６の出
力端から放出される。その後内側シングルモードコア２
６からのこの出力ビームは、図１のＹｂ3+レーザ３８の
対応した大きさのコア４０に結合される。例えば、これ
らのコアの間の高い結合率（約９８％）は、従来技術の
へき開と、それらの間の溶融スプライシングにより得ら
れる。
イオン（特にＳｍ3+イオン）をドープしたシリカ製ガラ
スである。吸収層２８の屈折率は、例えば１．４７であ
る。かくして、本発明によれば、図１の半導体ダイオー
ドレーザアレイ２０のハイパワー出力は、クラッド層ポ
ンプされたレーザ２４により約９４０ｎｍの集中回析制
限出力ビームに変換され、このビームがクラッド層ポン
プされたレーザ２４の内側シングルモードコア２６の出
力端から放出される。その後内側シングルモードコア２
６からのこの出力ビームは、図１のＹｂ3+レーザ３８の
対応した大きさのコア４０に結合される。例えば、これ
らのコアの間の高い結合率（約９８％）は、従来技術の
へき開と、それらの間の溶融スプライシングにより得ら
れる。
【００３２】本発明の一実施例においては、クラッド層
ポンプされたレーザ２４の９４０ｎｍの出力は、ハイパ
ワーポンピング信号としてＹｂ3+レーザ３８のコア４０
に入力される。具体的にはＹｂ3+レーザ３８のコアに入
力される９４０ｎｍの出力パワーは、０．５から５．０
ワットである。
ポンプされたレーザ２４の９４０ｎｍの出力は、ハイパ
ワーポンピング信号としてＹｂ3+レーザ３８のコア４０
に入力される。具体的にはＹｂ3+レーザ３８のコアに入
力される９４０ｎｍの出力パワーは、０．５から５．０
ワットである。
【００３３】クラッド層ポンピングされた４レベルのク
ラッド層ポンプされたレーザ２４（図１）から入力され
る９４０ｎｍのポンピング信号に応答してＹｂ3+レーザ
３８は、３レベルモードで動作し、９８０ｎｍのハイパ
ワー出力信号を放出する。そしてＹｂ3+レーザ３８のこ
の出力は、光カプラ１４を介して３レベルのＥｒ3+ファ
イバの３レベル光ファイバ増幅器１６にハイパワーポン
ピング信号として入力される。かくして３レベル光ファ
イバ増幅器１６は、シングルモード光ファイバ１０から
シングルモード出力用光ファイバ１２に光カプラ１４と
３レベル光ファイバ増幅器１６を介して伝播する１．５
μｍ信号のハイパワー増幅を行うよう３レベル光ファイ
バ増幅器１６にパワーが入力される。
ラッド層ポンプされたレーザ２４（図１）から入力され
る９４０ｎｍのポンピング信号に応答してＹｂ3+レーザ
３８は、３レベルモードで動作し、９８０ｎｍのハイパ
ワー出力信号を放出する。そしてＹｂ3+レーザ３８のこ
の出力は、光カプラ１４を介して３レベルのＥｒ3+ファ
イバの３レベル光ファイバ増幅器１６にハイパワーポン
ピング信号として入力される。かくして３レベル光ファ
イバ増幅器１６は、シングルモード光ファイバ１０から
シングルモード出力用光ファイバ１２に光カプラ１４と
３レベル光ファイバ増幅器１６を介して伝播する１．５
μｍ信号のハイパワー増幅を行うよう３レベル光ファイ
バ増幅器１６にパワーが入力される。
【００３４】具体的には、３レベルのＹｂ3+レーザ３８
は、Ｙｂ3+イオンでドーピングされたコア４０を有す
る。Ｙｂ3+レーザ３８が９８０ｎｍで出力するよう制御
することによりエルビウム増幅器に対する適切なポンピ
ング信号が得られる。しかしＹｂ3+レーザは、本来４レ
ベルモードでも動作可能であり、そして１０６０から１
１００ｎｍの波長で放射する。かくして本発明によれ
ば、クラッド層ポンプされたレーザ２４について記載し
たのと同様な技術をＹｂ3+レーザ３８に用いて９８０ｎ
ｍ波長の放射を向上させ、１０６０から１１００ｎｍの
範囲の放射を抑制あるいは削除する。かくしてハイパワ
ー出力信号（９８０ｎｍで３レベル光ファイバ増幅器１
６を増幅するのに適した）がＹｂ3+レーザ３８から得ら
れる。
は、Ｙｂ3+イオンでドーピングされたコア４０を有す
る。Ｙｂ3+レーザ３８が９８０ｎｍで出力するよう制御
することによりエルビウム増幅器に対する適切なポンピ
ング信号が得られる。しかしＹｂ3+レーザは、本来４レ
ベルモードでも動作可能であり、そして１０６０から１
１００ｎｍの波長で放射する。かくして本発明によれ
ば、クラッド層ポンプされたレーザ２４について記載し
たのと同様な技術をＹｂ3+レーザ３８に用いて９８０ｎ
ｍ波長の放射を向上させ、１０６０から１１００ｎｍの
範囲の放射を抑制あるいは削除する。かくしてハイパワ
ー出力信号（９８０ｎｍで３レベル光ファイバ増幅器１
６を増幅するのに適した）がＹｂ3+レーザ３８から得ら
れる。
【００３５】かくして、例えばＹｂ3+レーザ３８のコア
４０のそれぞれの端部にあるいはその近傍に配置された
ブラグ回析グレーティング４２と４４のような従来の反
射性要素は、９８０ｎｍで反射するよう企図されてい
る。特に、左端のブラグ回析グレーティング４２は、ク
ラッド層ポンプされたレーザ２４からの９４０ｎｍの放
射に対しては、透過性を有し、Ｙｂ3+レーザ３８により
生成される９８０ｎｍの放射に対しては、１００％の反
射性を有するよう設計される。さらにまた右端のブラグ
回析グレーティング４４は、９８０ｎｍの放射に対して
は部分透過性（例えば、約５０％の反射性）で９８０ｎ
ｍの放射は、Ｙｂ3+レーザ３８の右端から放出され３レ
ベル光ファイバ増幅器１６に光カプラ１４を介して入力
される。
４０のそれぞれの端部にあるいはその近傍に配置された
ブラグ回析グレーティング４２と４４のような従来の反
射性要素は、９８０ｎｍで反射するよう企図されてい
る。特に、左端のブラグ回析グレーティング４２は、ク
ラッド層ポンプされたレーザ２４からの９４０ｎｍの放
射に対しては、透過性を有し、Ｙｂ3+レーザ３８により
生成される９８０ｎｍの放射に対しては、１００％の反
射性を有するよう設計される。さらにまた右端のブラグ
回析グレーティング４４は、９８０ｎｍの放射に対して
は部分透過性（例えば、約５０％の反射性）で９８０ｎ
ｍの放射は、Ｙｂ3+レーザ３８の右端から放出され３レ
ベル光ファイバ増幅器１６に光カプラ１４を介して入力
される。
【００３６】さらにまたＹｂ3+レーザ３８のコア４０を
好ましくない競合遷移（unwanted competing transitio
ns）から放出される放射を吸収するような吸収層４６で
包囲するのが好ましい。かくして９８０ｎｍの所望の出
力モードでＹｂ3+レーザ３８から得られる出力パワー
は、極めて向上する。前述したように吸収層４６を形成
する適当な材料は、サマリウムイオン（Ｓｍ3+イオン）
でもって、ドープしたシリカ製ガラスである。コア４０
の屈折率が１．４７の場合には、吸収層４６の屈折率は
約１．４７となるよう設計される。例えば、図３に示し
たように３レベルのＹｂ3+レーザ３８のコア４０と吸収
層４６は、アンドープのシリカ製の従来のクラッド層４
８により包囲される。同図に示すようにクラッド層４８
の屈折率は、約１．４６である。図３に示すシングルモ
ード光ファイバの最終外形ｄ２は、例えば１２５μｍで
ある。
好ましくない競合遷移（unwanted competing transitio
ns）から放出される放射を吸収するような吸収層４６で
包囲するのが好ましい。かくして９８０ｎｍの所望の出
力モードでＹｂ3+レーザ３８から得られる出力パワー
は、極めて向上する。前述したように吸収層４６を形成
する適当な材料は、サマリウムイオン（Ｓｍ3+イオン）
でもって、ドープしたシリカ製ガラスである。コア４０
の屈折率が１．４７の場合には、吸収層４６の屈折率は
約１．４７となるよう設計される。例えば、図３に示し
たように３レベルのＹｂ3+レーザ３８のコア４０と吸収
層４６は、アンドープのシリカ製の従来のクラッド層４
８により包囲される。同図に示すようにクラッド層４８
の屈折率は、約１．４６である。図３に示すシングルモ
ード光ファイバの最終外形ｄ２は、例えば１２５μｍで
ある。
【００３７】本発明の一実施例によれば、Ｙｂ3+レーザ
３８のタイプの３レベルレーザは、９８０ｎｍの出力信
号を０．５−２．０ワットの範囲内の出力パワーでもっ
て供給することができる。その後このハイパワー信号
は、光カプラ１４を介して３レベル光ファイバ増幅器１
６に入力される。実際の場合には、約９８％の結合効率
が標準の図１の光カプラ１４で得られる。かくして、約
０．５−２．０ワットのパワーが３レベル光ファイバ増
幅器１６の入力即ち左端に供給され、これがポンピング
信号として機能する。
３８のタイプの３レベルレーザは、９８０ｎｍの出力信
号を０．５−２．０ワットの範囲内の出力パワーでもっ
て供給することができる。その後このハイパワー信号
は、光カプラ１４を介して３レベル光ファイバ増幅器１
６に入力される。実際の場合には、約９８％の結合効率
が標準の図１の光カプラ１４で得られる。かくして、約
０．５−２．０ワットのパワーが３レベル光ファイバ増
幅器１６の入力即ち左端に供給され、これがポンピング
信号として機能する。
【００３８】上述したように、９８０ｎｍのハイパワー
ポンピング信号は、Ｅｒ3+ファイバ増幅器に入力され
る。このような増幅器の断面を図４に示し、通常その長
さは、５から４０ｍである。
ポンピング信号は、Ｅｒ3+ファイバ増幅器に入力され
る。このような増幅器の断面を図４に示し、通常その長
さは、５から４０ｍである。
【００３９】図４に示された光ファイバ増幅器は、Ｅｒ
3+でドープしたコア５０を有する。このコア５０の直径
は２から５μｍで、その屈折率は１．４７である。さら
にこのコア５０は、屈折率が１．４６の従来のクラッド
層５２により包囲されている。図４の外形ｄ３は、例え
ば１２５μｍである。
3+でドープしたコア５０を有する。このコア５０の直径
は２から５μｍで、その屈折率は１．４７である。さら
にこのコア５０は、屈折率が１．４６の従来のクラッド
層５２により包囲されている。図４の外形ｄ３は、例え
ば１２５μｍである。
【００４０】図１に示されたシングルモード出力用光フ
ァイバ１２は、３レベル光ファイバ増幅器１６が形成さ
れる光ファイバの部分の一部である。３レベル光ファイ
バ増幅器１６と従来の高透過性（しかし受動型）のシン
グルモード出力用光ファイバ１２との差異は、３レベル
光ファイバ増幅器１６のコア５０が例えばＥｒ3+イオン
のような稀土類イオンを含む活性元素でもってドーピン
グされていることである。
ァイバ１２は、３レベル光ファイバ増幅器１６が形成さ
れる光ファイバの部分の一部である。３レベル光ファイ
バ増幅器１６と従来の高透過性（しかし受動型）のシン
グルモード出力用光ファイバ１２との差異は、３レベル
光ファイバ増幅器１６のコア５０が例えばＥｒ3+イオン
のような稀土類イオンを含む活性元素でもってドーピン
グされていることである。
【００４１】このＥｒ3+光ファイバ増幅器は、９８０ｎ
ｍの波長でもってハイパワーでポンピングされ、１．５
μｍの出力を生成する。具体的な値としては、このよう
な増幅器は、１．５μｍの出力信号をシングルモード出
力用光ファイバ１２に２５０−５００ｍＷの出力範囲で
もって提供することができる。
ｍの波長でもってハイパワーでポンピングされ、１．５
μｍの出力を生成する。具体的な値としては、このよう
な増幅器は、１．５μｍの出力信号をシングルモード出
力用光ファイバ１２に２５０−５００ｍＷの出力範囲で
もって提供することができる。
【００４２】本発明の他の実施例においては、図１のク
ラッド層ポンプされたレーザ２４と３８の両方とも単一
でコンパクトなクラッド層ポンピングされる光ファイバ
構造でもって形成することができる。このようなクラッ
ド層ポンピング構成の断面図を図５に示す。
ラッド層ポンプされたレーザ２４と３８の両方とも単一
でコンパクトなクラッド層ポンピングされる光ファイバ
構造でもって形成することができる。このようなクラッ
ド層ポンピング構成の断面図を図５に示す。
【００４３】図５において、光ファイバのシングルモー
ド合成コアは、内側部分５４と外側部分５６とを有す
る。同図において外側部分５６の直径は約５．０μｍ
で、内側部分５４の直径は約２．５μｍである。実際の
例としては、この合成コアの屈折率は、約１．４７でこ
の合成コアを含む光ファイバの長さは、１から５０ｍの
範囲内である。具体的な例としては、図５の内側部分５
４は、Ｙｂ3+イオンでドーピングされ、外側部分５６は
Ｎｄ3+イオンでドーピングされている。図１−４の実施
例に関して説明したように、Ｎｄ3+イオンでドーピング
された外側部分５６は、４レベルモードで動作するよう
設計され、そして約８０８ｎｍのポンピング放射に応答
して約９４０ｎｍの出力放射を提供する。さらにＹｂ3+
でドーピングされた内側部分５４は、３レベルモードで
動作し、隣接するＮｄ3+レーザからの９４０ｎｍのポン
ピング放射に応答して約９８０ｎｍの出力放射を提供す
る。そして図１−４の実施例に説明したようにＹｂ3+レ
ーザの９８０ｎｍシングルモード出力は、その後光カプ
ラ１４を介して３レベルＥｒ3+の３レベル光ファイバ増
幅器１６にポンピングされる。
ド合成コアは、内側部分５４と外側部分５６とを有す
る。同図において外側部分５６の直径は約５．０μｍ
で、内側部分５４の直径は約２．５μｍである。実際の
例としては、この合成コアの屈折率は、約１．４７でこ
の合成コアを含む光ファイバの長さは、１から５０ｍの
範囲内である。具体的な例としては、図５の内側部分５
４は、Ｙｂ3+イオンでドーピングされ、外側部分５６は
Ｎｄ3+イオンでドーピングされている。図１−４の実施
例に関して説明したように、Ｎｄ3+イオンでドーピング
された外側部分５６は、４レベルモードで動作するよう
設計され、そして約８０８ｎｍのポンピング放射に応答
して約９４０ｎｍの出力放射を提供する。さらにＹｂ3+
でドーピングされた内側部分５４は、３レベルモードで
動作し、隣接するＮｄ3+レーザからの９４０ｎｍのポン
ピング放射に応答して約９８０ｎｍの出力放射を提供す
る。そして図１−４の実施例に説明したようにＹｂ3+レ
ーザの９８０ｎｍシングルモード出力は、その後光カプ
ラ１４を介して３レベルＥｒ3+の３レベル光ファイバ増
幅器１６にポンピングされる。
【００４４】図５に示した実施例の合成コアは、９４０
ｎｍでＮｄ3+イオンでドーピングされた外側部分５６の
放射を行うように、さらにまた９８０ｎｍのＹｂ3+でド
ーピングされた内側部分５４の放射を行うように設計さ
れた、例えばブラグ回析グレーティングのような反射性
要素も含む。例えば、このため９８０ｎｍで反射性のグ
レーティングは、合成コアのそれぞれの端部あるいはそ
の近傍に形成され、９４０ｎｍで反射性の（同時に９８
０ｎｍで透過性の）グレーティングは、９８０ｎｍグレ
ーティング内に閉じこめられた合成コア内に形成され
る。
ｎｍでＮｄ3+イオンでドーピングされた外側部分５６の
放射を行うように、さらにまた９８０ｎｍのＹｂ3+でド
ーピングされた内側部分５４の放射を行うように設計さ
れた、例えばブラグ回析グレーティングのような反射性
要素も含む。例えば、このため９８０ｎｍで反射性のグ
レーティングは、合成コアのそれぞれの端部あるいはそ
の近傍に形成され、９４０ｎｍで反射性の（同時に９８
０ｎｍで透過性の）グレーティングは、９８０ｎｍグレ
ーティング内に閉じこめられた合成コア内に形成され
る。
【００４５】図１−４の実施例に示すように、図５の光
ファイバは、波長選択性吸収層５８を有するのは好まし
い。この波長選択性吸収層５８は、Ｓｍ3+イオンでドー
ピングされたガラス材料製である。そして前述したよう
にこの波長選択性吸収層５８は、外側部分５６内の９４
０ｎｍの放射と内側部分５４内の９８０ｎｍの放射とを
１０００ｎｍ以上の波長を有する合成コア内の競合性放
射遷移を除去あるいは抑制することにより向上させる。
ファイバは、波長選択性吸収層５８を有するのは好まし
い。この波長選択性吸収層５８は、Ｓｍ3+イオンでドー
ピングされたガラス材料製である。そして前述したよう
にこの波長選択性吸収層５８は、外側部分５６内の９４
０ｎｍの放射と内側部分５４内の９８０ｎｍの放射とを
１０００ｎｍ以上の波長を有する合成コア内の競合性放
射遷移を除去あるいは抑制することにより向上させる。
【００４６】
【発明の効果】かくして本発明によれば、ダイオードア
レイのハイパワー出力は、クラッドポンプされた構造体
内で動作する４レベル光ファイバレーザにより、シング
ルモードコア内の集中回析制限型ビームに変換される。
完全な直列接続構成をした実施例においては、このよう
にして得られたビームを用いて従来の３レベル光ファイ
バレーザをポンピングし、そのレーザからの出力を用い
て３レベル光ファイバ増幅器をポンピングする。また他
の実施例においては、４レベルレーザと３レベルレーザ
とをクラッド層ポンプされたレーザ内のシングルモード
合成コア内で結合する。そしてこの合成コアの内側部分
即ち３レベル部分の出力は、３レベル光ファイバ増幅器
に結合され、それに対するハイパワーポンピング信号と
して機能できる。
レイのハイパワー出力は、クラッドポンプされた構造体
内で動作する４レベル光ファイバレーザにより、シング
ルモードコア内の集中回析制限型ビームに変換される。
完全な直列接続構成をした実施例においては、このよう
にして得られたビームを用いて従来の３レベル光ファイ
バレーザをポンピングし、そのレーザからの出力を用い
て３レベル光ファイバ増幅器をポンピングする。また他
の実施例においては、４レベルレーザと３レベルレーザ
とをクラッド層ポンプされたレーザ内のシングルモード
合成コア内で結合する。そしてこの合成コアの内側部分
即ち３レベル部分の出力は、３レベル光ファイバ増幅器
に結合され、それに対するハイパワーポンピング信号と
して機能できる。
【図１】本発明による光通信システムの一部を表す図
【図２】図１の矢印２の方向から見た光ファイバレーザ
の断面図
の断面図
【図３】図１の矢印３の方向から見た光ファイバレーザ
の断面図
の断面図
【図４】図１の矢印４の方向から見た光ファイバレーザ
増幅器の断面図
増幅器の断面図
【図５】本発明の他の実施例による二重ドープ光ファイ
バレーザの断面図
バレーザの断面図
１０ シングルモード光ファイバ １２ シングルモード出力用光ファイバ １４ 光カプラ １６ ３レベル光ファイバ増幅器 １８ ポンピングソース ２０ 半導体ダイオードレーザアレイ ２２ レンズ ２４ クラッド層ポンプされたレーザ ２６ 内側シングルモードコア ２８，４６ 吸収層 ３０ マルチモードクラッド層 ３２ 第２クラッド層 ３４ 左端グレーティング ３６ 右端グレーティング ３８ Ｙｂ3+レーザ ４０，５０ コア ４２，４４ ブラグ回析グレーティング ４８，５２ クラッド層 ５４ 内側部分 ５６ 外側部分 ５８ 波長選択性吸収層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/17 Ｈ０４Ｂ 9/00 Ｊ 10/16
Claims (22)
- 【請求項１】 （Ａ）光信号を伝播する入力光ファイバ
（１０）と、 （Ｂ）光信号を伝播する出力光ファイバ（１６）と、 （Ｃ）前記入力光ファイバ（１０）と出力光ファイバ
（１６）との間のパス内に間挿され、前記入力光ファイ
バと、前記出力光ファイバとの間を伝播する光信号を増
幅する３レベル（three-level）光ファイバレーザ増幅
器（１２）と、 （Ｄ）前記（Ｃ）光ファイバ増幅器に接続され、ポンピ
ング信号を前記（Ｃ）光ファイバ増幅器に供給する３レ
ベル光ファイバレーザ（３８）と、 （Ｅ）前記（Ｄ）３レベル光ファイバレーザに接続され
ポンピング信号を前記（Ｃ）３レベルレーザに供給する
クラッド層ポンプされた４レベル(four-level)光ファイ
バレーザ（２４）と、からなることを特徴とする光通信
システム。 - 【請求項２】 前記入力光ファイバと出力光ファイバ内
を伝播する信号の波長は、１．５μｍであることを特徴
とする請求項１のシステム。 - 【請求項３】 前記（Ｃ）光ファイバレーザ増幅器（１
２）は、Ｅｒ3+イオンをドーピングされたシングルモー
ドコアを有し、 前記（Ｃ）光ファイバレーザ増幅器（１２）は、１．５
μｍで増幅を行うよう約９８０ｎｍのポンピング放射に
応答することを特徴とする請求項２のシステム。 - 【請求項４】 前記（Ｄ）３レベルファイバレーザ（３
８）は、Ｙｂ3+イオンをドーピングされたシングルモー
ドコアを有し、 前記（Ｄ）３レベル光ファイバレーザ（３８）は、約９
８０ｎｍの出力を提供するよう約９４０ｎｍのポンピン
グ放射に応答することを特徴とする請求項３のシステ
ム。 - 【請求項５】 前記（Ｅ）４レベルファイバレーザ（２
４）は、Ｎｄ3+イオンをドーピングされたシングルモー
ドコアを有し、 前記（Ｅ）４レベル光ファイバレーザ（２４）は、約９
４０ｎｍの出力を提供するよう約８０８ｎｍのポンピン
グ放射に応答することを特徴とする請求項４のシステ
ム。 - 【請求項６】 前記（Ｅ）４レベル光ファイバレーザ
（２４）は、 シングルモードコア（２６）の周囲を包囲するマルチモ
ードクラッド層（３０）と、 前記マルチモードクラッド層（３０）を包囲する第２の
クラッド層（３２）とを有することを特徴とする請求項
５のシステム。 - 【請求項７】 約８０８ｎｍのポンピング放射を前記
（Ｅ）４レベル光ファイバレーザ（２４）に供給する手
段（２０）をさらに有することを特徴とする請求項６の
システム。 - 【請求項８】 前記８０８ｎｍのポンピング放射を供給
する手段（２０）は、ダイオードレーザアレイを有する
ことを特徴とする請求項７のシステム。 - 【請求項９】 前記ダイオードレーザアレイの８０８ｎ
ｍ出力を前記（Ｅ）４レベル光ファイバレーザのマルチ
モードクラッド層に向ける手段（２２）をさらに有する
ことを特徴とする請求項８のシステム。 - 【請求項１０】 前記（Ｄ）３レベル光ファイバレーザ
（３８）の９８０ｎｍ放射を提供する手段と、 約１０００ｎｍ以上の波長を有する放射を抑制する手段
（４２，４４）をさらに有することを特徴とする請求項
９のシステム。 - 【請求項１１】 前記９８０ｎｍ放射を提供する手段
は、前記（Ｄ）３レベルレーザ（３８）のシングルモー
ドコアのそれぞれの端部にあるいは端部近傍に形成され
た９８０ｎｍ反射要素を含むことを特徴とする請求項１
０のシステム。 - 【請求項１２】 前記反射性要素は、ブラグ回析グレー
ティングを含むことを特徴とする請求項１１のシステ
ム。 - 【請求項１３】 前記抑制する手段は、前記（Ｄ）３レ
ベルファイバレーザ（３８）のシングルモードコア（４
０）を包囲する吸収層（４６）を有し、 前記吸収層（４６）は、１０００ｎｍ以上の波長の放射
を吸収することを特徴とする請求項１０のシステム。 - 【請求項１４】 前記（Ｅ）４レベル光ファイバレーザ
（２４）の９４０ｎｍ放射を提供する手段（２０）と、 約１０００ｎｍ以上の波長を有する放射を抑制する手段
をさらに有することを特徴とする請求項９のシステム。 - 【請求項１５】 前記９４０ｎｍ放射を提供する手段
は、前記（Ｅ）４レベル光ファイバレーザのそれぞれの
端部にあるいは端部近傍に形成された９４０ｎｍ反射要
素（３４，３６）を含むことを特徴とする請求項１４の
システム。 - 【請求項１６】 前記反射性要素は、ブラグ回析グレー
ティングを含むことを特徴とする請求項１５のシステ
ム。 - 【請求項１７】 前記抑制する手段は、前記（Ｅ）４レ
ベルファイバレーザ（２４）のシングルモードコア（２
６）を包囲する吸収層（２８）を有し、 前記吸収層は、１０００ｎｍ以上の波長の放射を吸収す
ることを特徴とする請求項１４のシステム。 - 【請求項１８】 前記（Ｅ）４レベルレーザ（２４）の
シングルモードコア（２６）は、前記（Ｄ）３レベル光
ファイバレーザ（３８）のシングルモードコア（４０）
に直列に接続されることを特徴とする請求項９のシステ
ム。 - 【請求項１９】 前記（Ｄ）３レベルレーザのシングル
モードコア（５４）は、前記（Ｅ）４レベルレーザのシ
ングルモードコア（５６）により包囲され、その結果合
成シングルモードコアを形成し、この合成シングルモー
ドコアは、約８０８ｎｍのポンピング信号に応答して前
記合成コアの３レベル部分から約９８０ｎｍの出力を提
供することを特徴とする請求項９のシステム。 - 【請求項２０】 前記合成コアの４レベルレーザから９
４０ｎｍの放射を助ける手段と、 前記合成コアの３レベル部分からの９８０ｎｍの放射を
助ける手段と、 約１０００ｎｍ以上の波長を有する放射を抑制する手段
とをさらに有することを特徴とする請求項１９のシステ
ム。 - 【請求項２１】 （Ａ）第１種の稀土類イオンをドーピ
ングされた中心領域（５４）と、第２種の稀土類イオン
をドーピングされた外側領域（５６）とを有し、屈折率
がｎ１である合成シングルモード光ファイバコアと、 （Ｂ）前記合成シングルモードコアを包囲する屈折率が
ｎ２のマルチモードクラッド層（３０）と、 （Ｃ）前記マルチモードクラッド層（３０）を包囲する
屈折率がｎ３の追加のクラッド層（３２）と、 ここでｎ１＞ｎ２＞ｎ３、 （Ｄ）前記コアの中心領域に関連して、前記中心領域が
第２波長でもってポンピングされた際に、第１波長で３
レベルモードで動作する前記中央領域からのレーザ放射
を助ける手段と、 （Ｅ）前記コアの外側領域に関連し、前記外側領域が第
３波長でポンピングされた際に前記第２波長で４レベル
モードで動作する前記外側層からのレーザ放射を助ける
手段と、 （Ｆ）前記第３波長で前記コアの前記外側領域をポンピ
ングし、前記外側領域が前記第２波長でレーザ発信する
ようにする、ハイパワーマルチモード信号を前記マルチ
モードクラッド層に提供する手段と、 からなり、中心領域が前記第１波長でレーザ放射を起こ
すように前記コアの隣接する中心領域にポンピング信号
を供給することを特徴とするクラッド層ポンプされたレ
ーザ装置。 - 【請求項２２】 前記第１種の稀土類イオンは、Ｙｂ3+
イオンを含み、 前記第２種の稀土類イオンは、Ｎｄ3+イオンを含むこと
を特徴とする請求項２１の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US441097 | 1995-05-15 | ||
| US08/441,097 US5530710A (en) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | High-power pumping of three-level optical fiber laser amplifier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330651A true JPH08330651A (ja) | 1996-12-13 |
| JP3247292B2 JP3247292B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=23751500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11857496A Expired - Fee Related JP3247292B2 (ja) | 1995-05-15 | 1996-05-14 | 光通信システム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5530710A (ja) |
| EP (1) | EP0743722B1 (ja) |
| JP (1) | JP3247292B2 (ja) |
| DE (1) | DE69610455T2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033536A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光増幅用光ファイバ |
| WO2010097872A1 (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-02 | 株式会社フジクラ | 光増幅用光ファイバおよびファイバレーザ |
| JP2015506109A (ja) * | 2011-12-19 | 2015-02-26 | アイピージー フォトニクス コーポレーション | ９８０ｎｍ高出力シングルモードファイバポンプレーザシステム |
| JP2020184565A (ja) * | 2019-05-07 | 2020-11-12 | 株式会社豊田中央研究所 | 光ファイバレーザ装置 |
| WO2021059440A1 (ja) * | 2019-09-26 | 2021-04-01 | 日本電信電話株式会社 | 光増幅器 |
Families Citing this family (68)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19535526C1 (de) * | 1995-09-25 | 1997-04-03 | Hannover Laser Zentrum | Doppelkern-Faserlaser |
| JP3497298B2 (ja) * | 1995-10-23 | 2004-02-16 | 株式会社フジクラ | 光ファイバフィルタ |
| US5790722A (en) * | 1996-04-16 | 1998-08-04 | Hughes Electronics | High power optical fiber amplifier/laser system |
| US5659644A (en) * | 1996-06-07 | 1997-08-19 | Lucent Technologies Inc. | Fiber light source with multimode fiber coupler |
| US5946428A (en) * | 1996-07-09 | 1999-08-31 | Corning Incorporated | Fiber optic system with simultaneous switching and raman |
| US6212310B1 (en) | 1996-10-22 | 2001-04-03 | Sdl, Inc. | High power fiber gain media system achieved through power scaling via multiplexing |
| US6052393A (en) | 1996-12-23 | 2000-04-18 | The Regents Of The University Of Michigan | Broadband Sagnac Raman amplifiers and cascade lasers |
| US5778014A (en) * | 1996-12-23 | 1998-07-07 | Islam; Mohammed N. | Sagnac raman amplifiers and cascade lasers |
| JP3622816B2 (ja) | 1996-12-27 | 2005-02-23 | 富士通株式会社 | 光増幅用ファイバ及びその製造方法 |
| JP3621220B2 (ja) * | 1997-03-17 | 2005-02-16 | 富士通株式会社 | 光増幅器及び光導波構造 |
| US5905745A (en) * | 1997-03-17 | 1999-05-18 | Sdl, Inc. | Noise suppression in cladding pumped fiber lasers |
| US5815518A (en) * | 1997-06-06 | 1998-09-29 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising a cascaded raman fiber laser |
| US5898715A (en) * | 1997-06-09 | 1999-04-27 | Lucent Technologies Inc. | Optical communication system comprising a cladding pumped fiber laser |
| US6041070A (en) * | 1997-11-14 | 2000-03-21 | Sdl, Inc. | Resonant pumped short cavity fiber laser |
| US6031850A (en) * | 1997-12-22 | 2000-02-29 | Pc Photonics Corporation | Clad pumped, eye-safe and multi-core phase-locked fiber lasers |
| US6374006B1 (en) | 1998-03-20 | 2002-04-16 | Xtera Communications, Inc. | Chirped period gratings for raman amplification in circulator loop cavities |
| US6356384B1 (en) | 1998-03-24 | 2002-03-12 | Xtera Communications Inc. | Broadband amplifier and communication system |
| US6760148B2 (en) | 1998-03-24 | 2004-07-06 | Xtera Communications, Inc. | Nonlinear polarization amplifiers in nonzero dispersion shifted fiber |
| US6600592B2 (en) | 1998-03-24 | 2003-07-29 | Xtera Communications, Inc. | S+ band nonlinear polarization amplifiers |
| US6631025B2 (en) | 2000-01-12 | 2003-10-07 | Xtera Communications, Inc. | Low-noise distributed Raman amplifier using bi-directional pumping using multiple Raman orders |
| KR20010025018A (ko) * | 1998-05-13 | 2001-03-26 | 스펙트라 사이언스 코포레이션 | 마이크로 레이징 비드 및 구조와, 관련 방법 |
| US6335820B1 (en) | 1999-12-23 | 2002-01-01 | Xtera Communications, Inc. | Multi-stage optical amplifier and broadband communication system |
| US6885498B2 (en) | 1998-06-16 | 2005-04-26 | Xtera Communications, Inc. | Multi-stage optical amplifier and broadband communication system |
| JP5069825B2 (ja) | 1998-06-16 | 2012-11-07 | エクステラ コミュニケイションズ インコーポレイテッド | 分散、利得傾斜、及び帯域ポンピング非線形性の光ファイバーの補償 |
| US6359725B1 (en) | 1998-06-16 | 2002-03-19 | Xtera Communications, Inc. | Multi-stage optical amplifier and broadband communication system |
| US6574037B2 (en) | 1998-06-16 | 2003-06-03 | Xtera Communications, Inc. | All band amplifier |
| DE19840926B4 (de) * | 1998-09-08 | 2013-07-11 | Hell Gravure Systems Gmbh & Co. Kg | Anordnung zur Materialbearbeitung mittels Laserstrahlen und deren Verwendung |
| US6567430B1 (en) | 1998-09-21 | 2003-05-20 | Xtera Communications, Inc. | Raman oscillator including an intracavity filter and amplifiers utilizing same |
| US6362916B2 (en) | 1998-09-25 | 2002-03-26 | Fiver Laboratories | All fiber gain flattening optical filter |
| US6188712B1 (en) | 1998-11-04 | 2001-02-13 | Optigain, Inc. | Asymmetrical distributed feedback fiber laser |
| US6370180B2 (en) * | 1999-01-08 | 2002-04-09 | Corning Incorporated | Semiconductor-solid state laser optical waveguide pump |
| US6363194B1 (en) * | 1999-04-08 | 2002-03-26 | Lucent Technologies Inc. | Optical fiber communication system employing Nd doped fiber amplifier for the 1400 nm window |
| EP1183757A1 (fr) * | 1999-06-09 | 2002-03-06 | Commissariat A L'energie Atomique | Amplificateur optique |
| CA2381170A1 (en) * | 1999-08-09 | 2001-02-15 | Sdl, Inc. | Waveguide laser |
| US6324326B1 (en) | 1999-08-20 | 2001-11-27 | Corning Incorporated | Tapered fiber laser |
| US20090168111A9 (en) * | 1999-09-01 | 2009-07-02 | Hell Gravure Systems Gmbh | Printing form processing with fine and coarse engraving tool processing tracks |
| FR2800926B1 (fr) * | 1999-11-09 | 2002-08-09 | Highwave Optical Tech | Laser a fibre de puissance emettant un rayonnement monomode transverse centre vers 980 nm |
| US6760509B2 (en) | 2000-02-14 | 2004-07-06 | The Regents Of The University Of Michigan | SNR booster for WDM systems |
| WO2002011255A1 (en) * | 2000-07-31 | 2002-02-07 | Kigre, Inc. | Optical fiber laser structure and system based on ase pumping of cladding element |
| WO2002047219A1 (en) * | 2000-12-07 | 2002-06-13 | Kigre, Inc. | Method of transferring energy in an optical fiber laser structure using energy migration |
| US6597853B2 (en) * | 2000-12-21 | 2003-07-22 | Lucent Technologies Inc. | Device packaging and method |
| US6516124B2 (en) * | 2001-03-02 | 2003-02-04 | Optical Power Systems Incorporated | Fiber for enhanced energy absorption |
| US6836607B2 (en) * | 2001-03-14 | 2004-12-28 | Corning Incorporated | Cladding-pumped 3-level fiber laser/amplifier |
| US6751241B2 (en) | 2001-09-27 | 2004-06-15 | Corning Incorporated | Multimode fiber laser gratings |
| US6831934B2 (en) | 2001-05-29 | 2004-12-14 | Apollo Instruments, Inc. | Cladding pumped fiber laser |
| US7106928B2 (en) * | 2002-01-22 | 2006-09-12 | Dykaar Douglas R | Coupling high power optical sources to small diameter fibers |
| US7502391B2 (en) * | 2003-07-28 | 2009-03-10 | Spi Lasers Uk Limited | Eye safe high power fibre laser |
| KR100609451B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2006-08-03 | 배재대학교 산학협력단 | 광섬유 레이저의 클래딩 구조 |
| US20060279793A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-12-14 | Hell Gravure Systems Gmbh | Printing form processing with a plurality of engraving tool tracks forming lines |
| US7062137B2 (en) * | 2004-08-05 | 2006-06-13 | Nufern | Fiber optic article including fluorine |
| US7050686B2 (en) * | 2004-08-05 | 2006-05-23 | Nufern | Fiber optic article with inner region |
| US7526167B1 (en) * | 2005-06-24 | 2009-04-28 | Lockheed Martin Corporation | Apparatus and method for a high-gain double-clad amplifier |
| US7768700B1 (en) | 2006-11-30 | 2010-08-03 | Lockheed Martin Corporation | Method and apparatus for optical gain fiber having segments of differing core sizes |
| US7848014B2 (en) * | 2008-04-09 | 2010-12-07 | Cisco Technology, Inc. | Erbium and Erbium/Ytterbium cladding pumped hybrid optical amplifier |
| KR101238307B1 (ko) * | 2010-10-07 | 2013-02-28 | 아이피지 포토닉스 코포레이션 | 고출력 네오디뮴 광섬유 레이저 및 증폭기 |
| CN103328148B (zh) | 2011-01-18 | 2015-12-09 | 古河电气工业株式会社 | 光纤激光装置以及激光照射位置定位方法 |
| CN103337775B (zh) * | 2013-06-09 | 2015-12-23 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 一种光纤端面泵浦激光器 |
| CN104518394A (zh) * | 2013-09-30 | 2015-04-15 | 无锡津天阳激光电子有限公司 | 一种物联网用三端输出660nm与1064nm与1319nm三波长光纤激光器 |
| CN104518399A (zh) * | 2013-09-30 | 2015-04-15 | 无锡津天阳激光电子有限公司 | 一种物联网用四端输出532nm与660nm与1064nm与1319nm四波长光纤激光器 |
| CN104518396A (zh) * | 2013-09-30 | 2015-04-15 | 无锡津天阳激光电子有限公司 | 一种物联网用三端输出532nm与660nm与1319nm三波长光纤激光器 |
| CN104518413A (zh) * | 2013-09-30 | 2015-04-15 | 无锡津天阳激光电子有限公司 | 一种物联网用双向输出532nm波长绿色激光光纤激光器 |
| CN104518400A (zh) * | 2013-09-30 | 2015-04-15 | 无锡津天阳激光电子有限公司 | 一种物联网用四端输出双束532nm与双束660nm波长光纤激光器 |
| CN104577671A (zh) * | 2013-10-22 | 2015-04-29 | 无锡津天阳激光电子有限公司 | 一种风速仪用四端输出808nm与532nm与双1319nm波长光纤激光器 |
| CN104577664A (zh) * | 2013-10-22 | 2015-04-29 | 无锡津天阳激光电子有限公司 | 一种风速仪用四端输出双808nm与532nm与1064nm波长光纤激光器 |
| CN104577667A (zh) * | 2013-10-22 | 2015-04-29 | 无锡津天阳激光电子有限公司 | 一种风速仪用四端输出808nm与1319nm与双1064nm波长光纤激光器 |
| CN104518420A (zh) * | 2014-12-19 | 2015-04-15 | 北京工业大学 | 一种提高激光振荡器输出功率的装置及方法 |
| CN110380326B (zh) * | 2019-07-29 | 2020-10-23 | 武汉电信器件有限公司 | 一种光信号输出装置及方法、存储介质 |
| US11876337B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-01-16 | Clemson University | Three-level system fiber lasers incorporating an all-solid photonic bandgap fiber |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01113708A (ja) * | 1987-10-27 | 1989-05-02 | Mitsubishi Electric Corp | 光合分波モジュール |
| US4815079A (en) * | 1987-12-17 | 1989-03-21 | Polaroid Corporation | Optical fiber lasers and amplifiers |
| GB8821140D0 (en) * | 1988-09-09 | 1988-10-12 | British Telecomm | Laser systems |
| GB2239983A (en) * | 1989-12-22 | 1991-07-17 | Univ Southampton | Optical fibre laser |
| US5317576A (en) * | 1989-12-26 | 1994-05-31 | United Technologies Corporation | Continously tunable single-mode rare-earth doped pumped laser arrangement |
| GB2239733A (en) * | 1990-01-03 | 1991-07-10 | British Telecomm | A laser oscillator |
| US5121460A (en) * | 1991-01-31 | 1992-06-09 | The Charles Stark Draper Lab., Inc. | High-power mode-selective optical fiber laser |
| US5299210A (en) * | 1992-04-28 | 1994-03-29 | Rutgers University | Four-level multiply doped rare earth laser system |
| US5319652A (en) * | 1993-01-29 | 1994-06-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Super luminescent light source |
| WO1995010869A1 (en) * | 1993-10-13 | 1995-04-20 | Italtel Societa' Italiana Telecomunicazioni S.P.A. | A diode pumped, cw operating, single-mode optical fiber laser emitting at 976 nm |
| US5461692A (en) * | 1993-11-30 | 1995-10-24 | Amoco Corporation | Multimode optical fiber coupling apparatus and method of transmitting laser radiation using same |
| US5473622A (en) * | 1994-12-29 | 1995-12-05 | At&T Corp. | Cladding-pumped MOPA structure |
-
1995
- 1995-05-15 US US08/441,097 patent/US5530710A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-05-08 EP EP96303207A patent/EP0743722B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-08 DE DE69610455T patent/DE69610455T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-14 JP JP11857496A patent/JP3247292B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033536A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光増幅用光ファイバ |
| WO2010097872A1 (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-02 | 株式会社フジクラ | 光増幅用光ファイバおよびファイバレーザ |
| JP2015506109A (ja) * | 2011-12-19 | 2015-02-26 | アイピージー フォトニクス コーポレーション | ９８０ｎｍ高出力シングルモードファイバポンプレーザシステム |
| JP2020184565A (ja) * | 2019-05-07 | 2020-11-12 | 株式会社豊田中央研究所 | 光ファイバレーザ装置 |
| US11424589B2 (en) | 2019-05-07 | 2022-08-23 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Optical fiber laser device |
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