JPH08327797A - Apparatus for optical micromachining of teflon - Google Patents
Apparatus for optical micromachining of teflonInfo
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- JPH08327797A JPH08327797A JP13047995A JP13047995A JPH08327797A JP H08327797 A JPH08327797 A JP H08327797A JP 13047995 A JP13047995 A JP 13047995A JP 13047995 A JP13047995 A JP 13047995A JP H08327797 A JPH08327797 A JP H08327797A
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- mirror
- mask
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は，テフロン（ポリテトラ
フルオロエチレン）加工装置に関し，詳しくは，大面積
加工や３次元的加工が可能なテフロン加工装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a Teflon (polytetrafluoroethylene) processing apparatus, and more particularly to a Teflon processing apparatus capable of large area processing and three-dimensional processing.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来，テフロンにシンクロトロン放射光
（ＳＲ光）を照射すると，アブレーションが生じる。こ
のことを利用して，テフロンに様々なパターンを形成す
る方法が，本発明者らによって提案されている（特願平
６−３２７５４５号，以下，従来例１と呼ぶ，参照）。
従来例１に開示された方法は，テフロン前面に金属製マ
スクを配置し，マスクを透過したＳＲ光をテフロンに照
射して，テフロンに部分的なアブレーションを引き起こ
して，パターンを形成するというものである。尚，テフ
ロンのアブレーションに必要なエネルギーは，光子エネ
ルギーで約１ｋｅＶ以下である。2. Description of the Related Art Conventionally, when Teflon is irradiated with synchrotron radiation (SR light), ablation occurs. Utilizing this fact, a method for forming various patterns on Teflon has been proposed by the present inventors (Japanese Patent Application No. 6-327545, hereinafter referred to as Conventional Example 1).
In the method disclosed in Conventional Example 1, a metal mask is arranged in front of the Teflon, and SR light transmitted through the mask is irradiated to the Teflon to cause partial ablation of the Teflon to form a pattern. is there. The energy required for ablation of Teflon is about 1 keV or less in photon energy.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】シンクロトロンから放
射されるＳＲ光は，水平方向（シンクロトロンのリング
軌道を含む平面内）に広がりを持たない。例えば，ＳＲ
光の水平方向の幅が約３０ｍｍとなる位置での垂直方向
の幅は，約２〜５ｍｍである。このように，ＳＲ光は，
垂直方向の幅が極めて狭いため，従来のテフロン加工装
置では，大面積にわたって，テフロンを加工することが
できないという問題がある。The SR light emitted from the synchrotron does not spread in the horizontal direction (in the plane including the ring orbit of the synchrotron). For example, SR
The vertical width at the position where the horizontal width of the light is about 30 mm is about 2 to 5 mm. Thus, SR light is
Since the width in the vertical direction is extremely narrow, there is a problem that the conventional Teflon processing apparatus cannot process Teflon over a large area.
【０００４】また，ある点に対する入射角度を任意に選
択することができず，３次元的加工を行うことができな
いという問題がある。Further, there is a problem that the incident angle with respect to a certain point cannot be arbitrarily selected and three-dimensional processing cannot be performed.
【０００５】そこで，本発明の技術的課題は，大面積の
テフロン加工や，３次元的加工が可能なテフロン微細加
工装置を提供することにある。Therefore, a technical object of the present invention is to provide a Teflon fine processing apparatus capable of performing Teflon processing of a large area and three-dimensional processing.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明のテフロン微細加
工装置では，ミラーを経由した放射光によるアブレーシ
ョンにより，テフロン部材に微細加工を施すために，加
工対象物及びマスクをその相対位置を保ったまま，前記
加工対象物及び前記マスクを回動させる手段を備えたこ
とを特徴としている。In the Teflon microfabrication apparatus of the present invention, the Teflon member is microfabricated by ablation by synchrotron radiation through a mirror, so that the relative position of the object to be machined and the mask is maintained. As it is, it is characterized in that a means for rotating the object to be processed and the mask is provided.
【０００７】また，本発明の放射光によるテフロン微細
加工装置において，前記放射光ビームを走査する手段
と，加工対象物及びマスクを前記放射光ビームの走査と
同期させて回動する手段とを備えたことを特徴とする。The Teflon microfabrication apparatus using synchrotron radiation according to the present invention further comprises means for scanning the synchrotron radiation beam and means for rotating the workpiece and the mask in synchronization with the scanning of the synchrotron radiation beam. It is characterized by that.
【０００８】また，本発明による放射光によるテフロン
微細加工装置において，前記加工対象物及びマスクをそ
の相対位置を保ったまま，常に前記放射光ビームに対し
て垂直となるように構成されていることを特徴とする。In addition, in the Teflon microfabrication apparatus using synchrotron radiation according to the present invention, it is constructed such that the workpiece and the mask are always perpendicular to the synchrotron radiation beam while maintaining their relative positions. Is characterized by.
【０００９】さらに，本発明の放射光によるテフロン微
細加工装置において，前記放射光ビームの走査手段は，
前記加工対象物の表面で前記走査された放射光ビームが
等速になる振動パターンを有するように走査することを
特徴とする。Further, in the Teflon microfabrication apparatus using synchrotron radiation of the present invention, the scanning means for the synchrotron radiation beam comprises:
The surface of the object to be processed is scanned so that the scanned radiation beam has a vibration pattern in which the speed of the scanned radiation beam is constant.
【００１０】[0010]
【作用】本発明においては，加工対象物表面に斜めに放
射光ビームの照射を行うために，加工装置は回動手段に
より前記加工対象物とマスクの回転を行うようにした。
また，前記加工対象物及びマスクの回転で，前記加工対
象物とマスクの重ね合わせ精度に悪影響を及ぼす場合に
は，放射光ビームの方向が可変となるミラー回転を行
う。In the present invention, in order to irradiate the surface of the object to be processed with the radiation beam obliquely, the processing device rotates the object and the mask by the rotating means.
Further, when the rotation of the object to be processed and the mask adversely affects the overlay accuracy of the object to be processed and the mask, mirror rotation is performed so that the direction of the emitted light beam is variable.
【００１１】また，本発明においては，大面積照射中に
おいて，放射光ビームと加工対象物及びマスクを同期さ
せて走査することで，加工対象物に対する放射光入射角
度が常に垂直角度を保つようにしている。したがって，
放射光入射角度を常に垂直に保った加工が可能である。Further, in the present invention, during irradiation of a large area, the synchrotron radiation beam and the object to be processed and the mask are synchronously scanned so that the incident angle of the radiant light with respect to the object is always kept at a vertical angle. ing. Therefore,
Processing is possible with the synchrotron radiation angle always kept vertical.
【００１２】さらに，本発明において，大面積照射のた
め，放射光ビームを走査するので，加工対象物及びマス
クを移動しなくても良い。このように，放射光ビームの
走査範囲を大きくすることで，大面積（量産）加工が可
能であり，装置の製作上経済的である。Further, in the present invention, since the radiation beam is scanned for irradiation of a large area, it is not necessary to move the object to be processed and the mask. In this way, by enlarging the scanning range of the synchrotron radiation beam, large area (mass production) processing is possible, which is economical in manufacturing the device.
【００１３】[0013]
【実施例】以下，本発明の実施例について，図面を参照
して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１４】（実施例１）図１は本発明の実施例１によ
る放射光によるテフロン微細加工装置の構成を概略的に
示す図である。(Embodiment 1) FIG. 1 is a diagram schematically showing the structure of a Teflon microfabrication apparatus using synchrotron radiation according to Embodiment 1 of the present invention.
【００１５】図１を参照して，テフロン微細加工装置
は，ミラーの汚染を防ぐために，ミラーと加工対象物と
は，別々の真空容器内に配置されている。テフロン３次
元微細加工装置装置は，赤外線から軟Ｘ線までの放射光
を利用するために，真空容器内では，１０-8ｍｂａｒ以
下の超高真空を保っている。この装置には，放射光ビー
ム１を発生する放射光発生手段と組み合わされている。
放射光発生手段は，周知のシンクロトロン放射光発生装
置を用いるので，その説明は省略する。この放射光ビー
ム１の経路の途中には，その方向を変える平面反射ミラ
ー２が配置されている。その平面反射ミラー２を図示し
ないミラー回動手段によって回転することで，斜め壁の
３次元微細加工ができる。この壁の斜度αは，ミラー回
転角αである。ミラー回動手段は，図５に示す回転軸１
７，アクチュエータ１８，及び速度制御器１９もしくは
アクチュエータ２２，速度制御器２３と同様な構成を有
するので説明は省略する。Referring to FIG. 1, in the Teflon microfabrication apparatus, the mirror and the object to be processed are arranged in separate vacuum containers in order to prevent the mirror from being contaminated. Since the Teflon 3D microfabrication equipment uses radiation from infrared rays to soft X-rays, an ultrahigh vacuum of 10 -8 mbar or less is maintained in the vacuum container. This device is combined with a radiation generating means for generating a radiation beam 1.
A known synchrotron radiation light generation device is used as the radiation light generation means, and a description thereof will be omitted. A plane reflection mirror 2 that changes the direction of the emitted light beam 1 is disposed in the middle of the path. By rotating the plane reflecting mirror 2 by a mirror rotating means (not shown), three-dimensional fine processing of an oblique wall can be performed. The slope α of this wall is the mirror rotation angle α. The mirror rotating means is the rotating shaft 1 shown in FIG.
The actuator 7, the actuator 18, and the speed controller 19 or the actuator 22, the speed controller 23 have the same configurations, and thus the description thereof will be omitted.
【００１６】本発明の実施例１における放射光によるテ
フロンの微細加工には，軟Ｘ線までの光を利用した。軟
Ｘ線の反射率は，斜入射角を大きくすると小さくなるの
で，加工内壁の斜度αを大きくすることができない。例
えば，Ｐｔミラーでは，加工斜度αは１０度以下であ
る。したがって，加工斜度が１０度以上の加工には，加
工対象物５及びマスク３の回転を行うようにする。加工
内壁の斜度は，前記加工対象物５及びマスク３の回転角
βである。Light up to soft X-rays was used for fine processing of Teflon by synchrotron radiation in Example 1 of the present invention. Since the soft X-ray reflectivity decreases as the oblique incident angle increases, the inclination α of the inner wall for processing cannot be increased. For example, in a Pt mirror, the processing inclination α is 10 degrees or less. Therefore, the object 5 to be processed and the mask 3 are rotated when the processing inclination is 10 degrees or more. The inclination of the processing inner wall is the rotation angle β of the processing target 5 and the mask 3.
【００１７】以上，説明したように，本発明の実施例１
によれば，テフロンを３次元微細加工することができ
る。As described above, the first embodiment of the present invention
According to the method, Teflon can be three-dimensionally microfabricated.
【００１８】（実施例２）図２は本発明の実施例２によ
る放射光による大面積又は量産化に適したテフロン微細
加工装置の説明に供せられる図である。図２を参照し
て，テフロン加工用の放射光ビーム１，平面反射ミラー
２，及びマスク３と加工対象物５の相対位置関係につい
て説明する。マスク３と加工対象物５の表面との間に，
０．３−０．５ｍｍの間隙ができるようにマスク３を配
置している。テフロン微細加工装置はミラー２と加工対
象物５とは別々の真空容器内に配置されている。(Embodiment 2) FIG. 2 is a diagram provided for explaining a Teflon fine processing apparatus suitable for large area or mass production by synchrotron radiation according to Embodiment 2 of the present invention. With reference to FIG. 2, the relative positional relationship between the radiation light beam for Teflon processing 1, the plane reflection mirror 2, and the mask 3 and the processing object 5 will be described. Between the mask 3 and the surface of the workpiece 5,
The mask 3 is arranged so that a gap of 0.3 to 0.5 mm is formed. In the Teflon microfabrication device, the mirror 2 and the workpiece 5 are arranged in separate vacuum containers.
【００１９】この真空容器も真空紫外線から紫外線まで
の放射光を利用するために，１０-8ｍｂａｒ以下の超高
真空を保っている。図示しない放射光発生手段から発生
した放射光ビーム１の幅は，横方向に３０ｍｍである。
その装置には，放射光ビーム１を走査する平面反射ミラ
ー２がある。平面反射ミラー２には実施例１と同様に，
図示しないミラー回動手段が設けられている。また，マ
スク３，加工対象物５も，平面反射ミラー２のミラー回
動手段と同様構成の加工対象物回動手段でその相対位置
を保った状態で回動可能にされている。この他，平面ミ
ラーの回動手段と加工対象物５の回動手段には，それぞ
れ回動角度を検出するセンサーが設けられ，図示しない
制御装置がこれらのセンサから信号を用いて，平面反射
ミラーの回動角度と加工対象物５の回動するように制御
する。すなわち，微細加工中に，加工対象物５に対する
放射光入射角度を垂直角度を保つために，加工対象物５
の回動角度が平面反射ミラー２の回転角度と同じになる
ように，ミラー回動手段及び加工対象物回動手段が同期
駆動される。このように，放射光ビーム１と加工対象物
５を同期駆動することで，加工対象物５表面で大面積加
工が可能となる。また，加工対象物５の表面で走査され
た放射光ビームが等速になるように振動パターンを制御
することによって，加工対象物でのユニフォーミティー
を均一にすることが可能となる。This vacuum container also maintains an ultra-high vacuum of 10 -8 mbar or less in order to use the radiation from vacuum ultraviolet rays to ultraviolet rays. The width of the radiation light beam 1 generated from the radiation light generation means (not shown) is 30 mm in the lateral direction.
The device has a plane reflecting mirror 2 which scans a beam of emitted light 1. Similar to the first embodiment, the plane reflection mirror 2 has
A mirror rotating means (not shown) is provided. Further, the mask 3 and the workpiece 5 are also rotatable by the workpiece rotating means having the same structure as the mirror rotating means of the plane reflection mirror 2 while maintaining their relative positions. In addition, the rotating means of the plane mirror and the rotating means of the workpiece 5 are each provided with a sensor for detecting a rotation angle, and a control device (not shown) uses signals from these sensors to generate a plane reflection mirror. The rotation angle and the object 5 are controlled to rotate. That is, in order to keep the incident angle of the radiant light on the processing object 5 at a vertical angle during the fine processing,
The mirror rotating means and the workpiece rotating means are driven synchronously so that the rotating angle of the mirror is the same as the rotating angle of the plane reflection mirror 2. As described above, by synchronously driving the synchrotron radiation beam 1 and the object 5 to be processed, it is possible to process a large area on the surface of the object 5 to be processed. Further, by controlling the vibration pattern so that the radiant light beam scanned on the surface of the processing object 5 has a uniform speed, it is possible to make the uniformity of the processing object uniform.
【００２０】例えば，３０×３０ｍｍ2 の大面積加工を
するためには，縦方向の加工長さＳは３０ｍｍ必要であ
る。縦方向の加工長さＳと，ミラー走査角度αとミラー
２から加工対象物５までの距離Ｌには，Ｓ＝Ｌｓｉｎα
なる関係がある。ミラー走査角度αが小さい場合，ミラ
ー２から加工対象物５までの距離Ｌを長くとることが必
要である。放射光ビーム１によるテフロン微細加工に
は，軟Ｘ線までの光を利用した。軟Ｘ線の反射率は斜入
射角が大きくなると小さくなるので，ミラー走査角度α
を大きくすることができない。例えば，Ｐｔミラーで
は，走査角度は１０度以下であることが望ましい。さら
に，微細加工の垂直度を保つために，ミラー走査角度α
を大きくすることもできない。例えば，α＝３度，Ｓ＝
３０ｍｍの時，ミラー２から加工対象物５まで，Ｌ＝５
７３ｍｍの距離が必要である。加工対象物５の表面で等
速ｖになるように振動パターンを持った放射光ビームを
走査する場合には，ミラー走査の角度α，及びミラー走
査角速度α´の関係（α´＝ｖ／（ｃｏｓα・Ｌ））を
用いればよい。縦方向の移動速度を５×１０-2ｍｍ／ｓ
ｅｃとする場合，ミラー走査の角速度α´をα´＝８．
７×１０-5／ｃｏｓα［／ｓｅｃ］とすれば良い。For example, in order to process a large area of 30 × 30 mm 2 , the processing length S in the vertical direction needs to be 30 mm. For the processing length S in the vertical direction, the mirror scanning angle α, and the distance L from the mirror 2 to the processing object 5, S = Lsinα
There is a relationship. When the mirror scanning angle α is small, it is necessary to increase the distance L from the mirror 2 to the workpiece 5. Light up to soft X-rays was used for the Teflon microfabrication by the synchrotron radiation beam 1. Since the reflectance of soft X-rays decreases as the oblique incidence angle increases, the mirror scanning angle α
Cannot be increased. For example, with a Pt mirror, it is desirable that the scanning angle be 10 degrees or less. Furthermore, in order to maintain the verticality of fine processing, the mirror scanning angle α
Can not be increased. For example, α = 3 degrees, S =
At 30 mm, from mirror 2 to workpiece 5, L = 5
A distance of 73 mm is required. When scanning a radiation beam having a vibration pattern so that the surface of the workpiece 5 has a constant velocity v, the relationship between the mirror scanning angle α and the mirror scanning angular velocity α ′ (α ′ = v / ( cos α · L)) may be used. Longitudinal movement speed is 5 × 10 -2 mm / s
ec, the angular velocity α ′ of the mirror scanning is α ′ = 8.
It may be 7 × 10 −5 / cos α [/ sec].
【００２１】以上説明したように，本発明の実施例２に
係る放射光によるテフロン微細加工装置を用いること
で，テフロン微細部品の加工内壁垂直度，即ち加工度に
対して常に垂直状態を保った量産加工が可能となる。As described above, by using the Teflon microfabrication apparatus by the synchrotron radiation according to the second embodiment of the present invention, the machining inner wall perpendicularity of the Teflon microparts, that is, the vertical state is always maintained with respect to the machining degree. Mass production processing is possible.
【００２２】（実施例３）図３は本発明の実施例３に係
る放射光によるテフロン微細加工装置の説明に供せられ
る図である。図３を参照して，テフロン加工用の放射光
ビーム１，平面反射ミラー２，及びマスク３，加工対象
物５の相対位置関係について説明する。マスク３と加工
対象物５の表面との間に０．３〜０．５ｍｍの間隙がで
きるように，マスク３を配置している。テフロン微細加
工装置は，同一の真空容器内に配置されている。この真
空容器は，真空紫外線から紫外線までの放射光ビームを
利用するために，１０-8ｍｂａｒ以下の超高真空を保っ
ている。実施例１及び実施例２と同様の放射光発生手段
から発生した放射光ビーム１の幅は，横方向に３０ｍｍ
である。その装置には，放射光ビーム１を走査する平面
反射ミラー２がある。この平面反射ミラー２は，実施例
１及び２と同様の図示しないミラー回動手段によって駆
動される。(Embodiment 3) FIG. 3 is a diagram which is used for explaining a Teflon microfabrication apparatus using synchrotron radiation according to Embodiment 3 of the present invention. With reference to FIG. 3, the relative positional relationship among the radiation light beam for Teflon processing 1, the plane reflection mirror 2, the mask 3, and the processing target 5 will be described. The mask 3 is arranged so that a gap of 0.3 to 0.5 mm is formed between the mask 3 and the surface of the processing object 5. The Teflon microfabrication equipment is placed in the same vacuum container. This vacuum container maintains an ultra-high vacuum of 10 -8 mbar or less in order to use a radiation beam from vacuum ultraviolet rays to ultraviolet rays. The width of the synchrotron radiation beam 1 generated from the same synchrotron radiation generating means as in the first and second embodiments is 30 mm in the lateral direction.
Is. The device has a plane reflecting mirror 2 which scans a beam of emitted light 1. The plane reflecting mirror 2 is driven by a mirror rotating means (not shown) similar to the first and second embodiments.
【００２３】また，加工対象物５は，図示しない加工対
象物駆動手段によって，鉛直方向に往復移動を含む振動
をするが，この加工対象物駆動手段は，従来例１に示さ
れたリニアモータ等からなるアクチュエータ及び速度制
御器と同様な構成を有する。Further, the workpiece 5 vibrates including reciprocating movement in the vertical direction by the workpiece driving means (not shown), and the workpiece driving means is the linear motor or the like shown in the prior art 1. The actuator and the speed controller have the same structure.
【００２４】平面反射ミラー２の走査によって，加工対
象物５の表面で大面積微細加工を実施することができ
る。例えば，３０×３０ｍｍ2 の大面積加工をする場
合，縦方向の加工長さＲは，ミラー走査角度αとミラー
２から加工対象物５までの距離Ｌとの間にＲ＝Ｌｔａｎ
αなる関係がある。ミラー走査角度αが小さい場合，ミ
ラー２から加工対象物５までの距離Ｌを長くとることが
必要である。放射光ビーム１によるテフロン微細加工に
は，軟Ｘ線までの光を利用した。軟Ｘ線の反射率は斜入
射角が大きくなると小さくなるので，ミラー走査角度α
は大きくすることができない。例えば，Ｐｔミラーで
は，走査角度は１０度以下が望ましい。さらに，微細加
工の垂直度を保つために，ミラー走査角度αを大きくす
ることもできない。例えば，α＝３度，Ｓ＝３０ｍｍの
時，ミラー２から加工対象物５までの距離Ｌ＝５７２ｍ
ｍが必要である。加工対象物表面での放射光ビーム１の
ユニフォーミティを均一にするためには，加工対象物５
表面上を等速に放射光ビーム１を走査させる必要があ
る。加工対象物表面で，等速度ｖになる振動パターンを
持つように，放射光ビーム１を走査するためには，ミラ
ー走査の角速度α´とミラー走査角度αの関係（α´＝
（ｖ／Ｌ）・ｃｏｓ2 α）を用いる。縦方向の移動速度
ｖとして５×１０-2ｍｍ／ｓｅｃを必要とする場合に
は，ミラー走査角速度α´をα´＝８．７×１０-5×ｃ
ｏｓ2 α）［／ｓｅｃ］にすれば良い。By scanning the plane reflection mirror 2, it is possible to carry out large-area micromachining on the surface of the workpiece 5. For example, when machining a large area of 30 × 30 mm 2 , the machining length R in the vertical direction is R = Ltan between the mirror scanning angle α and the distance L from the mirror 2 to the workpiece 5.
There is a relationship of α. When the mirror scanning angle α is small, it is necessary to increase the distance L from the mirror 2 to the workpiece 5. Light up to soft X-rays was used for the Teflon microfabrication by the synchrotron radiation beam 1. Since the reflectance of soft X-rays decreases as the oblique incidence angle increases, the mirror scanning angle α
Cannot grow. For example, with a Pt mirror, the scanning angle is preferably 10 degrees or less. Further, the mirror scanning angle α cannot be increased in order to maintain the verticality of fine processing. For example, when α = 3 degrees and S = 30 mm, the distance L from the mirror 2 to the workpiece 5 is L = 572 m.
m is required. In order to make the uniformity of the synchrotron radiation beam 1 on the surface of the work piece 5 uniform,
It is necessary to scan the surface with the radiation beam 1 at a constant velocity. In order to scan the synchrotron radiation beam 1 so as to have a vibration pattern with a constant velocity v on the surface of the workpiece, the relationship between the angular velocity α ′ of the mirror scanning and the mirror scanning angle α (α ′ =
(V / L) · cos 2 α) is used. When 5 × 10 −2 mm / sec is required as the vertical moving velocity v, the mirror scanning angular velocity α ′ is α ′ = 8.7 × 10 −5 × c
os 2 α) [/ sec].
【００２５】以上，説明したように，本発明の実施例３
による放射光によるテフロン微細加工装置を用いること
で，テフロン微細部品を量産加工することができる。As described above, the third embodiment of the present invention
By using a Teflon microfabrication device using synchrotron radiation, it is possible to mass-produce Teflon microparts.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上，説明したように，本発明によれ
ば，テフロンを３次元的に微細加工することができる放
射光によるテフロン微細加工装置を提供することができ
る。As described above, according to the present invention, it is possible to provide a synchrotron radiation Teflon microfabrication device capable of microfabricating Teflon three-dimensionally.
【００２７】また，本発明によれば，テフロン微細部品
の量産化加工が可能である。さらに，加工内壁垂直度を
保った加工が可能となる放射光によるテフロン微細加工
装置を提供することができる。Further, according to the present invention, mass production of Teflon fine parts is possible. Further, it is possible to provide a Teflon microfabrication device using synchrotron radiation that enables machining while maintaining the verticality of the machining inner wall.
【図１】本発明の実施例による放射光によるテフロン微
細加工装置の構成を概略的に示す図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a Teflon microfabrication apparatus using synchrotron radiation according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例２による放射光によるテフロン
微細加工装置の説明に供せられる図である。FIG. 2 is a diagram which is provided for explaining a Teflon fine processing apparatus using synchrotron radiation according to a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例３によるテフロン微細加工装置
の説明に供せられる図である。FIG. 3 is a diagram which is used for explaining a Teflon fine processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
１ 放射光ビーム ２ 平面反射ミラー ３ マスク ５ 加工対象物 α ミラー回転角（ミラーの走査角度） β 加工対象物及びマスクの回転角 Ｓ 縦方向の加工長さ Ｌ ミラーからマスクを含む加工対象物までの距離 Ｒ 縦方向の加工長さ 1 synchrotron radiation beam 2 plane reflection mirror 3 mask 5 object to be processed α mirror rotation angle (mirror scanning angle) β processing object and mask rotation angle S vertical processing length L from mirror to object to be processed Distance R Machining length in vertical direction
Claims (4)
ションにより，テフロン部材に微細加工を施すために，
加工対象物及びマスクをその相対位置を保ったまま，前
記加工対象物及び前記マスクを回動させる手段を備えた
ことを特徴とする放射光によるテフロン微細加工装置。1. A Teflon member is finely processed by ablation by synchrotron radiation passing through a mirror,
A Teflon microfabrication device using synchrotron radiation, comprising means for rotating the object to be processed and the mask while maintaining the relative positions of the object to be processed and the mask.
細加工装置において，前記放射光ビームを走査する手段
と，加工対象物及びマスクを前記放射光ビームの走査と
同期させて回動する手段とを備えたことを特徴とする放
射光によるテフロン微細加工装置。2. A Teflon microfabrication apparatus using synchrotron radiation according to claim 1, comprising means for scanning the synchrotron radiation beam, and means for rotating a workpiece and a mask in synchronization with the scanning of the synchrotron radiation beam. A Teflon microfabrication device using synchrotron radiation, which is characterized by comprising:
細加工装置において，前記加工対象物及びマスクをその
相対位置を保ったまま，常に前記放射光ビームに対して
垂直となるように構成したことを特徴とする放射光によ
るテフロン微細加工装置。3. The Teflon microfabrication apparatus according to claim 2, wherein the object to be processed and the mask are kept perpendicular to each other while keeping their relative positions. Teflon microfabrication equipment using synchrotron radiation.
細加工装置において，前記放射光ビームの走査手段は，
前記加工対象物の表面で前記走査された放射光ビームが
等速になる振動パターンを有するように走査することを
特徴とする放射光によるテフロン微細加工装置。4. The Teflon microfabrication apparatus using synchrotron radiation according to claim 3, wherein the synchrotron radiation beam scanning means comprises:
A Teflon microfabrication apparatus using synchrotron radiation, wherein the surface of the workpiece is scanned so that the scanned synchrotron radiation beam has a vibration pattern having a uniform velocity.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13047995A JPH08327797A (en) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | Apparatus for optical micromachining of teflon |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP13047995A JPH08327797A (en) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | Apparatus for optical micromachining of teflon |
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| JPH08327797A true JPH08327797A (en) | 1996-12-13 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13047995A Pending JPH08327797A (en) | 1995-05-29 | 1995-05-29 | Apparatus for optical micromachining of teflon |
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| JP (1) | JPH08327797A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103172880A (en) * | 2013-04-03 | 2013-06-26 | 太仓金凯特种线缆有限公司 | Method for preparing PTFE (Polytetrafluoroethylene) superfine powder by gamma ray |
| CN103183834A (en) * | 2013-04-03 | 2013-07-03 | 太仓金凯特种线缆有限公司 | Method for preparing PTFE (polytetrafluoroethylene) ultrafine powder by combining gamma rays, hydrogen peroxide and carbon tetrachloride |
| CN103183835A (en) * | 2013-04-03 | 2013-07-03 | 太仓金凯特种线缆有限公司 | Method for preparing PTFE (polytetrafluoroethylene) ultrafine powder by combining gamma rays, ozone and hydrogen peroxide |
| CN103193997A (en) * | 2013-04-03 | 2013-07-10 | 太仓金凯特种线缆有限公司 | Method for preparing PTFE (Polytetrafluoroethylene) ultrafine powder in manner of combining ultraviolet rays with ozone and carbon tetrachloride |
-
1995
- 1995-05-29 JP JP13047995A patent/JPH08327797A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103172880A (en) * | 2013-04-03 | 2013-06-26 | 太仓金凯特种线缆有限公司 | Method for preparing PTFE (Polytetrafluoroethylene) superfine powder by gamma ray |
| CN103183834A (en) * | 2013-04-03 | 2013-07-03 | 太仓金凯特种线缆有限公司 | Method for preparing PTFE (polytetrafluoroethylene) ultrafine powder by combining gamma rays, hydrogen peroxide and carbon tetrachloride |
| CN103183835A (en) * | 2013-04-03 | 2013-07-03 | 太仓金凯特种线缆有限公司 | Method for preparing PTFE (polytetrafluoroethylene) ultrafine powder by combining gamma rays, ozone and hydrogen peroxide |
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