JPH0832165B2 - 直流電源装置 - Google Patents
直流電源装置Info
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- JPH0832165B2 JPH0832165B2 JP3059442A JP5944291A JPH0832165B2 JP H0832165 B2 JPH0832165 B2 JP H0832165B2 JP 3059442 A JP3059442 A JP 3059442A JP 5944291 A JP5944291 A JP 5944291A JP H0832165 B2 JPH0832165 B2 JP H0832165B2
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- semiconductor switch
- current
- semiconductor
- resonance
- switch
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は直流電力を出力する直流
電源装置に関するものである。
電源装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】不安定な直流電源電圧を安定な直流電圧
に調整する、あるいは電圧レベルを変化させる、又は直
流電源から絶縁した直流電圧を取り出すためにチョッパ
やCD−CDコンバータが使われる。これらのチョッパ
やCD−CDコンバータは内蔵している半導体スイッチ
をオン,オフ動作させて電力変換の機能を果たすもので
あるが、実際の半導体スイッチでは、オンとオフの間の
状態遷移にかなりの時間を要するためスイッチング損を
生じる。この半導体スイッチのスイッチング損を図8の
パルス幅制御(以下PWMという)するチョッパを例に
とって説明する。
に調整する、あるいは電圧レベルを変化させる、又は直
流電源から絶縁した直流電圧を取り出すためにチョッパ
やCD−CDコンバータが使われる。これらのチョッパ
やCD−CDコンバータは内蔵している半導体スイッチ
をオン,オフ動作させて電力変換の機能を果たすもので
あるが、実際の半導体スイッチでは、オンとオフの間の
状態遷移にかなりの時間を要するためスイッチング損を
生じる。この半導体スイッチのスイッチング損を図8の
パルス幅制御(以下PWMという)するチョッパを例に
とって説明する。
【0003】まず、回路の動作を説明する。半導体スイ
ッチQ1 はオン・オフ動作の繰り返しによって直流電源
1の電圧Eを断続してリアクタLd とコンデンサCd で
構成した平滑フィルタ2に与える。リアクタLd に流れ
る電流Id は連続であるから半導体スイッチQ1 がオフ
の状態にあるときの電流はダイオードD1 を通って流れ
る。負荷RL にはコンデンサCd の電圧が印加される。
負荷RL に与えられる電圧は直流電源電圧Eと半導体ス
イッチQ1 のオン状態にある時間とオフ状態にある時間
との関数で決まる。一般的にはPWM制御、すなわち一
定期間内のオン時間の比率を制御する。
ッチQ1 はオン・オフ動作の繰り返しによって直流電源
1の電圧Eを断続してリアクタLd とコンデンサCd で
構成した平滑フィルタ2に与える。リアクタLd に流れ
る電流Id は連続であるから半導体スイッチQ1 がオフ
の状態にあるときの電流はダイオードD1 を通って流れ
る。負荷RL にはコンデンサCd の電圧が印加される。
負荷RL に与えられる電圧は直流電源電圧Eと半導体ス
イッチQ1 のオン状態にある時間とオフ状態にある時間
との関数で決まる。一般的にはPWM制御、すなわち一
定期間内のオン時間の比率を制御する。
【0004】次に、半導体スイッチQ1 のスイッチング
損の発生メカニズムを説明する。図9は動作説明図であ
って、(a)はVQ 、(b)はIQ 、(c)はID1を示
す。図において、半導体スイッチQ1 がオンしていてリ
アクタLd の電流Id は、直流電源1から流れている電
流IQ に等しくなっている。ダイオードD1 には直流電
源電圧Eが印加され、電流はゼロになっている。時間t
1 において半導体スイッチQ1 をスイッチ・オフさせる
と、半導体スイッチQ1 にかかる電圧が徐々に増加し、
従って、ダイオードD1 の電圧も徐々に低下する。この
間、リアクタLd の電流Id は、半導体スイッチQ1 を
通って流れ続ける。時間t2 に達すると半導体スイッチ
Q1 にかかる電圧が直流電源電圧Eに等しくなり、従っ
て、ダイオードD1 に印加されていた電圧がゼロとな
り、それまで半導体スイッチQ1 から流れていた電流I
Q は、ID1となってダイオードD1 を通して流れ始め
る。このt1 からt2 までの期間が半導体スイッチQ1
がオンからオフに至る遷移期間であり、この間、半導体
スイッチQ1 には電流Id が流れ、電圧も印加された状
態にあり、電力損失を伴う。オフ時間が経過して時間t
3 において半導体スイッチQ1 を再度スイッチ・オンさ
せると半導体スイッチQ1 に流れる電流がゼロから次第
に増加する。この電流がダイオードD1 に流れている電
流ID1の大きさに達するまではダイオードD1 が通電し
ている。従って、平滑フィルタ2に加わる電圧はゼロレ
ベル(実際にはダイオードD1 の電圧ドロップ分の1ボ
ルト程度がかかっている)であり、半導体スイッチQ1
には直流電源電圧Eがかかっている。時間t4 で半導体
スイッチQ1 の電流がId に達するが、ダイオードD1
には順方向に電流が流れた直後には逆方向にも電流が流
れるという好ましくない特性があり、半導体スイッチQ
1 は、時間t4 以降も、共振リアクタLd に流れるId
を流すと、同時にダイオードD1 に逆方向に電流を流す
ことになり増加する一方である。ダイオードD1 が逆方
向特性を回復する時間t5 に至って、半導体スイッチQ
1 に流れる電流はId に等しくなる。また半導体スイッ
チQ1 にかかる電圧がゼロになる(実際には半導体スイ
ッチQ1 の電圧ドロップ分の1ボルト程度の電圧がかか
る)。この時間t3 からt5 までの期間が半導体スイッ
チQ1 がオフからオン状態に遷移する過程であり、半導
体スイッチQ1 には電圧Eがかかっている状態で電流が
流れるので電力損失を伴う。時間t5 以降は半導体スイ
ッチQ1 はオン状態にあり、平滑フィルタ2には直流電
源電圧Eが加えられる。また、ダイオードD1 には電流
は流れず、電圧Eが印加された状態にある。
損の発生メカニズムを説明する。図9は動作説明図であ
って、(a)はVQ 、(b)はIQ 、(c)はID1を示
す。図において、半導体スイッチQ1 がオンしていてリ
アクタLd の電流Id は、直流電源1から流れている電
流IQ に等しくなっている。ダイオードD1 には直流電
源電圧Eが印加され、電流はゼロになっている。時間t
1 において半導体スイッチQ1 をスイッチ・オフさせる
と、半導体スイッチQ1 にかかる電圧が徐々に増加し、
従って、ダイオードD1 の電圧も徐々に低下する。この
間、リアクタLd の電流Id は、半導体スイッチQ1 を
通って流れ続ける。時間t2 に達すると半導体スイッチ
Q1 にかかる電圧が直流電源電圧Eに等しくなり、従っ
て、ダイオードD1 に印加されていた電圧がゼロとな
り、それまで半導体スイッチQ1 から流れていた電流I
Q は、ID1となってダイオードD1 を通して流れ始め
る。このt1 からt2 までの期間が半導体スイッチQ1
がオンからオフに至る遷移期間であり、この間、半導体
スイッチQ1 には電流Id が流れ、電圧も印加された状
態にあり、電力損失を伴う。オフ時間が経過して時間t
3 において半導体スイッチQ1 を再度スイッチ・オンさ
せると半導体スイッチQ1 に流れる電流がゼロから次第
に増加する。この電流がダイオードD1 に流れている電
流ID1の大きさに達するまではダイオードD1 が通電し
ている。従って、平滑フィルタ2に加わる電圧はゼロレ
ベル(実際にはダイオードD1 の電圧ドロップ分の1ボ
ルト程度がかかっている)であり、半導体スイッチQ1
には直流電源電圧Eがかかっている。時間t4 で半導体
スイッチQ1 の電流がId に達するが、ダイオードD1
には順方向に電流が流れた直後には逆方向にも電流が流
れるという好ましくない特性があり、半導体スイッチQ
1 は、時間t4 以降も、共振リアクタLd に流れるId
を流すと、同時にダイオードD1 に逆方向に電流を流す
ことになり増加する一方である。ダイオードD1 が逆方
向特性を回復する時間t5 に至って、半導体スイッチQ
1 に流れる電流はId に等しくなる。また半導体スイッ
チQ1 にかかる電圧がゼロになる(実際には半導体スイ
ッチQ1 の電圧ドロップ分の1ボルト程度の電圧がかか
る)。この時間t3 からt5 までの期間が半導体スイッ
チQ1 がオフからオン状態に遷移する過程であり、半導
体スイッチQ1 には電圧Eがかかっている状態で電流が
流れるので電力損失を伴う。時間t5 以降は半導体スイ
ッチQ1 はオン状態にあり、平滑フィルタ2には直流電
源電圧Eが加えられる。また、ダイオードD1 には電流
は流れず、電圧Eが印加された状態にある。
【0005】以上説明したように、半導体スイッチQ1
にはオンとオフの間の移り変わりに電力損失を伴う。こ
れらを合わせて以下スイッチング損と言う。時間t2 に
おいて、半導体スイッチQ1 の電流IQ が急激に減少す
るので、この電流の変化率(dIQ /dt)と、半導体
スイッチの配線等にあるインダクタンスの積に対応した
スパイク電圧が発生して、これがスイッチング・オフし
た半導体スイッチQ1 に過電圧として印加される。この
スパイク電圧は半導体スイッチQ1 を破壊したり、故障
確率を高めてしまう。
にはオンとオフの間の移り変わりに電力損失を伴う。こ
れらを合わせて以下スイッチング損と言う。時間t2 に
おいて、半導体スイッチQ1 の電流IQ が急激に減少す
るので、この電流の変化率(dIQ /dt)と、半導体
スイッチの配線等にあるインダクタンスの積に対応した
スパイク電圧が発生して、これがスイッチング・オフし
た半導体スイッチQ1 に過電圧として印加される。この
スパイク電圧は半導体スイッチQ1 を破壊したり、故障
確率を高めてしまう。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の装置では半導体
スイッチQ1 のオン・オフの1サイクル毎にスイッチン
グ損があるために、高周波でスイッチングさせると半導
体スイッチQ1 の発熱量が大きくなる。これは大きな半
導体冷却系を必要として直流電源装置を大きくし、効率
も低下させる。また、半導体スイッチQ1 の発熱量を抑
えるとスイッチング周波数を高くすることができないの
で、平滑フィルタを大きくする必要があり装置が大きく
なり、また制御性がある程度犠牲になる。半導体スイッ
チQ1 にかかるスパイク電圧が過大になり、直流電源装
置の信頼性を低下させる。
スイッチQ1 のオン・オフの1サイクル毎にスイッチン
グ損があるために、高周波でスイッチングさせると半導
体スイッチQ1 の発熱量が大きくなる。これは大きな半
導体冷却系を必要として直流電源装置を大きくし、効率
も低下させる。また、半導体スイッチQ1 の発熱量を抑
えるとスイッチング周波数を高くすることができないの
で、平滑フィルタを大きくする必要があり装置が大きく
なり、また制御性がある程度犠牲になる。半導体スイッ
チQ1 にかかるスパイク電圧が過大になり、直流電源装
置の信頼性を低下させる。
【0007】本発明は、上記の欠点を改善するために提
案されたもので、その目的は、半導体スイッチQ1 がP
WMスイッチングの過渡状態において発生するスイッチ
ング損を抑制して、半導体冷却系の簡素化を可能とし、
許容スイッチング周波数の上限をより高くすることにあ
る。
案されたもので、その目的は、半導体スイッチQ1 がP
WMスイッチングの過渡状態において発生するスイッチ
ング損を抑制して、半導体冷却系の簡素化を可能とし、
許容スイッチング周波数の上限をより高くすることにあ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は直流電源に接続されている第1の半導体ス
イッチと、前記半導体の出力を受けた平滑フィルタと、
前記半導体スイッチと平滑フィルタの間に挿入された共
振スイッチと、前記平滑フィルタからの出力を負荷に給
電し、前記第1の半導体スイッチと共振スイッチに制御
信号を与える制御装置を備えた装置において、前記共振
スイッチは共振リアクタと、共振コンデンサ、第2の半
導体スイッチQrと逆並列に接続された共振ダイオード
Drと、直列接続された前記共振コンデンサと第2の半
導体スイッチの両端を接続するダイオードで構成され、
前記制御装置は所望の周波数のPWMスイッチング信号
を前記第1の半導体スイッチに与え、かつ前記両半導体
スイッチの動作を同期させることを特徴とする直流電源
装置を発明の要旨とする。
め、本発明は直流電源に接続されている第1の半導体ス
イッチと、前記半導体の出力を受けた平滑フィルタと、
前記半導体スイッチと平滑フィルタの間に挿入された共
振スイッチと、前記平滑フィルタからの出力を負荷に給
電し、前記第1の半導体スイッチと共振スイッチに制御
信号を与える制御装置を備えた装置において、前記共振
スイッチは共振リアクタと、共振コンデンサ、第2の半
導体スイッチQrと逆並列に接続された共振ダイオード
Drと、直列接続された前記共振コンデンサと第2の半
導体スイッチの両端を接続するダイオードで構成され、
前記制御装置は所望の周波数のPWMスイッチング信号
を前記第1の半導体スイッチに与え、かつ前記両半導体
スイッチの動作を同期させることを特徴とする直流電源
装置を発明の要旨とする。
【0009】
【作用】本発明は第1の半導体スイッチと平滑フィルタ
との間に共振リアクタを挿入することによって、第1の
半導体スイッチのスイッチング損を小さく抑えうる作用
を有する。
との間に共振リアクタを挿入することによって、第1の
半導体スイッチのスイッチング損を小さく抑えうる作用
を有する。
【0010】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。な
お、実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱
しない範囲で、種々の変更あるいは改良を行いうること
は言うまでもない。
お、実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱
しない範囲で、種々の変更あるいは改良を行いうること
は言うまでもない。
【0011】図1は本発明の第1の実施例を示す。図に
おいて、1は直流電源、Q1 は第1の半導体スイッチ、
2は平滑フィルタ、3は共振スイッチ、4は半導体スイ
ッチQ1 及びQr の制御装置、RLは負荷を示す。半導
体スイッチとしてはバイポーラ・トランジスタ(Bipola
r Transister),MOS・FET,サイリスタ,ゲート
・ターンオフ・サイリスタ(CTO),IGBT(Insu
lated Gate Bipolar Transister )等が使われるが、こ
こでは代表としてバイポーラ・トランジスタを使って説
明する。本発明は図8における従来のチョッパの例にス
イッチングの補助回路として共振スイッチ3を付加して
いる。共振スイッチ3は共振リアクタLr ,共振コンデ
ンサCr ,第2の半導体スイッチQr ,共振ダイオード
Dr からなる。制御装置4は半導体スイッチQ1 および
Qr のオンおよびオフを制御する制御信号を発生させ
る。
おいて、1は直流電源、Q1 は第1の半導体スイッチ、
2は平滑フィルタ、3は共振スイッチ、4は半導体スイ
ッチQ1 及びQr の制御装置、RLは負荷を示す。半導
体スイッチとしてはバイポーラ・トランジスタ(Bipola
r Transister),MOS・FET,サイリスタ,ゲート
・ターンオフ・サイリスタ(CTO),IGBT(Insu
lated Gate Bipolar Transister )等が使われるが、こ
こでは代表としてバイポーラ・トランジスタを使って説
明する。本発明は図8における従来のチョッパの例にス
イッチングの補助回路として共振スイッチ3を付加して
いる。共振スイッチ3は共振リアクタLr ,共振コンデ
ンサCr ,第2の半導体スイッチQr ,共振ダイオード
Dr からなる。制御装置4は半導体スイッチQ1 および
Qr のオンおよびオフを制御する制御信号を発生させ
る。
【0012】図2は図1の実施例を説明するための動作
波形を示したものである。図において、(a)はVQ ,
(b)はIQ ,(c)はIr ,(d)はIDr,(e)は
ID1,(f)はQ1 オン信号、(g)はQr オン信号を
示す。制御装置4からオン信号が与えられていて半導体
スイッチQ1 がオン状態にあるとする。電流IQ (Id
に等しい)が流れて直流電源1から平滑フィルタ2を介
して負荷RL に給電している。時間t01において共振ス
イッチ3の半導体スイッチQr を制御装置4からの信号
によってオンさせると、共振リアクタLr と共振コンデ
ンサCr に直流電源1から電流が流れ始める。この時の
電流Ir は共振リアクタLr と共振コンデンサCr の直
列共振電流であり、流れる方向は図示の矢印とは逆であ
る。半導体スイッチQ1 の電流は電流Id とIr の和で
あり、パルス状に増加する。共振コンデンサCr の共振
電流によって直流電源電圧Eより高いレベルにまで充電
される。時間t02で充電が終わり、次に、共振コンデン
サCr に蓄えられた電荷は共振ダイオードDr ,共振コ
ンデンサCr ,共振リアクタLr を通して放電が始ま
り、矢印の方向に電流Ir が流れる。リアクタLd の作
用でここに流れる電流Id は電流IQ とIr の和に等し
い大きさでほぼ一定であるから、電流Ir の増加に伴い
電流IQは減少する。時間t03で電流Ir がId に等し
くなると電流IQ はゼロになる。さらに放電が進み時間
t04で共振コンデンサCr の電荷がゼロになると共振ダ
イオードDr の電流はゼロになる。この時点では共振リ
アクタLr には大きな電流が流れているが、この電流I
r はダイオードDr からダイオードD1 に切り替わって
流れる。これによって共振リアクタLr の電流Ir の連
続性は保たれる。
波形を示したものである。図において、(a)はVQ ,
(b)はIQ ,(c)はIr ,(d)はIDr,(e)は
ID1,(f)はQ1 オン信号、(g)はQr オン信号を
示す。制御装置4からオン信号が与えられていて半導体
スイッチQ1 がオン状態にあるとする。電流IQ (Id
に等しい)が流れて直流電源1から平滑フィルタ2を介
して負荷RL に給電している。時間t01において共振ス
イッチ3の半導体スイッチQr を制御装置4からの信号
によってオンさせると、共振リアクタLr と共振コンデ
ンサCr に直流電源1から電流が流れ始める。この時の
電流Ir は共振リアクタLr と共振コンデンサCr の直
列共振電流であり、流れる方向は図示の矢印とは逆であ
る。半導体スイッチQ1 の電流は電流Id とIr の和で
あり、パルス状に増加する。共振コンデンサCr の共振
電流によって直流電源電圧Eより高いレベルにまで充電
される。時間t02で充電が終わり、次に、共振コンデン
サCr に蓄えられた電荷は共振ダイオードDr ,共振コ
ンデンサCr ,共振リアクタLr を通して放電が始ま
り、矢印の方向に電流Ir が流れる。リアクタLd の作
用でここに流れる電流Id は電流IQ とIr の和に等し
い大きさでほぼ一定であるから、電流Ir の増加に伴い
電流IQは減少する。時間t03で電流Ir がId に等し
くなると電流IQ はゼロになる。さらに放電が進み時間
t04で共振コンデンサCr の電荷がゼロになると共振ダ
イオードDr の電流はゼロになる。この時点では共振リ
アクタLr には大きな電流が流れているが、この電流I
r はダイオードDr からダイオードD1 に切り替わって
流れる。これによって共振リアクタLr の電流Ir の連
続性は保たれる。
【0013】時間t05において制御装置4からの信号で
半導体スイッチQ1 をオフさせると半導体スイッチQ1
にはほぼ直流電源電圧Eの大きさの電圧がかかる。半導
体スイッチQ1 の電流はすでに時間t03の時点でゼロに
なっているのでスイッチ・オフの過程ではスイッチング
損は生じない。一方、時間t01の時点で半導体スイッチ
Qr がオンするときには、共振リアクタLr の電流抑制
作用によって電流Ir は徐々に増加することになるの
で、スイッチング・オンの過渡状態では電流Ir はまだ
小さいレベルにある。このため半導体スイッチの電圧と
電流の積できまるスイッチング損は小さい。ダイオード
D1 が通電していて電流ID1が流れている期間に半導体
スイッチQr をオフさせると、すでに半導体スイッチQ
r の電流はゼロになっているからオフに伴うスイッチン
グ損は生じない。この時間t04とt05の時間差はゼロで
もよい。
半導体スイッチQ1 をオフさせると半導体スイッチQ1
にはほぼ直流電源電圧Eの大きさの電圧がかかる。半導
体スイッチQ1 の電流はすでに時間t03の時点でゼロに
なっているのでスイッチ・オフの過程ではスイッチング
損は生じない。一方、時間t01の時点で半導体スイッチ
Qr がオンするときには、共振リアクタLr の電流抑制
作用によって電流Ir は徐々に増加することになるの
で、スイッチング・オンの過渡状態では電流Ir はまだ
小さいレベルにある。このため半導体スイッチの電圧と
電流の積できまるスイッチング損は小さい。ダイオード
D1 が通電していて電流ID1が流れている期間に半導体
スイッチQr をオフさせると、すでに半導体スイッチQ
r の電流はゼロになっているからオフに伴うスイッチン
グ損は生じない。この時間t04とt05の時間差はゼロで
もよい。
【0014】時間t06に制御装置4から半導体スイッチ
Q1 にオン信号を与えこれをオンさせる。リアクタLd
にそれまで流れていた電流Id は共振ダイオードDr と
共振リアクタLr に流れていた電流Ir である。共振リ
アクタLr の作用で電流Ir は急激には減少できないの
で、半導体スイッチQ1 がオンしても電流IQ は急激に
は増加しない。スイッチングの過渡期間は大きな定数を
もつリアクタLd のため電流Id は一定であるとみなせ
る。電流Ir とIQ の和はId に等しく一定であるか
ら、IQ はIr の減少にみあって増加する。電流IQ の
レベルが小さいうちに半導体スイッチQ1 のオンの過渡
期間が終了するので半導体スイッチQ1 のスイッチング
損は小さい。電流Ir がゼロに達する時間t07以降はリ
アクタLd に流れる電流Id のすべてが半導体スイッチ
Q1 を通して流れる。これで半導体スイッチQ1 のオン
・オフの1サイクルが終わる。引き続いてこのオン・オ
フのサイクルを繰り返して直流電源1から負荷RL に制
御された電圧で電力が送られる。
Q1 にオン信号を与えこれをオンさせる。リアクタLd
にそれまで流れていた電流Id は共振ダイオードDr と
共振リアクタLr に流れていた電流Ir である。共振リ
アクタLr の作用で電流Ir は急激には減少できないの
で、半導体スイッチQ1 がオンしても電流IQ は急激に
は増加しない。スイッチングの過渡期間は大きな定数を
もつリアクタLd のため電流Id は一定であるとみなせ
る。電流Ir とIQ の和はId に等しく一定であるか
ら、IQ はIr の減少にみあって増加する。電流IQ の
レベルが小さいうちに半導体スイッチQ1 のオンの過渡
期間が終了するので半導体スイッチQ1 のスイッチング
損は小さい。電流Ir がゼロに達する時間t07以降はリ
アクタLd に流れる電流Id のすべてが半導体スイッチ
Q1 を通して流れる。これで半導体スイッチQ1 のオン
・オフの1サイクルが終わる。引き続いてこのオン・オ
フのサイクルを繰り返して直流電源1から負荷RL に制
御された電圧で電力が送られる。
【0015】以上説明したように、半導体スイッチQ1
はオン・スイッチングの際には流れる電流値が小さい間
にスイッチングを完了し、また、オフ・スイッチングは
流れる電流がゼロの状態で完了するのでスイッチング損
は僅かな値にしかならない。同様に、半導体スイッチQ
r のスイッチング損も小さい。
はオン・スイッチングの際には流れる電流値が小さい間
にスイッチングを完了し、また、オフ・スイッチングは
流れる電流がゼロの状態で完了するのでスイッチング損
は僅かな値にしかならない。同様に、半導体スイッチQ
r のスイッチング損も小さい。
【0016】図3は本発明の第2の実施例を示す。図に
おいて、1は直流電源、2は平滑フィルタ、3は共振ス
イッチ、4は制御装置、5はDC−DCコンバータを示
す。図4は図3を説明するための動作図である。(a)
はQ1 のオン信号、(b)はQ11,Q14のオン信号、
(c)はQ12,Q13のオン信号、(d)はvT 、(e)
はvO を示す。
おいて、1は直流電源、2は平滑フィルタ、3は共振ス
イッチ、4は制御装置、5はDC−DCコンバータを示
す。図4は図3を説明するための動作図である。(a)
はQ1 のオン信号、(b)はQ11,Q14のオン信号、
(c)はQ12,Q13のオン信号、(d)はvT 、(e)
はvO を示す。
【0017】この実施例では、図1の第1の実施例にお
ける半導体スイッチQ1 に代わってDC−DCコンバー
タ5を使っている。半導体スイッチQ11,Q12,Q13,
Q14は直流電源1の電圧を交流電圧に変換するブリッジ
・インバータを構成している。トランスTはブリッジ・
インバータで変換した交流電圧を直流電源1とは絶縁し
た、また、変圧した交流電圧vT を出力する。この交流
電圧vT はダイオードD11,D12,D13,D14で構成し
たブリッジ・整流器で整流され直流電圧vO を出力す
る。
ける半導体スイッチQ1 に代わってDC−DCコンバー
タ5を使っている。半導体スイッチQ11,Q12,Q13,
Q14は直流電源1の電圧を交流電圧に変換するブリッジ
・インバータを構成している。トランスTはブリッジ・
インバータで変換した交流電圧を直流電源1とは絶縁し
た、また、変圧した交流電圧vT を出力する。この交流
電圧vT はダイオードD11,D12,D13,D14で構成し
たブリッジ・整流器で整流され直流電圧vO を出力す
る。
【0018】図4で対比して示したように、図1の半導
体スイッチQ1 のオン信号は図3では2組の半導体スイ
ッチに交互に振り分けられている。共振スイッチ3の動
作は2組の半導体スイッチQ11,Q14およびQ12,Q13
のそれぞれのスイッチング・オフの際に機能させる。図
3の実施例でも共振スイッチ3の効果は図1の場合と同
様で、半導体スイッチQ11〜Q14のスイッチング損を極
めて小さい値に抑えることができる。
体スイッチQ1 のオン信号は図3では2組の半導体スイ
ッチに交互に振り分けられている。共振スイッチ3の動
作は2組の半導体スイッチQ11,Q14およびQ12,Q13
のそれぞれのスイッチング・オフの際に機能させる。図
3の実施例でも共振スイッチ3の効果は図1の場合と同
様で、半導体スイッチQ11〜Q14のスイッチング損を極
めて小さい値に抑えることができる。
【0019】図1,図3の実施例で説明したように、半
導体スイッチQ1 およびQ11〜Q14は大きな電流値を瞬
時にスイッチングすることがないので、電流の変化分
(dIQ /dt)と配線等のインダクタンスとの積で決
まるスパイク電圧は小さなレベルにとどまり、その結果
として、半導体スイッチにかかる電圧ストレスが小さく
なり、制御装置のノイズによる誤動作も発生しにくくな
る。また、直流電源装置から外部に出ていくノイズも少
なくなる。
導体スイッチQ1 およびQ11〜Q14は大きな電流値を瞬
時にスイッチングすることがないので、電流の変化分
(dIQ /dt)と配線等のインダクタンスとの積で決
まるスパイク電圧は小さなレベルにとどまり、その結果
として、半導体スイッチにかかる電圧ストレスが小さく
なり、制御装置のノイズによる誤動作も発生しにくくな
る。また、直流電源装置から外部に出ていくノイズも少
なくなる。
【0020】なお、DC−DCコンバータの半導体スイ
ッチQ11〜Q14がすべてオフしている期間において、平
滑フィルタのリアクタLd に流れる電流Id のパスは、
ダイオードD1 と共振リアクタLr の直列回路である
が、回路接続からはDC−DCコンバータ5の整流ダイ
オードD11〜D14も電流のパスになるように見えるがこ
こには実際には流れない。ダイオードには電流が流れる
と1〜1.5ボルトの電圧ドロップが生じるため、ダイ
オードが2本直列に接続されている整流回路に電流が流
れると2〜3ボルトの電圧ドロップになるのに対して、
ダイオードD1 と共振リアクタLr のパスは1〜1.5
ボルトであるため、電流Id は実質的には電圧ドロップ
の小さいダイオードD1 と共振リアクタLr のパスが流
れる。
ッチQ11〜Q14がすべてオフしている期間において、平
滑フィルタのリアクタLd に流れる電流Id のパスは、
ダイオードD1 と共振リアクタLr の直列回路である
が、回路接続からはDC−DCコンバータ5の整流ダイ
オードD11〜D14も電流のパスになるように見えるがこ
こには実際には流れない。ダイオードには電流が流れる
と1〜1.5ボルトの電圧ドロップが生じるため、ダイ
オードが2本直列に接続されている整流回路に電流が流
れると2〜3ボルトの電圧ドロップになるのに対して、
ダイオードD1 と共振リアクタLr のパスは1〜1.5
ボルトであるため、電流Id は実質的には電圧ドロップ
の小さいダイオードD1 と共振リアクタLr のパスが流
れる。
【0021】図5に本発明に適用する制御装置4の構成
例を示す。図6はその動作を説明するための波形例を示
す。図6において、(a)はコンパレータ入力、(b)
はコンパレータ出力、(c)はフリップフロップd1 の
出力、(d)はフリップフロップd2 の出力、(e)は
単安定マルチの出力、(f)はORの出力、(g)はA
ND1の出力、(h)はAND2の出力を示す。Aは直
流電源装置の出力電圧で、これは平滑フィルタ2のコン
デンサCd の電圧に対応する。Aと基準の直流電圧とを
誤差増幅器に入力し、その出力aを得る。三角波発生器
はチョッパあるいはDC−DCコンバータをスイッチン
グ動作させる周波数の三角電圧波形bを出力する。コン
パレータはその入力のaとbを比較してaがbよりレベ
ルが高い期間にPWM信号cを出力する。単安定マルチ
バイブレータはPWM信号cがゼロレベルになる時点か
ら、あらかじめ定めた時間までの幅を持つパルス信号e
を出力する。一方、フリップフロップはPWM信号cが
ゼロから立ち上がる時点に同期した2つの信号d1 およ
びd2 を交互に出力する。OR回路はPWM信号cとパ
ルス信号eの和をとって信号fを出力する。AND1は
信号d1 とfとの積をとって信号g1 を出力する。同様
にAND2の出力として信号g2 を得る。
例を示す。図6はその動作を説明するための波形例を示
す。図6において、(a)はコンパレータ入力、(b)
はコンパレータ出力、(c)はフリップフロップd1 の
出力、(d)はフリップフロップd2 の出力、(e)は
単安定マルチの出力、(f)はORの出力、(g)はA
ND1の出力、(h)はAND2の出力を示す。Aは直
流電源装置の出力電圧で、これは平滑フィルタ2のコン
デンサCd の電圧に対応する。Aと基準の直流電圧とを
誤差増幅器に入力し、その出力aを得る。三角波発生器
はチョッパあるいはDC−DCコンバータをスイッチン
グ動作させる周波数の三角電圧波形bを出力する。コン
パレータはその入力のaとbを比較してaがbよりレベ
ルが高い期間にPWM信号cを出力する。単安定マルチ
バイブレータはPWM信号cがゼロレベルになる時点か
ら、あらかじめ定めた時間までの幅を持つパルス信号e
を出力する。一方、フリップフロップはPWM信号cが
ゼロから立ち上がる時点に同期した2つの信号d1 およ
びd2 を交互に出力する。OR回路はPWM信号cとパ
ルス信号eの和をとって信号fを出力する。AND1は
信号d1 とfとの積をとって信号g1 を出力する。同様
にAND2の出力として信号g2 を得る。
【0022】図1のチョッパを動作させるには信号fお
よびeをそれぞれ半導体スイッチQ1 およびQr に与え
る。図3のDC−DCコンバータを動作させるには半導
体スイッチ対であるQ11,Q14に信号g1 を与え、
Q12,Q13には信号g2 を与える。また、半導体スイッ
チQr には信号fを与える。
よびeをそれぞれ半導体スイッチQ1 およびQr に与え
る。図3のDC−DCコンバータを動作させるには半導
体スイッチ対であるQ11,Q14に信号g1 を与え、
Q12,Q13には信号g2 を与える。また、半導体スイッ
チQr には信号fを与える。
【0023】なお、共振スイッチとしては、上記の実施
例において示したものの他に、図7(a),(b),
(c)に示すものも使用することができる。
例において示したものの他に、図7(a),(b),
(c)に示すものも使用することができる。
【0024】
【発明の効果】叙上のように本発明によれば、制御性が
よく安定性に優れ、小容量から大容量までの幅広い用途
にわたって実績のあるPWM制御直流電源装置に本発明
を適用すると、半導体スイッチのスイッチング損失低減
に効果があり、結果として装置の効率向上、小形化(半
導体の冷却系の小形化)、低コスト化が図れる。また、
共振形コンバータの備える電流のソフトスイッチング化
に伴う効用も合わせ持つことから、電磁ノイズの発生も
抑制される効果を有するものである。
よく安定性に優れ、小容量から大容量までの幅広い用途
にわたって実績のあるPWM制御直流電源装置に本発明
を適用すると、半導体スイッチのスイッチング損失低減
に効果があり、結果として装置の効率向上、小形化(半
導体の冷却系の小形化)、低コスト化が図れる。また、
共振形コンバータの備える電流のソフトスイッチング化
に伴う効用も合わせ持つことから、電磁ノイズの発生も
抑制される効果を有するものである。
【図1】本発明の直流電源装置の第1の実施例を示す。
【図2】(a),(b),(c),(d),(e),
(f),(g)は第1の実施例の動作を説明するための
図である。
(f),(g)は第1の実施例の動作を説明するための
図である。
【図3】本発明の第2の実施例を示す。
【図4】(a),(b),(c),(d),(e)は第
2の実施例の動作を説明するための図である。
2の実施例の動作を説明するための図である。
【図5】制御装置の一例を示す。
【図6】(a),(b),(c),(d),(e),
(f),(g),(h)は制御装置の動作説明図を示
す。
(f),(g),(h)は制御装置の動作説明図を示
す。
【図7】(a),(b),(c)は共振スイッチの他の
実施例を示す。
実施例を示す。
【図8】従来装置を示す。
【図9】(a),(b),(c)は従来装置の動作説明
図である。
図である。
1 直流電源 2 平滑フィルタ 3 共振スイッチ 4 制御装置 5 DC−DCコンバータ
Claims (2)
- 【請求項1】 直流電源に接続されている第1の半導体
スイッチと、前記半導体の出力を受けた平滑フィルタ
と、前記半導体スイッチと平滑フィルタの間に挿入され
た共振スイッチと、前記平滑フィルタからの出力を負荷
に給電し、前記第1の半導体スイッチと共振スイッチに
制御信号を与える制御装置を備えた装置において、前記
共振スイッチは共振リアクタと、共振コンデンサ、第2
の半導体スイッチQrと逆並列に接続された共振ダイオ
ードDrと、直列接続された前記共振コンデンサと第2
の半導体スイッチの両端を接続するダイオードで構成さ
れ、前記制御装置は所望の周波数のPWMスイッチング
信号を前記第1の半導体スイッチに与え、かつ前記両半
導体スイッチの動作を同期させることを特徴とする直流
電源装置。 - 【請求項2】 第1の半導体スイッチは、半導体素子で
構成したインバータ、このインバータの交流電圧を変圧
するトランス、このトランスの2次側巻線からの交流電
圧出力を整流するダイオードをもって構成したことを特
徴とする請求項1記載の直流電源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3059442A JPH0832165B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 直流電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3059442A JPH0832165B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 直流電源装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04275060A JPH04275060A (ja) | 1992-09-30 |
JPH0832165B2 true JPH0832165B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=13113408
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3059442A Expired - Lifetime JPH0832165B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 直流電源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0832165B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5548569B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2014-07-16 | 株式会社日立製作所 | 直流電源装置 |
JP6467524B2 (ja) * | 2015-11-25 | 2019-02-13 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置および鉄道車両 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01248957A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-04 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 共振型電力変換器 |
-
1991
- 1991-03-01 JP JP3059442A patent/JPH0832165B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04275060A (ja) | 1992-09-30 |
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