JPH08320376A - 複数アンテナを接続するための多重化システム - Google Patents
複数アンテナを接続するための多重化システムInfo
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- JPH08320376A JPH08320376A JP7341546A JP34154695A JPH08320376A JP H08320376 A JPH08320376 A JP H08320376A JP 7341546 A JP7341546 A JP 7341546A JP 34154695 A JP34154695 A JP 34154695A JP H08320376 A JPH08320376 A JP H08320376A
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- H01Q3/00—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system
- H01Q3/24—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the orientation by switching energy from one active radiating element to another, e.g. for beam switching
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チャネルを切り換えるためにＭＯＳ・ＦＥＴ
スイッチを用いる場合に生ずる寄生ダイオードに関連す
る欠点を解決する。 【解決手段】 直列接続されたコンデンサを介してパワ
ーＭＯＳ・ＦＥＴをアンテナに接続する。ディスエーブ
ルされたチャネルでは、直列接続されたコンデンサは、
イネーブルされたチャネルのアンテナ共振器回路の正の
ピーク直流電圧まで寄生ダイオードを介して充電され
る。アンテナ共振回路の電圧が最大になると、ディスエ
ーブルされたチャネルのコンデンサも最大電圧に充電さ
れ、したがって、このコンデンサの充電電圧をイネーブ
ルされたチャネルのアンテナ共振電圧から差し引いた値
は負電圧になることはなく、ＭＯＳ・ＦＥＴのドレーン
は正電圧に保たれる。また、ＭＯＳ・ＦＥＴスイッチの
基本的機能からして、ディスエーブル状態のＭＯＳ・Ｆ
ＥＴは正の電圧になることもない。
スイッチを用いる場合に生ずる寄生ダイオードに関連す
る欠点を解決する。 【解決手段】 直列接続されたコンデンサを介してパワ
ーＭＯＳ・ＦＥＴをアンテナに接続する。ディスエーブ
ルされたチャネルでは、直列接続されたコンデンサは、
イネーブルされたチャネルのアンテナ共振器回路の正の
ピーク直流電圧まで寄生ダイオードを介して充電され
る。アンテナ共振回路の電圧が最大になると、ディスエ
ーブルされたチャネルのコンデンサも最大電圧に充電さ
れ、したがって、このコンデンサの充電電圧をイネーブ
ルされたチャネルのアンテナ共振電圧から差し引いた値
は負電圧になることはなく、ＭＯＳ・ＦＥＴのドレーン
は正電圧に保たれる。また、ＭＯＳ・ＦＥＴスイッチの
基本的機能からして、ディスエーブル状態のＭＯＳ・Ｆ
ＥＴは正の電圧になることもない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、一般的には、ト
ランシーバ装置のマルチプルアンテナ適応性（ｃａｐａ
ｂｉｌｉｔｙ）に関する。
ランシーバ装置のマルチプルアンテナ適応性（ｃａｐａ
ｂｉｌｉｔｙ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】標準的な無線周波数識別（ＲＦ−ＩＤ）
システムにおいては、問合せアンテナ（これは「送信ア
ンテナ」とよばれることもある）が、所定期間継続する
パワーバースト信号を送信して、フィールド内の受動ト
ランスポンダを始動させて応答するようにする。トラン
スポンダが問合せ信号から完全に充電されると、質問機
側でパワーバースト信号は止められ、トランスポンダは
質問機に応答電報を送信する。応答電報は、識別情報お
よび／またはセンサその他のデータを通常含んでおり、
質問機ユニットの受信アンテナで受信される。所与のト
ランシーバシステムの運用には一つの問合せアンテナと
一つの受信アンテナのみが必要とは限らず、実際的に
は、更に複雑なトランシーバシステムの最適運用のため
に複数の受信アンテナと複数の問合せアンテナとが必要
なことがしばしばある。
システムにおいては、問合せアンテナ（これは「送信ア
ンテナ」とよばれることもある）が、所定期間継続する
パワーバースト信号を送信して、フィールド内の受動ト
ランスポンダを始動させて応答するようにする。トラン
スポンダが問合せ信号から完全に充電されると、質問機
側でパワーバースト信号は止められ、トランスポンダは
質問機に応答電報を送信する。応答電報は、識別情報お
よび／またはセンサその他のデータを通常含んでおり、
質問機ユニットの受信アンテナで受信される。所与のト
ランシーバシステムの運用には一つの問合せアンテナと
一つの受信アンテナのみが必要とは限らず、実際的に
は、更に複雑なトランシーバシステムの最適運用のため
に複数の受信アンテナと複数の問合せアンテナとが必要
なことがしばしばある。
【０００３】単一のＲＦモジュールに複数のアンテナを
接続することに関連した問題が、これらのアンテナをこ
のＲＦモジュールすなわち質問機ユニットに多重接続す
るために用いられる特有な方法では存在する。複数のア
ンテナをＲＦモジュールに接続するためには、スイッチ
が通常用いられる。パワーＭＯＳ・ＦＥＴの低電力損失
と高信頼性により、パワーＭＯＳ・ＦＥＴがスイッチと
して通常選択される。しかし、パワーＭＯＳ・ＦＥＴに
は、非導電時にＦＥＴのドレーンピンとソースピンとの
間に寄生的な逆並列ダイオードが存在するという欠点が
ある。この逆並列ダイオードはパワーＭＯＳ・ＦＥＴの
生産時に自動的に生成され、それ自体はＭＯＳ・ＦＥＴ
のシリコン基板内にＰ−Ｎ接合障壁として現れる。この
有害なダイオード特性は、ダイオードの両端に印加され
る電圧に基づくダイオードの導電および非導電特性であ
って、例えばＭＯＳ・ＦＥＴが非導電時に、ダイオード
はＭＯＳ・ＦＥＴの導電を増加させる。
接続することに関連した問題が、これらのアンテナをこ
のＲＦモジュールすなわち質問機ユニットに多重接続す
るために用いられる特有な方法では存在する。複数のア
ンテナをＲＦモジュールに接続するためには、スイッチ
が通常用いられる。パワーＭＯＳ・ＦＥＴの低電力損失
と高信頼性により、パワーＭＯＳ・ＦＥＴがスイッチと
して通常選択される。しかし、パワーＭＯＳ・ＦＥＴに
は、非導電時にＦＥＴのドレーンピンとソースピンとの
間に寄生的な逆並列ダイオードが存在するという欠点が
ある。この逆並列ダイオードはパワーＭＯＳ・ＦＥＴの
生産時に自動的に生成され、それ自体はＭＯＳ・ＦＥＴ
のシリコン基板内にＰ−Ｎ接合障壁として現れる。この
有害なダイオード特性は、ダイオードの両端に印加され
る電圧に基づくダイオードの導電および非導電特性であ
って、例えばＭＯＳ・ＦＥＴが非導電時に、ダイオード
はＭＯＳ・ＦＥＴの導電を増加させる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】非導電時のパワーＭＯ
Ｓ・ＦＥＴに現れるダイオード作用に対処するために現
在採用されている解決方法は、ＭＯＳ・ＦＥＴのドレー
ンピンとソースピンとの間に逆直列ＭＯＳ・ＦＥＴを接
続する方法である。ＭＯＳ・ＦＥＴの逆直列接続は図１
に示すように、２つのＭＯＳ・ＦＥＴが直列に接続され
るが、。第２のＭＯＳ・ＦＥＴは逆向きに接続されて
（逆直列）、ＭＯＳ・ＦＥＴピンの順序はドレーン１−
ソース１−ソース２−ドレーン２のようになっている。
図１の実施例は、同一出願人による１９９５年４月２８
日出願の米国特許出願第０８／４３１，２４９号に開示
されているものである。ＭＯＳ・ＦＥＴの逆直列接続は
寄生ダイオードの逆並列接続を形成するとともに、それ
によって常に寄生ダイオードのカソードはＭＯＳ・ＦＥ
Ｔのドレーンピンに現れ、また寄生ダイオードのアノー
ドはＭＯＳ・ＦＥＴのソースピンにあるようにし、その
結果一度に１つの寄生ダイオードだけが導電状態にある
ようにする。しかしながら、ＭＯＳ・ＦＥＴを逆直列に
接続する場合には、図１に示すように、パワーＭＯＳ・
ＦＥＴのゲートピンを接地基準にとらず浮かせた状態で
動作させるように駆動回路を用いなければならないとい
う付加的な必要条件が生ずる。フローティング駆動回路
は高価であるから、このようにするとマルチプレクサお
よびトランシーバシステムの経費は格段に増加する。フ
ローティング駆動回路は、接地基準をとらないので、高
価であって一般的には使用されない。フローティング駆
動回路は、信号を接地基準に対して照合できないから、
チャネル毎に駆動回路からディジタル制御信号を直流電
気的に（ｇａｌｖａｎｉｃａｌｌｙ）分離するために
は、変成器を使用しなければならない。変成器は高電圧
に耐え得るものでなければならないから、駆動回路はな
お一層高価になる。結論として、寄生ダイオード問題を
解決するために用いられる付加的ＭＯＳ・ＦＥＴは、経
費を高騰させ、実現可能性を困難にする。
Ｓ・ＦＥＴに現れるダイオード作用に対処するために現
在採用されている解決方法は、ＭＯＳ・ＦＥＴのドレー
ンピンとソースピンとの間に逆直列ＭＯＳ・ＦＥＴを接
続する方法である。ＭＯＳ・ＦＥＴの逆直列接続は図１
に示すように、２つのＭＯＳ・ＦＥＴが直列に接続され
るが、。第２のＭＯＳ・ＦＥＴは逆向きに接続されて
（逆直列）、ＭＯＳ・ＦＥＴピンの順序はドレーン１−
ソース１−ソース２−ドレーン２のようになっている。
図１の実施例は、同一出願人による１９９５年４月２８
日出願の米国特許出願第０８／４３１，２４９号に開示
されているものである。ＭＯＳ・ＦＥＴの逆直列接続は
寄生ダイオードの逆並列接続を形成するとともに、それ
によって常に寄生ダイオードのカソードはＭＯＳ・ＦＥ
Ｔのドレーンピンに現れ、また寄生ダイオードのアノー
ドはＭＯＳ・ＦＥＴのソースピンにあるようにし、その
結果一度に１つの寄生ダイオードだけが導電状態にある
ようにする。しかしながら、ＭＯＳ・ＦＥＴを逆直列に
接続する場合には、図１に示すように、パワーＭＯＳ・
ＦＥＴのゲートピンを接地基準にとらず浮かせた状態で
動作させるように駆動回路を用いなければならないとい
う付加的な必要条件が生ずる。フローティング駆動回路
は高価であるから、このようにするとマルチプレクサお
よびトランシーバシステムの経費は格段に増加する。フ
ローティング駆動回路は、接地基準をとらないので、高
価であって一般的には使用されない。フローティング駆
動回路は、信号を接地基準に対して照合できないから、
チャネル毎に駆動回路からディジタル制御信号を直流電
気的に（ｇａｌｖａｎｉｃａｌｌｙ）分離するために
は、変成器を使用しなければならない。変成器は高電圧
に耐え得るものでなければならないから、駆動回路はな
お一層高価になる。結論として、寄生ダイオード問題を
解決するために用いられる付加的ＭＯＳ・ＦＥＴは、経
費を高騰させ、実現可能性を困難にする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の好ましい実施例
は、直列接続されたコンデンサを介してパワーＭＯＳ・
ＦＥＴアンテナに接続することによって、寄生ダイオー
ドの欠点を解消するものである。これによって、ディス
エーブルされたチャネルでは、直列接続されたコンデン
サが寄生ダイオードを介してイネーブルされたチャネル
のアンテナ共振器回路の正のピーク直流電圧まで充電さ
れる。ディスエーブルされたチャネルのコンデンサは、
別の送信チャネルが選択されてその別のチャネルのアン
テナ共振器がアンテナ共振電圧を大きくする間に、寄生
ダイオードを介して充電される。アンテナ共振器の電圧
が最大になると、ディスエーブルされたチャネルのコン
デンサも最大電圧に充電され、したがって、イネーブル
されたチャネルのアンテナ共振電圧からディスエーブル
されたチャネルのコンデンサの充電電圧を差し引いた値
が零より小さくなることは決してない。結論として、Ｍ
ＯＳ・ＦＥＴのドレーンは正の電圧に保たれ、また寄生
ダイオードが導電状態になるには負の電圧が必要である
から、寄生電圧は導電を抑止し、コンデンサが前述の正
の電圧に充電されるまでの間は導電状態にならない。し
たがって、ＦＥＴが負の電圧になることが抑止できる。
は、直列接続されたコンデンサを介してパワーＭＯＳ・
ＦＥＴアンテナに接続することによって、寄生ダイオー
ドの欠点を解消するものである。これによって、ディス
エーブルされたチャネルでは、直列接続されたコンデン
サが寄生ダイオードを介してイネーブルされたチャネル
のアンテナ共振器回路の正のピーク直流電圧まで充電さ
れる。ディスエーブルされたチャネルのコンデンサは、
別の送信チャネルが選択されてその別のチャネルのアン
テナ共振器がアンテナ共振電圧を大きくする間に、寄生
ダイオードを介して充電される。アンテナ共振器の電圧
が最大になると、ディスエーブルされたチャネルのコン
デンサも最大電圧に充電され、したがって、イネーブル
されたチャネルのアンテナ共振電圧からディスエーブル
されたチャネルのコンデンサの充電電圧を差し引いた値
が零より小さくなることは決してない。結論として、Ｍ
ＯＳ・ＦＥＴのドレーンは正の電圧に保たれ、また寄生
ダイオードが導電状態になるには負の電圧が必要である
から、寄生電圧は導電を抑止し、コンデンサが前述の正
の電圧に充電されるまでの間は導電状態にならない。し
たがって、ＦＥＴが負の電圧になることが抑止できる。
【０００６】また、ＭＯＳ・ＦＥＴスイッチの基本的機
能からして、ディスエーブル状態のＭＯＳ・ＦＥＴは正
の電圧になることもない。この場合には寄生ダイオード
は逆バイアスをかけられており、したがって導電状態に
なるには負の電圧を必要とするから、この状態では寄生
ダイオードは非導電である。
能からして、ディスエーブル状態のＭＯＳ・ＦＥＴは正
の電圧になることもない。この場合には寄生ダイオード
は逆バイアスをかけられており、したがって導電状態に
なるには負の電圧を必要とするから、この状態では寄生
ダイオードは非導電である。
【０００７】この発明の一つの利点は、寄生ダイオード
問題を解決するために従来必要とされた極めて多数の高
価な付加的構成品を少数の極めて廉価な構成品で置き換
えたことである。この構成の第２の利点は、新規の解決
方法の実施の容易性と簡易性である。
問題を解決するために従来必要とされた極めて多数の高
価な付加的構成品を少数の極めて廉価な構成品で置き換
えたことである。この構成の第２の利点は、新規の解決
方法の実施の容易性と簡易性である。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下では、添付の図面に示した実
施例を参照して本発明を詳細に説明する。本発明の好ま
しい実施例を図２に示す。図２は、本発明を説明するた
めに必要な無線周波数（ＲＦ）モジュールの送信／受信
（ＴX ／ＲX ）多重化部分を示す。多重化された２つの
チャネルを示してある。第１のチャネルはアンテナ１０
とコンデンサ１４とトランジスタ１８とを含んで構成さ
れる。第２のチャネルはアンテナ１２とコンデンサ１６
とトランジスタ２０とを含んで構成される。各々のチャ
ネルは論理回路２２の異なるポートに接続されている。
更に、両チャネルはいずれも送信器段の共振回路２４に
接続されている。
施例を参照して本発明を詳細に説明する。本発明の好ま
しい実施例を図２に示す。図２は、本発明を説明するた
めに必要な無線周波数（ＲＦ）モジュールの送信／受信
（ＴX ／ＲX ）多重化部分を示す。多重化された２つの
チャネルを示してある。第１のチャネルはアンテナ１０
とコンデンサ１４とトランジスタ１８とを含んで構成さ
れる。第２のチャネルはアンテナ１２とコンデンサ１６
とトランジスタ２０とを含んで構成される。各々のチャ
ネルは論理回路２２の異なるポートに接続されている。
更に、両チャネルはいずれも送信器段の共振回路２４に
接続されている。
【０００９】動作時において、ＲＦモジュールの送信機
がオンにスイッチされるとともに第１のチャネルが選択
すなわちイネーブルされていると仮定する。トランジス
タ１８は導電状態であり、トランジスタ２０はオフにス
イッチされている。すなわち、トランジスタ２０は非導
電状態である。トランジスタ２０は非導電状態である
が、トランジスタ２０のドレーンピンとソースピンとの
間には寄生ダイオードが存在して負電圧に対しては導電
状態にある。更に詳しく説明すると、ＲＦモジュールの
送信機がオンにスイッチされている時には、最初の正弦
波の正の半波はアンテナ共振器２４に結合する。寄生ダ
イオードは負電圧に対してのみ導電状態になるから、正
弦波の正の半波に関してはなんらの問題も存在しない。
したがって、正弦波の負の半波がアンテナ共振器２４に
結合することに関して問題が存在するのである。正弦波
の負の半波の期間には、トランジスタ２０は、トランジ
スタ２０のドレーンピンとソースピンとの間の寄生ダイ
オードを介して、導電状態にある。寄生ダイオード現象
によって、事実上、アンテナ共振器２４に並列に接続さ
れる２つのアンテナが存在できる。これが順に共振器２
４を離調（ｄｅｔｕｎｅ）し、トランスポンダを始動さ
せるためにアンテナ共振器２４に要求される高電圧発生
能力を抑制することになる。直列のコンデンサ１４，１
６が無い場合には、上述の結果がもたらされる。
がオンにスイッチされるとともに第１のチャネルが選択
すなわちイネーブルされていると仮定する。トランジス
タ１８は導電状態であり、トランジスタ２０はオフにス
イッチされている。すなわち、トランジスタ２０は非導
電状態である。トランジスタ２０は非導電状態である
が、トランジスタ２０のドレーンピンとソースピンとの
間には寄生ダイオードが存在して負電圧に対しては導電
状態にある。更に詳しく説明すると、ＲＦモジュールの
送信機がオンにスイッチされている時には、最初の正弦
波の正の半波はアンテナ共振器２４に結合する。寄生ダ
イオードは負電圧に対してのみ導電状態になるから、正
弦波の正の半波に関してはなんらの問題も存在しない。
したがって、正弦波の負の半波がアンテナ共振器２４に
結合することに関して問題が存在するのである。正弦波
の負の半波の期間には、トランジスタ２０は、トランジ
スタ２０のドレーンピンとソースピンとの間の寄生ダイ
オードを介して、導電状態にある。寄生ダイオード現象
によって、事実上、アンテナ共振器２４に並列に接続さ
れる２つのアンテナが存在できる。これが順に共振器２
４を離調（ｄｅｔｕｎｅ）し、トランスポンダを始動さ
せるためにアンテナ共振器２４に要求される高電圧発生
能力を抑制することになる。直列のコンデンサ１４，１
６が無い場合には、上述の結果がもたらされる。
【００１０】しかし、図２に示すように直列のコンデン
サ１４，１６が配設されると、第１のチャネルが選択さ
れてトランジスタ１８が導電状態にある間に、コンデン
サ１６はトランジスタ２０の寄生ダイオードを介してア
ンテナ共振器２４のピーク電圧にまで充電される。コン
デンサ１６に充電される電圧の極性は第２のアンテナ２
０の接地に対して正である（これはＭＯＳ・ＦＥＴのソ
ースピンとも同電位である）。したがって、アンテナ共
振器２４の電圧にコンデンサ１６に充電された正電圧を
加えた値によって、トランジスタ２０のソースピンは正
電位になり、それゆえ、トランジスタ２０は寄生ダイオ
ードを介して導電状態になることはない。
サ１４，１６が配設されると、第１のチャネルが選択さ
れてトランジスタ１８が導電状態にある間に、コンデン
サ１６はトランジスタ２０の寄生ダイオードを介してア
ンテナ共振器２４のピーク電圧にまで充電される。コン
デンサ１６に充電される電圧の極性は第２のアンテナ２
０の接地に対して正である（これはＭＯＳ・ＦＥＴのソ
ースピンとも同電位である）。したがって、アンテナ共
振器２４の電圧にコンデンサ１６に充電された正電圧を
加えた値によって、トランジスタ２０のソースピンは正
電位になり、それゆえ、トランジスタ２０は寄生ダイオ
ードを介して導電状態になることはない。
【００１１】上述の詳細な説明では、少数の実施例を示
したに過ぎない。本発明は上述の実施例とは異なる実施
態様であってもなお特許請求の範囲内に含むものである
と解釈すべきである。
したに過ぎない。本発明は上述の実施例とは異なる実施
態様であってもなお特許請求の範囲内に含むものである
と解釈すべきである。
【００１２】図示した実施例を参照して本発明を説明し
たが、この説明は限定する意味と解釈すべきではない。
上述の説明を参照すれば、図示の実施例に基づく様々な
変形および組合せのみならず、本発明の別の実施態様が
可能なことは当業界の技術者には明らかである。したが
って、本発明の特許請求の範囲はこの種のいかなる変形
あるいは実施態様も包含するものである。
たが、この説明は限定する意味と解釈すべきではない。
上述の説明を参照すれば、図示の実施例に基づく様々な
変形および組合せのみならず、本発明の別の実施態様が
可能なことは当業界の技術者には明らかである。したが
って、本発明の特許請求の範囲はこの種のいかなる変形
あるいは実施態様も包含するものである。
【００１３】以上の説明に関し、更に以下の項を開示す
る。 （１）２つ以上のアンテナを送信機／受信機に接続する
ための多重化システムであって、イネーブル／ディスエ
ーブル回路を介してアンテナ共振器を選択するための制
御回路と、前記制御回路を介して選択されたことと最大
共振器電圧に到達したことに基づいて、トラスポンダに
充電パルスを送信するための２つ以上のアンテナ共振器
と、 選択されたアンテナ共振器を前記最大共振器電圧
まで充電するための送信機と、前記アンテナ共振器に接
続され、前記制御回路を介してイネーブルにされたとき
に導通となり、前記制御回路を介してディスエーブルに
されたときに非導通となるスイッチング回路と、前記ス
イッチング回路の各々に対応した少なくとも１つの直列
接続されたコンデンサであって、ディスエーブルにされ
た前記対応するスイッチング回路に基づいて、実質的に
前記最大共振器電圧を蓄積するためのコンデンサと、を
含むことを特徴とする多重化システム。 （２）前記スイッチング回路がＭＯＳ・ＦＥＴ回路であ
る第１項記載の多重化システム。 （３）前記ＭＯＳ・ＦＥＴ回路はゲートを備え、更に前
記制御回路が前記ＭＯＳ・ＦＥＴ回路の前記ゲートにか
かる電圧を制御する第３項記載の多重化システム。 （４）前記の少なくとも１つの直列に接続されたコンデ
ンサは２つのコンデンサの並列結合である第１項記載の
システム。 （５）前記の少なくとも１つの直列に接続されたコンデ
ンサが、前記アンテナ共振器と前記スイッチング回路と
の間に接続される第１項記載の多重化システム。
る。 （１）２つ以上のアンテナを送信機／受信機に接続する
ための多重化システムであって、イネーブル／ディスエ
ーブル回路を介してアンテナ共振器を選択するための制
御回路と、前記制御回路を介して選択されたことと最大
共振器電圧に到達したことに基づいて、トラスポンダに
充電パルスを送信するための２つ以上のアンテナ共振器
と、 選択されたアンテナ共振器を前記最大共振器電圧
まで充電するための送信機と、前記アンテナ共振器に接
続され、前記制御回路を介してイネーブルにされたとき
に導通となり、前記制御回路を介してディスエーブルに
されたときに非導通となるスイッチング回路と、前記ス
イッチング回路の各々に対応した少なくとも１つの直列
接続されたコンデンサであって、ディスエーブルにされ
た前記対応するスイッチング回路に基づいて、実質的に
前記最大共振器電圧を蓄積するためのコンデンサと、を
含むことを特徴とする多重化システム。 （２）前記スイッチング回路がＭＯＳ・ＦＥＴ回路であ
る第１項記載の多重化システム。 （３）前記ＭＯＳ・ＦＥＴ回路はゲートを備え、更に前
記制御回路が前記ＭＯＳ・ＦＥＴ回路の前記ゲートにか
かる電圧を制御する第３項記載の多重化システム。 （４）前記の少なくとも１つの直列に接続されたコンデ
ンサは２つのコンデンサの並列結合である第１項記載の
システム。 （５）前記の少なくとも１つの直列に接続されたコンデ
ンサが、前記アンテナ共振器と前記スイッチング回路と
の間に接続される第１項記載の多重化システム。
【００１４】（６）チャネルを切り換えるためにＭＯＳ
・ＦＥＴスイッチを用いる場合に生ずる寄生ダイオード
に関連する欠点を解決する新規の多重化システムが開示
される。本発明の好ましい実施例は、直列接続されたコ
ンデンサを介してパワーＭＯＳ・ＦＥＴをアンテナに接
続することによって実現される。このようにして、ディ
スエーブルされたチャネルでは、直列に接続されたコン
デンサは、イネーブルされたチャネルのアンテナ共振器
回路の正のピーク直流電圧まで寄生ダイオードを介して
充電される。ディスエーブルされたチャネルのコンデン
サは、別の送信チャネルが選択されてその別のチャネル
のアンテナ共振器回路がアンテナ共振電圧を大きくする
間に、寄生ダイオードを介して充電される。アンテナ共
振器回路の電圧が最大になると、ディスエーブルされた
チャネルのコンデンサも最大電圧に充電され、したがっ
て、イネーブルされたチャネルのアンテナ共振電圧から
ディスエーブルされたチャネルのコンデンサの充電電圧
を差し引いた値は零より小さくなることは決してない。
結論として、ＦＥＴのドレーンは正の電圧に保たれ、ま
た寄生ダイオードが導電状態になるには負の電圧が必要
であるから寄生電圧は導電を抑止し、コンデンサが前述
の正の電圧に充電されるまでの間は導電状態にならな
い。したがって、ＭＯＳ・ＦＥＴが負の電圧になること
が抑止できる。また、ＭＯＳ・ＦＥＴスイッチの基本的
機能からして、ディスエーブル状態のＭＯＳ・ＦＥＴは
正の電圧になることもない。この場合にはダイオードは
逆バイアスをかけられており、したがって導電状態にな
るには負の電圧を必要とするから、この状態では寄生ダ
イオードは非導電である。
・ＦＥＴスイッチを用いる場合に生ずる寄生ダイオード
に関連する欠点を解決する新規の多重化システムが開示
される。本発明の好ましい実施例は、直列接続されたコ
ンデンサを介してパワーＭＯＳ・ＦＥＴをアンテナに接
続することによって実現される。このようにして、ディ
スエーブルされたチャネルでは、直列に接続されたコン
デンサは、イネーブルされたチャネルのアンテナ共振器
回路の正のピーク直流電圧まで寄生ダイオードを介して
充電される。ディスエーブルされたチャネルのコンデン
サは、別の送信チャネルが選択されてその別のチャネル
のアンテナ共振器回路がアンテナ共振電圧を大きくする
間に、寄生ダイオードを介して充電される。アンテナ共
振器回路の電圧が最大になると、ディスエーブルされた
チャネルのコンデンサも最大電圧に充電され、したがっ
て、イネーブルされたチャネルのアンテナ共振電圧から
ディスエーブルされたチャネルのコンデンサの充電電圧
を差し引いた値は零より小さくなることは決してない。
結論として、ＦＥＴのドレーンは正の電圧に保たれ、ま
た寄生ダイオードが導電状態になるには負の電圧が必要
であるから寄生電圧は導電を抑止し、コンデンサが前述
の正の電圧に充電されるまでの間は導電状態にならな
い。したがって、ＭＯＳ・ＦＥＴが負の電圧になること
が抑止できる。また、ＭＯＳ・ＦＥＴスイッチの基本的
機能からして、ディスエーブル状態のＭＯＳ・ＦＥＴは
正の電圧になることもない。この場合にはダイオードは
逆バイアスをかけられており、したがって導電状態にな
るには負の電圧を必要とするから、この状態では寄生ダ
イオードは非導電である。
【図１】フローティングゲート駆動回路の特性を示す関
連技術の多重化構造の概要を示す回路図である。
連技術の多重化構造の概要を示す回路図である。
【図２】本発明の好ましい実施例による多重化構造の概
要を示す回路図である。
要を示す回路図である。
１０，１２ アンテナ １４，１６ コンデンサ １８，２０ トランジスタ ２２ 論理回路 ２４ 共振回路
Claims (1)
- 【請求項１】 ２つ以上のアンテナを送信機／受信機に
接続するための多重化システムであって、 イネーブル／ディスエーブル回路を介してアンテナ共振
器を選択するための制御回路と、 前記制御回路を介して選択されたことと最大共振器電圧
に到達したことに基づいて、トランスポンダに充電パル
スを送信するための２つ以上のアンテナ共振器と、 選択されたアンテナ共振器を前記最大共振器電圧まで充
電するための送信機と、 前記アンテナ共振器に接続され、前記制御回路を介して
イネーブルにされたときに導通となり、前記制御回路を
介してディスエーブルにされたときに非導通となるスイ
ッチング回路と、 前記スイッチング回路の各々に対応した少なくとも１つ
の直列接続されたコンデンサであって、ディスエーブル
にされた前記対応するスイッチング回路に基づいて、実
質的に前記最大共振器電圧を蓄積するためのコンデンサ
と、を含むことを特徴とする多重化システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US36564494A | 1994-12-29 | 1994-12-29 | |
| US365644 | 1994-12-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08320376A true JPH08320376A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=23439726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7341546A Pending JPH08320376A (ja) | 1994-12-29 | 1995-12-27 | 複数アンテナを接続するための多重化システム |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0724308A3 (ja) |
| JP (1) | JPH08320376A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729236A (en) * | 1995-04-28 | 1998-03-17 | Texas Instruments Incorporated | Identification system reader with multiplexed antennas |
| DE102004058613A1 (de) * | 2004-12-04 | 2006-06-08 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Sendevorrichtung für mehrere zueinander parallele, unabhängig voneinander über je eine Zuleitung versorgbare Antenne |
| US9130602B2 (en) | 2006-01-18 | 2015-09-08 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for delivering energy to an electrical or electronic device via a wireless link |
| US8447234B2 (en) | 2006-01-18 | 2013-05-21 | Qualcomm Incorporated | Method and system for powering an electronic device via a wireless link |
| US9774086B2 (en) | 2007-03-02 | 2017-09-26 | Qualcomm Incorporated | Wireless power apparatus and methods |
| US9124120B2 (en) | 2007-06-11 | 2015-09-01 | Qualcomm Incorporated | Wireless power system and proximity effects |
| US9601267B2 (en) | 2013-07-03 | 2017-03-21 | Qualcomm Incorporated | Wireless power transmitter with a plurality of magnetic oscillators |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE3788348T2 (de) * | 1987-07-31 | 1994-03-17 | Texas Instruments Deutschland | Transponder-Anordnung. |
| US4987392A (en) * | 1988-10-17 | 1991-01-22 | Motorola, Inc. | Gallium arsenide antenna switch |
| NL9100110A (nl) * | 1991-01-23 | 1992-08-17 | Texas Instruments Holland | Ondervraagstation voor identificatiedoeleinden met afzonderlijke zend- en ontvangantennes. |
| JPH077464A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-01-10 | Saakit Design:Kk | ダイバーシティー受信機 |
| JPH077449A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-01-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | アンテナ切り替えスイッチ |
| US5729236A (en) * | 1995-04-28 | 1998-03-17 | Texas Instruments Incorporated | Identification system reader with multiplexed antennas |
-
1995
- 1995-12-20 EP EP95120130A patent/EP0724308A3/en not_active Withdrawn
- 1995-12-27 JP JP7341546A patent/JPH08320376A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0724308A3 (en) | 1998-10-14 |
| EP0724308A2 (en) | 1996-07-31 |
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