JPH0831756A - 半導体製造装置の反応炉 - Google Patents
半導体製造装置の反応炉Info
- Publication number
- JPH0831756A JPH0831756A JP18185094A JP18185094A JPH0831756A JP H0831756 A JPH0831756 A JP H0831756A JP 18185094 A JP18185094 A JP 18185094A JP 18185094 A JP18185094 A JP 18185094A JP H0831756 A JPH0831756 A JP H0831756A
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- Japan
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- inlet flange
- reaction
- exhaust
- semiconductor manufacturing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体製造装置の反応炉に於いて、排気系での
清掃作業を効率よく行える様にする。 【構成】反応副生成物が付着する領域に臨む面に着脱可
能な覆壁面材１４，２２を設け、反応副生成物の除去清
掃は、覆壁面材を取出し、該覆壁面材に対して実施す
る。
清掃作業を効率よく行える様にする。 【構成】反応副生成物が付着する領域に臨む面に着脱可
能な覆壁面材１４，２２を設け、反応副生成物の除去清
掃は、覆壁面材を取出し、該覆壁面材に対して実施す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置の反応
炉、特に排気系等に付着した反応生成物の清掃を容易に
した半導体製造装置の反応炉に関するものである。
炉、特に排気系等に付着した反応生成物の清掃を容易に
した半導体製造装置の反応炉に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置の１つに縦型反応炉を有
するＣＶＤ装置があり、図３に於いてシリコンウェーハ
に薄膜を生成する縦型反応炉について説明する。
するＣＶＤ装置があり、図３に於いてシリコンウェーハ
に薄膜を生成する縦型反応炉について説明する。
【０００３】これは、ヒータに囲まれた縦型反応管内に
ウェーハを水平姿勢で多段に装入し、ヒータで所定の温
度に加熱した状態で反応ガスを導入し、ウェーハ表面に
薄膜を生成するものである。
ウェーハを水平姿勢で多段に装入し、ヒータで所定の温
度に加熱した状態で反応ガスを導入し、ウェーハ表面に
薄膜を生成するものである。
【０００４】図３、図４に於いて縦型反応炉について説
明する。
明する。
【０００５】ヒータ１の内部に外部反応管２が設けら
れ、該外部反応管２の下端にインレットフランジ４が気
密に設けられ、該インレットフランジ４に下端を支持さ
れた内部反応管３が前記外部反応管２と同心に設けられ
ている。前記内部反応管３と前記外部反応管２との間に
は下端が閉塞された円筒状の空間５が形成される。前記
インレットフランジ４には反応ガス導入ポート６が前記
内部反応管３の下方に位置して連通すると共に排気管７
が前記空間５の下端に連通する様設けられている。前記
排気管７に真空配管１２が接続されている。該真空配管
１２は水平方向に直角に屈曲し、更に鉛直方向に立上が
って図示しない排気管に接続され、該排気管を介して真
空ポンプに接続されている。
れ、該外部反応管２の下端にインレットフランジ４が気
密に設けられ、該インレットフランジ４に下端を支持さ
れた内部反応管３が前記外部反応管２と同心に設けられ
ている。前記内部反応管３と前記外部反応管２との間に
は下端が閉塞された円筒状の空間５が形成される。前記
インレットフランジ４には反応ガス導入ポート６が前記
内部反応管３の下方に位置して連通すると共に排気管７
が前記空間５の下端に連通する様設けられている。前記
排気管７に真空配管１２が接続されている。該真空配管
１２は水平方向に直角に屈曲し、更に鉛直方向に立上が
って図示しない排気管に接続され、該排気管を介して真
空ポンプに接続されている。
【０００６】ウェーハ８を水平姿勢で多段に保持するボ
ート９はボートキャップ１０を介して金属製炉口蓋１１
に支持され、前記ボート９は該金属製炉口蓋１１を介し
図示しないボートエレベータに昇降可能に支持され、前
記内部反応管３内に装入される様になっている。前記ボ
ート９が内部反応管３内に完全に装入された状態では、
金属製炉口蓋１１が前記インレットフランジ４に気密に
当接し、外部反応管２内を気密に閉塞する様になってい
る。
ート９はボートキャップ１０を介して金属製炉口蓋１１
に支持され、前記ボート９は該金属製炉口蓋１１を介し
図示しないボートエレベータに昇降可能に支持され、前
記内部反応管３内に装入される様になっている。前記ボ
ート９が内部反応管３内に完全に装入された状態では、
金属製炉口蓋１１が前記インレットフランジ４に気密に
当接し、外部反応管２内を気密に閉塞する様になってい
る。
【０００７】ウェーハの処理を行う場合は、前記ボート
９にウェーハ８を水平姿勢で多段に装填し、ウェーハを
装填したボート９が前記内部反応管３内に装入され、ヒ
ータ１により内部が所定の温度に加熱された状態で、前
記反応ガス導入ポート６より前記内部反応管３の下端か
ら反応ガスが導入され、ウェーハ８が処理され、更に反
応後のガスは外部反応管２内部からインレットフランジ
４を経て前記排気管７、真空配管１２から排気される。
９にウェーハ８を水平姿勢で多段に装填し、ウェーハを
装填したボート９が前記内部反応管３内に装入され、ヒ
ータ１により内部が所定の温度に加熱された状態で、前
記反応ガス導入ポート６より前記内部反応管３の下端か
ら反応ガスが導入され、ウェーハ８が処理され、更に反
応後のガスは外部反応管２内部からインレットフランジ
４を経て前記排気管７、真空配管１２から排気される。
【０００８】前記インレットフランジ４、排気管７等は
ヒータ１の外部にあり、外部反応管２内部に比べて著し
く温度が低い。さらに、前記排気ガスにはウェーハ表面
に成膜して生じる反応副生成物が含まれており、排気ガ
スが真空配管１２へ流出する際に、インレットフランジ
４、排気管７等排気口近傍で急激に冷却され、インレッ
トフランジ４、排気管７、真空配管１２の始端部に付着
堆積する。付着堆積した反応副生成物は剥離してパーテ
ィクルとなり、ウェーハを汚染する。従って、排気管
７、真空配管１２は定期的に、或は所要時間稼働した時
点で清掃しなければならない。
ヒータ１の外部にあり、外部反応管２内部に比べて著し
く温度が低い。さらに、前記排気ガスにはウェーハ表面
に成膜して生じる反応副生成物が含まれており、排気ガ
スが真空配管１２へ流出する際に、インレットフランジ
４、排気管７等排気口近傍で急激に冷却され、インレッ
トフランジ４、排気管７、真空配管１２の始端部に付着
堆積する。付着堆積した反応副生成物は剥離してパーテ
ィクルとなり、ウェーハを汚染する。従って、排気管
７、真空配管１２は定期的に、或は所要時間稼働した時
点で清掃しなければならない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例に於いて、
インレットフランジ、排気管、真空配管の内面を清掃す
る場合は、前記インレットフランジ、排気管、真空配管
を分解して清掃するが、分解作業が面倒であると共にこ
れらは形状が複雑であり、更にインレットフランジの材
質はステンレス鋼であり、副生成物が付着すると取れに
くい等の問題があり、清掃作業は煩雑で時間の掛かる作
業であった。斯かる清掃作業を効率よく行えるかどうか
は、半導体製造装置の稼働率にも影響し、全体的な生産
性を左右する要因の１つとなっていた。
インレットフランジ、排気管、真空配管の内面を清掃す
る場合は、前記インレットフランジ、排気管、真空配管
を分解して清掃するが、分解作業が面倒であると共にこ
れらは形状が複雑であり、更にインレットフランジの材
質はステンレス鋼であり、副生成物が付着すると取れに
くい等の問題があり、清掃作業は煩雑で時間の掛かる作
業であった。斯かる清掃作業を効率よく行えるかどうか
は、半導体製造装置の稼働率にも影響し、全体的な生産
性を左右する要因の１つとなっていた。
【００１０】又、図５は従来の排気管７の他の例を示し
ている。図５に示すものではインレットフランジ４に穿
設された排気口が水平方向に偏平な長円形をしたもので
ある。前記排気口に接続される排気管７は前記真空配管
１２が円形断面であることから、排気口に接続される端
部は長円形、真空配管１２に接続される端部は円形と複
雑な形状をしている。従って、製作が難しく、高価であ
るという問題があった。
ている。図５に示すものではインレットフランジ４に穿
設された排気口が水平方向に偏平な長円形をしたもので
ある。前記排気口に接続される排気管７は前記真空配管
１２が円形断面であることから、排気口に接続される端
部は長円形、真空配管１２に接続される端部は円形と複
雑な形状をしている。従って、製作が難しく、高価であ
るという問題があった。
【００１１】本発明は斯かる実情に鑑み、排気系での清
掃作業を効率よく行える様にすると共に排気管の形状を
簡単にして製作コストの低減を図るものである。
掃作業を効率よく行える様にすると共に排気管の形状を
簡単にして製作コストの低減を図るものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応副生成物
が付着する領域に臨む面に着脱可能な覆壁面材を設けた
ことを特徴とするものである。
が付着する領域に臨む面に着脱可能な覆壁面材を設けた
ことを特徴とするものである。
【００１３】
【作用】反応副生成物の除去清掃は、覆壁面材を取出
し、該覆壁面材に対して実施する。
し、該覆壁面材に対して実施する。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１５】図１、図２中、図３、図４中で示したもの
と同様のものには同符号を付し、その説明を省略する。
と同様のものには同符号を付し、その説明を省略する。
【００１６】インレットフランジ４内面の空間５に臨む
部分にシールドスリーブ１４を嵌合する。該シールドス
リーブ１４には後述する排気筒１５に連通する水平方向
に偏平な矩形孔１６が穿設されている。
部分にシールドスリーブ１４を嵌合する。該シールドス
リーブ１４には後述する排気筒１５に連通する水平方向
に偏平な矩形孔１６が穿設されている。
【００１７】前記インレットフランジ４に排気筒１５を
接続する。該排気筒１５は水平方向に偏平な矩形な流路
断面を有し、該排気筒１５に排気チャンバ２０を接続す
る。該排気チャンバ２０は前記排気筒１５に連通する偏
平な箱体１７の上面に真空配管１２と接続する鉛直短管
１８を立設し、前記箱体１７の端面は蓋１９により閉塞
され、該蓋１９は着脱可能となっている。
接続する。該排気筒１５は水平方向に偏平な矩形な流路
断面を有し、該排気筒１５に排気チャンバ２０を接続す
る。該排気チャンバ２０は前記排気筒１５に連通する偏
平な箱体１７の上面に真空配管１２と接続する鉛直短管
１８を立設し、前記箱体１７の端面は蓋１９により閉塞
され、該蓋１９は着脱可能となっている。
【００１８】前記排気筒１５と前記箱体１７とは一体と
なって前記空間５から前記鉛直短管１８へ排気ガスを導
く偏平な連絡流路２１を形成する。該連絡流路２１の壁
面を構成する連絡流路内箱２２を前記排気筒１５、箱体
１７内に嵌合する。該連絡流路内箱２２は一端が前記矩
形孔１６に連通し、上面には前記鉛直短管１８に連通す
る流出口２３が穿設されている。
なって前記空間５から前記鉛直短管１８へ排気ガスを導
く偏平な連絡流路２１を形成する。該連絡流路２１の壁
面を構成する連絡流路内箱２２を前記排気筒１５、箱体
１７内に嵌合する。該連絡流路内箱２２は一端が前記矩
形孔１６に連通し、上面には前記鉛直短管１８に連通す
る流出口２３が穿設されている。
【００１９】以下、作用を説明する。
【００２０】排気ガスは空間５を流下し、前記矩形孔１
６を通って前記連絡流路２１に至り、更に流出口２３を
通って鉛直短管１８、真空配管１２を流通して図示しな
い排気装置より排出される。
６を通って前記連絡流路２１に至り、更に流出口２３を
通って鉛直短管１８、真空配管１２を流通して図示しな
い排気装置より排出される。
【００２１】前記排気ガスは前記空間５の下端部、イン
レットフランジ４内に流下し、更に連絡流路２１を流通
する時点で急激に冷却され、反応副生成物が前記シール
ドスリーブ１４、連絡流路内箱２２内面に付着する。
レットフランジ４内に流下し、更に連絡流路２１を流通
する時点で急激に冷却され、反応副生成物が前記シール
ドスリーブ１４、連絡流路内箱２２内面に付着する。
【００２２】付着した反応副生成物を除去するには、前
記蓋１９を取外し、前記連絡流路内箱２２を取出し、又
インレットフランジ４を取外して前記シールドスリーブ
１４を取出す。清掃は前記シールドスリーブ１４、連絡
流路内箱２２に対して実施し、清掃が完了すると前記シ
ールドスリーブ１４、連絡流路内箱２２を組込み清掃作
業を完了する。従って、形状の複雑なインレットフラン
ジ４、排気チャンバ２０に対しては清掃を行う必要がな
い。
記蓋１９を取外し、前記連絡流路内箱２２を取出し、又
インレットフランジ４を取外して前記シールドスリーブ
１４を取出す。清掃は前記シールドスリーブ１４、連絡
流路内箱２２に対して実施し、清掃が完了すると前記シ
ールドスリーブ１４、連絡流路内箱２２を組込み清掃作
業を完了する。従って、形状の複雑なインレットフラン
ジ４、排気チャンバ２０に対しては清掃を行う必要がな
い。
【００２３】前記したシールドスリーブ１４、連絡流路
内箱２２等の覆壁面材の材質は、反応副生成物の特質に
合わせて選択され、反応副生成物がＮＨ4 Ｃｌ或はＳｉ
Ｏ2である場合は石英又はＳｉＣが適当であり、反応副
生成物がポリ化合物である場合はＳＵＳ３１６が適当で
ある。
内箱２２等の覆壁面材の材質は、反応副生成物の特質に
合わせて選択され、反応副生成物がＮＨ4 Ｃｌ或はＳｉ
Ｏ2である場合は石英又はＳｉＣが適当であり、反応副
生成物がポリ化合物である場合はＳＵＳ３１６が適当で
ある。
【００２４】尚、シールドスリーブ１４、連絡流路内箱
２２は複数用意し、予め清掃しておいたものと交換して
もよい。更に、覆壁面材はインレットフランジ４、排気
筒１５に限らず、反応副生成物が付着する箇所に適宜設
ければよいことは言う迄もない。又、上記実施例は縦型
炉について説明したが横型炉にも実施可能であることも
勿論である。
２２は複数用意し、予め清掃しておいたものと交換して
もよい。更に、覆壁面材はインレットフランジ４、排気
筒１５に限らず、反応副生成物が付着する箇所に適宜設
ければよいことは言う迄もない。又、上記実施例は縦型
炉について説明したが横型炉にも実施可能であることも
勿論である。
【００２５】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、反応副
生成物が付着する面を覆壁面材で覆い、該覆壁面材を着
脱可能としたので、清掃作業は覆壁面材に対して行えば
よく作業性が著しく向上し、又排気筒を偏平な矩形形状
としたので製作が容易となり、コストの低減が図れる。
生成物が付着する面を覆壁面材で覆い、該覆壁面材を着
脱可能としたので、清掃作業は覆壁面材に対して行えば
よく作業性が著しく向上し、又排気筒を偏平な矩形形状
としたので製作が容易となり、コストの低減が図れる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略斜視図である。
【図２】同前実施例の要部断面図である。
【図３】半導体製造装置の縦型炉を示す立断面図であ
る。
る。
【図４】従来例を示す概略斜視図である。
【図５】他の従来例を示す斜視図である。
２ 外部反応管 ４ インレットフランジ １４ シールドスリーブ １５ 排気筒 １６ 矩形孔 １７ 箱体 １９ 蓋 ２１ 連絡流路 ２２ 連絡流路内箱
Claims (4)
- 【請求項１】 反応副生成物が付着する領域に臨む面に
着脱可能な覆壁面材を設けたことを特徴とする半導体製
造装置の反応炉。 - 【請求項２】 反応管下端に設けられたインレットフラ
ンジの内壁に覆壁面材を設けた請求項１の半導体製造装
置の反応炉。 - 【請求項３】 インレットフランジに連通した排気筒に
排気チャンバを設け、該排気チャンバの一端部を開放可
能とし、該一端部より連絡流路内箱を嵌脱可能とした請
求項２の半導体製造装置の反応炉。 - 【請求項４】 排気筒を偏平な矩形形状とした請求項３
の半導体製造装置の反応炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18185094A JPH0831756A (ja) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | 半導体製造装置の反応炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18185094A JPH0831756A (ja) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | 半導体製造装置の反応炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831756A true JPH0831756A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=16107921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18185094A Pending JPH0831756A (ja) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | 半導体製造装置の反応炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831756A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1345254A3 (en) * | 2002-03-15 | 2006-03-15 | Asm International N.V. | Process tube support sleeve with circumferential channels |
| CN111318151A (zh) * | 2018-12-17 | 2020-06-23 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 应用于半导体腔室的净化系统 |
-
1994
- 1994-07-11 JP JP18185094A patent/JPH0831756A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1345254A3 (en) * | 2002-03-15 | 2006-03-15 | Asm International N.V. | Process tube support sleeve with circumferential channels |
| CN111318151A (zh) * | 2018-12-17 | 2020-06-23 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 应用于半导体腔室的净化系统 |
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