JPH08316399A - 電子部品用基板とその製造方法 - Google Patents
電子部品用基板とその製造方法Info
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- JPH08316399A JPH08316399A JP7145520A JP14552095A JPH08316399A JP H08316399 A JPH08316399 A JP H08316399A JP 7145520 A JP7145520 A JP 7145520A JP 14552095 A JP14552095 A JP 14552095A JP H08316399 A JPH08316399 A JP H08316399A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
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- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
-
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Abstract
(57)【要約】
【目的】プリント基板への多数回の取り外し及び再接続
を可能とする電子部品用基板を提供する。 【構成】外部接続端子４を備える電子部品用基板１の製
造方法であって、該外部接続端子４の全表面に下地層５
および半田に濡れる金属皮膜６を形成する工程と、該外
部接続端子４の基端部および中間部、または中間部の該
半田に濡れる金属皮膜６を除去し、前記下地層５を露出
させる工程と、該露出した下地層５に、半田に濡れない
皮膜７を形成する工程とを備えることを特徴とする。
を可能とする電子部品用基板を提供する。 【構成】外部接続端子４を備える電子部品用基板１の製
造方法であって、該外部接続端子４の全表面に下地層５
および半田に濡れる金属皮膜６を形成する工程と、該外
部接続端子４の基端部および中間部、または中間部の該
半田に濡れる金属皮膜６を除去し、前記下地層５を露出
させる工程と、該露出した下地層５に、半田に濡れない
皮膜７を形成する工程とを備えることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電子部品用基板とそ
の製造方法に関する。中でも集積回路パッケージ、特
に、外部接続端子がプリント基板の半田パッドに半田接
続される表面実装型ピングリッドアレイパッケージやフ
ラットパッケージ、更にはソケットに挿入接続される挿
入実装型ピングリッドアレイパッケージやフラットパッ
ケージに好適に利用されうる。
の製造方法に関する。中でも集積回路パッケージ、特
に、外部接続端子がプリント基板の半田パッドに半田接
続される表面実装型ピングリッドアレイパッケージやフ
ラットパッケージ、更にはソケットに挿入接続される挿
入実装型ピングリッドアレイパッケージやフラットパッ
ケージに好適に利用されうる。
【０００２】
【従来の技術】集積回路パッケージは、図１（ａ）又は
図２（ａ）に示すように、絶縁基板２の内部に集積回路
３が収納され、その集積回路３と接続する外部接続端子
であるピン４が絶縁基板２の外部に導出する構造をも
ち、ピン４の先端が図１（ｂ）のようなプリント基板Ｓ
の半田パッドＰに半田付けされるか又は図２（ｂ）のよ
うなソケットＫの挿入孔Ｑに挿入されコンタクトＣと接
触することにより、ソケットＫに実装される。そして、
ピン４表面は、通常、ニッケルがメッキされ、続いて半
田の濡れ性をよくするために、金がメッキされている。
金の下地層としてニッケルメッキ層を設けるのは、金が
半田に食われるのを防止するためである。
図２（ａ）に示すように、絶縁基板２の内部に集積回路
３が収納され、その集積回路３と接続する外部接続端子
であるピン４が絶縁基板２の外部に導出する構造をも
ち、ピン４の先端が図１（ｂ）のようなプリント基板Ｓ
の半田パッドＰに半田付けされるか又は図２（ｂ）のよ
うなソケットＫの挿入孔Ｑに挿入されコンタクトＣと接
触することにより、ソケットＫに実装される。そして、
ピン４表面は、通常、ニッケルがメッキされ、続いて半
田の濡れ性をよくするために、金がメッキされている。
金の下地層としてニッケルメッキ層を設けるのは、金が
半田に食われるのを防止するためである。
【０００３】ところで、設計変更や実装するプリント基
板の不具合などに伴って、半田接続された集積回路パッ
ケージをプリント基板から取り外し、再度その集積回路
パッケージをプリント基板に半田付けすることがある。
そして、取り外しの際に溶けた半田がピンの基端部にま
で流れてプリント基板との再接続に必要な量の半田が減
少するのを防止するため、ピンの非先端部（基端部及び
中間部）もしくは中間部のニッケルを露出させ、半田流
れを露出したニッケルによって阻止しようとする技術が
提案されている（特開平２−１５６６２号公報、特開平
６−２０４３７７号公報）。
板の不具合などに伴って、半田接続された集積回路パッ
ケージをプリント基板から取り外し、再度その集積回路
パッケージをプリント基板に半田付けすることがある。
そして、取り外しの際に溶けた半田がピンの基端部にま
で流れてプリント基板との再接続に必要な量の半田が減
少するのを防止するため、ピンの非先端部（基端部及び
中間部）もしくは中間部のニッケルを露出させ、半田流
れを露出したニッケルによって阻止しようとする技術が
提案されている（特開平２−１５６６２号公報、特開平
６−２０４３７７号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記各公報に記載の技
術は、ニッケルが金よりも半田に濡れ難いことに着目し
たものである。
術は、ニッケルが金よりも半田に濡れ難いことに着目し
たものである。
【０００５】しかし、ニッケルは、半田をはじく性質が
完全ではないので、パッケージの取り外し及び再接続を
複数回繰り返すうちに、半田に濡れてしまい、結局プリ
ント基板との再接続に必要な量の半田がピンの先端部に
供給されなくなり、再接続不可能となったり、信頼性を
欠いたりする。それ故、この発明の目的は、プリント基
板への多数回の取り外し及び再接続を可能とする電子部
品用基板を提供することにある。
完全ではないので、パッケージの取り外し及び再接続を
複数回繰り返すうちに、半田に濡れてしまい、結局プリ
ント基板との再接続に必要な量の半田がピンの先端部に
供給されなくなり、再接続不可能となったり、信頼性を
欠いたりする。それ故、この発明の目的は、プリント基
板への多数回の取り外し及び再接続を可能とする電子部
品用基板を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】その目的を達成するため
に、この出願の第一発明の電子部品用基板は、外部接続
端子を備える電子部品用基板であって、該外部接続端子
が、半田に濡れる皮膜で被覆された先端部と、半田に濡
れない皮膜で被覆された基端部および中間部とからなる
ことを特徴とする。
に、この出願の第一発明の電子部品用基板は、外部接続
端子を備える電子部品用基板であって、該外部接続端子
が、半田に濡れる皮膜で被覆された先端部と、半田に濡
れない皮膜で被覆された基端部および中間部とからなる
ことを特徴とする。
【０００７】同じく第二発明の電子部品用基板は、外部
接続端子を備える電子部品用基板であって、該外部接続
端子が、半田に濡れる皮膜で被覆された先端部と、半田
に濡れない皮膜で被覆された中間部と、半田に濡れる皮
膜で被覆された基端部とからなることを特徴とする。
接続端子を備える電子部品用基板であって、該外部接続
端子が、半田に濡れる皮膜で被覆された先端部と、半田
に濡れない皮膜で被覆された中間部と、半田に濡れる皮
膜で被覆された基端部とからなることを特徴とする。
【０００８】ここで、前記半田に濡れない皮膜として
は、金属酸化物の皮膜、亜鉛クロメート皮膜、半田に濡
れない金属の皮膜、耐熱性樹脂の皮膜、ガラスまたはセ
ラミックの皮膜が挙げられる。具体的には、金属酸化物
の皮膜とは例えば酸化ニッケルの皮膜、半田に濡れない
金属の皮膜とは例えばクロム（Ｃｒ）メッキ皮膜又はタ
ングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔ
ｉ）、アルミニウム（Ａｌ）もしくはクロム（Ｃｒ）を
主成分とする薄膜の皮膜、耐熱性樹脂の皮膜とは例えば
ポリイミド樹脂の皮膜をいう。
は、金属酸化物の皮膜、亜鉛クロメート皮膜、半田に濡
れない金属の皮膜、耐熱性樹脂の皮膜、ガラスまたはセ
ラミックの皮膜が挙げられる。具体的には、金属酸化物
の皮膜とは例えば酸化ニッケルの皮膜、半田に濡れない
金属の皮膜とは例えばクロム（Ｃｒ）メッキ皮膜又はタ
ングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔ
ｉ）、アルミニウム（Ａｌ）もしくはクロム（Ｃｒ）を
主成分とする薄膜の皮膜、耐熱性樹脂の皮膜とは例えば
ポリイミド樹脂の皮膜をいう。
【０００９】同じく第三発明の電子部品用基板は、外部
接続端子を備える電子部品用基板であって、該外部接続
端子が、該外部接続端子の全表面に形成された半田に濡
れる皮膜と、該半田に濡れる皮膜上であって、該外部接
続端子の基端部および中間部、または中間部に形成され
た半田に濡れない皮膜とを備えることを特徴とする。
接続端子を備える電子部品用基板であって、該外部接続
端子が、該外部接続端子の全表面に形成された半田に濡
れる皮膜と、該半田に濡れる皮膜上であって、該外部接
続端子の基端部および中間部、または中間部に形成され
た半田に濡れない皮膜とを備えることを特徴とする。
【００１０】ここで、前記半田に濡れない金属の皮膜と
しては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チ
タン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）もしくはクロム
（Ｃｒ）を主成分とする薄膜の皮膜、又はポリイミド等
の耐熱性樹脂、ガラスもしくはセラミックスの皮膜が挙
げられる。
しては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チ
タン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）もしくはクロム
（Ｃｒ）を主成分とする薄膜の皮膜、又はポリイミド等
の耐熱性樹脂、ガラスもしくはセラミックスの皮膜が挙
げられる。
【００１１】上記第一又は第二発明の電子部品用基板を
製造する適切な方法は、外部接続端子を備える電子部品
用基板の製造方法であって、該外部接続端子の全表面に
下地層および半田に濡れる金属皮膜を形成する工程と、
該外部接続端子の基端部および中間部、または中間部の
該半田に濡れる金属皮膜を除去し、前記下地層を露出さ
せる工程と、該露出した下地層に、半田に濡れない皮膜
を形成する工程とを備えることを特徴とする。
製造する適切な方法は、外部接続端子を備える電子部品
用基板の製造方法であって、該外部接続端子の全表面に
下地層および半田に濡れる金属皮膜を形成する工程と、
該外部接続端子の基端部および中間部、または中間部の
該半田に濡れる金属皮膜を除去し、前記下地層を露出さ
せる工程と、該露出した下地層に、半田に濡れない皮膜
を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１２】同じく他の適切な方法は、外部接続端子を
備える電子部品用基板の製造方法であって、該外部接続
端子の全表面に下地層を形成する工程と、該外部接続端
子の基端部および中間部、または中間部の該下地層に、
半田に濡れない皮膜を形成する工程と、該半田に濡れな
い皮膜を形成しなっかた前記下地層に、半田に濡れる金
属皮膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。
備える電子部品用基板の製造方法であって、該外部接続
端子の全表面に下地層を形成する工程と、該外部接続端
子の基端部および中間部、または中間部の該下地層に、
半田に濡れない皮膜を形成する工程と、該半田に濡れな
い皮膜を形成しなっかた前記下地層に、半田に濡れる金
属皮膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１３】ここで、前記下地層に半田に濡れない皮膜
を形成する工程としては、該下地層の熱酸化処理工程、
該下地層の陽極化成処理工程並びに電気泳動法によるガ
ラス粒子の堆積処理およびそれに続くガラス焼成処理工
程が挙げられる。
を形成する工程としては、該下地層の熱酸化処理工程、
該下地層の陽極化成処理工程並びに電気泳動法によるガ
ラス粒子の堆積処理およびそれに続くガラス焼成処理工
程が挙げられる。
【００１４】上記第三発明の電子部品を製造する適切な
方法は、外部接続端子を備える電子部品用基板の製造方
法であって、該外部接続端子の全表面に半田に濡れる金
属皮膜を形成する工程と、該外部接続端子に、ガラスま
たは耐熱性樹脂前駆体からなる筒状体を挿入する工程
と、該筒状体の加熱により、該外部接続端子の基端部お
よび中間部、または中間部の該半田に濡れる金属皮膜上
に、ガラスまたは耐熱性有機高分子樹脂からなる半田に
濡れない皮膜を被着形成する工程とを備えることを特徴
とする。
方法は、外部接続端子を備える電子部品用基板の製造方
法であって、該外部接続端子の全表面に半田に濡れる金
属皮膜を形成する工程と、該外部接続端子に、ガラスま
たは耐熱性樹脂前駆体からなる筒状体を挿入する工程
と、該筒状体の加熱により、該外部接続端子の基端部お
よび中間部、または中間部の該半田に濡れる金属皮膜上
に、ガラスまたは耐熱性有機高分子樹脂からなる半田に
濡れない皮膜を被着形成する工程とを備えることを特徴
とする。
【００１５】同じく適切な方法は、外部接続端子を備え
る電子部品用基板の製造方法であって、該外部接続端子
に、ガラスまたは耐熱性樹脂前駆体からなる筒状体を挿
入する工程と、該筒状体の加熱により、該外部接続端子
の基端部および中間部、または中間部の該半田に濡れる
金属皮膜上に、ガラスまたは耐熱性有機高分子樹脂から
なる半田に濡れない皮膜を被着形成する工程と、該外部
接続端子の該半田に濡れない皮膜を形成しなかった表面
に半田に濡れる金属皮膜を形成する工程とを備えること
を特徴とする。
る電子部品用基板の製造方法であって、該外部接続端子
に、ガラスまたは耐熱性樹脂前駆体からなる筒状体を挿
入する工程と、該筒状体の加熱により、該外部接続端子
の基端部および中間部、または中間部の該半田に濡れる
金属皮膜上に、ガラスまたは耐熱性有機高分子樹脂から
なる半田に濡れない皮膜を被着形成する工程と、該外部
接続端子の該半田に濡れない皮膜を形成しなかった表面
に半田に濡れる金属皮膜を形成する工程とを備えること
を特徴とする。
【００１６】
【作用】外部接続端子の基端部および中間部、または中
間部に、半田に濡れない部分が形成されているので、プ
リント基板からの取り外しの際に先端部から基端部に向
かう半田流れを、半田に濡れない部分が阻止する。従っ
て、前回接続の時とほぼ同量の半田が先端部に残ること
となり、再接続を確実に行うことができる。
間部に、半田に濡れない部分が形成されているので、プ
リント基板からの取り外しの際に先端部から基端部に向
かう半田流れを、半田に濡れない部分が阻止する。従っ
て、前回接続の時とほぼ同量の半田が先端部に残ること
となり、再接続を確実に行うことができる。
【００１７】第二発明では、半田接続されていた外部接
続端子を取り外し、ソケットに挿入されても基端部で接
触導通を得ることができる。また、基端部で修理布線を
接続することもできる。第三発明では、外部接続端子の
全表面に半田に濡れる皮膜を形成するので、界面が生じ
ない。従って、腐食されにくい。
続端子を取り外し、ソケットに挿入されても基端部で接
触導通を得ることができる。また、基端部で修理布線を
接続することもできる。第三発明では、外部接続端子の
全表面に半田に濡れる皮膜を形成するので、界面が生じ
ない。従って、腐食されにくい。
【００１８】
−実施例１− 大きさ□３８．１×ｔ２．３ｍｍのアルミナ製絶縁基板
と、その絶縁基板の主面に銀ろう付けされた多数のピン
とからなるピングリッドアレイ集積回路パッケージを準
備した。ピンは、直径０．２ｍｍ、長さ２．０ｍｍのコ
バール製で、１．２７ｍｍのピッチで格子状に８１２本
配列している。
と、その絶縁基板の主面に銀ろう付けされた多数のピン
とからなるピングリッドアレイ集積回路パッケージを準
備した。ピンは、直径０．２ｍｍ、長さ２．０ｍｍのコ
バール製で、１．２７ｍｍのピッチで格子状に８１２本
配列している。
【００１９】この集積回路パッケージは、以下の実験例
で示されるように、金等の半田に濡れる皮膜からなる表
面層をそのピンの全面に設けた後、そのピンの先端部以
外の部分、即ち、基端部及び中間部の表面層を除いてニ
ッケル等の下地を露出させ、露出した下地に、半田に濡
れなくする処理を施して半田に濡れない皮膜を形成する
ことによって製造される。以下、図面に沿って説明す
る。
で示されるように、金等の半田に濡れる皮膜からなる表
面層をそのピンの全面に設けた後、そのピンの先端部以
外の部分、即ち、基端部及び中間部の表面層を除いてニ
ッケル等の下地を露出させ、露出した下地に、半田に濡
れなくする処理を施して半田に濡れない皮膜を形成する
ことによって製造される。以下、図面に沿って説明す
る。
【００２０】［実験例１］絶縁基板２にろう付けされた
ピン４の全表面に厚さ２μｍのニッケルメッキ膜５を形
成し（図３(a)）、続いて厚さ０．７μｍの金メッキ膜
６を形成した（図３(b)）。その後、ピン４の先端部に
エッチングレジストＲを塗布し、乾燥し（図３(c)）、
露出している金メッキ膜をエッチング液で除去して、下
地のニッケルメッキ膜５を露出させた（図３(d)）。エ
ッチングレジストＲを除去し（図３(e)）、大気雰囲気
中にて、３００〜４５０℃で１５分間加熱した。露出し
たニッケルメッキ膜５の表面に、酸化ニッケルの皮膜７
が形成されている（図３(f)）ことが変色により確認さ
れた。この方法による皮膜７の形成は、工程が最も簡単
で量産性があり、費用もあまりかからない点で優れてい
る。
ピン４の全表面に厚さ２μｍのニッケルメッキ膜５を形
成し（図３(a)）、続いて厚さ０．７μｍの金メッキ膜
６を形成した（図３(b)）。その後、ピン４の先端部に
エッチングレジストＲを塗布し、乾燥し（図３(c)）、
露出している金メッキ膜をエッチング液で除去して、下
地のニッケルメッキ膜５を露出させた（図３(d)）。エ
ッチングレジストＲを除去し（図３(e)）、大気雰囲気
中にて、３００〜４５０℃で１５分間加熱した。露出し
たニッケルメッキ膜５の表面に、酸化ニッケルの皮膜７
が形成されている（図３(f)）ことが変色により確認さ
れた。この方法による皮膜７の形成は、工程が最も簡単
で量産性があり、費用もあまりかからない点で優れてい
る。
【００２１】［実験例２］実験例１でエッチングレジス
トＲを除去する前に、ピン４を０．１％シュウ酸水溶液
に浸漬し、ピン４を陽極として５０〜１５０Ｖの電圧を
印加し、露出したニッケルメッキ膜５の表面を化成処理
した後（図３(g)）、エッチングレジストＲを除去し
た。露出したニッケルメッキ膜５の表面に、酸化ニッケ
ルの皮膜７が形成されている（図３(h)）ことが変色に
より確認された。この方法による皮膜７の形成は、皮膜
７が酸化ニッケルである点で実験例１と共通するが、実
験例１よりも均一な皮膜７が得られ、且つその厚み制御
も容易である点で優れている。
トＲを除去する前に、ピン４を０．１％シュウ酸水溶液
に浸漬し、ピン４を陽極として５０〜１５０Ｖの電圧を
印加し、露出したニッケルメッキ膜５の表面を化成処理
した後（図３(g)）、エッチングレジストＲを除去し
た。露出したニッケルメッキ膜５の表面に、酸化ニッケ
ルの皮膜７が形成されている（図３(h)）ことが変色に
より確認された。この方法による皮膜７の形成は、皮膜
７が酸化ニッケルである点で実験例１と共通するが、実
験例１よりも均一な皮膜７が得られ、且つその厚み制御
も容易である点で優れている。
【００２２】［実験例３］実験例１でエッチングレジス
トＲを除去する前に、ピン４をクロムメッキ浴に浸漬
し、ピン４を陰極として０．２〜０．６Ａ／ｃｍ2の電
流密度で露出したニッケルメッキ膜５の上に厚さ１〜２
μｍのクロムをメッキした後（図３(g)）、エッチング
レジストＲを除去した（図３(h)）。この方法による皮
膜７は、酸化ニッケルからなる皮膜よりも半田流れを阻
止する機能に優れている。更に緻密で耐腐食性も良好で
ある。
トＲを除去する前に、ピン４をクロムメッキ浴に浸漬
し、ピン４を陰極として０．２〜０．６Ａ／ｃｍ2の電
流密度で露出したニッケルメッキ膜５の上に厚さ１〜２
μｍのクロムをメッキした後（図３(g)）、エッチング
レジストＲを除去した（図３(h)）。この方法による皮
膜７は、酸化ニッケルからなる皮膜よりも半田流れを阻
止する機能に優れている。更に緻密で耐腐食性も良好で
ある。
【００２３】なお、クロムメッキに代えて、硫酸ニッケ
ル、硫酸亜鉛及びチオシアン化ナトリウムを主成分とす
るメッキ浴による黒ニッケルメッキ又はクロム酸、酢酸
及び酢酸バリウムを主成分とするメッキ浴による黒クロ
ムメッキでも良い。これらはクロムメッキ皮膜と同様
に、半田に濡れない金属層を形成し酸化ニッケルからな
る皮膜よりも半田流れを阻止する機能が優れている。
ル、硫酸亜鉛及びチオシアン化ナトリウムを主成分とす
るメッキ浴による黒ニッケルメッキ又はクロム酸、酢酸
及び酢酸バリウムを主成分とするメッキ浴による黒クロ
ムメッキでも良い。これらはクロムメッキ皮膜と同様
に、半田に濡れない金属層を形成し酸化ニッケルからな
る皮膜よりも半田流れを阻止する機能が優れている。
【００２４】［実験例４］実験例１でエッチングレジス
トＲを除去する前に、ピン４を亜鉛メッキ浴に浸漬し、
ピン４を陰極として０．０１〜０．０３Ａ／ｃｍ2の電
流密度で露出したニッケルメッキ膜５の上に厚さ５μｍ
の亜鉛をメッキし、続いて無水クロム酸約１８ｗｔ％、
重クロム酸ナトリウム約１５ｗｔ％の水溶液に浸漬して
クロメート処理した後（図３(g)）、エッチングレジス
トＲを除去した。露出したニッケルメッキ膜５の表面
に、亜鉛クロメート皮膜７が形成されている（図３
(h)）ことが変色により確認された。この方法による皮
膜７の形成も、酸化ニッケルからなる皮膜よりも半田流
れを阻止する機能に優れている。
トＲを除去する前に、ピン４を亜鉛メッキ浴に浸漬し、
ピン４を陰極として０．０１〜０．０３Ａ／ｃｍ2の電
流密度で露出したニッケルメッキ膜５の上に厚さ５μｍ
の亜鉛をメッキし、続いて無水クロム酸約１８ｗｔ％、
重クロム酸ナトリウム約１５ｗｔ％の水溶液に浸漬して
クロメート処理した後（図３(g)）、エッチングレジス
トＲを除去した。露出したニッケルメッキ膜５の表面
に、亜鉛クロメート皮膜７が形成されている（図３
(h)）ことが変色により確認された。この方法による皮
膜７の形成も、酸化ニッケルからなる皮膜よりも半田流
れを阻止する機能に優れている。
【００２５】［比較例］大気中で加熱する工程を省略し
た以外は、実験例１と同一条件の工程を経て、先端部以
外は、ニッケルメッキ膜５の露出したピン４を備えた集
積回路パッケージを製造した。
た以外は、実験例１と同一条件の工程を経て、先端部以
外は、ニッケルメッキ膜５の露出したピン４を備えた集
積回路パッケージを製造した。
【００２６】［各実験例の半田濡れ性評価］実験例１〜
４及び比較例の集積回路パッケージを、温度２５０℃で
溶融したＳｎ６０−Ｐｂ４０共晶半田にピン４が没入す
るように６０秒間浸漬し、室温大気中に取り出して３０
分間放置する操作を繰り返した。そして、１回目、２回
目、３回目、５回目及び１０回目の操作毎に、ピン４の
非先端部を観察し、（半田に濡れている本数／全数）×
１００［％］の値を求め、表１に示した。なお、半田浸
漬のたびに、フラックス（ＲＡタイプ）を、ピン４に塗
布してから浸漬している。
４及び比較例の集積回路パッケージを、温度２５０℃で
溶融したＳｎ６０−Ｐｂ４０共晶半田にピン４が没入す
るように６０秒間浸漬し、室温大気中に取り出して３０
分間放置する操作を繰り返した。そして、１回目、２回
目、３回目、５回目及び１０回目の操作毎に、ピン４の
非先端部を観察し、（半田に濡れている本数／全数）×
１００［％］の値を求め、表１に示した。なお、半田浸
漬のたびに、フラックス（ＲＡタイプ）を、ピン４に塗
布してから浸漬している。
【００２７】
【表１】 表１にみられるように、この発明に属する実験例１〜４
は、５回浸漬操作を繰り返しても、特に実験例３，４に
ついては１０回繰り返しても非先端部に半田が濡れなか
ったので、プリント基板からの取り外し及び再接続を繰
り返しても安定した接続性を確保することができる。こ
れに対して、非先端部にニッケルメッキ膜が露出してい
た比較例のものは、２回目以降の浸漬操作において、回
を重ねる毎に半田に濡れる本数が増加していたので、再
接続の信頼性に欠けることが明らかであった。
は、５回浸漬操作を繰り返しても、特に実験例３，４に
ついては１０回繰り返しても非先端部に半田が濡れなか
ったので、プリント基板からの取り外し及び再接続を繰
り返しても安定した接続性を確保することができる。こ
れに対して、非先端部にニッケルメッキ膜が露出してい
た比較例のものは、２回目以降の浸漬操作において、回
を重ねる毎に半田に濡れる本数が増加していたので、再
接続の信頼性に欠けることが明らかであった。
【００２８】ところで、上記実験例１〜４では、一旦金
メッキ膜６を形成した後、非先端部の金メッキ膜を除去
した。しかし、ニッケルメッキ膜５形成後、金メッキす
る前に、ピン先端部をエッチングレジスト等で保護した
上、酸化ニッケルからなる皮膜を所定部分に形成し、そ
の後、金メッキ膜６を形成しても良い。酸化ニッケル皮
膜上には金メッキは形成されないので、先端部にのみ金
メッキ膜６が形成される。そして、金のエッチング工程
が不要になるので、金メッキ工程における金の消費量を
節約することができる。
メッキ膜６を形成した後、非先端部の金メッキ膜を除去
した。しかし、ニッケルメッキ膜５形成後、金メッキす
る前に、ピン先端部をエッチングレジスト等で保護した
上、酸化ニッケルからなる皮膜を所定部分に形成し、そ
の後、金メッキ膜６を形成しても良い。酸化ニッケル皮
膜上には金メッキは形成されないので、先端部にのみ金
メッキ膜６が形成される。そして、金のエッチング工程
が不要になるので、金メッキ工程における金の消費量を
節約することができる。
【００２９】−実施例２− 実施例１と同形の集積回路パッケージを準備した。ただ
し、この例の集積回路パッケージは、ニッケルメッキ膜
５を有するピン４（図４(a)）の全面に更に金メッキ膜
６を設ける（図４(b)）。更に全面にポリイミド樹脂の
前駆体Ｖを塗布し乾燥した後（図４(c)）、ピン４の先
端部のみをＮメチル−２ピロリドンに浸漬して前駆体Ｖ
を選択的に除去することにより、ピン４の非先端部にの
みポリイミド樹脂前駆体Ｖを残し（図４(d)）、残され
た前駆体Ｖを加熱硬化させることによって製造した。硬
化後の前駆体Ｖは、ポリイミド樹脂からなる厚さ５〜１
０μｍの皮膜８となっていた。
し、この例の集積回路パッケージは、ニッケルメッキ膜
５を有するピン４（図４(a)）の全面に更に金メッキ膜
６を設ける（図４(b)）。更に全面にポリイミド樹脂の
前駆体Ｖを塗布し乾燥した後（図４(c)）、ピン４の先
端部のみをＮメチル−２ピロリドンに浸漬して前駆体Ｖ
を選択的に除去することにより、ピン４の非先端部にの
みポリイミド樹脂前駆体Ｖを残し（図４(d)）、残され
た前駆体Ｖを加熱硬化させることによって製造した。硬
化後の前駆体Ｖは、ポリイミド樹脂からなる厚さ５〜１
０μｍの皮膜８となっていた。
【００３０】このパッケージについて実施例１と同様に
ピン４を溶融半田に浸漬し取り出す操作を繰り返したと
ころ、１０回目でも非先端部に全く半田が濡れなかった
ので、プリント基板からの取り外し及び再接続を繰り返
しても安定した接続性を確保することができることが明
らかであった。なお、ポリイミド樹脂の他、エポキシ樹
脂、ＢＣＢ樹脂等の耐熱性樹脂も同様に使用することが
出来る。特にポリイミド樹脂、ＢＣＢ樹脂は耐熱性が良
好であるので好ましい。更にこれらの樹脂は絶縁体であ
るため、金メッキ膜６との間で電池を形成しないため、
ピン４の耐腐食性が良好である。
ピン４を溶融半田に浸漬し取り出す操作を繰り返したと
ころ、１０回目でも非先端部に全く半田が濡れなかった
ので、プリント基板からの取り外し及び再接続を繰り返
しても安定した接続性を確保することができることが明
らかであった。なお、ポリイミド樹脂の他、エポキシ樹
脂、ＢＣＢ樹脂等の耐熱性樹脂も同様に使用することが
出来る。特にポリイミド樹脂、ＢＣＢ樹脂は耐熱性が良
好であるので好ましい。更にこれらの樹脂は絶縁体であ
るため、金メッキ膜６との間で電池を形成しないため、
ピン４の耐腐食性が良好である。
【００３１】−実施例３− 上述の実施例では、ピン４の中間部から基端部にまで半
田に濡れない皮膜７，８を設けたが、この例ではピン４
の中間部のみに皮膜７を設け、残る先端部及び基端部
は、半田に濡れる皮膜を形成した。すなわち、ニッケル
メッキ膜５及び金メッキ膜６を順に全面に設けた後（図
５(a)及び(b)）、ピン４の先端部側が上になる状態で基
端部にエッチングレジストＲ１を塗布し硬化させる。次
いで、絶縁基板２を反転してピンの先端部側が下になる
状態で先端部にエッチングレジストＲ２を塗布・硬化し
（図５(c)）、露出している中間部金メッキ膜６を除去
した（図５(d)）。その後、実施例１の実験例１〜４に
示した工程と同一の条件を経て、皮膜７を形成した。
田に濡れない皮膜７，８を設けたが、この例ではピン４
の中間部のみに皮膜７を設け、残る先端部及び基端部
は、半田に濡れる皮膜を形成した。すなわち、ニッケル
メッキ膜５及び金メッキ膜６を順に全面に設けた後（図
５(a)及び(b)）、ピン４の先端部側が上になる状態で基
端部にエッチングレジストＲ１を塗布し硬化させる。次
いで、絶縁基板２を反転してピンの先端部側が下になる
状態で先端部にエッチングレジストＲ２を塗布・硬化し
（図５(c)）、露出している中間部金メッキ膜６を除去
した（図５(d)）。その後、実施例１の実験例１〜４に
示した工程と同一の条件を経て、皮膜７を形成した。
【００３２】このように中間部にのみ皮膜７を設ける
と、上記実施例１，２と同様の効果が得られるほか、ピ
ン４が、図２に示すようにソケットＫに挿入される場
合、コンタクトＣの先端とピン４の基端部の金メッキ膜
とで安定な電気的接続を確保することもできる。また、
集積回路チップに論理的故障が生じたときに、ピン４の
基端部同士を修理布線で接続したい場合があるが、本実
施例のように基端部に金メッキ膜６が形成されている
と、図７に示すように修理布線Ｗを半田付け又は熱圧着
等のワイヤボンディング手法で容易に接続することもで
きる。
と、上記実施例１，２と同様の効果が得られるほか、ピ
ン４が、図２に示すようにソケットＫに挿入される場
合、コンタクトＣの先端とピン４の基端部の金メッキ膜
とで安定な電気的接続を確保することもできる。また、
集積回路チップに論理的故障が生じたときに、ピン４の
基端部同士を修理布線で接続したい場合があるが、本実
施例のように基端部に金メッキ膜６が形成されている
と、図７に示すように修理布線Ｗを半田付け又は熱圧着
等のワイヤボンディング手法で容易に接続することもで
きる。
【００３３】−実施例４− この例も前例と同じく、ピン４の中間部にのみ皮膜を設
けた集積回路パッケージを開示するものであるが、皮膜
の形成手段が前例と異なる。すなわち、ニッケルメッキ
膜５及び金メッキ膜６を順に全面に設けた後（図６(a)
及び(b)）、更にその上にＳｉＯ2等のセラミックス成分
又はＷ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ等の半田に濡れない金
属からなる皮膜９をＣＶＤ又はスパッタリングで形成す
る（図６(c)）。次に、基端部をマスキングジグＪで覆
い（図６(d)）、ドライエッチングにより先端部の皮膜
９を除去し（図６(e)）、マスキングジグＪを取り外し
て先端部にエッチングレジストＲを塗布し乾燥する（図
６(f)）。このとき、残った皮膜９のうち中間部の皮膜
９にもエッチングレジストＲが重なるように塗布する。
露出している基端部の皮膜９をエッチング液で除去して
から（図６(g)）、エッチングレジストＲを除去する
（図６(h)）。
けた集積回路パッケージを開示するものであるが、皮膜
の形成手段が前例と異なる。すなわち、ニッケルメッキ
膜５及び金メッキ膜６を順に全面に設けた後（図６(a)
及び(b)）、更にその上にＳｉＯ2等のセラミックス成分
又はＷ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ等の半田に濡れない金
属からなる皮膜９をＣＶＤ又はスパッタリングで形成す
る（図６(c)）。次に、基端部をマスキングジグＪで覆
い（図６(d)）、ドライエッチングにより先端部の皮膜
９を除去し（図６(e)）、マスキングジグＪを取り外し
て先端部にエッチングレジストＲを塗布し乾燥する（図
６(f)）。このとき、残った皮膜９のうち中間部の皮膜
９にもエッチングレジストＲが重なるように塗布する。
露出している基端部の皮膜９をエッチング液で除去して
から（図６(g)）、エッチングレジストＲを除去する
（図６(h)）。
【００３４】この例によれば、前例と同様にソケット挿
入接続が可能であるほか、皮膜９が薄いのでピン寸法に
与える影響がほとんどない。更に本例ではピン４全面に
金メッキ膜６が形成されているので、耐腐食性に優れ
る。また、皮膜９がセラミックス成分からなる場合、下
地膜、本例で言えば金メッキ膜６との間で電池を構成し
ないので、更に耐腐食性に優れる。
入接続が可能であるほか、皮膜９が薄いのでピン寸法に
与える影響がほとんどない。更に本例ではピン４全面に
金メッキ膜６が形成されているので、耐腐食性に優れ
る。また、皮膜９がセラミックス成分からなる場合、下
地膜、本例で言えば金メッキ膜６との間で電池を構成し
ないので、更に耐腐食性に優れる。
【００３５】−実施例５− この例は、皮膜の材質及び形成方法ともに前記４例と異
なる。すなわち、ニッケルメッキ膜５及び金メッキ膜６
を順にピン４の全面に設けた後、先端部にマスキングテ
ープを張り付ける。このパッケージを、ガラス粒子が浮
遊したコロイド液に浸漬し、所定電圧をかけて電気泳動
させることによりイオン化したガラス粒子を非先端部に
付着させる。更に、マスキングテープをはがして焼成す
ることによって、非先端部にガラスの皮膜を形成する。
なる。すなわち、ニッケルメッキ膜５及び金メッキ膜６
を順にピン４の全面に設けた後、先端部にマスキングテ
ープを張り付ける。このパッケージを、ガラス粒子が浮
遊したコロイド液に浸漬し、所定電圧をかけて電気泳動
させることによりイオン化したガラス粒子を非先端部に
付着させる。更に、マスキングテープをはがして焼成す
ることによって、非先端部にガラスの皮膜を形成する。
【００３６】この例によれば、ガラス皮膜を均一に被着
することができ、厚みのコントロールも容易である。更
に、金属からなる皮膜と異なり、皮膜と金メッキ膜とで
電池を構成しないので、耐湿性及び耐腐食性に優れる。
なお、ガラス皮膜は、中間部にのみ設けても良い。
することができ、厚みのコントロールも容易である。更
に、金属からなる皮膜と異なり、皮膜と金メッキ膜とで
電池を構成しないので、耐湿性及び耐腐食性に優れる。
なお、ガラス皮膜は、中間部にのみ設けても良い。
【００３７】また、金メッキ膜を設ける前に、この方法
で非先端部もしくは中間部にガラスの皮膜を形成した
後、先端部を電解金メッキしてもよい。この場合には、
ガラス皮膜上に金メッキが形成されないので、金の消費
量を節約できる。
で非先端部もしくは中間部にガラスの皮膜を形成した
後、先端部を電解金メッキしてもよい。この場合には、
ガラス皮膜上に金メッキが形成されないので、金の消費
量を節約できる。
【００３８】なお、ガラスの皮膜を形成する方法として
は、上記電気泳動法のほか、予め筒状のガラスビーズを
準備しておき、それを金メッキ前あるいは金メッキ後の
ピンに挿入した後、加熱してガラスビーズを軟化させ、
ピンの中間部、あるいは基端部及び中間部にガラス皮膜
を被着する方法でも良い。この場合、製造容易で工数が
少ない点で優れる。
は、上記電気泳動法のほか、予め筒状のガラスビーズを
準備しておき、それを金メッキ前あるいは金メッキ後の
ピンに挿入した後、加熱してガラスビーズを軟化させ、
ピンの中間部、あるいは基端部及び中間部にガラス皮膜
を被着する方法でも良い。この場合、製造容易で工数が
少ない点で優れる。
【００３９】更に、同様な方法は耐熱性樹脂の皮膜を形
成する場合にも用いることが出来る。即ち、筒状に成形
した耐熱性樹脂前駆体（プリプレグ）を、前述の筒状の
ガラスビーズと同様にして、ピンに挿入し、加熱・硬化
して、耐熱性樹脂皮膜をピンの中間部等に被着形成す
る。
成する場合にも用いることが出来る。即ち、筒状に成形
した耐熱性樹脂前駆体（プリプレグ）を、前述の筒状の
ガラスビーズと同様にして、ピンに挿入し、加熱・硬化
して、耐熱性樹脂皮膜をピンの中間部等に被着形成す
る。
【００４０】この場合も、ガラス皮膜と同様に、電池を
構成しない利点がある他、加熱温度がガラスビーズの場
合より低くて足りる点で、更に製造容易となる。その
他、ニッケルメッキ膜５のみピン４の全面に設けた後、
同様に電気泳動法を用いてガラス皮膜を設けたり、筒状
のガラスビーズや樹脂前駆体ビーズを用いてガラス皮膜
や、樹脂皮膜を設けた上で、これらに被覆されてない先
端部あるいは先端部及び基端部を金メッキしてもよい。
これらによれば、更に金の消費量を削減できる利点があ
る。また、ビーズを用いる場合には製造用容易で、工数
が少なくて済む利点も前述と同様に得られる。
構成しない利点がある他、加熱温度がガラスビーズの場
合より低くて足りる点で、更に製造容易となる。その
他、ニッケルメッキ膜５のみピン４の全面に設けた後、
同様に電気泳動法を用いてガラス皮膜を設けたり、筒状
のガラスビーズや樹脂前駆体ビーズを用いてガラス皮膜
や、樹脂皮膜を設けた上で、これらに被覆されてない先
端部あるいは先端部及び基端部を金メッキしてもよい。
これらによれば、更に金の消費量を削減できる利点があ
る。また、ビーズを用いる場合には製造用容易で、工数
が少なくて済む利点も前述と同様に得られる。
【００４１】尚、上記５つの実施例においては、ピング
リッドアレイパッケージに本発明を適用した場合を示し
た。即ち、外部接続端子としてピンを用いた場合につい
て説明したが、フラットパッケージ等の形成において用
いられるリード（外部リード）について本発明を適用し
てもよい。
リッドアレイパッケージに本発明を適用した場合を示し
た。即ち、外部接続端子としてピンを用いた場合につい
て説明したが、フラットパッケージ等の形成において用
いられるリード（外部リード）について本発明を適用し
てもよい。
【００４２】また、半田に濡れる皮膜として、金メッキ
膜を用いた場合について示したが、その他、銀メッキや
スズメッキ、半田メッキ等の半田に濡れる皮膜を形成し
ても良い。また、外部接続端子として、コバール（Ｆｅ
−Ｎｉ−Ｃｏ合金）を用いた例を示したが、４２アロイ
（Ｆｅ−Ｎｉ合金）や、銅合金を用いても良い。
膜を用いた場合について示したが、その他、銀メッキや
スズメッキ、半田メッキ等の半田に濡れる皮膜を形成し
ても良い。また、外部接続端子として、コバール（Ｆｅ
−Ｎｉ−Ｃｏ合金）を用いた例を示したが、４２アロイ
（Ｆｅ−Ｎｉ合金）や、銅合金を用いても良い。
【００４３】
【発明の効果】以上のように、この発明の集積回路パッ
ケージは、プリント基板上での取り外し及び再接続を繰
り返しても、外部接続端子先端部の半田量をほぼ一定に
保つことができるので、設計変更の際の半田接続の信頼
性が向上する。従って、頻繁に設計変更しても同じ集積
回路チップを使用することができる。
ケージは、プリント基板上での取り外し及び再接続を繰
り返しても、外部接続端子先端部の半田量をほぼ一定に
保つことができるので、設計変更の際の半田接続の信頼
性が向上する。従って、頻繁に設計変更しても同じ集積
回路チップを使用することができる。
【図１】表面実装型の集積回路パッケージをプリント基
板に実装したところの断面図を示し、（ａ）は全体図、
（ｂ）は（ａ）のＢ部拡大図である。
板に実装したところの断面図を示し、（ａ）は全体図、
（ｂ）は（ａ）のＢ部拡大図である。
【図２】挿入実装型の集積回路パッケージをソケットに
実装したところの断面図を示し、（ａ）は全体図、
（ｂ）は（ａ）のＢ部拡大図である。
実装したところの断面図を示し、（ａ）は全体図、
（ｂ）は（ａ）のＢ部拡大図である。
【図３】実施例１に係る集積回路パッケージのピンの皮
膜形成工程を説明する図である。
膜形成工程を説明する図である。
【図４】実施例２に係る集積回路パッケージのピンの皮
膜形成工程を説明する図である。
膜形成工程を説明する図である。
【図５】実施例３に係る集積回路パッケージのピンの皮
膜形成工程を説明する図である。
膜形成工程を説明する図である。
【図６】実施例４に係る集積回路パッケージのピンの皮
膜形成工程を説明する図である。
膜形成工程を説明する図である。
【図７】集積回路パッケージのピン間に修理布線を接続
した状態を示す断面図である。
した状態を示す断面図である。
１ 集積回路パッケージ ２ 絶縁基板 ３ 集積回路チップ ４ ピン ５ ニッケルメッキ膜 ６ 金メッキ膜 ７，８，９ 皮膜 Ｐ パッド Ｑ 挿入孔 Ｓ プリント基板 Ｋ ソケット Ｃ コンタクト Ｈ 半田 Ｒ，Ｒ１，Ｒ２ エッチングレジスト Ｖ 耐熱性樹脂前駆体 Ｊ マスキングジグ Ｗ 修理布線
Claims (21)
- 【請求項１】 外部接続端子を備える電子部品用基板で
あって、該外部接続端子が、半田に濡れる皮膜で被覆さ
れた先端部と、半田に濡れない皮膜で被覆された基端部
および中間部とからなることを特徴とする電子部品用基
板。 - 【請求項２】 外部接続端子を備える電子部品用基板で
あって、該外部接続端子が、半田に濡れる皮膜で被覆さ
れた先端部と、半田に濡れない皮膜で被覆された中間部
と、半田に濡れる皮膜で被覆された基端部とからなるこ
とを特徴とする電子部品用基板。 - 【請求項３】 前記半田に濡れない皮膜が、金属酸化物
の皮膜であることを特徴とする請求項１または２のいず
れかに記載の電子部品用基板。 - 【請求項４】 前記金属酸化物の皮膜が、酸化ニッケル
の皮膜であることを特徴とする請求項３に記載の電子部
品用基板。 - 【請求項５】 前記半田に濡れない皮膜が、亜鉛クロメ
ート皮膜であることを特徴とする請求項１または２のい
ずれかに記載の電子部品用基板。 - 【請求項６】 前記半田に濡れない皮膜が、半田に濡れ
ない金属の皮膜であることを特徴とする請求項１または
２のいずれかに記載の電子部品用基板。 - 【請求項７】 前記半田に濡れない金属の皮膜が、クロ
ム（Ｃｒ）メッキ皮膜であることを特徴とする請求項６
に記載の電子部品用基板。 - 【請求項８】 前記半田に濡れない金属の皮膜が、タン
グステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔ
ｉ）、アルミニウム（Ａｌ）またはクロム（Ｃｒ）を主
成分とする薄膜の皮膜であることを特徴とする請求項６
に記載の電子部品用基板。 - 【請求項９】 前記半田に濡れない皮膜が、耐熱性樹脂
の皮膜であることを特徴とする請求項１または２のいず
れかに記載の電子部品用基板。 - 【請求項１０】 前記耐熱性樹脂の皮膜が、ポリイミド
樹脂の皮膜であることを特徴とする請求項９に記載の電
子部品用基板。 - 【請求項１１】 前記半田に濡れない皮膜が、ガラスま
たはセラミックスの皮膜であることを特徴とする請求項
１または２のいずれかに記載の電子部品用基板。 - 【請求項１２】 外部接続端子を備える電子部品用基板
であって、該外部接続端子が、該外部接続端子の全表面
に形成された半田に濡れる皮膜と、該半田に濡れる皮膜
上であって、該外部接続端子の基端部および中間部、ま
たは中間部に形成された半田に濡れない皮膜とを備える
ことを特徴とする電子部品用基板。 - 【請求項１３】 前記半田に濡れない皮膜が、タングス
テン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、ア
ルミニウム（Ａｌ）またはクロム（Ｃｒ）を主成分とす
る薄膜の皮膜であることを特徴とする請求項１２に記載
の電子部品用基板。 - 【請求項１４】 前記半田に濡れない皮膜が、耐熱性樹
脂、ガラスまたはセラミックスの皮膜であることを特徴
とする請求項１２に記載の電子部品用基板。 - 【請求項１５】 外部接続端子を備える電子部品用基板
の製造方法であって、該外部接続端子の全表面に下地層
および半田に濡れる金属皮膜を形成する工程と、該外部
接続端子の基端部および中間部、または中間部の該半田
に濡れる金属皮膜を除去し、前記下地層を露出させる工
程と、該露出した下地層に、半田に濡れない皮膜を形成
する工程とを備えることを特徴とする電子部品用基板の
製造方法。 - 【請求項１６】 外部接続端子を備える電子部品用基板
の製造方法であって、該外部接続端子の全表面に下地層
を形成する工程と、該外部接続端子の基端部および中間
部、または中間部の該下地層に、半田に濡れない皮膜を
形成する工程と、該半田に濡れない皮膜を形成しなっか
た前記下地層に、半田に濡れる金属皮膜を形成する工程
とを備えることを特徴とする電子部品用基板の製造方
法。 - 【請求項１７】 前記下地層に半田に濡れない皮膜を形
成する工程が、該下地層の熱酸化処理工程であることを
特徴とする請求項１５または１６のいずれかに記載の電
子部品用基板の製造方法。 - 【請求項１８】 前記下地層に半田に濡れない皮膜を形
成する工程が、該下地層の陽極化成処理工程であること
を特徴とする請求項１５または１６のいずれかに記載の
電子部品用基板の製造方法。 - 【請求項１９】 前記下地層に半田に濡れない皮膜を形
成する工程が、電気泳動法によるガラス粒子の堆積処理
およびそれに続くガラス焼成処理工程であることを特徴
とする請求項１５または１６のいずれかに記載の電子部
品用基板の製造方法。 - 【請求項２０】 外部接続端子を備える電子部品用基板
の製造方法であって、該外部接続端子の全表面に半田に
濡れる金属皮膜を形成する工程と、該外部接続端子に、
ガラスまたは耐熱性樹脂前駆体からなる筒状体を挿入す
る工程と、該筒状体の加熱により、該外部接続端子の基
端部および中間部、または中間部の該半田に濡れる金属
皮膜上に、ガラスまたは耐熱性有機高分子樹脂からなる
半田に濡れない皮膜を被着形成する工程とを備えること
を特徴とする電子部品用基板の製造方法。 - 【請求項２１】 外部接続端子を備える電子部品用基板
の製造方法であって、該外部接続端子に、ガラスまたは
耐熱性樹脂前駆体からなる筒状体を挿入する工程と、該
筒状体の加熱により、該外部接続端子の基端部および中
間部、または中間部の該半田に濡れる金属皮膜上に、ガ
ラスまたは耐熱性有機高分子樹脂からなる半田に濡れな
い皮膜を被着形成する工程と、該外部接続端子の該半田
に濡れない皮膜を形成しなかった表面に半田に濡れる金
属皮膜を形成する工程とを備えることを特徴とする電子
部品用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7145520A JPH08316399A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | 電子部品用基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7145520A JPH08316399A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | 電子部品用基板とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08316399A true JPH08316399A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=15387134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7145520A Pending JPH08316399A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | 電子部品用基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08316399A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11340406A (ja) * | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Amp Japan Ltd | 小形接続ピンの製造方法 |
| WO2005113982A1 (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | インバータ装置一体型電動圧縮機及びこれを適用した車両用空調装置 |
| JP2013026238A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-02-04 | Ibiden Co Ltd | 実装用基板、及び電子デバイス |
| JP2020031086A (ja) * | 2018-08-20 | 2020-02-27 | リバーエレテック株式会社 | 電子部品パッケージ及びその製造方法 |
| JP2020202332A (ja) * | 2019-06-12 | 2020-12-17 | 新光電気工業株式会社 | リードピン及びリードピン付き配線基板 |
-
1995
- 1995-05-18 JP JP7145520A patent/JPH08316399A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11340406A (ja) * | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Amp Japan Ltd | 小形接続ピンの製造方法 |
| WO2005113982A1 (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | インバータ装置一体型電動圧縮機及びこれを適用した車両用空調装置 |
| JP2013026238A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-02-04 | Ibiden Co Ltd | 実装用基板、及び電子デバイス |
| JP2020031086A (ja) * | 2018-08-20 | 2020-02-27 | リバーエレテック株式会社 | 電子部品パッケージ及びその製造方法 |
| JP2020202332A (ja) * | 2019-06-12 | 2020-12-17 | 新光電気工業株式会社 | リードピン及びリードピン付き配線基板 |
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