JPH08313933A

JPH08313933A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH08313933A
Application number: JP12139495A
Authority: JP
Inventors: Ryuji Nishikawa; 龍司西川
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1995-05-19
Filing date: 1995-05-19
Publication date: 1996-11-29

Abstract

(57)【要約】【目的】液晶表示セル内に不良画素の救済時の、光漏
れを防ぐ遮光手段を設け歩留まりを向上するとともに、
表示品位の低下を防ぐ。【構成】対向基板側に、レーザーによる短絡接続部
（ＣＴ）の形成位置に、第３の遮光膜（２２）を形成
し、短絡接続に供給されたＴＦＴアレイ基板側の第１の
遮光膜（１１）中に穴が開き、十分に変調されない光が
漏れ出て表示品位を下げるのを防ぎ、従って歩留まりを
向上する。また、このような付加要素は、従来の構成要
素である第２の遮光膜（２１）と同時に形成されるので
工数の増加はなく、低コストである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
型の液晶表示装置に関し、欠陥修正後の表示品位の悪化
を防ぐものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は小型、薄型、低消費電力
などの利点があり、ＯＡ機器、ＡＶ機器などの分野で実
用化が進んでいる。特に、液晶駆動用の透明電極を交差
配置して表示点をマトリクス的に選択しながら電圧を印
加するマトリクス型、更には、液晶駆動用の各画素容量
にスイッチ素子を接続形成し、線順次に書き換え画素を
選択しながら、信号電圧を静電的に常時保持させていく
アクティブマトリクス型は、高精細、高コントラスト比
の動画表示が可能となり、パーソナルコンピュータのデ
ィスプレイ、テレヴィジョンなどに実用化されている。

【０００３】アクティブマトリクス型液晶表示装置は、
走査線であるゲートラインと信号線であるドレインライ
ンが同一基板上に交差して配置され、画素容量を構成す
る表示電極がマトリクス状に形成されている。両ライン
の各交差部にはスイッチ素子として薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ：thin film transistor）が形成され、各表示
電極に接続されている。このＴＦＴアレイ基板は、細隙
を持って共通電極を一面に有した対向基板と貼り合わさ
れ、内部に液晶を封入することにより、液晶表示装置と
して組み立てられる。表示電極は液晶及び共通電極を区
画して画素容量を構成し、画素容量にはＴＦＴから選択
的に印加された電圧が保持され、液晶層中に静電界が形
成される。液晶は誘電率及び屈折率に異方性を有してお
り、各画素容量に形成された電界に従ってその配向状態
が変化して透過光を変調する。透過率は電界強度に依存
して微調整されるため、ＴＦＴにより画素ごとに印加電
圧を指定することにより、所望の表示画面が作成され
る。

【０００４】図８は従来の液晶表示装置の平面図であ
り、図９はそのＥ−Ｅ線に沿った断面図である。ガラス
基板（５０）上に、不透光性材料からなる遮光膜（５
１）及び透明導電層からなる補助容量電極（５２）が形
成されており、これらを覆う全面には層間絶縁膜（５
３）が形成されている。層間絶縁膜（５３）上には透明
導電層からなる表示電極（５４Ｐ）、ドレインライン
（５４Ｌ）、ソース電極（５４Ｓ）及びドレイン電極
（５４Ｄ）が形成されている。前記遮光膜（５１）は、
表示電極（５４Ｐ）の周辺領域に配されている。また、
表示電極（５４Ｐ）の全域は補助容量電極（５２）に重
畳されて電荷保持用の補助容量を構成している。ソース
電極（５４Ｓ）とドレイン電極（５４Ｄ）にわたる領域
上には、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）などの半導
体層（５５）、ゲート絶縁膜（５６）及びゲート電極
（５７Ｇ）が形成されてＴＦＴをなし、ＴＦＴ部と同一
構造のゲートライン（５７Ｌ）が行方向に延在され、前
記ドレインライン（５４Ｌ）に交差している。

【０００５】以上の構成のＴＦＴアレイ基板の対向位置
には、ガラス基板（６０）上に、透明導電層からなる共
通電極（６１）を有した対向基板があり、間に液晶層
（７０）を挟んで貼り合わされている。共通電極（６
１）と液晶層（７０）は、表示電極（５４Ｐ）により区
画されて液晶駆動用の画素容量を構成している。このよ
うな液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板を、遮光膜（５
１）をパタニーングする第１のフォトリソグラフィー
と、ソース・ドレイン配線（５４）をパタニーングする
第２のフォトリソグラフィーと、ゲート配線（５７）、
ゲート絶縁膜（５６）及び半導体層（５５）をパタニー
ングする第３のフォトリソグラフィーの３回のフォトリ
ソグラフィーにより製造することができ、低コストであ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図８及び図９に示した
従来の液晶表示装置では、欠陥対策が確立されておら
ず、歩留まりの向上が果たされなかった。特に、基板の
大型化や高精細化が進むと、断線や異物による層間短絡
が発生しやすくなるため、欠陥部の修正による救済が必
要不可欠になってくる。

【０００７】

【解決を解決するための手段】本発明は、前述の課題を
解決するために成されたもので、第１に、第１の基板上
に形成され液晶駆動用の画素容量の一方を成す複数の表
示電極、該各表示電極に接続され信号電圧を印加する複
数の薄膜トランジスタ、前記各表示電極に共通に重畳配
置された透明導電層からなり前記各画素容量に並列関係
をもって配置された電荷保持用の補助容量を構成する補
助容量電極、前記表示電極の周辺で前記補助容量電極の
層と連続する不透光層により形成された第１の遮光膜、
及び、前記第１の基板の液晶層を挟んだ対向位置に固定
された第２の基板上に全面的に形成され前記各表示電極
により区画されて前記各画素容量の他方を成す共通電極
を有し、前記画素容量に電圧を印加して液晶の配向を制
御することにより、透過率を変化する液晶表示装置にお
いて、前記第２の基板上には、前記第１の遮光膜と前記
表示電極との重畳領域の一部に対向する第３の遮光膜が
設けられ、前記表示電極へ前記薄膜トランジスタから信
号電圧が印加不能となった前記画素容量に関して前記第
１の基板の前記重畳領域の一部へレーザー照射を行うこ
とにより形成される前記第１の遮光膜、前記補助容量電
極及び前記表示電極との短絡接続部分を覆う構成であ
る。

【０００８】第２に、第１の構成において、前記第２の
基板上には、前記第１の遮光膜よりも面積の小さな第２
の遮光膜が設けられ、前記第３の遮光膜は、前記第２の
遮光膜と同一材料層により形成されている構成である。
第３に、第１の基板上に形成され液晶駆動用の画素容量
の一方を成す複数の表示電極、該各表示電極に接続され
信号電圧を印加する複数の薄膜トランジスタ、前記各表
示電極に共通に重畳配置された透明導電層からなり前記
各画素容量に並列関係をもって配置された電荷保持用の
補助容量を構成する補助容量電極、前記表示電極の周辺
で前記補助容量電極の層と連続する不透光層により形成
された遮光膜、及び、前記第１の基板の液晶層を挟んだ
対向位置に固定された第２の基板上に全面的に形成され
前記各表示電極により区画されて前記各画素容量の他方
を成す共通電極を有し、前記画素容量に電圧を印加して
液晶の配向を制御することにより、透過率を変化する液
晶表示装置において、前記薄膜トランジスタは、前記第
１の基板上に形成された前記遮光膜及び前記補助容量電
極を覆う層間絶縁膜上に形成され、前記表示電極と一体
のソース電極、前記ソース電極に近接配置されたドレイ
ン電極、及び、前記ソース電極と前記ドレイン電極を繋
ぐ半導体層と該半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と
を下層に配したゲート電極からなり、前記遮光膜と前記
表示電極との重畳領域には、前記薄膜トランジスタ部の
前記半導体層、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極と
同一材料層の積層体からなる遮光物が形成され、前記表
示電極へ前記薄膜トランジスタから信号電圧が印加不能
となった前記画素容量に関して前記第１の基板の前記重
畳領域の一部へレーザー照射を行うことにより形成され
る前記遮光膜、前記補助容量電極及び前記表示電極との
短絡接続部分を覆う構成である。

【０００９】第４に、第１から第３のいずれかの構成に
おいて、前記補助容量電極の電圧は、前記薄膜トランジ
スタのドレイン電極及びソース電極に対する電圧が前記
薄膜トランジスタの閾値以下となるように設定されてい
る構成である。第５に、第１から第４のいずれかの構成
において、前記補助容量電極の電圧は、前記表示電極に
印加されると、前記共通電極との電圧差により液晶の配
向が制御され透過率を最小とするように設定されている
構成である。

【００１０】

【作用】本発明の第１の構成で、第２の基板上に、第１
の基板上の表示電極と第１の遮光膜が重畳する領域を覆
うように第３の遮光膜を形成することにより、画素欠陥
が発生した場合、重畳領域においてレーザー照射により
形成された表示電極と補助容量電極との短絡接続部分が
覆われ、表示品位の低下が防がれる。即ち、層間短絡接
続用の材料を補うために前記短絡接続を第１の遮光膜が
存在する領域内に形成するが、この部分は通常、表示に
関わらない画素容量の周縁領域であるため、短絡接続を
形成することで第１の遮光膜に穴が開いても画素容量に
よって十分に変調されない光が透過しないように、第２
の基板側に第３の遮光膜を設けることにより、光が遮断
されて表示品位の低下が防がれる。

【００１１】本発明の第２の構成で、対向基板側に第２
の遮光膜を設け、第３の遮光膜を第２の遮光膜と同一材
料層により形成することで、工数の増加が避けられる。
即ち、第２の遮光膜は液晶層中で屈折された光が画素容
量領域間から漏れでないように設けられた補助用であ
り、画素容量領域間の全域を覆う第１の遮光膜よりも小
さく形成され、両基板の貼り合わせ時のずれにより、平
面位置が移動しても、有効表示領域を縮小しないように
されている。このため、第２の遮光膜は必要不可欠では
にないにしても、不要な要素ではなく、第２の遮光膜と
とともに第３の遮光膜を形成する工程を有することは、
実質的に、工数の増加とはならない。

【００１２】本発明の第３の構成で、表示電極と遮光膜
が重畳する領域に、薄膜トランジスタ部と同一材料層の
半導体層、ゲート絶縁膜層及びゲート電極層の積層体か
らなる遮光物を形成することにより、画素欠陥が発生し
た場合、重畳領域においてレーザー照射により形成され
た表示電極と補助容量電極との短絡部分が覆われ、表示
品位の悪化が防がれる。即ち、層間短絡接続用の材料を
補うために前記短絡接続を遮光膜が存在する領域内に形
成するが、この部分は通常、表示に関わらない画素容量
の周縁領域であるため、短絡接続を形成することで遮光
膜に穴が開いても画素容量によって十分に変調されない
光が透過しないように、遮光物を設けることにより、光
が遮断されて表示品位の低下が防がれる。

【００１３】本発明の第４の構成で、補助容量電極とソ
ース及びドレイン電極間の電圧が、薄膜トランジスタの
閾値以下となるように、補助容量電極の電圧を下げるこ
とにより、補助容量電極の電界効果による薄膜トランジ
スタのリーク電流が抑えられて電圧保持率が高まる。本
発明の第５の構成で、レーザー照射により表示電極を補
助容量電極に短絡接続することで、補助容量電極の電圧
が表示電極に印加され共通電極間との電圧差により液晶
の配向が制御されて透過率を最小とすることにより、欠
陥画素が目立たなくなり、表示品位が回復される。

【００１４】

【実施例】続いて、本発明の実施例を詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施例にかかる液晶表示装置の
平面図であり、図２はそのＡ−Ａ線に沿った断面図、図
３はＢ−Ｂ線に沿った断面図である。ガラスなどの透明
な基板（１０）上には、画素の周辺領域に形成されたＣ
ｒからなる第１の遮光膜（１１）、及び、ＩＴＯにより
全面に形成された補助容量電極（１２）が設けられてい
る。第１の遮光膜（１１）及び補助容量電極（１２）を
覆う全面には、ＳｉＯ2などの層間絶縁膜（１３）が形
成され、層間絶縁膜（１３）上には、液晶駆動用の画素
容量を構成する表示電極（１４Ｐ）がＩＴＯにより形成
され、表示電極（１４Ｐ）の周辺には同じくＩＴＯによ
り形成されたドレインライン（１４Ｌ）が配置され、そ
れぞれ近接部がソース電極（１４Ｓ）及びドレイン電極
（１４Ｄ）となっている。前記第１の遮光膜（１１）は
表示電極（１４Ｐ）の周辺領域に覆われ、表示電極（１
４Ｐ）の縁部にも若干重畳されている。これは、マスク
アライメントの精度を御考慮したもので、少なくとも第
１の遮光膜（１１）の開口部が表示電極（１４Ｐ）から
はみ出ないようにするとともに、画素容量の周縁で配向
が不十分になった領域を遮光してコントラスト比を向上
するものである。また前記補助容量電極（１２）は表示
電極（１４Ｐ）の全域で電荷保持用の補助容量を形成し
ている。表示電極（１４Ｐ）の周辺にはまた、下層にａ
−Ｓｉ（１５）とＳｉＮxからなるゲート絶縁膜（１
６）を配したＡｌからなるゲートライン（１７Ｌ）が形
成され、前記ドレインラインライン（１４Ｌ）に交差配
置されている。ゲートライン（１７Ｌ）の一部はゲート
電極（１７Ｇ）として、ソース及びドレイン電極（１４
Ｓ，１４Ｄ）にわたる領域上に配され、ＴＦＴを構成し
ている。ａ−Ｓｉ（１５）のソース及びドレイン電極
（１４Ｓ，１４Ｄ）との接触界面には燐などのＮ型不純
物が高濃度にドープされて低抵抗化されたＮ+ａ−Ｓｉ
（１５Ｎ）が介在され、ＴＦＴのオーミック特性を得て
いる。

【００１５】一方、液晶層（３０）を挟んだ対向位置に
は、基板（２０）上に、Ｃｒなどの不透光層からなる第
２の遮光膜（２１）及び第３の遮光膜（２２）が形成さ
れ、これら遮光膜（２１，２２）を覆う全面には、ＩＴ
Ｏの共通電極（２３）が形成され、前記表示電極（１４
Ｐ）により区画されて液晶駆動用の画素容量を構成して
いる。第２の遮光膜（２１）は、第１の遮光膜（１１）
と同様、表示電極（１４Ｐ）の周辺領域に、第１の遮光
膜（１１）よりも小さく形成されている。

【００１６】第１の遮光膜（１１）と表示電極（１４
Ｐ）は、マスクアライメントにより高精度に位置合わせ
がなされており、第１の遮光膜（１１）は表示電極（１
４Ｐ）の周辺に、１μｍ以下のマージンをもって重畳さ
れている。従って、画素容量によって変調されない光は
第１の遮光膜（１１）により遮断され、コントラスト比
の低下が防がれている。また、第２の遮光膜（２１）は
補助用の遮光膜であり、液晶層（３０）中での回り込み
光を遮断している。このため、第２の遮光膜（２１）
は、両基板（１０，２０）の貼り合わせ時の位置ずれを
考慮して、第１の遮光膜（１１）よりも２〜３μｍ小さ
く形成され、有効表示領域の損失を防いでいる。

【００１７】本発明は、図１及び図３に示す如く、この
第２の遮光膜（２１）と同一層の第３の遮光膜（２２）
を設け、第１の遮光膜（１１）と表示電極（１４Ｐ）と
の重畳領域の一部に対向する部分を有している構成であ
る。また、本発明では図４に示す如く、補助容量電極
（１２）の電圧（Ｖst）は、共通電極（２３）電圧（Ｖ
com）よりも所定幅引き下げられたレベルにされてい
る。これにより、ソース及びドレイン電極（１４Ｓ，１
４Ｄ）の電圧（Ｖd）の補助容量電極電圧（Ｖst）に対
する電圧差をＴＦＴの閾値以下にして、ＯＦＦ電流を抑
え込むとともに、レーザー照射により、不良画素の表示
電極（１４Ｐ）と補助容量電極（１２）を短絡させるこ
とにより、当該画素の修復がなされる。

【００１８】即ち、ＴＦＴの不良、あるいは修復のため
レーザーによりゲート電極（１７Ｇ）またはドレイン電
極（１４Ｄ）をそれぞれゲートライン（１７Ｌ）または
ドレインライン（１４Ｌ）から切断した場合、当該画素
は駆動不能となるため、レーザー照射により、表示電極
（１４Ｐ）と補助容量電極（１２）を短絡接続させ、補
助容量電極（１２）電圧と共通電極（２１）電圧との電
圧差（Ｖrp）により、液晶を駆動し、欠陥を目立たなく
させる。特に、本実施例ではノーマリ・ホワイト・モー
ドにおいて、補助容量電極電圧（Ｖst）の下げ幅を調整
して共通電極電圧（Ｖcom）との電圧差（Ｖrp）を７
［Ｖ］程度になるように設定することにより、補助容量
電極（１２）の電界効果によるＴＦＴのリークを抑える
には十分であるとともに、表示電極（１４Ｐ）を補助容
量電極（１２）に短絡することで液晶の配向が変化して
透過率が最小になり、欠陥画素が黒となって視認性を悪
化させることが無くなる。

【００１９】レーザー照射は、図３に示す如く、基板の
裏面から行い、層間絶縁膜（１３）中にコンタクトホー
ルを形成しながら第１の遮光膜（１１）と補助容量電極
（１２）を溶融し、短絡接続（ＣＴ）を形成する。この
時、短絡接続（ＣＴ）部を第１の遮光膜（１１）と表示
電極（１４Ｐ）との重畳領域内に形成することで、第１
の遮光膜（１１）材料により接続を形成する溶融金属を
補っている。このため、本発明では、通常は表示電極
（１４Ｐ）の周縁部で第１の遮光膜（１１）により遮光
されている領域において、第１の遮光膜（１１）に穴が
開いて光抜けが生じるのを防ぐために、対向基板側に、
第２の遮光膜（２１）と同一層からなる第３の遮光膜
（２２）を形成して、短絡接続（ＣＴ）部を覆い、視認
の妨害を防いでいる。なお、第２の遮光膜（２１）は補
助用であり、必ずしも必要とはされず、また、第３の遮
光膜（２２）は第２の遮光膜（２１）に接続されている
必要はない。

【００２０】このような、液晶表示装置は以下のように
製造している。まず、基板（１０）上に、Ｃｒをスパッ
タリングにより積層し、これをフォトエッチによりパタ
ーニングして表示領域を取り除き、第１の遮光膜（１
１）を形成する。次に、スパッタリングによりＩＴＯを
成膜し、補助容量電極（１２）を形成する。続いて、ス
パッタリングあるいはＣＶＤによりＳｉＯ2を成膜し、
層間絶縁膜（１３）を形成した後、ＩＴＯのスパッタリ
ングとフォトエッチにより表示電極（１４Ｐ）、ドレイ
ンライン（１４Ｌ）、ソース及びドレイン電極（１４
Ｓ，１４Ｄ）を形成する。次に、ａ−Ｓｉ（１５）、Ｓ
ｉＮx及びＡｌを連続的に成膜した後、同一のレジスト
をマスクに、上層からエッチングすることにより、順
次、ゲートライン（１７Ｌ）とゲート電極（１７Ｇ）、
ゲート絶縁膜（１６）、ａ−Ｓｉ（１５）が形成され、
ゲート電極（１７Ｇ）部は、前記ソース及びドレイン電
極（１４Ｓ，１４Ｄ）にわたる領域に配され、ＴＦＴが
完成される。なお、ＩＴＯの成膜時に燐を含有させてお
くことにより、ａ−Ｓｉの成長中に燐が拡散注入され、
両層の接触界面には、低抵抗のオーミックコンタクト
層、即ちＮ+ａ−Ｓｉ（１５Ｎ）が形成される。

【００２１】一方、基板（２０）上に、Ｃｒをスパッタ
リングにより積層し、これをフォトエッチによりパター
ニングし、第２の遮光膜（２１）と第３の遮光膜（２
２）を形成する。これを覆う全面に、ＩＴＯをスパッタ
リングにより成膜することにより、共通電極（２３）を
形成する。これら基板（１０）で形成したＴＦＴアレイ
基板と、基板（２０）で形成した対向基板を、細隙をも
って貼り合わせ、内部に液晶を封入することにより液晶
表示装置が完成される。

【００２２】このように、図１、図２及び図３に示した
液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板を３枚のマスクで製
造することができるとともに、第３の遮光膜（２２）
は、第２の遮光膜（２１）と同じ工程で形成することが
できるので、工数を増やす必要が無く、製造コストが低
く抑えられている。即ち、第２の遮光膜（２１）は前述
のように、第１の遮光膜（１１）の補助用であり、必ず
しも必要とはされないものの、有用な要素であるため、
第２の遮光膜（２１）と同時に第３の遮光膜（２２）を
形成する工程を設けることは、工数の増加とはならな
い。

【００２３】図５は本発明の第２の実施例にかかる液晶
表示装置の平面図であり、図６はそのＣ−Ｃ線に沿った
断面図、図７はＤ−Ｄ線に沿った断面図である。以下、
これらの図面を参照し、第１の実施例と重複する説明は
適宜割愛しながら第２の実施例を説明する。本実施例で
は、ＴＦＴアレイ基板側において少なくとも、第１の遮
光膜（１１）と表示電極（１４Ｐ）が重畳する領域の一
部に、ＴＦＴのａ−Ｓｉ（１５）層、ゲート絶縁膜（１
６）層及びゲート配線（１７）層と同一層からなる積層
体により遮光物（ＳＤ）を形成している。この構成によ
り、第１の実施例と同様、画素不良が発生した場合、基
板（１０）の裏面より、遮光物（ＳＤ）が形成された部
分にレーザー照射を行い、第１の遮光膜（１１）ととも
に補助容量電極（１２）を溶融し、層間絶縁膜（１３）
にコンタクトホールを形成するとと同時に、溶融メタル
を流し込むことにより、補助容量電極（１２）と表示電
極（１４Ｐ）の短絡接続（ＣＴ）を形成する。

【００２４】補助容量電極（１２）には、第１の実施例
と同様、図４に示した如く、共通電極（２３）電圧より
も所定幅引き下げた電圧（Ｖst）を印加しており、不良
画素では、補助容量電極（１２）電圧（Ｖst）と共通電
極（２３）電圧（Ｖcom）との電圧差（Ｖrp）により、
液晶が駆動され、黒となるので、欠陥が目立たなくされ
る。

【００２５】本実施例では、遮光物（ＳＤ）は、ＴＦＴ
部と同一層からなり、かつ、同一工程により形成され
る。即ち、ａ−Ｓｉ（１５）、ゲート絶縁膜（１６）及
びゲート配線（１７）と同時に、１枚のマスクによりエ
ッチングされるため、工数の増加は無く、製造コストが
低い。また、図６及び図７に示す如く対向基板側におい
て、遮光膜は必ずしも必要では無く、工数を減らすため
に削除することもできる。

【００２６】また、短絡接続（ＣＴ）の形成時、遮光物
（ＳＤ）により、レーザーがストップされるので、レー
ザーのエネルギー強度設定のマージンが広がり、エネル
ギー超過によりレーザー光がＴＦＴアレイ基板を貫通し
て、対向基板側に到達し、これに損傷を与えるのが防が
れ、これに伴って、エネルギーの不足によりコンタクト
ホールが表示電極（１４Ｐ）にまで届かず、短絡接続
（ＣＴ）が形成されないといったことが防がれる。

【００２７】

【発明の効果】以上の説明から明らかな如く、本発明
で、不良画素救済のためのレーザー照射を行う位置にお
いて、対向基板側に遮光膜を形成することにより、レー
ザー短絡接続に供給された溶融部によりＴＦＴアレイ基
板側の遮光膜に穴が開き、そこから、十分に変調されな
い光が漏れて表示品位を下げるといったことが防がれ
る。

【００２８】また、不良画素救済のためのレーザー照射
を行う位置において、ＴＦＴアレイ基板側に、ＴＦＴ部
と同一層の積層体からなる遮光物を形成することによ
り、レーザー短絡接続に供給された溶融部により遮光膜
に穴が開き、そこから十分に変調されない光が漏れて、
表示品位を下げるといったことが防がれる。また、これ
らの対向基板側の遮光膜、及び、ＴＦＴアレイ基板側の
遮光物は、従来の構造に既に含まれている構成要素と同
一の材料からなり、かつ、同一の工程により形成される
ため、工数の増大はなく、製造コストが低い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例にかかる液晶表示装置の
平面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。

【図３】図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。

【図４】本発明の実施例にかかる液晶表示装置の駆動方
法を示す波形図である。

【図５】本発明の第２の実施例にかかる液晶表示装置の
平面図である。

【図６】図５のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。

【図７】図５のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。

【図８】従来の液晶表示装置の平面図である。

【図９】図８のＥ−Ｅ線に沿った断面図である。

【符号の説明】

１０，２０基板１１，２１，２２遮光膜１２補助容量電極１３層間絶縁膜１４ソース・ドレイン配線１５ａ−Ｓｉ１６ゲート絶縁膜１７ゲート配線２３共通電極ＣＴ短絡接続部ＳＤ遮光物

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の基板上に形成され液晶駆動用の画
素容量の一方を成す複数の表示電極、該各表示電極に接
続され信号電圧を印加する複数の薄膜トランジスタ、前
記各表示電極に共通に重畳配置された透明導電層からな
り前記各画素容量に並列関係をもって配置された電荷保
持用の補助容量を構成する補助容量電極、前記表示電極
の周辺で前記補助容量電極の層と連続する不透光層によ
り形成された第１の遮光膜、及び、前記第１の基板の液
晶層を挟んだ対向位置に固定された第２の基板上に全面
的に形成され前記各表示電極により区画されて前記各画
素容量の他方を成す共通電極を有し、前記画素容量に電
圧を印加して液晶の配向を制御することにより、透過率
を変化する液晶表示装置において、前記第２の基板上には、前記第１の遮光膜と前記表示電
極との重畳領域の一部に対向する第３の遮光膜が設けら
れ、前記表示電極へ前記薄膜トランジスタから信号電圧
が印加不能となった前記画素容量に関して前記第１の基
板の前記重畳領域の一部へレーザー照射を行うことによ
り形成される前記第１の遮光膜、前記補助容量電極及び
前記表示電極との短絡接続部分を覆うことを特徴とする
液晶表示装置。
【請求項２】前記第２の基板上には、前記第１の遮光
膜よりも面積の小さな第２の遮光膜が設けられ、前記第
３の遮光膜は、前記第２の遮光膜と同一材料層により形
成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示
装置。
【請求項３】第１の基板上に形成され液晶駆動用の画
素容量の一方を成す複数の表示電極、該各表示電極に接
続され信号電圧を印加する複数の薄膜トランジスタ、前
記各表示電極に共通に重畳配置された透明導電層からな
り前記各画素容量に並列関係をもって配置された電荷保
持用の補助容量を構成する補助容量電極、前記表示電極
の周辺で前記補助容量電極の層と連続する不透光層によ
り形成された遮光膜、及び、前記第１の基板の液晶層を
挟んだ対向位置に固定された第２の基板上に全面的に形
成され前記各表示電極により区画されて前記各画素容量
の他方を成す共通電極を有し、前記画素容量に電圧を印
加して液晶の配向を制御することにより、透過率を変化
する液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタは、前記第１の基板上に形成され
た前記遮光膜及び前記補助容量電極を覆う層間絶縁膜上
に形成され、前記表示電極と一体のソース電極、前記ソ
ース電極に近接配置されたドレイン電極、及び、前記ソ
ース電極と前記ドレイン電極をつなぐ半導体層と該半導
体層上に形成されたゲート絶縁膜とを下層に配したゲー
ト電極からなり、前記遮光膜と前記表示電極との重畳領
域の一部には、前記薄膜トランジスタ部の前記半導体
層、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極と同一材料層
の積層体からなる遮光物が形成され、前記表示電極へ前
記薄膜トランジスタから信号電圧が印加不能となった前
記画素容量に関して前記第１の基板の前記重畳領域の一
部へレーザー照射を行うことにより形成される前記遮光
膜、前記補助容量電極及び前記表示電極との短絡接続部
分を覆うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】前記補助容量電極の電圧は、前記薄膜ト
ランジスタのドレイン電極及びソース電極に対する電圧
が前記薄膜トランジスタの閾値以下となるように設定さ
れていることを特徴とする請求項１から請求項３のいず
れかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】前記補助容量電極の電圧は、前記表示電
極に印加されると、前記共通電極との電圧差により液晶
の配向を制御して透過率を最小とするように設定されて
いることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか
に記載の液晶表示装置。