JPH08311080A - シラシクロヘキサン化合物及びこれを含有する液晶組成物 - Google Patents

シラシクロヘキサン化合物及びこれを含有する液晶組成物

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JPH08311080A
JPH08311080A JP8088883A JP8888396A JPH08311080A JP H08311080 A JPH08311080 A JP H08311080A JP 8088883 A JP8088883 A JP 8088883A JP 8888396 A JP8888396 A JP 8888396A JP H08311080 A JPH08311080 A JP H08311080A
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JP
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trans
chemical
silacyclohexyl
liquid crystal
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Application number
JP8088883A
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English (en)
Inventor
Takaaki Shimizu
孝明 清水
Tsutomu Ogiwara
勤 荻原
Tatsushi Kaneko
達志 金子
Kazuyuki Asakura
和之 朝倉
Takeshi Kano
剛 金生
Mutsuo Nakajima
睦雄 中島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 比較的高いΔεと高いTNIとを同時に備
え、さらに高電圧保持率を有する新規な液晶化合物を提
供する。 【解決手段】 下記一般式(I) 具体的には、例えば4−(トランス−4−(トランス−
4−n−ペンチル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘ
キシル)−1−(2,2−ジフルオロエトキシ)−2,
6−ジフルオロベンゼンで表されるシラシクロヘキサン
化合物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】本発明は、新規なシラシクロヘキサン化合
物、その製造方法、これを含有する液晶組成物及びこの
液晶組成物を含有する液晶表示素子に関する。
【産業上の利用分野】
【0002】
【従来の技術】液晶表示素子は、液晶物質が持つ光学異
方性及び誘電異電性を利用したものであり、その表示様
式によって、TN型(ねじれネマチック型)、STN型
(超ねじれネマチック型)、SBE型(超複屈折型)、
DS型(動的散乱型)、ゲスト・ホスト型、DAP型
(整列相の変形型)及びOMI型(光学的モード干渉
型)等、各種の方式がある。最も一般的なディスプレー
デバイスはシャット−ヘルフリッヒ効果に基づき、ねじ
れネマチック構造を有するものである。
【0003】これらの液晶表示に用いられる液晶物質に
要求される性質は、その表示方式によって若干異なる
が、液晶温度範囲が広いこと、水分、空気、光、熱、電
界等に対して安定であること等は、いずれの表示方式に
おいても共通して要求される。さらに、液晶材料は、低
粘度であり、かつセル中において短いアドレス時間、低
い閾値電圧及び高いコントラストを与えることが望まれ
る。
【0004】現在、単一の化合物でこれらの要求をすべ
て満たす物質はなく、実際には数種〜10数種の液晶化
合物・潜在液晶化合物を混合して得られる液晶性混合物
が使用されている。それ故、構成成分が互いに容易に混
和できることが重要ともなる。
【0005】表示方式に関しては、各種方式のうち、そ
の画像表示品位(高精細性、高コントラスト、高速応答
性)の高さから、TFT(Thin Film Tra
nsistor)素子アレイ又はMIM(Metal
Insulator Metal)素子アレイによるア
クティブマトリクス(AM)駆動のTN(Twiste
d−Nematic)モードが盛んに採用されつつあ
る。その背景には、シリコン半導体産業におけるDRA
M製造技術が液晶パネル製造技術にも応用展開され、コ
ストダウンと技術の進歩の速度を速めたことがある。
【0006】このアクティブマトリクス液晶(AM−L
CD)に用いられるネマチック液晶物質に関しては、そ
の駆動方式特有の理由から、上記要求性質以外にさらに
信号電圧保持特性なるものが求められる。この信号電圧
保持特性とは、所定のフレーム周期内において液晶を含
むTFT画素に印加される信号電圧の低下の度合いを示
す。従って、信号電圧の低下がない場合、すなわち電圧
保持率が100%の場合は、液晶分子の配列が解けずに
コントラストの低下は発生しない。また、この電圧保持
特性は、液晶パネルが使用される環境にも影響され、プ
ロジェクション用液晶パネルのように高強度の光に曝さ
れる環境あるいは車載用液晶パネルのように高温に曝さ
れる環境では、特性寿命が短くなり易い。
【0007】このような観点から、誘電率異方性(Δ
ε)が正の値を持ち、シクロヘキサン環及びベンゼン環
から構成されたコア構造を持つ液晶化合物の組成物とし
て、特開平4−226589、特表平4−50547
7、特表平4−504880、特開平5−33146
4、特表平5−500680、特表平5−50068
1、特表平5−500682、特表平6−501520
にAM−LCD用のものが開示されている。
【0008】また、従来、極性基としてフルオロアルコ
キシ基を含む化合物として、以下の化合物が知られてい
る。
【化16】 (特開平6−40988号公報参照)
【化17】 (特開平6−329573号公報参照)
【化18】 (特表平6−501959号公報参照)
【0009】
【発明が解決しようとする課題】近年、液晶ディスプレ
イーの用途が拡大するにつれて、液晶材料に要求される
特性も益々高度なものになりつつある。特に携帯機器に
関しては、電源がバッテリーであることから、液晶ディ
スプレーの低消費電力化が求められている。このために
は液晶ディスプレーの駆動電圧を下げることが有効な手
段の一つとなる。
【0010】液晶材料の誘電率異方性(Δε)を増加す
ることにより低電圧駆動が可能となるが、Δεの大きい
液晶材料は、反面ネマチック−アイソトロピック転移温
度(TNI)が低いという欠点を持っていた。
【0011】また、低駆動電圧化すなわち低閾値電圧化
を図ると、逆に電圧保持率が低下し、従来の液晶組成物
では、いずれか一方をある程度犠牲にせざるを得なかっ
た。
【0012】この様な観点から、本発明は、比較的高い
Δεと高いTNIとを同時に備え、さらに高電圧保持率を
有し、かつ従来知られていなかった分子構造中にケイ素
原子を含んだシラシクロヘキサン環を有する全く新規な
液晶化合物を提供するとともに、その化合物を混合物の
一成分として含む低電圧駆動が可能な液晶組成物を提供
することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本願の請求項1記載の発
明は、下記一般式(I)で表されるシラシクロヘキサン
化合物である。
【化19】 但し、Rは炭素数1〜10の直鎖状アルキル基、炭素数
3〜8の分枝鎖状アルキル基、炭素数2〜7のアルコキ
シアルキル基、炭素数2〜8のアルケニル基又は炭素数
1〜10のモノ又はジフルオロアルキル基を表す。
【化20】 は1又は4位のケイ素がH、F、Cl又はCH3の置換
基を持つトランス−1−シラ−1,4−シクロヘキシレ
ン基又はトランス−4−シラ−1,4−シクロへキシレ
ン基を表すか又は1,4−シクロヘキシレン基を表す。
j、k及びl(エル)はそれぞれ0又は1を表す。かつ
(j+l(エル))は0又は1を表す。
【化21】 は未置換又は置換基として1個又は2個のフッ素原子を
有する1,4−フェニレン基、1又は4位のケイ素が
H、F、Cl又はCH3の置換基を持つトランス−1−
シラ−1,4−シクロヘキシレン基又はトランス−4−
シラ−1,4−シクロへキシレン基を表すか又は1,4
−シクロヘキシレン基を表す。但し、ここで
【化22】 及び
【化23】 の少なくともいずれか一方は1又は4位のケイ素がH、
F、Cl又はCH3の置換基を持つトランス−1−シラ
−1,4−シクロヘキシレン基又はトランス−4−シラ
−1,4−シクロへキシレン基を表す。L1及びL2はそ
れぞれH又はFを表す。m及びnはそれぞれ0、1又は
2で且つm+nが2、3又は4となる数を表す。Xは
H、F又はClを表す。
【0014】また本願の請求項2記載の発明は、請求項
1記載のシラシクロヘキサン化合物を含有する液晶組成
物である。
【0015】また本願の請求項3記載の発明は、請求項
1記載のシラシクロヘキサン化合物においてkが1であ
る化合物を少なくとも1種以上含有する液晶組成物であ
る。
【0016】また本願の請求項4記載の発明は、一般式
(II)〜(V)
【化24】
【化25】
【化26】
【化27】 (ここでR’は炭素数2〜7のアルキル基、アルコキシ
アルキル基、モノ又はジフルオロアルキル基、アルケニ
ル基を表す。aは0又は1を表す。
【化28】 及び
【化29】 は、それぞれトランス−1−シラ−1,4−シクロヘキ
シレン基、トランス−4−シラ−1,4−シクロへキシ
レン基又はトランス−1,4−シクロヘキシレン基のい
ずれかを表す。ZはF、Cl、OCHF2、OCF3、O
(CH2m(CF2nX、CF3又は炭素数5以下のア
ルコキシ基を表す。m、n及びXの定義は請求項1と同
じである。Y1、Y2、Y3及びY4はそれぞれH又はFを
表す。)からなる群より選択される1種又は2種以上の
化合物と請求項1記載のシラシクロヘキサン化合物とを
含有することを特徴とする液晶組成物。
【0017】また本願の請求項5記載の発明は、一般式
(II)及び(III)のシラシクロヘキサン化合物に
おいてaが1である化合物の1種又は2種以上の化合物
を含有することを特徴とする請求項4に記載の液晶組成
物。
【0018】また本願の請求項6記載の発明は、請求項
1記載の一般式(I)のシラシクロヘキサン化合物にお
いてkが1である化合物を含有することを特徴とする請
求項4に記載の液晶組成物。
【0019】また本願の請求項7記載の発明は、一般式
(VI)及び(VII)
【化30】
【化31】 (ここでR’及びR”はそれぞれ独立して炭素数1〜7
のアルキル基、以下炭素数2〜7のアルコキシアルキル
基、モノ又はジフルオロアルキル基、アルケニル基を表
す。aは0又は1を表す。
【化32】 及び
【化33】 は、それぞれトランス−1−シラ−1,4−シクロヘキ
シレン基、トランス−4−シラ−1,4−シクロへキシ
レン基又はトランス−1,4−シクロヘキシレン基のい
ずれかを表す。ZはF、Cl、OCHF2、OCF3、O
(CH2m(CF2nX、CF3又は炭素数5以下のア
ルコキシ基を表す。m、n及びXの定義は請求項1と同
じである。Y1、Y2、Y3、Y4及びY5はそれぞれH又
はFを表す。)からなる群から選択される1種又は2種
以上の化合物と、請求項1記載のシラシクロヘキサン化
合物又は請求項2〜5記載の液晶組成物の1種又は2種
以上とを含有することを特徴とする液晶組成物である。
【0020】さらに本願請求項8記載の発明は、上記液
晶組成物を含有することを特徴とする液晶表示素子であ
る。
【0021】次に、前記一般式(I)で表されるシラシ
クロヘキサン化合物の具体例を示して本発明をさらに詳
細に説明する。
【0022】本発明の新規な環構造としては、以下のト
ランス−1−又はトランス−4−シラシクロヘキサン環
を含む還構造が挙げられる。
【化34】
【化35】
【化36】
【化37】
【化38】
【化39】
【化40】
【化41】
【化42】
【化43】
【化44】
【化45】
【化46】
【化47】
【化48】
【化49】
【化50】
【化51】
【化52】
【化53】
【化54】
【化55】
【化56】
【化57】
【化58】
【0023】なお、Rは以下のいずれかの基を表す。 (a)炭素数1〜10の直鎖状アルキル基、即ち、メチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−
ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オ
クチル基、n−ノニル基又はn−デシル基。 (b)炭素数3〜8の分枝鎖状アルキル基、即ち、イソ
プロピル基、sec−ブチル基、イソブチル基、1−メ
チルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル
基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3
−メチルペンチル基、1−エチルペンチル基、1−メチ
ルヘキシル基、2−メチルヘキシル基、3−メチルヘキ
シル基、2−エチルヘキシル基、3−エチルヘキシル
基、1−メチルヘプチル基、2−メチルヘプチル基又は
3−メチルヘプチル基。 (c)炭素数2〜7のアルコキシアルキル基、即ち、メ
トキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル
基、ブトキシメチル基、ペントキシメチル基、ヘキシロ
キシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、
プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、メトキシプロ
ピル基、エトキシプロピル基、プロポキシプロピル基、
ブトキシプロピル基、メトキシブチル基、エトキシブチ
ル基、プロポキシブチル基、メトキシペンチル基、エト
キシペンチル基又はメトキシヘキシル基。 (d)炭素数2〜8のアルケニル基、即ち、ビニル基、
1−プロペニル基、アリル基、1−ブテニル基、3−ブ
テニル基、イソプレニル基、1−ペンテニル基、3−ペ
ンテニル基、4−ペンテニル基、ジメチルアリル基、1
−ヘキセニル基、3−ヘキセニル基、5−ヘキセニル
基、1−ヘプテニル基、3−ヘプテニル基、6−ヘプテ
ニル基又は7−オクテニル基。 (e)炭素数1〜10のモノ又はジフルオロアルキル
基、即ち、フルオロメチル基、1−フルオロエチル基、
1−フルオロプロピル基、1−フルオロブチル基、1−
フルオロペンチル基、1−フルオロヘキシル基、1−フ
ルオロヘプチル基、1−フルオロオクチル基、1−フル
オロノニル基、1−フルオロデシル基、2−フルオロエ
チル基、2−フルオロプロピル基、2−フルオロブチル
基、2−フルオロペンチル基、2−フルオロヘキシル
基、2−フルオロヘプチル基、2−フルオロオクチル
基、2−フルオロノニル基、2−フルオロデシル基、3
−フルオロプロピル基、3−フルオロブチル基、3−フ
ルオロペンチル基、3−フルオロヘキシル基、3−フル
オロヘプチル基、3−フルオロオクチル基、3−フルオ
ロノニル基、3−フルオロデシル基、4−フルオロブチ
ル基、4−フルオロペンチル基、4−フルオロヘキシル
基、4−フルオロヘプチル基、4−フルオロオクチル
基、4−フルオロノニル基、4−フルオロデシル基、5
−フルオロペンチル基、5−フルオロヘキシル基、5−
フルオロヘプチル基、5−フルオロオクチル基、5−フ
ルオロノニル基、5−フルオロデシル基、6−フルオロ
ヘキシル基、6−フルオロヘプチル基、6−フルオロオ
クチル基、6−フルオロノニル基、6−フルオロデシル
基、7−フルオロヘプチル基、7−フルオロオクチル
基、7−フルオロノニル基、7−フルオロデシル基、8
−フルオロオクチル基、8−フルオロノニル基、8−フ
ルオロデシル基、9−フルオロノニル基、9−フルオロ
デシル基、10−フルオロデシル基、ジフルオロメチル
基、1,1−ジフルオロエチル基、1,1−ジフルオロ
プロピル基、1,1−ジフルオロブチル基、1,1−ジ
フルオロペンチル基、1,1−ジフルオロヘキシル基、
1,1−ジフルオロヘプチル基、1,1−ジフルオロオ
クチル基、1,1−ジフルオロノニル基、1,1−ジフ
ルオロデシル基、2,2−ジフルオロエチル基、2,2
−ジフルオロプロピル基、2,2−ジフルオロブチル
基、2,2−ジフルオロペンチル基、2,2−ジフルオ
ロヘキシル基、2,2−ジフルオロヘプチル基、2,2
−ジフルオロオクチル基、2,2−ジフルオロノニル
基、2,2−ジフルオロデシル基、3,3−ジフルオロ
プロピル基、3,3−ジフルオロブチル基、3,3−ジ
フルオロペンチル基、3,3−ジフルオロヘキシル基、
3,3−ジフルオロヘプチル基、3,3−ジフルオロオ
クチル基、3,3−ジフルオロノニル基、3,3−ジフ
ルオロデシル基、4,4−ジフルオロブチル基、4,4
−ジフルオロペンチル基、4,4−ジフルオロヘキシル
基、4,4−ジフルオロヘプチル基、4,4−ジフルオ
ロオクチル基、4,4−ジフルオロノニル基、4,4−
ジフルオロデシル基、5,5−ジフルオロペンチル基、
5,5−ジフルオロヘキシル基、5,5−ジフルオロヘ
プチル基、5,5−ジフルオロオクチル基、5,5−ジ
フルオロノニル基、5,5−ジフルオロデシル基、6,
6−ジフルオロヘキシル基、6,6−ジフルオロヘプチ
ル基、6,6−ジフルオロオクチル基、6,6−ジフル
オロノニル基、6,6−ジフルオロデシル基、7,7−
ジフルオロヘプチル基、7,7−ジフルオロオクチル
基、7,7−ジフルオロノニル基、7,7−ジフルオロ
デシル基、8,8−ジフルオロオクチル基、8,8−ジ
フルオロノニル基、8,8−ジフルオロデシル基、9,
9−ジフルオロノニル基、9,9−ジフルオロデシル基
又は10,10−ジフルオロデシル基。
【0024】W、W1、W2は、各々相互に独立してH、
F、Cl又はCH3を表す。L1、L2、L3及びL4はそ
れぞれH又はFを表す。XはH、F又はClを表す。
【0025】次に、前記一般式(I)で表されるシラシ
クロヘキサン化合物の部分骨格構造
【化59】 の具体例としては、以下のものが挙げられる。
【化60】
【化61】
【化62】
【化63】
【0026】次に、前記一般式(I)で表されるシラシ
クロヘキサン化合物において
【化64】
【化65】 であり、kが1、l(エル)が0である場合の部分骨格
構造
【化66】 の具体例としては、以下のものが挙げられる。
【化67】
【化68】
【化69】
【化70】
【化71】
【化72】
【化73】
【化74】
【化75】
【化76】
【化77】
【化78】
【化79】
【化80】
【化81】
【化82】
【化83】
【化84】
【化85】
【化86】
【化87】
【化88】
【0027】次に、前記一般式(I)で表されるシラシ
クロヘキサン化合物において
【化89】
【化90】 であり、kが1、l(エル)が1である場合の部分骨格
構造
【化91】 の具体例としては、以下のものが挙げられる。
【化92】
【化93】
【化94】
【化95】
【化96】
【化97】
【化98】
【化99】
【化100】
【化101】
【化102】
【化103】
【化104】
【化105】
【化106】
【化107】
【化108】
【化109】
【化110】
【化111】
【化112】
【化113】
【0028】これらの具体例のうち、特に以下のものが
好ましい。
【0029】環構造については、前記一般式(I)にお
いて(I1)、(I3)、(I5)、(I7)、(I10)、
(I12)、(I15)、(I17)、(I20)、(I22)又
は(I24)で表されるものが好ましい。
【0030】Rについては、以下のいずれかの基が好ま
しい。 (e)炭素数2〜7の直鎖状アルキル基、即ち、エチル
基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、
n−ヘキシル基又はn−ヘプチル基。 (f)分枝鎖状アルキル基のうち、イソプロピル基、1
−メチルブチル基、sec−ブチル基、イソブチル基、
1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチル
ブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル
基又は2−エチルヘキシル基。 (g)炭素数2〜6のアルコキシアルキル基、即ち、メ
トキシメチル基、メトキシプロピル基、メトキシペンチ
ル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、プロポキ
シメチル基又はペントキシメチル基。 (h)アルケニル基のうち、ビニル基、1−プロペニル
基、3−ブテニル基、1−ペンテニル基、3−ペンテニ
ル基、4−ペンテニル基、1−ヘキセニル基、5−ヘキ
セニル基、6−ヘプテニル基又は7−オクテニル基。 (i)モノ又はジフルオロアルキル基のうち、2−フル
オロエチル基、2−フルオロプロピル基、2−フルオロ
ブチル基、2−フルオロペンチル基、2−フルオロヘキ
シル基、2−フルオロヘプチル基、4−フルオロブチル
基、4−フルオロペンチル基、4−フルオロヘキシル
基、4−フルオロヘプチル基、5−フルオロペンチル
基、5−フルオロヘキシル基、5−フルオロヘプチル
基、6−フルオロヘキシル基、6−フルオロヘプチル
基、7−フルオロヘプチル基、2,2−ジフルオロエチ
ル基、2,2−ジフルオロプロピル基、2,2−ジフル
オロブチル基、2,2−ジフルオロペンチル基、2,2
−ジフルオロヘキシル基、2,2−ジフルオロヘプチル
基、4,4−ジフルオロブチル基、4,4−ジフルオロ
ペンチル基、4,4−ジフルオロヘキシル基、4,4−
ジフルオロヘプチル基、5,5−ジフルオロペンチル
基、5,5−ジフルオロヘキシル基、5,5−ジフルオ
ロヘプチル基、6,6−ジフルオロヘキシル基、6,6
−ジフルオロヘプチル基又は7,7−ジフルオロヘプチ
ル基。
【0031】W、W1、W2についてはH、F又はCH3
基が好ましい。
【0032】部分骨格構造
【化114】 については、以下のものが好ましい。
【化115】
【化116】
【0033】部分骨格構造
【化117】 については、以下のものが好ましい。
【化118】
【化119】
【化120】
【化121】
【化122】
【化123】
【化124】
【化125】
【化126】
【化127】
【化128】
【化129】
【0034】部分骨格構造
【化130】 については、以下のものが好ましい。
【化131】
【化132】
【化133】
【化134】
【化135】
【化136】
【化137】
【化138】
【化139】
【化140】
【化141】
【0035】次に、本発明の前記一般式(I)で表され
るシラシクロヘキサン化合物の製造方法について説明す
る。なお、以下の製造法で一次原料として用いられる
【化142】 および
【化143】 は、例えば本発明者による発明に係る出願である特願平
6−78125号及び特願平6−154219号で紹介
される方法で得ることができる。
【0036】(1)反応1
【化144】 あるいは
【化145】 および
【化146】 については、以下の経路による。
【化147】 または
【化148】 ここで、Arはフェニル基又はトリル基を表す。RはA
r(出発原料の時存在し、目的物の時は不在であ
る。)、炭素数1〜10の直鎖状アルキル基、炭素数3
〜8の分枝鎖状アルキル基、炭素数2〜8のアルケニル
基、炭素数2〜7のアルコキシアルキル基又は炭素数1
〜10のモノ又はジフルオロアルキル基を表す。
【0037】すなわち、ケイ素上に置換基を有するシラ
シクロヘキサノンとグリニヤー試薬等の有機金属試薬を
反応させ、3級アルコールを得る。次に、得られたアル
コール化合物を加水分解するか或は酸触媒で脱水反応を
行った後、生じた二重結合を水素添加することによりシ
ラシクロヘキサン化合物を得る。次に、シリル保護基を
酸性下で加水分解することで外し、フェノール化合物を
得る。得られたフェノール化合物をNaHでナトリウム
塩に変えた後、フルオロアルキルハライド(ハロゲンと
してはBr又はI)を反応させ、極性基(−O(C
2m(CF2nX)を形成する。続いて、アリールシ
ラシクロヘキサン化合物を求電子試薬によるデシリレー
ション反応でハロシラシクロヘキサン化合物とし、更に
還元反応を行い、目的のケイ素上に水素原子を有するシ
ラシクロヘキサン化合物を得る。
【0038】(2)反応2
【化149】 および
【化150】 については、以下の経路による。
【化151】
【0039】すなわち、対応するホスホニウム塩から塩
基の作用で燐イリド化合物を得、これとシラシクロヘキ
サンカルバルデヒドによるWittig反応でオレフィ
ン化合物を得る。次に、得られたオレフィン化合物の二
重結合を接触還元により水素添加して飽和化合物を得
る。以後、前述の反応1と同様にシリル保護基を外し、
フルオロアルキルハライド(ハロゲンとしてはBr又は
I)と反応させた後、デシリレーション反応、還元反応
を行い、目的物を得る。
【0040】
【化152】 については、以下の経路による。
【化153】
【0041】すなわち、シラシクロヘキサノンとグリニ
ヤー試薬等の有機金属試薬を反応させ、3級アルコール
を得る。以下、前述の反応1と同様にシリル保護基を外
し、フルオロアルキルハライド(ハロゲンとしてはBr
又はI)と反応させた後、デシリレーション反応、還元
反応を行い、目的物を得る。
【0042】(4)反応4
【化154】 については、以下の経路による。
【化155】
【0043】すなわち、対応するホスホニウム塩とシク
ロヘキサンカルバルデヒド化合物とのWittig反応
でオレフィン化合物を得る。以下、反応2と同様にして
目的物を得る。
【0044】(5)反応5
【化156】 については、以下の経路による。
【化157】
【0045】すなわち、対応するホスホニウム塩から塩
基の作用で燐イリド化合物を得、これとシクロヘキサン
カルバルデヒド化合物によるWittig反応でオレフ
ィン化合物を得る。以下、反応2と同様にして目的物を
得る。
【0046】(6)反応6
【化158】 あるいは
【化159】 および
【化160】 については、以下の経路による。
【化161】
【0047】すなわち、反応1においてR=Arなる化
合物
【化162】 を出発原料とし、求電子試薬例えば一塩化ヨウ素等によ
るハロデシリレーション、及び引き続き還元反応、モノ
ハロゲネーションを行い、ヒドロハロゲノシラン化合物
を得る。これとグリニヤー試薬の反応により目的物を得
る。
【0048】(7)反応7
【化163】 については、以下のような経路による。
【化164】
【0049】すなわち、反応2においてR=Arなる化
合物
【化165】 を出発原料とし、求電子試薬によるハロデシリレーショ
ン、及び引き続き還元反応、モノハロゲネーションを行
い、ヒドロハロゲノシラン化合物を得る。次に、これと
グリニヤー試薬の反応により目的物を得る。
【0050】(8)反応8
【化166】
【化167】
【化168】
【化169】
【化170】
【化171】
【化172】 および
【化173】 については、例えば以下のような経路による。
【0051】すなわち、反応1と同様にしてケイ素上に
置換基を有するシラシクロヘキサノンと有機グリニヤー
試薬を反応させてシラシクロヘキサン化合物を得、次い
で求電子試薬によるデシリレーション反応でハロシラシ
クロヘキサン化合物とし、さらに還元反応を行い、中間
【化174】 を得る。
【0052】
【化175】
【0053】その後、上記中間体[化174]と各種有
機グリニヤー試薬を反応させ、ケイ素上に上記各種置換
基を導入する。次に、シリル保護基を酸性下で加水分解
することによって外し、フェノール化合物を得る。さら
に、これとNaHを反応させ、ナトリウム塩に変えた
後、フルオロアルキルハライド(ハロゲンとしてはBr
又はI)を反応させ、以下のように各目的化合物を得
る。
【化176】
【化177】
【化178】
【化179】
【化180】
【化181】
【化182】
【化183】
【0054】(9)反応9
【化184】 および
【化185】 については、例えば以下のような経路による。
【0055】すなわち、ケイ素上に置換基を有するシラ
シクロヘキシルシクロヘキサノンと有機グリニヤー試薬
とから反応8と同様にして中間体
【化186】 を得る。
【化187】
【0056】上記中間体と各種有機グリニヤー試薬とか
ら反応8と同様にして以下のように各目的化合物を得
る。
【化188】
【化189】
【0057】(10)反応10
【化190】 については、例えば以下のような経路による。
【0058】すなわち、ケイ素上に置換基を有するシラ
シクロヘキサノンと有機グリニヤー試薬とから反応8と
同様にして中間体
【化191】 を得る。
【化192】
【0059】上記中間体と各種グリニヤー試薬とから反
応8と同様にして以下のように各目的化合物を得る。
【化193】
【0060】アリール基から水素原子に変換させるの
に、まずアリール基を求電子試薬(ハロゲン化物)によ
りハロデシリレーションし、水素原子に変換させるクロ
ロ原子を水素化ナトリウム、水素化カルシウム、トリア
ルキルシラン類、ボラン類、ジアルキルアルミニウム等
の金属水素化物、水素化アルミニウムリチウム、水素化
ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ
素カリウム、水素化ホウ素トリブチルアンモニウム等の
錯水素化化合物(Complex hydride)類
等と温和な条件で反応させて、水素原子に変換する。
【0061】以上、一般式(I)、具体的には(I1
〜(I25)においてW、W1及びW2がHである化合物の
製造方法を述べたが、W、W1及びW2が他の置換基(C
l、F又はCH3)の場合は、以下のように製造され
る。
【化194】
【0062】すなわち、ジアリルシラシクロヘキシル基
(出発原料の時RはAr含む。)を求電子試薬によりデ
シリレーション反応することでジハロゲノシラシクロヘ
キシル基に変え、 メチルマグネシウムハライド等との反応でメチル基を
導入した後、対応するグリニヤー試薬との反応でメチル
シラシクロヘキシレン基とする。あるいは、 対応するグリニヤー試薬との反応でクロロシラシクロ
ヘキシレン基とする。あるいはハロゲン交換によりフル
オロシラシクロヘキシレン基とする。
【0063】求電子試薬としてハロゲン、ハロゲン化水
素、ハロゲン化金属、スルホン酸誘導体、酸ハロゲン化
物、ハロゲン化アルキル等をあげることができる。塩
素、一塩化ヨウ素、塩化水素、塩化水銀(II)、クロ
ロスルホン酸トリメチルシリル、塩化アセチル、塩化ベ
ンゾイル、塩化t−ブチル等を好ましく例示できる。
【0064】用いるフッ化物としてフッ化セシウム、フ
ッ化銅、フッ化アンチモン、フッ化亜鉛、フッ化カルシ
ウム、テトラ−n−ブチルアンモニウムフルリド等が挙
げられる。
【0065】このようにして得られた化合物は、シラシ
クロヘキシレン基あるいはシクロヘキシレン基の置換基
の立体配置に関してシス、トランス体の異性体混合物で
あるので、再結晶やクロマトグラフィー等の常法により
精製して、目的とするトランス体又はトランス,トラン
ス体のみを得ることができる。
【0066】次に、一般式(I)で表される化合物と混
合する前記一般式(II)で表される化合物の具体的化
学構造としては、以下のものが挙げられる。
【化195】
【化196】
【化197】
【化198】
【化199】
【化200】
【化201】
【化202】
【0067】なお、シラシクロヘキサン環、シクロヘキ
サン環の立体配置はいずれもトランス体である。
【0068】R’は以下のいずれかの基を表す。 (j)炭素数1〜7の直鎖状アルキル基、即ち、メチル
基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペ
ンチル基、n−ヘキシル基又はn−ヘプチル基。 (k)炭素数2〜7のアルコキシアルキル基、即ち、メ
トキシメチル基、2−メトキシエチル基、3−メトキシ
プロピル基、4−メトキシブチル基、5−メトキシペン
チル基、6−メトキシヘキシル基、エトキシメチル基、
2−エトキシエチル基、3−エトキシプロピル基、4−
エトキシブチル基、5−エトキシペンチル基、(n−プ
ロポキシ)メチル基、2−(n−プロポキシ)エチル
基、3−(n−プロポキシ)プロピル基、4−(n−プ
ロポキシ)ブチル基、(n−ブトキシ)メチル基、2−
(n−ブトキシ)エチル基、3−(n−ブトキシ)プロ
ピル基、(n−ペントキシ)メチル基、2−(n−ペン
トキシ)エチル基又は(n−ヘキシロキシ)メチル基。 (l)炭素数2〜7のモノ又はジフルオロアルキル基、
即ち、1−フルオロエチル基、1−フルオロプロピル
基、1−フルオロブチル基、1−フルオロペンチル基、
1−フルオロヘキシル基、1−フルオロヘプチル基、2
−フルオロエチル基、2−フルオロプロピル基、2−フ
ルオロブチル基、2−フルオロペンチル基、2−フルオ
ロヘキシル基、2−フルオロヘプチル基、3−フルオロ
プロピル基、3−フルオロブチル基、3−フルオロペン
チル基、3−フルオロヘキシル基、3−フルオロヘプチ
ル基、4−フルオロブチル基、4−フルオロペンチル
基、4−フルオロヘキシル基、4−フルオロヘプチル
基、5−フルオロペンチル基、5−フルオロヘキシル
基、5−フルオロヘプチル基、6−フルオロヘキシル
基、6−フルオロヘプチル基、7−フルオロヘプチル
基、1,1−ジフルオロエチル基、1,1−ジフルオロ
プロピル基、1,1−ジフルオロブチル基、1,1−ジ
フルオロペンチル基、2,2−ジフルオロエチル基、
2,2−ジフルオロプロピル基、2,2−ジフルオロブ
チル基、2,2−ジフルオロペンチル基、3,3−ジフ
ルオロプロピル基、3,3−ジフルオロブチル基、3,
3−ジフルオロペンチル基、4,4−ジフルオロブチル
基又は4,4−ジフルオロペンチル基。 (m)炭素数2〜7のアルケニル基、即ち、ビニル基、
1E−プロペニル基、1E−ブテニル基、1E−ペンテ
ニル基、1E−ヘキセニル基、1E−ヘプテニル基、3
−ブテニル基、3E−ペンテニル基、3E−ヘキセニル
基、3E−ヘプテニル基、4−ペンテニル基、4E−ヘ
キセニル基、4Z−ヘキセニル基、4E−ヘプテニル
基、4Z−ヘプテニル基、5−ヘキセニル基、5E−ヘ
プテニル基、5Z−ヘプテニル基又は6−ヘプテニル
基。
【0069】前記一般式(II)で表されるシラシクロ
ヘキサン化合物の部分骨格構造
【化203】 の具体例としては、以下のものが挙げられる。
【化204】
【化205】
【化206】
【0070】次に、前記一般式(III)で表される化
合物の具体的化学構造としては、以下のものが挙げられ
る。
【化207】
【化208】
【化209】
【化210】
【化211】
【化212】
【化213】
【化214】
【化215】 については、以下の経路による。
【0071】なお、立体配置、R’の定義及び部分骨格
構造
【化216】 の具体例は前記一般式(II)の場合と同じである。
【0072】次に、前記一般式(IV)で表される化合
物の具体的化学構造としては、以下のものが挙げられ
る。
【化217】
【化218】
【化219】
【化220】
【化221】
【化222】
【0073】なお、立体配置、Rの定義及び部分骨格構
【化223】 の具体例は前記一般式(II)の場合と同じである。
【0074】次に、前記一般式(V)で表される化合物
の具体的化学構造としては、以下のものが挙げられる。
【化224】
【化225】
【化226】
【0075】なお、立体配置及びR’の定義は前記一般
式(II)の場合と同じである。
【0076】部分骨格構造
【化227】 の具体例としては、以下のものが挙げられる。
【化228】
【化229】
【化230】
【化231】
【化232】
【化233】
【化234】
【化235】
【化236】
【化237】
【化238】
【0077】次に、前記一般式(VI)で表される化合
物の具体的化学構造としては、以下のものが挙げられ
る。
【化239】
【化240】
【化241】
【化242】
【化243】
【化244】
【0078】なお、立体配置及びR’の定義は前記一般
式(II)の場合と同じである。R”の定義はR’と同
じである。
【0079】部分骨格構造
【化245】 の具体例としては、以下のものが挙げられる。
【化246】
【0080】次に、前記一般式(VII)で表される化
合物の具体的化学構造としては、以下のものが挙げられ
る。
【化247】
【化248】
【化249】
【化250】
【化251】
【化252】
【化253】
【化254】
【化255】
【化256】
【化257】
【化258】
【0081】なお、立体配置及びR’の定義は前記一般
式(II)の場合と同じである。また、部分骨格構造
【化259】 の具体例は前記一般式(V)の場合と同じである。
【0082】次に、前記一般式(II)〜(VII)の
具体例において、特に以下の場合が好ましい。
【0083】R’及びR”については、以下のいずれか
が好ましい。 (n)直鎖状アルキル基のうち、エチル基、n−プロピ
ル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基
又はn−ヘプチル基。 (o)アルコキシアルキル基のうち、メトキシメチル
基、2−メトキシエチル基、3−メトキシプロピル基、
5−メトキシペンチル基、エトキシメチル基、2−エト
キシエチル基、(n−プロポキシ)メチル基又は(n−
ペントキシ)メチル基。 (p)モノ又はジフルオロアルキル基のうち、2−フル
オロエチル基、2−フルオロプロピル基、4−フルオロ
ブチル基、4−フルオロペンチル基、5−フルオロペン
チル基、6−フルオロヘキシル基、7−フルオロヘプチ
ル基、1,1−ジフルオロエチル基、2,2−ジフルオ
ロエチル基、2,2−ジフルオロプロピル基、2,2−
ジフルオロブチル基、4,4−ジフルオロブチル基又は
4,4−ジフルオロペンチル基。 (q)アルケニル基のうち、ビニル基、1E−プロペニ
ル基、1E−ブテニル基、1E−ペンテニル基、1E−
ヘキセニル基、1E−ヘプテニル基、3−ブテニル基、
3E−ペンテニル基、3E−ヘキセニル基、3E−ヘプ
テニル基、4−ペンテニル基、4E−ヘキセニル基、4
Z−ヘキセニル基、4E−ヘプテニル基、4Z−ヘプテ
ニル基、5−ヘキセニル基、又は6−ヘプテニル基。
【0084】部分骨格構造
【化260】 については、以下のものが好ましい。
【化261】
【化262】
【0085】部分骨格構造
【化263】 については、以下のものが好ましい。
【化264】
【化265】
【化266】
【化267】
【化268】
【化269】
【化270】
【化271】
【化272】
【0086】部分骨格構造
【化273】 については、以下のものが好ましい。
【化274】
【0087】環構造については、前記一般式(II
a)、(IIc)、(IId)、(IIf)、(II
h)、(IIIa)、(IIIc)、(IIId)、
(IIIf)、(IIIh)、(IVd)、(IV
f)、(IVh)、(Va)、(Vc)、(VIa)、
(VId)、(VIe)、(VIf)、(VIIa)、
(VIIc)、(VIIf)、(VIIg)、(VII
i)及び
【記1】 が、組成物に広温度範囲に亘るネマチック液晶相、高速
応答速度、低閾値電圧、高電圧保持率、低温ネマチック
安定性を与える上で好ましい。
【0088】前記一般式(I)で表される成分及び前記
一般式(II)〜(VII)で表される各成分の混合割
合としては、以下の場合が好ましい。 群A(一般式(I1)〜(I4)、(IIa)、(II
b)、(IIc)、(IIIa)、(IIIb)、(I
IIc)の中から選ばれる一種又は二種以上の化合物)
が0〜30mol%で、さらに好ましくは2〜20mo
l%含有する。 群B(一般式(I5)〜(I25)、(IId)、(II
e)、(IIf)、(IIg)、(IIh)、(III
d)、(IIIe)、(IIIf)、(IIIg)、
(IIIh)、(IIIi)、(IVd)、(IV
e)、(IVf)、(IVg)、(IVh)、(IV
i)、(Va)、(Vb)、(Vc)の中から選ばれる
一種又は二種以上の化合物)が50〜100mol%
で、さらに好ましくは70〜96mol%含有する。 これらにさらに群C(一般式(VIa)、(VIb)、
(VIc)、(VId)、(VIe)、(VIf)、
(VIIa)、(VIIb)、(VIIc)、(VII
d)、(VIIe)、(VIIf)、(VIIg)、
(VIIh)、(VIIi)、(VIIj)、(VII
k)及び
【記2】 の中から選ばれる一種又は二種以上の化合物)が添加さ
れる場合には、0〜20mol%好ましくは2〜15m
ol%含有する。この場合、B群の中で一般式(I5
〜(I25)(kが1の場合)の化合物はB群に対し、2
0〜90mol%用いられることが好ましく、全体の組
成物としても10mol%以上用いられることが好まし
い。
【0089】群Aが過剰の場合は、高速応答速度化及び
低閾値電圧化の点では有利になるものの、ネマチック相
の上限温度が低下し、液晶範囲が狭まる。逆に過少の場
合には、応答速度が低下する。群Bが過少の場合には、
低閾値電圧化にとって不利となる。
【0090】群A、Bのみで組成物を構成することは可
能であるが、高温側にさらにネマチック相を拡大したい
場合には、群Cが添加される。ただし、過剰の群Cは高
速応答速度化、低閾値電圧化、低温におけるネマチック
相の安定化にとっては不利となる。
【0091】また、視角特性等、パネルデザインに係る
物性である屈折率異方性(Δn)については、前記一般
式(Va)及び(Vb)で表される成分の添加量、ある
いは、副次効果ではあるが、前記一般式(VIa)〜
(VIe)、(VIIa)〜(VIIj)で表される成
分の添加量で調整される。なお、グーチ(Gooch)
タリー(Tarry)の第1透過極少(First T
ransmissionMinimumu)パネル用に
は、上記の成分を過少に、第2透過極少(Second
Transmission Minimum)パネル
用には過剰に添加調整される。
【0092】近年、液晶パネルの用途は益々拡大してお
り、OA機器用、車載用、携帯機器用にと必要物性に対
する要求も各用と毎に多様化しており、これら個別要求
物性を満たすために、前記一般式(I)〜(VII)で
表される化合物の中から種類、量を選択し、最適値に混
合調整される。
【0093】これら成分を混合するには、所望量の少量
成分を主成分に加熱溶解するか、又はアセトン、メタノ
ール、クロロホルム等の有機溶剤に溶解した各成分の溶
液を混合した後、有機溶剤を揮散させる。
【0094】このようにして得られた本発明の液晶組成
物は、ネマチック相下限温度が−20℃以下で上限温度
が70〜100℃の広温度範囲に亘るネマチック液晶相
を有し、−20℃での長期保存状態でもスメクチック相
や結晶相を発生しない。また、閾値電圧は1.6V以
下、特には1.1〜1.4Vの範囲にある。電圧保持率
に関しては、100℃における測定においても98%以
上の値を示した。
【0095】また、液晶表示素子中に用いられる本発明
の液晶組成物には、着色ゲスト−ホスト系を形成するた
めの多色性色素あるいは捩れ方向、強度を与えるための
カイラルドーピング剤等、他の添加剤を含有することが
できる。この添加物含有液晶組成物は、TFT又はMI
M等のアクティブ素子が形成された透明基板間に封入し
て液晶表示素子として使用される。
【0096】この素子は、必要において各種アンダーコ
ート、配向制御用オーバーコート、偏光板、フィルタ
ー、反射層等を有していてもよい。また、多層セルとし
たり、他の表示素子と組み合わせたり、半導体基板を用
いたり、あるいは光源を用いたりする種々のものが使用
できる。
【0097】
【実施例】以下に具体的な実施例を挙げて本発明をさら
に詳しく説明する。
【0098】[実施例1] 4−(トランス−4−(トランス−4−n−ペンチル−
4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
(2,2−ジフルオロエトキシ)−2,6−ジフルオロ
ベンゼン 1−ブロモ−3,5−ジフルオロ−4−(t−ブチルジ
メチルシロキシ)ベンゼン34gをマグネシウム2.5
5g及びテトラヒドロフラン(以下「THF」と称
す。)100mlの混合物中に滴下し、3時間還流して
グリニヤール試薬を得た。これに4−(4−n−ペンチ
ル−4−フェニル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘ
キサノン34.0gのTHF50ml溶液を加えた。2
時間還流後、反応混合物を室温まで冷却し、塩化アンモ
ニウム水溶液にあけ、ベンゼンで抽出した。このベンゼ
ン溶液にp−トルエンスルホン酸1gを加え、還流しな
がら発生してくる水を分離除去した。水が留出しなくな
ったところで室温まで冷却した。反応混合物を炭酸水素
ナトリウム水溶液にあけ、通常のブラインで洗浄、乾
燥、濃縮の後、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで
精製し、4−(4−(3,5−ジフルオロ−4−(t−
ブチルジメチルシロキシ)フェニル)−3−シクロヘキ
セニル)−1−n−ペンチル−1−フェニル−1−シラ
シクロヘキサンを得た。これを酢酸エチル200mlに
溶かし、パラジウム−炭素200mgを触媒として、
0.5MPaで水素添加した。理論量の水素が消費され
た後、触媒を濾別し、濾液を濃縮した。これに1mol
/リットル フッ化テトラブチルアンモニウムのTHF
溶液100mlを加え、室温で3時間攪拌した。この反
応混合物を10%塩酸にあけ、通常のブラインで洗浄、
乾燥、濃縮の後、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー
で精製した。これを、1,3−ジメチル−2−イミダゾ
リジノン中、水素化ナトリウム2.4gと反応させてナ
トリウム塩とした後、1−ブロモ−2,2−ジフルオロ
エタン15gを加え、50℃で12時間攪拌した。その
後、通常のブラインで洗浄、乾燥、濃縮を行った。これ
に1mol/リットル一塩化ヨウ素の塩化メチレン溶液
100mlを加え、1時間攪拌した。続いてこの溶液
に、メタノール10mlお帯びトリエチルアミン30m
lを加えた。1時間攪拌した後、通常の洗浄、乾燥、濃
縮を行った。これをTHF100mlに溶かし、水素化
アルミニウムリチウム10.0gとTHF100ml溶
液に加えた。反応混合物を1時間還流攪拌した。反応混
合物を5%塩酸200mlにあけ、酢酸エチルで抽出し
た。通常のブラインで洗浄、乾燥、濃縮の後、シリカゲ
ルクロマトグラフィーで精製し、続いて再結晶により、
目的のトランス体を9.3g得た。 C−N転移温度:48.0℃ N−I転移温度:107.3℃ IR(KBr disc)νmax:2924,285
8,2114,1520,1442,1340,108
8,1026,889,835cm-1
【0099】[実施例2] 4−(トランス−4−(トランス−4−n−プロピル−
4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
(2,2,2−トリフルオロエトキシ)−2,6−ジフ
ルオロベンゼン 実施例1で使用した4−(4−n−ペンチル−4−フェ
ニル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキサノンの代
わりに4−(4−n−プロピル−4−フェニル−4−シ
ラシクロヘキシル)シクロヘキサノン、1−ブロモ−
2,2−ジフルオロエタンの代わりに1−ブロモ−2,
2,2−トリフルオロエタンを使用した以外は、実施例
1と同様の方法で目的物を得た。 C−N転移温度:87.2℃ N−I転移温度:99.4℃
【0100】[実施例3] 4−(トランス−4−(トランス−4−n−ペンチル−
4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
(2,2−ジフルオロエトキシ)−2−フルオロベンゼ
ン 実施例1で使用した1−ブロモ−3,5−ジフルオロ−
4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ベンゼンの代わり
に1−ブロモ−3−フルオロ−4−(t−ブチルジメチ
ルシロキシ)ベンゼンを使用した以外は、実施例1と同
様の方法で目的物を得た。
【0101】[実施例4] 4−(トランス−4−(トランス−4−n−プロピル−
4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−(3
−クロロ−n−プロポキシ)−2,6−ジフルオロベン
ゼン 実施例1で使用した1−ブロモ−2,2−ジフルオロエ
タンの代わりに1−ブロモ−3−クロロプロパン、4−
(4−n−ペンチル−4−フェニル−4−シラシクロヘ
キシル)シクロヘキサノンの代わりに4−(4−n−プ
ロピル−4−フェニル−4−シラシクロヘキシル)シク
ロヘキサノンを使用した以外は、実施例1と同様の方法
で目的物を得た。
【0102】[実施例5] 4−(トランス−4−(トランス−4−n−プロピル−
4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−(2
−フルオロエトキシ)−2,6−ジフルオロベンゼン 実施例1で使用した1−ブロモ−2,2−ジフルオロエ
タンの代わりに1−ブロモ−2−フルオロエタン、4−
(4−n−ペンチル−4−フェニル−4−シラシクロヘ
キシル)シクロヘキサノンの代わりに4−(4−n−プ
ロピル−4−フェニル−4−シラシクロヘキシル)シク
ロヘキサノンを使用した以外は、実施例1と同様の方法
で目的物を得た。
【0103】[実施例6] 4−(トランス−4−(トランス−4−n−ペンチル−
4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
(3,3,3−トリフルオロ−n−プロポキシ)ベンゼ
ン 実施例1で使用した1−ブロモ−3,5−ジフルオロ−
4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ベンゼンの代わり
に1−ブロモ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ベ
ンゼン、1−ブロモ−2,2−ジフルオロエタンの代わ
りに1−ブロモ−3,3,3−トリフルオロプロパンを
使用した以外は、実施例1と同様の方法で目的物を得
た。
【0104】[実施例7] 4−(トランス−4−(トランス−4−n−ペンチル−
4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
(2,2,3,3,3−ペンタフルオロ−n−プロポキ
シ)−2,6−ジフルオロベンゼン 実施例1で使用した1−ブロモ−2,2−ジフルオロエ
タンの代わりに1−ブロモ−2,2,3,3,3−ペン
タフルオロプロパンを使用した以外は、実施例1と同様
の方法で目的物を得た。
【0105】[実施例8] 4−(トランス−4−(トランス−4−n−プロピル−
4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
(2,2,3,3,3−ペンタフルオロ−n−プロポキ
シ)−2−フルオロベンゼン 実施例1で使用した1−ブロモ−3,5−ジフルオロ−
4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ベンゼンの代わり
に1−ブロモ−3−フルオロ−4−(t−ブチルジメチ
ルシロキシ)ベンゼン、4−(4−n−ペンチル−4−
フェニル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキサノン
の代わりに4−(4−n−プロピル−4−フェニル−4
−シラシクロヘキシル)シクロヘキサノン、1−ブロモ
−2,2−ジフルオロエタンの代わりに1−ブロモ−
2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロパンを使用し
た以外は、実施例1と同様の方法で目的物を得た。
【0106】[実施例9] 4−(トランス−4−(トランス−4−n−プロピル−
4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
(2,2,3,3−テトラフルオロ−n−プロポキシ)
−2,6−ジフルオロベンゼン 実施例1で使用した4−(4−n−ペンチル−4−フェ
ニル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキサノンの代
わりに4−(4−n−プロピル−4−フェニル−4−シ
ラシクロヘキシル)シクロヘキサノン、1−ブロモ−
2,2−ジフルオロエタンの代わりに1−ブロモ−2,
2,3,3−テトラフルオロプロパンを使用した以外
は、実施例1と同様の方法で目的物を得た。
【0107】[実施例10] 4−(トランス−4−(トランス−4−n−ペンテニ
ル)−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1
−(2,2−ジフルオロエトキシ)−2,6−ジフルオ
ロベンゼン 実施例1で使用した4−(4−n−ペンチル−4−フェ
ニル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキサノンの代
わりに4−(4,4−ジフェニル−4−シラシクロヘキ
シル)シクロヘキサノンを使用した以外は、実施例1と
同様の方法で4−(トランス−4−(4,4−ジフェニ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−4−
(2,2−ジフルオロエトキシ)−2,6−ジフルオロ
ベンゼンを30g得た。これに、1mol/リットル一
塩化ヨウ素の塩化メチレン溶液を300ml加えた。1
時間撹拌した後、濃縮し、残った油状物をTHF100
mlに溶かし、水素化アルミニウムリチウム10gのT
HF100ml溶液に加えた。反応混合物を1時間還流
撹拌した後、5%塩酸200mlにあけ、酢酸エチルで
抽出した。通常の洗浄、乾燥、濃縮後、シリカゲルクロ
マトグラフィーで精製した。これを、塩化第2銅30
g、ヨウ化第一銅3gのジエチルエーテル200ml溶
液に加え、室温で10時間撹拌した。得られたクロロシ
ラン化合物を2mol/リットルの4−ペンテニルマグ
ネシウムブロミドのTHF溶液に加えた。反応混合物を
30分撹拌した後、5%塩酸200mlにあけ、酢酸エ
チルで抽出した。通常の洗浄、乾燥、濃縮後、シリカゲ
ルクロマトグラフィーで精製し、続いて再結晶により目
的のトランス体を5g得た。
【0108】[実施例11] 4−(トランス−4−(トランス−4−(5−メトキシ
−n−ペンチル)−4−シラシクロヘキシル)シクロヘ
キシル)−1−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)
−2−フルオロベンゼン 実施例1で使用した4−(4−n−ペンチル−4−フェ
ニル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキサノンの代
わりに4−(4−(5−メトキシペンチル)−4−フェ
ニル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキサノン、1
−ブロモ−3−フルオロ−4−(t−ブチルジメチルシ
ロキシ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3−フルオロ
−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ベンゼン、1−
ブロモ−2,2−ジフルオロエタンの代わりに1−ブロ
モ−2,2,2−トリフルオロエタンを使用した以外
は、実施例1と同様の方法で目的物を得た。
【0109】[実施例12] 4−(トランス−4−(トランス−4−(4−フルオロ
−n−ブチル)−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキ
シル)−1−(2,2−ジフルオロエトキシ)−2,6
−ジフルオロベンゼン 実施例1で使用した4−(4−n−ペンチル−4−フェ
ニル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキサノンの代
わりに4−(4−(4−フルオロブチル)−4−フェニ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキサノンを使用
した以外は、実施例1と同様の方法で目的物を得た。
【0110】[実施例13] 4−(トランス−4−(トランス−4−n−プロピル−
4−メチル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシ
ル)−1−(2,2−ジフルオロエトキシ)ベンゼン 1−ブロモ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ベン
ゼン32gをマグネシウム2.55g及びテトラヒドロ
フラン(以下「THF」と称す。)100mlの混合物
中に滴下し、3時間還流してグリニヤール試薬を得た。
これに4−(4−n−プロピル−4−メチル−4−シラ
シクロヘキシル)シクロヘキサン31.4gのTHF5
0ml溶液を加えた。2時間還流後、反応混合物を室温
まで冷却し、塩化アンモニウム水溶液にあけ、ベンゼン
で抽出した。このベンゼン溶液にp−トルエンスルホン
酸1gを加え、還流しながら発生してくる水を分離除去
した。水が留出しなくなったところで室温まで冷却し
た。反応混合物を炭酸水素ナトリウム水溶液にあけ、通
常の洗浄、乾燥、濃縮の後、残渣をシリカゲルクロマト
グラフィーで精製し、4−(4−(t−ブチルジメチル
シロキシ)フェニル)−3−シクロヘキセニル)−1−
n−プロピル−1−メチル−1−シラシクロヘキサンを
得た。これを酢酸エチル200mlに溶かし、パラジウ
ム−炭素200mgを触媒として、0.5MPaで水素
添加した。理論量の水素が消費された後、触媒を濾別
し、濾液を濃縮した。これに1mol/リットル フッ
化テトラブチルアンモニウムのTHF溶液100mlを
加え、室温で3時間撹拌した。この反応混合物を10%
塩酸にあけ、通常の洗浄、乾燥、濃縮の後、残渣をシリ
カゲルクロマトグラフィーで精製した。これを、1,3
−ジメチル−2−イミダゾリジノン中、水素化ナトリウ
ム2.4gと反応させてナトリウム塩とした後、1−ブ
ロモ−2,2−ジフルオロエタン15gを加え、50℃
で12時間撹拌した。その後、通常の洗浄、乾燥、濃縮
の後、シリカゲルクロマトグラフィーで精製し、続いて
再結晶により、目的のトランス体を8.9g得た。
【0111】[実施例14] 4−(トランス−4−(トランス−4−n−ペンチル−
4−フルオロ−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシ
ル)−1−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)−2
−フルオロベンゼン 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(t−ブチルジメチル
シロキシ)ベンゼン33gをマグネシウム2.55g及
びテトラヒドロフラン(以下「THF」と称す。)10
0mlの混合物中に滴下し、3時間還流してグリニヤー
ル試薬を得た。これに4−(4−n−ペンチル−4−フ
ェニル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキサン3
4.0gのTHF50ml溶液を加えた。2時間還流
後、反応混合物を室温まで冷却し、塩化アンモニウム水
溶液にあけ、ベンゼンで抽出した。このベンゼン溶液に
p−トルエンスルホン酸1gを加え、還流しながら発生
してくる水を分離除去した。水が留出しなくなったとこ
ろで室温まで冷却した。反応混合物を炭酸水素ナトリウ
ム水溶液にあけ、通常の洗浄、乾燥、濃縮の後、残渣を
シリカゲルクロマトグラフィーで精製し、4−(4−
(3−フルオロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)
フェニル)−3−シクロヘキセニル)−1−n−ペンチ
ル−1−フェニル−1−シラシクロヘキサンを得た。こ
れを酢酸エチル200mlに溶かし、パラジウム−炭素
200mgを触媒として、0.5MPaで水素添加し
た。理論量の水素が消費された後、触媒を濾別し、濾液
を濃縮した。これに1mol/リットル フッ化テトラ
ブチルアンモニウムのTHF溶液100mlを加え、室
温で3時間撹拌した。この反応混合物を10%塩酸にあ
け、通常の洗浄、乾燥、濃縮の後、残渣をシリカゲルク
ロマトグラフィーで精製した。これを、1,3−ジメチ
ル−2−イミダゾリジノン中、水素化ナトリウム2.4
gと反応させてナトリウム塩とした後、1−ブロモ−
2,2,2−トリフルオロエタン15gを加え、50℃
で12時間撹拌した。その後、通常の洗浄、乾燥、濃縮
を行った。これに1mol/リットル一塩化ヨウ素の塩
化メチレン溶液100mlを加え、1時間撹拌した後、
濃縮し、ペンタン30mlで希釈した。充分に乾燥した
フッ化銅30gを200mlのペンタンに懸濁させ、こ
れに上で得られたペンタン溶液を加え室温で3時間撹拌
した。続いて、ろ過、濃縮後、再結晶により、目的のト
ランス体を3g得た。
【0112】[実施例15] 4−(トランス−4−(トランス−4−n−プロピルシ
クロヘキシル)−4−シラシクロヘキシル)−1−
(2,2−ジフルオロエトキシ)−2−フルオロベンゼ
ン 実施例1で使用した4−(4−n−ペンチル−4−フェ
ニル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキサノンの代
わりに4−(4−n−プロピルシクロヘキシル)−4−
フェニル−4−シラシクロヘキサノン、1−ブロモ−
3,5−ジフルオロ−4−(t−ブチルジメチルシロキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3−フルオロ−4
−(t−ブチルジメチルシロキシ)ベンゼンを使用した
以外は、実施例1と同様の方法で目的物を得た。
【0113】[実施例16] 4−(トランス−4−(トランス−4−n−ペンチルシ
クロヘキシル)−4−メチル−4−シラシクロヘキシ
ル)−1−(2,2,3,3,3−ペンタフルオロ−n
−プロピル)ベンゼン 実施例13で使用した4−(4−n−プロピル−4−メ
チル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキサノンの代
わりに4−(4−n−ペンチルシクロヘキシル)−1−
メチル−1−シラシクロヘキサノン、1−ブロモ−2,
2−ジフルオロエタンの代わりに1−ブロモ−2,2,
3,3,3−ペンタフルオロプロパンを使用した以外
は、実施例13と同様の方法で目的物を得た。
【0114】[実施例17] 4’−(トランス−4−n−プロピル−4−シラシクロ
ヘキシル)−3,5−ジフルオロ−4−(2,2−ジフ
ルオロエトキシ)ビフェニル 実施例1において、1−ブロモ−3,5−ジフルオロ−
4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ベンゼンの代わり
に4’−ブロモ−3,5−ジフルオロ−4−(t−ブチ
ルジメチルシロキシ)ビフェニル40gを用い、4−
(4−n−ペンチル−4−フェニル−4−シラシクロヘ
キシル)シクロヘキサンの代わりに4−−n−プロピル
−4−フェニル−4−シラシクロヘキサノン23gを用
いた以外は、実施例1と同様の操作で目的物17.2g
を得た。 C−N転移温度:39.7℃ N−I転移温度:93.8℃ IR(KBr disc)νmax:2918,285
2,2106,1504,1358,1136,107
6,1061,1038,889,816cm-1
【0115】[実施例18] 4’−(トランス−4−n−プロピル−4−シラシクロ
ヘキシル)−3−フルオロ−4−(2,2−ジフルオロ
エトキシ)ビフェニル 実施例17で使用した4’−ブロモ−3,5−ジフルオ
ロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ビフェニルの
代わりに4’−ブロモ−3−フルオロ−4−(t−ブチ
ルジメチルシロキシ)ビフェニルを使用した以外は、実
施例17と同様の方法で目的物を得た。
【0116】[実施例19] 4’−(トランス−4−n−プロピル−4−シラシクロ
ヘキシル)−2’6’−ジフルオロ−3,5−ジフルオ
ロ−4−(2,2−ジフルオロエトキシ)ビフェニル 4’−ブロモ−3,5−ジフルオロ−4−(t−ブチル
ジメチルシロキシ)ビフェニルの代わりに4’−ブロモ
−2’,3,5,6’−テトラフルオロ−4−(t−ブ
チルジメチルシロキシ)ビフェニルを使用した以外は、
実施例17と同様の方法で目的物を得た。 C−N転移温度:63.9℃ N−I転移温度:46.3℃
【0117】[実施例20] 4’−(トランス−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−2’−フルオロ−3,5−ジフルオロ−4
−(2,2−ジフルオロエトキシ)ビフェニル 実施例17で使用した4−n−プロピル−4−フェニル
−4−シラシクロヘキサノンの代わりに4−n−ペンチ
ル−4−フェニル−4−シラシクロヘキサノン、4’−
ブロモ−3,5−ジフルオロ−4−(t−ブチルジメチ
ルシロキシ)ビフェニルの代わりに4’−ブロモ−
2’,3,5−トリフルオロ−4−(t−ブチルジメチ
ルシロキシ)ビフェニルを使用した以外は、実施例17
と同様の方法で目的物を得た。 C−N転移温度:34.3℃ N−I転移温度:73.1℃ IR(KBr disc)νmax:2920,285
0,2096,1525,1498,1406,135
8,1134,1082,1032,887,818c
-1
【0118】[実施例21] 4’−(トランス−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−4−(2,2−ジフルオロエトキシ)ビフ
ェニル 実施例20で使用した4’−ブロモ−2’3,5−トリ
フルオロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ビフェ
ニルの代わりに4’−ブロモ−4−(t−ブチルジメチ
ルシロキシ)ビフェニルを使用した以外は、実施例20
と同様の方法で目的物を得た。
【0119】[実施例22] 4’−(トランス−4−n−プロピル−4−シラシクロ
ヘキシル)−3−フルオロ−4−(2,2,2−トリフ
ルオロエトキシ)ビフェニル 実施例17で使用した4’−ブロモ−3,5−ジフルオ
ロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ビフェニルの
代わりに4’−ブロモ−3−フルオロ−4−(t−ブチ
ルジメチルシロキシ)ビフェニル、1−ブロモ−2,2
−ジフルオロエタンの代わりに1−ブロモ−2,2,2
−トリフルオロエタンを使用した以外は、実施例17と
同様の方法で目的物を得た。
【0120】[実施例23] 4’−(トランス−4−n−プロピル−4−シラシクロ
ヘキシル)−4−(2,2,2−トリフルオロエトキ
シ)ビフェニル 実施例22で使用した4’−ブロモ−3−フルオロ−4
−(t−ブチルジメチルシロキシ)ビフェニルの代わり
に4’−ブロモ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)
ビフェニルを使用した以外は、実施例22と同様の方法
で目的物を得た。
【0121】[実施例24] 4’−(トランス−4−n−プロピル−4−シラシクロ
ヘキシル)−3,5−ジフルオロ−4−(2,2,3,
3−テトラフルオロ−n−プロポキシ)ビフェニル 実施例17で使用した1−ブロモ−2,2−ジフルオロ
エタンの代わりに1−ブロモ−2,2,3,3−テトラ
フルオロプロパンを使用した以外は、実施例17と同様
の方法で目的物を得た。
【0122】[実施例25] 4’−(トランス−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−3−フルオロ−4−(2,2,3,3−テ
トラフルオロ−n−プロポキシ)ビフェニル 実施例24で使用した4’−ブロモ−3,5−ジフルオ
ロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ビフェニルの
代わりに4’−ブロモ−3−フルオロ−4−(t−ブチ
ルジメチルシロキシ)ビフェニル、4−n−プロピル−
4−フェニル−4−シラシクロヘキサノンの代わりに4
−n−ペンチル−4−フェニル−4−シラシクロヘキサ
ノンを使用した以外は、実施例24と同様の方法で目的
物を得た。
【0123】[実施例26] 4’−(トランス−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−4−(2,2,3,3−テトラフルオロ−
n−プロポキシ)ビフェニル 実施例25で使用した4’−ブロモ−3−フルオロ−4
−(t−ブチルジメチルシロキシ)ビフェニルの代わり
に4’−ブロモ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)
ビフェニルを使用した以外は、実施例25と同様の方法
で目的物を得た。
【0124】[実施例27] 4’−(トランス−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−3,5−ジフルオロ−4−(2,2,3,
3−テトラフルオロ−n−プロポキシ)ビフェニル 実施例24で使用した4−n−プロピル−4−フェニル
−4−シラシクロヘキサノンの代わりに4−n−ペンチ
ル−4−フェニル−4−シラシクロヘキサノンを使用し
た以外は、実施例24と同様の方法で目的物を得た。
【0125】[実施例28] 4’−(トランス−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−3−フルオロ−4−(2,2,3,3,3
−ペンタフルオロ−n−プロポキシ)ビフェニル 実施例27で使用した1−ブロモ−2,2,3,3−テ
トラフルオロプロパンの代わりに1−ブロモ−2,2,
3,3,3−ペンタフルオロプロパン、4’−ブロモ−
3,5−ジフルオロ−4−(t−ブチルジメチルシロキ
シ)ビフェニルの代わりに4’−ブロモ−3−フルオロ
−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ビフェニルを使
用した以外は、実施例27と同様の方法で目的物を得
た。
【0126】[実施例29] 4’−(トランス−4−(3−メチル−n−ブチル)−
4−シラシクロヘキシル)−4−(3,3,3−トリフ
ルオロ−n−プロポキシ)ビフェニル 実施例26で使用した4−n−ペンチル−4−フェニル
−4−シラシクロヘキサノンの代わりに4−(3−メチ
ルブチル)−4−フェニル−4−シラシクロヘキサノ
ン、1−ブロモ−2,2,3,3,3−ペンタフルオロ
プロパンの代わりに1−ブロモ−3,3,3−トリフル
オロプロパンを使用した以外は、実施例26と同様の方
法で目的物を得た。
【0127】[実施例30] 4’−(トランス−4−(5−メトキシ−n−ペンチ
ル)−4−シラシクロヘキシル)−2’,6’−ジフル
オロ−3−フルオロ−4−(2,2−ジフルオロエトキ
シ)ビフェニル 実施例26で使用した4−n−ペンチル−4−フェニル
−4−シラシクロヘキサノンの代わりに4−(5−メト
キシペンチル)−4−フェニル−4−シラシクロヘキサ
ノン、1−ブロモ−2,2,3,3,3−ペンタフルオ
ロプロパンの代わりに1−ブロモ−2,2−ジフルオロ
エタン、4’−ブロモ−4−(t−ブチルジメチルシロ
キシ)ビフェニルの代わりに4’−ブロモ−2’,3,
6’−トリフルオロ−4−(t−ブチルジメチルシロキ
シ)ビフェニルを使用した以外は、実施例26と同様の
方法で目的物を得た。
【0128】[実施例31] 4’−(トランス−4−(4−フルオロ−n−ペンチ
ル)−4−シラシクロヘキシル)−3,5−ジフルオロ
−4−(2,2−ジフルオロエトキシ)ビフェニル 実施例26で使用した4−n−ペンチル−4−フェニル
−4−シラシクロヘキサノンの代わりに4−(4−フル
オロペンチル)−4−フェニル−4−シラシクロヘキサ
ノン、1−ブロモ−2,2,3,3,3−ペンタフルオ
ロプロパンの代わりに1−ブロモ−2,2−ジフルオロ
エタン、4’−ブロモ−4−(t−ブチルジメチルシロ
キシ)ビフェニルの代わりに4’−ブロモ−3,5−ジ
フルオロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ビフェ
ニルを使用した以外は、実施例26と同様の方法で目的
物を得た。
【0129】[実施例32] 4’−(トランス−4−n−プロピル−4−フルオロ−
4−シラシクロヘキシル)−4−(2,2,2−トリフ
ルオロエトキシ)ビフェニル 実施例14で使用した4−(4−n−ペンチル−4−フ
ェニル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキサノンの
代わりに4−n−プロピル−4−フェニル−4−シラシ
クロヘキサノン、1−ブロモ−3−フルオロ−4−(t
−ブチルジメチルシロキシ)ベンゼンの代わりに4’−
ブロモ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ビフェニ
ルを使用した以外は、実施例14と同様の方法で目的物
を得た。
【0130】[実施例33] 4’−(トランス−4−n−ペンチル−4−メチル−4
−シラシクロヘキシル)−4−(2,2−ジフルオロエ
トキシ)ビフェニル 実施例13で使用した4−(4−n−プロピル−4−メ
チル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキサノンの代
わりに1−n−ペンチル−1−メチル−1−シラシクロ
ヘキサノン、4−ブロモ−1−(t−ブチルジメチルシ
ロキシ)ベンゼンの代わりに4’−ブロモ−4−(t−
ブチルジメチルシロキシ)ビフェニルを使用した以外
は、実施例13と同様の方法で目的物を得た。
【0131】[実施例34] 4−(トランス−4−n−ヘプチル−4−シラシクロヘ
キシル)−2,6−ジフルオロ−1−(2,2−ジフル
オロエトキシ)ベンゼン 実施例31で使用した4−(4−フルオロペンチル)−
4−フェニル−4−シラシクロヘキサノンの代わりに4
−n−ヘプチル−4−フェニル−4−シラシクロヘキサ
ノン、4’−ブロモ−3,5−ジフルオロ−4−(t−
ブチルジメチルシロキシ)ビフェニルの代わりに4−ブ
ロモ−2,6−ジフルオロ−1−(t−ブチルジメチル
シロキシ)ベンゼンを使用した以外は、実施例31と同
様の方法で目的物を得た。
【0132】[実施例35] 4−(トランス−4−n−ヘプチル−4−シラシクロヘ
キシル)−2−フルオロ−1−(2,2−ジフルオロエ
トキシ)ベンゼン 実施例34で使用した4−ブロモ−2,6−ジフルオロ
−1−(t−ブチルジメチルシロキシ)ベンゼンの代わ
りに4−ブロモ−2−フルオロ−1−(t−ブチルジメ
チルシロキシ)ベンゼンを使用した以外は、実施例34
と同様の方法で目的物を得た。
【0133】[実施例36] 4−(トランス−4−n−ペンチル−4−シラシクロヘ
キシル)−1−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)
ベンゼン 実施例34で使用した4−n−ヘプチル−4−フェニル
−4−シラシクロヘキサノンの代わりに4−n−ペンチ
ル−4−フェニル−4−シラシクロヘキサノン、4−ブ
ロモ−2,6−ジフルオロ−1−(t−ブチルジメチル
シロキシ)ベンゼンの代わりに4−ブロモ−1−(t−
ブチルジメチルシロキシ)ベンゼン、1−ブロモ−2,
2−ジフルオロエタンの代わりに1−ブロモ−2,2,
2−トリフルオロエタンを使用した以外は、実施例34
と同様の方法で目的物を得た。
【0134】[実施例37] 4−(トランス−4−(5−メトキシ−n−ペンチル)
−4−シラシクロヘキシル)−2−フルオロ−1−
(2,2−ジフルオロエトキシ)ベンゼン 実施例35で使用した4−n−ヘプチル−4−フェニル
−4−シラシクロヘキサノンの代わりに4−(5−メト
キシペンチル)−4−フェニル−4−シラシクロヘキサ
ノンを使用した以外は、実施例35と同様の方法で目的
物を得た。
【0135】[実施例38] トランス−4−(トランス−4−(2−(3,5−ジフ
ルオロ−4−(2,2−ジフルオロエトキシ)フェニ
ル)エチル)シクロヘキシル)−1−n−プロピル−1
−シラシクロヘキサン 3,5−ジフルオロ−4−(t−ブチルジメチルシロキ
シ)ベンジルトリフェニルホスホニウムブロミド62g
とTHF200mlの混合物中にカリウムt−ブトキシ
ド12.0gを加え、燈色のイリド溶液を調製し、この
溶液に4−(4−n−プロピル−4−フェニル−4−シ
ラシクロヘキシル)シクロヘキサンカルバルデヒド3
5.0gのTHF50mlを加えた。室温で、2時間攪
拌した後、氷水にあけ、酢酸エチルで抽出した。通常の
洗浄、乾燥、濃縮で得られた残渣にn−ヘキサンを加
え、生じたトリフェニルホスフィンオキシドの結晶を濾
別し、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルクロマトグラ
フィーで精製して、4−(4−(2−(3,5−ジフル
オロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)フェニル)
エテニル)シクロヘキシル)−1−n−プロピル−1−
フェニル−1−シラシクロヘキサンを得た。これを酢酸
エチル200mlに溶かし、酸化白金200mgを触媒
として、0.1MPaで水素添加した。理論量の水素が
消費された後、触媒を濾別し、濾液を濃縮した。これに
1mol/リットル フッ化テトラブチルアンモニウム
のTHF溶液100mlを加え、室温で3時間攪拌し
た。この反応混合物を10%塩酸にあけ、通常の洗浄、
乾燥、濃縮を行い、残渣をシリカゲルクロマトグラフィ
ーで精製した。これを1,3−ジメチル−2−イミダゾ
リジノン中、水素化ナトリウム24gと反応させてナト
リウム塩とした後、1−ブロモ−2,2−ジフルオロエ
タン15gを加え、50℃で12時間攪拌した。次いで
通常の洗浄、乾燥、濃縮を行った。これに1mol/リ
ットル 一塩化ヨウ素の塩化メチレン溶液を加え、1時
間攪拌した。続いてこの溶液に、メタノール10ml及
びトリエチルアミン30mlを加えた。1時間攪拌した
後、通常の洗浄、乾燥、濃縮を行った。これをTHF1
00mlに溶かし、水素化アルミニウムリチウム10.
0gとTHF100ml溶液に加えた。反応混合物を1
時間還流攪拌した。反応混合物を5%塩酸200mlに
あけ、酢酸エチルで抽出した。通常の洗浄、乾燥、濃縮
の後、シリカゲルクロマトグラフィーで精製した。続い
て再結晶により、目的のトランス異性体を15.6g得
た。
【0136】[実施例39] トランス−4−(トランス−4−(2−(4−(2,
2,2−トリフルオロエトキシ)フェニル)エチル)シ
クロヘキシル)−1−n−ペンチル−1−シラシクロヘ
キサン 実施例38で使用した3,5−ジフルオロ−4−(t−
ブチルジメチルシロキシ)ベンジルトリフェニルホスホ
ニウムブロミドの代わりに4−(t−ブチルジメチルシ
ロキシ)ベンジルトリフェニルホスホニウムブロミド、
1−ブロモ−2,2−ジフルオロエタンの代わりに1−
ブロモ−2,2,2−トリフルオロエタン、4−(4−
n−プロピル−4−フェニル−4−シラシクロヘキシ
ル)シクロヘキサンカルバルデヒドの代わりに4−(4
−n−ペンチル−4−フェニル−4−シラシクロヘキシ
ル)シクロヘキサンカルバルデヒドを使用した以外は、
実施例38と同様の方法で目的物を得た。
【0137】[実施例40] トランス−4−(トランス−4−(2−(3,5−ジフ
ルオロ−4−(2,2,3,3,3−ペンタフルオロエ
トキシ)フェニル)エチル)シクロヘキシル)−1−n
−ペンチル−1−シラシクロヘキサン 実施例38で使用した1−ブロモ−2,2−ジフルオロ
エタンの代わりに1−ブロモ−2,2,3,3,3−ペ
ンタフルオロプロパン、4−(4−n−プロピル−4−
フェニル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキサンカ
ルバルデヒドの代わりに4−(4−n−ペンチル−4−
フェニル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキサンカ
ルバルデヒドを使用した以外は、実施例38と同様の方
法で目的物を得た。
【0138】[実施例41] トランス−4−(トランス−4−(2−(3−フルオロ
−4−(2,2−ジフルオロエトキシ)フェニル)エチ
ル)シクロヘキシル)−1−(4−フルオロ−n−ブチ
ル)−1−シラシクロヘキサン 実施例38で使用した3,5−ジフルオロ−4−(t−
ブチルジメチルシロキシ)ベンジルトリフェニルホスホ
ニウムブロミドの代わりに3−フルオロ−4−(t−ブ
チルジメチルシロキシ)ベンジルトリフェニルホスホニ
ウムブロミド、4−(4−n−プロピル−4−フェニル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキサンカルバルデ
ヒドの代わりに4−(4−(4−フルオロ−n−ブチ
ル)−4−フェニル−4−シラシクロヘキシル)シクロ
ヘキサンカルバルデヒドを使用した以外は、実施例38
と同様の方法で目的物を得た。
【0139】[実施例42] トランス−4−(トランス−4−(2−(4−(2,
2,3,3−テトラフルオロ−n−ブトキシ)フェニ
ル)エチル)シクロヘキシル)−1−(5−メトキシ−
n−ペンチル)−1−シラシクロヘキサン 実施例38で使用した1−ブロモ−2,2−ジフルオロ
エタンの代わりに1−ブロモ−2,2,3,3−テトラ
フルオロブタン、4−(4−n−ペンチル−4−フェニ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキサンカルバル
デヒドの代わりに4−(4−(5−メトキシペンチル)
−4−フェニル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキ
サンカルバルデヒドを使用した以外は、実施例38と同
様の方法で目的物を得た。
【0140】[実施例43] トランス−4−(トランス−4−(2−(3−フルオロ
−4−(2,2−ジフルオロエトキシ)フェニル)エチ
ル)シクロヘキシル)−1−n−ペンチル−1−メチル
−1−シラシクロヘキサン 3−フルオロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ベ
ンジルトリフェニルホスホニウムブロミド60gとTH
F200mlの混合物中にカリウムt−ブトキシド1
2.0gを加え、燈色のイリド溶液を調製し、この溶液
に4−(4−n−ペンチル−4−メチル−4−シラシク
ロヘキシル)シクロヘキサンカルバルデヒド33gのT
HF50ml溶液を加えた。室温で、2時間撹拌した
後、氷水にあけ、酢酸エチルで抽出した。通常の洗浄、
乾燥、濃縮で得られた残渣にn−ヘキサンを加え、生じ
たトリフェニルホスフィンオキシドの結晶を濾別し、濾
液を濃縮した。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで
精製して、4−(4−(2−(3−フルオロ−4−(t
−ブチルジメチルシロキシ)フェニル)エテニル)シク
ロヘキシル)−1−n−ペンチル−1−メチル−1−シ
ラシクロヘキサンを得た。これを酢酸エチル200ml
に溶かし、酸化白金200mgを触媒として、0.1M
Paで水素添加した。理論量の水素が消費された後、触
媒を濾別し、濾液を濃縮した。これに1mol/リット
ル フッ化テトラブチルアンモニウムのTHF溶液10
0mlを加え、室温で3時間撹拌した。この反応混合物
を10%塩酸にあけ、通常の洗浄、乾燥、濃縮を行い、
残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製した。これ
を、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン中、水素
化ナトリウム24gと反応させてナトリウム塩とした
後、1−ブロモ−2,2−ジフルオロエタン15gを加
え、50℃で12時間撹拌した。次いで通常の洗浄、乾
燥、濃縮の後、シリカゲルクロマトグラフィーで精製し
た。続いて再結晶により、目的のトランス体を15.0
g得た。
【0141】[実施例44] トランス−1−(トランス−4−n−ペンチルシクロヘ
キシル)−4−(2−(3,5−ジフルオロ−4−
(2,2−ジフルオロエトキシ)フェニル)エチル)シ
クロヘキシル)−1−シラシクロヘキサン 実施例38で使用した4−(4−n−プロピル−4−フ
ェニル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキサンカル
バルデヒドの代わりにトランス−4−(4−n−ペンチ
ルシクロヘキシル)−4−フェニル−4−シラシクロヘ
キサンカルバルデヒドを使用した以外は、実施例38と
同様の方法で目的物を得た。
【0142】[実施例45] トランス−1−(トランス−4−(4−n−ペンテニ
ル)シクロヘキシル)−4−(2−(3−フルオロ−4
−(2,2,3,3,3−ペンタフルオロ−n−プロポ
キシ)フェニル)エチル)−1−メチル−1−シラシク
ロヘキサン 実施例41で使用した4−(4−(4−フルオロブチ
ル)−4−フェニル−4−シラシクロヘキシル)シクロ
ヘキサンカルバルデヒドの代わりにトランス−4−(4
−(4−n−ペンテニル)シクロヘキシル)−4−メチ
ル−4−シラシクロヘキサンカルバルデヒド、1−ブロ
モ−2,2−ジフルオロエタンの代わりに1−ブロモ−
2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロパンを使用し
た以外は、実施例41と同様の方法で目的物を得た。
【0143】[実施例46] トランス−4−(2−(トランス−4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−(2,2−ジフルオロエトキシ)フェニ
ル)シクロヘキシル)エチル)−1−n−プロピル−1
−シラシクロヘキサン 実施例38において、3,5−ジフルオロ−4(t−ブ
チルジメチルシロキシ)ベンジルトリフェニルホスホニ
ウムブロミドの代わりに(4−n−プロピル−4−フェ
ニル−4−シラシクロヘキシル)メチルトリフェニルホ
スホニウムヨージド65gを用い、4−(4−n−プロ
ピル−4−フェニル−4−シラシクロヘキシル)シクロ
ヘキシルカルバルデヒドの代わりに4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)フェニ
ル)シクロヘキシルカルバルデヒド35gを用いた以外
は実施例38と同様の操作を行い、目的物13gを得
た。
【0144】[実施例47] トランス−4−(2−(トランス−4−(3−フルオロ
−4−(2,2−ジフルオロエトキシ)フェニル)シク
ロヘキシル)エチル)−1−n−ペンチル−1−シラシ
クロヘキサン 実施例46で使用した(4−n−プロピル−4−フェニ
ル−4−シラシクロヘキシル)メチルトリフェニルホス
ホニウムヨージドの代わりに(4−n−ペンチル−4−
フェニル−4−シラシクロヘキシル)メチルトリフェニ
ルホスホニウムヨージド、4−(3,5−ジフルオロ−
4−(t−ブチルジメチルシロキシ)フェニル)シクロ
ヘキシルカルバルデヒドの代わりに4−(3−フルオロ
−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)フェニル)シク
ロヘキシルカルバルデヒドを使用した以外は、実施例4
6と同様の方法で目的物を得た。
【0145】[実施例48] トランス−4−(2−(トランス−4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)フ
ェニル)シクロヘキシル)エチル)−1−n−プロピル
−1−シラシクロヘキサン 実施例46で使用した1−ブロモ−2,2−ジフルオロ
エタンの代わりに1−ブロモ−2,2,2−トリフルオ
ロエタンを使用した以外は、実施例46と同様の方法で
目的物を得た。
【0146】[実施例49] トランス−4−(2−(トランス−4−(4−(2,
2,3,3−テトラフルオロ−n−プロポキシ)フェニ
ル)シクロヘキシル)エチル)−1−n−ペンチル−1
−シラシクロヘキサン 実施例47で使用した4−(3−フルオロ−4−(t−
ブチルジメチルシロキシ)フェニル)シクロヘキシルカ
ルバルデヒドの代わりに4−(4−(t−ブチルジメチ
ルシロキシ)フェニル)シクロヘキシルカルバルデヒ
ド、1−ブロモ−2,2−ジフルオロエタンの代わりに
1−ブロモ−2,2,3,3−テトラフルオロプロパン
を使用した以外は、実施例47と同様の方法で目的物を
得た。
【0147】[実施例50] トランス−4−(2−(トランス−4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−(2,2−ジフルオロエトキシ)フェニ
ル)シクロヘキシル)エチル)−1−(4−フルオロ−
n−ブチル)−1−シラシクロヘキサン 実施例46で使用した(4−プロピル−4−フェニル−
4−シラシクロヘキシル)メチルトリフェニルホスホニ
ウムヨージドの代わりに(4−(4−フルオロブチル)
−4−フェニル−4−シラシクロヘキシル)メチルトリ
フェニルホスホニウムヨージドを使用した以外は、実施
例46と同様の方法で目的物を得た。
【0148】[実施例51] トランス−4−(2−(トランス−4−(3−フルオロ
−4−(2,2,3,3,3−ペンタフルオロ−n−プ
ロポキシ)フェニル)シクロヘキシル)エチル)−1−
(4−n−ペンテニル)−1−シラシクロヘキサン 実施例47で使用した(4−n−ペンチル−4−フェニ
ル−4−シラシクロヘキシル)メチルトリフェニルホス
ホニウムヨージドの代わりに(4−(4−n−ペンテニ
ル)−4−フェニル−4−シラシクロヘキシル)メチル
トリフェニルホスホニウムヨージド、1−ブロモ−2,
2−ジフルオロエタンの代わりに1−ブロモ−2,2,
3,3,3−ペンタフルオロプロパンを使用した以外
は、実施例47と同様の方法で目的物を得た。
【0149】[実施例52] トランス−4−(2−(トランス−4−(4−(2,2
−ジフルオロエトキシ)フェニル)シクロヘキシル)エ
チル)−1−(5−メトキシ−n−ペンチル)−1−シ
ラシクロヘキサン 実施例46で使用した(4−n−プロピル−4−フェニ
ル−4−シラシクロヘキシル)メチルトリフェニルホス
ホニウムヨージドの代わりに(4−(5−メトキシペン
チル)−4−フェニル−4−シラシクロヘキシル)メチ
ルトリフェニルホスホニウムヨージド、4−(3,5−
ジフルオロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)フェ
ニル)シクロヘキシルカルバルデヒドの代わりに4−
(4−(t−ブチルジメチルシロキシ)フェニル)シク
ロヘキシルカルバルデヒドを使用した以外は、実施例4
6と同様の方法で目的物を得た。
【0150】[実施例53] トランス−4−(2−(トランス−4−(3−フルオロ
−4−(2,2−ジフルオロエトキシ)フェニル)シク
ロヘキシル)エチル)−1−n−ペンチル−1−メチル
−1−シラシクロヘキサン 実施例43で使用した3−フルオロ−4−(t−ブチル
ジメチルシロキシ)ベンジルトリフェニルホスホニウム
ブロミドの代わりに(4−n−ペンチル−4−メチル−
4−シラシクロヘキシル)メチルトリフェニルホスホニ
ウムヨージド、4−n−ペンチル−4−メチル−4−シ
ラシクロヘキシルカルバルデヒドの代わりに4−(3−
フルオロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)フェニ
ル)シクロヘキシルカルバルデヒドを使用した以外は、
実施例43と同様の方法で目的物を得た。
【0151】[実施例54] トランス−1−(2−(トランス−4−n−プロピルシ
クロヘキシル)エチル)−4−(3,5−ジフルオロ−
4−(2,2−ジフルオロエトキシ)フェニル)−1−
シラシクロヘキサン 実施例46で使用した(4−n−プロピル−4−フェニ
ル−4−シラシクロヘキシル)メチルトリフェニルホス
ホニウムヨージドの代わりに(4−(3,5−ジフルオ
ロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)フェニル−1
−シラシクロヘキシル)メチルトリフェニルホスホニウ
ムヨージド、4−(3,5−ジフルオロ−4−(t−ブ
チルジメチルシロキシ)フェニル)シクロヘキシルカル
バルデヒドの代わりにトランス−4−n−プロピルシク
ロヘキシルカルバルデヒドを使用した以外は、実施例4
6と同様の方法で目的物を得た。
【0152】[実施例55] トランス−1−(2−(トランス−4−n−ペンチルシ
クロヘキシル)エチル)−4−(3,5−ジフルオロ−
4−(2,2−ジフルオロエトキシ)フェニル)−1−
フルオロ−1−シラシクロヘキサン (4−(3,5−ジフルオロ−4−(t−ブチルジメチ
ルシロキシ)フェニル)−1−シラシクロヘキシル)メ
チルトリフェニルホスホニウムヨージド80gとTHF
200mlの混合物中にカリウムt−ブトキシド12.
0gを加え、燈色のイリド溶液を調製し、この溶液にト
ランス−4−ペンチルシクロヘキシルカルバルデヒド2
0gのTHF50ml溶液を加えた。室温で、2時間撹
拌した後、氷水にあけ、酢酸エチルで抽出した。通常の
洗浄、乾燥、濃縮で得られた残渣にn−ヘキサンを加
え、生じたトリフェニルホスフィンオキシドの結晶を濾
別し、濾液を濃縮した。残渣をシリカゲルクロマトグラ
フィーで精製した。これを酢酸エチル200mlに溶か
し、酸化白金200mgを触媒として、0.1MPaで
水素添加した。理論量の水素が消費された後、触媒を濾
別し、濾液を濃縮した。これに1mol/リットル フ
ッ化テトラブチルアンモニウムのTHF溶液100ml
を加え、室温で3時間撹拌した。この反応混合物を10
%塩酸にあけ、通常の洗浄、乾燥、濃縮を行い、残渣を
シリカゲルクロマトグラフィーで精製した。これを、
1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン中、水素化ナ
トリウム24gと反応させてナトリウム塩とした後、1
−ブロモ−2,2−ジフルオロエタン15gを加え、5
0℃で12時間撹拌した。次いで通常の洗浄、乾燥、濃
縮を行った。これに1mol/リットル一塩化ヨウ素の
塩化メチレン溶液100mlを加え、1時間撹拌した
後、濃縮し、ペンタン30mlで希釈した。充分に乾燥
したフッ化銅30gを200mlのペンタンに懸濁さ
せ、これに上で得られたペンタン溶液を加え室温で3時
間撹拌した。続いて、ろ過、濃縮後、再結晶により、目
的のトランス体を5g得た。
【0153】[実施例56] 4’−[2−(トランス−4−n−プロピル−4−シラ
シクロヘキシル)エチル]−3,5−ジフルオロ−4−
(2,2−ジフルオロエトキシ)ビフェニル 実施例46において、4−(3,5−ジフルオロ−4−
(t−ブチルジメチルシロキシ)フェニルシクロヘキシ
ルカルバルデヒドの代わりに4’−ホルミル−3,5−
ジフルオロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ビフ
ェニル35gを用いた以外は実施例46と同様の操作を
行い、目的物を15g得た。
【0154】[実施例57] 4’−(2−(トランス−4−n−ペンチル−4−シラ
シクロヘキシル)エチル)−3−フルオロ−4−(2,
2,2−トリフルオロエトキシ)ビフェニル 実施例56で使用した4’−ホルミル−3,5−ジフル
オロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ビフェニル
の代わりに4’−ホルミル−3−フルオロ−4−(t−
ブチルジメチルシロキシ)ビフェニル、(4−n−プロ
ピル−4−フェニル−4−シラシクロヘキシル)メチル
トリフェニルホスホニウムヨージドの代わりに(4−n
−ペンチル−4−フェニル−4−シラシクロヘキシル)
メチルトリフェニルホスホニウムヨージド、1−ブロモ
−2,2−ジフルオロエタンの代わりに1−ブロモ−
2,2,2−トリフルオロエタンを使用した以外は、実
施例56と同様の方法で目的物を得た。
【0155】[実施例58] 4’−(2−(トランス−4−n−プロピル−4−シラ
シクロヘキシル)エチル)−2’,6’,3,5−テト
ラフルオロ−4−(2,2−ジフルオロエトキシ)ビフ
ェニル 実施例56で使用した4’−ホルミル−3,5−ジフル
オロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ビフェニル
の代わりに4’−ホルミル−3,5,2’,6’−テト
ラフルオロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ビフ
ェニルを使用した以外は、実施例56と同様の方法で目
的物を得た。
【0156】[実施例59] 4’−(2−(トランス−4−n−ペンチル−4−シラ
シクロヘキシル)エチル)−2’,3−ジフルオロ−4
−(2,2−ジフルオロエトキシ)ビフェニル 実施例56で使用した4’−ホルミル−3,5−ジフル
オロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ビフェニル
の代わりに4’−ホルミル−2’,3−ジフルオロ−4
−(t−ブチルジメチルシロキシ)ビフェニル、(4−
n−プロピル−4−フェニル−4−シラシクロヘキシ
ル)メチルトリフェニルホスホニウムヨージドの代わり
に(4−n−ペンチル−4−フェニル−4−シラシクロ
ヘキシル)メチルトリフェニルホスホニウムヨージドを
使用した以外は、実施例56と同様の方法で目的物を得
た。
【0157】[実施例60] 4’−(2−(トランス−4−(4−フルオロ−n−ブ
チル)−4−シラシクロヘキシル)エチル)−3−フル
オロ−4−(2,2,3,3,3−ペンタフルオロ−n
−プロポキシ)ビフェニル 実施例56で使用した4’−ホルミル−3,5−ジフル
オロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ビフェニル
の代わりに4’−ホルミル−3−フルオロ−4−(t−
ブチルジメチルシロキシ)ビフェニル、(4−n−プロ
ピル−4−フェニル−4−シラシクロヘキシル)メチル
トリフェニルホスホニウムヨージドの代わりに(4−
(4−フルオロブチル)−4−フェニル−4−シラシク
ロヘキシル)メチルトリフェニルホスホニウムヨージ
ド、1−ブロモ−2,2−ジフルオロエタンの代わりに
1−ブロモ−2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロ
パンを使用した以外は、実施例56と同様の方法で目的
物を得た。
【0158】[実施例61] トランス−4−(2−(3−フルオロ−4−(2,2−
ジフルオロエトキシ)フェニル)エチル)−1−n−ヘ
プチル−1−シラシクロヘキサン 実施例56で使用した4’−ホルミル−3,5−ジフル
オロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ビフェニル
の代わりに4−n−ヘプチル−4−フェニル−4−シラ
シクロヘキサンカルバルデヒド、(4−n−プロピル−
4−フェニル−4−シラシクロヘキシル)メチルトリフ
ェニルホスホニウムヨージドの代わりに3−フルオロ−
4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ベンジルトリフェ
ニルホスホニウムブロミドを使用した以外は、実施例5
6と同様の方法で目的物を得た。
【0159】[実施例62] トランス−4−(2−(3,5−ジフルオロ−4−
(2,2−ジフルオロエトキシ)フェニル)エチル)−
1−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサン 実施例61で使用した4−n−ヘプチル−4−フェニル
−4−シラシクロヘキサンカルバルデヒドの代わりに4
−n−ペンチル−4−フェニル−4−シラシクロヘキサ
ンカルバルデヒド、3−フルオロ−4−(t−ブチルジ
メチルシロキシ)ベンジルトリフェニルホスホニウムブ
ロミドの代わりに3,5−ジフルオロ−4−(t−ブチ
ルジメチルシロキシ)ベンジルトリフェニルホスホニウ
ムブロミドを使用した以外は、実施例61と同様の方法
で目的物を得た。
【0160】[実施例63] トランス−4−(2−(4−(2,2,3,3−テトラ
フルオロ−n−プロポキシ)フェニル)エチル)−1−
(4−n−ペンテニル)−1−シラシクロヘキサン 実施例61で使用した4−n−ヘプチル−4−フェニル
−4−シラシクロヘキサンカルバルデヒドの代わりに4
−(4−n−ペンテニル)−4−フェニル−4−シラシ
クロヘキサンカルバルデヒド、3−フルオロ−4−(t
−ブチルジメチルシロキシ)ベンジルトリフェニルホス
ホニウムブロミドの代わりに4−(t−ブチルジメチル
シロキシ)ベンジルトリフェニルホスホニウムブロミ
ド、1−ブロモ−2,2−ジフルオロエタンの代わりに
1−ブロモ−2,2,3,3−テトラフルオロプロパン
を使用した以外は、実施例61と同様の方法で目的物を
得た。
【0161】[実施例64] 4−(トランス−4−(トランス−4−n−ブチル−4
−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−(2,
2−ジフルオロエトキシ)−2,6−ジフルオロベンゼ
ン 実施例1で使用した4−(4−n−ペンチル−4−フェ
ニル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキサノンの代
わりに4−(4−n−ブチル−4−フェニル−4−シラ
シクロヘキシル)シクロヘキサノンを使用した以外は、
実施例1と同様の方法で目的物を得た。 C−N転移温度:50.6℃ N−I転移温度:105.9℃ IR(KBr disc)νmax:2920,284
8,2110,1520,1342,1084,103
2,887cm-1
【0162】[実施例65] 4−(トランス−4−(トランス−4−n−プロピル−
4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
(2,2−ジフルオロエトキシ)−2,6−ジフルオロ
ベンゼン 実施例1で使用した4−(4−n−ペンチル−4−フェ
ニル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキサノンの代
わりに4−(4−n−プロピル−4−フェニル−4−シ
ラシクロヘキシル)シクロヘキサノンを使用した以外
は、実施例1と同様の方法で目的物を得た。 C−N転移温度:67.7℃ N−I転移温度:113.0℃ IR(KBr disc)νmax:2924,210
6,1520,1443,1340,1026,847
cm-1
【0163】[実施例66] 4−(トランス−4−n−ヘプチル−4−シラシクロヘ
キシル)−1−(2,2−ジフルオロエトキシ)ベンゼ
ン 実施例34で使用した4−ブロモ−2,6−ジフルオロ
−1−(t−ブチルジメチルシロキシ)ベンゼンの代わ
りに4−ブロモ−1−(t−ブチルジメチルシロキシ)
ベンゼンを使用した以外は、実施例34と同様の方法で
目的物を得た。 C−I転移温度:32.0℃ IR(KBr disc)νmax:2922,285
2,2098,1512,1246,1134,108
0,889,820cm-1
【0164】[実施例67] 4’−(トランス−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−3,5−ジフルオロ−4−(2,2−ジフ
ルオロエトキシ)ビフェニル 実施例17で使用した4−n−プロピル−4−フェニル
−4−シラシクロヘキサノンの代わりに4−n−ペンチ
ル−4−フェニル−4−シラシクロヘキサノンを使用し
た以外は、実施例17と同様の方法で目的物を得た。 C−N転移温度:48.5℃ N−I転移温度:89.5℃ IR(KBr disc)νmax:2918,284
8,2094,1502,1354,1236,107
0,1034,814cm-1
【0165】[実施例68] 4’−(トランス−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−2’,3,5−トリフルオロ−4−(2,
2−ジフルオロエトキシ)ビフェニル 実施例20で使用した4−n−ペンチル−4−フェニル
−4−シラシクロヘキサノンの代わりに4−n−プロピ
ル−4−フェニル−4−シラシクロヘキサノンを使用し
た以外は、実施例20と同様の方法で目的物を得た。 C−N転移温度:47.3℃ N−I転移温度:75.8℃ IR(KBr disc)νmax:2926,209
4,1498,1406,1358,1057,103
4,887,823cm-1
【0166】[実施例69] 4’−(トランス−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−3,5−ジフルオロ−4−(2,2,2−
トリフルオロエトキシ)ビフェニル 実施例17で使用した4−n−プロピル−4−フェニル
−4−シラシクロヘキサノンの代わりに4−n−ペンチ
ル−4−フェニル−4−シラシクロヘキサノン、1−ブ
ロモ−2,2−ジフルオロエタンの代わりに1−ブロモ
−2,2,2−トリフルオロエタンを使用した以外は、
実施例17と同様の方法で目的物を得た。 C−N転移温度:48.1℃ N−I転移温度:74.6℃
【0167】[実施例70] 4’−(トランス−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−2’,3,5−トリフルオロ−4−(2,
2,2−トリフルオロエトキシ)ビフェニル 実施例69で使用した4’−ブロモ−3,5−ジフルオ
ロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ビフェニルの
代わりに4’−ブロモ−2’,3,5−トリフルオロ−
4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ビフェニルを使用
した以外は、実施例69と同様の方法で目的物を得た。 C−N転移温度:29.6℃ N−I転移温度:59.3℃
【0168】[実施例71] 4’−(トランス−4−n−プロピル−4−シラシクロ
ヘキシル)−2’,3,5−トリフルオロ−4−(2,
2,2−トリフルオロエトキシ)ビフェニル 実施例70で使用した4−n−ペンチル−4−フェニル
−4−シラシクロヘキサノンの代わりに4−n−プロピ
ル−4−フェニル−4−シラシクロヘキサノンを使用し
た以外は、実施例70と同様の方法で目的物を得た。 C−N転移温度:55.0℃ N−I転移温度:61.6℃
【0169】[実施例72] 4’−(トランス−4−n−プロピル−4−シラシクロ
ヘキシル)−2’,3,5,6’−テトラフルオロ−4
−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)ビフェニル 実施例71で使用した4’−ブロモ−2’,3,5−ト
リフルオロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)ビフ
ェニルの代わりに4’−ブロモ−2’,3,5,6’−
テトラフルオロ−4−(t−ブチルジメチルシロキシ)
ビフェニルを使用した以外は、実施例71と同様の方法
で目的物を得た。 C−I転移温度:76.8℃
【0170】[実施例73] 4−(トランス−4−(トランス−4−n−ペンチル−
4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
(2,2,2−トリフルオロエトキシ)−2,6−ジフ
ルオロベンゼン 実施例2で使用した4−(4−n−プロピル−4−フェ
ニル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキサノンの代
わりに4−(4−n−ペンチル−4−フェニル−4−シ
ラシクロヘキシル)シクロヘキサノンを使用した以外
は、実施例2と同様の方法で目的物を得た。 C−N転移温度:67.3℃ N−I転移温度:94.2℃
【0171】次に、前記一般式(I)で表されるシラシ
クロヘキサン化合物を含有する液晶組成物の実施例を示
す。なお、混合物の特性は以下の条件で測定した。記号
の定義も併せ示す。
【0172】TNI:ネマチック−アイソトロピック転移
温度(℃) Vth:閾値電圧 セル電極面積:1cm2、セルギャップ:5μm 配向膜:日立化成社製ポリイミド(製品名:LX−14
00) 測定周波数:32Hz矩形波、測定モード:ノーマリー
ホワイト 測定温度:25℃ 以上の条件で測定した時に透過率が初期値(100%)
から10%減少し90%となった時の印加電圧値を示
す。 Δn:屈折率異方性 Abbeの屈折率計を用い、ホメオトロピック配向した
プリズム上にサンプルを載せて測った異常光屈折率n〃
と常光屈折率n⊥の差を示す。 測定温度:25℃、使用波長:589.3nm VHR:電圧保持率 セル電極面積:1cm2 、セルギャップ:5μm(TN
セル) 配向膜:日本合成ゴム社製ポリイミド(商品名:AL−
1051) 測定周波数:30Hz矩形波、測定温度:100℃ パルス幅:60μsec(±5V TTL) 以上の条件で測定した時の電極間電圧波形の保持率を示
す。
【0173】混合物組成における%はモル%を示す。
【0174】[使用例1] 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,
2,6−トリフルオロベンゼン:16.2% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,
2,6−トリフルオロベンゼン:8.8% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
(2,2−ジフルオロエトキシ)−2,6−ジフルオロ
ベンゼン:5.5% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
(2,2−ジフルオロエトキシ)−2,6−ジフルオロ
ベンゼン:18.1% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
(2,2−ジフルオロエトキシ)−2,6−ジフルオロ
ベンゼン:16.4% 4’−(trans−4−n−プロピル−4−シラシク
ロヘキシル)−2’,3,5−トリフルオロ−4−
(2,2−ジフルオロエトキシ)ビフェニル:15.0
% 4’−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシク
ロヘキシル)−2’,3,5−トリフルオロ−4−
(2,2−ジフルオロエトキシ)ビフェニル:20.0
% TNI=81.7℃ Vth=1.19V Δn=0.101 VHR=99.2%
【0175】[使用例2] 4−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−メトキシベンゼン:6.7% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
トリフルオロメトキシベンゼン:18.3% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,
2,6−トリフルオロベンゼン:6.5% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,
2,6−トリフルオロベンゼン:3.5% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2,6−ジフルオロベンゼン:
4.9% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ジ
フルオロメトキシ−2,6−ジフルオロベンゼン:7.
1% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2,6−ジフルオロベンゼン:
8.0% 4’−(trans−4−n−プロピル−4−シラシク
ロヘキシル)−2’−フルオロ−4−トリフルオロメト
キシビフェニル:15.0% 4’−(trans−4−n−プロピル−4−シラシク
ロヘキシル)−3,5−ジフルオロ−4−(2,2−ジ
フルオロエトキシ)ビフェニル:21.2% 4’−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシク
ロヘキシル)−3,5−ジフルオロ−4−(2,2−ジ
フルオロエトキシ)ビフェニル:8.8% TNI=79.8℃ Vth=1.38V Δn=0.109 VHR=99.0%
【0176】[使用例3] 4−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−メトキシベンゼン 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
トリフルオロメトキシベンゼン 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ト
リフルオロメトキシベンゼン 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
トリフルオロメトキシベンゼン 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2,6−ジフルオロベンゼン 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ジ
フルオロメトキシ−2,6−ジフルオロベンゼン 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2,6−ジフルオロベンゼン trans−4−(2−(trans−4−(3,5−
ジフルオロ−4−(2,2−ジフルオロエトキシ)フェ
ニル)シクロヘキシル)エチル)−1−n−プロピル−
1−シラシクロヘキサン trans−4−(2−(trans−4−(3,5−
ジフルオロ−4−(2,2−ジフルオロエトキシ)フェ
ニル)シクロヘキシル)エチル)−1−n−ペンチル−
1−シラシクロヘキサン trans−4−(trans−4−(2−(3,4,
5−トリフルオロフェニル)エチル)シクロヘキシル)
−1−n−プロピル−1−シラシクロヘキサン trans−4−(trans−4−(2−(3,4,
5−トリフルオロフェニル)エチル)シクロヘキシル)
−1−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサン
【0177】[使用例4] 4−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−フルオロベンゼン:4.0% 4−(trans−4−n−ヘプチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−フルオロベンゼン:4.0% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,
2−ジフルオロベンゼン:11.0% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,
2−ジフルオロベンゼン:14.0% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,
2,6−トリフルオロベンゼン:22.7% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,
2,6−トリフルオロベンゼン:12.3% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
(2,2−ジフルオロエトキシ)−2,6−ジフルオロ
ベンゼン:2.7% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
(2,2−ジフルオロエトキシ)−2,6−ジフルオロ
ベンゼン:9.1% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
(2,2−ジフルオロエトキシ)−2,6−ジフルオロ
ベンゼン:8.2% trans,trans−4−(4−(4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−
3’,4’−ジフルオロビフェニル:3.6% trans,trans−4−(4−(4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−
3’,4’−ジフルオロビフェニル:8.4%
【0178】[使用例5] 4−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−フルオロベンゼン:5.0% 4−(trans−4−n−ヘプチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−フルオロベンゼン:5.0% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,2,6−ト
リフルオロベンゼン:13.3% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
シクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,2,6−トリ
フルオロベンゼン:13.3% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,2,6−ト
リフルオロベンゼン:13.4% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,
2−ジフルオロベンゼン:9.7% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,
2−ジフルオロベンゼン:5.3% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
(2,2−ジフルオロエトキシ)−2,6−ジフルオロ
ベンゼン:3.4% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
(2,2−ジフルオロエトキシ)−2,6−ジフルオロ
ベンゼン:11.3% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
(2,2−ジフルオロエトキシ)−2,6−ジフルオロ
ベンゼン:10.3% trans,trans−4−(4−(4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−
3’,4’−ジフルオロビフェニル:3.0% trans,trans−4−(4−(4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−
3’,4’−ジフルオロビフェニル:7.0% TNI=93.1℃ Vth=1.34V Δn=0.087 VHR=99.2%
【0179】[使用例6] 4−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−メトキシベンゼン:4.1% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,2,6−ト
リフルオロベンゼン:8.0% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
シクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,2,6−トリ
フルオロベンゼン:8.0% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,2,6−ト
リフルオロベンゼン:9.0% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
トリフルオロメトキシベンゼン:10.9% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
トリフルオロメトキシベンゼン:5.0% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2,6−ジフルオロベンゼン:
4.9% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ジ
フルオロメトキシ−2,6−ジフルオロベンゼン:7.
1% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2,6−ジフルオロベンゼン:
8.0% 4’−(trans−4−n−プロピル−4−シラシク
ロヘキシル)−2’,3,5−トリフルオロ−4−
(2,2−ジフルオロエトキシ)ビフェニル:15.0
% 4’−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシク
ロヘキシル)−2’,3,5−トリフルオロ−4−
(2,2−ジフルオロエトキシ)ビフェニル:20.0
% TNI=80.6℃ Vth=1.23V Δn=0.100 VHR=99.0%
【0180】[使用例7] 4−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−メトキシベンゼン 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−トリフルオ
ロメトキシベンゼン 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−トリフルオ
ロメトキシベンゼン 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,2,6−ト
リフルオロベンゼン 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
シクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,2,6−トリ
フルオロベンゼン 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,2,6−ト
リフルオロベンゼン 4’−(trans−4−n−プロピルシクロヘキシ
ル)−3,4−ジフルオロビフェニル 4’−(trans−4−n−ペンチルシクロヘキシ
ル)−3,4−ジフルオロビフェニル 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
(2,2−ジフルオロエトキシ)−2,6−ジフルオロ
ベンゼン 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
(2,2−ジフルオロエトキシ)−2,6−ジフルオロ
ベンゼン 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
(2,2−ジフルオロエトキシ)−2,6−ジフルオロ
ベンゼン
【0181】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、比較的高
いΔεとTNIと同時に備え、且つ、従来知られていなか
った分子構造中にケイ素原子を含んだシラシクロヘキサ
ン環を有する全く新規な液晶化合物を提供することがで
きた。また、この液晶化合物を混合物の一成分として含
む液晶組成物は、広温度範囲にわたるネマチック液晶
相、低粘性、高速応答性、液晶化合物同士の相互溶解
性、水分、空気、光、熱、電界に対する安定性を備えて
いると同時に、成分として分子構造中にシラシクロヘキ
サン環を持つ化合物を混合した効果として、特に以下の
特長を有する。 低電圧駆動のための低閾値電圧 苛酷環境下での高電圧保持率 低温ネマチック安定性、すなわち低温におけるスメク
チック相又は結晶相の発生防止
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G02F 1/13 500 G02F 1/13 500 (72)発明者 金子 達志 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 朝倉 和之 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 金生 剛 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 中島 睦雄 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(I)で表されるシラシクロ
    ヘキサン化合物。 【化1】 但し、Rは炭素数1〜10の直鎖状アルキル基、炭素数
    3〜8の分枝鎖状アルキル基、炭素数2〜7のアルコキ
    シアルキル基、炭素数2〜8のアルケニル基又は炭素数
    1〜10のモノ又はジフルオロアルキル基を表す。 【化2】 は1又は4位のケイ素がH、F、Cl又はCH3の置換
    基を持つトランス−1−シラ−1,4−シクロヘキシレ
    ン基又はトランス−4−シラ−1,4−シクロへキシレ
    ン基を表すか又は1,4−シクロヘキシレン基を表す。
    j、k及びl(エル)はそれぞれ0又は1を表す。かつ
    (j+l(エル))は0又は1を表す。 【化3】 は未置換又は置換基として1個又は2個のフッ素原子を
    有する1,4−フェニレン基、1又は4位のケイ素が
    H、F、Cl又はCH3の置換基を持つトランス−1−
    シラ−1,4−シクロヘキシレン基又はトランス−4−
    シラ−1,4−シクロへキシレン基を表すか又は1,4
    −シクロヘキシレン基を表す。但し、ここで 【化4】 及び 【化5】 の少なくともいずれか一方は1又は4位のケイ素がH、
    F、Cl又はCH3の置換基を持つトランス−1−シラ
    −1,4−シクロヘキシレン基又はトランス−4−シラ
    −1,4−シクロへキシレン基を表す。L1及びL2はそ
    れぞれH又はFを表す。m及びnはそれぞれ0、1又は
    2で且つm+nが2、3又は4となる数を表す。Xは
    H、F又はClを表す。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のシラシクロヘキサン化
    合物を含有することを特徴とする液晶組成物。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載のシラシクロヘキサン化
    合物においてkが1である化合物を少なくとも1種以上
    含有することを特徴とする液晶組成物。
  4. 【請求項4】 一般式(II)〜(V) 【化6】 【化7】 【化8】 【化9】 (ここでR’は炭素数1〜7のアルキル基、以下炭素数
    1〜7のアルコキシアルキル基、モノ又はジフルオロア
    ルキル基、アルケニル基を表す。aは0又は1を表す。 【化10】 及び 【化11】 は、それぞれトランス−1−シラ−1,4−シクロヘキ
    シレン基、トランス−4−シラ−1,4−シクロへキシ
    レン基又はトランス−1,4−シクロヘキシレン基のい
    ずれかを表す。ZはF、Cl、OCHF2、OCF3、O
    (CH2m(CF2nX、CF3又は炭素数5以下のア
    ルコキシ基を表す。m、n及びXの定義は請求項1と同
    じである。Y1、Y2、Y3及びY4はそれぞれH又はFを
    表す。)からなる群より選択される1種又は2種以上の
    化合物と請求項1記載のシラシクロヘキサン化合物とを
    含有することを特徴とする液晶組成物。
  5. 【請求項5】 一般式(II)及び(III)のシラシ
    クロヘキサン化合物においてaが1である化合物の1種
    又は2種以上の化合物を含有することを特徴とする請求
    項4に記載の液晶組成物。
  6. 【請求項6】 請求項1記載の一般式(I)のシラシク
    ロヘキサン化合物においてkが1である化合物を含有す
    ることを特徴とする請求項4に記載の液晶組成物。
  7. 【請求項7】 一般式(VI)及び(VII) 【化12】 【化13】 (ここでR’及びR”はそれぞれ独立して炭素数2〜7
    のアルキル基、アルコキシアルキル基、モノ又はジフル
    オロアルキル基、アルケニル基を表す。aは0又は1を
    表す。 【化14】 及び 【化15】 は、それぞれトランス−1−シラ−1,4−シクロヘキ
    シレン基、トランス−4−シラ−1,4−シクロへキシ
    レン基又はトランス−1,4−シクロヘキシレン基のい
    ずれかを表す。ZはF、Cl、OCHF2、OCF3、O
    (CH2m(CF2nX、CF3又は炭素数5以下のア
    ルコキシ基を表す。m、n及びXの定義は請求項1と同
    じである。Y1、Y2、Y3、Y4及びY5はそれぞれH又
    はFを表す。)からなる群から選択される1種又は2種
    以上の化合物と、請求項1記載のシラシクロヘキサン化
    合物又は請求項2〜5に記載の液晶組成物のうち1種又
    は2種以上とを含有することを特徴とする液晶組成物。
  8. 【請求項8】 請求項2〜7の液晶組成物を含有するこ
    とを特徴とする液晶表示素子。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN108913158A (zh) * 2018-08-23 2018-11-30 京东方科技集团股份有限公司 液晶组合物及其制备方法、显示面板以及显示装置
CN108913158B (zh) * 2018-08-23 2020-08-18 京东方科技集团股份有限公司 液晶组合物及其制备方法、显示面板以及显示装置
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