JPH08306332A - 走査電子顕微鏡 - Google Patents
走査電子顕微鏡Info
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- JPH08306332A JPH08306332A JP7112813A JP11281395A JPH08306332A JP H08306332 A JPH08306332 A JP H08306332A JP 7112813 A JP7112813 A JP 7112813A JP 11281395 A JP11281395 A JP 11281395A JP H08306332 A JPH08306332 A JP H08306332A
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高Ｓ／Ｎ比の２次電子像を取得する走査電子
顕微鏡を提供すること。 【構成】 散乱標的と複数の電子検出手段を備えた２次
電子のスピン偏極度を検出する手段（スピン検出手段）
とともに、散乱標的を透過した電子線の検出手段を備え
るる。
顕微鏡を提供すること。 【構成】 散乱標的と複数の電子検出手段を備えた２次
電子のスピン偏極度を検出する手段（スピン検出手段）
とともに、散乱標的を透過した電子線の検出手段を備え
るる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は２次電子のスピン偏極度
を利用して試料表面の磁化分布を観察する走査電子顕微
鏡に係る。
を利用して試料表面の磁化分布を観察する走査電子顕微
鏡に係る。
【０００２】
【従来の技術】従来の走査電子顕微鏡は、例えば、レビ
ュー オブ サイエンティフィックインスツルメンツ
（Review of Scientific Instruments, 62, 970 (199
1)）に記載されている。そこで使用されるスピン検出器
はその内部に２対の電子検出器がスピン検出器の中心軸
に対して４回対称に配置されており、散乱標的である金
薄膜で大角度散乱した電子線をそれら電子検出器でカウ
ントする。このとき２対の電子検出器のカウント数の非
対称性から磁化ベクトルの２成分が算出され、その算出
信号を用い磁化分布像が描画される。また各電子検出器
のカウント数の和は２次電子強度に比例し、２次電子像
として描画される。
ュー オブ サイエンティフィックインスツルメンツ
（Review of Scientific Instruments, 62, 970 (199
1)）に記載されている。そこで使用されるスピン検出器
はその内部に２対の電子検出器がスピン検出器の中心軸
に対して４回対称に配置されており、散乱標的である金
薄膜で大角度散乱した電子線をそれら電子検出器でカウ
ントする。このとき２対の電子検出器のカウント数の非
対称性から磁化ベクトルの２成分が算出され、その算出
信号を用い磁化分布像が描画される。また各電子検出器
のカウント数の和は２次電子強度に比例し、２次電子像
として描画される。
【０００３】一方、２次電子はプローブ電子線の走査に
従って、電子光学系内の様々な経路を通り金薄膜上に達
する。このとき電子光学系を適当に設定し、試料に最も
近く配置されたレンズが作る後焦点面の像を金薄膜へ結
像させる。これによって２次電子放出点がプローブ電子
線の走査によって移動しても、金薄膜上の後焦点面の像
はその位置が理想的には変化しない。２次電子の入射点
が若干中心軸からずれると各電子検出器の散乱電子を取
り込む立体角が変わり、見かけのスピン偏極度（オフセ
ット）が真の偏極度に重畳してしまう問題が生じる。こ
れを回避するために上記の方法を取っていた。
従って、電子光学系内の様々な経路を通り金薄膜上に達
する。このとき電子光学系を適当に設定し、試料に最も
近く配置されたレンズが作る後焦点面の像を金薄膜へ結
像させる。これによって２次電子放出点がプローブ電子
線の走査によって移動しても、金薄膜上の後焦点面の像
はその位置が理想的には変化しない。２次電子の入射点
が若干中心軸からずれると各電子検出器の散乱電子を取
り込む立体角が変わり、見かけのスピン偏極度（オフセ
ット）が真の偏極度に重畳してしまう問題が生じる。こ
れを回避するために上記の方法を取っていた。
【０００４】実際の電子光学系の設定は、例えばプロー
ブ電子線を走査している状態で各電子検出器の信号強度
が等しく、かつ信号強度が走査で変化しないように設定
していた。
ブ電子線を走査している状態で各電子検出器の信号強度
が等しく、かつ信号強度が走査で変化しないように設定
していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
では、電子検出器へ到達する２次電子はスピン検出器へ
入射する２次電子のごく一部であるため、Ｓ／Ｎ比の高
い２次電子像を得ることができなかった。
では、電子検出器へ到達する２次電子はスピン検出器へ
入射する２次電子のごく一部であるため、Ｓ／Ｎ比の高
い２次電子像を得ることができなかった。
【０００６】電子光学系の設定にはプローブ電子線を走
査しながら各電子検出器のカウント数をモニターする必
要があるため、その最適値の設定にかなりの時間を要し
た。また内部に複数個のレンズ、偏向器等がある場合さ
らに設定に時間を要した。一方観察試料（強磁性体）に
プローブ電子線を照射して設定する場合、２次電子のス
ピン偏極のためカウント数が非対称になり、原理的に高
精度に上述の設定を実行することを困難にしていた。
査しながら各電子検出器のカウント数をモニターする必
要があるため、その最適値の設定にかなりの時間を要し
た。また内部に複数個のレンズ、偏向器等がある場合さ
らに設定に時間を要した。一方観察試料（強磁性体）に
プローブ電子線を照射して設定する場合、２次電子のス
ピン偏極のためカウント数が非対称になり、原理的に高
精度に上述の設定を実行することを困難にしていた。
【０００７】従来技術のように後焦点面の像を金薄膜上
に結像する場合、像は走査に従って変動しないが、金薄
膜への２次電子の入射角度が若干変化する。この入射角
の変化も見かけのスピン偏極度の変化の原因となった。
に結像する場合、像は走査に従って変動しないが、金薄
膜への２次電子の入射角度が若干変化する。この入射角
の変化も見かけのスピン偏極度の変化の原因となった。
【０００８】本発明は、散乱標的である金薄膜による散
乱電子を取り込む各電子検出器の信号のみでなく、金薄
膜を透過して無駄に棄てられていた電子線を利用するこ
とにより、多様な展開の可能な走査電子顕微鏡を提供す
るものである。本発明の実施例によって得られる効果を
具体的に列挙すると、下記のようである。
乱電子を取り込む各電子検出器の信号のみでなく、金薄
膜を透過して無駄に棄てられていた電子線を利用するこ
とにより、多様な展開の可能な走査電子顕微鏡を提供す
るものである。本発明の実施例によって得られる効果を
具体的に列挙すると、下記のようである。
【０００９】１．磁化分布像と高Ｓ／Ｎ比の２次電子像
を１回の画像走査で取得することが可能となる。
を１回の画像走査で取得することが可能となる。
【００１０】２．走査に従って２次電子の金薄膜上での
結像位置が変動しない電子光学系の設定条件を容易、か
つ高精度に決めることを可能とする。
結像位置が変動しない電子光学系の設定条件を容易、か
つ高精度に決めることを可能とする。
【００１１】３．金薄膜上での２次電子の入射位置、角
度が、走査に従って変化しないこと。
度が、走査に従って変化しないこと。
【００１２】にある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、公知の、プロ
ーブ電子線を照射する手段と、プローブ電子線を走査す
る手段と、電子線を加速する手段と散乱標的と２対の電
子検出手段を備えた２次電子のスピン偏極度を検出する
手段（スピン検出手段）と、試料から放出される２次電
子をスピン検出手段へ導く電子光学系と、スピン検出手
段からの出力信号を画像表示する手段を備えた走査電子
顕微鏡に於いて、散乱標的を透過した電子線の強度を検
出する手段を新たに付加することで実現可能となる。
ーブ電子線を照射する手段と、プローブ電子線を走査す
る手段と、電子線を加速する手段と散乱標的と２対の電
子検出手段を備えた２次電子のスピン偏極度を検出する
手段（スピン検出手段）と、試料から放出される２次電
子をスピン検出手段へ導く電子光学系と、スピン検出手
段からの出力信号を画像表示する手段を備えた走査電子
顕微鏡に於いて、散乱標的を透過した電子線の強度を検
出する手段を新たに付加することで実現可能となる。
【００１４】上記、散乱標的を透過した電子線の強度を
検出する手段によって得られた信号の使い方によって、
上記の実施例の効果が実現できる。
検出する手段によって得られた信号の使い方によって、
上記の実施例の効果が実現できる。
【００１５】
【作用】一つの使い方は、透過電子線を利用して２次電
子像のＳ／Ｎ比を向上させることである。他の使い方
は、散乱標的を透過した電子線の強度分布を画像化し、
強度分布像より金薄膜位置での２次電子の入射位置を推
定することに利用する。さらに散乱標的を透過した電子
線の強度分布から散乱標的への２次電子の入射位置、角
度が、走査に従って変動しないものとするための制御に
利用する。
子像のＳ／Ｎ比を向上させることである。他の使い方
は、散乱標的を透過した電子線の強度分布を画像化し、
強度分布像より金薄膜位置での２次電子の入射位置を推
定することに利用する。さらに散乱標的を透過した電子
線の強度分布から散乱標的への２次電子の入射位置、角
度が、走査に従って変動しないものとするための制御に
利用する。
【００１６】いずれの場合も、強度分布像の一部あるい
は全領域の輝度信号を利用して、Ｓ／Ｎ比の高い２次電
子像を描画することも可能となる。
は全領域の輝度信号を利用して、Ｓ／Ｎ比の高い２次電
子像を描画することも可能となる。
【００１７】
【実施例】本発明の一つの実施例を図１により説明す
る。
る。
【００１８】図１はスピン検出器の断面を示したもので
ある。試料（図示しない）より放出された２次電子２は
中心軸１に沿って加速管３で数十から百ｋＶ程度に加速
され、中心軸１上に固定された金薄膜４へ入射される。
散乱標的である金薄膜４で散乱された電子線５は、中心
軸１に対して４回対称に配置された電子検出器６で検出
され、その検出信号から２次電子のスピン偏極度成分が
算出される。図では、電子検出器６以降の増幅器等は省
略しており、また１対の電子検出器６のみを示してお
く。
ある。試料（図示しない）より放出された２次電子２は
中心軸１に沿って加速管３で数十から百ｋＶ程度に加速
され、中心軸１上に固定された金薄膜４へ入射される。
散乱標的である金薄膜４で散乱された電子線５は、中心
軸１に対して４回対称に配置された電子検出器６で検出
され、その検出信号から２次電子のスピン偏極度成分が
算出される。図では、電子検出器６以降の増幅器等は省
略しており、また１対の電子検出器６のみを示してお
く。
【００１９】一方、金薄膜４として例えば高分子膜に数
百Åの膜厚で金蒸着したものが使われるので、入射電子
線２の大部分は透過する。そののち透過電子線７は中心
軸１上に配置した蛍光体８に入射し、蛍光体８内部で入
射電子線量に応じて光子が多数生成される。生成された
光子は、蛍光体８に接して配置された光ガイド９を通
り、光電子増倍管１０に導かれ、２次電子強度信号とし
て電気信号に変換される。また金薄膜４、電子検出器
６、蛍光体８、光ガイド９は散乱チャンバー１１に構造
上支持される。
百Åの膜厚で金蒸着したものが使われるので、入射電子
線２の大部分は透過する。そののち透過電子線７は中心
軸１上に配置した蛍光体８に入射し、蛍光体８内部で入
射電子線量に応じて光子が多数生成される。生成された
光子は、蛍光体８に接して配置された光ガイド９を通
り、光電子増倍管１０に導かれ、２次電子強度信号とし
て電気信号に変換される。また金薄膜４、電子検出器
６、蛍光体８、光ガイド９は散乱チャンバー１１に構造
上支持される。
【００２０】試料に対するプローブ電子線の走査と同期
して、各画素毎に上記電子検出器６によるスピン偏極度
成分信号と透過電子線による２次電子強度信号とをＣＲ
Ｔ上へ表示することによって２次電子像と２次電子像を
同時に得ることができる。
して、各画素毎に上記電子検出器６によるスピン偏極度
成分信号と透過電子線による２次電子強度信号とをＣＲ
Ｔ上へ表示することによって２次電子像と２次電子像を
同時に得ることができる。
【００２１】この実施例における２次電子像を得るため
の信号が、前述した公知例における２対の電子検出器の
カウント数の和の信号を用いて得られる２次電子像より
はるかに情報量の豊かな信号であることは明白であろ
う。
の信号が、前述した公知例における２対の電子検出器の
カウント数の和の信号を用いて得られる２次電子像より
はるかに情報量の豊かな信号であることは明白であろ
う。
【００２２】図１の実施例を一部変更した本発明の他の
実施例を図２により説明する。
実施例を図２により説明する。
【００２３】図２はスピン検出器の断面を示したもので
あり、図１と異なるところは、蛍光体８上に接触して金
薄膜４を配置することである。これによって、金薄膜を
透過した全ての電子を蛍光体に入射することが可能とな
り、上記実施例よりさらにＳ／Ｎ比の高い２次電子像を
得ることができる。
あり、図１と異なるところは、蛍光体８上に接触して金
薄膜４を配置することである。これによって、金薄膜を
透過した全ての電子を蛍光体に入射することが可能とな
り、上記実施例よりさらにＳ／Ｎ比の高い２次電子像を
得ることができる。
【００２４】散乱標的を透過した電子線の強度分布を画
像化し、強度分布像より金薄膜位置での２次電子の入射
位置を推定することに利用した本発明の実施例を図３に
より説明する。
像化し、強度分布像より金薄膜位置での２次電子の入射
位置を推定することに利用した本発明の実施例を図３に
より説明する。
【００２５】図３はスピン検出器の断面を示したもので
ある。試料より放出された２次電子２は中心軸１に沿っ
て加速管３で数十から百ｋＶ程度に加速され、中心軸１
上に固定された金薄膜４へ入射される。金薄膜４で散乱
された電子線５は、中心軸１に対して４回対称に配置さ
れた電子検出器６で検出され、その検出信号から２次電
子のスピン偏極度成分が算出される。図では、電子検出
器６以降の増幅器等は省略しており、また１対の電子検
出器６のみを示しておく。
ある。試料より放出された２次電子２は中心軸１に沿っ
て加速管３で数十から百ｋＶ程度に加速され、中心軸１
上に固定された金薄膜４へ入射される。金薄膜４で散乱
された電子線５は、中心軸１に対して４回対称に配置さ
れた電子検出器６で検出され、その検出信号から２次電
子のスピン偏極度成分が算出される。図では、電子検出
器６以降の増幅器等は省略しており、また１対の電子検
出器６のみを示しておく。
【００２６】一方、金薄膜４として例えば高分子膜に数
百Åの膜厚で金蒸着したものが使われるので、入射電子
線の大部分は透過する。そののち透過電子線７は中心軸
１上に配置した蛍光体８に入射し、蛍光体８内部で入射
電子線量に応じて光子が生成される。蛍光体面上での光
子分布像は、蛍光体８に接して配置されたイメージガイ
ド１２を通り、ＣＣＤカメラ１３で増倍され、ディスプ
レイ１４上に表示される。この強度分布像よりスピン検
出手段の中心軸位置に、容易にかつ高精度に２次電子を
入射させることが可能となる。また強度分布像の一部あ
るいは全領域の輝度信号を利用して、Ｓ／Ｎ比の高い２
次電子像を描画することも可能となる。
百Åの膜厚で金蒸着したものが使われるので、入射電子
線の大部分は透過する。そののち透過電子線７は中心軸
１上に配置した蛍光体８に入射し、蛍光体８内部で入射
電子線量に応じて光子が生成される。蛍光体面上での光
子分布像は、蛍光体８に接して配置されたイメージガイ
ド１２を通り、ＣＣＤカメラ１３で増倍され、ディスプ
レイ１４上に表示される。この強度分布像よりスピン検
出手段の中心軸位置に、容易にかつ高精度に２次電子を
入射させることが可能となる。また強度分布像の一部あ
るいは全領域の輝度信号を利用して、Ｓ／Ｎ比の高い２
次電子像を描画することも可能となる。
【００２７】同じ狙いでの他の実施例を図４により説明
する。
する。
【００２８】図４はスピン検出器の断面を示したもので
あり、図３と異なるところは、蛍光体８上に接触して金
薄膜４を配置することである。これによって、２次電子
の金薄膜への入射位置直後の蛍光体が発光するので、そ
の位置を上記実施例よりさらに高精度に決めることがで
きる。
あり、図３と異なるところは、蛍光体８上に接触して金
薄膜４を配置することである。これによって、２次電子
の金薄膜への入射位置直後の蛍光体が発光するので、そ
の位置を上記実施例よりさらに高精度に決めることがで
きる。
【００２９】散乱標的を透過した電子線の強度分布から
散乱標的への２次電子の入射位置、角度が、走査に従っ
て変動しないものとするための制御に利用した本発明の
実施例を図５により説明する。
散乱標的への２次電子の入射位置、角度が、走査に従っ
て変動しないものとするための制御に利用した本発明の
実施例を図５により説明する。
【００３０】図５はスピン検出器の断面を示したもので
ある。試料より放出された２次電子２は中心軸１に沿っ
て加速管３で数十から百ｋＶ程度に加速され、中心軸１
上に固定された金薄膜４へ入射される。金薄膜４で散乱
された電子線５は、中心軸１に対して４回対称に配置さ
れた電子検出器６で検出され、その検出信号から２次電
子のスピン偏極度成分が算出される。図では、電子検出
器６以降の増幅器等は省略しており、また１対の電子検
出器６のみを示しておく。
ある。試料より放出された２次電子２は中心軸１に沿っ
て加速管３で数十から百ｋＶ程度に加速され、中心軸１
上に固定された金薄膜４へ入射される。金薄膜４で散乱
された電子線５は、中心軸１に対して４回対称に配置さ
れた電子検出器６で検出され、その検出信号から２次電
子のスピン偏極度成分が算出される。図では、電子検出
器６以降の増幅器等は省略しており、また１対の電子検
出器６のみを示しておく。
【００３１】一方、金薄膜４として例えば高分子膜に数
百Åの膜厚で金蒸着したものが使われるので、入射電子
線の大部分は透過する。そののち透過電子線７は中心軸
１上の極近傍あるいは接して配置した蛍光体８に入射
し、蛍光体８内部で入射電子線量に応じて光子が生成さ
れる。ここで図５には、金薄膜４と蛍光体８とが接して
いる例を示しておいた。蛍光体８の面上での光子分布像
は、蛍光体８に接して配置されたイメージガイド１２を
通り、ＣＣＤカメラ１３で増倍される。ＣＣＤカメラの
検出信号はメモリを備えた画像処理装置１５に入力さ
れ、メモリ上に２次元画像として蓄積される。このメモ
リ上のデータを利用してスピン検出器の中心軸と２次電
子の入射位置との差を画像処理装置で算出する。この算
出信号を偏向器１７用の駆動電源１６に入力し、偏向器
１７を制御する。偏向器の位置での２次電子の偏向方向
と金薄膜上の入射位置の移動方向は１対１に対応するの
で、２次電子の金薄膜上の入射位置、角度が、走査によ
って変動しないように制御することが可能となる。
百Åの膜厚で金蒸着したものが使われるので、入射電子
線の大部分は透過する。そののち透過電子線７は中心軸
１上の極近傍あるいは接して配置した蛍光体８に入射
し、蛍光体８内部で入射電子線量に応じて光子が生成さ
れる。ここで図５には、金薄膜４と蛍光体８とが接して
いる例を示しておいた。蛍光体８の面上での光子分布像
は、蛍光体８に接して配置されたイメージガイド１２を
通り、ＣＣＤカメラ１３で増倍される。ＣＣＤカメラの
検出信号はメモリを備えた画像処理装置１５に入力さ
れ、メモリ上に２次元画像として蓄積される。このメモ
リ上のデータを利用してスピン検出器の中心軸と２次電
子の入射位置との差を画像処理装置で算出する。この算
出信号を偏向器１７用の駆動電源１６に入力し、偏向器
１７を制御する。偏向器の位置での２次電子の偏向方向
と金薄膜上の入射位置の移動方向は１対１に対応するの
で、２次電子の金薄膜上の入射位置、角度が、走査によ
って変動しないように制御することが可能となる。
【００３２】強度分布像の一部あるいは全領域の輝度信
号を利用して、Ｓ／Ｎ比の高い２次電子像を描画するこ
とも可能である。
号を利用して、Ｓ／Ｎ比の高い２次電子像を描画するこ
とも可能である。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、従来無駄に棄てられて
いた散乱標的を透過した二次電子線を効果的に利用した
高Ｓ／Ｎ比の２次電子像を持つ走査電子顕微鏡を実現で
きる。
いた散乱標的を透過した二次電子線を効果的に利用した
高Ｓ／Ｎ比の２次電子像を持つ走査電子顕微鏡を実現で
きる。
【図１】本発明の一つの実施例にかかる走査電子顕微鏡
のスピン検出器の断面図。
のスピン検出器の断面図。
【図２】本発明の他の実施例にかかる走査電子顕微鏡の
スピン検出器の断面図。
スピン検出器の断面図。
【図３】本発明の他の実施例にかかる走査電子顕微鏡の
スピン検出器の断面図。
スピン検出器の断面図。
【図４】本発明の他の実施例にかかる走査電子顕微鏡の
スピン検出器の断面図。
スピン検出器の断面図。
【図５】本発明の他の実施例にかかる走査電子顕微鏡の
スピン検出器の断面図。
スピン検出器の断面図。
１…中心軸、２…２次電子、３…加速管、４…金薄膜、
５…散乱電子線、６…電子検出器、７…透過電子線、８
…蛍光体、９…光ガイド、１０…光電子増倍管、１１…
散乱チャンバー、１２…イメージガイド、１３…ＣＣＤ
カメラ、１４…ディスプレイ、１５…画像処理装置、１
６…駆動電源、１７…偏向器。
５…散乱電子線、６…電子検出器、７…透過電子線、８
…蛍光体、９…光ガイド、１０…光電子増倍管、１１…
散乱チャンバー、１２…イメージガイド、１３…ＣＣＤ
カメラ、１４…ディスプレイ、１５…画像処理装置、１
６…駆動電源、１７…偏向器。
Claims (9)
- 【請求項１】プローブ電子線を試料へ照射する手段と、
プローブ電子線を走査する手段と、電子線を加速する手
段と散乱標的と複数の電子検出手段を備えた２次電子の
スピン偏極度を検出する手段と、試料から放出される２
次電子をスピン検出手段へ導く電子光学系と、スピン検
出手段からの出力信号を画像表示する手段を備えた走査
電子顕微鏡に於いて、散乱標的を透過した電子線の強度
を検出する手段を備えることを特徴とする走査電子顕微
鏡。 - 【請求項２】電子線の強度を検出する手段が蛍光体、光
ガイド、光電子増倍管より構成される請求項１記載の走
査電子顕微鏡。 - 【請求項３】散乱標的を蛍光体表面に形成する請求項２
記載の走査電子顕微鏡。 - 【請求項４】プローブ電子線を試料へ照射する手段と、
プローブ電子線を走査する手段と、電子線を加速する手
段と散乱標的と複数の電子検出手段を備えた２次電子の
スピン偏極度を検出する手段と、試料から放出される２
次電子をスピン検出手段へ導く電子光学系と、スピン検
出手段からの出力信号を画像表示する手段を備えた走査
電子顕微鏡に於いて、散乱標的を透過した電子線の強度
分布を検出する手段を備えることを特徴とする走査電子
顕微鏡。 - 【請求項５】電子線の強度分布を検出する手段を蛍光
体、イメージガイド、ＣＣＤカメラ、像表示装置で構成
する請求項４記載の走査電子顕微鏡。 - 【請求項６】スピン検出手段へ入射する２次電子を偏向
する手段と、電子線の強度分布の２次元位置座標を検出
する手段と、さらにその検出信号を偏向手段へフィード
バックする手段を付加した請求項４記載の走査電子顕微
鏡。 - 【請求項７】電子線の強度分布を検出する手段として蛍
光体、イメージガイド、ＣＣＤカメラ、画像メモリを備
えた像表示装置で構成し、強度分布の２次元位置座標を
像表示装置内の画像メモリデータを利用して算出する手
段を備えた請求項６記載の走査電子顕微鏡。 - 【請求項８】散乱標的を蛍光体表面に形成する請求項５
または７記載の走査電子顕微鏡。 - 【請求項９】電子光学系内のレンズの後焦点面での位
置、あるいは後焦点面での像が結像された位置に２次電
子の偏向手段を配置する請求項７記載の走査電子顕微
鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7112813A JPH08306332A (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | 走査電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7112813A JPH08306332A (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | 走査電子顕微鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08306332A true JPH08306332A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14596182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7112813A Pending JPH08306332A (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | 走査電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08306332A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10339404B4 (de) * | 2003-04-02 | 2009-03-05 | Gst Mbh | Anordnung zur Analyse der Elektronenspin-Polarisation in parallel abbildenden Elektronenmikroskopen |
-
1995
- 1995-05-11 JP JP7112813A patent/JPH08306332A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10339404B4 (de) * | 2003-04-02 | 2009-03-05 | Gst Mbh | Anordnung zur Analyse der Elektronenspin-Polarisation in parallel abbildenden Elektronenmikroskopen |
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