JPH08305011A

JPH08305011A - 感光性樹脂組成物

Info

Publication number: JPH08305011A
Application number: JP10738195A
Authority: JP
Inventors: Eiji Taniyama; 英二谷山; Mitsuko Nakamura; 晃子中村; Takasumi Kanekiyo; 隆純金清
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1995-05-01
Filing date: 1995-05-01
Publication date: 1996-11-22

Abstract

(57)【要約】【構成】感光性樹脂（Ａ）を式（Ｉ）で示される３−
メトキシプロピオン酸アルキルエステル（Ｂ）で溶解し
た感光性樹脂組成物。【化１】（式中、Ｒ¹とＲ²はそれぞれ独立して水素原子又はメ
チル基を、Ｒ³はメチル基又はエチル基を、Ｒ⁴は炭素
数が１〜４の直鎖又は分枝のアルキル基を示す。）【効果】タックフリーに優れた塗膜を与える毒性のな
いフォトレジストに適した感光性樹脂組成物である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、毒性のない有機溶剤、
即ち、３−メトキシプロピオン酸エステルで、感光性樹
脂を溶解した感光性樹脂組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】フォトレジストは、通常、感光性樹脂
を、単独または必要によっては添加剤を加えて、溶剤に
溶解して感光性組成物とし、基板上に塗布して薄膜を形
成することに用いられる。特に、シリコン基板、樹脂フ
ィルム、箔、樹脂板、金属蒸着フィルム、アルミニウム
板、紙等の基板上に塗布され、プリント配線基板、印刷
製版のレリーフ像を形成するために用いられる（特公平
７−３５８１号、同６−１３８０号、同６−１３８１
号、同６−１３８２号、同６−１３７８号、同６−１３
７９号公報等）。

【０００３】従来、使用されている代表的なポジ型フォ
トレジストは、フェノールホルムアルデヒドノボラック
ポリマーを基礎にしている。この特定の例はシップレイ
のＡＺ−１３５０であり、これはｍ−クレゾールホルム
アルデヒドノボラックポリマー組成物である。これはポ
ジ型レジスト組成物であり、その中に２−ジアゾ−１−
ナフトル−５−スルホン酸エステルのようなジアゾケト
ンを含んでいる。このような組成物中で、光化学反応の
間にこのオルトジアゾケトンはカルボン酸に変化する。
これは、つぎに弱アルカリ性の水性現像液中に容易に溶
ける、中性の有機可溶性分子（フェノール性ポリマー）
に変化する。この組成物は普通約１５重量％、またはそ
の程度のジアゾケトン化合物を含んでいる。使用できる
他の商業的に入手しうるポジ型フォトレジストにはダイ
ナケムＵＦがある。

【０００４】又、ネガ型フォトレジストとしては、ビス
アジド−環化ゴム系、ポリ桂皮酸エステル系、ノボラッ
ク樹脂−アジド系が使用されている。更に、放射線や電
子線の照射により硬化しうるポリメチルメタクリレー
ト、ポリオレフィンスルフォン、エポキシ化ポリ−１，
２−ブタジエン、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチ
ル・グリシジルメタクリレート共重合体等をエチレン性
不飽和単量体に溶解し、これに光増感剤、熱重合禁止剤
が加えられている感電子線樹脂組成物、例えば米国、Ｅ
・Ｔ・デュポン社のリストン（商品名）が使用されてい
る（ＵＳＰ３，４６９，９８２号、同３，５２６，５
０４号、同３，８６７，１５３号、ＥＰ４９５０４
号）。

【０００５】更に、ソルダーレジストは、プリント配線
基板の表面に通常スクリーン印刷され、電気的、耐湿的
な回路の保護、半田付け時の選択的な回路の保護、メッ
キ工程での基板の保護等に用いられている。かかるソル
ダーレジストにも前述の感光性樹脂が用いられている。
これら感光性樹脂を溶解する溶剤としては、セロソルブ
アセテート（沸点１５６℃）、２−ブトキシエチルアセ
テート（沸点１９２℃）、ジグリム（沸点１６２℃）、
ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
（沸点２１８℃）等のエチレングリコール、ジエチレン
グリコールを基本骨格とするものが、多くの樹脂に対し
優れた溶解性を示すことから、多用されてきた。しかし
ながら、近年になり、これらエチレングリコール、ジエ
チレングリコール骨格の化合物に長期毒性（生殖毒性）
が見い出され、それらの使用が制限または停止される傾
向にある（日経マテリアルズテクノロジー１９９３
年１２月号、８３〜８９頁）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】フォトレジストやソル
ダーレジスト組成物中に含有される溶剤の毒性問題は、
例えばクリーンルーム内での作業が必要とされるＩＣ、
ＬＳＩ等の半導体製造分野等では特に深刻である。この
為各種代替の溶剤、例えばテトラヒドロフラン、１４−
ジオキサン等のエーテル類；メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノン等のケトン類；トルエン、キシレン等の芳
香族炭化水素；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メ
チルピロリドン、ジメチルスルホキシド等の非プロトン
性極性溶媒；酢酸エチル、蟻酸メチル、ジクロロエタ
ン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素などが提案さ
れているが、安全かつ溶解力、蒸発速度、沸点等の物
性、性能を満足する溶剤は見い出されていない。本発明
は、感光性樹脂の溶解性に優れ、衛生上安全な溶剤を用
いた感光性樹脂組成物の提供を目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、感光性樹脂
（Ａ）を式（Ｉ）で示される３−メトキシプロピオン酸
アルキルエステル（Ｂ）で溶解した感光性樹脂組成物を
提供するものである。

【０００８】

【化２】

【０００９】（式中、Ｒ¹とＲ²はそれぞれ独立して水
素原子又はメチル基を、Ｒ³はメチル基又はエチル基
を、Ｒ⁴は炭素数が１〜４の直鎖又は分枝のアルキル基
を示す。）

【００１０】

【作用】溶剤の３−メトキシプロピオン酸アルキルエス
テルが高沸点物であって、毒性が少なく、かつ、感光性
樹脂の溶解性に優れるので、基板上への塗布が容易にな
しえる。

【００１１】

【発明の具体的説明】本発明の感光性樹脂組成物は、感
光性樹脂を式（Ｉ）で表される３−メトキシプロピオン
酸アルキルエステルで溶解したものである。感光性樹脂（Ａ）本発明で使用される感光性樹脂の代表的な例としては、
ポジ型においてはｏ−キノンジアジド−ノボラック樹脂
系が、ネガ型においては、ビスアジド−環化ゴム系、ポ
リケイ皮酸エステル系、ノボラック樹脂−アジド系等が
挙げられる。また、感電子線（放射線）硬化型樹脂とし
ては、ポリメタクリレート、ポリオレフィンスルフォ
ン、エポキシ化ポリ１，２−ブタジエン、メタクリル酸
メチルとアクリル酸エチルおよびグリシジルメタクリレ
ート共重合体等のバインダー用樹脂にエチレン性不飽和
単量体、光増感光剤および熱重合禁止剤を配合したもの
が使用できる。

【００１２】エチレン性不飽和単量体の例としては、ア
クリル酸、メタクリル酸のような不飽和カルボン酸、又
はそのエステル、例えばアルキルー、シクロアルキル
ー、ハロゲン化アルキルー、アルコキシアルキルー、ヒ
ドロキシアルキルー、アミノアルキルー、テトラヒドロ
フルフリルー、アリルー、グリシジルー、ベンジルー、
フェノキシ−アクリレート及びメタクリレート；アルキ
レングリコール、ポリオキシアルキレングリコールのモ
ノ又はジアクリレート及びメタクリレート；トリメチロ
ールプロパントリアクリレート及びメタクリレート；ペ
ンタエリトリットテトラアクリレート及びメタクリレー
トなど、アクリルアミド、メタクリルアミド又はその誘
導体、例えばアルキル、ヒドロキシアルキルのＮ−置換
又はＮ，Ｎ′−置換アクリルアミド及びメタクリルアミ
ド、ジアセトンアクリルアミド及びメタクリルアミド、
Ｎ，Ｎ′−アルキレンビスアクリルアミド及びメタクリ
ルアミドなど、アリル化合物、例えばアリルアルコー
ル、アリルイソシアネート、ジアリルフタレート、トリ
アリルシアヌレートなど、マレイン酸、無水マレイン
酸、フマル酸又はそのエステル、例えばアルキル、ハロ
ゲン化アルキル、アルコキシアルキルのモノ又はジマレ
エート及びフマレートなど、その他の不飽和化合物例え
ばスチレン、ビニルトルエン、ジビニルベンゼン、Ｎ−
ビニルカルバゾール、Ｎ−ビニルピロリドンなどをあげ
ることが出来る。又これらの単量体の１部をアジド系化
合物例えば４，４′−ジアジドスチルベン、ｐ−フェニ
レン−ビスアジド、４，４′−ジアジドベンゾフェノン
４，４′−ジアジドフェニルメタン、４，４′−ジアジ
ドカルコン、２，６（４′−アジドベンザル）−シクロ
ヘキサノン、４，４′−ジアジドスチルベン−α−カル
ボン酸、４，４′−ジアジドジフェニル、４，４′−ジ
アジドスチルベン−２，２′−ジスルホン酸ソーダなど
に置きかえることができる。

【００１３】これらの単量体はバインダー樹脂１００重
量部に対し、０〜２００重量部の範囲で添加される。光
増感剤としては、例えばベンゾインやベンゾインエチル
エーテル、ベンゾイン−ｎ−プロピルエーテル、ベンゾ
イン−イソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチル−
エーテルなどのベンゾインアルキルエーテル類、ジメト
キシフェニルアセトフェノン、ベンゾフエノン、ベンジ
ル、ジアセチル、ジフェニルスルフィド、エオシン、チ
オニン、チオキサントン類などが使用でき、これらはエ
チレン性不飽和単量体の０．００５〜５重量％の割合で
用いられる。

【００１４】熱重合禁止剤としては、ハイドロキノン、
モノ第三ブチルハイドロキノン、ベンゾキノン、２，５
−ジフェニル−ｐ−ベンゾキノン、ピクリン酸、ジ−ｐ
−フルオロフェニルアミン、ｐ−メトキシフェノール、
２，６−ジ第三ブチル−ｐ−クレゾールなどをあげるこ
とができる。これらの熱重合禁止剤は、光反応を抑制す
ることなく、ただ熱重合反応（暗反応）を防止するもの
であることが望ましい。したがって、熱重合禁止剤の添
加量は、バインダー樹脂とエチレン性不飽和単量体との
総量に対し、０．００５〜５．０重量％の範囲であるこ
とが望ましい。

【００１５】バインダー樹脂は、粘着性防止の面から感
電子線硬化型感光性樹脂に配合される。かかるバインダ
ー樹脂としては、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、
アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、ブタジエ
ン等のビニル化合物の重合体および共重合体、ポリビニ
ルアセタール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリ
スルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリウレタン、セ
ルロースエステル、セルロースエーテル、アルキド樹
脂、フェノキシ樹脂、ケイ素樹脂、エポキシ樹脂等キャ
リア移動媒体と相溶性のある各種ポリマーが挙げられ
る。これらのうちでは、ポリエステル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ポリメタクリレート樹脂、アクリル樹脂お
よびフェノキシ樹脂が好ましく、特にポリメタクリレー
ト樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂が好
ましい。

【００１６】有機溶剤（Ｂ）感光性樹脂（Ａ）を溶解するのに用いられる式（Ｉ）で
示される３−メトキシプロピオン酸アルキルエステル
は、例えば式（II）で表される３−メトキシプロピオン
酸類

【００１７】

【化３】（但し式中Ｒ¹、Ｒ²は前記式（Ｉ）と同じ）

【００１８】と、式（III)で表される１−アルキル−２
−アルコキシエチルアルコール類

【００１９】

【化４】（但し式中Ｒ³、Ｒ⁴は前記式（Ｉ）と同じ）

【００２０】を硫酸、塩酸等の無機酸、ｐ−トルエンス
ルホン酸等の有機酸の酸触媒を用いる脱水エステル化反
応を用いることができる。具体的には、これらの酸触媒
を一般式（II）で表される３−メトキシプロピオン酸類
に対し０．００１〜１倍モル、好ましくは０．０１〜
０．３倍モル用いる。一般式（III)で表される１−アル
キル−２−アルコキシエチルアルコール類は一般式（I
I）で表される３−メトキシプロピオン酸類に対し０．
１〜１０倍モル、好ましくは１〜５倍モルを用い、無溶
媒、または溶媒中で反応させるものである。

【００２１】使用する溶媒としては反応に不活性なもの
であれば何でもよい。例えばヘキサン、トルエン等の炭
化水素、１，２−ジクロロエタン、四塩化炭素等のハロ
ゲン化炭化水素が使用される。また、一般式（III)で表
されるアルコール自身が溶媒を兼ねることも可能であ
る。反応温度は室温から２００℃、好ましくは６０〜１
５０℃であり、反応で副生する水を共沸留去することに
より反応系外に除去するのが好ましい。反応終了後の溶
液から、用いた反応溶媒および／または過剰の一般式
（３）で表される１−アルキル−２−アルコキシエチル
アルコールを留去した後、常圧または減圧下で精製蒸留
を行うことにより目的物を得ることができる。

【００２２】かかる３−メトキシプロピオン酸アルキル
エステルとしては、次の（ａ）〜（ｋ）のものが挙げら
れる。（ａ）３−メトキシプロピオン酸２−メトキシ−１
−メチルエチルエステル（ｂ）３−メトキシプロピオン酸２−エトキシ−１
−メチルエチルエステル（ｃ）３−メトキシプロピオン酸１−（メトキシメ
チル）プロピルエステル（ｄ）３−メトキシ−２−メチルプロピオン酸２−
メトキシ−１−メチルエチルエステル（ｅ）３−メトキシプロピオン酸１−メチル−２−
（ｎ−プロポキシ）エチルエステル（ｆ）３−メトキシ−３−メチルプロピオン酸２−
メトキシ−１−メチルエチルエステル（ｇ）３−メトキシプロピオン酸２−ｎ−ブトキシ
−１−メチルエチルエステル（ｈ）３−メトキシ−２−メチルプロピオン酸２−
イソプロポキシ−１−メチルエチルエステル（ｉ）３−メトキシプロピオン酸２−ｓ−ブトキシ
−１−メチルエチルエステル（ｊ）３−メトキシ−２−メチルプロピオン酸２−
メトシ−１−メチルプロピルエステル（ｋ）３−メトキシ−２，３−ジメチルプロピオン酸
２−メトキシ−１−メチルエチルエステル

【００２３】これらの３−メトキシプロピオン酸アルキ
ルエステルの沸点は１８０〜２５０℃であり、毒性が少
ない。これら（ａ）〜（ｋ）の中でも３−メトキシプロ
ピオン酸２−メトキシ−１−メチルエチルエステルが
特に好ましい。３−メトキシプロピオン酸アルキルエス
テルの一部（５０重量％以下）を他の有機溶剤、例えば
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジオキ
サン、テトラヒドロフラン、ジメチルアセトアミド、メ
チルエチルケトン、トルエン、キシレン等に置きかえて
もよい。

【００２４】感光性樹脂１００重量部に対し、有機溶剤
は、フォトレジストの場合、８０〜９００重量部、好ま
しくは１００〜５００重量部の割合で、ソルダーレジス
トの場合、２０〜１００重量部、好ましくは２０〜５０
重量部用いられる。本発明のフォトレジスト組成物に
は、必要に応じ、種々の増感剤、可塑剤、着色剤、酸化
防止剤、レベリング剤、ＵＶ吸収剤等を添加して用いて
もよい。

【００２５】基板フォトレジスト組成物が塗布される基板としては、半導
体装置およびフォトマスク製造に通常用いられる材料、
例えばシリコン基板、あるいは二酸化シリコン、窒化シ
リコン、アルミニウム、チタニウム、プラチナ、パラジ
ウム、銅、タングステン、クロム、モリブデン、金、燐
ガラス、酸化クロム、酸化鉄、酸化アルミ等からなる膜
が被覆された基板が使用される。ガリウム、砒素のよう
なIII −Ｖ族半導体基板でもよい。

【００２６】平板や凸版印刷用刷板に用いる場合、アル
ミニウム、亜鉛、鉄、銅、ステンレス銅、黄銅、クロ
ム、ニッケル等の金属、ガラス、セラミックス、樹脂フ
ィルム、アルミニウム蒸着樹脂フィルム等が挙げられ
る。基板の上にレジスト溶液を塗布して、溶剤を乾燥
し、薄膜を形成した後、必要により電子線、放射線、光
線照射して硬化させた後、硬化膜中の少量の残存溶媒の
除去、および接着力の増加、膜中の残存歪除去のため、
加熱焼成が行われる。

【００２７】光線の光源としては、炭素アーク灯、超高
圧水銀灯、高圧水銀灯、紫外蛍光ランプ、メタルハライ
ドランプ、キセノンランプ、殺菌灯、太陽光等の光源を
用い画像面側より照射する。照射時間は通常の物性向上
の目的で後露光する時間と同様に設定すれば良い。

【００２８】

【実施例】

３−メトキシプロピオン酸２−メトキシ−１−メチルエ
チルエステルの製造例：３−メトキシプロピオン酸メチ
ルエステル１１８ｇ（１．０モル）と、チタンテトライ
ソプロポキシド８．５ｇ（０．０３モル）を１−メトキ
シ−２−プロパノール５４０ｇ（６．０モル）に溶解
し、加熱還流した。反応中、生成するメタノールを１−
メトキシ−２−プロパノールと共に少量ずつ留去した。
２２時間後、反応を終了させそのまま１−メトキシ−２
−プロパノールを留去した後、減圧蒸留したところ、沸
点１１６度／３２ｍｍＨｇの成分として３−メトキシプ
ロピオン酸２−メトキシ−１−メチルエチルエステル１
６２ｇ（３−メトキシプロピオン酸メチルエステルより
収率９２％）を得た。得た３−メトキシプロピオン酸２
−メトキシ−１−メチルエチルエステルの屈折率、プロ
トンＮＭＲスペクトルおよび沸点を示す。

【００２９】屈折率：ｎＤ２５１．４１５９１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣ１３）δｐｐｍ；１．２４（３
Ｈ，ｄ）、２．５９（２Ｈ，ｔ）、３．３５（３Ｈ，
ｓ）、３．３７（３Ｈ，ｓ）、３．３６〜３．４９（２
Ｈ，ｍ）、３．６６（２Ｈ，ｔ）、５．０３〜５．１８
（１Ｈ，ｍ）沸点：約２０８℃

【００３０】実施例１（ポジ）ナフチキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロ
リドと２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンとの
縮合により、ジエステルとトリエステルとの混合物より
なる増感剤を製造した（米国特許３１０６４６５号明細
書記載の方法）。上記で得た増感剤２０ｇと、ｏ−クレ
ゾールとホルムアルデヒドを付加縮合させて得たノボラ
ック樹脂８０ｇを、３−メトキシプロピオン酸２−メト
キシ−１−メチルエチルエステル３００ｇ（沸点２０７
〜２０９℃）に溶解し、０．２μｍの孔を有するメンブ
レンフィルターにて窒素気流下加圧ろ過し、フォトレジ
スト組成物を得た。酸化皮膜をつけたシリコンウェハー
上に、このレジスト組成物を５０００ｒｐｍで３０秒間
スピンコートし、１００℃の空気乾燥機で３０分間熱処
理して乾燥塗膜を得た。

【００３１】この時点で塗膜は外観的にも良好であり、
タック性は認められなかった。この塗膜上にテストパタ
ーンマスクを密着し、Ｘｅ−Ｈｇランプで２７０〜３３
０ｎｍの紫外線を用いて露光した。露光後、フィリップ
エイハントケミカル社のウェイコートポジティブＬＳＩ
現像溶液で現像したところ、線幅０．７５μｍのパター
ンを高感度で得ることができた。このレジスト膜をドラ
イエッチングしたが強い耐性を示し、像にゆがみを生じ
なかった。

【００３２】実施例２ナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロ
リドと２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンとの
縮合により、ジエステルとトリエステルとの混合物より
なる増感剤を製造した。上記で得た増感剤２０ｇと、ｏ
−クレゾールとホルムアルデヒドを付加縮合させて得た
ノボラック樹脂８０ｇを、３−メトキシプロピオン酸２
−エトキシ−１−メチルエチルエステル３００ｇ（沸点
約２３０℃）に溶解し、０．２μｍの孔を有するメンブ
レンフィルターにて窒素気流下加圧ろ過し、フォトレジ
スト組成物を得た。

【００３３】酸化皮膜をつけたシリコンウェハー上に、
このレジスト組成物を５０００ｒｐｍで３０秒間スピン
コートし、１３０℃の空気乾燥機で３０分間熱処理して
乾燥塗膜を得た。この時点で塗膜は外観的にも良好であ
り、タック性は認められなかった。この塗膜上にテスト
パターンマスクを密着し、Ｘｅ−Ｈｇランプで２７０〜
３３０ｎｍの紫外線を用いて露光した。露光後、フィリ
ップエイハントケミカル社のウェイコートポジティブＬ
ＳＩ現像溶液で現像したところ、線幅０．７５μｍのパ
ターンを高感度で得ることができた。このレジスト膜を
ドライエッチングしたが強い耐性を示し、像にゆがみを
生じなかった。

【００３４】実施例３４−アジドカルコン２０ｇ、ｏ−クレゾールとホルムア
ルデヒドを付加縮合して得たクレゾールノボラック樹脂
８０ｇを３−メトキシプロピオン酸２−メトキシ−１−
メチルエチルエステル４００ｇに溶解した後、０．２μ
ｍの孔を有するメンブレンフィルターにて窒素気流下加
圧ろ過し、フォトレジスト組成物を得た。酸化皮膜をつ
けたシリコンウェハー上に、このレジスト組成物を４０
００ｒｐｍで３０秒間スピンコートし、１００℃の空気
乾燥機で３０分間乾燥して１μｍ厚の塗膜を得た。この
時点で塗膜は外観的にも良好であり、タック性は認めら
れなかった。

【００３５】２５０Ｗの高圧水銀ランプを用い、フィル
ターで３２０ｎｍより短波長の光をカットし、塗膜上に
密着したパターンマスクを通して露光し光硬化膜を得
た。露光後、フィリップエイハントケミカル社のウェイ
コートポジティブＬＳＩ現像溶液で現像したところ、
１．５μｍのラインと２．０μｍのスペースのパターン
をコントラストよく形成することが出来た。このレジス
ト膜をドライエッチングしたが強い耐性を示し、像にゆ
がみを生じなかった。

【００３６】

【発明の効果】本発明の感光性樹脂組成物は毒性の少な
いもので、タックフリーな塗膜を与える。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０５Ｋ 3/28 Ｈ０５Ｋ 3/28 Ｄ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】感光性樹脂（Ａ）を式（Ｉ）で示される
３−メトキシプロピオン酸アルキルエステル（Ｂ）で溶
解した感光性樹脂組成物。【化１】（式中、Ｒ¹とＲ²はそれぞれ独立して水素原子又はメ
チル基を、Ｒ³はメチル基又はエチル基を、Ｒ⁴は炭素
数が１〜４の直鎖又は分枝のアルキル基を示す。）
【請求項２】感光性樹脂（Ａ）１００重量部に対し、
３−メトキシプロピオン酸アルキルエステル（Ｂ）が８
０〜９００重量部の割合で使されることを特徴とする請
求項１記載の感光性樹脂組成物。
【請求項３】（Ｂ）成分が、３−メトキシプロピオン
酸２−メトキシ−１−メチルエチルエステルである請求
項２記載の感光性樹脂組成物。