JPH08304426A - 異物微粒子の分析方法およびその装置 - Google Patents
異物微粒子の分析方法およびその装置Info
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- JPH08304426A JPH08304426A JP13290895A JP13290895A JPH08304426A JP H08304426 A JPH08304426 A JP H08304426A JP 13290895 A JP13290895 A JP 13290895A JP 13290895 A JP13290895 A JP 13290895A JP H08304426 A JPH08304426 A JP H08304426A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェーハ表面の目標異物をより早く、より簡
単に見つけることを目的とする。小さな異物を確実に検
出することを目的とする。 【構成】 ウェーハ表面を検査し、異物微粒子の表面上
位置を検出する。標準粒子を霧状に散布し、その霧状の
標準粒子雰囲気中を一定速度でウェーハを通過させる。
異物微粒子の検出位置を、標準粒子付着位置に基づいて
補正し、異物微粒子の付着位置を決定する。ＡＦＭにお
いて暗視野中でウェーハ表面に対して低角度で光を照射
することにより、異物微粒子を分析する。この結果、非
常に狭い範囲で座標補正を行える。測定したい位置のす
ぐ近くに標準粒子を存在させることができ、付着した異
物微粒子を容易に測定することができる。標準粒子とし
ては、ポリスチレンラテックス（ＰＳＬ）等光りやすい
ものを使用する。
単に見つけることを目的とする。小さな異物を確実に検
出することを目的とする。 【構成】 ウェーハ表面を検査し、異物微粒子の表面上
位置を検出する。標準粒子を霧状に散布し、その霧状の
標準粒子雰囲気中を一定速度でウェーハを通過させる。
異物微粒子の検出位置を、標準粒子付着位置に基づいて
補正し、異物微粒子の付着位置を決定する。ＡＦＭにお
いて暗視野中でウェーハ表面に対して低角度で光を照射
することにより、異物微粒子を分析する。この結果、非
常に狭い範囲で座標補正を行える。測定したい位置のす
ぐ近くに標準粒子を存在させることができ、付着した異
物微粒子を容易に測定することができる。標準粒子とし
ては、ポリスチレンラテックス（ＰＳＬ）等光りやすい
ものを使用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は異物微粒子の分析方法
およびその装置、詳しくはウェーハ表面に付着した異物
微粒子の分析方法およびその装置に関する。
およびその装置、詳しくはウェーハ表面に付着した異物
微粒子の分析方法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】超ＬＳＩの不良原因の中では、シリコン
ウェーハに付着した異物微粒子（パーティクル）に起因
する外観形状不良（パターン欠陥）が全体の３／４以上
を占めている。これが歩留まり低下の最大要因となって
いる。したがって、歩留まりを向上させるためには、各
製造プロセスでの微粒子発生を徹底的に低減・防止する
ことがきわめて重要である。
ウェーハに付着した異物微粒子（パーティクル）に起因
する外観形状不良（パターン欠陥）が全体の３／４以上
を占めている。これが歩留まり低下の最大要因となって
いる。したがって、歩留まりを向上させるためには、各
製造プロセスでの微粒子発生を徹底的に低減・防止する
ことがきわめて重要である。
【０００３】従来、ウェーハ付着異物微粒子の評価とい
えば、ほとんど粒径ごとの粒子数測定が主だった。汚染
源を見出し、効率的な汚染防止対策を講ずるためには、
異物微粒子の組成・状態分析が不可欠となってきた。こ
の分析を迅速に効率よく行う必要がある。
えば、ほとんど粒径ごとの粒子数測定が主だった。汚染
源を見出し、効率的な汚染防止対策を講ずるためには、
異物微粒子の組成・状態分析が不可欠となってきた。こ
の分析を迅速に効率よく行う必要がある。
【０００４】ウェーハに付着した異物粒子の形状観察
は、一般に、ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ；走査電子顕微鏡）で行
う。光学顕微鏡では判別不可能な微小なものでも、ＳＥ
Ｍを使えば形状を高倍率で観ることができる。さらに、
ＥＰＭＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏ
−Ａｎａｌｙｓｉｓ；電子プローブ微小分析）やＡＥＳ
（Ａｕｇｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃ
ｏｐｙ；オージェ電子分光分析）を組み合せることによ
り、元素分析が可能である。
は、一般に、ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ；走査電子顕微鏡）で行
う。光学顕微鏡では判別不可能な微小なものでも、ＳＥ
Ｍを使えば形状を高倍率で観ることができる。さらに、
ＥＰＭＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏ
−Ａｎａｌｙｓｉｓ；電子プローブ微小分析）やＡＥＳ
（Ａｕｇｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃ
ｏｐｙ；オージェ電子分光分析）を組み合せることによ
り、元素分析が可能である。
【０００５】ＥＰＭＡの方式には、ＥＤＸ（Ｅｎｅｒｇ
ｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒ
ｏｓｃｏｐｙ；エネルギ分散形Ｘ線分光分析）とＷＤＸ
（Ｗａｖｅ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ Ｓｐ
ｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ；波長分散形Ｘ線分光分析）があ
る。ＥＤＸの分析は、従来はナトリウム（Ｎａ）以上の
元素に限られていたが、最近ではＷＤＸと同様にボロン
（Ｂ）以上の元素の分析が可能となった。これにより、
数百ｎｍ程度の粒径の異物微粒子まで同定可能である。
これより微小なものの分析には、マイクロオージェ（μ
−ＡＥＳ、または走査形オージェ）が有効である。
ｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒ
ｏｓｃｏｐｙ；エネルギ分散形Ｘ線分光分析）とＷＤＸ
（Ｗａｖｅ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ Ｓｐ
ｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ；波長分散形Ｘ線分光分析）があ
る。ＥＤＸの分析は、従来はナトリウム（Ｎａ）以上の
元素に限られていたが、最近ではＷＤＸと同様にボロン
（Ｂ）以上の元素の分析が可能となった。これにより、
数百ｎｍ程度の粒径の異物微粒子まで同定可能である。
これより微小なものの分析には、マイクロオージェ（μ
−ＡＥＳ、または走査形オージェ）が有効である。
【０００６】半導体量産ラインでは、鏡面ウェーハ検査
装置で製造装置からの発塵を検査し、パターン付きウェ
ーハ検査装置でトータルプロセスとしての発塵をチェッ
クするようにし、両者を相補的に使うことにより、歩留
まり向上を目指している。
装置で製造装置からの発塵を検査し、パターン付きウェ
ーハ検査装置でトータルプロセスとしての発塵をチェッ
クするようにし、両者を相補的に使うことにより、歩留
まり向上を目指している。
【０００７】ここで、ウェーハ付着異物微粒子の検出に
は、レーザ光散乱式ウェーハ表面異物検査装置が広く用
いられている。異物微粒子の観察・分析には、上述した
ように、無機にはＳＥＭ／ＥＤＸ、有機には蛍光顕微鏡
／顕微蛍光分光分析が使われている。
は、レーザ光散乱式ウェーハ表面異物検査装置が広く用
いられている。異物微粒子の観察・分析には、上述した
ように、無機にはＳＥＭ／ＥＤＸ、有機には蛍光顕微鏡
／顕微蛍光分光分析が使われている。
【０００８】ところが、従来これらの分析装置には、ウ
ェーハ上の異物微粒子を自動的に捜し出す機能がついて
いない。しかも、異物微粒子は非常に小さいために高倍
率で検出する必要があるが、これら装置は、その観察視
野が非常に狭い。鏡面ウェーハの場合には、焦点合わせ
も困難である。このため、分析したい異物微粒子を視野
内に入れることは根気がいり、非能率的で長時間を要
し、これが分析を行う上で大きなネックとなっている。
ェーハ上の異物微粒子を自動的に捜し出す機能がついて
いない。しかも、異物微粒子は非常に小さいために高倍
率で検出する必要があるが、これら装置は、その観察視
野が非常に狭い。鏡面ウェーハの場合には、焦点合わせ
も困難である。このため、分析したい異物微粒子を視野
内に入れることは根気がいり、非能率的で長時間を要
し、これが分析を行う上で大きなネックとなっている。
【０００９】よって、従来のウェーハ表面の異物微粒子
（０．５μｍ以下）検査は、表面に大きいゴミをつけ、
これを基準として位置合わせの判断をしていた。すなわ
ち、まず、パーティクルカウンタでウェーハ表面に付着
した異物を検出する。パーティクルカウンタでは、パー
ティクルの個数および位置を検出・出力する。パーティ
クルカウンタの出力に基づいて、その検知したウェーハ
表面上の場所にはどのような異物が存在しているのか
を、例えばＳＥＭ・ＡＦＭで判定・検査していた。した
がって、いったんパーティクルをカウントし、検知した
パーティクルの位置座標をフロッピに格納する。さら
に、このフロッピで座標データを次のＳＥＭ・ＡＦＭに
移して、このデータに基づいてＡＦＭ・ＳＥＭでは測定
していた。詳しくは、パーティクルとしてカウントした
Ｘ座標データ・Ｙ座標データを基にして、ＡＦＭ・ＳＥ
Ｍではその測定ステージを移動させ、目標異物を見つけ
出していた。
（０．５μｍ以下）検査は、表面に大きいゴミをつけ、
これを基準として位置合わせの判断をしていた。すなわ
ち、まず、パーティクルカウンタでウェーハ表面に付着
した異物を検出する。パーティクルカウンタでは、パー
ティクルの個数および位置を検出・出力する。パーティ
クルカウンタの出力に基づいて、その検知したウェーハ
表面上の場所にはどのような異物が存在しているのか
を、例えばＳＥＭ・ＡＦＭで判定・検査していた。した
がって、いったんパーティクルをカウントし、検知した
パーティクルの位置座標をフロッピに格納する。さら
に、このフロッピで座標データを次のＳＥＭ・ＡＦＭに
移して、このデータに基づいてＡＦＭ・ＳＥＭでは測定
していた。詳しくは、パーティクルとしてカウントした
Ｘ座標データ・Ｙ座標データを基にして、ＡＦＭ・ＳＥ
Ｍではその測定ステージを移動させ、目標異物を見つけ
出していた。
【００１０】この検査における問題点は、最初のパーテ
ィクルカウンタとは全く別の測定機（ＡＦＭ・ＳＥＭ
等）での座標を使用するため、各測定機の座標精度にず
れが生じていた。また、最も良いパーティクルカウンタ
の位置精度は±５０μｍである。よって、実際には見つ
けずらい。
ィクルカウンタとは全く別の測定機（ＡＦＭ・ＳＥＭ
等）での座標を使用するため、各測定機の座標精度にず
れが生じていた。また、最も良いパーティクルカウンタ
の位置精度は±５０μｍである。よって、実際には見つ
けずらい。
【００１１】そこで、それをウェーハのエッジにより粗
調整を行い、比較的見つけやすい大きめの異物（１μｍ
以上）を最低３点以上見つけ、その異物のＸ座標・Ｙ座
標を基にしてコンピュータにより座標補正を行ってい
る。しかし、実際には、この３点だけでは検出の精度が
低く、ＡＦＭ・ＳＥＭでさらに小さな異物をウェーハ表
面にて捜し、座標補正を繰り返しながら、最終的な異物
を見つけだす方法を取っている。
調整を行い、比較的見つけやすい大きめの異物（１μｍ
以上）を最低３点以上見つけ、その異物のＸ座標・Ｙ座
標を基にしてコンピュータにより座標補正を行ってい
る。しかし、実際には、この３点だけでは検出の精度が
低く、ＡＦＭ・ＳＥＭでさらに小さな異物をウェーハ表
面にて捜し、座標補正を繰り返しながら、最終的な異物
を見つけだす方法を取っている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際の
ウェーハの表面には、大きな異物は少なく、有ったとし
ても一部分に集中していることが多い。このため、この
ような従来方法では、座標合わせに時間を費やすことが
多く、また異物の絶対数の少ないウェーハでは、目的と
する小さな異物（０．５μｍ以下）を見つけ出すことが
できない。
ウェーハの表面には、大きな異物は少なく、有ったとし
ても一部分に集中していることが多い。このため、この
ような従来方法では、座標合わせに時間を費やすことが
多く、また異物の絶対数の少ないウェーハでは、目的と
する小さな異物（０．５μｍ以下）を見つけ出すことが
できない。
【００１３】そこで、この発明の目的は、目標異物をよ
り早く、より簡単に見つけることである。また、この発
明の目的は、小さな異物を確実に検出することである。
り早く、より簡単に見つけることである。また、この発
明の目的は、小さな異物を確実に検出することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、測定
対象物の表面を検査してこの表面に付着した異物微粒子
の表面上の位置を検出する第１工程と、この測定対象物
の表面全面に略均一に分布させて標準粒子を付着させる
第２工程と、上記第１工程で検出した異物微粒子の表面
上の位置およびこの標準粒子の付着位置を基準として異
物微粒子の測定対象物の表面上の位置を決定し、この異
物微粒子を分析する第３工程とを備えた異物微粒子の分
析方法である。
対象物の表面を検査してこの表面に付着した異物微粒子
の表面上の位置を検出する第１工程と、この測定対象物
の表面全面に略均一に分布させて標準粒子を付着させる
第２工程と、上記第１工程で検出した異物微粒子の表面
上の位置およびこの標準粒子の付着位置を基準として異
物微粒子の測定対象物の表面上の位置を決定し、この異
物微粒子を分析する第３工程とを備えた異物微粒子の分
析方法である。
【００１５】請求項２の発明は、上記第２工程では、標
準粒子が霧状に存在する雰囲気中に測定対象物を存在さ
せる請求項１に記載の異物微粒子の分析方法である。
準粒子が霧状に存在する雰囲気中に測定対象物を存在さ
せる請求項１に記載の異物微粒子の分析方法である。
【００１６】請求項３の発明は、上記第３工程では、標
準粒子の付着位置を基準として、第１工程で検出した位
置を補正することにより、異物微粒子の表面上の位置を
決定する請求項１または請求項２に記載の異物微粒子の
分析方法である。
準粒子の付着位置を基準として、第１工程で検出した位
置を補正することにより、異物微粒子の表面上の位置を
決定する請求項１または請求項２に記載の異物微粒子の
分析方法である。
【００１７】請求項４の発明は、測定対象物の表面に付
着した異物微粒子の位置を測定する測定手段と、この測
定対象物の表面全面に略均一に分布させて標準粒子を付
着させる付着手段と、上記異物微粒子の測定位置および
標準粒子の付着位置に基づいて異物微粒子の付着位置を
決定し、異物微粒子を分析する分析手段とを備えた異物
微粒子の分析装置である。
着した異物微粒子の位置を測定する測定手段と、この測
定対象物の表面全面に略均一に分布させて標準粒子を付
着させる付着手段と、上記異物微粒子の測定位置および
標準粒子の付着位置に基づいて異物微粒子の付着位置を
決定し、異物微粒子を分析する分析手段とを備えた異物
微粒子の分析装置である。
【００１８】請求項５に記載の発明は、上記付着手段
は、標準粒子を霧状に散布し、その霧状の標準粒子雰囲
気中を一定速度で測定対象物を通過させる請求項４に記
載の異物微粒子の分析装置である。
は、標準粒子を霧状に散布し、その霧状の標準粒子雰囲
気中を一定速度で測定対象物を通過させる請求項４に記
載の異物微粒子の分析装置である。
【００１９】請求項６の発明は、上記分析手段は、ＡＦ
Ｍを有し、このＡＦＭにおいては暗視野中で測定対象物
の表面に対して低角度で光を照射することにより、異物
微粒子を分析する請求項４または請求項５に記載の異物
微粒子の分析装置である。
Ｍを有し、このＡＦＭにおいては暗視野中で測定対象物
の表面に対して低角度で光を照射することにより、異物
微粒子を分析する請求項４または請求項５に記載の異物
微粒子の分析装置である。
【００２０】
【作用】請求項１〜３に記載の異物分析方法によれば、
測定対象物の表面を検査し、異物微粒子の表面上の位置
を検出する。測定対象物の表面全面に略均一に標準粒子
を付着する。例えば、標準粒子の霧状雰囲気中に測定対
象物を存在させる。異物微粒子の検出位置を、標準粒子
付着位置に基づいて補正し、異物微粒子の測定対象物の
表面上の位置を決定する。そして、この異物微粒子の大
きさ・種類などを分析する。
測定対象物の表面を検査し、異物微粒子の表面上の位置
を検出する。測定対象物の表面全面に略均一に標準粒子
を付着する。例えば、標準粒子の霧状雰囲気中に測定対
象物を存在させる。異物微粒子の検出位置を、標準粒子
付着位置に基づいて補正し、異物微粒子の測定対象物の
表面上の位置を決定する。そして、この異物微粒子の大
きさ・種類などを分析する。
【００２１】請求項４〜６に記載の発明によれば、測定
手段で測定対象物の表面に付着した異物微粒子の位置を
測定する。付着手段はこの測定対象物の表面全面に略均
一に分布させて標準粒子を付着させる。分析手段では、
上記異物微粒子の測定位置および標準粒子の付着位置に
基づいて異物微粒子の付着位置を決定し、異物微粒子を
分析する。付着手段は、標準粒子を霧状に散布し、その
霧状の標準粒子雰囲気中を一定速度で測定対象物を通過
させる。分析手段は、ＡＦＭを有し、このＡＦＭにおい
ては暗視野中で測定対象物の表面に対して低角度で光を
照射することにより、異物微粒子を分析する。
手段で測定対象物の表面に付着した異物微粒子の位置を
測定する。付着手段はこの測定対象物の表面全面に略均
一に分布させて標準粒子を付着させる。分析手段では、
上記異物微粒子の測定位置および標準粒子の付着位置に
基づいて異物微粒子の付着位置を決定し、異物微粒子を
分析する。付着手段は、標準粒子を霧状に散布し、その
霧状の標準粒子雰囲気中を一定速度で測定対象物を通過
させる。分析手段は、ＡＦＭを有し、このＡＦＭにおい
ては暗視野中で測定対象物の表面に対して低角度で光を
照射することにより、異物微粒子を分析する。
【００２２】この発明によれば、非常に狭い範囲で座標
補正を行うことが可能である。つまり、測定したい位置
のすぐ近くに標準粒子を存在させることができるため、
付着した異物微粒子を容易に測定することができる。標
準粒子の付着は、例えば標準粒子を霧状に噴霧している
容器中にウェーハトレイに入ったウェーハ（測定対象
物）を持込み、この中で数秒間トレイを開放し、取り出
すことにより、一定量の標準粒子をウェーハ全面に略均
一に分布させる。
補正を行うことが可能である。つまり、測定したい位置
のすぐ近くに標準粒子を存在させることができるため、
付着した異物微粒子を容易に測定することができる。標
準粒子の付着は、例えば標準粒子を霧状に噴霧している
容器中にウェーハトレイに入ったウェーハ（測定対象
物）を持込み、この中で数秒間トレイを開放し、取り出
すことにより、一定量の標準粒子をウェーハ全面に略均
一に分布させる。
【００２３】標準粒子としては、真球でかつサイズがそ
ろっており（１〜１０μｍ）、さらに、形状、成分がわ
かっているものを用いる。例えば、ポリスチレンラテッ
クス（ＰＳＬ）・炭素・Ａｕ・Ｃ・ＰＳＬ等光りやすい
ものを使用する。ＡＦＭ・ＳＥＭの中でウェーハ表面に
暗視野低角で光を当ててこの標準粒子・異物微粒子の位
置を見つけるからである。
ろっており（１〜１０μｍ）、さらに、形状、成分がわ
かっているものを用いる。例えば、ポリスチレンラテッ
クス（ＰＳＬ）・炭素・Ａｕ・Ｃ・ＰＳＬ等光りやすい
ものを使用する。ＡＦＭ・ＳＥＭの中でウェーハ表面に
暗視野低角で光を当ててこの標準粒子・異物微粒子の位
置を見つけるからである。
【００２４】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。この実施例に係るウェーハ表面付着異物微粒子
の分析装置は、図１に示すように、ウェーハ表面異物検
査装置（パーティクルカウンタ）１１と、ＳＥＭ／ＥＤ
Ｘ分析装置１２と、これらの装置間でのファイル変換・
座標変換を行うコンピュータ１３と、ウェーハ表面への
標準粒子付着装置１４とを組み合わせて構成されてい
る。
明する。この実施例に係るウェーハ表面付着異物微粒子
の分析装置は、図１に示すように、ウェーハ表面異物検
査装置（パーティクルカウンタ）１１と、ＳＥＭ／ＥＤ
Ｘ分析装置１２と、これらの装置間でのファイル変換・
座標変換を行うコンピュータ１３と、ウェーハ表面への
標準粒子付着装置１４とを組み合わせて構成されてい
る。
【００２５】ウェーハ表面異物検査装置１１は、例えば
レーザ照射角度を選択することによって、鏡面ウェー
ハ、パターン付きウェーハのどちらも計測可能である。
まず、ウェーハ表面検査装置１１で異物微粒子を検出
し、そのウェーハ内位置のＸＹ座標をフロッピディスク
に記憶する。次に、このフロッピディスクを分析装置付
属のコンピュータ１３にセットして、これらの情報を入
力し、データのファイル変換を行う。そして、分析装置
１２において、ウェハ表面異物検査装置１１で決定した
異物微粒子の位置座標の原点を再現してから、座標変換
を行う。図２で（Ａ）は異物座標の一例を、（Ｂ）は座
標変換の一例を、（Ｃ）はＳＥＭ観察・ＥＤＸスペクト
ルの一例をそれぞれ示している。
レーザ照射角度を選択することによって、鏡面ウェー
ハ、パターン付きウェーハのどちらも計測可能である。
まず、ウェーハ表面検査装置１１で異物微粒子を検出
し、そのウェーハ内位置のＸＹ座標をフロッピディスク
に記憶する。次に、このフロッピディスクを分析装置付
属のコンピュータ１３にセットして、これらの情報を入
力し、データのファイル変換を行う。そして、分析装置
１２において、ウェハ表面異物検査装置１１で決定した
異物微粒子の位置座標の原点を再現してから、座標変換
を行う。図２で（Ａ）は異物座標の一例を、（Ｂ）は座
標変換の一例を、（Ｃ）はＳＥＭ観察・ＥＤＸスペクト
ルの一例をそれぞれ示している。
【００２６】なお、図１に示すように、分析装置１２
は、公知のＳＥＭ・ＥＤＸ装置で構成されているが、Ｓ
ＥＭのみでも、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）でも構成する
ことができる。また、コンピュータ１３は公知のもので
あって、例えばＣＰＵ・ＲＯＭ・ＲＡＭ・Ｉ／Ｏを有し
て構成されている。
は、公知のＳＥＭ・ＥＤＸ装置で構成されているが、Ｓ
ＥＭのみでも、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）でも構成する
ことができる。また、コンピュータ１３は公知のもので
あって、例えばＣＰＵ・ＲＯＭ・ＲＡＭ・Ｉ／Ｏを有し
て構成されている。
【００２７】そして、観察、分析したい異物微粒子を指
定すると、分析装置１２のＸＹステージはただちに異物
微粒子の位置座標にしたがって移動し、異物微粒子を自
動的に視野内にとらえる。最後に、視野内にとらえた異
物微粒子を高倍率で観察し、分析を進める。つまり、ウ
ェーハ表面異物検査装置１１と分析装置１２とが座標情
報を共有化することにより、迅速に分析を行える。
定すると、分析装置１２のＸＹステージはただちに異物
微粒子の位置座標にしたがって移動し、異物微粒子を自
動的に視野内にとらえる。最後に、視野内にとらえた異
物微粒子を高倍率で観察し、分析を進める。つまり、ウ
ェーハ表面異物検査装置１１と分析装置１２とが座標情
報を共有化することにより、迅速に分析を行える。
【００２８】ここで、異物微粒子を自動的に視野内にと
らえるためには、ウェーハ表面異物検査装置１１におけ
る異物微粒子の位置座標の原点の正確な決め方と、分析
装置１２におけるこの原点の精度よい位置合わせがキー
ポイントとなる。そこで、異物検査装置１１から取り出
したウェーハにおいて、その表面に標準粒子を全面に略
均一に分布・付着する付着装置１４が設けられている。
らえるためには、ウェーハ表面異物検査装置１１におけ
る異物微粒子の位置座標の原点の正確な決め方と、分析
装置１２におけるこの原点の精度よい位置合わせがキー
ポイントとなる。そこで、異物検査装置１１から取り出
したウェーハにおいて、その表面に標準粒子を全面に略
均一に分布・付着する付着装置１４が設けられている。
【００２９】図３はこの付着装置を示している。すなわ
ち、ノズルをスイングさせながら標準粒子（ＰＳＬ）を
噴霧する粒子噴霧器１５を有し、この粒子噴霧器１５の
スイングノズル１６の下方をウェーハが所定速度で走行
可能に構成している（Ａ）。または、ウェーハトレイ１
７を収納可能な密閉容器１８に粒子噴霧器１５から標準
粒子を噴霧するように構成してもよい（Ｂ）。この結
果、ウェーハ表面にはその全面に略均一な密度で２μｍ
のＰＳＬが分布・付着されることとなる。
ち、ノズルをスイングさせながら標準粒子（ＰＳＬ）を
噴霧する粒子噴霧器１５を有し、この粒子噴霧器１５の
スイングノズル１６の下方をウェーハが所定速度で走行
可能に構成している（Ａ）。または、ウェーハトレイ１
７を収納可能な密閉容器１８に粒子噴霧器１５から標準
粒子を噴霧するように構成してもよい（Ｂ）。この結
果、ウェーハ表面にはその全面に略均一な密度で２μｍ
のＰＳＬが分布・付着されることとなる。
【００３０】したがって、パーティクルカウンタ１１で
異物座標を検出したウェーハは、標準粒子が全面に付着
される。次に、ウェーハ表面の異物微粒子はＳＥＭ・Ｅ
ＤＸで分析される。このとき、上記検出された異物座
標、および、検出された標準粒子座標により、座標変換
されて分析される。よって、素早くそのＳＥＭの視野に
異物微粒子を捉えることができ、分析・測定の効率が高
められる。この分析において暗視野で低角度でレーザ高
を照射すると、その測定効率がさらに高められ、微小な
微粒子をも分析できる。
異物座標を検出したウェーハは、標準粒子が全面に付着
される。次に、ウェーハ表面の異物微粒子はＳＥＭ・Ｅ
ＤＸで分析される。このとき、上記検出された異物座
標、および、検出された標準粒子座標により、座標変換
されて分析される。よって、素早くそのＳＥＭの視野に
異物微粒子を捉えることができ、分析・測定の効率が高
められる。この分析において暗視野で低角度でレーザ高
を照射すると、その測定効率がさらに高められ、微小な
微粒子をも分析できる。
【００３１】なお、この装置にさらに蛍光顕微鏡／顕微
蛍光分光分析装置を組み合わせてもよい。
蛍光分光分析装置を組み合わせてもよい。
【００３２】
【発明の効果】この発明によれば、より小さな（例えば
０．２μｍ以下）異物や、ＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏ
ｒｉｇｉｎａｔｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）等を簡単に見
つけ出すことができる。また、その測定に要する時間を
短縮することができる。さらに、特殊な技能を必要とせ
ず、だれでも容易に測定することができる。
０．２μｍ以下）異物や、ＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏ
ｒｉｇｉｎａｔｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）等を簡単に見
つけ出すことができる。また、その測定に要する時間を
短縮することができる。さらに、特殊な技能を必要とせ
ず、だれでも容易に測定することができる。
【図１】この発明の一実施例に係る装置の全体構成を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図２】この発明の一実施例に係る各装置での作用を説
明するための図である。
明するための図である。
【図３】この発明の一実施例に係る噴霧器の概略構成を
示す模式図である。
示す模式図である。
１１ パーティクルカウンタ（測定手段） １２ ＳＥＭ・ＥＤＸ（分析手段） １３ コンピュータ（分析手段） １４ 標準粒子噴霧器（付着手段
Claims (6)
- 【請求項１】 測定対象物の表面を検査してこの表面に
付着した異物微粒子の表面上の位置を検出する第１工程
と、 この測定対象物の表面全面に略均一に分布させて標準粒
子を付着させる第２工程と、 上記第１工程で検出した異物微粒子の表面上の位置およ
びこの標準粒子の付着位置を基準として異物微粒子の測
定対象物の表面上の位置を決定し、この異物微粒子を分
析する第３工程とを備えた異物微粒子の分析方法。 - 【請求項２】 上記第２工程では、標準粒子が霧状に存
在する雰囲気中に測定対象物を存在させる請求項１に記
載の異物微粒子の分析方法。 - 【請求項３】 上記第３工程では、標準粒子の付着位置
を基準として、第１工程で検出した位置を補正すること
により、異物微粒子の表面上の位置を決定する請求項１
または請求項２に記載の異物微粒子の分析方法。 - 【請求項４】 測定対象物の表面に付着した異物微粒子
の位置を測定する測定手段と、 この測定対象物の表面全面に略均一に分布させて標準粒
子を付着させる付着手段と、 上記異物微粒子の測定位置および標準粒子の付着位置に
基づいて異物微粒子の付着位置を決定し、異物微粒子を
分析する分析手段とを備えた異物微粒子の分析装置。 - 【請求項５】 上記付着手段は、標準粒子を霧状に散布
し、その霧状の標準粒子雰囲気中を一定速度で測定対象
物を通過させる請求項４に記載の異物微粒子の分析装
置。 - 【請求項６】 上記分析手段は、ＡＦＭを有し、このＡ
ＦＭにおいては暗視野中で測定対象物の表面に対して低
角度で光を照射することにより、異物微粒子を分析する
請求項４または請求項５に記載の異物微粒子の分析装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13290895A JPH08304426A (ja) | 1995-05-01 | 1995-05-01 | 異物微粒子の分析方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13290895A JPH08304426A (ja) | 1995-05-01 | 1995-05-01 | 異物微粒子の分析方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08304426A true JPH08304426A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=15092345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13290895A Withdrawn JPH08304426A (ja) | 1995-05-01 | 1995-05-01 | 異物微粒子の分析方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08304426A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007163873A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Optrex Corp | 汚染物質の除去方法 |
| WO2018042535A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 粒子計測用試料、粒子計測方法および粒子計測装置 |
| WO2019150524A1 (ja) * | 2018-02-01 | 2019-08-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 粒子計測装置、及びその方法 |
-
1995
- 1995-05-01 JP JP13290895A patent/JPH08304426A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007163873A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Optrex Corp | 汚染物質の除去方法 |
| WO2018042535A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 粒子計測用試料、粒子計測方法および粒子計測装置 |
| US10697767B2 (en) | 2016-08-31 | 2020-06-30 | Hitachi High-Technologies Corporation | Sample for measuring particles, method for measuring particles and apparatus for measuring particles |
| WO2019150524A1 (ja) * | 2018-02-01 | 2019-08-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 粒子計測装置、及びその方法 |
| US11143606B2 (en) | 2018-02-01 | 2021-10-12 | Hitachi High-Tech Corporation | Particle measuring device and particle measuring method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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