JPH08300366A - 加硫金型の清浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 加硫残滓が付着した加硫金型の内側表面に向
けプラズマ流の中性活性種を一様にわたり噴き出させる
ことにより金型に悪影響を及ぼすことなく均一な残滓ア
ッシングを実現する清浄方法を提供する。 【構成】 反応ガスに対するマイクロ波放電により中性
活性種を主とするプラズマ流を発生させる炉を真空処理
槽と別個に設けて、このプラズマ流を処理槽内に導入
し、このプラズマ流を処理槽内に位置させた加硫金型の
残滓面全周に向け噴出させ、この噴出しガスにより加硫
残滓をアッッシングする加硫金型の清浄方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ゴムタイヤ、防振ゴ
ムなどのゴム製品及びその他のエラストマとしてのプラ
スチック製品の加硫成形に際し、繰返し用いる金型内側
の成形表面、分割金型の場合は合せ面も含めた表面及び
凹部や穴に不可避的に形成されるエラストマ残滓を有利
に除去するための加硫金型の清浄方法に関し、特に加硫
金型に対する不利な劣化、損傷を伴うことなく、またプ
ラズマ分布の不均一領域形成にわずらわされることな
く、安定した均一な残滓処理が可能な加硫金型の清浄方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】既に本出願人による特開平６−２８５８
６８号公報にて詳述したように、エラストマ製品、とり
わけゴムタイヤ製品（以降単にタイヤと記す）や防振ゴ
ム製品などは要求性能を満たすため、天然ゴム、合成ゴ
ム又はこれらのブレンドゴムに架橋剤としての硫黄と補
強材としてのカーボンブラックとを配合するほか、加硫
促進剤や各種耐久性保持のための各種薬品を配合する必
要がある。

【０００３】このようにして調合した未加硫ゴム組成物
を加硫成形する際、一般的に２００℃に近い高温度で架
橋反応などの化学反応を生じさせるので、ゴム組成物は
流動性を増すばかりでなく一部はガス化し、その結果加
硫金型の成形表面はもとより、金型の合せ面の極く狭い
隙間や空気抜きのいわゆるベントホールなどの穴などに
もゴム組成物及びその化学反応生成物が加硫成形の都
度、微量ながら残滓物として強固に付着するのは不可避
である。この加硫成形を多数回にわたり繰返すことによ
り残滓物は看過し得ないほどの厚さで堆積する。このこ
とはゴム組成物に限らず他のエラストマについても大同
小異で同様に生じる。

【０００４】加硫金型に強固に付着堆積した厚い加硫残
滓はタイヤの外観を損ねるのみに止まらず、タイヤ全体
の優れた品質保持に対し悪影響を及ぼす。よって加硫成
形を所定回数だけ実施した加硫金型を新品同様に清浄す
る作業が必要であり、この作業法としてプラスチックビ
ーズやグラスビーズなどの粒体を高圧ガスにより吹き当
てるショットブラスト清浄法、又は酸、アルカリ、アミ
ン系などの溶液中に浸す液体清浄法が主流を占めていた
ところ、これらの清浄法による各種の不利な点を大幅に
改善するため、本出願人は上記特開平６−２８５８６８
号公報に記載したプラズマによる加硫金型清浄方法を提
案し、顕著に優れた成果を得ている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしこの成果を突き
詰めてみると、下記する諸点につきさらに改善を施す余
地があることを見出した。すなわちその第一点は、清浄
を必要とする加硫金型の型形成面に、特殊なタイヤ種は
別としても一般にはタイヤに対する要求特性の十分な発
揮に必要不可欠な太溝、細溝、スリットなどをトレッド
部に形成するための多数個のリブやサイプ（細条片）な
どの突起物を設けていて、プラズマがこれらの突起物に
遮られて清浄面対象全領域にわたる加硫残滓の均一なア
ッシング（灰化）が損なわれ勝ちであることである。

【０００６】また本出願人は、特願平７−１９０７２号
に係わる明細書、特願平７−２９１５８号に係わる明細
書及び特願平７−５２４８０号に係わる明細書にて、高
周波電力を印加する一方の電極を円筒状に構成し、又は
その外周面に多数個のフィンを備える構成として、他方
の電極としての加硫金型の内周面との間で放電によるプ
ラズマを生起させて残滓部を均一に灰化する装置及び方
法を提案した。

【０００７】しかし、以下に述べる諸点は放電領域内に
加硫金型を位置させるために生じる不利な点であり、す
なわちその第二点は、しばしば不均一放電領域が形成さ
れて、均一なアッシング処理が阻害され勝ちであるこ
と、第三点は、時に上記不均一放電に基づき加硫金型の
温度が、例えば２００℃以上になる現象が生じ、これが
金型の精度を損ねる他、金型の劣化、損傷をもたらすこ
と、第四点は、第三点との関連もあり、加硫金型の温度
制御が困難であること、そして第五点は、清浄対象外の
表面まで放電領域にさらす結果となるため、この表面部
分に劣化を生じさせ、また損傷を与えるうれいがあるこ
とである。

【０００８】従ってこの発明の目的は上述した不利な諸
点全ての改善を目指し、加硫金型の型形成面の形状や大
きさに制約を加えることなく、また加硫金型に不利な影
響を及ぼすことなく、均一な残滓アッシングを有利に実
現することが可能な加硫金型の清浄方法を提供すること
にある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の加硫金型の清浄方法は、真空処理槽内に
加硫金型を位置させ、エラストマの繰返し加硫成形によ
り該金型の内側表面に形成されたエラストマ残滓に低圧
反応ガスのプラズマを作用させ、該残滓をアッシングし
て除去するにあたり、上記処理槽にプラズマ流を供給す
るプラズマ発生炉と、該炉に流入する反応ガスをマイク
ロ波放電により中性活性種を主成分にもつプラズマ流と
するマイクロ波発生装置とをそれぞれ設け、プラズマ発
生炉にて発生させたプラズマ流を導管にて上記処理槽内
に導入し、導入したプラズマ流を加硫金型の残滓面全周
に向け一様に噴出させ、噴出したプラズマ流の中性活性
種ガスによりエラストマ残滓をアッシングすることを特
徴とする。

【００１０】この発明を実施するにあたり、真空処理槽
内における加硫金型を１００〜１８０℃の範囲内の温度
まで加温保持してアッシング処理を施すこと、上記反応
ガスが、酸素ガス単体又は酸素ガスを主成分とするハロ
ゲン化物ガスとの混合ガスのいずれか一方のガスからな
ることが望ましい。

【００１１】なお反応ガスとして酸素ガスはＯ₂ 、Ｏ₃
の何れもが適合し、またハロゲン化物ガスとしてはＦ
（フッ素）、Ｃｌ（塩素）、Ｂｒ（臭素）、Ｉ（ヨウ
素）などを含有するあらゆるガスを使用することができ
る。また真空処理槽にガスとして供給できればよいため
標準状態（２５℃、１ａｔｍ）で必ずしもガスである必
要ななく、例えば液体状態であってもよい。特にフロン
やＮＦ₃ 、ＳＦ₆ が好適に用いられ、とりわけＣＦ
₄ （四フッ化炭素）が効果的である。

【００１２】

【作用】真空処理槽とプラズマ発生炉とを別個に設け、
該炉にて発生させた反応ガスのプラズマ流を処理槽に導
入して加硫金型の残滓面全周にわたり一様に噴出させる
ことにより、加硫金型を放電領域に曝すことなくプラズ
マ中の中性活性種（ラジカル）による残滓のアッシング
作用が可能となるので、加硫金型に対する放電の悪影響
の一切が排除されて、不均一放電領域形成に伴う不均一
プラズマ領域の形成及びこれに伴う不均一アッシングの
うれいがなくなり、かつ金型の異常高温度による金型の
精度劣化及び金型全表面にわたる材質劣化、損傷などの
不利は完全に回避することができる。

【００１３】さらに同じく加硫金型に対する異常放電の
悪影響のうれいがないため、所望する高密度のプラズマ
を発生させることができ、それもエラストマ残滓に対す
るアッシング作用を担うプラズマ中の中性活性種の密度
を、プラズマ発生炉から残滓面に至る間の失活分を補っ
て余りある密度まで高めることが可能となるので、残滓
面全周に向けた高密度中性活性種の一様な噴射により、
均一かつ高能率なアッシング作用が可能となる。

【００１４】処理槽内の加硫金型を１００〜１８０℃の
範囲内の温度に加温保持すれば、アッシング反応速度が
より一層速まり、アッシング処理効率の向上に寄与し、
さらに反応ガスが酸素ガス単体又は酸素ガスを主成分と
するハロンゲン化ガスとの混合ガスとすればやはりアッ
シング処理効率の向上に寄与させることができる。

【００１５】

【実施例】以下、この発明を図１、図２に示す一実施例
に基づきさらに詳細に説明する。図１は、真空処理槽１
側面の要部断面と、加硫金型（以下金型という）１０の
断面と、簡略図解したマイクロ波放電部及びマイクロ波
発生源とを合せ示す説明図であり、図２は図１に示すプ
ラズマ流のシャワ管１５の斜視図である。

【００１６】図１において、真空処理槽１は下方位置に
て相互に上下に分離可能でかつシール可能な容器上部２
−１と容器下部２−２とを有する容器２を備え、容器上
部２−１側を容器下部２−２に対し上方に向け着脱自在
とし、容器下部２−２に図示を省略した真空ポンプに接
続させる吸引部３を具備する。加硫金型１０の清浄作業
を開始するに先立ちこの真空ポンプを稼働させ、容器２
内部の空気を図の矢印Ａの向きに排気して、容器２内部
の空気圧を例えば１０^-1〜１０^-5Ｔｏｒｒのいわゆる中
真空〜高真空とする。なお図示例の真空処理槽１は容器
下部２−２側を、例えば複数本の支柱４（図では２本の
みを示す）により床面Ｆｓなどに固定する。ホイールコ
ンベヤ５が定盤１１上に据えた金型１０を保持する。

【００１７】円筒状外周面をもつプラズマ流のシャワ管
１５を該ガスの導管１６を介し加硫金型１０の内周面と
向き合う位置に配置する。シャワ管１５は周囲面の内部
に空間部Ｓ₁₅を有する円筒に形成すると同時に、この円
筒の内周面に導管１６の下端部に設けた円板状プラズマ
流誘導部材１６−１を連結し、誘導部材１６−１の内部
空間部Ｓ_16-1とシャワ管１５の空間部Ｓ₁₅とを相互に連
結する。図２に示すように、シャワ管１５の外周の全表
面に空間部Ｓ₁₅に貫通する多数個の噴出し穴１５ｈを設
ける。これらの噴出し穴１５ｈは図示の縦横並びの整列
配置の他、縦方向（導管１６が延びる方向）又は横方向
に千鳥配列とすることができる。シャワ管１５の材質は
石英又はアルミナなどが適合する。

【００１８】導管１６の上端部はコネクタ１７を介しプ
ラズマ発生炉１８内を通るパイプ１９に連結する。周波
数３００ＭＨｚ〜３０ＧＨｚ、望ましくは１ＧＨｚ〜１
０ＧＨｚのマイクロ波電源部２０からの出力電力をプラ
ズマ流発生炉１８に送電し、このマイクロ波電力の放電
により、矢印Ｂの向きに流入させる反応ガスをプラズマ
流化する。そのときプラズマ流中の中性活性種の密度が
所望の値となるように、周波数、供給電力量及び反応ガ
スの流入量（ＳＣＣＭ）を選定する。反応ガスとしては
酸素ガスのみ、又は主成分の酸素ガスと従成分のハロゲ
ン化物ガス、好適にはＣＦ₄ ガスとの混合ガスのいずれ
かのガスとし、酸素（Ｏ、Ｏ₂ 、Ｏ₃ ）ラジカル、ＣＦ
₄ ラジカルを得る。プラズマ流発生炉１８は単一とは限
らず、好適にはコネクタ１７に対する複数炉又は多数炉
の並列接続とし、各炉に対してマイクロ波を送電する。

【００１９】プラズマ発生炉１８内で生起されたプラズ
マ流は、導管部１９、コネクタ１７、導管１６及び誘導
部材１６−１内部を導かれてシャワ管１５の空間部Ｓ₁₅
に達し、ここで多数個の噴出し穴１５ｈを通じて金型１
０の全内周表面に向け一様に矢印Ｐの向きに噴出す。そ
れは上記一連の動作中も真空ポンプを動作させて常時吸
引部３から真空処理槽１内のガス排気を継続させ、常に
処理槽１内部の圧力を０．０１〜１０Ｔｏｒｒの範囲内
で一定圧力に保持させるからである。

【００２０】図示の１２は金型１０を加熱する加熱源と
しての温度調節用ジャッケトであり、このジャッケト１
２の内部空間Ｓ₁₂に高温ガス又はスチームなどの加熱媒
体を供給し、金型１０を１００〜１８０℃の範囲内で所
望の温度に加温する。この高温度を保持しながらプラズ
マアッシング処理を行うことにより処理時間を大幅に短
縮することが可能となる。なお図示は省略したが金型１
０は温度測定用センサを備え、処理槽１の外部で加熱媒
体の温度及び／又は流量制御及び金型１０の温度制御を
それぞれ実施する。

【００２１】金型１０は一体として図示しているが、こ
の例ではいわゆる割りモールドのうち外周側を分割形成
する多数個、例えば３〜２０個のセグメントを、金属
製、例えばスチール製の支持搬送用定盤１１上面に、実
際の使用時と同じ状態に仮組みしたところを示してい
る。

【００２２】またタイヤのトレッド部に踏面及び各種溝
やスリットを形成する部分には一般にアルミニューム合
金を適用し、実際に使用する際はこの合金部分をスチー
ル製保持部材に取付けて上述のセグメントとするもので
あり、この発明では上記合金部分のみの場合とセグメン
トの場合との両方を含めて金型１０と呼ぶ。

【００２３】金型１０が割りモールドである場合は図示
のセグメントモールドの上下に一対のサイドモールドを
組み合わせてモールド本体とする。このモールド本体を
加硫金型１０としてプラズマ清浄を施すこともでき、さ
らに円周上に分割面を有する、いわゆる２つ割りモール
ド及び多数個のうちの一個分セグメントモールドの何れ
にもこの発明を適用することができる。なお一個分セグ
メントモールドの場合は残滓面を上方に向けて位置さ
せ、この残滓面の主たる曲面にほぼ合せた曲面をもち、
かつ残滓面に向く多数個の噴出し穴１５′ｈを設けたシ
ャワ管１５′を配置する。

【００２４】図示を省略したが定盤１１は、多数個のセ
グメントを仮組みする際又は割りモールド本体や２つ割
りモールドを据え置く際、セグメントの集合体又はこれ
らモールドを所定位置に据えるための機構を備え、さら
に定盤１１は、集合体としての金型１０又はこれらモー
ルドとしての金型１０を導管１６に対し心出しをする機
構を備える。後者の機構は金型１０及び定盤１１を支持
するホイールコンベヤ５に設けた心出し装置と心出し係
合する。

【００２５】金型１０の処理槽１内への導入は、容器上
部２−１を上方に移動させた状態で、予め処理槽１の外
部で定盤１１上に仮組み乃至据え置いた金型１０を定盤
１１と共に、図示を省略した別の同様ホイールコンベヤ
上で図示位置まで搬送し、同時に心出しをする。この心
出しはシャワ管１５の中心軸線Ｚと金型１０の内周面の
中心軸線Ｚ₁ を成るべく揃えるように金型１０を位置さ
せることであり、軸線Ｚと軸線Ｚ₁ との間の心ずれ量は
望ましくは３ｃｍ以下、より望ましくは５ｍｍ以下であ
る。

【００２６】［実施例１］図１、２に従い、定盤１１上
にて温度調節用ジャッケト１２に８個のセグメントより
なる最大内径が５５０ｍｍの金型１０を収容し、これら
を真空処理槽１内に据え置いた後、容器２−１、２−２
を密封固着してから真空ポンプを動作させ、処理槽１内
部の圧力を２×１０^-3Ｔｏｒｒまで減圧した。シャワ管
１５は外径が４００ｍｍの石英製中空円筒である。反応
ガスをＯ₂ ガス及びＣＦ₄ ガスの混合ガスとし、前者は
１０００ＳＣＣＭ、後者は５００ＳＣＣＭの割合で流入
させ、処理槽１内のプラズマガス圧力を１．０Ｔｏｒｒ
に保持した。４基の並列接続になるプラズマ流発生炉１
８のそれぞれに周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を印
加してプラズマ放電を生じさせ、酸素ラジカルを主体と
するプラズマ流を発生させた。マイクロ波の出力は１．
５ｋＷ×４である。

【００２７】この例ではジャケット１２を使用せず、従
って金型１０に対する温度制御を一切施さず、金型１０
の温度はプラズマがもつエネルギによる自然昇温にまか
せ、アッシング処理時間は１２０分とした。処理終了時
の金型１０の平均温度及び周上の最高温度と最低温度と
の差（温度バラツキ）を測定し、炭化性を５点法により
目視評価採点し（５点満点で値が大なるほど良い）、炭
化の均一性は、良好を○印、悪いを×印の２段階で評価
し、処理中の異常放電の有無は観察により、そして洗浄
度は炭化後処理面を水洗して灰分（金属に対し殆ど粘着
性をもたない無機金属塩、例えばＺ_n ＳＯ₄ など）を洗
い流した後、やはり目視による上記５点法に従い採点し
た。

【００２８】上記異常放電とは、プラズマ放電中、瞬間
的に非常に明るいスパーク放電のことを指す。この放電
は、単発でおわる場合と数回繰り返す場合とがあり、何
れの場合もそのまま放置しておけば異常放電は通常のプ
ラズマ放電に復帰するため、金型１０の灰化にはさほど
大きな影響を及ぼすことはない。ところが処理後の金型
１０を検査すると金型の一部にピンホールや数ミリ角
（□）のエグレ部が形成されている場合がある。このよ
うな状態を金型損傷として表１に記載した。なおこの損
傷程度が著しい場合には補修を施す必要があり、多大な
余分工数を要する。

【００２９】実施例１の効果を検証するため、先に触れ
た本出願人による特願平７−１９０７２号に係わる明細
書、特願平７−２９１５８号に係わる明細書及び特願平
７−５２４８０号に係わる明細書に準じた比較例１によ
るアッシング処理を実施した。比較例１は多数個の縦フ
ィン付き円筒板を一方の電極とし、該電極を他方の電極
とする金型１０（接地側）の内部中央位置（実施例１の
シャワ管１５と同一位置）に配置し、両電極に１３．５
６ＭＨｚの高周波を電力６ｋＷで印加してプラズマを生
起させた。これらを除く処理条件は全て実施例１に合
せ、評価項目及び判定方法も実施例１に従った。実施例
１及び比較例１の処理をそれぞれ１０回行い、各回毎に
測定、評価を実施した。この結果を表１にまとめて示
す。

【００３０】

【表１】

【００３１】表１から明らかなように、比較例１は、平
均温度が高くなる傾向を有するのは当然としても、温度
バラツキが著しく大きくなる傾向を有し、これはとりも
なおさずプラズマ密度分布の不均一、すなわち炭化処理
の不均一性をあらわし（処理Ｎｏ．５、７、１０が顕
著）、時に異常放電が生じ（処理Ｎｏ．１、５、６）、
金型損傷をもたらす（処理Ｎｏ．１、６）方法である。

【００３２】これに対し実施例１は、異常放電の発生及
び金型１０の損傷が共に皆無であることからもわかるよ
うに、平均温度が８０℃前後におさまり、温度バラツキ
も実用上無視し得る程度の微差の範囲内に収まり、灰化
性の平均もほぼ満足すべき程度の処理が施され（処理時
間の多少の延長で評点は５になる可能性を有する）、灰
化均一性については申し分ない満足な結果が得られてい
る。

【００３３】［実施例２］図１、２に従い、ジャケット
１２の空間部Ｓ₁₂にスチームを流入循環させて実施例１
と同サイズの金型１０を加温し、金型１０の温度が２種
類の１００℃及び１５０℃を保持するように制御した。
シャワ管１５は実施例１と同じものを用いた。容器２−
１、２−２を密封固着してから真空ポンプを動作させ、
処理槽１内部の圧力を２×１０^-3Ｔｏｒｒまで減圧した
後、反応ガスをＯ₂ ガス単体として１０００ＳＣＣＭの
割合で流入させ、処理槽１内のプラズマガス圧力を１．
０Ｔｏｒｒに保持した。４基の並列接続になるプラズマ
流発生炉１８のそれぞれに周波数２．４５ＧＨｚのマイ
クロ波を印加して酸素ラジカルを主体とするプラズマ流
を発生させた。マイクロ波の出力は１．５ｋＷ×４であ
る。

【００３４】ジャケット１２による金型１０の加温を施
さずにそのままとする他は実施例２と同じ処理条件の比
較例２と共に実施例２によるアッシング処理を施し、所
定時間経過後における灰化性及び洗浄度を実施例１と同
じ５点法により、また同じ評価基準により評価採点し
た。この結果を表２に示す。なお表２に記載した金型温
度は同表に示す処理時間の最終時点での値である。

【００３５】

【表２】

【００３６】表２から、金型１０を加温した実施例２は
比較例と対比し同じ処理時間で灰化性及び洗浄性両者の
評点が高く、より短い処理時間の１時間前後にて合格レ
ベルである４点以上の灰化性及び洗浄性が達成できるこ
とがわかる。

【００３７】［実施例３］反応ガスをＯ₂ ガス及びＣＦ
₄ ガスの混合ガスとし、Ｏ₂ ガスは１０００ＳＣＣＭ、
ＣＦ₄ ガスは５００ＳＣＣＭそれぞれの割合でプラズマ
発生炉１８内に流入させ、かつＣＦ₄ ガスのハロゲン分
解ガスによるアッタクを回避するため、シャワ管１５の
材質を石英からアルミナに変えた他は全て実施例２に合
せた。そして実施例２と同じ比較例を用い、実施例２の
場合と同じ灰化処理を実施した。その評価結果を表２と
同様に表３に示す。

【００３８】

【表３】

【００３９】表３からもわかるように、実施例３でも実
施例２と同様な好結果を示し、やはり１時間程度で合格
レベルの４点以上が得られる能力を有することがわか
る。実施例２といささか相違する点といえば、ＣＦ₄ ガ
スを用いたことで灰化性が若干向上している点である。

【００４０】

【発明の効果】この発明によれば、エラストマの繰返し
加硫成形により金型表面に形成されたエラストマ残滓面
に対し、加硫金型を放電領域に曝すことなくプラズマ流
中の中性活性種を一様に噴き当てるので、加硫金型に損
傷を与えるなどの不利を伴うことなく、また加硫金型の
型形成面に制約を加えることなく、短い処理時間で均一
に有効にアッシングすることが可能な加硫金型の清浄方
法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明による一実施例の真空処理槽側面と加
硫金型側面との要部断面図及びプラズマ発生炉の概要図
である。

【図２】図１に示すシャワ管の斜視図である。

【符号の説明】

１ 真空処理槽 ２ 容器 ３ 吸引部 ４ 支柱 ５ ホイールコンベヤ １０ 加硫金型 １１ 定盤 １２ ジャケット １５ シャワ管 １５ｈ 噴出し口 １６ 導管 １７ コネクタ １８ プラズマ流発生炉 １９ 導管部 ２０ マイクロ波電源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２９Ｋ 105:24

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空処理槽内に加硫金型を位置させ、エ
   ラストマの繰返し加硫成形により該金型の内側表面に形
   成されたエラストマ残滓に低圧反応ガスのプラズマを作
   用させ、該残滓をアッシングして除去するにあたり、 上記処理槽にプラズマ流を供給するプラズマ発生炉と、
   該炉に流入する反応ガスをマイクロ波放電により中性活
   性種を主成分にもつプラズマ流とするマイクロ波発生装
   置とをそれぞれ設け、 プラズマ発生炉にて発生させたプラズマ流を導管にて上
   記処理槽内に導入し、導入したプラズマ流を加硫金型の
   残滓面全周に向け一様に噴出させ、噴出したプラズマ流
   の中性活性種ガスによりエラストマ残滓をアッシングす
   ることを特徴とする加硫金型の清浄方法。
2. 【請求項２】 真空処理槽内における加硫金型を１００
   〜１８０℃の範囲内の温度まで加温保持してアッシング
   処理を施す請求項１に記載した清浄方法。
3. 【請求項３】 上記反応ガスが、酸素ガス単体又は酸素
   ガスを主成分とするハロゲン化物ガスとの混合ガスのい
   ずれか一方のガスからなる請求項１又は２に記載した清
   浄方法。