JPH08287417A - 磁気抵抗効果素子，磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気抵抗効果素子，磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置Info
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- JPH08287417A JPH08287417A JP8364695A JP8364695A JPH08287417A JP H08287417 A JPH08287417 A JP H08287417A JP 8364695 A JP8364695 A JP 8364695A JP 8364695 A JP8364695 A JP 8364695A JP H08287417 A JPH08287417 A JP H08287417A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】磁気抵抗効果素子を形成する多層膜のトラック
幅方向の端部に、軟磁性材料あるいは永久磁石２２から
成る磁区制御部１５を形成した。また、この磁気抵抗効
果素子を磁気ヘッドに用いた。 【効果】磁気抵抗効果素子の多層膜の磁区構造が安定
し、バルクハウゼンノイズの発生を防止でき、高い再生
出力が得られた。
幅方向の端部に、軟磁性材料あるいは永久磁石２２から
成る磁区制御部１５を形成した。また、この磁気抵抗効
果素子を磁気ヘッドに用いた。 【効果】磁気抵抗効果素子の多層膜の磁区構造が安定
し、バルクハウゼンノイズの発生を防止でき、高い再生
出力が得られた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高い磁気抵抗効果を有す
る多層膜を用いた磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド，磁気
記録再生装置に関する。
る多層膜を用いた磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド，磁気
記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の高密度化に伴い、再生用磁気
ヘッドに用いる磁気抵抗効果材料として、高い磁気抵抗
効果を示す材料が求められている。フィジカル・レビュ
ー・レターズ(Pysical Review Letters)，第６１巻，第
２１号，２４７２〜２４７５ページに記載の「(００１)
Ｆｅ／(００１)Ｃｒ磁性超格子の巨大磁気抵抗効果（Gi
ant Magnetoresistance of (００１)Ｆｅ／(００１)Ｃ
ｒ MagneticSuperlattices)」のように、多層構造を持
つ磁性膜（Ｆｅ／Ｃｒ多層膜）において、約５０％の磁
気抵抗変化率(４.２Ｋにおいて）が報告されている。
ヘッドに用いる磁気抵抗効果材料として、高い磁気抵抗
効果を示す材料が求められている。フィジカル・レビュ
ー・レターズ(Pysical Review Letters)，第６１巻，第
２１号，２４７２〜２４７５ページに記載の「(００１)
Ｆｅ／(００１)Ｃｒ磁性超格子の巨大磁気抵抗効果（Gi
ant Magnetoresistance of (００１)Ｆｅ／(００１)Ｃ
ｒ MagneticSuperlattices)」のように、多層構造を持
つ磁性膜（Ｆｅ／Ｃｒ多層膜）において、約５０％の磁
気抵抗変化率(４.２Ｋにおいて）が報告されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記Ｆｅ／Ｃｒ多層膜
と類似した構造を有するＮｉ−Ｆｅ／Ｃｕ多層膜は、比
較的高い磁気抵抗変化率を有するが、多層膜を用いた磁
気抵抗効果素子はバルクハウゼンノイズを示すという問
題がある。
と類似した構造を有するＮｉ−Ｆｅ／Ｃｕ多層膜は、比
較的高い磁気抵抗変化率を有するが、多層膜を用いた磁
気抵抗効果素子はバルクハウゼンノイズを示すという問
題がある。
【０００４】本発明の目的は、磁気抵抗効果素子におけ
るバルクハウゼンノイズの抑制方法を提供することにあ
る。
るバルクハウゼンノイズの抑制方法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、磁性層，
非磁性層を積層した多層磁性膜を用いた磁気抵抗効果素
子について鋭意研究を重ねた結果、上記多層膜の磁気抵
抗効果素子におけるトラック幅方向に磁性材料からなる
磁区制御部を設けることにより、磁気抵抗効果素子のバ
ルクハウゼンノイズの抑制が可能なことを見出し、本発
明を完成するに至った。
非磁性層を積層した多層磁性膜を用いた磁気抵抗効果素
子について鋭意研究を重ねた結果、上記多層膜の磁気抵
抗効果素子におけるトラック幅方向に磁性材料からなる
磁区制御部を設けることにより、磁気抵抗効果素子のバ
ルクハウゼンノイズの抑制が可能なことを見出し、本発
明を完成するに至った。
【０００６】上記のような高い磁気抵抗効果を示す多層
膜では、外部磁界が弱い時には、磁性層間に働く交換相
互作用により磁性層の磁化の向きは交互に反平行にな
る。多層膜の磁気抵抗効果素子におけるトラック幅方向
の端部に軟磁性材料からなる磁区制御部を設けると、多
層膜端部で磁束が還流し、磁化の反平行配列が促進さ
れ、磁区構造が安定するものと思われる。この結果、磁
気抵抗効果素子のバルクハウゼンノイズが抑制される。
膜では、外部磁界が弱い時には、磁性層間に働く交換相
互作用により磁性層の磁化の向きは交互に反平行にな
る。多層膜の磁気抵抗効果素子におけるトラック幅方向
の端部に軟磁性材料からなる磁区制御部を設けると、多
層膜端部で磁束が還流し、磁化の反平行配列が促進さ
れ、磁区構造が安定するものと思われる。この結果、磁
気抵抗効果素子のバルクハウゼンノイズが抑制される。
【０００７】また、多層膜の磁気抵抗効果素子における
トラック幅方向の端部に永久磁石材料からなる磁区制御
部を設けると、多層膜のトラック幅方向に直接、磁界を
印加することができ、その結果、磁気抵抗効果素子のバ
ルクハウゼンノイズが抑制される。
トラック幅方向の端部に永久磁石材料からなる磁区制御
部を設けると、多層膜のトラック幅方向に直接、磁界を
印加することができ、その結果、磁気抵抗効果素子のバ
ルクハウゼンノイズが抑制される。
【０００８】また、磁気抵抗効果素子は磁気ヘッドなど
に好適であり、この磁気ヘッドを用いることにより、高
性能磁気記録再生装置を得ることができる。
に好適であり、この磁気ヘッドを用いることにより、高
性能磁気記録再生装置を得ることができる。
【０００９】
【作用】多層膜のトラック幅方向の端部に軟磁性材料か
らなる磁区制御部を設けると、多層膜端部で磁束が還流
し、磁区構造が安定する。この結果、磁気抵抗効果素子
のバルクハウゼンノイズが抑制される。また、永久磁石
による多層膜への磁界印加を行うことにより、バルクハ
ウゼンノイズが抑制される。
らなる磁区制御部を設けると、多層膜端部で磁束が還流
し、磁区構造が安定する。この結果、磁気抵抗効果素子
のバルクハウゼンノイズが抑制される。また、永久磁石
による多層膜への磁界印加を行うことにより、バルクハ
ウゼンノイズが抑制される。
【００１０】
＜実施例１＞本発明の一実施例における多層膜の構造を
図２に示す。ガラスからなる基板１１の上に、イオンビ
ームスパッタリング装置を用い、厚さ５ｎｍのＮｉ−Ｏ
系のバッファ層１２を形成した。スパッタリングターゲ
ットには、ＮｉＯを用いたが、スパッタリングにより形
成したバッファ層の組成は、化学量論的組成からはずれ
ているものと考えられる。スパッタリング条件は、Ａｒ
圧力０.０２Ｐａ，イオンガン加速電圧９００Ｖ，イオ
ン電流１２０ｍＡである。
図２に示す。ガラスからなる基板１１の上に、イオンビ
ームスパッタリング装置を用い、厚さ５ｎｍのＮｉ−Ｏ
系のバッファ層１２を形成した。スパッタリングターゲ
ットには、ＮｉＯを用いたが、スパッタリングにより形
成したバッファ層の組成は、化学量論的組成からはずれ
ているものと考えられる。スパッタリング条件は、Ａｒ
圧力０.０２Ｐａ，イオンガン加速電圧９００Ｖ，イオ
ン電流１２０ｍＡである。
【００１１】Ｎｉ−Ｏ系のバッファ層を形成した基板を
一度、イオンビームスパッタリング装置から出し、再
び、装置内に戻した。さらに、基板１１上に形成したＮ
ｉ−Ｏ系のバッファ層１２の上に、厚さ１.５ ｎｍのＮ
ｉ−Ｆｅ−Ｃｏ磁性層１３および厚さ２.２ ｎｍのＣｕ
非磁性層１４を交互に積層した。磁性層１３の層数は１
０層である。スパッタリング条件は、Ａｒ圧力０.０２
Ｐａ，イオンガン加速電圧３００Ｖ，イオン電流３０ｍ
Ａである。Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ磁性層形成用のスパッタリ
ングターゲットには、Ｎｉ−１６ａｔ％Ｆｅ−１８ａｔ
％Ｃｏの組成の合金ターゲットを用いた。
一度、イオンビームスパッタリング装置から出し、再
び、装置内に戻した。さらに、基板１１上に形成したＮ
ｉ−Ｏ系のバッファ層１２の上に、厚さ１.５ ｎｍのＮ
ｉ−Ｆｅ−Ｃｏ磁性層１３および厚さ２.２ ｎｍのＣｕ
非磁性層１４を交互に積層した。磁性層１３の層数は１
０層である。スパッタリング条件は、Ａｒ圧力０.０２
Ｐａ，イオンガン加速電圧３００Ｖ，イオン電流３０ｍ
Ａである。Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ磁性層形成用のスパッタリ
ングターゲットには、Ｎｉ−１６ａｔ％Ｆｅ−１８ａｔ
％Ｃｏの組成の合金ターゲットを用いた。
【００１２】図２に示した多層膜をフォト・リソグラフ
ィー工程により、磁気抵抗効果素子の感磁部形状に加工
した。トラック幅方向の多層膜の長さは２μｍ、トラッ
ク幅方向に垂直な膜面内方向の多層膜の長さは１μｍと
した。
ィー工程により、磁気抵抗効果素子の感磁部形状に加工
した。トラック幅方向の多層膜の長さは２μｍ、トラッ
ク幅方向に垂直な膜面内方向の多層膜の長さは１μｍと
した。
【００１３】さらに、リフトオフ法により、図１に示す
ように、多層膜の端部に磁区制御部１５を形成した。磁
区制御部には、Ｎｉ−Ｆｅ系合金を用いた。また、Ｃｕ
からなる電極１６を形成した。
ように、多層膜の端部に磁区制御部１５を形成した。磁
区制御部には、Ｎｉ−Ｆｅ系合金を用いた。また、Ｃｕ
からなる電極１６を形成した。
【００１４】このような工程より作製した磁気抵抗効果
素子の電圧−磁界曲線を図３に示す。図のように、磁界
による電圧変化はスムーズであり、バルクハウゼンノイ
ズは認められない。
素子の電圧−磁界曲線を図３に示す。図のように、磁界
による電圧変化はスムーズであり、バルクハウゼンノイ
ズは認められない。
【００１５】比較例として、磁区制御部のない磁気抵抗
効果素子を形成した。この素子の電圧−磁界曲線を図４
に示す。図のように、磁界による電圧変化はスムーズで
はなく、バルクハウゼンノイズが観測された。
効果素子を形成した。この素子の電圧−磁界曲線を図４
に示す。図のように、磁界による電圧変化はスムーズで
はなく、バルクハウゼンノイズが観測された。
【００１６】磁気抵抗効果材料である多層膜の磁気抵抗
効果素子におけるトラック幅方向の端部に軟磁性材料か
らなる磁区制御部を設けると、多層膜端部で磁束が還流
し、磁化の反平行配列が促進され、磁区構造が安定する
ものと思われる(図５参照)。この結果、磁気抵抗効果素
子のバルクハウゼンノイズが抑制される。
効果素子におけるトラック幅方向の端部に軟磁性材料か
らなる磁区制御部を設けると、多層膜端部で磁束が還流
し、磁化の反平行配列が促進され、磁区構造が安定する
ものと思われる(図５参照)。この結果、磁気抵抗効果素
子のバルクハウゼンノイズが抑制される。
【００１７】本実施例では、磁区制御部として、Ｎｉ−
Ｆｅ系合金からなる軟磁性材料を用いたが、Ｎｉ−Ｆｅ
−Ｃｏ系合金などの他の軟磁性材料を用いることもでき
る。また、磁区制御部として、永久磁石材料を用いる
と、多層膜のトラック幅方向に、永久磁石材料からの漏
れ磁界を印加することができ、この結果、磁気抵抗効果
素子のバルクハウゼンノイズを抑制することができる。
永久磁石材料は、比較的容易に高い保磁力を示す材料の
得られるＣｏ−Ｐｔ系合金が好ましい。
Ｆｅ系合金からなる軟磁性材料を用いたが、Ｎｉ−Ｆｅ
−Ｃｏ系合金などの他の軟磁性材料を用いることもでき
る。また、磁区制御部として、永久磁石材料を用いる
と、多層膜のトラック幅方向に、永久磁石材料からの漏
れ磁界を印加することができ、この結果、磁気抵抗効果
素子のバルクハウゼンノイズを抑制することができる。
永久磁石材料は、比較的容易に高い保磁力を示す材料の
得られるＣｏ−Ｐｔ系合金が好ましい。
【００１８】＜実施例２＞本発明の多層膜を用いた磁気
抵抗効果素子を形成した。多層膜には、実施例１で述べ
た多層膜を用いた。本実施例の磁気抵抗効果素子を図６
に示す。磁区制御部１５には、Ｎｉ−Ｆｅ系合金を用い
た。また、電極１６には、Ｃｕを用いた。また、多層膜
上に絶縁層２１を形成し、さらに永久磁石層２２を積層
した。絶縁層２１は、電極間の電気的短絡を防ぐために
必要である。また、永久磁石層２２は、多層膜にバイア
ス磁界を印加し、磁気抵抗効果素子の動作磁界を制御す
るために用いる。本実施例では、絶縁層２１および永久
磁石層２２として、それぞれ、Ａl2Ｏ3およびＣo−Ｐt
合金を用いた。さらに、磁気抵抗効果素子をＡｌ2Ｏ3か
らなる絶縁体を介して、２枚のシールド層で挟んだ。
抵抗効果素子を形成した。多層膜には、実施例１で述べ
た多層膜を用いた。本実施例の磁気抵抗効果素子を図６
に示す。磁区制御部１５には、Ｎｉ−Ｆｅ系合金を用い
た。また、電極１６には、Ｃｕを用いた。また、多層膜
上に絶縁層２１を形成し、さらに永久磁石層２２を積層
した。絶縁層２１は、電極間の電気的短絡を防ぐために
必要である。また、永久磁石層２２は、多層膜にバイア
ス磁界を印加し、磁気抵抗効果素子の動作磁界を制御す
るために用いる。本実施例では、絶縁層２１および永久
磁石層２２として、それぞれ、Ａl2Ｏ3およびＣo−Ｐt
合金を用いた。さらに、磁気抵抗効果素子をＡｌ2Ｏ3か
らなる絶縁体を介して、２枚のシールド層で挟んだ。
【００１９】磁気抵抗効果素子に磁界を印加し、電気抵
抗率の変化を測定したところ、本発明の多層磁気抵抗効
果膜を用いた磁気抵抗効果素子は、２.４kＡ／ｍ(３０
Ｏｅ)程度の印加磁界で７％程度の磁気抵抗変化率を示
した。また、本発明の磁気抵抗効果素子の再生出力は、
Ｎｉ−Ｆｅ単層膜を用いた磁気抵抗効果素子と比較して
２.１ 倍であった。
抗率の変化を測定したところ、本発明の多層磁気抵抗効
果膜を用いた磁気抵抗効果素子は、２.４kＡ／ｍ(３０
Ｏｅ)程度の印加磁界で７％程度の磁気抵抗変化率を示
した。また、本発明の磁気抵抗効果素子の再生出力は、
Ｎｉ−Ｆｅ単層膜を用いた磁気抵抗効果素子と比較して
２.１ 倍であった。
【００２０】＜実施例３＞図７は実施例２で述べた磁気
抵抗効果素子を用いて作製した。記録再生分離型ヘッド
の一部分を切断した場合の斜視図を示す。多層磁気抵抗
効果膜６１をシールド層６２，６３で挾んだ部分が再生
ヘッドとして働き、コイル６４を挾む下部磁極６５，上
部磁極６６の部分が記録ヘッドとして働く。また、電極
６８には、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒという多層構造の材料を用
いた。また、磁区制御部６９には、Ｎｉ−Ｆｅ系合金を
用いた。
抵抗効果素子を用いて作製した。記録再生分離型ヘッド
の一部分を切断した場合の斜視図を示す。多層磁気抵抗
効果膜６１をシールド層６２，６３で挾んだ部分が再生
ヘッドとして働き、コイル６４を挾む下部磁極６５，上
部磁極６６の部分が記録ヘッドとして働く。また、電極
６８には、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒという多層構造の材料を用
いた。また、磁区制御部６９には、Ｎｉ−Ｆｅ系合金を
用いた。
【００２１】以下にこのヘッドの作製方法を示す。Ａｌ
2Ｏ3・ＴｉＣを主成分とする焼結体をスライダ用の基板
６７とした。シールド層，記録磁極にはスパッタリング
法で形成したＮｉ−Ｆｅ合金を用いた。各磁性膜の膜厚
は、以下のようにした。上下のシールド層６２，６３は
１.０μｍ、下部磁極６５，上部６６は３.０μｍ、各層
間のギャップ材はスパッタリングで形成したＡｌ2Ｏ3を
用いた。ギャップ層の膜厚は、シールド層と磁気抵抗効
果素子間で０.２μｍ、記録磁極間では０.４μｍとし
た。さらに再生ヘッドと記録ヘッドの間隔は約４μｍと
し、このギャップもＡｌ2Ｏ3で形成した。コイル６４に
は膜厚３μｍのＣｕを使用した。
2Ｏ3・ＴｉＣを主成分とする焼結体をスライダ用の基板
６７とした。シールド層，記録磁極にはスパッタリング
法で形成したＮｉ−Ｆｅ合金を用いた。各磁性膜の膜厚
は、以下のようにした。上下のシールド層６２，６３は
１.０μｍ、下部磁極６５，上部６６は３.０μｍ、各層
間のギャップ材はスパッタリングで形成したＡｌ2Ｏ3を
用いた。ギャップ層の膜厚は、シールド層と磁気抵抗効
果素子間で０.２μｍ、記録磁極間では０.４μｍとし
た。さらに再生ヘッドと記録ヘッドの間隔は約４μｍと
し、このギャップもＡｌ2Ｏ3で形成した。コイル６４に
は膜厚３μｍのＣｕを使用した。
【００２２】この構造の磁気ヘッドで記録再生を行った
ところ、Ｎｉ−Ｆｅ単層膜を用いた磁気ヘッドと比較し
て、１.９ 倍高い再生出力を得た。これは、本発明の磁
気ヘッドに高磁気抵抗効果を示す多層膜を用いたためと
考えられる。また、再生波形には、大きなノイズは見ら
れなかった。これは、磁区制御部の効果と考えられる。
ところ、Ｎｉ−Ｆｅ単層膜を用いた磁気ヘッドと比較し
て、１.９ 倍高い再生出力を得た。これは、本発明の磁
気ヘッドに高磁気抵抗効果を示す多層膜を用いたためと
考えられる。また、再生波形には、大きなノイズは見ら
れなかった。これは、磁区制御部の効果と考えられる。
【００２３】＜実施例４＞実施例３で述べた本発明の磁
気ヘッドを用い、図８に示す磁気ディスク装置を作製し
た。磁気記録媒体７１には、残留磁束密度０.７５ Ｔの
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ−Ｔａ系合金からなる材料を用いた。
磁気ヘッド７３のトラック幅は３μｍとした。磁気ヘッ
ド７３における磁気抵抗効果素子は、再生出力が高いた
め、信号処理に負担をかけない高性能磁気ディスク装置
が得られた。
気ヘッドを用い、図８に示す磁気ディスク装置を作製し
た。磁気記録媒体７１には、残留磁束密度０.７５ Ｔの
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ−Ｔａ系合金からなる材料を用いた。
磁気ヘッド７３のトラック幅は３μｍとした。磁気ヘッ
ド７３における磁気抵抗効果素子は、再生出力が高いた
め、信号処理に負担をかけない高性能磁気ディスク装置
が得られた。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、磁気抵抗効果素子に、
高磁気抵抗効果を示す多層膜を用い、さらに多層膜の端
部に磁区制御部を設けることにより、多層膜端部で磁束
が還流し、多層膜の磁区構造が安定する。この結果、バ
ルクハウゼンノイズがなく、高い磁気抵抗効果を示す磁
気抵抗効果素子が得られる。さらに、磁気抵抗効果素子
は、磁界センサ，磁気ヘッドなどに好適である。また、
磁気ヘッドを用いることにより、高性能磁気記録再生装
置を得ることができる。
高磁気抵抗効果を示す多層膜を用い、さらに多層膜の端
部に磁区制御部を設けることにより、多層膜端部で磁束
が還流し、多層膜の磁区構造が安定する。この結果、バ
ルクハウゼンノイズがなく、高い磁気抵抗効果を示す磁
気抵抗効果素子が得られる。さらに、磁気抵抗効果素子
は、磁界センサ，磁気ヘッドなどに好適である。また、
磁気ヘッドを用いることにより、高性能磁気記録再生装
置を得ることができる。
【図１】本発明の磁気抵抗効果素子の断面図。
【図２】本発明の磁気抵抗効果素子に用いた多層膜の断
面図。
面図。
【図３】本発明の磁気抵抗効果素子の磁界・電圧特性
図。
図。
【図４】比較例の磁気抵抗効果素子の磁界・電圧特性
図。
図。
【図５】本発明の磁気抵抗効果素子における磁束の還流
を示す断面図。
を示す断面図。
【図６】本発明の磁気抵抗効果素子の断面図。
【図７】本発明の磁気ヘッドの斜視図。
【図８】本発明の磁気記録再生装置の説明図。
１１…基板、１２…バッファ層、１３…磁性層、１４…
非磁性層、１５…磁区制御部、１６…電極、２１…絶縁
層、２２…永久磁石層。
非磁性層、１５…磁区制御部、１６…電極、２１…絶縁
層、２２…永久磁石層。
Claims (8)
- 【請求項１】磁性層と非磁性層とが交互に積層されてい
る多層膜および一対の電極からなる磁気抵抗効果素子に
おいて、上記多層膜のトラック幅方向の端部に磁性材料
からなる磁区制御部が接触していることを特徴とする磁
気抵抗効果素子。 - 【請求項２】請求項１において、上記磁区制御部が軟磁
気特性を有する磁気抵抗効果素子。 - 【請求項３】請求項２において、上記磁区制御部がＮｉ
−Ｆｅ系合金あるいはＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金である磁
気抵抗効果素子。 - 【請求項４】請求項１において、上記磁区制御部が永久
磁石材料からなる磁気抵抗効果素子。 - 【請求項５】請求項４において、上記磁区制御部がＣｏ
−Ｐｔ系合金である磁気抵抗効果素子。 - 【請求項６】請求項１から請求項５のいずれか記載の磁
気抵抗効果素子とシールド層とからなる磁気抵抗効果型
ヘッド。 - 【請求項７】請求項６に記載の上記磁気抵抗効果型ヘッ
ドと誘導型磁気ヘッドを組み合わせた複合型磁気ヘッ
ド。 - 【請求項８】請求項６または請求項７に記載の磁気ヘッ
ドを用いた磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8364695A JPH08287417A (ja) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 磁気抵抗効果素子，磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8364695A JPH08287417A (ja) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 磁気抵抗効果素子，磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08287417A true JPH08287417A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=13808224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8364695A Pending JPH08287417A (ja) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 磁気抵抗効果素子，磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08287417A (ja) |
-
1995
- 1995-04-10 JP JP8364695A patent/JPH08287417A/ja active Pending
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