JPH0828457B2 - Lead frame manufacturing method - Google Patents
Lead frame manufacturing methodInfo
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- JPH0828457B2 JPH0828457B2 JP28622890A JP28622890A JPH0828457B2 JP H0828457 B2 JPH0828457 B2 JP H0828457B2 JP 28622890 A JP28622890 A JP 28622890A JP 28622890 A JP28622890 A JP 28622890A JP H0828457 B2 JPH0828457 B2 JP H0828457B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、リードフレームの製造方法にかかり、特に
インナーリードを備えたリードフレーム本体と、半導体
素子搭載部とを別に形成し、固着するようにしたリード
フレームの製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Object of the Invention (Industrial field of application) The present invention relates to a method for manufacturing a lead frame, and in particular, a lead frame body having inner leads and a semiconductor element mounting portion are separately formed. The present invention relates to a method of manufacturing a lead frame that is fixed.
(従来の技術) 高出力型半導体集積回路の分野では、高いパワーを用
いるために、電流供給用のリードはワイヤとの接続部に
おけるインダクタンスの増大を防ぐべく、ボンディング
ワイヤに代え、パワープレートを介してチップのボンデ
ィングパッドに接続するという方法が取られることが多
い。(Prior Art) In the field of high-power semiconductor integrated circuits, in order to use high power, the leads for current supply use a power plate instead of a bonding wire in order to prevent an increase in inductance in the connection part with the wire. In many cases, the method of connecting to the bonding pad of the chip is adopted.
さらにまた、発熱量も大きいため、ダイパッドに代え
て放熱性の良好な金属板からなる大きな放熱板を必要と
する傾向にある。Furthermore, since the amount of heat generated is large, there is a tendency that a large heat dissipation plate made of a metal plate having good heat dissipation is required instead of the die pad.
このようなパワーデバイスでは、リードフレーム本体
と放熱板とを別体形成し、インナーリード先端の裏側に
絶縁性の両面テープを介して放熱板とリードフレーム本
体とを貼着したリードフレームを用いることが多い。In such a power device, the lead frame main body and the heat dissipation plate are separately formed, and the heat dissipation plate and the lead frame main body are attached to the back side of the tip of the inner lead via an insulating double-sided tape. There are many.
また、接地用のグランドプレートとパワープレートと
がリードフレーム本体に対して各々両面テープを介して
積層され、リード本数の実質的な低減により、パッケー
ジ寸法の小型化を実現しようとするものも提案されてい
る。このように、リード本数を低減する目的から、例え
ば複数のパッドから接地ラインに落とすような場合、接
地用のプレートを設けこれにすべて接続するという方法
が有力となってきている。Also proposed is a ground plate for grounding and a power plate, which are laminated on the lead frame body via double-sided tape, respectively, to achieve a reduction in the package size by substantially reducing the number of leads. ing. Thus, for the purpose of reducing the number of leads, for example, in the case of dropping from a plurality of pads to the ground line, a method of providing a grounding plate and connecting all of them to the grounding plate has become effective.
ところで、これらのリードフレームではインナーリー
ド先端表面にはワイヤレスボンディングを確実に行うた
めのコイニングならびに銀(Ag)、金(Au)などの貴金
属めっきが施されているが、両面テープ貼着工程におい
て、さらには2層3層の接着工程において、工程数が増
大すればするほどめっき面に傷を付けたり、異物が付着
したりするという問題があった。By the way, in these lead frames, coining and silver (Au), precious metal plating such as silver (Ag) are performed on the inner lead tip surface to ensure wireless bonding. Further, in the two-layer and three-layer bonding process, there is a problem that the plating surface is scratched or foreign matter is attached as the number of processes is increased.
この問題を最小限にとどめるため、第4図に示すよう
にヒートブロックHに逃げ加工を施し、この逃げ加工部
Kにめっき面Mが位置するようにリードフレーム本体5
を搭載して上方から押圧する等の対策がとられている。In order to minimize this problem, the heat block H is subjected to relief processing as shown in FIG. 4, and the lead frame main body 5 is arranged so that the plated surface M is located in this relief processed portion K.
Measures are taken such as by mounting the and pressing from above.
しかしながら、この方法では、ヒートブロックの加工
が困難となるばかりでなく、ヒートブロック上にリード
フレームを載置する際の位置ずれから結局めっき面を傷
つけることがあった。However, this method not only makes it difficult to process the heat block, but also sometimes causes the plated surface to be damaged due to the positional deviation when the lead frame is placed on the heat block.
さらに、リードフレームの搬送時にめっき面がヒータ
ブロックまたはガイド部と接触し、めっき面に傷を付け
たり、異物が付着したりするという問題は依然として残
されたままであった。Furthermore, the problems that the plated surface comes into contact with the heater block or the guide portion during the transportation of the lead frame, and the plated surface is scratched or foreign matter adheres still remain.
(発明が解決しようとする問題点) このように、従来のリードフレームではテープ貼着工
程や搬送工程において、インナーリード先端のめっき面
に傷を付けたり、異物が付着し、これが信頼性低下の原
因となっていた。(Problems to be Solved by the Invention) As described above, in the conventional lead frame, the plating surface at the tip of the inner lead is scratched or foreign matter is attached in the tape attaching process or the transporting process, which may reduce reliability. It was the cause.
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、テープ
貼着工程や搬送工程において、インナーリード先端のめ
っき面を保護し、リードフレームの製造歩留まりを向上
することのできるリードフレームの製造方法を提供する
ことを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a lead frame manufacturing method capable of protecting the plated surface of the tip of the inner lead in the tape attaching step and the conveying step and improving the lead frame manufacturing yield. The purpose is to provide.
(課題を解決するための手段) そこで、本発明の方法では、インナーリードの最先端
からややアウターリード側に所定の間隔を隔てた位置に
肉薄化(コイニング)を行い、幅広肉薄領域を形成し、
この肉薄化によって形成された凹面に貴金属めっきを施
したのち、このインナーリードを凹面側がヒートブロッ
クに当接するように載置し、さらにこの上層に両面テー
プを介して、半導体チップを搭載するための半導体チッ
プ載置部を積層し、加熱することにより、リードフレー
ム本体を半導体チップ載置部に固着するようにしてい
る。(Means for Solving the Problem) Therefore, in the method of the present invention, thinning (coining) is performed at a position spaced a predetermined distance from the tip of the inner lead to the outer lead side to form a wide and thin region. ,
After applying the noble metal plating to the concave surface formed by this thinning, this inner lead is placed so that the concave side contacts the heat block, and further on this upper layer via the double-sided tape, for mounting the semiconductor chip By stacking the semiconductor chip mounting portions and heating them, the lead frame body is fixed to the semiconductor chip mounting portion.
(作用) 上記構成により、インナーリード最先端部の肉厚は他
の領域と同じに維持され、コイニング領域が若干アウタ
ーリード側へずらして形成され、めっきのなされた領域
が肉薄領域となっているため、テープ貼着工程において
ヒートブロック上にリードフレームを載置する際にもめ
っき面がヒートブロックに直接接しないように、最先端
部とインナーリード中間部とで支持することができる。(Operation) With the above configuration, the wall thickness of the tip of the inner lead is kept the same as the other regions, the coining region is formed to be slightly shifted to the outer lead side, and the plated region is the thin region. Therefore, even when the lead frame is placed on the heat block in the tape adhering step, the plated surface can be supported by the leading end portion and the inner lead middle portion so as not to come into direct contact with the heat block.
また、導電性プレートや接地プレートなどとの接着に
際しても、同様にめっき面がヒートブロックに直接接し
ないように支持することができる。In addition, also when adhering to a conductive plate, a ground plate, or the like, it is possible to support the plated surface so that it does not directly contact the heat block.
さらに、搬送工程に際しても、最先端の肉厚部の存在
により搬送具が、めっき面に直接接しないように支持す
ることができる。Further, even in the carrying step, the carrying tool can be supported so as not to come into direct contact with the plated surface due to the presence of the most advanced thick portion.
このように、最先端の肉厚部の存在により、常にヒー
トブロックなどの支持具にめっき面が接触することなく
実装および搬送を行うことができるため、製造歩留まり
が大幅に向上する。As described above, the presence of the most advanced thick-walled portion enables mounting and carrying without the plated surface being constantly in contact with the support such as the heat block, and thus the manufacturing yield is significantly improved.
(実施例) 以下本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第1図は、本発明実施例の方法で形成したパワーデバ
イス用のリードフレームのインナーリード先端部の要部
を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a main part of an inner lead tip of a lead frame for a power device formed by the method of the embodiment of the present invention.
このリードフレームは、第2図に全体図を示すよう
に、インナーリード1の最先端からややアウターリード
2側に所定の間隔を隔てた位置に幅広のコイニング領域
(肉薄領域)Cを形成し、このコイニング領域Cの表面
に銀めっきを施しめっき面Mを形成したことを特徴とし
ている。As shown in the overall view of FIG. 2, this lead frame has a wide coining area (thin area) C formed at a position slightly spaced from the tip of the inner lead 1 to the outer lead 2 side, It is characterized in that the surface of this coining region C is plated with silver to form a plated surface M.
すなわち、リードフレームが、銅を主成分とし、半導
体チップ載置部の周辺に先端がくるように配置された多
数のインナーリード1と、タイバー3を介してこれに連
設されたアウターリード2とを具備したリードフレーム
本体5と、肉厚で放熱性の良好な銅板からなる半導体チ
ップ載置部としてのダイパッド6とからなり、両者が絶
縁性のポリイミドテープからなる両面テープTを介して
固着されている。That is, a lead frame is mainly composed of copper, and a large number of inner leads 1 arranged so that their tips are located around the semiconductor chip mounting portion, and outer leads 2 connected to the inner leads 1 via tie bars 3. And a die pad 6 as a semiconductor chip mounting portion made of a copper plate having a large thickness and good heat dissipation, both of which are fixed via a double-sided tape T made of an insulating polyimide tape. ing.
次に、このリードフレームの製造方法について説明す
る。Next, a method of manufacturing this lead frame will be described.
まず、第3図(a)に示すように、通常のスタンピン
グ法により、帯状材料を加工し、半導体チップ載置領域
aと対峙するインナーリード1、アウターリード2、タ
イバー3などを含む通常のリードフレーム本体5の形状
に成型する。7はサイドバーである。First, as shown in FIG. 3 (a), a normal lead including an inner lead 1, an outer lead 2, a tie bar 3 and the like, which is processed by a normal stamping method to process a band-shaped material and faces the semiconductor chip mounting area a. The frame body 5 is molded. 7 is a sidebar.
次いで、第3図(b)に示すように、インナーリード
最先端部を残して先端領域にコイニング処理を行い、イ
ンナーリード1先端部のボンディングエリアの平坦幅を
確保したのち、このコイニング領域に銀めっき(めっき
面M)を行う。Mは銀めっき面を示す。このとき必要に
応じて、インナーリード先端部のボンディングエリアを
避けるように絶縁性テープを貼着し、固定するようにし
てもよい。Next, as shown in FIG. 3 (b), coining treatment is performed on the tip region of the inner lead, leaving the tip of the inner lead, and a flat width of the bonding area at the tip of the inner lead 1 is secured. Plating (plating surface M) is performed. M indicates a silver-plated surface. At this time, if necessary, an insulating tape may be attached and fixed so as to avoid the bonding area at the tip of the inner lead.
一方、第3図(c)に示すように、通常のスタンピン
グ法により、放熱性の良好な銅板を加工し、ダイパッド
6の打ち抜きを行う。On the other hand, as shown in FIG. 3C, a copper plate having a good heat dissipation property is processed by a normal stamping method, and the die pad 6 is punched out.
この後、第3図(d)に示すように、インナーリード
1を凹面側がヒートブロックHに当接するように載置
し、さらにこの上層に両面テープTを介して、ダイパッ
ド6を積層し、加熱することにより、リードフレーム本
体5をダイパッド6に固着する。After that, as shown in FIG. 3 (d), the inner lead 1 is placed so that the concave side is in contact with the heat block H, and the die pad 6 is further laminated on the upper layer via the double-sided tape T and heated. By doing so, the lead frame body 5 is fixed to the die pad 6.
このようにして第1図および第2図にしめしたような
リードフレームが完成する。In this way, the lead frame as shown in FIGS. 1 and 2 is completed.
この後、半導体チップの搭載およびワイヤボンディン
グを行い、樹脂封止を行って、デバイスが完成する。After that, the semiconductor chip is mounted and wire bonding is performed, and resin sealing is performed to complete the device.
このリードフレームによれば、第3図(d)に示した
ように、リードフレーム本体5とダイパッド6とを固着
する熱工程においても、ヒートブロックHにめっき面M
が接することなく良好に支持し固着することができるた
め、製造歩留まりが向上する。According to this lead frame, as shown in FIG. 3 (d), even in the heating step of fixing the lead frame body 5 and the die pad 6 to each other, the heat block H is plated with the plated surface M.
Since they can be favorably supported and fixed without contact with each other, the manufacturing yield is improved.
また、搬送に際しても、めっき面がヒータブロックま
たはガイド部と接触し、めっき面に傷を付けたり、異物
が付着したりすることもない。Further, even during transportation, the plated surface does not come into contact with the heater block or the guide portion, and the plated surface is not scratched or foreign matter is attached.
なお、前記実施例では、リードフレーム本体とダイパ
ッドとを別体として形成し、両者を結合したワイヤボン
ディング用のリードフレームについて説明したが、ダイ
パッドを一体形成した通常のワイヤボンディング用リー
ドフレームについても有効であるのみならず、インナー
リードを備えたリードフレーム本体が、グランドプレー
トとして役割を担う銅板からなる第1の導電板およびこ
の上層に積層され、電源ラインに接続され銅板からなる
パワープレートとしての第2の導電板とに溶接され、こ
れらの間の電気的接続を達成するようにしたものなどに
も適用可能である。Although the lead frame body and the die pad are separately formed in the above embodiment and the lead frame for wire bonding is connected to each other, it is also effective for a normal wire bonding lead frame in which the die pad is integrally formed. In addition to the above, the lead frame body having the inner leads is laminated on the first conductive plate made of a copper plate that plays a role of a ground plate and the upper layer, and is connected to the power supply line as a power plate made of a copper plate. It is also applicable to those which are welded to the two conductive plates so as to achieve the electrical connection between them.
以上説明してきたように、本発明の方法によれば、コ
イニング領域を若干アウターリード側へずらし、インナ
ーリード最先端部の肉厚は他の領域と同じに維持するよ
うにし、このリードフレーム本体部をダイパッドに固着
するようにしているため、めっき面がヒートブロックな
どの支持部に接触することなく固着することができ実装
製造歩留まりが大幅に向上する。As described above, according to the method of the present invention, the coining area is slightly shifted to the outer lead side, and the wall thickness of the tip end portion of the inner lead is kept the same as the other areas. Since it is fixed to the die pad, the plated surface can be fixed without coming into contact with the supporting portion such as the heat block, and the mounting manufacturing yield is significantly improved.
また搬送に際してもめっきの剥がれなどの不良は皆無
となる。In addition, there is no defect such as peeling of plating during transportation.
第1図は本発明実施例のリードフレームのインナーリー
ドを示す図、第2図は同リードフレーム全体図、第3図
(a)乃至第3図(d)は同リードフレームの実装工程
を示す図、第4図は従来例のリードフレームの実装工程
の一部を示す図である。 1……インナーリード、2……アウターリード、3……
ダイバー、M……銀めっき領域、5……リードフレーム
本体、6……ダイパッド、7……サイドバー、T……ポ
リイミドテープ。FIG. 1 is a diagram showing an inner lead of a lead frame of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an overall view of the lead frame, and FIGS. 3 (a) to 3 (d) show a mounting process of the lead frame. FIG. 4 and FIG. 4 are views showing a part of the mounting process of the lead frame of the conventional example. 1 ... Inner lead, 2 ... Outer lead, 3 ...
Diver, M: silver plating area, 5: lead frame body, 6: die pad, 7: side bar, T: polyimide tape.
Claims (1)
ように配設された複数のインナーリードと、前記インナ
ーリードのそれぞれに連設されたアウターリードとを具
備したリードフレーム本体を形成する工程と、 前記インナーリードの最先端からややアウターリード側
に所定の間隔を隔てた位置に肉薄領域を形成する肉薄化
工程と、 この肉薄化工程によって形成された凹面に貴金属めっき
を施すめっき工程と、 前記インナーリードを凹面側がヒートブロックに当接す
るように載置し、さらにこの上層に両面テープを介し
て、半導体チップを搭載するための半導体チップ載置部
を積層し、加熱することにより、前記リードフレーム本
体を半導体チップ載置部に固着する固着工程とを含むよ
うにしたことを特徴とするリードフレームの製造方法。1. A step of forming a lead frame main body comprising a plurality of inner leads arranged so that their tips are located at the periphery of a semiconductor chip mounting area, and outer leads connected to each of the inner leads. A thinning step of forming a thinned region at a position spaced a predetermined distance from the tip of the inner lead to the outer lead side, and a plating step of applying a precious metal plating to the concave surface formed by this thinning step, The inner lead is placed so that the concave side is in contact with the heat block, and a semiconductor chip placing portion for mounting a semiconductor chip is further laminated on this upper layer via a double-sided tape, and the leads are heated. A method of manufacturing a lead frame, characterized by including a fixing step of fixing the frame body to the semiconductor chip mounting portion. .
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP28622890A JPH0828457B2 (en) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | Lead frame manufacturing method |
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Publications (2)
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JPH04162469A JPH04162469A (en) | 1992-06-05 |
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JP28622890A Expired - Fee Related JPH0828457B2 (en) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | Lead frame manufacturing method |
Country Status (1)
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KR100281122B1 (en) * | 1998-02-13 | 2001-02-01 | 김영환 | semiconductor package |
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1990
- 1990-10-24 JP JP28622890A patent/JPH0828457B2/en not_active Expired - Fee Related
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