JPH08279459A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH08279459A JPH08279459A JP7108178A JP10817895A JPH08279459A JP H08279459 A JPH08279459 A JP H08279459A JP 7108178 A JP7108178 A JP 7108178A JP 10817895 A JP10817895 A JP 10817895A JP H08279459 A JPH08279459 A JP H08279459A
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- optical system
- exposure apparatus
- gas
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 照明光の光量損失を招くことなく、照明光学
系の光源から投影光学系のマスク側端部までの密閉空間
を所望の密閉区画ブロックに随時仕切ることのできる露
光装置を提供すること。 【構成】 本発明においては、パターンが形成されたマ
スクに特定波長の光を照射するための照明光学系と、前
記照明されたマスクのパターン像を基板上に投影露光す
るための投影光学系とを備えた露光装置において、前記
照明光学系の光源から前記投影光学系の前記マスク側端
部までの光路を大気から遮断するための密閉手段と、前
記密閉手段内の空間を随時仕切って密閉区画ブロックを
形成するための仕切り手段とを備えている。
系の光源から投影光学系のマスク側端部までの密閉空間
を所望の密閉区画ブロックに随時仕切ることのできる露
光装置を提供すること。 【構成】 本発明においては、パターンが形成されたマ
スクに特定波長の光を照射するための照明光学系と、前
記照明されたマスクのパターン像を基板上に投影露光す
るための投影光学系とを備えた露光装置において、前記
照明光学系の光源から前記投影光学系の前記マスク側端
部までの光路を大気から遮断するための密閉手段と、前
記密閉手段内の空間を随時仕切って密閉区画ブロックを
形成するための仕切り手段とを備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光装置に関し、特に半
導体素子や液晶表示素子のパターン形成に使用する遠紫
外光を使用する露光装置に関する。
導体素子や液晶表示素子のパターン形成に使用する遠紫
外光を使用する露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の大集積化の要望は年々高く
なっており、要求される回路パターンのパターンルール
（線幅）は小さくなっている。投影光学系が解像できる
線幅は波長に比例して小さくなることが知られており、
より小さなパターンルールの回路パターンを露光するた
めには露光に使用する光の波長を短くすればよい。最近
ではＡｒＦを媒体としたエキシマレーザ（波長１９３ｎ
ｍ）を使った投影露光装置が提案されている。ＡｒＦを
媒体としたエキシマレーザからのレーザ光のように、約
２００ｎｍ以下の波長の光（以下、「遠紫外光」とい
う）は、酸素に対して吸収特性を有する波長域（スペク
トル成分）を含んでおり、大気中の酸素による吸収が大
きい。遠紫外光が酸素に吸収されることによって、遠紫
外光の光量が損失されるとともに、吸収の際に有害ガス
であるオゾンが発生してしまうという不都合があった。
なっており、要求される回路パターンのパターンルール
（線幅）は小さくなっている。投影光学系が解像できる
線幅は波長に比例して小さくなることが知られており、
より小さなパターンルールの回路パターンを露光するた
めには露光に使用する光の波長を短くすればよい。最近
ではＡｒＦを媒体としたエキシマレーザ（波長１９３ｎ
ｍ）を使った投影露光装置が提案されている。ＡｒＦを
媒体としたエキシマレーザからのレーザ光のように、約
２００ｎｍ以下の波長の光（以下、「遠紫外光」とい
う）は、酸素に対して吸収特性を有する波長域（スペク
トル成分）を含んでおり、大気中の酸素による吸収が大
きい。遠紫外光が酸素に吸収されることによって、遠紫
外光の光量が損失されるとともに、吸収の際に有害ガス
であるオゾンが発生してしまうという不都合があった。
【０００３】このため、遠紫外光を使用とする従来の露
光装置では、照明光学系の光源から投影光学系のマスク
側端部までの光路を大気から遮断した密閉型とし、密閉
空間のガス置換を行っている。すなわち、照明光学系お
よびマスクステージ部を包囲する密閉空間内の空気や投
影光学系を包囲する密閉空間内の空気をたとえば真空ポ
ンプで強制排気（真空引き）した後、窒素等の不活性ガ
スを密閉空間内に供給して、ガス置換している。この場
合、光源から投影光学系のマスク側端部までの光路の全
体に亘って一括密閉することは、装置の大型化を招くば
かりでなく、大量のガス漏れによる作業者の窒息の危険
性が増大する。
光装置では、照明光学系の光源から投影光学系のマスク
側端部までの光路を大気から遮断した密閉型とし、密閉
空間のガス置換を行っている。すなわち、照明光学系お
よびマスクステージ部を包囲する密閉空間内の空気や投
影光学系を包囲する密閉空間内の空気をたとえば真空ポ
ンプで強制排気（真空引き）した後、窒素等の不活性ガ
スを密閉空間内に供給して、ガス置換している。この場
合、光源から投影光学系のマスク側端部までの光路の全
体に亘って一括密閉することは、装置の大型化を招くば
かりでなく、大量のガス漏れによる作業者の窒息の危険
性が増大する。
【０００４】このため、遠紫外光を光源とする従来の露
光装置では、照明光学系の光源の光射出口から投影光学
系の露光光射出口までの光路を、たとえば光源部、照明
光学系、マスクステージ部および投影光学系の４つのブ
ロックに分け、各ブロックを大気から遮断して密閉して
いる（特開平６−２６０３８５号公報）。なお、各ブロ
ック間の仕切りには、石英のような光透過率の高い材料
からなる窓部を使用している。そして、たとえば照明光
学系を構成する１つの光学部材について修理または調整
が必要な場合には、照明光学系の密閉ブロック全体を大
気に開放する必要がある。
光装置では、照明光学系の光源の光射出口から投影光学
系の露光光射出口までの光路を、たとえば光源部、照明
光学系、マスクステージ部および投影光学系の４つのブ
ロックに分け、各ブロックを大気から遮断して密閉して
いる（特開平６−２６０３８５号公報）。なお、各ブロ
ック間の仕切りには、石英のような光透過率の高い材料
からなる窓部を使用している。そして、たとえば照明光
学系を構成する１つの光学部材について修理または調整
が必要な場合には、照明光学系の密閉ブロック全体を大
気に開放する必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、遠紫
外光を用いた従来の露光装置では、たとえば照明光学系
の１つの光学部材について修理または調整が必要な場
合、照明光学系の密閉ブロック全体を大気に開放し、当
該光学部材の修理または調整が終了した後に、再び照明
光学系の密閉ブロック全体をガス置換する必要があっ
た。すなわち、１つの密閉ブロック全体を大気に開放す
ることにより大量の不活性ガスを無駄にするばかりでな
く、ガス再置換時における真空引きに時間がかかりすぎ
るという不都合があった。
外光を用いた従来の露光装置では、たとえば照明光学系
の１つの光学部材について修理または調整が必要な場
合、照明光学系の密閉ブロック全体を大気に開放し、当
該光学部材の修理または調整が終了した後に、再び照明
光学系の密閉ブロック全体をガス置換する必要があっ
た。すなわち、１つの密閉ブロック全体を大気に開放す
ることにより大量の不活性ガスを無駄にするばかりでな
く、ガス再置換時における真空引きに時間がかかりすぎ
るという不都合があった。
【０００６】そこで、ブロック数を単に増大させて各ブ
ロックの容積を小さくすると、各ブロック間の仕切り用
の窓部の数が増大し、照明光の光量損失が増大してしま
う。本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであ
り、照明光の光量損失を招くことなく、照明光学系の光
源から投影光学系のマスク側端部までの密閉空間を所望
の密閉区画ブロックに随時仕切ることのできる露光装置
を提供することを目的とする。
ロックの容積を小さくすると、各ブロック間の仕切り用
の窓部の数が増大し、照明光の光量損失が増大してしま
う。本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであ
り、照明光の光量損失を招くことなく、照明光学系の光
源から投影光学系のマスク側端部までの密閉空間を所望
の密閉区画ブロックに随時仕切ることのできる露光装置
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明においては、パターンが形成されたマスクに
特定波長の光を照射するための照明光学系と、前記照明
されたマスクのパターン像を基板上に投影露光するため
の投影光学系とを備えた露光装置において、前記照明光
学系の光源から前記投影光学系の前記マスク側端部まで
の光路を大気から遮断するための密閉手段と、前記密閉
手段内の空間を随時仕切って密閉区画ブロックを形成す
るための仕切り手段とを備えていることを特徴とする露
光装置を提供する。
に、本発明においては、パターンが形成されたマスクに
特定波長の光を照射するための照明光学系と、前記照明
されたマスクのパターン像を基板上に投影露光するため
の投影光学系とを備えた露光装置において、前記照明光
学系の光源から前記投影光学系の前記マスク側端部まで
の光路を大気から遮断するための密閉手段と、前記密閉
手段内の空間を随時仕切って密閉区画ブロックを形成す
るための仕切り手段とを備えていることを特徴とする露
光装置を提供する。
【０００８】本発明の好ましい態様によれば、前記仕切
り手段は、前記光路に対してほぼ垂直な隔壁部と、該隔
壁部の光路位置に形成された開口部を随時密閉閉塞する
ための閉塞手段とを有する。
り手段は、前記光路に対してほぼ垂直な隔壁部と、該隔
壁部の光路位置に形成された開口部を随時密閉閉塞する
ための閉塞手段とを有する。
【０００９】
【作用】本発明の露光装置では、密閉手段によって照明
光学系の光源から投影光学系のマスク側端部までの光路
を大気から遮断している。そして、仕切り手段によって
密閉手段内の空間を随時仕切って密閉区画ブロックを形
成することができる。したがって、従来の仕切り用の窓
部を複数設けることもなく、上述の密閉手段による密閉
空間のうち、修理または調整が必要な構成部材を含むブ
ロックのみをたとえば遠隔操作によって大気に開放する
ことができる。こうして、構成部材の修理または調整に
際して、置換ガスの無駄を最小限に抑え、ガス再置換を
迅速に行うことができる。
光学系の光源から投影光学系のマスク側端部までの光路
を大気から遮断している。そして、仕切り手段によって
密閉手段内の空間を随時仕切って密閉区画ブロックを形
成することができる。したがって、従来の仕切り用の窓
部を複数設けることもなく、上述の密閉手段による密閉
空間のうち、修理または調整が必要な構成部材を含むブ
ロックのみをたとえば遠隔操作によって大気に開放する
ことができる。こうして、構成部材の修理または調整に
際して、置換ガスの無駄を最小限に抑え、ガス再置換を
迅速に行うことができる。
【００１０】具体的には、仕切り手段を、たとえば光路
に対してほぼ垂直な隔壁部と、この隔壁部の光路位置に
形成された開口部を随時密閉閉塞するための閉塞手段と
から構成することができる。そして、光源からの照明光
の照射エネルギ量を計測し、光源の出力が誤って大きく
なりすぎたような場合には、最も光源側の開口部を閉塞
することにより光路を遮断すれば光学部材の損傷を未然
に防止することができる。
に対してほぼ垂直な隔壁部と、この隔壁部の光路位置に
形成された開口部を随時密閉閉塞するための閉塞手段と
から構成することができる。そして、光源からの照明光
の照射エネルギ量を計測し、光源の出力が誤って大きく
なりすぎたような場合には、最も光源側の開口部を閉塞
することにより光路を遮断すれば光学部材の損傷を未然
に防止することができる。
【００１１】
【実施例】本発明の実施例を、添付図面に基づいて説明
する。図１は、本発明の実施例にかかる露光装置の構成
を概略的に示す図である。図１の露光装置は、たとえば
遠紫外光を発する光源１（ＡｒＦを媒体としたエキシマ
レーザ光）を備えている。光源１を発した光は、たとえ
ば石英のような光透過率の高い材料からなる窓部２を透
過した後、ミラー９ａに入射する。ミラー９ａで図中上
方に反射された光は、光学部材３ｄを介した後、ミラー
９ｂによって図中左側に反射される。
する。図１は、本発明の実施例にかかる露光装置の構成
を概略的に示す図である。図１の露光装置は、たとえば
遠紫外光を発する光源１（ＡｒＦを媒体としたエキシマ
レーザ光）を備えている。光源１を発した光は、たとえ
ば石英のような光透過率の高い材料からなる窓部２を透
過した後、ミラー９ａに入射する。ミラー９ａで図中上
方に反射された光は、光学部材３ｄを介した後、ミラー
９ｂによって図中左側に反射される。
【００１２】ミラー９ｂからの反射光は、たとえばフラ
イアイレンズ等を含む光学部材３ｃ、３ｂおよび３ａを
介して照度がほぼ均一な平行光束となる。平行光束とな
った照明光は、ミラー９ｃによって図中下方に反射さ
れ、パターンが形成されたマスク４を照射する。このよ
うに、光源１、光学部材３ａ〜３ｄ、およびミラー９ａ
〜９ｃは、照明光学系を構成している。マスク４を透過
した露光光は、投影光学系１２を介して、感光基板５を
投影露光する。こうして、基板５上には、マスク４のパ
ターンの明暗像が形成される。
イアイレンズ等を含む光学部材３ｃ、３ｂおよび３ａを
介して照度がほぼ均一な平行光束となる。平行光束とな
った照明光は、ミラー９ｃによって図中下方に反射さ
れ、パターンが形成されたマスク４を照射する。このよ
うに、光源１、光学部材３ａ〜３ｄ、およびミラー９ａ
〜９ｃは、照明光学系を構成している。マスク４を透過
した露光光は、投影光学系１２を介して、感光基板５を
投影露光する。こうして、基板５上には、マスク４のパ
ターンの明暗像が形成される。
【００１３】なお、投影光学系１２と基板５との間に
は、ガス吹き付け手段７によりたとえば窒素のような不
活性ガスが一定流速で吹き付けられるようになってい
る。こうして、投影光学系１２からの露光光の光路雰囲
気を不活性ガスでほぼ置換し、露光光である遠紫外光が
酸素に吸収されたりオゾンを発生するのを抑えている。
なお、図中斜線で示すように、光源１から投影光学系１
２のマスク側端部までの光路は、大気から遮断されるよ
うに密閉手段１１によって全体的に包囲されている。ま
た、密閉手段１１内には窓部２および５つの仕切り手段
１８ａ〜１８ｅが設けられ、合わせて７つの区画ブロッ
ク１９ａ〜１９ｇが形成されるようになっている。
は、ガス吹き付け手段７によりたとえば窒素のような不
活性ガスが一定流速で吹き付けられるようになってい
る。こうして、投影光学系１２からの露光光の光路雰囲
気を不活性ガスでほぼ置換し、露光光である遠紫外光が
酸素に吸収されたりオゾンを発生するのを抑えている。
なお、図中斜線で示すように、光源１から投影光学系１
２のマスク側端部までの光路は、大気から遮断されるよ
うに密閉手段１１によって全体的に包囲されている。ま
た、密閉手段１１内には窓部２および５つの仕切り手段
１８ａ〜１８ｅが設けられ、合わせて７つの区画ブロッ
ク１９ａ〜１９ｇが形成されるようになっている。
【００１４】すなわち、窓部２と仕切り手段１８ａとに
よって仕切られる密閉区画ブロック１９ａにはミラー９
ａおよび光学部材３ｄが収容され、仕切り手段１８ａと
仕切り手段１８ｂとによって仕切られる密閉区画ブロッ
ク１９ｂにはミラー９ｂおよび光学部材３ｃが収容され
ている。また、仕切り手段１８ｂと仕切り手段１８ｃと
によって仕切られる密閉区画ブロック１９ｃには光学部
材３ｂが収容され、仕切り手段１８ｃと仕切り手段１８
ｄとによって仕切られる密閉区画ブロック１９ｄには光
学部材３ａおよびミラー９ｃが収容されている。
よって仕切られる密閉区画ブロック１９ａにはミラー９
ａおよび光学部材３ｄが収容され、仕切り手段１８ａと
仕切り手段１８ｂとによって仕切られる密閉区画ブロッ
ク１９ｂにはミラー９ｂおよび光学部材３ｃが収容され
ている。また、仕切り手段１８ｂと仕切り手段１８ｃと
によって仕切られる密閉区画ブロック１９ｃには光学部
材３ｂが収容され、仕切り手段１８ｃと仕切り手段１８
ｄとによって仕切られる密閉区画ブロック１９ｄには光
学部材３ａおよびミラー９ｃが収容されている。
【００１５】さらに、仕切り手段１８ｄと仕切り手段１
８ｅとによって仕切られる密閉区画ブロック１９ｅには
マスク４およびマスクステージ（不図示）等が収容さ
れ、仕切り手段１８ｅにより基板５側において形成され
る密閉区画ブロック１９ｆには投影光学系１２が収容さ
れている。なお、光源１と窓部２との間には、ほぼ密閉
された区画ブロック１９ｇが形成されている。このほぼ
密閉された区画ブロック１９ｇを除く各区画ブロックに
は、それぞれ配管を介して真空ポンプ６が接続されてい
る。また、区画ブロック１９ｇを含むすべての区画ブロ
ックには、それぞれ配管を介してガス供給手段１０が接
続されている。
８ｅとによって仕切られる密閉区画ブロック１９ｅには
マスク４およびマスクステージ（不図示）等が収容さ
れ、仕切り手段１８ｅにより基板５側において形成され
る密閉区画ブロック１９ｆには投影光学系１２が収容さ
れている。なお、光源１と窓部２との間には、ほぼ密閉
された区画ブロック１９ｇが形成されている。このほぼ
密閉された区画ブロック１９ｇを除く各区画ブロックに
は、それぞれ配管を介して真空ポンプ６が接続されてい
る。また、区画ブロック１９ｇを含むすべての区画ブロ
ックには、それぞれ配管を介してガス供給手段１０が接
続されている。
【００１６】こうして、真空ポンプ６により真空引きを
行った後、ガス供給手段１０によりたとえば窒素のよう
な不活性ガスを供給することにより、各区画ブロック１
９ａ〜１９ｆをそれぞれガス置換することができる。な
お、区画ブロック１９ｇでは、光源１との接続部におい
て完全な密閉性を確保することができない。しかしなが
ら、窓部２を適当に位置決めすることによりその容積を
小さく構成することができるので、強制排気することな
く所定圧力で不活性ガスを供給するだけでガス置換を行
うことができる。
行った後、ガス供給手段１０によりたとえば窒素のよう
な不活性ガスを供給することにより、各区画ブロック１
９ａ〜１９ｆをそれぞれガス置換することができる。な
お、区画ブロック１９ｇでは、光源１との接続部におい
て完全な密閉性を確保することができない。しかしなが
ら、窓部２を適当に位置決めすることによりその容積を
小さく構成することができるので、強制排気することな
く所定圧力で不活性ガスを供給するだけでガス置換を行
うことができる。
【００１７】いずれの区画ブロックにおいても、ガス置
換が終了した後、ガス供給手段１０から不活性ガスを供
給し続けるのが好ましい。なお、光源１、真空ポンプ
６、ガス供給手段１０、ガス吹き付け手段７、および各
仕切り手段１８は、制御手段８によって制御されるよう
になっている。
換が終了した後、ガス供給手段１０から不活性ガスを供
給し続けるのが好ましい。なお、光源１、真空ポンプ
６、ガス供給手段１０、ガス吹き付け手段７、および各
仕切り手段１８は、制御手段８によって制御されるよう
になっている。
【００１８】ここで、遠紫外線の吸収について図４を参
照して説明する。図４は、ＡｒＦエキシマレーザ光の光
路を窒素によって置換した場合と、置換しなかった場合
（ＡｒＦエキシマレーザ光の光路が空気中にある場合）
とでのＡｒＦエキシマレーザ光の強度を比較した図であ
る。図４中、横軸は波長（ｎｍ）を示し、縦軸はＡｒＦ
エキシマレーザ光の強度を示している。
照して説明する。図４は、ＡｒＦエキシマレーザ光の光
路を窒素によって置換した場合と、置換しなかった場合
（ＡｒＦエキシマレーザ光の光路が空気中にある場合）
とでのＡｒＦエキシマレーザ光の強度を比較した図であ
る。図４中、横軸は波長（ｎｍ）を示し、縦軸はＡｒＦ
エキシマレーザ光の強度を示している。
【００１９】図４に示すように、エキシマレーザからの
レーザ光ＩＬは中心波長１９３．４ｎｍで１９３．０ｎ
ｍから１９３．８ｎｍ程度までの波長幅を有するレーザ
光（狭帯化しない場合）である。窒素置換なしの場合
（空気中）では、１９３．０ｎｍから１９３．８ｎｍ程
度までの波長幅内で強度が低下しており、特にこの波長
幅内の特定の波長（スペクトル）において強度が大きく
低下している。これは酸素が１９３．０ｎｍから１９
３．８ｎｍ程度までの波長幅内の光を吸収する特性を有
するためで、特にこの波長幅内の特定の波長（スペクト
ル）の光を大きく吸収する特性を有するためである。
レーザ光ＩＬは中心波長１９３．４ｎｍで１９３．０ｎ
ｍから１９３．８ｎｍ程度までの波長幅を有するレーザ
光（狭帯化しない場合）である。窒素置換なしの場合
（空気中）では、１９３．０ｎｍから１９３．８ｎｍ程
度までの波長幅内で強度が低下しており、特にこの波長
幅内の特定の波長（スペクトル）において強度が大きく
低下している。これは酸素が１９３．０ｎｍから１９
３．８ｎｍ程度までの波長幅内の光を吸収する特性を有
するためで、特にこの波長幅内の特定の波長（スペクト
ル）の光を大きく吸収する特性を有するためである。
【００２０】これに対して、１９３．０ｎｍから１９
３．８ｎｍ程度までの波長幅内の光を窒素が吸収する特
性は、この波長幅内の光を酸素が吸収する特性と比較し
て小さく、この波長幅内の特定の波長域（スペクトル）
の光を大きく吸収する特性は窒素にはない。このよう
に、遠紫外線の特定の波長域の光が通過する光路の雰囲
気を、この特定の波長域を有する光の吸収特性が酸素と
比較して小さな不活性ガスに置換することにより、酸素
が光を吸収することによる光量の損失を小さくするとと
もに、オゾンの発生（酸素が光を吸収することにより発
生する）を防止することができる。
３．８ｎｍ程度までの波長幅内の光を窒素が吸収する特
性は、この波長幅内の光を酸素が吸収する特性と比較し
て小さく、この波長幅内の特定の波長域（スペクトル）
の光を大きく吸収する特性は窒素にはない。このよう
に、遠紫外線の特定の波長域の光が通過する光路の雰囲
気を、この特定の波長域を有する光の吸収特性が酸素と
比較して小さな不活性ガスに置換することにより、酸素
が光を吸収することによる光量の損失を小さくするとと
もに、オゾンの発生（酸素が光を吸収することにより発
生する）を防止することができる。
【００２１】なお、図４では数ｐｍ〜数十ｐｍの波長幅
を有し、中心波長１９３．４ｎｍの波長を有する光に狭
帯化したＡｒＦ狭帯域レーザが示されており、このＡｒ
Ｆ狭帯域レーザ（波長１９３．４ｎｍ）に対しても酸素
は吸収特性を有するため、光源１から投影光学系１２の
ウエハ側端部に至るまでの空間（各ブロック１９ａ〜１
９ｆ）の光路を窒素等の不活性ガスで置換することが必
要となる。さらに、本実施例では、投影光学系１２とウ
エハ５との間に露光光ＩＬの光路の大部分を大気から遮
断（密閉）するための各仕切り手段１８を設けたので、
酸素による露光光ＩＬの吸収による不都合（光量損失、
オゾンの発生）を最小限とすることができる。
を有し、中心波長１９３．４ｎｍの波長を有する光に狭
帯化したＡｒＦ狭帯域レーザが示されており、このＡｒ
Ｆ狭帯域レーザ（波長１９３．４ｎｍ）に対しても酸素
は吸収特性を有するため、光源１から投影光学系１２の
ウエハ側端部に至るまでの空間（各ブロック１９ａ〜１
９ｆ）の光路を窒素等の不活性ガスで置換することが必
要となる。さらに、本実施例では、投影光学系１２とウ
エハ５との間に露光光ＩＬの光路の大部分を大気から遮
断（密閉）するための各仕切り手段１８を設けたので、
酸素による露光光ＩＬの吸収による不都合（光量損失、
オゾンの発生）を最小限とすることができる。
【００２２】次に、図２は、図１の各仕切り手段１８の
閉塞手段の構成を示す斜視図である。また、図３は、図
１の各仕切り手段１８の構成を示す斜視図である。図示
の仕切り手段は、光路に対してほぼ垂直な二重隔壁部２
０を備え、この二重隔壁部２０の光路位置には開口部１
７が形成されている。二重隔壁部２０の各周辺部は、上
述の密閉手段１１の側壁に対して気密に連結されている
ことはいうまでもない。なお、隔壁部２０は必ずしも二
重構造である必要はないが、真空引きによって作用する
力に対して有効に抵抗するためには、二重構造が好まし
い。
閉塞手段の構成を示す斜視図である。また、図３は、図
１の各仕切り手段１８の構成を示す斜視図である。図示
の仕切り手段は、光路に対してほぼ垂直な二重隔壁部２
０を備え、この二重隔壁部２０の光路位置には開口部１
７が形成されている。二重隔壁部２０の各周辺部は、上
述の密閉手段１１の側壁に対して気密に連結されている
ことはいうまでもない。なお、隔壁部２０は必ずしも二
重構造である必要はないが、真空引きによって作用する
力に対して有効に抵抗するためには、二重構造が好まし
い。
【００２３】仕切り手段はさらに、この開口部１７を随
時密閉閉塞することのできる閉塞手段を二重隔壁部２０
の内部に備えている。この閉塞手段は、互いに平行な一
対のガイド部材１４に支持された扉部１５からなる。一
対のガイド部材のうち一方のガイド部材１４ａは表面が
平滑な棒材であり、その軸線方向に摺動することができ
るように扉部１５が平滑ガイド１４ａに取り付けられて
いる。また、一対のガイド部材のうち他方のガイド部材
１４ｂは表面が螺刻された棒材であり、この螺刻ガイド
１４ｂに扉部１５が螺合している。さらに、螺刻ガイド
１４ｂの一端は、螺刻ガイド１４ｂを回転駆動するため
のモーター部１３の出力軸に接合されている。
時密閉閉塞することのできる閉塞手段を二重隔壁部２０
の内部に備えている。この閉塞手段は、互いに平行な一
対のガイド部材１４に支持された扉部１５からなる。一
対のガイド部材のうち一方のガイド部材１４ａは表面が
平滑な棒材であり、その軸線方向に摺動することができ
るように扉部１５が平滑ガイド１４ａに取り付けられて
いる。また、一対のガイド部材のうち他方のガイド部材
１４ｂは表面が螺刻された棒材であり、この螺刻ガイド
１４ｂに扉部１５が螺合している。さらに、螺刻ガイド
１４ｂの一端は、螺刻ガイド１４ｂを回転駆動するため
のモーター部１３の出力軸に接合されている。
【００２４】こうして、モーター部１３を適宜正逆回転
させることにより、螺刻ガイド１４ｂを回転駆動し、図
中矢印で示すようにガイド部材１４の軸線方向に沿って
扉部１５を往復移動させ、扉部１５で二重隔壁部２０の
開口部１７を随時密閉閉塞することができる。なお、扉
部１５の両面にはたとえばゴム材からなる当接部１６を
形成し、この当接部１６と二重隔壁部２０の内壁表面と
の協働により、形成される区画ブロックの密閉性をさら
に高めて、ガスの漏洩を確実に防止することができるよ
うにするのが好ましい。
させることにより、螺刻ガイド１４ｂを回転駆動し、図
中矢印で示すようにガイド部材１４の軸線方向に沿って
扉部１５を往復移動させ、扉部１５で二重隔壁部２０の
開口部１７を随時密閉閉塞することができる。なお、扉
部１５の両面にはたとえばゴム材からなる当接部１６を
形成し、この当接部１６と二重隔壁部２０の内壁表面と
の協働により、形成される区画ブロックの密閉性をさら
に高めて、ガスの漏洩を確実に防止することができるよ
うにするのが好ましい。
【００２５】このように、本実施例にかかる露光装置で
は、密閉手段１１によって照明光学系の光源から投影光
学系のマスク側端部までの光路を大気から遮断してお
り、その密閉手段１１内の空間２０を複数の仕切り手段
１８によって随時仕切って複数の密閉区画ブロック１９
を形成することができる。したがって、たとえば照明光
学系を構成する光学部材３ｃの修理または調整が必要な
場合、仕切り手段１８ｂおよび仕切り手段１８ｃの開口
部を閉塞し、光学部材３ｃを含む区画ブロック１９ｃの
みを大気に開放することができる。
は、密閉手段１１によって照明光学系の光源から投影光
学系のマスク側端部までの光路を大気から遮断してお
り、その密閉手段１１内の空間２０を複数の仕切り手段
１８によって随時仕切って複数の密閉区画ブロック１９
を形成することができる。したがって、たとえば照明光
学系を構成する光学部材３ｃの修理または調整が必要な
場合、仕切り手段１８ｂおよび仕切り手段１８ｃの開口
部を閉塞し、光学部材３ｃを含む区画ブロック１９ｃの
みを大気に開放することができる。
【００２６】そして、光学部材３ｃの修理または調整を
行った後、真空ポンプ６を作動させて区画ブロック１９
ｃを真空引きし、ガス供給手段１０から不活性ガスを供
給することによって、ガス再置換を行うことができる。
このように、本実施例にかかる露光装置では、大気開放
およびガスの再置換を修理または調整を要する構成部材
を含む区画ブロックのみについて行えばよいので、置換
ガスの無駄を最小限に抑え、ガス再置換を迅速に行うこ
とができる。
行った後、真空ポンプ６を作動させて区画ブロック１９
ｃを真空引きし、ガス供給手段１０から不活性ガスを供
給することによって、ガス再置換を行うことができる。
このように、本実施例にかかる露光装置では、大気開放
およびガスの再置換を修理または調整を要する構成部材
を含む区画ブロックのみについて行えばよいので、置換
ガスの無駄を最小限に抑え、ガス再置換を迅速に行うこ
とができる。
【００２７】また、図示を省略したが、たとえば分岐ミ
ラー等で光源１からの照明光のうち一部の光を適当な光
検出器に導き、照明光の照射エネルギ量を測定監視する
のがよい。そして、照明光の照射エネルギ量が誤って所
定値を越えたような場合には、たとえば最も光源側の仕
切り手段１８ａの開口部を閉塞することにより光路を遮
断し、仕切り手段１８ａ以降にある光学部材の損傷を未
然に防ぐことができる。
ラー等で光源１からの照明光のうち一部の光を適当な光
検出器に導き、照明光の照射エネルギ量を測定監視する
のがよい。そして、照明光の照射エネルギ量が誤って所
定値を越えたような場合には、たとえば最も光源側の仕
切り手段１８ａの開口部を閉塞することにより光路を遮
断し、仕切り手段１８ａ以降にある光学部材の損傷を未
然に防ぐことができる。
【００２８】なお、上述の実施例では、区画ブロック１
９ｆと区画ブロック１９ａとの間に窓部２を設けた例を
示したが、この窓部を仕切り手段と置換することもでき
る。この場合、照明光が透過する窓部が全く無くなり、
窓部による照明光の光量損失を完全に回避することがで
きる。また、上述の実施例では、遠紫外光を光源とした
露光装置について本発明を説明したが、酸素による吸収
が比較的大きい他の特定波長の光を使用する露光装置に
も本発明を適用することができる。
９ｆと区画ブロック１９ａとの間に窓部２を設けた例を
示したが、この窓部を仕切り手段と置換することもでき
る。この場合、照明光が透過する窓部が全く無くなり、
窓部による照明光の光量損失を完全に回避することがで
きる。また、上述の実施例では、遠紫外光を光源とした
露光装置について本発明を説明したが、酸素による吸収
が比較的大きい他の特定波長の光を使用する露光装置に
も本発明を適用することができる。
【００２９】
【効果】以上説明したように、本発明では、仕切り手段
によって密閉空間を随時仕切って密閉区画ブロックを形
成することができる。したがって、修理または調整が必
要な構成部材を含むブロックのみをたとえば遠隔操作に
よって大気に開放することができるので、置換ガスの無
駄を最小限に抑え、ガス再置換を迅速に行うことができ
る。
によって密閉空間を随時仕切って密閉区画ブロックを形
成することができる。したがって、修理または調整が必
要な構成部材を含むブロックのみをたとえば遠隔操作に
よって大気に開放することができるので、置換ガスの無
駄を最小限に抑え、ガス再置換を迅速に行うことができ
る。
【図１】本発明の実施例にかかる露光装置の構成を概略
的に示す図である。
的に示す図である。
【図２】図１の露光装置の密閉手段１８の閉塞手段の構
成を詳細に示す斜視図である。
成を詳細に示す斜視図である。
【図３】図１の露光装置の密閉手段１８の構成を詳細に
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図４】遠紫外光の波長域における空気と窒素との吸収
特性の違いを示す図である。
特性の違いを示す図である。
１ 光源 ２ 窓部 ３ 光学部材 ４ マスク ５ 基板 ６ 真空ポンプ ７ ガス吹き付け手段 ８ 制御手段 ９ ミラー １０ ガス供給手段 １１ 密閉手段 １２ 投影光学系 １３ モーター １４ ガイド部材 １５ 扉部 １６ 当接部 １７ 開口部 １８ 仕切り手段 １９ 区画ブロック ２０ 二重隔壁部
Claims (5)
- 【請求項１】 パターンが形成されたマスクに特定波長
の光を照射するための照明光学系と、前記照明されたマ
スクのパターン像を基板上に投影露光するための投影光
学系とを備えた露光装置において、 前記照明光学系の光源から前記投影光学系の前記マスク
側端部までの光路を大気から遮断するための密閉手段
と、 前記密閉手段内の空間を随時仕切って密閉区画ブロック
を形成するための仕切り手段とを備えていることを特徴
とする露光装置。 - 【請求項２】 前記仕切り手段は、前記光路に対してほ
ぼ垂直な隔壁部と、該隔壁部の光路位置に形成された開
口部を随時密閉閉塞するための閉塞手段とを有すること
を特徴とする請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記密閉手段は、前記照明光学系の光源
からの照明光の照射エネルギ量を計測するための計測手
段と、該計測手段の計測結果に基づいて前記光源からの
照明光を遮断するための光遮断手段とを有することを特
徴とする請求項１または２に記載の露光装置。 - 【請求項４】 前記光遮断手段は、前記仕切り手段のう
ち最も光源側の仕切り手段の閉塞手段であることを特徴
とする請求項３に記載の露光装置。 - 【請求項５】 前記密閉手段は、前記仕切り手段によっ
て仕切られた各密閉区画ブロック内を真空引きするため
の真空引き手段と、前記各密閉区画ブロック内に不活性
ガスを供給するためのガス供給手段とを備えていること
を特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露
光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10817895A JP3734043B2 (ja) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | 露光装置 |
| KR1019960010101A KR100433811B1 (ko) | 1995-04-07 | 1996-04-04 | 투영노광장치 |
| US09/422,862 US6341006B1 (en) | 1995-04-07 | 1999-10-25 | Projection exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10817895A JP3734043B2 (ja) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08279459A true JPH08279459A (ja) | 1996-10-22 |
| JP3734043B2 JP3734043B2 (ja) | 2006-01-11 |
Family
ID=14477978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10817895A Expired - Lifetime JP3734043B2 (ja) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3734043B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000030163A1 (fr) * | 1998-11-18 | 2000-05-25 | Nikon Corporation | Procede et dispositif d'exposition |
| JP2001284214A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Canon Inc | 露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
| US6335787B1 (en) | 1996-03-04 | 2002-01-01 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US6757048B2 (en) | 2000-11-15 | 2004-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, maintenance method therefor, semiconductor device manufacturing method using the apparatus, and semiconductor manufacturing factory |
| KR20150066634A (ko) * | 2013-12-06 | 2015-06-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판표시패널용 노광장치 |
-
1995
- 1995-04-07 JP JP10817895A patent/JP3734043B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6335787B1 (en) | 1996-03-04 | 2002-01-01 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| WO2000030163A1 (fr) * | 1998-11-18 | 2000-05-25 | Nikon Corporation | Procede et dispositif d'exposition |
| US6765647B1 (en) | 1998-11-18 | 2004-07-20 | Nikon Corporation | Exposure method and device |
| CN1309017C (zh) * | 1998-11-18 | 2007-04-04 | 株式会社尼康 | 曝光方法和装置 |
| JP2001284214A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Canon Inc | 露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
| US6757048B2 (en) | 2000-11-15 | 2004-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, maintenance method therefor, semiconductor device manufacturing method using the apparatus, and semiconductor manufacturing factory |
| US6891593B2 (en) | 2000-11-15 | 2005-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, maintenance method therefor, semiconductor device manufacturing method using the apparatus, and semiconductor manufacturing factory |
| US7034918B2 (en) | 2000-11-15 | 2006-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, maintenance method therefor, semiconductor device manufacturing method using the apparatus, and semiconductor manufacturing factory |
| KR20150066634A (ko) * | 2013-12-06 | 2015-06-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판표시패널용 노광장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3734043B2 (ja) | 2006-01-11 |
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