JPH08273355A - Control unit for power down memory - Google Patents

Control unit for power down memory

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JPH08273355A
JPH08273355A JP7071940A JP7194095A JPH08273355A JP H08273355 A JPH08273355 A JP H08273355A JP 7071940 A JP7071940 A JP 7071940A JP 7194095 A JP7194095 A JP 7194095A JP H08273355 A JPH08273355 A JP H08273355A
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JP
Japan
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signal
memory
control timing
clock
random access
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Toru Takishima
亨 瀧島
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NEC Computertechno Ltd
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NEC Computertechno Ltd
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    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Abstract

PURPOSE: To preserve an unavailable data while reducing power consumption when a memory module comprising a dynamic random access memory is set unavailable and to eliminate the overhead at the time of resuming the data. CONSTITUTION: A control timing generation circuit 1 interrupts the generation of control timing signal for a memory module being set unavailable. A gate control circuit 2 gates the clock signal at gate circuits 7 through 10 based on a gate signal and inhibits the delivery of clock signal to a memory module being set unavailable. Upon inhibition of clock signal supply, the dynamic random access memories in modules 3 through 6 recognize the unavailability to stop the operation and executes the refresh operation forcibly at a constant period.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、一定周期で強制リフレ
ッシュを実施するダイナミックランダムアクセスメモリ
を有するメモリモジュールで構成されるパワーダウンメ
モリ制御ユニットに関し、特にアクセスされないランダ
ムアクセスメモリの電力消費を低下させるようにしたパ
ワーダウンメモリ制御ユニットに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power-down memory control unit composed of a memory module having a dynamic random access memory for performing forced refresh in a constant cycle, and particularly reduces power consumption of a random access memory which is not accessed. And a power down memory control unit.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のパワーダウン制御ユニットにおい
ては、たとえば、特公昭60−263396号公報に記
述されているように、使用不可と設定されたダイナミッ
クランダムアクセスメモリに対しては完全に電源の供給
を停止することにより、消費電力を低減する方法を採っ
ている。
2. Description of the Related Art In a conventional power-down control unit, for example, as described in Japanese Patent Publication No. 60-263396, power is completely supplied to a dynamic random access memory set to be unusable. The power consumption is reduced by stopping the power supply.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のパワー
ダウン制御ユニットでは、一度使用不可と設定されたダ
イナミックランダムアクセスメモリを使用可能にするに
は、電源を再供給することになるので、電源の安定まで
に要する時間およびダイナミックランダムアクセスメモ
リを使用可能にするためのダミーのライト(書き込み)
に要する時間がかかりオーバーヘッドが生じるという欠
点がある。
In the conventional power-down control unit described above, in order to enable the dynamic random access memory once set to be unusable, the power is resupplied. Stabilization time and dummy write to enable dynamic random access memory
However, there is a drawback in that it takes time and overhead is generated.

【0004】さらに電源供給の停止により、ダイナミッ
クランダムアクセスメモリ内のデータの消去が生じてし
まうという欠点がある。
Further, there is a disadvantage that the data in the dynamic random access memory is erased by stopping the power supply.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明の第1のパワーダ
ウン制御ユニットは、(a)各々が制御タイミング信号
によりデータの書き込みおよび読み出しを行いクロック
信号に同期して動作し前記クロック信号の停止により動
作を停止し一定周期で強制リフレッシュを実行する複数
のダイナミックランダムアクセスメモリを有する複数の
メモリモジュールと、(b)前記メモリモジュールの各
々に前記制御タイミング信号を供給する制御タイミング
信号発生回路と、(c)前記メモリモジュールの各々に
供給される前記クロック信号を各メモリモジュール毎に
ゲートする複数のゲート回路と、(d)前記ゲート回路
の各々を制御するゲート制御信号を供給するゲート制御
回路と、を備えている。
According to a first power-down control unit of the present invention, (a) each writes and reads data by a control timing signal, operates in synchronization with a clock signal, and stops the clock signal. A plurality of memory modules having a plurality of dynamic random access memories that stop the operation by the above and execute a forced refresh at a constant cycle; and (b) a control timing signal generation circuit that supplies the control timing signal to each of the memory modules, (C) a plurality of gate circuits that gate the clock signal supplied to each of the memory modules for each memory module; and (d) a gate control circuit that supplies a gate control signal to control each of the gate circuits. , Are provided.

【0006】本発明の第2のパワーダウン制御ユニット
は、(a)各々が制御タイミング信号によりデータの書
き込みおよび読み出しを行い電圧可変信号が降圧を指示
すると内部のメモリセルに供給する電圧を外部電圧より
も降圧し動作を停止し一定周期で強制リフレッシュを実
行する複数のダイナミックランダムアクセスメモリを有
するメモリモジュールと、(b)前記メモリモジュール
の各々に前記制御タイミング信号を供給する制御タイミ
ング信号発生回路と、(c)前記各メモリモジュールの
各々に前記電圧可変信号を供給する電圧可変回路と、を
備えている。
In the second power-down control unit of the present invention, (a) each writes or reads data according to a control timing signal, and when the voltage variable signal indicates a step-down, the voltage supplied to the internal memory cell is an external voltage. A memory module having a plurality of dynamic random access memories that lower the voltage, stop the operation, and execute a forced refresh at a constant cycle; and (b) a control timing signal generation circuit that supplies the control timing signal to each of the memory modules. , (C) a voltage variable circuit that supplies the voltage variable signal to each of the memory modules.

【0007】本発明の第3のパワーダウン制御ユニット
は、(a)各々が制御タイミング信号によりデータの書
き込みおよび読み出しを行い外部クロック信号から分周
クロックを作成しクロック選択信号により前記外部クロ
ック信号と前記分周クロック信号とのいずれかを選択し
この選択されたクロック信号に同期して動作し前記分周
クロックが選択されていると動作を停止し一定周期で強
制リフレッシュを実行する複数のダイナミックランダム
アクセスメモリを有する複数のメモリモジュールと、
(b)前記各メモリモジュールの各々に前記制御タイミ
ング信号を供給する制御タイミング信号発生回路と、
(c)前記各メモリモジュールの各々に前記クロック選
択信号を供給するクロック選択信号回路と、を備えてい
る。
In the third power-down control unit of the present invention, (a) each writes / reads data according to a control timing signal, creates a divided clock from an external clock signal, and uses the clock selection signal to generate the divided clock and the external clock signal. A plurality of dynamic random numbers that select any one of the divided clock signals and operate in synchronization with the selected clock signal, and stop the operation when the divided clock is selected and execute forced refresh at a constant cycle. A plurality of memory modules having an access memory,
(B) a control timing signal generation circuit that supplies the control timing signal to each of the memory modules,
(C) A clock selection signal circuit that supplies the clock selection signal to each of the memory modules.

【0008】[0008]

【実施例】次に、本発明について図面を参照して詳細に
説明する。
The present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0009】図1は本発明の第1の実施例を示すブロッ
ク図である。図1を参照すると、本発明の第1の実施例
は、制御タイミング発生回路1と、ゲート制御回路2
と、クロックに同期して動作するシンクロナスダイナミ
ックランダムアクセスメモリから成るメモリモジュール
3から6と、ゲート回路7から10とから構成されてい
る。
FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the first embodiment of the present invention includes a control timing generation circuit 1 and a gate control circuit 2.
And memory modules 3 to 6 composed of synchronous dynamic random access memories that operate in synchronization with a clock, and gate circuits 7 to 10.

【0010】次に動作について詳細に説明する。Next, the operation will be described in detail.

【0011】メモリモジュール3がアクセスされ、メモ
リモジュール4から6がアクセスされていない場合につ
いて説明する。
A case where the memory module 3 is accessed but the memory modules 4 to 6 are not accessed will be described.

【0012】この場合、制御タイミング発生回路1から
信号線1Aに制御タイミング信号が発生し、信号線1B
から1Dには制御タイミングは発生しない。
In this case, the control timing signal is generated from the control timing generating circuit 1 to the signal line 1A, and the signal line 1B is generated.
From 1 to 1D, no control timing occurs.

【0013】制御タイミング信号とは、たとえばチップ
選択、ロウアドレス選択、カラムアドレス選択、ライト
イネーブル等であり、チップ選択およびロウアドレス選
択の論理積でダイナミックランダムアクセスメモリへの
アクセス起動がかかり、次のチップ選択とカラムアドレ
ス選択の論理積でリード動作またはライト動作が実行さ
れる。この時点で、ライトイネーブルがオンであればラ
イト動作、オフであればリード動作が実行される。最後
にチップ選択とロウアドレス選択とライトイネーブルと
の3信号の論理積で動作が終了する。
The control timing signal is, for example, a chip selection, a row address selection, a column address selection, a write enable, etc., and a logical product of the chip selection and the row address selection activates access to the dynamic random access memory. A read operation or a write operation is executed by the logical product of chip selection and column address selection. At this point, if the write enable is on, the write operation is executed, and if it is off, the read operation is executed. Finally, the operation is completed by the logical product of the three signals of chip selection, row address selection and write enable.

【0014】制御タイミング発生回路1からの選択信号
1Eによってゲート制御回路2が制御され、ゲート制御
回路2からの出力2A、2B、2C、2Dは、それぞれ
‘1’、‘0’、‘0’、‘0’となる。
The gate control circuit 2 is controlled by the selection signal 1E from the control timing generation circuit 1, and outputs 2A, 2B, 2C and 2D from the gate control circuit 2 are "1", "0" and "0", respectively. , '0'.

【0015】ゲート回路7から10では、それぞれ2A
から2Dとクロック信号11との論理積がとられ、クロ
ック信号線7Aにのみクロック信号が供給され、クロッ
ク信号線8Aから10Aにはクロック信号は供給されな
い。
The gate circuits 7 to 10 each have 2 A
To 2D and the clock signal 11 are ANDed, the clock signal is supplied only to the clock signal line 7A, and the clock signal is not supplied to the clock signal lines 8A to 10A.

【0016】すなわち、クロック信号はメモリモジュー
ル3にのみが供給され、メモリモジュール4から6には
供給されない。したがって、メモリモジュール3内のす
べてのシンクロナスダイナミックランダムアクセスメモ
リにはクロック信号が供給され通常の動作を行うが、メ
モリモジュール4から6内のシンクロナスダイナミック
ランダムアクセスメモリにはクロック信号は供給され
ず、これらの全てのシンクロナスダイナミックランダム
アクセスメモリは動作を停止する。動作が停止したこと
により電力の消費が抑えられる。また、動作を停止した
シンクロナスダイナミックランダムアクセスメモリで
は、一定周期で強制リフレッシュが実行されデータの保
全がなされる。
That is, the clock signal is supplied only to the memory module 3 and not to the memory modules 4 to 6. Therefore, the clock signal is supplied to all the synchronous dynamic random access memories in the memory module 3 and the normal operation is performed, but the clock signal is not supplied to the synchronous dynamic random access memories in the memory modules 4 to 6. , All of these synchronous dynamic random access memories stop operating. Power consumption is suppressed due to the stop of the operation. Further, in the synchronous dynamic random access memory which has stopped the operation, forced refresh is executed at a constant cycle to secure data.

【0017】上述の第1の実施例では、メモリモジュー
ル3のみがアクセスされている場合を説明したが、その
他のモジュールがアクセスされている場合でも同様にア
クセスされているモジュールのみが動作し、他のモジュ
ールは動作を停止し、電力消費が抑えられる。
In the above-described first embodiment, the case where only the memory module 3 is accessed has been described. However, even when the other modules are accessed, only the accessed module operates in the same manner, The module stops operating and power consumption is reduced.

【0018】次に第2の実施例について詳細に説明す
る。
Next, the second embodiment will be described in detail.

【0019】図2は本発明の第2の実施例を示すブロッ
ク図である。図2を参照すると、本発明の第2の実施例
は、制御タイミング発生回路1と、電圧可変回路12
と、外部から入力される電圧可変信号が降圧を示すと内
部のメモリセルに供給する電圧を外部電圧よりも降圧さ
せるダイナミックランダムアクセスメモリから成るメモ
リモジュール13から16とから構成されている。
FIG. 2 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the second embodiment of the present invention includes a control timing generation circuit 1 and a voltage variable circuit 12.
And a memory module 13 to 16 composed of a dynamic random access memory that lowers the voltage supplied to the internal memory cell below the external voltage when the voltage variable signal input from the outside indicates the step down.

【0020】次に動作について図2および図4を参照し
て詳細に説明する。
Next, the operation will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 4.

【0021】メモリモジュール14がアクセスされ、メ
モリモジュール13、15から16がアクセスされてい
ない場合について説明する。
A case where the memory module 14 is accessed and the memory modules 13, 15 to 16 are not accessed will be described.

【0022】この場合、制御タイミング発生回路1から
信号線1Bに制御タイミング信号が発生し、信号線1
A、1Cから1Dには制御タイミングは発生しない。
In this case, the control timing signal is generated from the control timing generation circuit 1 to the signal line 1B,
No control timing occurs in A, 1C to 1D.

【0023】また、制御タイミング発生回路1からの選
択信号1Eによって電圧可変回路12が制御され、ここ
からの出力である電圧可変信号12A、12B、12
C、12Dは、それぞれ‘1’、‘0’、‘1’、
‘1’となる。
Further, the voltage variable circuit 12 is controlled by the selection signal 1E from the control timing generation circuit 1, and the voltage variable signals 12A, 12B, 12 output from the voltage variable circuit 12 are controlled.
C and 12D are "1", "0", "1",
It becomes "1".

【0024】したがって、メモリモジュール14内のす
べてのダイナミックランダムアクセスメモリでは、通常
電圧が供給され通常動作を行うが、メモリモジュール1
3、15から16内のダイナミックランダムアクセスメ
モリでは、電圧は降圧され、これらの全てのダイナミッ
クランダムアクセスメモリは動作を停止する。動作が停
止したことにより電力の消費が抑えられる。また、動作
を停止したダイナミックランダムアクセスメモリでは、
一定周期で強制リフレッシュが実行されデータの保全が
なされる。
Therefore, in all the dynamic random access memories in the memory module 14, the normal voltage is supplied and the normal operation is performed.
In a dynamic random access memory within 3, 15 to 16, the voltage is stepped down and all these dynamic random access memories stop operating. Power consumption is suppressed due to the stop of the operation. In addition, in the dynamic random access memory which stopped the operation,
Forced refresh is executed at regular intervals to maintain data.

【0025】ダイナミックランダムアクセスメモリ内で
は図4に示すように、外部電源が電源供給線36から供
給され、電圧降圧回路32で降圧される。電源供給線3
6からの外部電源と電圧降圧回路32からの電源37と
のいずれかを電圧可変信号34にしたがってセレクタ3
1で選択し内部で使用する。
In the dynamic random access memory, as shown in FIG. 4, the external power supply is supplied from the power supply line 36 and stepped down by the voltage step-down circuit 32. Power supply line 3
6 from the external power source or the power source 37 from the voltage step-down circuit 32 according to the voltage variable signal 34.
Select 1 and use internally.

【0026】上述の第2の実施例では、メモリモジュー
ル14のみがアクセスされている場合を説明したが、そ
の他のモジュールがアクセスされている場合でも同様に
アクセスされているモジュールのみが動作し、他のモジ
ュールは動作を停止し、電力消費が抑えられる。
In the above-mentioned second embodiment, the case where only the memory module 14 is accessed has been described. However, even when other modules are accessed, only the module being accessed operates in the same manner, The module stops operating and power consumption is reduced.

【0027】なお、上述した第2の実施例においてダイ
ナミックランダムアクセスメモリとは、シンクロナスダ
イナミックランダムアクセスメモリを含むことは言及す
るまでもない。
It is needless to say that the dynamic random access memory in the second embodiment described above includes a synchronous dynamic random access memory.

【0028】次に第3の実施例について詳細に説明す
る。
Next, the third embodiment will be described in detail.

【0029】図3は本発明の第3の実施例を示すブロッ
ク図である。図3を参照すると、本発明の第3の実施例
は、制御タイミング発生回路1と、クロック選択信号回
路17と、外部から入力される外部クロック信号から分
周クロックを作成し、外部から入力されるクロック選択
信号により前記外部クロック信号と前記分周クロック信
号とのどちらかを選択して、このクロック信号に同期し
て動作するシンクロナスダイナミックランダムアクセス
メモリからなるメモリモジュール18から21とから構
成されている。
FIG. 3 is a block diagram showing a third embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the third embodiment of the present invention generates a divided clock from a control timing generation circuit 1, a clock selection signal circuit 17, and an external clock signal input from the outside, and inputs the divided clock from the outside. A clock selection signal for selecting either the external clock signal or the divided clock signal and operating in synchronization with this clock signal. The memory modules 18 to 21 are composed of synchronous dynamic random access memories. ing.

【0030】次に動作について図3および図5を参照し
て詳細に説明する。
Next, the operation will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 5.

【0031】メモリモジュール20がアクセスされ、メ
モリモジュール18から19、21がアクセスされてい
ない場合について説明する。
A case where the memory module 20 is accessed and the memory modules 18 to 19 and 21 are not accessed will be described.

【0032】この場合、制御タイミング発生回路1から
信号線1Cに制御タイミング信号が発生し、信号線1A
から1B、1Dには制御タイミングは発生しない。
In this case, a control timing signal is generated from the control timing generation circuit 1 to the signal line 1C, and the signal line 1A
From 1B to 1D, no control timing is generated.

【0033】また、制御タイミング発生回路1からの選
択信号1Eによってクロック選択信号回路17が制御さ
れ、ここからの出力であるクロック選択信号17A、1
7B、17C、17Dは、それぞれ‘0’、‘0’、
‘1’、‘0’となる。
Further, the clock selection signal circuit 17 is controlled by the selection signal 1E from the control timing generation circuit 1, and the clock selection signals 17A and 1A, 1A, which are outputs from the clock selection signal circuit 17
7B, 17C and 17D are respectively "0", "0",
It becomes "1" and "0".

【0034】したがって、メモリモジュール20内のす
べてのシンクロナスダイナミックランダムアクセスメモ
リでは、通常クロックが選択され通常動作を行うが、メ
モリモジュール18から19、21内のシンクロナスダ
イナミックランダムアクセスメモリでは、分周クロック
が選択され、これらの全てのシンクロナスダイナミック
ランダムアクセスメモリは動作を停止する。動作が停止
したことにより電力の消費が抑えられる。また、動作を
停止したシンクロナスダイナミックランダムアクセスメ
モリでは、一定周期で強制リフレッシュが実行されデー
タの保全がなされる。
Therefore, in all the synchronous dynamic random access memories in the memory module 20, the normal clock is selected and the normal operation is performed, but in the synchronous dynamic random access memories in the memory modules 18 to 19 and 21, the frequency division is performed. The clock is selected and all these synchronous dynamic random access memories stop operating. Power consumption is suppressed due to the stop of the operation. Further, in the synchronous dynamic random access memory which has stopped the operation, forced refresh is executed at a constant cycle to secure data.

【0035】シンクロナスダイナミックランダムアクセ
スメモリ内では図5に示すように、外部クロック信号が
クロック供給線45から供給され、クロック分周回路4
2で分周される。クロック信号線45からの外部クロッ
クとクロック分周回路46からクロック信号46のいず
れかをクロック選択信号44にしたがってセレクタ41
で選択し内部で使用する。
In the synchronous dynamic random access memory, as shown in FIG. 5, an external clock signal is supplied from the clock supply line 45, and the clock frequency dividing circuit 4 is supplied.
Divided by 2. Either the external clock from the clock signal line 45 or the clock signal 46 from the clock divider circuit 46 is selected according to the clock selection signal 44.
Select with and use internally.

【0036】上述の第3の実施例では、メモリモジュー
ル20のみがアクセスされている場合を説明したが、そ
の他のモジュールがアクセスされている場合でも同様に
アクセスされているモジュールのみが動作し、他のモジ
ュールは動作を停止し、電力の消費が抑えられる。
In the above-mentioned third embodiment, the case where only the memory module 20 is accessed has been described. However, even when other modules are accessed, only the module that is being accessed operates in the same manner, and other modules are accessed. The module stops operating and consumes less power.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のパワーダ
ウンメモリ制御ユニットは使用不可と設定されるメモリ
モジュールのダイナミックランダムアクセスメモリのク
ロック供給抑止と電圧の降圧とクロックの分周とにより
電力消費の抑止を達成できるという効果がある。さら
に、電源を供給し続け、かつ強制リフレッシュを実行す
ることにより、モジュールを再び使用可に設定した時
に、電源の安定までに要する時間およびダイナミックラ
ンダムアクセスメモリを使用可能にするためのダミーの
ライトに要する時間が除去されオーバーヘッドが生じな
いという効果がある。また、ダイナミックランダムアク
セスメモリ内のデータが消去されず保全されるという効
果がある。
As described above, the power down memory control unit of the present invention consumes power by suppressing the clock supply of the dynamic random access memory of the memory module which is set to be unusable, reducing the voltage, and dividing the clock. The effect of being able to achieve the deterrence of In addition, by continuing to supply power and performing forced refresh, when the module is set to enable again, the time required for power supply to stabilize and dummy write to enable the dynamic random access memory are set. The effect is that the time required is removed and no overhead occurs. Further, there is an effect that the data in the dynamic random access memory is not erased and is preserved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例のブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例のブロック図である。FIG. 2 is a block diagram of a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3の実施例のブロック図である。FIG. 3 is a block diagram of a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2の実施例に用いるダイナミックラ
ンダムアクセスメモリのブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram of a dynamic random access memory used in the second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3の実施例に用いるシンクロナスダ
イナミックランダムアクセスメモリのブロック図であ
る。
FIG. 5 is a block diagram of a synchronous dynamic random access memory used in a third embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 制御タイミング発生回路 2 ゲート制御回路 3、4、5、6、13、14、15、16、18、1
9、20、21 メモリモジュール 7、8、9、10 ゲート回路 11、7A、8A、9A、10A、45、47 クロ
ック信号 12 電圧可変回路 17 クロック選択信号回路 30 ダイナミックランダムアクセスメモリ 31、41 セレクタ 32 電圧降圧回路 40 シンクロナスダイナミックランダムアクセスメ
モリ 42 クロック分周回路 1A、1B、1C、1D 制御タイミング信号 1E 選択信号 2A、2B、2C、2D ゲート制御信号 12A、12B、12C、12D、34 電圧可変信
号 17A、17B、17C、17D クロック選択信号 33、43 制御タイミング発生回路 36 外部電源 37 降圧電源 38 内部電源 47 分周クロック信号
1 Control Timing Generation Circuit 2 Gate Control Circuit 3, 4, 5, 6, 13, 14, 15, 16, 18, 1
9, 20, 21 Memory module 7, 8, 9, 10 Gate circuit 11, 7A, 8A, 9A, 10A, 45, 47 Clock signal 12 Voltage variable circuit 17 Clock selection signal circuit 30 Dynamic random access memory 31, 41 Selector 32 Voltage step-down circuit 40 Synchronous dynamic random access memory 42 Clock frequency divider circuit 1A, 1B, 1C, 1D Control timing signal 1E Selection signal 2A, 2B, 2C, 2D Gate control signal 12A, 12B, 12C, 12D, 34 Voltage variable signal 17A, 17B, 17C, 17D Clock selection signal 33, 43 Control timing generation circuit 36 External power supply 37 Step-down power supply 38 Internal power supply 47 Divided clock signal

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】(a)各々が制御タイミング信号によりデ
ータの書き込みおよび読み出しを行いクロック信号に同
期して動作し前記クロック信号の停止により動作を停止
し一定周期で強制リフレッシュを実行する複数のダイナ
ミックランダムアクセスメモリを有する複数のメモリモ
ジュールと、(b)前記メモリモジュールの各々に前記
制御タイミング信号を供給する制御タイミング信号発生
回路と、(c)前記メモリモジュールの各々に供給され
る前記クロック信号を各メモリモジュール毎にゲートす
る複数のゲート回路と、(d)前記ゲート回路の各々を
制御するゲート制御信号を供給するゲート制御回路と、
を備えたことを特徴とするパワーダウンメモリ制御ユニ
ット。
1. A plurality of dynamic memories, each of which writes and reads data by a control timing signal, operates in synchronization with a clock signal, stops the operation by stopping the clock signal, and executes a forced refresh at a constant cycle. A plurality of memory modules having random access memories; (b) a control timing signal generation circuit for supplying the control timing signal to each of the memory modules; and (c) a clock signal supplied to each of the memory modules. A plurality of gate circuits that gate each memory module, and (d) a gate control circuit that supplies a gate control signal that controls each of the gate circuits,
A power-down memory control unit comprising:
【請求項2】(a)各々が制御タイミング信号によりデ
ータの書き込みおよび読み出しを行い電圧可変信号が降
圧を指示すると内部のメモリセルに供給する電圧を外部
電圧よりも降圧し動作を停止し一定周期で強制リフレッ
シュを実行する複数のダイナミックランダムアクセスメ
モリを有するメモリモジュールと、(b)前記メモリモ
ジュールの各々に前記制御タイミング信号を供給する制
御タイミング信号発生回路と、(c)前記各メモリモジ
ュールの各々に前記電圧可変信号を供給する電圧可変回
路と、を備えたことを特徴とするパワーダウンメモリ制
御ユニット。
2. When (a) each writes or reads data according to a control timing signal and the voltage variable signal indicates a step-down, the voltage supplied to the internal memory cell is stepped down below the external voltage and the operation is stopped for a fixed period. A memory module having a plurality of dynamic random access memories for executing forced refresh in (b) a control timing signal generation circuit for supplying the control timing signal to each of the memory modules, and (c) each of the memory modules. And a voltage variable circuit for supplying the voltage variable signal to the power down memory control unit.
【請求項3】(a)各々が制御タイミング信号によりデ
ータの書き込みおよび読み出しを行い外部クロック信号
から分周クロックを作成しクロック選択信号により前記
外部クロック信号と前記分周クロック信号とのいずれか
を選択しこの選択されたクロック信号に同期して動作し
前記分周クロックが選択されていると動作を停止し一定
周期で強制リフレッシュを実行する複数のダイナミック
ランダムアクセスメモリを有する複数のメモリモジュー
ルと、(b)前記各メモリモジュールの各々に前記制御
タイミング信号を供給する制御タイミング信号発生回路
と、(c)前記各メモリモジュールの各々に前記クロッ
ク選択信号を供給するクロック選択信号回路と、を備え
たことを特徴とするパワーダウンメモリ制御ユニット。
3. (a) Each writes and reads data by a control timing signal to create a divided clock from an external clock signal, and selects either the external clock signal or the divided clock signal by a clock selection signal. A plurality of memory modules having a plurality of dynamic random access memories that select and operate in synchronization with the selected clock signal, stop the operation when the divided clock is selected, and execute a forced refresh at a constant cycle; (B) A control timing signal generation circuit for supplying the control timing signal to each of the memory modules, and (c) a clock selection signal circuit for supplying the clock selection signal to each of the memory modules. A power-down memory control unit characterized by the above.
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