JPH08212134A - Semiconductor integrated circuit and power consumption reducing method for the same - Google Patents

Semiconductor integrated circuit and power consumption reducing method for the same

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JPH08212134A
JPH08212134A JP7017183A JP1718395A JPH08212134A JP H08212134 A JPH08212134 A JP H08212134A JP 7017183 A JP7017183 A JP 7017183A JP 1718395 A JP1718395 A JP 1718395A JP H08212134 A JPH08212134 A JP H08212134A
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address
comparator
cell array
integrated circuit
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篤 川澄
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Abstract

PURPOSE: To provide the semiconductor integrated circuit and power consumption reducing method for the same with which power consumption reduction and high-speed address comparison can be performed. CONSTITUTION: This circuit is provided with a row decoder 1 for inputting one part of a requested address and activating a prescribed word line 3 corresponding to this input, tag cell array 5 connected through the word line 3 to this row decoder 1 so as to output a prescribed tag address with activation, comparator 19 for comparing the tag address outputted from this tag cell array 5 with a block frame address, dummy cell array 13 formed simultaneously with the tag cell array 5 so as to output data by activating the prescribed word line 3, and comparator activating signal generator 17 for generating the activating signal of the comparator 19 at the timing of output. Corresponding to the activating signal, the comparator 19 judges whether comparing the tag address with the block frame address or not.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路に関
し、特に低消費電力で高速なアドレスの比較をすること
ができる半導体集積回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a semiconductor integrated circuit capable of high-speed address comparison with low power consumption.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路、特にキャッシュメモリ
は、CPUの処理能力の飛躍的な向上に伴い、その高速
性が要求されている。図3に一般的なキャッシュメモリ
を備えたコンピュータシステム示し、一般的なキャッシ
ュメモリの役割を説明する。このコンピュータシステム
はCPU21と、キャッシュメモリ23と、メインメモ
リ25とを備えており、これらはアドレスバス33及び
データバス35にそれぞれ接続され、各種の入出力を行
う。CPU21が所望のデータを要求した場合に、ま
ず、このデータがキャッシュメモリ23に格納されてい
るか否かを確認する。この確認には、タグアドレス(そ
のデータが格納されていたメインメモリのアドレス)が
格納されたタグキャッシュ27にアクセスし、要求され
たアドレスとの比較を比較部29にて行う。比較が一致
している場合にのみデータキャッシュ31へのアクセス
を実行する。不一致の場合にはキャッシュの更新とメイ
ンメモリ25へのアクセスが行われる。
2. Description of the Related Art A semiconductor integrated circuit, particularly a cache memory, is required to have a high speed as the processing capability of a CPU is dramatically improved. FIG. 3 shows a computer system including a general cache memory, and the role of the general cache memory will be described. This computer system includes a CPU 21, a cache memory 23, and a main memory 25, which are connected to an address bus 33 and a data bus 35, respectively, and perform various input / output. When the CPU 21 requests the desired data, it is first confirmed whether or not this data is stored in the cache memory 23. For this confirmation, the tag cache 27 in which the tag address (the address of the main memory where the data was stored) is stored is accessed, and the comparison with the requested address is performed by the comparison unit 29. The data cache 31 is accessed only when the comparisons match. If they do not match, the cache is updated and the main memory 25 is accessed.

【0003】しかしながら、従来のキャッシュメモリ
は、タグアドレスとブロックフレームアドレスの比較の
際に、連続して2つのアドレスが一致するとき等の場合
であっても入力のタイミングのずれによって比較の動作
(ヒットチェック)を行ってしまう。この例を図5
(a)を用いて説明する。ブロックフレームアドレス、
及びタグアドレスが共に低電位(L)のときにはヒット
信号は一致しているため高電位(H)の状態になってい
る(図中の状態I )。ここで、例えばブロックフレーム
アドレス、及びタグアドレスの状態遷移のタイミングが
ずれて、ブロックフレームアドレスが先に状態が遷移し
た場合には、連続して2つのアドレスが一致するときで
も、ヒット信号が不一致の状態を示す低電位(L)を示
すことになる(図中の状態II)。次に、遅れてタグアド
レスの状態が遷移した場合には再びヒット信号が一致の
状態を示す高電位(H)を示すことになる(図中の状態
III )。すなわち、2回のヒットチェックを行なってし
まうことになる。従って、このヒットチェックによる比
較部29の不必要な動作により消費電力を消費してしま
うという問題点があった。
However, in the conventional cache memory, when the tag address and the block frame address are compared, even if two addresses are consecutively matched, the comparison operation is performed due to the deviation of the input timing ( Hit check). This example is shown in FIG.
An explanation will be given using (a). Block frame address,
When both the tag address and the tag address are at the low potential (L), the hit signals match each other, and hence the high potential (H) is set (state I in the figure). Here, for example, when the block frame address and the tag address state transition timings are shifted and the block frame address state transits first, the hit signals do not match even when the two addresses continuously match. The low potential (L) indicating the above state is shown (state II in the figure). Next, when the state of the tag address transits with a delay, the hit signal again shows a high potential (H) indicating a coincident state (state in the figure).
III). That is, the hit check is performed twice. Therefore, there is a problem that power consumption is consumed by unnecessary operation of the comparison unit 29 due to this hit check.

【0004】そこで、従来からキャッシュメモリは図4
に示す如く構成により上記問題点を回避していた。以
下、この内容を説明する。図示しないCPUが要求した
アドレスの一部(インデックスフレームアドレス)をロ
ーデコーダ1が入力し、所定のタグアドレスが格納され
たタグセルアレイ5を検索する。この検索には、ローデ
コーダ1により該当するワード線3を活性化させ、所定
のタグアドレスをセンスアンプ15を経由して比較器1
9に出力する。また、この比較器19はCPUが要求し
たアドレスの他の一部(ブロックフレームアドレス)も
入力し、このブロックフレームアドレスと、出力された
所定のタグアドレスと比較を行う。一致している場合に
は、図示しないデータキャッシュメモリのアクセスを実
行する。また、不一致の場合には、キャッシュの更新と
メインメモリへのアクセスが行われる。
Therefore, the conventional cache memory is shown in FIG.
The above problem is avoided by the configuration as shown in FIG. The contents will be described below. The row decoder 1 inputs part of the address (index frame address) requested by a CPU (not shown), and searches the tag cell array 5 in which a predetermined tag address is stored. For this search, the row decoder 1 activates the corresponding word line 3, and a predetermined tag address is passed through the sense amplifier 15 to the comparator 1
Output to 9. The comparator 19 also receives another part (block frame address) of the address requested by the CPU and compares this block frame address with the output predetermined tag address. If they match, the data cache memory (not shown) is accessed. If they do not match, the cache is updated and the main memory is accessed.

【0005】ここで、この従来のキャッシュメモリは比
較器19が動作(活性化)しないようにするために比較
器活性化信号発生回路37を設け、この比較器活性化信
号発生回路37が出力する活性化信号により比較動作を
するか否かを決定するようにしていた。この内容を図5
(b)を用いて説明する。図5(b)に示す通り、ブロ
ックフレームアドレス、及びタグアドレスが共に低電位
(L)のときにはヒット信号は一致しているため高電位
(H)の状態になっている(図中の状態I )。ここで、
例えばブロックフレームアドレス、及びタグアドレスの
状態遷移のタイミングがずれて、ブロックフレームアド
レスが先に状態が遷移した場合には、比較器19が活性
化するのを回避すべく、比較器活性化信号を低電位
(L)にする。これにより、比較器が活性化されないた
め、ヒット信号には変化が見られない(図中の状態III
)。次に、遅れてタグアドレスの状態が遷移するの
で、結局、非活性化信号が低電位である期間は、 (先に状態遷移するアドレスのマージン(図中の状態I
I))+(ブロックフレームアドレス、及びタグアドレ
スの状態遷移のタイミングがずれている期間(図中の状
態III ))+(後に状態遷移するアドレスのマージン
(図中の状態IV))ということになる。以上のように、
タグアドレスとブロックフレームアドレス が変化する期間には、比較器を非活性化させて消費電力
を低減させている。
In this conventional cache memory, a comparator activation signal generating circuit 37 is provided in order to prevent the comparator 19 from operating (activating), and the comparator activation signal generating circuit 37 outputs. The activation signal determines whether or not the comparison operation is performed. This content is shown in Figure 5.
This will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 5B, when both the block frame address and the tag address are at the low potential (L), the hit signals match each other, and hence the high potential (H) is set (state I in the figure). ). here,
For example, when the timing of the state transition of the block frame address and the tag address is deviated and the state of the block frame address transits first, the comparator activation signal is set to avoid activation of the comparator 19. Set to low potential (L). As a result, the comparator is not activated and the hit signal does not change (state III in the figure).
). Next, since the state of the tag address transits with a delay, in the end, during the period when the deactivation signal is at the low potential, (the margin of the address to which the state transits first (state I in the figure
I)) + (Block frame address and tag address state transition timing is out of sync (state III in the figure)) + (margin of address to be changed later (state IV in the figure)) Become. As mentioned above,
During the period when the tag address and block frame address change, the power consumption is reduced by deactivating the comparator.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従来のキャッシュメモ
リは、アドレスが変化している期間比較器を非活性化す
ることにより消費電力を低減させているが、前述した後
に状態遷移するアドレスのマージン(図中の状態IV)の
幅の決定については問題がある。即ち、比較器を活性化
するタイミングが早すぎると(図中の状態IVを短くしす
ぎると)消費電力が節約できず、また、活性化するタイ
ミングが遅すぎると(図中の状態IVを長くしすぎると)
ヒットチェックの出力が遅くなってしまい、高速化を図
る妨げとなる。このタイミングは、電源電圧依存性、プ
ロセス依存性、及び温度依存性等を有し、これらが複雑
に関係するため、適当なタイミングマージンを決定する
ことは非常に難しい。特に、セルには微細なトランジス
タを用いているのでプロセスのばらつきに対するタグア
ドレスの読み出し時間のばらつきは、無視できない。従
って、設計段階で予め大きなマージンを取る必要がある
ため、高速化の妨げとなっているのが現状である。
In the conventional cache memory, the power consumption is reduced by deactivating the comparator during the period when the address is changing. There is a problem in determining the width of state IV) in the figure. That is, if the timing of activating the comparator is too early (state IV in the figure is too short), power consumption cannot be saved, and if the timing of activation is too late (state IV in the figure is long. Too much)
The output of the hit check becomes slow, which hinders the speedup. This timing has a power supply voltage dependency, a process dependency, a temperature dependency, etc., and these are intricately related, so it is very difficult to determine an appropriate timing margin. In particular, since fine cells are used in the cells, variations in tag address read time due to variations in process cannot be ignored. Therefore, it is necessary to secure a large margin in advance at the design stage, which is an obstacle to the speedup.

【0007】本発明は上記事情を鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、アドレスの比較器を活
性化する信号を必要かつ十分なタイミングマージンで発
生させることにより、低消費電力かつ高速なアドレス比
較をすることができる半導体集積回路及び半導体集積回
路の消費電力低減方法を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to generate a signal for activating an address comparator with a necessary and sufficient timing margin to reduce power consumption. It is an object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit capable of performing high-speed address comparison and a method for reducing power consumption of the semiconductor integrated circuit.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明に係る半導体集積回路の第1の構成では、タグセ
ルアレイに格納されたタグアドレスとブロックフレーム
アドレスとを比較し、これらのアドレスが一致したとき
にヒット信号を出力する比較器と、前記タグセルアレイ
と同時に形成されたダミーセルとを有し、前記比較器の
活性化するか否かの信号を前記ダミーセルの読み出しデ
ータを用いて生成することを特徴とする。
To achieve the above object, in the first configuration of the semiconductor integrated circuit according to the present invention, the tag address stored in the tag cell array is compared with the block frame address, and these addresses are It has a comparator that outputs a hit signal when they match and a dummy cell that is formed at the same time as the tag cell array, and generates a signal as to whether or not the comparator is activated using the read data of the dummy cell. It is characterized by

【0009】また、本発明に係る半導体集積回路の第2
の構成では、要求されたアドレスの一部を入力し、この
入力により所定のワード線を活性化させるローデコーダ
と、このローデコーダとワード線により接続され、前記
活性化により所定のタグアドレスを出力するタグセルア
レイと、このタグセルアレイが出力するタグアドレスと
ブロックフレームアドレスとを比較する比較器と、前記
タグセルアレイと同時に形成され、所定のワード線の活
性化によりデータの出力を行うダミーセルアレイと、前
記出力のタイミングにより前記比較器の活性化信号を発
生する比較器活性化信号発生器とを具備し、前記比較器
は、前記活性化信号により前記タグアドレスとブロック
フレームアドレスとの比較をするか否かを決定すること
を特徴とする。
The second aspect of the semiconductor integrated circuit according to the present invention
In the above configuration, a part of the requested address is input, and a row decoder that activates a predetermined word line by this input is connected to the row decoder by the word line, and a predetermined tag address is output by the activation. A tag cell array, a comparator for comparing a tag address output from the tag cell array with a block frame address, a dummy cell array formed simultaneously with the tag cell array and outputting data by activating a predetermined word line, A comparator activation signal generator for generating an activation signal of the comparator according to the timing of the output, and the comparator compares the tag address and the block frame address with the activation signal. It is characterized by determining whether or not.

【0010】さらに上記目的を達成するため、本発明に
係る半導体集積回路の消費電力低減方法の特徴は、タグ
セルアレイに格納されたタグアドレスとブロックフレー
ムアドレスとを比較し、これらのアドレスが一致したと
きにヒット信号を出力する比較器を用い、この比較器が
行う比較を活性化信号にて中断することにより半導体集
積回路の消費電力を低減する方法において、前記タグセ
ルアレイと同時に形成されたダミーセルを設け、このダ
ミーセルの読み出しデータにより前記活性化信号を生成
し、この生成された前記活性化信号を用いて前記比較器
の比較を中断することである。
To further achieve the above object, the method of reducing the power consumption of a semiconductor integrated circuit according to the present invention is characterized in that a tag address stored in a tag cell array is compared with a block frame address, and these addresses match. In a method of reducing the power consumption of a semiconductor integrated circuit by using a comparator that sometimes outputs a hit signal and interrupting the comparison performed by the comparator with an activation signal, a dummy cell formed simultaneously with the tag cell array is used. That is, the activation signal is generated according to the read data of the dummy cell, and the comparison of the comparator is interrupted by using the generated activation signal.

【0011】[0011]

【作用】本発明では、タグアドレスを読み出すときに、
同時にダミーセルのデータも読み出されるようにしてあ
る。このダミーセルは、タグセルアレイの形成時に同時
に形成されているので、タグアドレスの読み出しとほぼ
同じ時間がかかり、その時間の電源電圧依存性、プロセ
スのばらつきに対する依存性も同じである。従って、ダ
ミーセルから読み出したデータを用いて比較器活性化信
号を生成すれば、電源電圧の変動やプロセスのばらつき
があったとしても、タイミングマージンが保存されるこ
とになる。これにより、設計時に、過剰なタイミングマ
ージンを取る必要がなくなり、比較器を活性化・非活性
化することによって起きる比較スピードの低下を抑える
ことができるのである。
In the present invention, when reading the tag address,
At the same time, the data of the dummy cell is read out. Since this dummy cell is formed at the same time as the formation of the tag cell array, it takes almost the same time as reading the tag address, and the power supply voltage dependency of that time and the dependency on process variations are also the same. Therefore, if the comparator activation signal is generated using the data read from the dummy cell, the timing margin can be saved even if there is a variation in the power supply voltage or a variation in the process. As a result, it is not necessary to take an excessive timing margin at the time of design, and it is possible to suppress a decrease in comparison speed caused by activating / deactivating the comparator.

【0012】[0012]

【実施例】本発明に係る半導体集積回路の実施例を図面
を参照して説明する。まず、図1を用いて説明すること
にする。
Embodiments of a semiconductor integrated circuit according to the present invention will be described with reference to the drawings. First, description will be made with reference to FIG.

【0013】この半導体集積回路は、図示しないCPU
が要求したアドレスの一部(インデックスフレームアド
レス)を入力し、この入力により所定のワード線を活性
化させるローデコーダ1と、このローデコーダ1とワー
ド線3により接続され、前記活性化により所定のタグア
ドレスを出力するタグセルアレイ5と、このタグセルア
レイ5が出力するタグアドレスとブロックフレームアド
レスとを比較する比較器19とを備えている。ここで、
本発明に係る半導体集積回路は、更に、タグセルアレイ
5と同一のワード線に接続されたダミーセル13を備え
ている。従って、ローデコーダ1により所定のワード線
を活性化した場合には、同時にダミーセル13に格納さ
れたデータも出力できるようにしてある。
This semiconductor integrated circuit has a CPU (not shown).
Input a part of the address (index frame address) requested by the row decoder 1 and activates a predetermined word line by this input, and the row decoder 1 and the word line 3 are connected to each other. A tag cell array 5 that outputs a tag address and a comparator 19 that compares the tag address output by the tag cell array 5 with a block frame address are provided. here,
The semiconductor integrated circuit according to the present invention further includes a dummy cell 13 connected to the same word line as the tag cell array 5. Therefore, when a predetermined word line is activated by the row decoder 1, the data stored in the dummy cell 13 can be output at the same time.

【0014】ここで、ダミーセル13は、タグセルアレ
イ5と同一プロセスで作成されているため、タグセルア
レイ5と同様の電源電圧依存性、プロセス依存性、及び
温度依存性を有している。また、本実施例では、図2の
ように読み出すデータを高電位(H)を出力するように
固定しているものとする。
Since the dummy cell 13 is formed in the same process as the tag cell array 5, it has the same power supply voltage dependency, process dependency, and temperature dependency as the tag cell array 5. Further, in this embodiment, it is assumed that the data to be read is fixed so as to output a high potential (H) as shown in FIG.

【0015】次に、この半導体集積回路の動作について
説明する。図示しないCPUが要求したアドレスの一部
(インデックスフレームアドレス)をローデコーダ1が
インデックス入力線7より入力し、所定のタグアドレス
が格納されたタグセルアレイ5を検索する。この検索に
は、ローデコーダ1により該当するワード線3を活性化
させ、所定のタグアドレスを読み出し、センスアンプ1
5を経由して比較器19に出力する。
Next, the operation of this semiconductor integrated circuit will be described. The row decoder 1 inputs a part of the address (index frame address) requested by a CPU (not shown) from the index input line 7, and searches the tag cell array 5 in which a predetermined tag address is stored. For this search, the corresponding word line 3 is activated by the row decoder 1, a predetermined tag address is read, and the sense amplifier 1
It outputs to the comparator 19 via 5.

【0016】CPUはタグセルアレイ5が出力したタグ
アドレス及びCPUが要求したアドレスの他の一部(ブ
ロックフレームアドレス)を入力し、これらの比較を行
う。比較の結果、一致している場合には、図示しないデ
ータキャッシュメモリのアクセスを実行する。また、不
一致の場合には、キャッシュの更新とメインメモリへの
アクセスが行われる。
The CPU inputs the tag address output from the tag cell array 5 and another part (block frame address) of the address requested by the CPU, and compares them. If they match as a result of the comparison, the data cache memory (not shown) is accessed. If they do not match, the cache is updated and the main memory is accessed.

【0017】一方、タグセルアレイ5がタグアドレスを
検索する際には、同時にダミーセル13のデータも読み
出され、比較器活性化信号発生器17に入力される。比
較器活性化信号発生器17は、ダミーセル13の出力タ
イミングを用いて比較器活性化信号を生成し、比較器1
9に出力する。比較器19は比較器活性化信号により比
較動作を行うか否かを判断する。これにより、ブロック
フレームアドレスとタグアドレスの入力のタイミングの
相違があっても、比較器19は動作しないため、消費電
力を低減することができる。
On the other hand, when the tag cell array 5 searches for a tag address, the data in the dummy cell 13 is also read at the same time and input to the comparator activation signal generator 17. The comparator activation signal generator 17 generates a comparator activation signal by using the output timing of the dummy cell 13, and the comparator 1
Output to 9. The comparator 19 determines whether to perform the comparison operation based on the comparator activation signal. As a result, even if there is a difference in the input timing of the block frame address and the tag address, the comparator 19 does not operate, so that power consumption can be reduced.

【0018】以上のように、ダミーセルから読み出した
データから比較器活性化信号を生成すれば、電源電圧の
変動やプロセスのばらつきがあったとしても、タイミン
グマージンが保存される。これにより、設計時に、過剰
なタイミングマージンを取る必要がなくなり、比較器を
活性化・非活性化することによって起きる比較スピード
の低下を抑えることができる。これにより低消費電力
で、かつ、高速な比較を行なうことが可能となる。
As described above, when the comparator activation signal is generated from the data read from the dummy cell, the timing margin can be saved even if there are fluctuations in the power supply voltage or fluctuations in the process. As a result, it is not necessary to take an excessive timing margin at the time of design, and it is possible to suppress a decrease in comparison speed caused by activating / deactivating the comparator. This enables low power consumption and high-speed comparison.

【0019】なお、上述した実施例においては、ダミー
セルを同一のワード線により接続したが、他の実施例と
しては、各ワード線を活性化する際に必ず活性化するワ
ード線を設け、そのワード線によりダミーセルを活性化
させるようにして、このダミーセルの出力を比較器活性
化回路に用いてもよい。
Although the dummy cells are connected by the same word line in the above-described embodiment, in another embodiment, a word line which is always activated when each word line is activated is provided, and the word The dummy cell may be activated by a line and the output of the dummy cell may be used in the comparator activation circuit.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ダミーセルのデータを用いて比較器活性化信号を生成し
ているので、低消費電力で、かつ、高速な比較を行なう
ことができる半導体集積回路を提供することができる。
As described above, according to the present invention,
Since the comparator activation signal is generated using the data of the dummy cell, it is possible to provide a semiconductor integrated circuit which has low power consumption and can perform high-speed comparison.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る半導体集積回路の平面図を示した
図である。
FIG. 1 is a diagram showing a plan view of a semiconductor integrated circuit according to the present invention.

【図2】ダミーセルの例を示した図である。FIG. 2 is a diagram showing an example of a dummy cell.

【図3】一般的なコンピュータシステムの動作を説明す
るために用いたブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram used for explaining the operation of a general computer system.

【図4】従来の半導体集積回路を示した図である。FIG. 4 is a diagram showing a conventional semiconductor integrated circuit.

【図5】従来技術のタイミングチャートを説明するため
の図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining a timing chart of a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ローデコーダ 3 ワード線 5 タグセルアレイ 7 インデックス入力線 9 タグアドレス入力線 11 ブロックアドレス入力線 13 ダミーセルアレイ 15 センスアンプ 17 比較器活性化信号発生器 19 比較器 21 CPU 23 キャッシュメモリ 25 メインメモリ 27 タグキャッシュ 29 比較部 31 データキャッシュ 33 アドレスバス 35 データバス 37 比較器活性化信号発生回路 1 Row Decoder 3 Word Line 5 Tag Cell Array 7 Index Input Line 9 Tag Address Input Line 11 Block Address Input Line 13 Dummy Cell Array 15 Sense Amplifier 17 Comparator Activation Signal Generator 19 Comparator 21 CPU 23 Cache Memory 25 Main Memory 27 Tag Cache 29 Comparison unit 31 Data cache 33 Address bus 35 Data bus 37 Comparator activation signal generation circuit

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 タグセルアレイに格納されたタグアドレ
スとブロックフレームアドレスとを比較し、これらのア
ドレスが一致したときにヒット信号を出力する比較器
と、 前記タグセルアレイと同時に形成されたダミーセルとを
有し、 前記比較器の活性化するか否かの信号を前記ダミーセル
の読み出しデータを用いて生成することを特徴とする半
導体集積回路。
1. A comparator for comparing a tag address stored in a tag cell array with a block frame address and outputting a hit signal when these addresses match, and a dummy cell formed simultaneously with the tag cell array. A semiconductor integrated circuit having a signal for generating whether to activate the comparator using read data of the dummy cell.
【請求項2】 要求されたアドレスの一部を入力し、こ
の入力により所定のワード線を活性化させるローデコー
ダと、 このローデコーダとワード線により接続され、前記活性
化により所定のタグアドレスを出力するタグセルアレイ
と、 このタグセルアレイが出力するタグアドレスとブロック
フレームアドレスとを比較する比較器と、 前記タグセルアレイと同時に形成され、所定のワード線
の活性化によりデータの出力を行うダミーセルアレイ
と、 前記出力のタイミングにより前記比較器の活性化信号を
発生する比較器活性化信号発生器とを具備し、 前記比較器は、前記活性化信号により前記タグアドレス
とブロックフレームアドレスとの比較をするか否かを決
定することを特徴とする半導体集積回路。
2. A row decoder for inputting a part of a requested address and activating a predetermined word line by this input, and a row decoder connected to the row decoder by a word line, and activating a predetermined tag address by the activation. A tag cell array for outputting, a comparator for comparing a tag address output by the tag cell array with a block frame address, a dummy cell array formed simultaneously with the tag cell array and outputting data by activating a predetermined word line, A comparator activation signal generator that generates an activation signal for the comparator according to the output timing, the comparator comparing the tag address and the block frame address with the activation signal. A semiconductor integrated circuit characterized by determining whether or not.
【請求項3】 タグセルアレイに格納されたタグアドレ
スとブロックフレームアドレスとを比較し、これらのア
ドレスが一致したときにヒット信号を出力する比較器を
用い、この比較器が行う比較を活性化信号にて中断する
ことにより半導体集積回路の消費電力を低減する方法に
おいて、 前記タグセルアレイと同時に形成されたダミーセルを設
け、 このダミーセルの読み出しデータにより前記活性化信号
を生成し、 この生成された前記活性化信号を用いて前記比較器の比
較を中断することを特徴とする半導体集積回路の消費電
力低減方法。
3. A tag address stored in a tag cell array is compared with a block frame address, and a comparator that outputs a hit signal when these addresses match is used, and the comparison performed by this comparator is an activation signal. In the method for reducing the power consumption of a semiconductor integrated circuit by interrupting the semiconductor integrated circuit, a dummy cell formed at the same time as the tag cell array is provided, the activation signal is generated by the read data of the dummy cell, and the generated activation signal is generated. A method for reducing power consumption of a semiconductor integrated circuit, characterized in that the comparison of the comparator is interrupted by using an activation signal.
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