JPH08269073A - アリールアルキルホスフイン、ホスフインオキシドまたはホスフインスルフイドの製造方法 - Google Patents
アリールアルキルホスフイン、ホスフインオキシドまたはホスフインスルフイドの製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
- C07F9/50—Organo-phosphines
- C07F9/505—Preparation; Separation; Purification; Stabilisation
- C07F9/5063—Preparation; Separation; Purification; Stabilisation from compounds having the structure P-H or P-Heteroatom, in which one or more of such bonds are converted into P-C bonds
- C07F9/5072—Preparation; Separation; Purification; Stabilisation from compounds having the structure P-H or P-Heteroatom, in which one or more of such bonds are converted into P-C bonds from starting materials having the structure P-H
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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-
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- C07F9/6571—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having phosphorus atoms, with or without nitrogen, oxygen, sulfur, selenium or tellurium atoms, as ring hetero atoms having phosphorus and oxygen atoms as the only ring hetero atoms
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 一般式(I)で示されるアリールアルキルホ
スフィン、ホスフィンオキシドまたはホスフィンスルフ
ィドを製造する改良方法を提供する。 【化1】 【解決手段】 アルキルホスフィン、ホスフィンオキシ
ドまたはホスフィンスルフィドとアリールハリドとをゼ
ロ価パラジウム触媒の存在下で反応させる。
スフィン、ホスフィンオキシドまたはホスフィンスルフ
ィドを製造する改良方法を提供する。 【化1】 【解決手段】 アルキルホスフィン、ホスフィンオキシ
ドまたはホスフィンスルフィドとアリールハリドとをゼ
ロ価パラジウム触媒の存在下で反応させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はアリールアルキルホ
スフィン、ホスフィンオキシドおよびホスフィンスルフ
ィドを製造する改良方法に関する。本方法はアルキルホ
スフィン、ホスフィンオキシドまたはホスフィンスルフ
ィドとアリールハリドとをゼロ価パラジウム触媒の存在
下で反応させることを含んでなる。この方法は、比較的
低い温度で反応速度が速く、ホスフィンハリドおよびグ
リニャール試薬を使用せず、そして反応物の後処理が比
較的簡単であるという利点を有する。
スフィン、ホスフィンオキシドおよびホスフィンスルフ
ィドを製造する改良方法に関する。本方法はアルキルホ
スフィン、ホスフィンオキシドまたはホスフィンスルフ
ィドとアリールハリドとをゼロ価パラジウム触媒の存在
下で反応させることを含んでなる。この方法は、比較的
低い温度で反応速度が速く、ホスフィンハリドおよびグ
リニャール試薬を使用せず、そして反応物の後処理が比
較的簡単であるという利点を有する。
【0002】
【発明の背景】アリールアルキルホスフィン、ホスフィ
ンオキシドおよびホスフィンスルフィドの製造方法は当
業界では既知である。しかし、これらの化合物を製造す
る既存の方法には、取扱いが難しい試薬、または入念な
仕上げおよび異常な製造条件と注意を必要とする試薬の
使用が含まれる。
ンオキシドおよびホスフィンスルフィドの製造方法は当
業界では既知である。しかし、これらの化合物を製造す
る既存の方法には、取扱いが難しい試薬、または入念な
仕上げおよび異常な製造条件と注意を必要とする試薬の
使用が含まれる。
【0003】例えば、米国特許第3,775,482号
明細書はアリカリ金属の使用を開示している。テトラヒ
ドロフランのような溶媒中でテトラヒドロカルビルジホ
スフィンをアルカリ金属と反応させ、得られるホスフィ
ンを単離する。触媒として縮合環式多核芳香族炭化水素
またはジフェニルを使用する。
明細書はアリカリ金属の使用を開示している。テトラヒ
ドロフランのような溶媒中でテトラヒドロカルビルジホ
スフィンをアルカリ金属と反応させ、得られるホスフィ
ンを単離する。触媒として縮合環式多核芳香族炭化水素
またはジフェニルを使用する。
【0004】米国特許第4,618,720号明細書で
は、不活性溶媒の存在下でジフェニル亜ホスフィンハリ
ドを溶融アルカリ金属と反応させ、得られるジフェニル
亜ホスフィン金属を次いで第二ハリドと反応させる2段
階方法が開示されている。この方法では、過剰の溶融ア
ルカリ金属を使用し、そして第二ハリドはその場で添加
される。
は、不活性溶媒の存在下でジフェニル亜ホスフィンハリ
ドを溶融アルカリ金属と反応させ、得られるジフェニル
亜ホスフィン金属を次いで第二ハリドと反応させる2段
階方法が開示されている。この方法では、過剰の溶融ア
ルカリ金属を使用し、そして第二ハリドはその場で添加
される。
【0005】米国特許第4,668,823号明細書
は、異なったグリニャール試薬をアリールジクロロホス
フィンに順次添加することによってアルキルアリールホ
スフィンを製造する方法を教示している。アルキル基を
有する第一のグリニャール試薬をアリールジクロロホス
フィンと反応させ、得られるアリールアルキルクロロホ
スフィンを異なったアルキルまたはアリール基を有する
第二のグリニャール試薬と反応させる。
は、異なったグリニャール試薬をアリールジクロロホス
フィンに順次添加することによってアルキルアリールホ
スフィンを製造する方法を教示している。アルキル基を
有する第一のグリニャール試薬をアリールジクロロホス
フィンと反応させ、得られるアリールアルキルクロロホ
スフィンを異なったアルキルまたはアリール基を有する
第二のグリニャール試薬と反応させる。
【0006】米国特許第5,288,912号明細書お
よびその分割特許の米国特許第5,354,894号明
細書は、リチウム開裂を経るアルカリ金属ジアリールホ
スフィドとアルキルハリドアルキル化剤との反応による
アルキルジアリールホスフィン化合物の製造方法を教示
している。
よびその分割特許の米国特許第5,354,894号明
細書は、リチウム開裂を経るアルカリ金属ジアリールホ
スフィドとアルキルハリドアルキル化剤との反応による
アルキルジアリールホスフィン化合物の製造方法を教示
している。
【0007】Cabri et al,J.Org.C
hem.Vol.57,pgs.355−356,19
92には、二座ホスフィン含有パラジウム触媒を使用す
る非対称オレフィンのアリール化が教示されている。
hem.Vol.57,pgs.355−356,19
92には、二座ホスフィン含有パラジウム触媒を使用す
る非対称オレフィンのアリール化が教示されている。
【0008】Ono et al,Tetrahedr
on Letters,Vol.35,No.24,p
ages 4133−4136,1994はパラジウム
触媒を使用するN−アルキル−O−アリルカルバメート
のアリール化について報告している。
on Letters,Vol.35,No.24,p
ages 4133−4136,1994はパラジウム
触媒を使用するN−アルキル−O−アリルカルバメート
のアリール化について報告している。
【0009】Synthesis,March 199
1,pages 232−233において、Loffl
e et alはパラジウム触媒を使用する(1,3−
ブタジイニル)アミンとアリールおよびビニルヨージド
との結合について報告し、そしてMarch 198
6,pages 240−242において、Xu et
alはアルキルアルケニルメチルおよびアルケニルフェ
ニルホスフィネートを合成するためのパラジウム触媒の
使用を教示し、次いでMarch 1986,page
s 691−692において、同一の触媒系を用いる対
応するホスフィンオキシドの製造方法を報告している。
1,pages 232−233において、Loffl
e et alはパラジウム触媒を使用する(1,3−
ブタジイニル)アミンとアリールおよびビニルヨージド
との結合について報告し、そしてMarch 198
6,pages 240−242において、Xu et
alはアルキルアルケニルメチルおよびアルケニルフェ
ニルホスフィネートを合成するためのパラジウム触媒の
使用を教示し、次いでMarch 1986,page
s 691−692において、同一の触媒系を用いる対
応するホスフィンオキシドの製造方法を報告している。
【0010】
【発明の構成】ジアリールアルキルおよびジアルキルア
リール誘導体を含む、アリールアルキルホスフィン、ホ
スフィンオキシドおよびホスフィンスルフィドを製造す
る方法が開示される。本製造方法は、モノもしくはジア
ルキルホスフィン、ホスフィンオキシドまたはホスフィ
ンスルフィドとアリールハリドとをゼロ価パラジウム触
媒の存在下で反応させることを含んでなる。反応の生成
物は、ロジウムを基とする触媒を用いるオレフィンのア
ルデヒドへのヒドロホルミル化における反応促進剤とし
て、その他ホスフィン基材化合物、例えば、抽出剤、洗
浄剤、防炎剤、殺生物剤などとして有用なものの製造に
おける中間体として、および触媒配位子として使用する
ことができる。
リール誘導体を含む、アリールアルキルホスフィン、ホ
スフィンオキシドおよびホスフィンスルフィドを製造す
る方法が開示される。本製造方法は、モノもしくはジア
ルキルホスフィン、ホスフィンオキシドまたはホスフィ
ンスルフィドとアリールハリドとをゼロ価パラジウム触
媒の存在下で反応させることを含んでなる。反応の生成
物は、ロジウムを基とする触媒を用いるオレフィンのア
ルデヒドへのヒドロホルミル化における反応促進剤とし
て、その他ホスフィン基材化合物、例えば、抽出剤、洗
浄剤、防炎剤、殺生物剤などとして有用なものの製造に
おける中間体として、および触媒配位子として使用する
ことができる。
【0011】本発明は、一般式
【0012】
【化3】
【0013】(式中、Xは酸素または硫黄であり、nは
0または1であり、Arは置換または非置換アリール基
であり、Rは置換または非置換アルキル基であり、xは
0または1であり、そしてyおよびzは1または2であ
り、ただしxが0である場合yおよびzの一方のみが2
であり、xが1である場合yおよびzの両方が1である
ことを条件とする。)を有する化合物を製造する方法に
おいて、一般式
0または1であり、Arは置換または非置換アリール基
であり、Rは置換または非置換アルキル基であり、xは
0または1であり、そしてyおよびzは1または2であ
り、ただしxが0である場合yおよびzの一方のみが2
であり、xが1である場合yおよびzの両方が1である
ことを条件とする。)を有する化合物を製造する方法に
おいて、一般式
【0014】
【化4】
【0015】(式中、X、n、Rおよびzは上記と同じ
ものである)を有する化合物とアリールハリドとをゼロ
価パラジウム触媒の存在下で反応させることを含んでな
る。
ものである)を有する化合物とアリールハリドとをゼロ
価パラジウム触媒の存在下で反応させることを含んでな
る。
【0016】反応は好適には、グリム、アセトニトリ
ル、ジエチルエーテル、アニソール、ジ−n−ブチルエ
ーテル、テトラヒドロフラン、p−ジオキサン、トルエ
ン/イソプロパノール(3/1)混合物などのような溶
媒の存在下で行う。ヘキサン、オクタン、シクロヘキサ
ン、ベンゼンおよび70〜140℃沸点石油留分を含む
脂肪族、脂環族または芳香族炭化水素が好適である。ト
ルエンが最も好適である。
ル、ジエチルエーテル、アニソール、ジ−n−ブチルエ
ーテル、テトラヒドロフラン、p−ジオキサン、トルエ
ン/イソプロパノール(3/1)混合物などのような溶
媒の存在下で行う。ヘキサン、オクタン、シクロヘキサ
ン、ベンゼンおよび70〜140℃沸点石油留分を含む
脂肪族、脂環族または芳香族炭化水素が好適である。ト
ルエンが最も好適である。
【0017】反応温度は約周囲温度〜約120℃、好適
には約40〜110℃、最も好適には約70〜105℃
の範囲内とすることができる。これより低い温度の場
合、反応時間は増加する。しかし、反応は通常約2時間
〜約2週間、さらに通常約3〜約36時間の範囲内で完
結する。
には約40〜110℃、最も好適には約70〜105℃
の範囲内とすることができる。これより低い温度の場
合、反応時間は増加する。しかし、反応は通常約2時間
〜約2週間、さらに通常約3〜約36時間の範囲内で完
結する。
【0018】本方法で有用であるゼロ価パラジウム触媒
は当業者には既知であり、かかる既知の触媒、例えば、
反応条件下でその場でPd(0)種に還元される触媒で
あればいずれの触媒も使用することができる。特に、上
記の引用文献中で教示されている触媒は本発明の方法で
使用することができ、テトラキス(トリフェニルホスフ
ィン)パラジウム;ジクロロビス(トリフェニルホスフ
ィン)パラジウム;1,2−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)エタンパラジウム;1,3−ビス(ジフェニルホス
フィノ)プロパンパラジウム;1,4−ビス(ジフェニ
ルホスフィノ)ブタンパラジウム;1,1−ビス(ジフ
ェニルホスフィノ)フェロセンパラジウムなどのような
触媒が代表例である。触媒濃度は上記の式IIで示され
る原料ホスフィンの約0.1〜約10.0モルパーセン
ト、好適には約1.0〜約7.5モルパーセントの範囲
内とすべきである。
は当業者には既知であり、かかる既知の触媒、例えば、
反応条件下でその場でPd(0)種に還元される触媒で
あればいずれの触媒も使用することができる。特に、上
記の引用文献中で教示されている触媒は本発明の方法で
使用することができ、テトラキス(トリフェニルホスフ
ィン)パラジウム;ジクロロビス(トリフェニルホスフ
ィン)パラジウム;1,2−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)エタンパラジウム;1,3−ビス(ジフェニルホス
フィノ)プロパンパラジウム;1,4−ビス(ジフェニ
ルホスフィノ)ブタンパラジウム;1,1−ビス(ジフ
ェニルホスフィノ)フェロセンパラジウムなどのような
触媒が代表例である。触媒濃度は上記の式IIで示され
る原料ホスフィンの約0.1〜約10.0モルパーセン
ト、好適には約1.0〜約7.5モルパーセントの範囲
内とすべきである。
【0019】反応は好適にはアミン、例えば、トリエチ
ルアミン、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸水素ナト
リウム、炭酸水素カリウム、ナトリウムエトキシド、カ
リウムエトキシド、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモ
ニウム、酸化カルシウム、水酸化カルシウム、酸化マグ
ネシウム、水酸化マグネシウムなどのような塩基反応促
進剤の存在下で行う。その他、ピリジンおよびピリジン
誘導体のような塩基も使用することができる。第三アミ
ンは好適であり、そしてトリエチルアミンは最も好適で
ある。
ルアミン、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸水素ナト
リウム、炭酸水素カリウム、ナトリウムエトキシド、カ
リウムエトキシド、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモ
ニウム、酸化カルシウム、水酸化カルシウム、酸化マグ
ネシウム、水酸化マグネシウムなどのような塩基反応促
進剤の存在下で行う。その他、ピリジンおよびピリジン
誘導体のような塩基も使用することができる。第三アミ
ンは好適であり、そしてトリエチルアミンは最も好適で
ある。
【0020】上記の式IIで示される原料ホスフィン、
ホスフィンオキシドおよびホスフィンスルフィドにおい
て、アルキル基Rは置換されるかまたは非置換でよく、
そして1〜20個の炭素原子を含有することができる。
メチル、エチル、プロピル、n−,t−またはイソブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニ
ル、デシル、ウンジシル、ヘキサジシル、シクロヘキシ
ル、シクロペンチル等の基およびそれらのアリール、ア
ルケニル、アルコキシ、アルカニル、ハロ、アリールオ
キシ等の置換誘導体を含む第一級、第二級および第三級
アルキル、シクロアルキルおよびビシクロアルキル基含
有ホスフィン、ホスフィンオキシドおよびホスフィンス
ルフィドは本発明において有用である。
ホスフィンオキシドおよびホスフィンスルフィドにおい
て、アルキル基Rは置換されるかまたは非置換でよく、
そして1〜20個の炭素原子を含有することができる。
メチル、エチル、プロピル、n−,t−またはイソブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニ
ル、デシル、ウンジシル、ヘキサジシル、シクロヘキシ
ル、シクロペンチル等の基およびそれらのアリール、ア
ルケニル、アルコキシ、アルカニル、ハロ、アリールオ
キシ等の置換誘導体を含む第一級、第二級および第三級
アルキル、シクロアルキルおよびビシクロアルキル基含
有ホスフィン、ホスフィンオキシドおよびホスフィンス
ルフィドは本発明において有用である。
【0021】アリールハリドとして、アリール基が6〜
10個の炭素原子を含有するアリール化合物、例えば、
クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ヨードベンゼン、ク
ロロトルエン、クロロキシレン、クロロナフタレン、ブ
ロモナフタレン、ヨードナフタレン、クロロジフェニ
ル、ブロモトルエン、ブロモキシレン、ブロモジフェニ
ル、ヨードトルエン、ヨードキシレン、ヨードジフェニ
ルおよびそれらのアルキル、アリケニル、アルコキシ、
アルカアリール(alkaryl)、アリールオキシ置
換誘導体などによって表わされるアリールクロリド、ブ
ロミド、ヨージドなどが挙げられる。
10個の炭素原子を含有するアリール化合物、例えば、
クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ヨードベンゼン、ク
ロロトルエン、クロロキシレン、クロロナフタレン、ブ
ロモナフタレン、ヨードナフタレン、クロロジフェニ
ル、ブロモトルエン、ブロモキシレン、ブロモジフェニ
ル、ヨードトルエン、ヨードキシレン、ヨードジフェニ
ルおよびそれらのアルキル、アリケニル、アルコキシ、
アルカアリール(alkaryl)、アリールオキシ置
換誘導体などによって表わされるアリールクロリド、ブ
ロミド、ヨージドなどが挙げられる。
【0022】アリールハリドの使用量は、使用するジア
ルキルホスフィン、ホスフィンオキシドまたはホスフィ
ンスルフィドに対して1当量以上のアリールハリド、例
えば、約1.1当量のアリールハリドとすべきである。
モノアルキルホスフィン、ホスフィンオキシドまたはホ
スフィンスルフィドを使用する場合、2当量以上のアリ
ールハリド、例えば、2.1当量を使用すべきである。
ルキルホスフィン、ホスフィンオキシドまたはホスフィ
ンスルフィドに対して1当量以上のアリールハリド、例
えば、約1.1当量のアリールハリドとすべきである。
モノアルキルホスフィン、ホスフィンオキシドまたはホ
スフィンスルフィドを使用する場合、2当量以上のアリ
ールハリド、例えば、2.1当量を使用すべきである。
【0023】塩基反応促進剤の使用量は、アリールハリ
ドについて教示された上記の量の範囲内とすべきであ
り、好適には各反応の間で使用される塩基反応促進剤お
よびアリールハリドの使用量は大体同一である。
ドについて教示された上記の量の範囲内とすべきであ
り、好適には各反応の間で使用される塩基反応促進剤お
よびアリールハリドの使用量は大体同一である。
【0024】その他、反応は反応温度によって管理する
ことができる。アルキルハリドとの反応は、例えば、周
囲温度以下に冷却することによって、または5〜25%
比率のイソプロピルアルコールのような極性助溶剤の使
用によって、原料化合物(II)の水素が完全に置換さ
れることなく、終結させることができる。得られる中間
体は、例えば粗混合物からの遠心によって回収できる。
ことができる。アルキルハリドとの反応は、例えば、周
囲温度以下に冷却することによって、または5〜25%
比率のイソプロピルアルコールのような極性助溶剤の使
用によって、原料化合物(II)の水素が完全に置換さ
れることなく、終結させることができる。得られる中間
体は、例えば粗混合物からの遠心によって回収できる。
【0025】式(I)に対応する最終反応生成物はガス
クロマトグラフィー−質量スペクトロメトリーによって
分析し、その究極の構造を決定することができる。生成
物はその質量スペクトル(通常、生成物の分子量に対応
する親イオンを含有する)から同定される。
クロマトグラフィー−質量スペクトロメトリーによって
分析し、その究極の構造を決定することができる。生成
物はその質量スペクトル(通常、生成物の分子量に対応
する親イオンを含有する)から同定される。
【0026】次の実施例は本発明を説明する目的のため
のみに記載するものであり、特許請求の範囲の記載を除
いて、本発明を制限するものと解釈すべきではない。別
記しない限り、部およびパーセントは重量単位である。
のみに記載するものであり、特許請求の範囲の記載を除
いて、本発明を制限するものと解釈すべきではない。別
記しない限り、部およびパーセントは重量単位である。
【0027】
【実施例】実施例1 トルエン(100mL)中のジイソブチルホスフィン
(50g、0.34モル)、ブロモベンゼン(54g、
0.34モル)、トリエチルアミン(36g、0.35
モル)およびテトラキス(トリフェニルホスフィン)パ
ラジウム(1.0g、8.6×10-5モル)の混合物を
窒素下で100℃に加熱し、この温度に13時間維持す
る。室温に冷却後、溶液をGC/MSによって分析し
て、約6%の未反応ジイソブチルホスフィン(分子量=
196)と共に94%のジイソブチル(フェニル)ホス
フィン(分子量=222)を含有することが見出され
る。トリエチルアミンヒドロブロミド副生成物を濾過に
よって除去する。混合ジイソブチルフェニルホスフィン
生成物を混合物から真空蒸留によって単離する。
(50g、0.34モル)、ブロモベンゼン(54g、
0.34モル)、トリエチルアミン(36g、0.35
モル)およびテトラキス(トリフェニルホスフィン)パ
ラジウム(1.0g、8.6×10-5モル)の混合物を
窒素下で100℃に加熱し、この温度に13時間維持す
る。室温に冷却後、溶液をGC/MSによって分析し
て、約6%の未反応ジイソブチルホスフィン(分子量=
196)と共に94%のジイソブチル(フェニル)ホス
フィン(分子量=222)を含有することが見出され
る。トリエチルアミンヒドロブロミド副生成物を濾過に
よって除去する。混合ジイソブチルフェニルホスフィン
生成物を混合物から真空蒸留によって単離する。
【0028】実施例2 実施例1の混合ジイソブチルフェニルホスフィン生成物
を水性過酸化水素で対応する誘導体に転化して、ジイソ
ブチルフェニルホスフィンオキシドを製造する。
を水性過酸化水素で対応する誘導体に転化して、ジイソ
ブチルフェニルホスフィンオキシドを製造する。
【0029】実施例3 トルエン(15mL)中のビス(2,4,4−トリメチ
ルペンチル)ホスフィンオキシド(2.3g、8.4×
10-3モル)、ブロモベンゼン(1.3g、8.3×1
0-3モル)、トリエチルアミン(2.0g、2.0×1
0-2モル)およびテトラキス(トリフェニルホスフィ
ン)パラジウム(1.0g、8.5×10-4モル)の混
合物を窒素下で85℃に加熱する。この混合物をこの温
度に4時間維持し、次いで室温まで放冷する。この時点
で混合物をGC/MSによって分析すると、ジアルキル
ホスフィンオキシドがビス(2,4,4−トリメチルペ
ンチル)フェニルホスフィン(分子量=334)に完全
に(99%以上)転化していることが分る。混合ジイソ
ブチルフェニルを水性過酸化水素で対応する誘導体に転
化して、ジイソブチルフェニルホスフィンオキシドを製
造する。
ルペンチル)ホスフィンオキシド(2.3g、8.4×
10-3モル)、ブロモベンゼン(1.3g、8.3×1
0-3モル)、トリエチルアミン(2.0g、2.0×1
0-2モル)およびテトラキス(トリフェニルホスフィ
ン)パラジウム(1.0g、8.5×10-4モル)の混
合物を窒素下で85℃に加熱する。この混合物をこの温
度に4時間維持し、次いで室温まで放冷する。この時点
で混合物をGC/MSによって分析すると、ジアルキル
ホスフィンオキシドがビス(2,4,4−トリメチルペ
ンチル)フェニルホスフィン(分子量=334)に完全
に(99%以上)転化していることが分る。混合ジイソ
ブチルフェニルを水性過酸化水素で対応する誘導体に転
化して、ジイソブチルフェニルホスフィンオキシドを製
造する。
【0030】実施例4 トルエン(30mL)中のモノイソブチルホスフィン
(2.0g、0.022モル)、ヨードベンゼン(1
0.0g、0.049モル)、トリエチルアミン(5.
5g、0.054モル)およびテトラキス(トリフェニ
ルホスフィン)パラジウム(1.0g、8.6×10-4
モル)の混合物を窒素下で70℃に加熱する。混合物を
電磁気撹拌しながら70℃に4時間維持する。この時点
で混合物を周囲温度にまで放冷する。混合物をGC/M
Sによって分析すると、モノイソブチルホスフィンがジ
(フェニル)イソブチルホスフィン(分子量=242)
に95%以上転化していることが分る。
(2.0g、0.022モル)、ヨードベンゼン(1
0.0g、0.049モル)、トリエチルアミン(5.
5g、0.054モル)およびテトラキス(トリフェニ
ルホスフィン)パラジウム(1.0g、8.6×10-4
モル)の混合物を窒素下で70℃に加熱する。混合物を
電磁気撹拌しながら70℃に4時間維持する。この時点
で混合物を周囲温度にまで放冷する。混合物をGC/M
Sによって分析すると、モノイソブチルホスフィンがジ
(フェニル)イソブチルホスフィン(分子量=242)
に95%以上転化していることが分る。
【0031】実施例5 トルエン(15mL)中のビス(2,4,4−トリメチ
ルペンチル)ホスフィンスルフィド(3.0g、0.0
10モル)、ブロモベンゼン(2.0g、0.013モ
ル)、トリエチルホスフィン(2.0g、0.020モ
ル)およびテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラ
ジウム(1.0g、8.6×10−4モル)の混合物を
70℃に約30時間加熱する。この時点で混合物を分析
すると、ジアルキルホスフィンスルフィドのビス(2,
4,4−トリメチルペンチル)フェニルホスフィンスル
フィド(分子量=336)への約42%転化が起ってい
ることが分る。
ルペンチル)ホスフィンスルフィド(3.0g、0.0
10モル)、ブロモベンゼン(2.0g、0.013モ
ル)、トリエチルホスフィン(2.0g、0.020モ
ル)およびテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラ
ジウム(1.0g、8.6×10−4モル)の混合物を
70℃に約30時間加熱する。この時点で混合物を分析
すると、ジアルキルホスフィンスルフィドのビス(2,
4,4−トリメチルペンチル)フェニルホスフィンスル
フィド(分子量=336)への約42%転化が起ってい
ることが分る。
【0032】実施例6 2,4,6−トリイソプロピル−1,3−ジオキサ−5
−ホスファシクロヘキサン(5.6g、0.025モ
ル)、ブロモベンゼン(4.0g、0.026モル)、
トリエチルアミン(2.8g、0.028モル)および
テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム
(1.0g、8.6×10-4モル)の混合物を窒素下で
75℃に加熱し、この温度に24時間維持する。混合物
をGC/MSによって分析すると、出発環状ジアルキル
ホスフィンの90%以上が2,4,6−トリイソプロピ
ル−1,3−ジオキサ−5−フェニル−5−ホスファシ
クロヘキサンに転化していることが分る。粗混合物を過
酸化水素で酸化し、再結晶によって精製した後、最終ジ
アルキルモノアリールホスフィンオキシド生成物を十分
に特性決定する(mp195−198℃;31P NM
R、一重項+12.6ram;EI質量スペクトル、3
24amuでの親m/z)。
−ホスファシクロヘキサン(5.6g、0.025モ
ル)、ブロモベンゼン(4.0g、0.026モル)、
トリエチルアミン(2.8g、0.028モル)および
テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム
(1.0g、8.6×10-4モル)の混合物を窒素下で
75℃に加熱し、この温度に24時間維持する。混合物
をGC/MSによって分析すると、出発環状ジアルキル
ホスフィンの90%以上が2,4,6−トリイソプロピ
ル−1,3−ジオキサ−5−フェニル−5−ホスファシ
クロヘキサンに転化していることが分る。粗混合物を過
酸化水素で酸化し、再結晶によって精製した後、最終ジ
アルキルモノアリールホスフィンオキシド生成物を十分
に特性決定する(mp195−198℃;31P NM
R、一重項+12.6ram;EI質量スペクトル、3
24amuでの親m/z)。
【0033】実施例7 トルエン(100mL)中のジイソブチルホスフィン
(4.5g、0.031モル)、1−ブロモナフタレン
(6.5g、0.031モル)、トリエチルアミン
(3.5g、0.035モル)およびテトラキス(トリ
フェニルホスフィン)パラジウム(1.0g)の混合物
を窒素下で75℃に加熱し、この温度に10時間維持す
る。混合物をこの時点でGC/MSによって分析する
と、ジイソブチルホスフィンが1−ジイソブチルホスフ
ィノナフタレン(分子量=272)に90%以上転化し
ていることが分る。
(4.5g、0.031モル)、1−ブロモナフタレン
(6.5g、0.031モル)、トリエチルアミン
(3.5g、0.035モル)およびテトラキス(トリ
フェニルホスフィン)パラジウム(1.0g)の混合物
を窒素下で75℃に加熱し、この温度に10時間維持す
る。混合物をこの時点でGC/MSによって分析する
と、ジイソブチルホスフィンが1−ジイソブチルホスフ
ィノナフタレン(分子量=272)に90%以上転化し
ていることが分る。
【0034】実施例8 トルエン(150mL)中のジイソブチルホスフィン
(75g、0.51モル)、4−ブロモトルエン(89
g、0.52モル)、トリエチルアミン(55g、0.
54モル)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パ
ラジウム(1.0g、8.6×10-4モル)の混合物を
機械的に撹拌しながら窒素下で100℃に加熱する。混
合物をこの温度に24時間維持し、室温まで冷却する。
混合物をGC/MSによって分析すると、ジイソブチル
−ホスフィンがジイソブチル(p−トリル)ホスフィン
に約85%転化していることが分り、他の副生成物は全
く観察されない。
(75g、0.51モル)、4−ブロモトルエン(89
g、0.52モル)、トリエチルアミン(55g、0.
54モル)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パ
ラジウム(1.0g、8.6×10-4モル)の混合物を
機械的に撹拌しながら窒素下で100℃に加熱する。混
合物をこの温度に24時間維持し、室温まで冷却する。
混合物をGC/MSによって分析すると、ジイソブチル
−ホスフィンがジイソブチル(p−トリル)ホスフィン
に約85%転化していることが分り、他の副生成物は全
く観察されない。
【0035】実施例9 約5%(v/v)イソプロピルアルコールを含有するト
ルエン(30mL)中のモノイソブチルホスフィン
(2.0g、0.22モル)、ヨードベンゼン(9.5
g、0.47モル)、トリエチルアミン(5.0g、
0.049モル)、テトラキス(トリフェニルホスフィ
ン)パラジウム(1.0g、8.5×10-4モル)の混
合物を窒素下で70℃に4時間維持する。混合物をこの
時点でGC/MSによって分析すると、イソブチル(フ
ェニル)ホスフィンおよびイソブチルジ(フェニル)ホ
スフィンの1:1混合物が生成することが分り、出発物
質モノイソブチルホスフィンが残留している形跡は全く
ない。この混合物をさらに70℃で加熱すると、中間体
イソブチル(フェニル)ホスフィンが約6時間後にイソ
ブチルジ(フェニル)ホスフィンに完全に転化する。
ルエン(30mL)中のモノイソブチルホスフィン
(2.0g、0.22モル)、ヨードベンゼン(9.5
g、0.47モル)、トリエチルアミン(5.0g、
0.049モル)、テトラキス(トリフェニルホスフィ
ン)パラジウム(1.0g、8.5×10-4モル)の混
合物を窒素下で70℃に4時間維持する。混合物をこの
時点でGC/MSによって分析すると、イソブチル(フ
ェニル)ホスフィンおよびイソブチルジ(フェニル)ホ
スフィンの1:1混合物が生成することが分り、出発物
質モノイソブチルホスフィンが残留している形跡は全く
ない。この混合物をさらに70℃で加熱すると、中間体
イソブチル(フェニル)ホスフィンが約6時間後にイソ
ブチルジ(フェニル)ホスフィンに完全に転化する。
【0036】なお、本発明の主たる特徴および態様を以
下に記載する。
下に記載する。
【0037】1.一般式
【0038】
【化5】
【0039】(式中、Xは酸素または硫黄であり、nは
0または1であり、Arは置換または非置換アリール基
であり、Rは置換または非置換アルキル基であり、xは
0または1であり、そしてyおよびzは1または2であ
るが、ただしxが0である場合yおよびzの一方のみが
2であり、xが1である場合yおよびzの両方が1であ
ることを条件とする。)を有する化合物を製造する方法
において、一般式
0または1であり、Arは置換または非置換アリール基
であり、Rは置換または非置換アルキル基であり、xは
0または1であり、そしてyおよびzは1または2であ
るが、ただしxが0である場合yおよびzの一方のみが
2であり、xが1である場合yおよびzの両方が1であ
ることを条件とする。)を有する化合物を製造する方法
において、一般式
【0040】
【化6】
【0041】(式中、X、n、Rおよびzは上記と同じ
ものである)を有する化合物とアリールハリドとをゼロ
価パラジウム触媒の存在下で反応させることを含んでな
る製造方法。
ものである)を有する化合物とアリールハリドとをゼロ
価パラジウム触媒の存在下で反応させることを含んでな
る製造方法。
【0042】2.Rが2,4,4−トリメチルペンチル
である上記1に記載の方法。
である上記1に記載の方法。
【0043】3.Arがフェニルである上記1に記載の
方法。
方法。
【0044】4.Arがフェニルである上記2に記載の
方法。
方法。
【0045】5.Rがイソブチルである上記1に記載の
方法。
方法。
【0046】6.Arがフェニルである上記5に記載の
方法。
方法。
【0047】7.反応促進剤がトリエチルアミンである
下記11に記載の方法。
下記11に記載の方法。
【0048】8.触媒がテトラキス[トリフェニルホス
フィン]パラジウムである上記1に記載の方法。
フィン]パラジウムである上記1に記載の方法。
【0049】9.zが2である上記1に記載の方法。
【0050】10.yが2である上記1に記載の方法。
【0051】11.アミン塩基反応促進剤が反応の間存
在する上記1に記載の方法。
在する上記1に記載の方法。
Claims (1)
- 【請求項1】 一般式 【化1】 (式中、Xは酸素または硫黄であり、nは0または1で
あり、Arは置換または非置換アリール基であり、Rは
置換または非置換アルキル基であり、xは0または1で
あり、そしてyおよびzは1または2であるが、ただし
xが0である場合yおよびzの一方のみが2であり、x
が1である場合yおよびzの両方が1であることを条件
とする。)を有する化合物を製造する方法において、一
般式 【化2】 (式中、X、n、Rおよびzは上記と同じものである)
を有する化合物とアリールハリドとをゼロ価パラジウム
触媒の存在下で反応させることを含んでなる製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CA002144907A CA2144907A1 (en) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | Preparation of arylalkyl phosphines, phopphine oxides and sulfides |
CA2144907 | 1995-03-17 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08269073A true JPH08269073A (ja) | 1996-10-15 |
Family
ID=4155455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8081950A Pending JPH08269073A (ja) | 1995-03-17 | 1996-03-12 | アリールアルキルホスフイン、ホスフインオキシドまたはホスフインスルフイドの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0732336B1 (ja) |
JP (1) | JPH08269073A (ja) |
CN (1) | CN1064967C (ja) |
AT (1) | ATE198205T1 (ja) |
CA (1) | CA2144907A1 (ja) |
DE (1) | DE69611256T2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5874628A (en) * | 1997-03-26 | 1999-02-23 | Monsanto Company | Method for preparation of tertiary phosphines via nickel-catalyzed cross coupling |
CA2255161C (en) * | 1998-12-03 | 2003-09-16 | John H. Hillhouse | Preparation of mono- and di-arylphosphines |
US6563005B1 (en) | 1998-12-03 | 2003-05-13 | Cytec Technology Corp. | Preparation of mono- and di-arylphosphines |
CA2272447A1 (en) * | 1999-05-19 | 2000-11-19 | Cytec Technology Corp. | Preparation of mixed alkylarylphosphines or their oxides or sulfides |
CA2310353A1 (en) * | 2000-05-31 | 2001-11-30 | Cytec Technology Corp. | Synthesis of diphosphinoarenes |
CA2310355A1 (en) * | 2000-05-31 | 2001-11-30 | John H. Hillhouse | Phosphorus aromatic compounds and polymers thereof |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7017148A (ja) * | 1969-11-24 | 1971-05-26 | ||
DE4141299C2 (de) * | 1991-12-14 | 2000-09-21 | Celanese Chem Europe Gmbh | Verfahren zur Herstellung von tertiären Phosphanen |
DE4325816A1 (de) * | 1993-07-31 | 1995-02-02 | Hoechst Ag | Sekundäre und tertiäre Phosphane und Verfahren zu ihrer Herstellung |
-
1995
- 1995-03-17 CA CA002144907A patent/CA2144907A1/en not_active Abandoned
-
1996
- 1996-03-12 JP JP8081950A patent/JPH08269073A/ja active Pending
- 1996-03-15 AT AT96104188T patent/ATE198205T1/de not_active IP Right Cessation
- 1996-03-15 EP EP96104188A patent/EP0732336B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-03-15 DE DE69611256T patent/DE69611256T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-15 CN CN96104103XA patent/CN1064967C/zh not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN1064967C (zh) | 2001-04-25 |
ATE198205T1 (de) | 2001-01-15 |
DE69611256D1 (de) | 2001-01-25 |
CA2144907A1 (en) | 1996-09-18 |
EP0732336B1 (en) | 2000-12-20 |
CN1139112A (zh) | 1997-01-01 |
DE69611256T2 (de) | 2001-08-09 |
EP0732336A1 (en) | 1996-09-18 |
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