JPH08265001A - 位相器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高周波回路において給電線の長さ調整や回路
ブロックどうしのインピーダンス整合の調整をマイクロ
ストリップラインの長さの変化による位相回転を利用す
る場合、コンデンサの装荷位置の調整が容易な位相器を
得る。 【構成】 誘電体からなる基板１の上面に設けられた弧
形パターン２ａを含むストリップ導体であるストリップ
パターン２及び基板１の下面に設けられた接地導体であ
るグランドパターン５を有するマイクロストリップライ
ンと、基板１と直交して配置され弧形パターン２ａの曲
率中心を回転中心として回転可能に設けられ、かつグラ
ンドパターン５と電気的に接続された軸導体４と、一端
が軸導体４に固定され、他端が弧形パターン２ａ上に達
する長さの導体からなり、他端が所定の間隙ｄ１を隔て
て弧形パターン２ａと対向すると共に、軸導体４が回転
しても所定の間隙ｄ１が保持されるように配置された移
動導体である平板３とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、高周波回路における
位相器に関し、特に給電線の長さの調整や回路ブロック
どうしのインピーダンス整合の調整をマイクロストリッ
プラインの長さの変化による位相回転を利用して行う場
合、コンデンサの装荷位置の調整が容易な位相器に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】図１１は従来の技術の原理を説明する説
明図で、従来の位相器を用いた調整方法の一例として給
電線長の調整方法の原理を説明する図である。図１１に
おいて、８は高周波回路部である。１９ａ，１９ｂは給
電線であり、高周波回路部８の給電線１９ａ，１９ｂの
長さを調整することにより高周波回路部８のインピーダ
ンス整合をとる。１１は電源であり、１６は使用周波数
で十分インピーダンスの小さいコンデンサである。この
コンデンサの位置の移動により調整を行う。２０はグラ
ンドパターンで、給電線１９ａ，１９ｂに平行にパター
ンニングされている。なお、図１１は正面図であり、グ
ランドパターン２０には、面状のパターンであることを
示すため一部斜線を引いてあるが、これは断面部分を示
すものではない。次に動作について説明する。図１１に
示すような高周波回路部８の給電線長の調整では、高周
波回路部８側から見た電源１１側のインピーダンスが高
くなるようにする。このため高周波回路では、波動の反
射の性質を利用して任意のポイントでショートすること
により発生する定在波により、回路側から見たとき電圧
が腹で電流が節となる様にすることによって回路側から
見たその周波数でのインピーダンスを高くする手法が使
われる。またショーポイントを変化させることによりイ
ンピーダンスも変化させることができる。これをショー
トスタブという。このショートスタブの調整をする際
は、実装されたコンデンサ１６を取り外し、その位置を
移動して再度取り付けるという一連の操作を繰り返し調
整を行っていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来、調整しようとす
る線路に対してグランドと並列にコンデンサを実装して
コンデンサの位置と容量値により回路の特性を調整する
場合、コンデンサをある位置に半田付けで固定しなけれ
ば特性を確認することが出来ないという課題があった。

【０００４】この発明はかかる課題を解決するためにな
されたもので、ストリップラインに弧形パターンの部分
を形成し、基板に回転可能に導体からなる軸を設け、こ
の軸に導体を固定し、該導体が弧形パターンに対して所
定の間隙を隔てて対向しながら移動し得るようにするこ
とにより、あるいは前記軸に固定した導体は弧形パター
ンと接触させ、基板に設けた穴の内壁を導体でおおい、
この内壁と軸とが所定の間隙を隔てて対向するようにす
ることによりコンデンサの位置を連続的に移動させ得る
ようにして、調整作業を容易に行うことができる位相器
を得ることを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明の第１発明に係
る位相器は、誘電体からなる基板、この基板の上面に設
けられた弧形パターンを含むストリップ導体及び基板の
下面に設けられた接地導体からなるマイクロストリップ
ラインと、基板と直交して配置され弧形パターンの曲率
中心を回転中心として回転可能に設けられ、かつ接地導
体と電気的に接続された軸導体と、一端が軸導体に固定
され、他端が弧形パターン上に達する長さの導体からな
り、他端が所定の間隙を隔てて弧形パターンと対向する
と共に、軸導体が回転しても所定の間隙が保持されるよ
うに配置された移動導体とを備えたものである。

【０００６】第２発明に係る位相器は、第１発明におい
て、弧形パターンと移動導体とで形成される所定の間隙
を誘電体で充填したものである。

【０００７】第３発明に係る位相器は、誘電体からなる
第１の基板、この第１の基板の上面に設けられた弧形パ
ターンを含むストリップ導体及び第１の基板の下面に設
けられた接地導体からなるマイクロストリップライン
と、第１の基板と直交して配置され弧形パターンの曲率
中心を回転中心として回転可能に設けられ、かつ接地導
体と電気的に接続された軸導体と、この軸導体に固定さ
れ、少なくとも第１の基板と所定の間隙を隔てて対向す
る面を有する絶縁物からなる第２の基板と、第１の基板
と対向する面に形成され、一端が軸導体に接続され他端
が弧形パターン上に達する長さのパターンからなる移動
導体とを備えたものである。

【０００８】第４発明に係る位相器は、第３発明におい
て、弧形パターンと第１の基板と対向する面とで形成さ
れる所定の間隔を誘電体で充填したものである。

【０００９】第５発明に係る位相器は、誘電体からなる
基板、この基板の上面に設けられた弧形パターンを含む
ストリップ導体及び基板の下面に設けられた接地導体か
らなるマイクロストリップラインと、基板に弧形パター
ンの曲率中心と同心的に該基板と直交するように設けら
れ、かつその内壁は導体でおおわれると共に該導体が接
地導体と接続されている穴と、穴の内壁をおおっている
導体と所定の間隙を隔てて回転可能に設けられた軸導体
と、一端が軸導体に固定され、他端が弧形パターンと接
触する長さの導体からなる移動導体とを備えたものであ
る。

【００１０】第６発明に係る位相器は、第５発明におい
て、穴の内壁をおおっている導体と軸導体とで形成され
る所定の間隙を誘電体で充填したものである。

【００１１】第７発明に係る位相器は、誘電体からなる
第１の基板、この第１の基板の上面に設けられた弧形は
パターンを含むストリップ導体及び第１の基板の下面に
設けられた接地導体からなるマイクロストリップライン
と、第１の基板に弧形パターンの曲率中心と同心的に該
基板と直交するように設けられ、かつその内壁は導体で
おおわれると共に該導体が接地導体と接続されている穴
と、穴の内壁をおおっている導体と所定の間隙を隔てて
回転可能に設けられた軸導体と、この軸導体に固定さ
れ、少なくとも第１の基板と所定の間隙を隔てて対向す
る面を有する絶縁物からなる第２の基板と、第１の基板
と対向する面に形成され、一端が軸導体に接続され他端
が弧形パターンと接触する長さのパターンからなる移動
導体とを備えたものである。

【００１２】第８発明に係る位相器は、第７発明におい
て、穴の内壁をおおっている導体と軸導体とで形成され
る所定の間隙を誘電体で充填したものである。

【００１３】

【作用】この発明の第１発明においては、基板と直交し
て配置され弧形パターンの曲率中心を回転中心として回
転可能に設けられ、かつ接地導体と電気的に接続された
軸導体に移動導体の一端が固定され、該移動導体は他端
が弧形パターン上に達する長さを有し、他端が所定の間
隙を隔てて弧形パターンと対向すると共に、軸導体が回
転しても該所定の間隙が保持されるように配置されてい
るから、弧形パターンと移動導体とで形成されるコンデ
ンサは、その装荷位置を連続的に変化させることができ
る。

【００１４】第２発明は、第１発明において、弧形パタ
ーンと移動導体とで形成される所定の間隙を誘電体で充
填したから、コンデンサの容量をおおきくすることがで
きる。

【００１５】第３発明においては、第１の基板と直交し
て配置され弧形パターンの曲率中心を回転中心として回
転可能に設けられ、かつ接地導体と電気的に接続された
軸導体に、少なくとも第１の基板と所定の間隙を隔てて
対向する面を有する絶縁物からなる第２の基板が固定さ
れ、第１の基板と対向する面に、一端が軸導体に接続さ
れ他端が弧形パターン上に達する長さのパターンからな
る移動導体が形成されているから、弧形パターンと移動
導体とで形成されるコンデンサは、その装荷位置を連続
的に変化させることができる。さらに第２の基板を設け
たから移動導体を移動させる操作がやり易くなる。

【００１６】第４発明は、第３発明において、弧形パタ
ーンと第１の基板と対向する面とで形成される所定の間
隙を誘電体で充填したから、コンデンサの容量を大きく
することができる。

【００１７】第５発明においては、マイクロストリップ
ラインの基板には弧形パターンの曲率中心と同心的に該
基板と直交する穴が設けられ、かつその内壁は導体でお
おわれると共に該導体が接地導体と接続され、前記穴の
内壁をおおっている導体と所定の間隙を隔てて回転可能
に軸導体が設けられ、この軸導体に移動導体の一端が固
定され、該移動導体は他端が弧形パターンと接触してい
るから、前記穴の内壁をおおっている導体と軸導体とで
形成されるコンデンサは、その装荷位置を連続的に変化
させることができる。

【００１８】第６発明は、第５発明において、穴の内壁
をおおっている導体と軸導体とで形成される所定の間隙
を誘電体で充填したから、コンデンサの容量を大きくす
ることができる。

【００１９】第７発明においては、第１の基板には弧形
パターンの曲率中心と同心的に該基板と直交する穴が設
けられ、かつその内壁は導体でおおわれると共に該導体
が接地導体と接続され、前記穴の内壁をおおっている導
体と所定の間隙を隔てて回転可能に軸導体が設けられ、
この軸導体に少なくとも第１の基板と所定の間隔を隔て
て対向する面を有する絶縁物からなる第２の基板が固定
され、第１の基板と対向する面に、一端が軸導体に接続
され他端が弧形パターンと接触する長さのパターンから
なる移動導体が形成されているから、前記穴の内壁をお
おっている導体と軸導体とで形成されるコンデンサは、
その装荷位置を連続的に変化させることができる。さら
に第２の基板を設けたから移動導体を移動させる操作が
やり易くなる。

【００２０】第８発明は、第７発明において、穴の内壁
をおおっている導体と軸導体とで形成される所定の間隙
を誘電体で充填したから、コンデンサの容量を大きくす
ることができる。

【００２１】

【実施例】

実施例１．図１はこの発明の実施例１による位相器の構
成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
図１において、１は誘電体からなる基板であり、上面に
弧形パターン２ａと直線パターン２ｂとで構成されたス
トリップ導体（以下、ストリップパターンと記す）２が
設けられている。また、基板１の下面全面にはマイクロ
ストップラインの地板となる接地導体（以下、グランド
パターンと記す）５が設けられている。そして、基板
１、ストリップパターン２及びグンドパターン５により
一定の特性インピーダンスを有するマイクロストリップ
ラインが構成されている。４は回転軸導体で、弧形パタ
ーン２ａの曲率中心を回転中心として回転可能に設けら
れている。また、回転軸導体４はグランドパターン５と
電気的に接続されている。３は導体からなる平板で、一
端が回転軸導体４に固定されており、弧形パターン２ａ
の外側曲率半径と同等の長さを有している。平板３と弧
形パターン２ａとは、平面図（ａ）で見たときは直角に
交わっており、側面図（ｂ）で見たときは弧形パターン
２ａに対して距離ｄ１の間隙が保持されるように配置さ
れている。つまり、基板１の上面に対して平行に配置さ
れている。この平板３は、回転軸導体４を中心にして他
端が弧形パターン２ａ上を移動する。なお、図１に示す
弧形パターン２ａは円形に近いが、完全な円形になって
はいないので、この明細書では図１に示すような形状も
含めて弧形パターンと呼ぶことにする。

【００２２】６ａ，６ｂはストリップパターン２の接続
端子であり、例えばスルーホールを半分に切断して得ら
れるハーフスルーホールによって形成されている。他に
図示しないがグランドパターン５の接続端子が数個所設
けてある。この端子は、例えばストリップパターン２を
避けた位置にハーフスルーホールにより設ける。また、
表面実装用の端子などでもよい。５１はプラスチックで
形成された上部軸受、５２はプラスチックで形成された
下部軸受であり、回転軸導体４の軸方向の位置を決める
部品である。上部軸受５１は、例えばＥ形止め輪と同等
の形状に形成し、これを回転軸導体４に設けた溝４１に
はめ込んだ後軸受５１を基板１に固定する。このように
することにより、回転軸導体４がその軸方向に移動する
のがおさえられ、間隙ｄ１が保持される。なお、回転軸
導体４の回転中心は、弧形パターン２ａの曲率中心と同
心的にあけられた穴に、回転軸導体４を嵌め込むことに
よって決まる。

【００２３】実施例１の位相器は、上記のように構成さ
れているから、平板３の先端部と弧形パターン２ａとが
重なる部分に、対向する導体を電極とするコンデンサＣ
１が形成される。そして、このコンデンサＣ１は一方の
端子が弧形パターン２ａに接続され、他方の端子が回転
軸導体４を介してグランドパターン５に接続されている
ことになり移動導体である平板３を移動させることによ
り、マイクロストリップラインの弧形パターン２ａ上
で、その装荷位置が連続的に変化する。従って、ショー
トスタブの調整や、インピーダンスの整合が容易とな
る。

【００２４】図２は上記実施例１による位相器をショー
トスタブの一部に接続したときの説明図である。図２に
おいて、７は実施例１の位相器、８は高周波回路部で、
この例は高周波増幅器である。９ａ，９ｂは給電線、１
０ａは出力ライン、１０ｂは入力ラインである。図２に
示すような高周波増幅回路の給電線では使用周波数にお
いて増幅器側から給電線を見たインピーダンスを高くし
なければならない。この時用いられるのがショートスタ
ブである。図２は、給電線の一部に実施例１の位相器７
を挿入したもので、給電線９ａ，９ｂはストリップパタ
ーン２と接続されている。グランドパターン５は増幅器
８のグランドと接続されている。そして、高周波回路部
８から給電線９ａを通り位相器７のストリップパターン
２の平板３の位置迄によりショートスタブが構成されて
いる。上記のように接続することにより、直流電流は給
電線９ｂ、ストリップパターン２及び給電線９ａを介し
て増幅器８に供給される。一方、高周波電流は給電線９
ａ及びストリップパターン２を流れた後コンデンサＣ１
を介してグランドへ流れる。この時、回転軸導体４は回
転可能になっているから、平板３の位置を移動させて、
つまりコンデンサＣ１の装荷位置を移動させて、最良の
ポイントに容易に調整することができる。即ち、波動の
反射の性質を利用して任意のポイントでショートするこ
とにより発生する定在波により、回路側から見たとき電
圧が腹で電流が節となる様にすることによって回路側か
ら見たその周波数でのインピーダンスを高くする手法に
おいて、コンデンサの装荷位置の調整作業が容易に行え
る。なお、コンデンサＣ１の容量値は使用周波数で十分
インピーダンスが小さくなるように設定する。また、シ
ョートスタブの長さは理論的にどの位の長さが最適であ
るが決まるので、位相器７の弧形パターン２ａの大体真
中で最適となるように、ストリップパターン２の長さと
の関係で給電線９ａの長さを予め決めて作っておき、図
２に示すような装置を完成させる段階で平板３を移動さ
せて微調整を行うようにする。

【００２５】図３は上記実施例１の位相器をインピーダ
ンス整合に用いたときの説明図である。図３において、
図２と同一符号を付した部分は同一部分を示している。
１５ａ，１５ｂは伝送線路で、この伝送線路もマイクロ
ストリップラインで構成されている。Ｃ１は平板３と弧
形パターン２ａとで形成されるコンデンサである。位相
器７は高周波回路部８の出力ポートに接続されている。
Ｚ₀ は伝送線線路を構成するマイクロストリップライン
の特性インピーダンスである。図３では高周波回路部８
の出力ポートをマイクロストリップラインの特性インピ
ーダンスＺ₀ に整合することができる。この整合は、高
周波回路部８の出力ポートから平板３にいたる伝送線路
１５ｂとストリップパターン２とによるストリップライ
ンの長さによる定在波の位相回転とコンデンサＣ１の組
み合せにより行う。この場合はコンデンサＣ１は、平板
３の幅、弧形パターン２ａの幅、間隙ｄ１などを適当に
設定して必要な容量が得られるように設計する必要があ
る。

【００２６】実施例２．図４は実施例２による位相器の
構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ線断面図である。図４において、図１〜図３と同一符
号を付した部分は同一部分を示している。この実施例２
は、弧形パターン２ａと間隙ｄ１を隔てて配置されてい
る平板３との間に誘電体２１を充填したものである。な
お、実施例１は間隙ｄ１の部分が空気である。図４では
基板１の上面全面に誘電体２１が一定の厚さで充填され
ている。そして、平板３は誘電体２１に接しながら移動
するようになっている。この実施例２によれば、実施例
１と同様の効果が得られ、さらに誘電体２１の作用によ
りコンデンサＣ１の容量値を実施例１の場合に比べて大
きくすることができる。なお、実施例２では、誘電体２
１が基板１の上面全面に充填されているが、コンデンサ
Ｃ１が形成される部分、つまり弧形パターン２ａの上部
だけに一定の厚さで充填することでもよい。

【００２７】実施例３．図５は実施例３による位相器の
構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ線断面図である。図５において、図１〜図４と同一符
号を付した部分は同一部分を示している。図５におい
て、２３は第２の基板で、この実施例３では絶縁物から
なる円形基板である。この円形基板２３は回転軸導体４
に固定され、基板１と所定の間隙を隔てて対向する面２
３ａを有しており、この面２３ａには印刷配線により板
状パターン３１が形成されている。この板状パターン３
１の一端は回転軸導体４に接続されている。また、他端
は弧形パターン２ａの外周に達する長さを有している。
この実施例３によれば、円形基板２３の回転により移動
導体である帯状パターン３１が、弧形パターン２ａと間
隙ｄ１を保って移動する。従って、帯状パターン３１の
先端部と弧形パターン２ａとが重なる部分に、対向する
導体を電極として形成されるコンデンサＣ１は、板状パ
ターン３１の移動に伴って、マイクロストリップライン
の弧形パターン２ａ上でその装荷位置が連続的に変化す
る。また、実施例３では、回転軸導体４に第２の基板で
ある円形基板２３を設けているから、板状パターン３１
を移動させる操作がやり易い。なお、円形基板２３は円
形に限らず多角形でよい。また、板状パターン３１を移
動させる操作がし易い状態であればよく、形状は適宜選
定することができる。

【００２８】実施例４．図６は実施例４による位相器の
断面図であり、図５（ｂ）と同じ部分で断面した断面図
である。図６において、図１〜図５と同一符号を付した
部分は同一部分を示している。この実施例４は、実施例
３において、弧形パターン２ａと間隙ｄ１を隔てて配置
されている板状パターン３１との間に誘電体２１を充填
したものである。実施例４では、基板１の上面全面に誘
電体２１が一定の厚さで充填されている。この点は、図
４に示す実施例２と同じである。この実施例４によれ
ば、実施例３と同様の効果が得られ、さらに誘電体２１
の作用によりコンデンサＣ１の容量値を実施例３の場合
に比べ大きくすることができる。なお、実施例４では、
誘電体２１か基板１の上面全面に充填されているが、コ
ンデンサＣ１が形成される部分、つまり弧形パターン２
ａの上部だけに一定の厚さで充填することでもよい。こ
の点は実施例２と同様である。

【００２９】実施例５．図７はこの発明の実施例５によ
る位相器の構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。図７において、図１〜
図６と同一符号を付した部分は同一部分を示している。
図７において、２５は基板１にあけた穴で、弧形パター
ン２ａの曲率中心と同心的に基板１に直交させて設けて
ある。２６は穴２５の内壁をおおう導体で、例えばスル
ーホールを形成する際のメッキにより形成し、形成され
た導体はグランドパターン５と接続されている。この実
施例５では、回転軸導体４は、穴２５の内壁をおおって
いる導体２６と間隙ｄ２を隔てて軸受５１，５２により
回転可能に設けられている。また、平板３の他端は弧形
パターン２ａと接触している。実施例５では、上部軸受
５１は回転軸導体４の軸方向の位置を決めると共に回転
中心を決める作用をしている。実施例５は上記のように
構成されているから、回転軸導体４と穴２５の内壁をお
おっている導体２６とによりコンデンサＣ２が形成され
ている。そして、このコンデンサＣ２は一方の端子が弧
形パターン２ａに接続され、他方の端子がグランドパタ
ーン５に接続されていることになり、移動導体である平
板３を移動させることにより、ストリップパターン２ａ
上でその装荷位置が連続的に変化する。この実施例５に
よれば実施例１と同様の効果が得られる。

【００３０】実施例６．図８はこの発明の実施例６によ
る位相器の断面図であり、図７（ｂ）と同じ部分で断面
した断面図である。図８において、図１〜図７と同一符
号を付した部分は同一部分を示している。図８におい
て、２７は回転軸導体４と穴２５の内壁をおおっている
導体２６とで形成される間隙ｄ２に充填された誘電体で
ある。この実施例６によれば、実施例５と同様の効果が
得られ、さらに誘電体２７の作用によりコンデンサＣ２
の容量値を実施例５の場合に比べて大きくすることがで
きる。

【００３１】実施例７．図９はこの発明の実施例７によ
る位相器の構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。図９において、図１〜
図８と同一符号を付した部分は同一部分を示している。
この実施例７は、実施例５において実施例３と同様の第
２の基板である円形基板２３を回転軸導体４に固定した
ものである。この円形基板２３は基板１と所定の間隙を
隔てて対向する面２３ａを有しており、この面２３ａに
は印刷配線により板状パターン３１が形成されている。
この板状パターン３１の一端は回転軸導体４に接続され
ており、他端は弧形パターン２ａと接触できるだけの長
さを有している。この実施例７によれば、円形基板２３
を回転させると移動導体である板状パターン３１は、そ
の先端が弧形パターン２ａと接触しながら移動する。従
って、回転軸導体４と穴２５の内壁をおおっている導体
２６とにより形成されるコンデンサＣ２は、板状パター
ン３１の移動にしたがって弧形パターン２ａ上でその装
荷位置が連続的に変化する。この実施例７によれば、実
施例５と同様の効果が得られ、さらに円形基板２３を固
定したことにより板状パターン３１を移動させる操作が
やり易い。なお、円形基板２３は円形に限らず多角形な
どでもよいことは、実施例３と同様である。

【００３２】実施例８．図１０はこの発明の実施例８に
よる位相器の断面図であり、図９（ｂ）と同じ部分で断
面した断面図である。図１０において、図１〜図９と同
一符号を付した部分は同一部分を示している。この実施
例８は、実施例７において回転軸導体４と穴２５の内壁
をおおう導体２６とにより形成される間隙ｄ２に誘電体
２７を充填したものである。この実施例８によれば、実
施例７と同様の効果が得られる。さらに誘電体２７の作
用によりコンデンサＣ２の容量値を実施例７の場合に比
べ大きくすることができる。

【００３３】

【発明の効果】この発明の第１発明は以上説明したとお
り、基板と直交して配置され弧形パターンの曲率中心を
回転中心として回転可能に設けられ、かつ接地導体と電
気的に接続された軸導体に移動導体の一端が固定され、
該移動導体は他端が弧形パターン上に達する長さを有
し、他端が所定の間隙を隔てて弧形パターンと対向する
と共に、軸導体が回転しても該所定の間隙が保持される
ように配置されているから、弧形パターンと移動導体と
で形成されるコンデンサは、その装荷位置を連続的に変
化させることができる。従って、ショートスタブの長さ
の調整やインピーダンス整合における調整作業が容易に
なるという効果がある。

【００３４】第２発明は以上説明したとおり、第１発明
において、弧形パターンと移動導体とで形成される所定
の間隙を誘電体で充填したから、コンデンサの容量を大
きくすることができる。従って、インピーダンス整合に
おける調整範囲が広くなるという効果がある。

【００３５】第３発明は以上説明したとおり、第１の基
板と直交して配置され弧形パターンの曲率中心を回転中
心として回転可能に設けられ、かつ接地導体と電気的に
接続された軸導体に、少なくとも第１の基板と所定の間
隙を隔てて対向する面を有する絶縁物からなる第２の基
板が固定され、第１の基板と対向する面に、一端が軸導
体に接続され他端が弧形パターン上に達する長さのパタ
ーンからなる移動導体が形成されているから、弧形パタ
ーンと移動導体とで形成されるコンデンサは、その装荷
位置を連続的に変化させることができる。従って、ショ
ートスタブの長さの調整やインピーダンス整合における
調整作業が容易になる。さらに第２の基板を設けたから
移動導体を移動させる操作がやり易くなるという効果が
ある。

【００３６】第４発明は以上説明したとおり、第３発明
において、弧形パターンと第１の基板と対向する面とで
形成される所定の間隙を誘電体で充填したから、コンデ
ンサの容量を大きくすることができる。従って、インピ
ーダンス整合における調整範囲が広くなるという効果が
ある。

【００３７】第５発明は以上説明したとおり、マイクロ
ストリップラインの基板には弧形パターンの曲率中心と
同心的に該基板と直交する穴が設けられ、かつその内壁
は導体でおおわれると共に該導体が接地導体と接続さ
れ、前記穴の内壁をおおっている導体と所定の間隙を隔
てて回転可能に軸導体が設けられ、この軸導体に移動導
体の一端が固定され、該移動導体は他端が弧形パターン
と接触しているから、前記穴の内壁をおおっている導体
と軸導体とで形成されるコンデンサは、その装荷位置を
連続的に変化させることができる。従って、ショートス
タブの長さの調整やインピーダンス整合における調整作
業が容易になるという効果がある。

【００３８】第６発明は以上説明したとおり、第５発明
において、穴の内壁をおおっている導体と軸導体とで形
成される所定の間隙を誘電体で充填したから、コンデン
サの容量を大きくすることができる。従って、インピー
ダンス整合における調整範囲が広くなるという効果があ
る。

【００３９】第７発明は以上説明したとおり、第１の基
板には弧形パターンの曲率中心と同心的に該基板と直交
する穴が設けられ、かつその内壁は導体でおおわれると
共に該導体が接地導体と接続され、前記穴の内壁をおお
っている導体と所定の間隙を隔てて回転可能に軸導体が
設けられ、この軸導体に少なくとも第１の基板と所定の
間隙を隔てて対向する面を有する絶縁物からなる第２の
基板が固定され、第１の基板と対向する面に、一端が軸
導体に接続され他端が弧形パターンと接触する長さのパ
ターンからなる移動導体が形成されているから、前記穴
の内壁をおおっている導体と軸導体とで形成されるコン
デンサは、その装荷位置を連続的に変化させることがで
きる。従って、ショートスタブの長さの調整やインピー
ダンス整合における調整作業が容易になる。さらに、第
２の基板を設けたから移動導体を移動させる操作がやり
易くなるという効果がある。

【００４０】第８発明は以上説明したとおり、第７発明
において、穴の内壁をおおっている導体と軸導体とで形
成される所定の間隙を誘電体で充填したから、コンデン
サの容量を大きくすることができる。従って、インピー
ダンス整合における調整範囲が広くなるという効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施例１による位相器の構成図で
ある。

【図２】 実施例１の位相器をショートスタブの一部に
接続したときの説明図である。

【図３】 実施例１の位相器をインピーダンス整合に用
いたときの説明図である。

【図４】 この発明の実施例２による位相器の構成図で
ある。

【図５】 この発明の実施例３のによる位相器の構成図
である。

【図６】 この発明の実施例４による位相器の断面図で
ある。

【図７】 この発明の実施例５による位相器の構成図で
ある。

【図８】 この発明の実施例６による位相器の断面図で
ある。

【図９】 この発明の実施例７による位相器の構成図で
ある。

【図１０】 この発明の実施例８による位相器の断面図
である。

【図１１】 従来の技術の原理を説明する説明図であ
る。

【符号の説明】

１ 基板、２ ストリップパターン、２ａ 弧形パター
ン、２ｂ 直線パターン、３ 平板、４ 回転軸導体、
５，２０ グランドパターン、６ａ，６ｂ 接続端子、
７ 位相器、８ 高周波回路部、９ａ，９ｂ，１９ａ，
１９ｂ 給電線、１２ 特性インピーダンス、１５ａ，
１５ｂ 伝送線路、１６ コンデンサ、２１，２７ 誘
電体、２３ 円形基板、２５ 穴、２６ 導体、３１
板状パターン、５１ 上部軸受、５２ 下部軸受、Ｃ
１，Ｃ２ コンデンサ、ｄ１，ｄ２間隙。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電体からなる基板、この基板の上面に
   設けられた弧形パターンを含むストリップ導体及び前記
   基板の下面に設けられた接地導体からなるマイクロスト
   リップラインと、 前記基板と直交して配置され前記弧形パターンの曲率中
   心を回転中心として回転可能に設けられ、かつ前記接地
   導体と電気的に接続された軸導体と、 一端が前記軸導体に固定され、他端が前記弧形パターン
   上に達する長さの導体からなり、前記他端が所定の間隙
   を隔てて前記弧形パターンと対向すると共に、前記軸導
   体が回転しても前記所定の間隙が保持されるように配置
   された移動導体とを備えた位相器。
2. 【請求項２】 前記弧形パターンと前記移動導体とで形
   成される所定の間隔を誘電体で充填したことを特徴とす
   る請求項１記載の位相器。
3. 【請求項３】 誘電体からなる第１の基板、この第１の
   基板の上面に設けられた弧形パターンを含むストリップ
   導体及び前記第１の基板の下面に設けられた接地導体か
   なるマイクロストリップラインと、 前記第１の基板と直交して配置され前記弧形パターンの
   曲率中心を回転中心として回転可能に設けられ、かつ前
   記接地導体と電気的に接続された軸導体と、 この軸導体に固定され、少なくとも前記第１の基板と所
   定の間隙を隔てて対向する面を有する絶縁物からなる第
   ２の基板と、 前記第１の基板と対向する面に形成され、一端が前記軸
   導体に接続され他端が前記弧形パターン上に達する長さ
   のパターンからなる移動導体とを備えた位相器。
4. 【請求項４】 前記弧形パターンと前記第１の基板と対
   向する面とで形成される所定の間隙を誘電体で充填した
   ことを特徴とする請求項３記載の位相器。
5. 【請求項５】 誘電体からなる基板、この基板の上面に
   設けられた弧形パターンを含むストリップ導体及び前記
   基板の下面に設けられた接地導体からなるマイクロスト
   リップラインと、 前記基板に前記弧形パターンの曲率中心と同心的に該基
   板と直交するように設けられ、かつその内壁は導体でお
   おわれると共に該導体が前記接地導体と接続されている
   穴と、 前記穴の内壁をおおっている導体と所定の間隙を隔てて
   回転可能に設けられた軸導体と、 一端が前記軸導体に固定され、他端が前記弧形パターン
   と接触する長さの導体からなる移動導体とを備えた位相
   器。
6. 【請求項６】 前記穴の内壁をおおっている導体と前記
   軸導体とで形成される所定の間隙を誘電体で充填したこ
   とを特徴とする請求項５記載の位相器。
7. 【請求項７】 誘電体からなる第１の基板、この第１の
   基板の上面に設けられた弧形パターンを含むストリップ
   導体及び前記第１の基板の下面に設けられた接地導体か
   らなるマイクロストリップラインと、 前記第１の基板に前記弧形パターンの曲率中心と同心的
   に該基板と直交するように設けられ、かつその内壁は導
   体でおおわれると共に該導体が前記接地導体と接続され
   ている穴と、 前記穴の内壁をおおっている導体と所定の間隙を隔てて
   回転可能に設けられた軸導体と、 この軸導体に固定され、少なくとも前記第１の基板と所
   定の間隙を隔てて対向する面を有する絶縁物からなる第
   ２の基板と、 前記第１の基板と対向する面に形成され、一端が前記軸
   導体に接続され他端が前記弧形パターンと接触する長さ
   のパターンからなる移動導体とを備えた位相器。
8. 【請求項８】 前記穴の内壁をおおっている導体と前記
   軸導体とで形成される所定の間隙を誘電体で充填したこ
   とを特徴とする請求項７記載の位相器。