JPH08262252A - Production of optical waveguide film - Google Patents

Production of optical waveguide film

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JPH08262252A
JPH08262252A JP9453495A JP9453495A JPH08262252A JP H08262252 A JPH08262252 A JP H08262252A JP 9453495 A JP9453495 A JP 9453495A JP 9453495 A JP9453495 A JP 9453495A JP H08262252 A JPH08262252 A JP H08262252A
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JP
Japan
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torch
rotary table
distance
optical waveguide
moving speed
Prior art date
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Application number
JP9453495A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazutaka Nara
一孝 奈良
Shoichi Ozawa
章一 小沢
Takeo Shimizu
健男 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
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    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00Other methods of shaping glass
    • C03B19/14Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
    • C03B19/1484Means for supporting, rotating or translating the article being formed
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00Other methods of shaping glass
    • C03B19/14Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
    • C03B19/1415Reactant delivery systems
    • C03B19/1423Reactant deposition burners
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/60Relationship between burner and deposit, e.g. position
    • C03B2207/66Relative motion
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
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Abstract

PURPOSE: To provide a process for producing an optical waveguide film capable of forming optical waveguide films of a uniform film thickness. CONSTITUTION: Substrates 4 are placed on a rationally moving turntable 6. A torch 3 which moves linearly back and forth on a diameter line R is disposed apart spacings from the substrates 4 on the front surface side of the substrates 4, independently from the turntable 6. Laminated particle layers are formed on the surfaces of the substrates 4 by injecting glass particulates to the surfaces from the torch 3 which controlling the moving speed vb(t) of the torch 3 in such a manner that the speed is inversely proportional to the distance r(t) of the torch 3 from the center C of rotation of the turntable in accordance with the control equation of vb(t)=(r0 /r(t)).vb0 . The moving speed of the torch 3 is controlled by polynomial expansion of the distance r(t) of the torch 3 in the equation of r(t)=r.(1±vb0 .t/r0 ).(1-ax-bx<2> -cx<3> -dx<4> ) from the control equation of the torch moving speed vb(t) as X= vb0 .t/r±vb0 .t)}<2> to determine respective constants (a) to (d) and applying these constants into the control equation of the moving speed of the torch.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えばガラス微粒子等
により薄膜を積層形成して製造する光導波路膜の製造方
法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an optical waveguide film, which is manufactured by laminating thin films of, for example, glass fine particles.

【0002】[0002]

【従来の技術】図1には、ガラス微粒子等により薄膜を
積層形成することにより光導波路膜を製造する装置の一
例が示されている。同図において、チャンバー9の上部
側には、図示されていないテーブル回転機構により、図
のA方向に回転運動を行うドーナツ形状の回転テーブル
6が配設されており、回転テーブル6上には均熱板8を
介して、複数の円形状の基板4が載置されている。回転
テーブル6の上部側には、図1では説明を容易にするた
めトーチ3および排気管5とが横向きに描かれている
が、実際にはガラス微粒子を噴射する細径のトーチ3が
その噴出孔を基板4と間隔を介して対向配設されてお
り、トーチ3の微粒子噴射口11と対向して、排気管5が
設けられている。
2. Description of the Related Art FIG. 1 shows an example of an apparatus for producing an optical waveguide film by laminating thin films of glass particles or the like. In the figure, on the upper side of the chamber 9, a donut-shaped rotary table 6 that performs a rotary motion in the direction A in the figure by a table rotating mechanism (not shown) is arranged, and the doughnut-shaped rotary table 6 is evenly arranged on the rotary table 6. A plurality of circular substrates 4 are placed via the heating plate 8. In FIG. 1, the torch 3 and the exhaust pipe 5 are drawn sideways on the upper side of the rotary table 6 for ease of explanation, but in reality, the torch 3 having a small diameter for ejecting fine glass particles is ejected. The holes are arranged so as to face the substrate 4 with a gap therebetween, and the exhaust pipe 5 is provided so as to face the fine particle ejection port 11 of the torch 3.

【0003】なお、トーチ3には、例えばSiCl4
の原料ガスと、例えばO2 ,H2 等の助燃性ガスおよび
可燃性ガスが原料供給系から供給されるようになってお
り、それにより、火炎10中で合成した例えばSiO2
の堆積物を基板4の表面側に堆積形成できるようになっ
ている。また、堆積物の合成の際に生じる排ガスは、排
気管5から排ガス処理系に導かれて排気される。
The torch 3 is supplied with a raw material gas such as SiCl 4 and a supporting gas and a combustible gas such as O 2 and H 2 from a raw material supply system. A deposit such as SiO 2 synthesized in the flame 10 can be deposited and formed on the surface side of the substrate 4. Further, the exhaust gas generated during the synthesis of the deposit is guided to the exhaust gas processing system through the exhaust pipe 5 and exhausted.

【0004】このトーチ3は、前記回転テーブル6とは
独立に、回転テーブル6の回転中心Cの位置を通る径線
R上の指定範囲内(回転テーブル6の内周14の少し内側
から外周13の少し外側までの範囲)で往復直線移動を行
うように構成されており、トーチ3および排気管5を有
する微粒子層堆積装置15には図示されていないトーチ移
動機構が設けられている。このトーチ移動機構には、ト
ーチ3の移動速度を制御する制御部が設けられており、
回転テーブル6の回転中心Cの位置からトーチ3の初期
位置までの径線R方向の距離をr0 、トーチ3の初期移
動速度をvb0、回転テーブル6の回転中心Cの位置か
ら時刻tにおけるトーチ3の位置までの径線R方向の距
離をr(t)、時刻tにおけるトーチ3の移動速度をv
b(t)としたときに、次式(1)に示す制御式に基づ
いてトーチ3の移動速度を制御するようになっている。
This torch 3 is independent of the rotary table 6 and within a specified range on the radial line R passing through the position of the center of rotation C of the rotary table 6 (from slightly inside the inner circumference 14 to the outer circumference 13 of the rotary table 6). In the fine particle layer deposition apparatus 15 having the torch 3 and the exhaust pipe 5, a torch moving mechanism (not shown) is provided. The torch moving mechanism is provided with a control unit that controls the moving speed of the torch 3.
At the time t from the position of the center of rotation C of the rotary table 6 to the initial position of the torch 3, the distance in the radial line R direction is r 0 , the initial moving speed of the torch 3 is vb 0 . The distance in the radial direction R to the position of the torch 3 is r (t), and the moving speed of the torch 3 at time t is v.
When b (t) is set, the moving speed of the torch 3 is controlled based on the control equation shown in the following equation (1).

【0005】 vb(t)=dr/dt=(r0 /r(t))・vb0 ・・・・・(1)Vb (t) = dr / dt = (r 0 / r (t)) · vb 0 (1)

【0006】言い換えれば、時刻tにおけるトーチ3の
移動速度vb(t)は、時刻tにおけるトーチ3の回転
テーブル回転中心位置からの径線R方向の距離r(t)
に反比例するように制御されるようになっている。
In other words, the moving speed vb (t) of the torch 3 at the time t is the distance r (t) in the radial line R direction from the position of the rotation table rotation center of the torch 3 at the time t.
It is designed to be controlled in inverse proportion to.

【0007】この装置を用いて光導波路膜を製造すると
きには、前記テーブル回転機構(図示せず)により、回
転テーブル6を図のA方向に回転させながら、トーチ移
動機構(図示せず)により、上記式(1)に基づいて、
トーチ3の移動速度vb(t)が回転テーブル6の回転
中心位置からの径線R方向の距離に反比例するように制
御して移動させる。そして、この制御移動を行いなが
ら、トーチ3から基板4の表面に導波路形成用微粒子を
噴射して単位微粒子層を形成し、この操作を複数回反復
することにより積層微粒子層を形成する。その後、積層
微粒子層が形成された基板4をまとめて炉等に収容し、
炉等によって高温で加熱処理を施すことによりガラス微
粒子等の導波路形成用微粒子を透明化して光導波路膜を
形成する。
When an optical waveguide film is manufactured using this apparatus, the table rotating mechanism (not shown) is used to rotate the rotary table 6 in the direction A of the drawing while the torch moving mechanism (not shown) is used. Based on the above formula (1),
The moving speed vb (t) of the torch 3 is controlled and moved so as to be inversely proportional to the distance from the rotation center position of the rotary table 6 in the radial line R direction. Then, while performing this controlled movement, the torch 3 ejects the fine particles for forming a waveguide onto the surface of the substrate 4 to form a unit fine particle layer, and this operation is repeated a plurality of times to form a laminated fine particle layer. After that, the substrates 4 on which the laminated fine particle layer is formed are collectively housed in a furnace or the like,
Heat treatment is performed at a high temperature in a furnace or the like to make fine particles for forming a waveguide, such as glass fine particles, transparent to form an optical waveguide film.

【0008】なお、トーチ3の移動速度vb(t)を制
御する際に、時刻tにおける回転テーブル6の回転角速
度をω(t)とすると、vb(t)≪r(t)・ω
(t)の関係が成り立つようにする。また、回転テーブ
ル6の角速度は、一定の回転角速度としてもよく、ある
いは、時刻tにおけるトーチ3の回転テーブル回転中心
位置からの径線R方向の距離r(t)に反比例するよう
にしてもよい。回転テーブル6の初期角速度をω0 とす
ると、回転テーブル6が一定の回転角速度で移動すると
きの回転テーブル角速度ω(t)は、次式(2)に示す
角速度となり、一方、トーチ3の回転テーブル中心位置
からの距離r(t)に反比例するように回転するときの
回転テーブル角速度ω(t)は、次式(3)に示す角速
度となる。
When the moving speed vb (t) of the torch 3 is controlled, if the rotation angular speed of the rotary table 6 at time t is ω (t), then vb (t) << r (t) ω
Make the relationship of (t) hold. Further, the angular velocity of the rotary table 6 may be a constant rotational angular velocity, or may be inversely proportional to the distance r (t) in the radial line R direction from the rotary table rotation center position of the torch 3 at time t. . When the initial angular velocity of the rotary table 6 is ω 0 , the rotary table angular velocity ω (t) when the rotary table 6 moves at a constant rotary angular velocity becomes the angular velocity shown in the following equation (2), while the rotation of the torch 3 The rotation table angular velocity ω (t) when rotating so as to be inversely proportional to the distance r (t) from the table center position is the angular velocity shown in the following expression (3).

【0009】ω(t)=ω0 ・・・・・(2)Ω (t) = ω 0 (2)

【0010】 ω(t)=(r0 /r(t))・ω0 =(r0 ・ω0 )/r(t)・・・・・ (3)Ω (t) = (r 0 / r (t)) · ω 0 = (r 0 · ω 0 ) / r (t) (3)

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の光導波路の製造方法を用いて実際に光導波
路膜を形成したところ、例えば基板4の表面の傾きによ
って基板4の表面とトーチ3との間隔がトーチ3の回転
テーブル中心位置からの距離によって異なる場合等は、
基板4の表面側に形成される光導波路膜の膜厚が、回転
テーブル6の外周13側と内周14側で異なる厚みに形成さ
れてしまい、均一な光導波路膜を形成することができな
いといった問題が生じた。
However, when an optical waveguide film is actually formed by using the above-described conventional method for manufacturing an optical waveguide, the surface of the substrate 4 and the torch 3 are caused by the inclination of the surface of the substrate 4, for example. If the distance between and differs depending on the distance from the center of the rotary table of the torch 3, etc.,
The film thickness of the optical waveguide film formed on the front surface side of the substrate 4 is different between the outer circumference 13 side and the inner circumference 14 side of the rotary table 6, and it is impossible to form a uniform optical waveguide film. There was a problem.

【0012】本発明は上記の課題を解決するためになさ
れたものであり、その目的は、たとえ基板の傾き等によ
り回転テーブルの外周側と回転中心側とで基板表面とト
ーチとの距離が異なっていたとしても、基板表面にほぼ
均一な膜厚の光導波路膜を形成することができる光導波
路膜の製造方法を提供することにある。
The present invention has been made in order to solve the above problems, and an object thereof is to make the distance between the substrate surface and the torch different between the outer peripheral side of the rotary table and the rotation center side due to the inclination of the substrate and the like. Even if it is, it is to provide a method of manufacturing an optical waveguide film capable of forming an optical waveguide film having a substantially uniform film thickness on the substrate surface.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は次のように構成されている。すなわち、本発
明は、回転運動を行う回転テーブル上に基板を載置し、
該回転テーブルとは独立に該回転テーブルの回転中心位
置を通る径線上で往復直線移動を行うトーチを前記基板
の表面側に該基板と間隔を介して配設し、前記回転テー
ブル回転中心位置からトーチ初期位置までの前記径線方
向の距離をr0 、該トーチの初期移動速度をvb0 、前
記回転テーブル回転中心位置から時刻tにおけるトーチ
の位置までの前記径線方向の距離をr(t)、時刻tに
おけるトーチの移動速度をvb(t)としたときに、v
b(t)=(r0 /r(t))・vb0 の制御式に基づ
いて、時刻tにおけるトーチの移動速度vb(t)が時
刻tにおけるトーチの回転テーブル回転中心位置からの
前記径線方向の距離r(t)に反比例するように制御し
ながら、該トーチから前記基板表面に導波路形成用微粒
子を噴射して単位微粒子層を形成する操作を複数回反復
することにより積層微粒子を形成し、然る後に該積層微
粒子層に加熱処理を施して光導波路膜を形成する光導波
路膜の製造方法であって、X={vb0 ・t/(r0 ±
vb0 ・t)}2 として前記トーチ移動速度vb(t)
の制御式から前記時刻tにおけるトーチの距離r(t)
を定数a,b,c,dを含む、r(t)=r0 ・(1±
vb0 ・t/r0 )・(1−ax−bx2 −cx3 −d
4 )の式に多項式展開し、この展開式の各定数a,
b,c,dをそれぞれ決定して前記トーチ移動速度vb
(t)の制御式に代入することにより該トーチの移動速
度vb(t)を制御することを特徴として構成されてい
る。
In order to achieve the above object, the present invention is constructed as follows. That is, the present invention places the substrate on a rotary table that performs rotary motion,
A torch for performing reciprocating linear movement on a radial line passing through the rotation center position of the rotation table independently of the rotation table is disposed on the front surface side of the substrate with a space from the substrate, and the torch is rotated from the rotation table rotation center position. The radial distance to the torch initial position is r 0 , the initial moving speed of the torch is vb 0 , and the radial distance from the rotary table rotation center position to the torch position at time t is r (t ), When the moving speed of the torch at time t is vb (t), v
Based on the control equation of b (t) = (r 0 / r (t)) · vb 0 , the moving speed vb (t) of the torch at time t is the diameter from the rotary table rotation center position of the torch at time t. While controlling so as to be inversely proportional to the distance r (t) in the line direction, the operation of ejecting the fine particles for forming a waveguide from the torch onto the surface of the substrate to form the unit fine particle layer is repeated a plurality of times to form the laminated fine particles. A method of manufacturing an optical waveguide film, comprising forming and then subjecting the laminated fine particle layer to heat treatment to form an optical waveguide film, wherein X = {vb 0 · t / (r 0 ±
vb 0 · t)} 2 as the torch moving speed vb (t)
From the control formula of the torch distance r (t) at the time t
Including constants a, b, c and d, r (t) = r 0 · (1 ±
vb 0 · t / r 0 ) · (1-ax−bx 2 −cx 3 −d
x 4 ) is polynomial expanded to each constant a,
b, c, and d are determined to determine the torch moving speed vb
The moving speed vb (t) of the torch is controlled by substituting it into the control equation (t).

【0014】また、前記展開式の各定数a,b,c,d
は基板表面の傾きによって変化する基板表面とトーチと
の間隔に対応させ、該トーチが回転テーブルの回転中心
位置に近づくにつれて該トーチと基板表面との間隔が小
さくなるときには少なくとも定数aとbのいずれか一方
の値を理論値より大きく決定し、一方、トーチが回転テ
ーブルの回転中心位置に近づくにつれて該トーチと基板
表面との間隔が大きくなるときには少なくとも定数aと
bのいずれか一方の値を理論値より小さく決定すること
も本発明の特徴的な構成とされている。
Further, each constant a, b, c, d of the expansion formula
Corresponds to the distance between the substrate surface and the torch that changes depending on the inclination of the substrate surface. When the distance between the torch and the substrate surface becomes smaller as the torch approaches the rotation center position of the rotary table, at least one of the constants a and b. Either value is determined to be larger than the theoretical value. On the other hand, when the distance between the torch and the substrate surface increases as the torch approaches the rotation center position of the rotary table, at least one of the constants a and b is theoretically determined. It is also a characteristic configuration of the present invention to determine the value smaller than the value.

【0015】[0015]

【作用】上記構成の本発明において、前記式(1)に示
したトーチ移動速度vb(t)の制御式から、X={v
0 ・t/(r0 ±vb0 ・t)}2 としたときの、前
記時刻tにおけるトーチの距離r(t)が、定数a,
b,c,dを含む次式(4)に多項式展開される。な
お、(r0 ±vb0 ・t)の項において、トーチが回転
テーブルの内周側から外周側に向かって移動する場合は
“+”、逆に外周側から内周側に向かって移動する場合
には“−”となる。また、r0 の値もトーチが内周側か
ら外周側に向かって移動する場合と、その逆の場合とで
は異なる値となる。
In the present invention having the above-mentioned structure, X = {v is obtained from the control formula of the torch moving speed vb (t) shown in the above formula (1).
b 0 · t / (r 0 ± vb 0 · t)} 2 , the torch distance r (t) at the time t is a constant a,
It is polynomial expanded to the following equation (4) including b, c and d. In the term (r 0 ± vb 0 · t), when the torch moves from the inner circumference side to the outer circumference side of the rotary table, it is “+”, and conversely, it moves from the outer circumference side to the inner circumference side. In this case, it becomes "-". Further, the value of r 0 also differs between the case where the torch moves from the inner circumference side to the outer circumference side and the opposite case.

【0016】 r(t)=r0 ・(1±vb0 ・t/r0 )・(1−ax−bx2 −cx3 − dx4 )・・・・・(4)R (t) = r 0 · (1 ± vb 0 · t / r 0 ) · (1-ax−bx 2 −cx 3 −dx 4 ) ... (4)

【0017】そして、この展開式の各定数a,b,c,
dがそれぞれ決定されて、前記トーチ移動速度vb
(t)の制御式に代入され、この代入後のトーチ移動速
度vb(t)に基づいてトーチの移動速度が制御されな
がら、トーチから基板表面に導波路形成用微粒子が噴射
されて単位微粒子層が形成される。この操作が複数回反
復されて積層微粒子層が形成され、その後、積層微粒子
層の加熱処理が行われて光導波路膜が形成される。
The constants a, b, c, and
d is determined, and the torch moving speed vb
Substituting into the control equation of (t), while controlling the moving speed of the torch based on the torch moving speed vb (t) after the substitution, fine particles for forming a waveguide are ejected from the torch onto the substrate surface to form a unit fine particle layer. Is formed. This operation is repeated a plurality of times to form the laminated fine particle layer, and then the laminated fine particle layer is heat-treated to form the optical waveguide film.

【0018】また、前記各定数a,b,c,dは、基板
表面の傾きによって変化する基板表面とトーチとの間隔
に対応させ、トーチが回転テーブルの回転中心位置に近
づくにつれてトーチと基板表面との間隔が小さくなると
きには、少なくとも定数aとbのいずれか一方の値が理
論値より大きく決定され、一方、トーチが回転テーブル
の回転中心位置に近づくにつれてトーチと基板表面との
間隔が大きくなるときには、少なくとも定数aとbのい
ずれか一方の値が理論値より小さく決定され、このよう
に、基板表面とトーチとの間隔に対応させて展開式の各
定数a,b,c,dが決定されることにより、トーチの
移動速度の制御式の補正が行われると、たとえ、基板表
面とトーチとの間隔が回転テーブルの外周側と回転中心
側とで大きく異なっていても、基板表面には均一な光導
波路膜が形成される。
The constants a, b, c, and d correspond to the distance between the substrate surface and the torch that changes depending on the inclination of the substrate surface. As the torch approaches the center of rotation of the rotary table, the torch and the substrate surface. When the distance between the torches becomes smaller, the value of at least one of the constants a and b is determined to be larger than the theoretical value, while the distance between the torch and the substrate surface becomes larger as the torch approaches the rotation center position of the rotary table. At least one of the constants a and b is determined to be smaller than the theoretical value, and thus, the constants a, b, c, and d of the expansion equation are determined corresponding to the distance between the substrate surface and the torch. As a result, if the control equation of the moving speed of the torch is corrected, even if the distance between the substrate surface and the torch is significantly different between the outer peripheral side of the rotary table and the rotational center side. Even if, uniform optical waveguide film is formed on the substrate surface.

【0019】[0019]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。なお、本実施例の光導波路膜の製造方法は、図1
に示す装置を用いて光導波路膜を基板4の表面側に形成
するものであり、本実施例の説明において、従来例と同
一名称部分には同一符号を付しその重複説明は省略す
る。本実施例の光導波路膜の製造方法は、従来例の光導
波路膜の製造方法とほぼ同様であり、本実施例が従来例
と異なる特徴的なことは、トーチ3の移動速度vb
(t)を制御するときに、X={vb0 ・t/(r0 ±
vb0 ・t)}2 として、トーチ移動速度vb(t)の
制御式から時刻tにおけるトーチ3の距離r(t)を多
項式展開して求め、前記トーチ移動速度vb(t)の制
御式に代入してトーチ3の移動速度vb(t)を制御す
るようにしたことである。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The manufacturing method of the optical waveguide film of this embodiment is as shown in FIG.
The optical waveguide film is formed on the surface side of the substrate 4 by using the apparatus shown in FIG. 2. In the description of the present embodiment, the same reference numerals are given to the same names as those in the conventional example, and the duplicated description will be omitted. The method of manufacturing the optical waveguide film of the present embodiment is almost the same as the method of manufacturing the optical waveguide film of the conventional example, and the characteristic of the present embodiment different from the conventional example is that the moving speed vb of the torch 3 is
When controlling (t), X = {vb 0 · t / (r 0 ±
vb 0 · t)} 2 , the distance r (t) of the torch 3 at time t is obtained by polynomial expansion from the control formula of the torch moving speed vb (t), and the control formula of the torch moving speed vb (t) is obtained. That is, the moving speed vb (t) of the torch 3 is controlled by substitution.

【0020】前記のように、トーチ3の移動速度vb
(t)の制御式は、前記式(1)によって示されるため
に、式(1)から、
As described above, the moving speed vb of the torch 3
Since the control equation of (t) is represented by the above equation (1), from the equation (1),

【0021】 r(t)・(dr/dt)=r0 ・vb0 ・・・・・(5)R (t) · (dr / dt) = r 0 · vb 0 (5)

【0022】となる。この式(5)の両辺を時間tで積
分すると、次式(6)となり、したがって時刻tにおけ
るトーチ3の距離r(t)は、次式(7)により表すこ
とができる。
It becomes When both sides of this equation (5) are integrated at time t, the following equation (6) is obtained. Therefore, the distance r (t) of the torch 3 at time t can be expressed by the following equation (7).

【0023】 ∫r(t)・(dr/dt)・dt=∫(r0 ・vb0 )・dt・・・・・( 6)∫r (t) · (dr / dt) · dt = ∫ (r 0 · vb 0 ) · dt (6)

【0024】 r(t)=√(r0 2 ±2・r0 ・vb0 ・t)=r0 ・(1±vb0 ・t/ r0 )・√[1−{vb0 ・t/(r0 ±vb0 ・t)}2 ]・・・・・(7)R (t) = √ (r 0 2 ± 2 · r 0 · vb 0 · t) = r 0 · (1 ± vb 0 · t / r 0 ) · √ [1- {vb 0 · t / (R 0 ± vb 0 · t)} 2 ] (7)

【0025】ここで、X={vb0 ・t/(r0 ±vb
0 ・t)}2 と置き、式(7)の√[1−{vb0 ・t
/(r0 ±vb0 ・t)}2 ]の項を、周知のマクロー
リン展開又はテイラー展開により多項式展開すると、前
記時刻tにおけるトーチ3の距離r(t)は、定数a,
b,c,dを含む、次式(8)に展開される。
Here, X = {vb 0 · t / (r 0 ± vb
0 · t)} 2 and √ [1- {vb 0 · t in Equation (7).
/ (R 0 ± vb 0 · t)} 2 ] is polynomial expanded by the well-known Maclaurin expansion or Taylor expansion, the distance r (t) of the torch 3 at the time t is a constant a,
It is expanded to the following equation (8) including b, c, and d.

【0026】 r(t)=r0 ・(1±vb0 ・t/r0 )・(1−ax−bx2 −cx3 − dx4 )・・・・・(8)R (t) = r 0 · (1 ± vb 0 · t / r 0 ) · (1-ax−bx 2 −cx 3 −dx 4 ) ... (8)

【0027】そして、この式を公式通り展開していく
と、各定数a,b,c,dは、それぞれa=1/2,b
=1/8,c=1/16,d=15/384 といった値(理論
値)となる。
When this equation is expanded according to the formula, the constants a, b, c and d are a = 1/2 and b, respectively.
= 1/8, c = 1/16, d = 15/384 (theoretical values).

【0028】本実施例では、前記式(8)の各定数(係
数)a,b,c,dを、それぞれ上記理論値に決定し、
回転テーブル6の回転中心位置からトーチ3の初期位置
までの径線R方向の距離r0 、トーチ3の初期移動速度
vb0 、回転テーブル6の初期回転角速度ω0 をパラメ
ータとし、各パラメータを表1に示す値として光導波路
膜の作成を行った。
In this embodiment, the constants (coefficients) a, b, c and d in the equation (8) are determined to the above theoretical values,
The distance r 0 from the rotation center position of the rotary table 6 to the initial position of the torch 3 in the radial line R direction, the initial moving speed vb 0 of the torch 3, and the initial rotation angular velocity ω 0 of the rotary table 6 are used as parameters, and each parameter is represented. An optical waveguide film was prepared with the value shown in 1.

【0029】[0029]

【表1】 [Table 1]

【0030】なお、本実施例では、回転テーブル6の上
下変位は±200 μm以下であり、基板4の表面の傾きに
よって変化する基板4の表面とトーチ3との間隔の変動
は±200 μm以下である。
In the present embodiment, the vertical displacement of the rotary table 6 is ± 200 μm or less, and the variation in the distance between the surface of the substrate 4 and the torch 3 which varies depending on the inclination of the surface of the substrate 4 is ± 200 μm or less. Is.

【0031】図2には、本実施例の光導波路膜の製造方
法により、上記表1で与えたパラメータにてトーチ3の
移動速度vb(t)を制御したときのトーチ3の火炎10
の位置と光導波路膜の膜厚との関係を調べた結果が示さ
れている。なお、表1に示した各パラメータを様々に変
えても、トーチ3の火炎10の位置と光導波路膜の膜厚と
の関係は、同様に図2に示すような関係データとなり、
火炎10の位置による膜厚変動は±1%以下であることが
確認された。
FIG. 2 shows the flame 10 of the torch 3 when the moving speed vb (t) of the torch 3 is controlled by the parameters given in Table 1 by the method for manufacturing the optical waveguide film of this embodiment.
The results of examining the relationship between the position of and the film thickness of the optical waveguide film are shown. Even if the parameters shown in Table 1 are changed variously, the relationship between the position of the flame 10 of the torch 3 and the film thickness of the optical waveguide film becomes the relationship data as shown in FIG.
It was confirmed that the film thickness variation depending on the position of the flame 10 was ± 1% or less.

【0032】この図から明らかなように、基板4の表面
とトーチ3との間隔の変動が±200μm以下のときに
は、前記式(8)の展開式の各定数a,b,c,dを前
記理論値に決定して、トーチ移動速度vb(t)の制御
式である前記式(1)に代入してトーチ3の移動速度を
制御することにより、膜厚がほぼ均一の光導波路膜を形
成できることが確認された。
As is apparent from this figure, when the variation of the distance between the surface of the substrate 4 and the torch 3 is ± 200 μm or less, the constants a, b, c, d in the expansion equation of the above equation (8) are calculated as described above. An optical waveguide film having a substantially uniform film thickness is formed by determining the theoretical value and substituting it in the above equation (1) which is a control expression of the torch moving speed vb (t) to control the moving speed of the torch 3. It was confirmed that it was possible.

【0033】次に、本発明に係る光導波路膜の製造方法
の第2の実施例を説明する。本実施例が上記第1の実施
例と異なる特徴的なことは、前記式(8)に示した展開
式の各定数a,b,c,dを、基板4の表面の傾きによ
って変化する基板4の表面とトーチ3との間隔に対応さ
せ、トーチ3が回転テーブル6の回転中心Cの位置に近
づくにつれてトーチ3と基板4の表面との間隔が小さく
なるときには、少なくとも定数aとbのいずれか一方の
値を理論値より大きく決定し、一方、トーチ3が回転テ
ーブル6の回転中心Cの位置に近づくにつれてトーチ3
と基板4の表面との間隔が大きくなるときには、少なく
とも定数aとbのいずれか一方の値を理論値よりも小さ
く決定するようにしたことである。
Next, a second embodiment of the method of manufacturing an optical waveguide film according to the present invention will be described. This embodiment is different from the first embodiment in that the constants a, b, c and d of the expansion equation shown in the equation (8) are changed according to the inclination of the surface of the substrate 4. When the distance between the torch 3 and the surface of the substrate 4 becomes smaller as the torch 3 gets closer to the position of the center of rotation C of the rotary table 6, at least one of constants a and b is made to correspond to the distance between the surface of No. 4 and the torch 3. One of the values is determined to be larger than the theoretical value, while the torch 3 approaches the position of the rotation center C of the rotary table 6 as the torch 3 approaches.
When the distance between the substrate 4 and the surface of the substrate 4 becomes large, at least one of the constants a and b is determined to be smaller than the theoretical value.

【0034】なお、理論的には、前記式(8)の各定数
(係数)a,b,c,dを理論値に決定してトーチ3の
移動速度vb(t)を制御すると、トーチ3が回転テー
ブル6の回転中心Cの位置に近づくにつれてトーチ3と
基板4の表面との間隔が小さくなるとき、すなわち、回
転テーブル6の内周14側の高さが外周13側の高さよりも
高かった場合は、基板4の表面のうち、回転テーブル6
の内周14側に位置する方が光導波路膜を形成する積層微
粒子層が厚く堆積されることになる。また、その逆に、
トーチ3が回転テーブル6の回転中心Cの位置に近づく
につれてトーチ3と基板4の表面との間隔が大きくなる
とき、すなわち、回転テーブル6の内周14側の高さより
も外周13側の高さの方が高かった場合は、積層微粒子層
が外周側に厚く堆積され、光導波路膜の厚みは基板4の
表面のうちの回転テーブル6の外周側13に位置する方が
厚くなる。
Theoretically, if the constants (coefficients) a, b, c, and d in the equation (8) are determined to be theoretical values and the moving speed vb (t) of the torch 3 is controlled, the torch 3 When the distance between the torch 3 and the surface of the substrate 4 becomes smaller as the position of the rotary table 6 becomes closer to the position of the rotation center C, that is, the height of the rotary table 6 on the inner circumference 14 side is higher than that on the outer circumference 13 side. In the case of the rotation, the rotary table 6 out of the surface of the substrate 4
The laminated fine particle layer forming the optical waveguide film is deposited thicker on the inner circumference 14 side. On the contrary,
When the distance between the torch 3 and the surface of the substrate 4 increases as the torch 3 approaches the position of the rotation center C of the rotary table 6, that is, the height of the rotary table 6 on the outer circumference 13 side rather than the inner circumference 14 side. 2 is higher, the laminated fine particle layer is deposited thicker on the outer peripheral side, and the thickness of the optical waveguide film becomes thicker on the outer peripheral side 13 of the turntable 6 on the surface of the substrate 4.

【0035】本実施例では、以上のことに顧み、まず、
前記式(8)の各係数a,b,c,dを変化させたとき
の光導波路膜の膜厚分布の状態をシミュレートして調査
した。その結果、各係数を大きくすると、回転テーブル
6の外周13側に位置する基板4の表面側が回転テーブル
6の内周14側に位置する基板4の表面よりも光導波路膜
が厚く堆積形成され、その逆に、各係数を小さく決定す
ると、回転テーブル6の内周14側に位置する基板4の表
面の方が回転テーブル6の外周13側に位置する基板4の
表面よりも光導波路膜が厚く堆積形成されることが確認
された。また、3次、4次の各係数c,dを変化させた
ときには、光導波路膜の膜厚分布に殆ど変化はないこと
も確認された。
In the present embodiment, in consideration of the above, first,
The state of the film thickness distribution of the optical waveguide film when each coefficient a, b, c, d of the formula (8) was changed was simulated and investigated. As a result, when each coefficient is increased, the optical waveguide film is deposited thicker on the surface side of the substrate 4 located on the outer circumference 13 side of the turntable 6 than on the surface of the substrate 4 located on the inner circumference 14 side of the turntable 6, On the contrary, when each coefficient is determined to be small, the surface of the substrate 4 located on the inner circumference 14 side of the turntable 6 has a thicker optical waveguide film than the surface of the substrate 4 located on the outer circumference 13 side of the turntable 6. It was confirmed that deposits were formed. It was also confirmed that when the third- and fourth-order coefficients c and d were changed, there was almost no change in the film thickness distribution of the optical waveguide film.

【0036】図3,4には、上記シミュレーション結果
の一例として、前記式(8)の1次の係数aと2次の係
数bとを表2に示すようにそれぞれ変化させたときの光
導波路膜の膜厚変動調査結果が示されている。
FIGS. 3 and 4 show, as an example of the above simulation results, an optical waveguide when the first-order coefficient a and the second-order coefficient b of the equation (8) are changed as shown in Table 2. The results of the film thickness variation investigation are shown.

【0037】[0037]

【表2】 [Table 2]

【0038】なお、図3の(a)には、表2の条件1の
条件で、1次の係数aを理論値よりも大きく決定したと
きのトーチ3の火炎位置と光導波路膜の膜厚分布との関
係が示されており、同図の(b)には、表2の条件2の
条件で、係数aを理論値よりも小さく決定したときのト
ーチ3の火炎位置と光導波路膜の膜厚分布との関係が示
されている。また、図4の(a)には、表2の条件3の
条件で、2次の係数bを理論値よりも大きく決定したと
きのトーチ3の火炎位置と光導波路膜の膜厚分布との関
係が示されており、同図の(b)には、表2の条件4の
条件で係数bを理論値よりも小さく決定したときのトー
チ3の火炎位置と光導波路膜の膜厚分布との関係が示さ
れている。
FIG. 3A shows the flame position of the torch 3 and the film thickness of the optical waveguide film when the first-order coefficient a is determined to be larger than the theoretical value under the condition of condition 1 in Table 2. The relationship with the distribution is shown in (b) of the same figure, under the condition of condition 2 in Table 2, the flame position of the torch 3 and the optical waveguide film when the coefficient a is determined to be smaller than the theoretical value. The relationship with the film thickness distribution is shown. Further, FIG. 4A shows the flame position of the torch 3 and the film thickness distribution of the optical waveguide film when the second-order coefficient b is determined to be larger than the theoretical value under the condition 3 of Table 2. The relationship is shown in (b) of the figure and the flame position of the torch 3 and the film thickness distribution of the optical waveguide film when the coefficient b is determined to be smaller than the theoretical value under the condition of condition 4 in Table 2. The relationship is shown.

【0039】これらの結果から明らかなように、各係数
aとbのうち、少なくとも一方側を理論値よりも大きく
決定すると、基板4に堆積形成される光導波路膜の膜厚
は回転テーブル6の外周13側の方が内周14側よりも厚く
堆積形成され、その逆に、係数aとbのうち少なくとも
一方側を理論値よりも小さく決定すると、回転テーブル
6の内周14側の方が外周13側よりも厚く堆積形成され
る。また、その膜厚変動は、1次の係数aを変化させる
と大きく変動し、2次の係数bを変化させたときには係
数aを変化させたときほど顕著ではないが、膜厚分布が
変化することが確認された。
As is clear from these results, when at least one of the coefficients a and b is determined to be larger than the theoretical value, the film thickness of the optical waveguide film deposited and formed on the substrate 4 is the same as that of the rotary table 6. The outer circumference 13 side is deposited thicker than the inner circumference 14 side, and conversely, if at least one of the coefficients a and b is determined to be smaller than the theoretical value, the inner circumference 14 side of the rotary table 6 is It is deposited thicker than the outer circumference 13 side. Further, the film thickness variation greatly changes when the first-order coefficient a is changed, and is not as remarkable when the second-order coefficient b is changed as when the coefficient a is changed, but the film-thickness distribution changes. It was confirmed.

【0040】本実施例では、これらの結果に基づき、ま
ず、本実施例の第1の具体例として、回転テーブル6の
内周14側の高さが外周13側の高さよりも1000μm高い状
態で、表2の条件3に示したように前記式(8)の各係
数を決定し、光導波路膜の形成を行った。その結果、図
5の(a)に示すように、トーチ3の火炎10の位置が変
わっても基板4の表面側に堆積形成される光導波路膜の
膜厚は殆ど変化せず、膜厚変動が±1%の均一な光導波
路膜を形成することができた。なお、同図の(b)に
は、前記式(8)の各係数a〜dを理論値に設定してト
ーチ3の移動速度vb(t)を制御したときの、トーチ
3の火炎10の位置に対する光導波路膜の膜厚分布の測定
結果が示されている。
In the present embodiment, based on these results, first, as a first specific example of the present embodiment, in a state where the height of the inner circumference 14 side of the rotary table 6 is 1000 μm higher than the height of the outer circumference 13 side. The respective coefficients of the equation (8) were determined as shown in Condition 3 of Table 2 to form the optical waveguide film. As a result, as shown in FIG. 5A, even if the position of the flame 10 of the torch 3 changes, the film thickness of the optical waveguide film deposited and formed on the surface side of the substrate 4 hardly changes, and the film thickness variation It was possible to form a uniform optical waveguide film of ± 1%. In addition, in FIG. 9B, the flame 10 of the torch 3 when the moving speed vb (t) of the torch 3 is controlled by setting the respective coefficients a to d of the equation (8) to theoretical values. The measurement result of the film thickness distribution of the optical waveguide film with respect to the position is shown.

【0041】このように、式(8)の各係数を理論値に
決定してトーチ3の移動速度の制御を行うと、回転テー
ブル6の傾きにより、基板4の表面が傾き、それによ
り、基板4の表面とトーチ3の火炎10との間隔が大きく
変化するときには、均一な膜厚の光導波路膜を形成する
ことが困難であるが、基板4の表面とトーチ3との間隔
の変化に対応させて前記式(8)の各係数を補正するこ
とにより、基板4の表面に均一な膜厚の光導波路膜を形
成することができる。
As described above, when the coefficients of the equation (8) are determined to be theoretical values and the moving speed of the torch 3 is controlled, the surface of the substrate 4 is tilted due to the tilt of the rotary table 6, whereby the substrate 4 is tilted. When the distance between the surface of No. 4 and the flame 10 of the torch 3 changes greatly, it is difficult to form an optical waveguide film having a uniform thickness, but it is possible to cope with the change in the distance between the surface of the substrate 4 and the torch 3. By correcting each coefficient of the equation (8) by doing so, an optical waveguide film having a uniform film thickness can be formed on the surface of the substrate 4.

【0042】また、本実施例の第2の具体例として、回
転テーブル6の外周13側の高さの方が内周14側の高さよ
りも1000μm高い状態で、表2の条件4に示したように
前記式(8)の各係数を決定し、前記(1)に示したト
ーチ3の移動速度vb(t)の制御式に代入してトーチ
3の移動速度を制御したところ、光導波路膜の膜厚分布
は、上記第1の具体例と同様に、図5の(a)に示すよ
うな膜厚分布となり、膜厚変動が±1%の均一な光導波
路膜が形成された。
As a second specific example of the present embodiment, the condition 4 in Table 2 is shown in which the height of the outer circumference 13 side of the rotary table 6 is 1000 μm higher than the height of the inner circumference 14 side. As described above, the respective coefficients of the equation (8) are determined and substituted into the control equation of the moving speed vb (t) of the torch 3 shown in the above (1) to control the moving speed of the torch 3. Similar to the first specific example described above, the film thickness distribution of No. 2 became a film thickness distribution as shown in FIG. 5A, and a uniform optical waveguide film having a film thickness variation of ± 1% was formed.

【0043】本実施例によれば、上記のように、基板4
の表面の傾きによって変化する基板4の表面とトーチ3
との間隔に対応させて、時刻tにおけるトーチ3の距離
r(t)の多項式展開式(8)の各定数(各係数)a,
b,c,dのうち、少なくとも1次の係数aと2次の係
数bのいずれか一方の値を理論値よりも大きく決定した
り小さく決定したりして補正を行うことにより、たとえ
基板4の表面とトーチ3との間隔が変化しても均一な光
導波路膜を形成することができる。
According to this embodiment, as described above, the substrate 4
The surface of the substrate 4 and the torch 3 that change depending on the inclination of the surface
Corresponding to the interval between and, each constant (each coefficient) a, of the polynomial expansion formula (8) of the distance r (t) of the torch 3 at time t,
Among the b, c, and d, at least one of the first-order coefficient a and the second-order coefficient b is determined to be larger or smaller than the theoretical value to perform correction so that the substrate 4 Even if the distance between the surface of the torch 3 and the torch 3 changes, a uniform optical waveguide film can be formed.

【0044】なお、本発明は上記実施例に限定されるこ
とはなく様々な実施の態様を採り得る。例えば、上記第
1の実施例では、時刻tにおけるトーチ3の距離r
(t)の多項式展開式(8)の各係数を理論値に決定
し、上記第2の実施例では、表2の条件1〜4に決定し
てトーチ3の移動速度vb(t)の制御式(1)に代入
したが、前記各係数a,b,c,dの具体的な値は特に
限定されるものではなく、適宜設定されるものである。
例えば、基板4の表面とトーチ3との間隔変動が小さい
ときには各係数a〜dを理論値に決定し、基板4の表面
とトーチ3との間隔変動が大きいときには、その間隔変
動に対応させて、少なくとも係数aとbのいずれか一方
を変化させて光導波路膜の膜厚が均一になるように補正
調整すればよい。
The present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, and various embodiments can be adopted. For example, in the first embodiment, the distance r of the torch 3 at time t
Each coefficient of the polynomial expansion equation (8) of (t) is determined as a theoretical value, and in the second embodiment, conditions 1 to 4 of Table 2 are determined to control the moving speed vb (t) of the torch 3. Although the values are substituted into the equation (1), the specific values of the respective coefficients a, b, c, d are not particularly limited and may be set appropriately.
For example, when the variation in the distance between the surface of the substrate 4 and the torch 3 is small, the coefficients a to d are determined to be theoretical values, and when the variation in the distance between the surface of the substrate 4 and the torch 3 is large, the variation in the distance is dealt with. At least one of the coefficients a and b may be changed to perform correction adjustment so that the film thickness of the optical waveguide film becomes uniform.

【0045】また、上記実施例では、回転テーブル6の
傾きに伴い、基板4の表面とトーチ3との間隔が変動す
る場合のトーチ3の移動速度制御について述べたが、基
板4そのものの傾きや均熱板8の傾き等により、基板4
の表面とトーチ3との間隔が変動するときにも、上記実
施例と同様にして、上記各係数a,b,c,dを適宜設
定してトーチ3の移動速度を制御することができる。
In the above embodiment, the moving speed control of the torch 3 when the distance between the surface of the substrate 4 and the torch 3 fluctuates according to the inclination of the rotary table 6 has been described. Due to the inclination of the soaking plate 8 or the like, the substrate 4
Even when the distance between the surface of the torch 3 and the torch 3 fluctuates, the moving speed of the torch 3 can be controlled by appropriately setting the coefficients a, b, c, and d in the same manner as in the above embodiment.

【0046】さらに、上記実施例では、回転テーブル6
を、図1のA方向に回転するようにしたが、回転テーブ
ル6の回転方向は、A方向とは逆(反時計回り)にして
もよい。
Further, in the above embodiment, the rotary table 6
1 is rotated in the A direction in FIG. 1, but the rotation direction of the rotary table 6 may be opposite to the A direction (counterclockwise).

【0047】さらに、上記実施例では、基板4は、回転
テーブル6の円周に沿って1列に複数配設したが、例え
ば、図1の破線部分16に示すように、基板4を回転テー
ブルの円周に沿って複数列配設して光導波路膜の形成を
行っても構わない。
Further, in the above embodiment, the plurality of substrates 4 are arranged in one row along the circumference of the rotary table 6, but the substrates 4 are arranged on the rotary table as shown by the broken line portion 16 in FIG. 1, for example. The optical waveguide film may be formed by arranging a plurality of rows along the circumference of the.

【0048】[0048]

【発明の効果】本発明によれば、回転テーブルとは独立
に往復直線移動を行うトーチの移動速度vb(t)が時
刻tにおけるトーチの回転テーブル回転中心位置からの
径線方向の距離r(t)に反比例するように制御するト
ーチ移動速度の制御式から、時刻tにおけるトーチの距
離r(t)を定数a,b,c,dを含む式に多項式展開
し、各定数a,b,c,dをそれぞれ決定して、トーチ
移動速度vb(t)の制御式に代入することにより、ト
ーチの移動速度を容易に制御することが可能となる。
According to the present invention, the moving speed vb (t) of the torch, which reciprocates linearly independently of the rotary table, has a radial distance r (from the rotary table rotation center position of the torch at time t. From the control equation of the torch moving speed that is controlled so as to be inversely proportional to t), the torch distance r (t) at time t is polynomial expanded into an equation including constants a, b, c, d, and each constant a, b, It is possible to easily control the moving speed of the torch by determining c and d and substituting them into the control equation of the torch moving speed vb (t).

【0049】また、展開式の各定数a,b,c,dを決
定するときに、基板表面の傾きによって変化する基板表
面とトーチとの間隔に対応させ、該トーチが回転テーブ
ルの回転中心位置に近づくにつれてトーチと基板表面と
の間隔が小さくなるときには少なくとも定数aとbのい
ずれか一方の値を大きく決定し、一方、トーチが回転テ
ーブルの回転中心位置に近づくにつれて該トーチと基板
表面との間隔が大きくなるときには少なくとも定数aと
bのいずれか一方の値を小さく決定して、前記多項式展
開式の各定数を補正すれば、基板表面とトーチとの間隔
が変動しても、その変動に適用させて均一な光導波路膜
を形成することができる。
When the constants a, b, c, d of the expansion equation are determined, the torch corresponds to the distance between the substrate surface and the torch, which changes depending on the inclination of the substrate surface, and the torch corresponds to the rotation center position of the rotary table. When the distance between the torch and the substrate surface becomes smaller as it approaches, the value of at least one of the constants a and b is determined to be larger, while as the torch approaches the rotation center position of the rotary table, the torch and the substrate surface are separated. When the distance becomes large, at least one of the constants a and b is determined to be small and each constant in the polynomial expansion formula is corrected, and even if the distance between the substrate surface and the torch changes, the change will not occur. It can be applied to form a uniform optical waveguide film.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】基板表面に光導波路膜を堆積形成する装置の要
部構成を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a main configuration of an apparatus for depositing and forming an optical waveguide film on a surface of a substrate.

【図2】本発明に係る光導波路膜の製造方法の第1の実
施例におけるトーチの火炎位置と光導波路膜の膜厚分布
との関係を示すグラフである。
FIG. 2 is a graph showing the relationship between the flame position of the torch and the film thickness distribution of the optical waveguide film in the first embodiment of the method of manufacturing an optical waveguide film according to the present invention.

【図3】本発明に係る光導波路膜の製造方法において用
いる多項式展開式の1次の係数aを変化させたときのト
ーチの火炎位置と光導波路膜の膜厚との関係のシミュレ
ーション結果を示すグラフである。
FIG. 3 shows a simulation result of the relationship between the flame position of the torch and the film thickness of the optical waveguide film when the first-order coefficient a of the polynomial expansion equation used in the method for manufacturing an optical waveguide film according to the present invention is changed. It is a graph.

【図4】本発明に係る光導波路膜の製造方法に用いる多
項式展開式の2次の係数bを変化させたときのトーチの
火炎位置と光導波路膜の膜厚分布との関係のシミュレー
ション結果を示すグラフである。
FIG. 4 shows a simulation result of the relationship between the flame position of the torch and the film thickness distribution of the optical waveguide film when the quadratic coefficient b of the polynomial expansion formula used in the method for manufacturing an optical waveguide film according to the present invention is changed. It is a graph shown.

【図5】本発明に係る光導波路膜の製造方法の第2の実
施例におけるトーチの火炎位置と光導波路膜の膜厚分布
との関係を示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing the relationship between the flame position of the torch and the film thickness distribution of the optical waveguide film in the second embodiment of the optical waveguide film manufacturing method according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3 トーチ 4 基板 6 回転テーブル 10 火炎 13 外周 14 内周 3 torch 4 substrate 6 rotary table 10 flame 13 outer circumference 14 inner circumference

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 回転運動を行う回転テーブル上に基板を
載置し、該回転テーブルとは独立に該回転テーブルの回
転中心位置を通る径線上で往復直線移動を行うトーチを
前記基板の表面側に該基板と間隔を介して配設し、前記
回転テーブル回転中心位置からトーチ初期位置までの前
記径線方向の距離をr0 、該トーチの初期移動速度をv
0 、前記回転テーブル回転中心位置から時刻tにおけ
るトーチの位置までの前記径線方向の距離をr(t)、
時刻tにおけるトーチの移動速度をvb(t)としたと
きに、vb(t)=(r0 /r(t))・vb0 の制御
式に基づいて、時刻tにおけるトーチの移動速度vb
(t)が時刻tにおけるトーチの回転テーブル回転中心
位置からの前記径線方向の距離r(t)に反比例するよ
うに制御しながら、該トーチから前記基板表面に導波路
形成用微粒子を噴射して単位微粒子層を形成する操作を
複数回反復することにより積層微粒子を形成し、然る後
に該積層微粒子層に加熱処理を施して光導波路膜を形成
する光導波路膜の製造方法であって、X={vb0 ・t
/(r0 ±vb0 ・t)}2 として前記トーチ移動速度
vb(t)の制御式から前記時刻tにおけるトーチの距
離r(t)を定数a,b,c,dを含む、r(t)=r
0 ・(1±vb0 ・t/r0 )・(1−ax−bx2
cx3 −dx4 )の式に多項式展開し、この展開式の各
定数a,b,c,dをそれぞれ決定して前記トーチ移動
速度vb(t)の制御式に代入することにより該トーチ
の移動速度vb(t)を制御することを特徴とする光導
波路膜の製造方法。
1. A torch which mounts a substrate on a rotary table which makes a rotary motion, and which reciprocates linearly independently of the rotary table on a radial line passing through a rotation center position of the rotary table. At a distance from the center of rotation of the rotary table to the initial position of the torch in the radial direction by r 0 , and the initial moving speed of the torch is v.
b 0 , the radial direction distance from the rotary table rotation center position to the torch position at time t is r (t),
When the moving speed of the torch at time t is vb (t), the moving speed vb of the torch at time t is calculated based on the control equation of vb (t) = (r 0 / r (t)) · vb 0.
While controlling so that (t) is inversely proportional to the radial direction distance r (t) from the rotary table rotation center position of the torch at time t, the torch ejects fine particles for waveguide formation onto the substrate surface. A method for producing an optical waveguide film, comprising forming laminated fine particles by repeating an operation of forming a unit fine particle layer a plurality of times, and then subjecting the laminated fine particle layer to a heat treatment to form an optical waveguide film, X = {vb 0 · t
/ (R 0 ± vb 0 · t)} 2 from the control equation of the torch moving speed vb (t), the torch distance r (t) at the time t includes constants a, b, c, d, and r ( t) = r
0 · (1 ± vb 0 · t / r 0 ) · (1-ax−bx 2
cx 3 −dx 4 ) is polynomial expanded, and each constant a, b, c, d of this expanded expression is determined and substituted into the control expression of the torch moving speed vb (t). A method of manufacturing an optical waveguide film, which comprises controlling a moving speed vb (t).
【請求項2】 展開式の各定数a,b,c,dは基板表
面の傾きによって変化する基板表面とトーチとの間隔に
対応させ、該トーチが回転テーブルの回転中心位置に近
づくにつれて該トーチと基板表面との間隔が小さくなる
ときには少なくとも定数aとbのいずれか一方の値を理
論値より大きく決定し、一方、トーチが回転テーブルの
回転中心位置に近づくにつれて該トーチと基板表面との
間隔が大きくなるときには少なくとも定数aとbのいず
れか一方の値を理論値より小さく決定することを特徴と
する請求項1記載の光導波路膜の製造方法。
2. The expansion constants a, b, c, and d correspond to the distance between the substrate surface and the torch, which changes depending on the inclination of the substrate surface, and the torch becomes closer to the center of rotation of the rotary table. When the distance between the torch and the substrate surface becomes smaller, at least one of the constants a and b is determined to be larger than the theoretical value. On the other hand, as the torch approaches the rotation center position of the rotary table, the distance between the torch and the substrate surface becomes smaller. The method for producing an optical waveguide film according to claim 1, wherein at least one of the constants a and b is determined to be smaller than a theoretical value when is larger.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1153894A1 (en) * 2000-05-12 2001-11-14 The Furukawa Electric Co., Ltd. Manufacturing method of optical waveguide

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