JPH08255775A - 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置Info
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- JPH08255775A JPH08255775A JP8486095A JP8486095A JPH08255775A JP H08255775 A JPH08255775 A JP H08255775A JP 8486095 A JP8486095 A JP 8486095A JP 8486095 A JP8486095 A JP 8486095A JP H08255775 A JPH08255775 A JP H08255775A
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- Japan
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- polishing
- dressing
- polishing cloth
- cloth
- film
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 同一の研磨布でポリッシングした半導体基板
のポリシングレート及び半導体基板の面内ばらつきを減
少させる。 【構成】 ポリッシング装置は、研磨布19と、表面に
研磨布を取り付けた研磨盤17と、研磨布に研磨粒子を
溶解させる弗酸等のドレッシング液を供給する手段27
と、研磨布をブラッシングするブラシ22と、研磨布に
水を供給する手段28とを備えている。この装置は、さ
らにセンサ34によって排出される水に含まれるドレッ
シング液を検知できる。この装置を用いて複数の半導体
基板をポリッシングして疲労した研磨布19を弗酸等の
ドレッシング液でドレッシングする。このドレッシング
を行いながらブラシを用いてブラッシングすることも、
後工程で研磨布を水でドレッシングもできる。
のポリシングレート及び半導体基板の面内ばらつきを減
少させる。 【構成】 ポリッシング装置は、研磨布19と、表面に
研磨布を取り付けた研磨盤17と、研磨布に研磨粒子を
溶解させる弗酸等のドレッシング液を供給する手段27
と、研磨布をブラッシングするブラシ22と、研磨布に
水を供給する手段28とを備えている。この装置は、さ
らにセンサ34によって排出される水に含まれるドレッ
シング液を検知できる。この装置を用いて複数の半導体
基板をポリッシングして疲労した研磨布19を弗酸等の
ドレッシング液でドレッシングする。このドレッシング
を行いながらブラシを用いてブラッシングすることも、
後工程で研磨布を水でドレッシングもできる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
及びこの方法を実施するための半導体製造装置に関し、
とくに半導体基板をポリッシングするための研削装置の
研磨盤に取り付けられた研磨布をドレッシングによって
再びポリッシングが出来るように再生するドレッシング
方法及びこのポリッシング方法を実施するための研削装
置に関するものである。
及びこの方法を実施するための半導体製造装置に関し、
とくに半導体基板をポリッシングするための研削装置の
研磨盤に取り付けられた研磨布をドレッシングによって
再びポリッシングが出来るように再生するドレッシング
方法及びこのポリッシング方法を実施するための研削装
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ICやLSIなどの半導体装置は、半導
体基板に形成する集積回路を設計する設計工程、集積回
路を形成するために用いられる電子ビームなどを描画す
るためのマスク作成工程、単結晶インゴットから所定の
厚みのウェーハを形成するウェーハ製造工程、ウェーハ
に集積回路などの半導体素子を形成するウェーハ処理工
程、ウェーハを各半導体基板に分離しパッケージングし
て半導体装置を形成する組立工程及び検査工程等を経て
形成される。各工程には、それぞれその工程に必要な製
造装置が用意される。半導体製造装置にはこの他にも前
処理装置や排ガス処理装置など設備、環境に必要な製造
装置も用いられる。従来ウェーハ処理工程においてトレ
ンチやコンタクトホールなどの溝(トレンチ)部に金
属、ポリシリコン、シリコン酸化膜(SiO2 )などの
任意の材料を埋め込んだ後にその表面を平坦化する方法
としてエッチバックRIE(ReactiveIon Etching)法が
知られている。以下、図4及び図5を参照しながら方法
を説明する。
体基板に形成する集積回路を設計する設計工程、集積回
路を形成するために用いられる電子ビームなどを描画す
るためのマスク作成工程、単結晶インゴットから所定の
厚みのウェーハを形成するウェーハ製造工程、ウェーハ
に集積回路などの半導体素子を形成するウェーハ処理工
程、ウェーハを各半導体基板に分離しパッケージングし
て半導体装置を形成する組立工程及び検査工程等を経て
形成される。各工程には、それぞれその工程に必要な製
造装置が用意される。半導体製造装置にはこの他にも前
処理装置や排ガス処理装置など設備、環境に必要な製造
装置も用いられる。従来ウェーハ処理工程においてトレ
ンチやコンタクトホールなどの溝(トレンチ)部に金
属、ポリシリコン、シリコン酸化膜(SiO2 )などの
任意の材料を埋め込んだ後にその表面を平坦化する方法
としてエッチバックRIE(ReactiveIon Etching)法が
知られている。以下、図4及び図5を参照しながら方法
を説明する。
【0003】まず、シリコン半導体などの半導体基板1
表面に熱酸化法などによるSiO2膜2及びCVD法な
どにより、ストッパー膜となるポリシリコン膜3を形成
する(図4(a))。次に、ポリシリコン膜3、SiO
2 膜2および半導体基板1表面をRIEにより選択的に
除去してそこに溝部4を形成する(図4(b))。次
に、前記溝部4の内部及びポリシリコン膜3の表面にS
iO2 膜5をCVD法により堆積させる(図4
(c))。このとき、溝部4の上にあたるSiO2 膜5
表面には溝部4の凹部に対応したへこみ51ができる。
さらに、SiO2 膜5表面の凹凸を小さくするために、
エッチバックレジスト6をSiO2 膜5上に形成する
(図5(a))。次いで、エッチバックレジスト6とS
iO2 膜5がほぼ同じエッチングレートとなる条件でR
IEを行う(図5(b))。このエッチバックRIEを
用いると溝部4にのみSiO2 膜5が埋め込まれ、ポリ
シリコン膜3の表面、つまり、ウエーハ表面が平坦にな
る。しかし、凹み51のあった部分には幾分凸部52が
残っており十分な平坦化が難しい。このウエーハ1表面
の平坦化は、ストッパー膜となるポリシリコン膜3のエ
ッチングレートがSiO2 膜5より小さくなるように設
定することにより可能となる。
表面に熱酸化法などによるSiO2膜2及びCVD法な
どにより、ストッパー膜となるポリシリコン膜3を形成
する(図4(a))。次に、ポリシリコン膜3、SiO
2 膜2および半導体基板1表面をRIEにより選択的に
除去してそこに溝部4を形成する(図4(b))。次
に、前記溝部4の内部及びポリシリコン膜3の表面にS
iO2 膜5をCVD法により堆積させる(図4
(c))。このとき、溝部4の上にあたるSiO2 膜5
表面には溝部4の凹部に対応したへこみ51ができる。
さらに、SiO2 膜5表面の凹凸を小さくするために、
エッチバックレジスト6をSiO2 膜5上に形成する
(図5(a))。次いで、エッチバックレジスト6とS
iO2 膜5がほぼ同じエッチングレートとなる条件でR
IEを行う(図5(b))。このエッチバックRIEを
用いると溝部4にのみSiO2 膜5が埋め込まれ、ポリ
シリコン膜3の表面、つまり、ウエーハ表面が平坦にな
る。しかし、凹み51のあった部分には幾分凸部52が
残っており十分な平坦化が難しい。このウエーハ1表面
の平坦化は、ストッパー膜となるポリシリコン膜3のエ
ッチングレートがSiO2 膜5より小さくなるように設
定することにより可能となる。
【0004】しかしながら、このエッチバックRIE方
法は、エッチバックレジストの塗布などの工程が多くな
ること、ウェーハ表面にRIEダメージが入りやすいこ
と、良好な平坦化が難しいこと、また真空系の装置を用
いるため、構造が複雑で、危険なエッチングガスを使用
することなどから様々な問題点が多い。半導体装置に形
成される集積回路が高集積化、微細化するにつれてパタ
ーンの縮小と同時に表面形状も複雑になる。そのため従
来の平坦化技術では十分対応することができなくなる。
そのため、近年エッチバックRIEに代わって、CMP
(Chemical MechanicalPolishing) 法が行われるように
なってきた。次に、図6にウェーハ表面を平坦化するた
めに用いられるCMP用のポリッシング装置の概略を示
し、その構成を説明する。台11上にベアリング13を
介して研磨盤受け15が配置されている。この研磨受け
15上には研磨盤17が取り付けられている。この研磨
盤17上にはウェーハを研磨する研磨布19が張り付け
られている。研磨受け15及び研磨盤17を回転させる
ためにこれらの中心部分に駆動シャフト21が接続され
ている。この駆動シャフト21は、モータ23により回
転ベルト25を介して回転される。
法は、エッチバックレジストの塗布などの工程が多くな
ること、ウェーハ表面にRIEダメージが入りやすいこ
と、良好な平坦化が難しいこと、また真空系の装置を用
いるため、構造が複雑で、危険なエッチングガスを使用
することなどから様々な問題点が多い。半導体装置に形
成される集積回路が高集積化、微細化するにつれてパタ
ーンの縮小と同時に表面形状も複雑になる。そのため従
来の平坦化技術では十分対応することができなくなる。
そのため、近年エッチバックRIEに代わって、CMP
(Chemical MechanicalPolishing) 法が行われるように
なってきた。次に、図6にウェーハ表面を平坦化するた
めに用いられるCMP用のポリッシング装置の概略を示
し、その構成を説明する。台11上にベアリング13を
介して研磨盤受け15が配置されている。この研磨受け
15上には研磨盤17が取り付けられている。この研磨
盤17上にはウェーハを研磨する研磨布19が張り付け
られている。研磨受け15及び研磨盤17を回転させる
ためにこれらの中心部分に駆動シャフト21が接続され
ている。この駆動シャフト21は、モータ23により回
転ベルト25を介して回転される。
【0005】一方、ウェーハ20は、研磨布19と対抗
する位置にくるように真空などにより、テンプレート2
9及び吸着布31が設けられた吸着盤33により吸着さ
れている。この吸着盤33は、駆動シャフト35に接続
されている。またこの駆動シャフト35は、モーター3
7によりギア39及び41を介し回転される。駆動シャ
フト35は、上下方向の移動に対し駆動台43に固定さ
れている。このような構造によって、シリンダ45によ
る上下の移動に伴い、駆動台43が上下移動し、これに
より吸着盤33に固定されたウェーハ20が研磨布19
に押しつけられたり研磨布19から離れたりする。ウェ
ーハ20と研磨布19の間には目的に応じて研磨剤が流
され、これによりウェーハ20のポリッシングが行われ
る。また、図面には示さないが、ウェーハは、ポリッシ
ングの間に別の駆動系によりX−Y方向(水平方向)に
移動可能となっている。
する位置にくるように真空などにより、テンプレート2
9及び吸着布31が設けられた吸着盤33により吸着さ
れている。この吸着盤33は、駆動シャフト35に接続
されている。またこの駆動シャフト35は、モーター3
7によりギア39及び41を介し回転される。駆動シャ
フト35は、上下方向の移動に対し駆動台43に固定さ
れている。このような構造によって、シリンダ45によ
る上下の移動に伴い、駆動台43が上下移動し、これに
より吸着盤33に固定されたウェーハ20が研磨布19
に押しつけられたり研磨布19から離れたりする。ウェ
ーハ20と研磨布19の間には目的に応じて研磨剤が流
され、これによりウェーハ20のポリッシングが行われ
る。また、図面には示さないが、ウェーハは、ポリッシ
ングの間に別の駆動系によりX−Y方向(水平方向)に
移動可能となっている。
【0006】次に、図7及び図8を参照して図6に示す
ポリッシング装置を用いたCMP法によるウェーハ表面
の平坦化処理の一例を説明する。シリコンなどの半導体
基板1上にCVD法などによりSi3 N4 膜7を形成す
る(図7(a))。次に、パターニングを行ってSi3
N4 膜7及び半導体基板1の所定部分をエッチングし、
そこに溝部8を形成する(図7(b))。そしてSi3
N4 膜7上及び溝部8内にSiO2 膜5をCVD法によ
り積層する(図8(a))。続いて、CMP法によりS
iO2 膜5をポリッシングし、ストッパー膜となるSi
3 N4 膜7の露出を検出した段階でSiO2 膜5のポリ
ッシングを終了させることにより、溝部8内へのSiO
2 膜5の埋込みが完了すると共に半導体基板1表面の平
坦化が行われる(図8(b))。このCMP法は、図4
及び図5に示すエッチバックRIE法と比べ工程が短縮
され、また良好な平坦化が達成される。尚、CMP法自
体は新しい技術ではなく、前述した半導体装置の製造工
程におけるウェーハ製造工程での製造プロセスで用いら
れている技術である。最近、CMP技術が高集積デバイ
スの製造プロセスに用いられるようになっている。そこ
で、次に、図9乃至図11を参照してその応用例を説明
する。
ポリッシング装置を用いたCMP法によるウェーハ表面
の平坦化処理の一例を説明する。シリコンなどの半導体
基板1上にCVD法などによりSi3 N4 膜7を形成す
る(図7(a))。次に、パターニングを行ってSi3
N4 膜7及び半導体基板1の所定部分をエッチングし、
そこに溝部8を形成する(図7(b))。そしてSi3
N4 膜7上及び溝部8内にSiO2 膜5をCVD法によ
り積層する(図8(a))。続いて、CMP法によりS
iO2 膜5をポリッシングし、ストッパー膜となるSi
3 N4 膜7の露出を検出した段階でSiO2 膜5のポリ
ッシングを終了させることにより、溝部8内へのSiO
2 膜5の埋込みが完了すると共に半導体基板1表面の平
坦化が行われる(図8(b))。このCMP法は、図4
及び図5に示すエッチバックRIE法と比べ工程が短縮
され、また良好な平坦化が達成される。尚、CMP法自
体は新しい技術ではなく、前述した半導体装置の製造工
程におけるウェーハ製造工程での製造プロセスで用いら
れている技術である。最近、CMP技術が高集積デバイ
スの製造プロセスに用いられるようになっている。そこ
で、次に、図9乃至図11を参照してその応用例を説明
する。
【0007】図9は、トレンチ素子分離プロセスにおけ
るCMP法の応用である。半導体基板1表面を熱酸化し
てSiO2 膜2を形成した後、ポリッシングのストッパ
ー膜となるSi3 N4 膜7をこのSiO2 膜の上にCV
D法により形成する。次に、リソグラフィによるパター
ニングで素子分離形成領域のSi3 N4 膜7と、SiO
2 膜2及び半導体基板1の一部を除去して溝部9を形成
する。続いて溝部9内の半導体基板1表面を酸化し、さ
らに溝部9の底にボロンをイオン注入し、チャネルカッ
ト領域10を形成する。次に、Si3 N4 膜7上及び溝
部9内にポリシリコン膜3をCVD法により形成する
(図9(a))。ポリシリコン膜に代えてSiO2 を利
用しても良い。次に、半導体基板1表面のポリシリコン
3をSi3N4 膜7が露出するまでポリッシングする
(図9(b))。このときのポリッシング条件では、ポ
リシリコン膜と比べSi3 N4 膜7のポリッシングレー
トは、約1/10〜1/200程度と小さい条件を用い
ているためにSi3 N4 膜7でポリッシングを止めるこ
とができ、溝内部にのみポリシリコン膜3が埋め込まれ
る。このようにポリッシングでのストッパー膜は、ポリ
ッシングしたい膜と比べポッシングレートの小さいもの
を選び、ポリッシング時間を指定することでこのストッ
パー膜が露出した段階でポリッシングを終了させること
ができる。
るCMP法の応用である。半導体基板1表面を熱酸化し
てSiO2 膜2を形成した後、ポリッシングのストッパ
ー膜となるSi3 N4 膜7をこのSiO2 膜の上にCV
D法により形成する。次に、リソグラフィによるパター
ニングで素子分離形成領域のSi3 N4 膜7と、SiO
2 膜2及び半導体基板1の一部を除去して溝部9を形成
する。続いて溝部9内の半導体基板1表面を酸化し、さ
らに溝部9の底にボロンをイオン注入し、チャネルカッ
ト領域10を形成する。次に、Si3 N4 膜7上及び溝
部9内にポリシリコン膜3をCVD法により形成する
(図9(a))。ポリシリコン膜に代えてSiO2 を利
用しても良い。次に、半導体基板1表面のポリシリコン
3をSi3N4 膜7が露出するまでポリッシングする
(図9(b))。このときのポリッシング条件では、ポ
リシリコン膜と比べSi3 N4 膜7のポリッシングレー
トは、約1/10〜1/200程度と小さい条件を用い
ているためにSi3 N4 膜7でポリッシングを止めるこ
とができ、溝内部にのみポリシリコン膜3が埋め込まれ
る。このようにポリッシングでのストッパー膜は、ポリ
ッシングしたい膜と比べポッシングレートの小さいもの
を選び、ポリッシング時間を指定することでこのストッ
パー膜が露出した段階でポリッシングを終了させること
ができる。
【0008】次に、図10及び図11を参照して金属配
線を絶縁膜の溝部内へ埋め込む場合に用いるCMP法の
応用例を説明する。半導体基板1上にCVD法によるS
iO2 膜5及びプラズマSiO2 膜12を続けて形成す
る(図10(a))。次に、プラズマSiO2 膜12を
パターニングして所定箇所に溝部14を形成する(図1
0(b))。溝部14内及びプラズマSiO2 膜12の
全面にCu膜16を積層する(図10(c))。プラズ
マSiO2 膜12をストッパー膜としてCu膜16をポ
リッシングする。プラズマSiO2 膜12が露出した段
階でCu膜16のポリッシングを終了させることにより
溝部14内にのみCu膜14が埋め込まれ、Cu埋め込
み配線が形成される(図11(a))。このポリッシン
グにより半導体基板1の表面が平坦化され、続く2層目
のプラズマSiO2 膜18の形成が容易になる(図11
(b))。このCMP法による平坦化により2層目、3
層目の電極配線(図示せず)の形成が容易となる。
線を絶縁膜の溝部内へ埋め込む場合に用いるCMP法の
応用例を説明する。半導体基板1上にCVD法によるS
iO2 膜5及びプラズマSiO2 膜12を続けて形成す
る(図10(a))。次に、プラズマSiO2 膜12を
パターニングして所定箇所に溝部14を形成する(図1
0(b))。溝部14内及びプラズマSiO2 膜12の
全面にCu膜16を積層する(図10(c))。プラズ
マSiO2 膜12をストッパー膜としてCu膜16をポ
リッシングする。プラズマSiO2 膜12が露出した段
階でCu膜16のポリッシングを終了させることにより
溝部14内にのみCu膜14が埋め込まれ、Cu埋め込
み配線が形成される(図11(a))。このポリッシン
グにより半導体基板1の表面が平坦化され、続く2層目
のプラズマSiO2 膜18の形成が容易になる(図11
(b))。このCMP法による平坦化により2層目、3
層目の電極配線(図示せず)の形成が容易となる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】図6に示すようなポリ
ッシング装置でポリッシングする場合において、従来、
セリアやシリカなどの研磨粒子を含有する研磨剤(スラ
リー)を研磨布に供給しながら半導体基板をポリッシン
グする。通常1枚の研磨布で0.5〜1ロットの半導体
基板(ウェーハ)をポリッシングする(1ロットは、ウ
ェーハが24枚である)。しかし、同じ研磨布を用いて
ポリッシングを行う場合、半導体基板枚数が増加するに
伴い、研磨布の中に研磨粒子が蓄積されていく。その結
果、ポリッシングレートの増加変動や面内ばらつきの増
加などの問題が発生する。現在のこれら研磨粒子の除去
方法は、ナイロンブラシやダイヤモンド粒子の摩擦によ
るなど物理的なドレッシングに頼っているが、この方法
では蓄積した研磨粒子を完全に研磨布から取り除くこと
は出来ない。図3は、従来のドレッシング方法による作
用効果を説明する特性図であり、ポリッシングレート及
び面内ばらつきのポリッシングされる半導体基板の枚数
依存性を示している。
ッシング装置でポリッシングする場合において、従来、
セリアやシリカなどの研磨粒子を含有する研磨剤(スラ
リー)を研磨布に供給しながら半導体基板をポリッシン
グする。通常1枚の研磨布で0.5〜1ロットの半導体
基板(ウェーハ)をポリッシングする(1ロットは、ウ
ェーハが24枚である)。しかし、同じ研磨布を用いて
ポリッシングを行う場合、半導体基板枚数が増加するに
伴い、研磨布の中に研磨粒子が蓄積されていく。その結
果、ポリッシングレートの増加変動や面内ばらつきの増
加などの問題が発生する。現在のこれら研磨粒子の除去
方法は、ナイロンブラシやダイヤモンド粒子の摩擦によ
るなど物理的なドレッシングに頼っているが、この方法
では蓄積した研磨粒子を完全に研磨布から取り除くこと
は出来ない。図3は、従来のドレッシング方法による作
用効果を説明する特性図であり、ポリッシングレート及
び面内ばらつきのポリッシングされる半導体基板の枚数
依存性を示している。
【0010】図の縦軸は、ポリッシングレート(nm/
min)及び半導体基板の面内ばらつき(%)を示し、
横軸は、1枚の研磨布がポリッシングする半導体基板の
枚数を示している。ポリッシングレートや面内ばらつき
が良いのは高々半導体基板枚数が50枚程度までで、そ
れを越えるとポリッシングレートが大きくなり、これに
ともなって半導体基板の面内ばらつきが大きくなる。ポ
リッシングレートが大きくなると、半導体基板表面のポ
リッシング仕上がりの均一性が劣化して、図に示すよう
に面内ばらつきが増大するのである。本発明は、このよ
うな事情により成されたものであり、同一の研磨布でポ
リッシングした半導体基板のポリシングレート及び半導
体基板の面内ばらつきを減少させ、安定したポリッシン
グを行うことが可能な半導体製造装置及び半導体装置の
製造方法を提供することを目的にしている。
min)及び半導体基板の面内ばらつき(%)を示し、
横軸は、1枚の研磨布がポリッシングする半導体基板の
枚数を示している。ポリッシングレートや面内ばらつき
が良いのは高々半導体基板枚数が50枚程度までで、そ
れを越えるとポリッシングレートが大きくなり、これに
ともなって半導体基板の面内ばらつきが大きくなる。ポ
リッシングレートが大きくなると、半導体基板表面のポ
リッシング仕上がりの均一性が劣化して、図に示すよう
に面内ばらつきが増大するのである。本発明は、このよ
うな事情により成されたものであり、同一の研磨布でポ
リッシングした半導体基板のポリシングレート及び半導
体基板の面内ばらつきを減少させ、安定したポリッシン
グを行うことが可能な半導体製造装置及び半導体装置の
製造方法を提供することを目的にしている。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、研磨粒子を含む研磨剤をかけながらポリッシ
ングする研磨布を用いて複数の半導体基板をポリッシン
グする工程と、前記複数の半導体基板をポリッシングし
た研磨布を研磨粒子を溶解させるドレッシング液でドレ
ッシングする工程とを備えていることを特徴とする。前
記研磨布をドレッシングする工程において、このドレッ
シングを行いながらブラシを用いてブラッシングするよ
うにしても良い。前記研磨布をドレッシングする工程の
後に、前記研磨布を水でドレッシングする工程をさらに
加えるようにしても良い。前記研磨布を水でドレッシン
グする工程において、このドレッシングを行いながらブ
ラシを用いてブラッシングするようにしても良い。研磨
粒子を溶解させるドレッシング液として弗酸、硝酸、硫
酸のいづれかを用いても良い。
造方法は、研磨粒子を含む研磨剤をかけながらポリッシ
ングする研磨布を用いて複数の半導体基板をポリッシン
グする工程と、前記複数の半導体基板をポリッシングし
た研磨布を研磨粒子を溶解させるドレッシング液でドレ
ッシングする工程とを備えていることを特徴とする。前
記研磨布をドレッシングする工程において、このドレッ
シングを行いながらブラシを用いてブラッシングするよ
うにしても良い。前記研磨布をドレッシングする工程の
後に、前記研磨布を水でドレッシングする工程をさらに
加えるようにしても良い。前記研磨布を水でドレッシン
グする工程において、このドレッシングを行いながらブ
ラシを用いてブラッシングするようにしても良い。研磨
粒子を溶解させるドレッシング液として弗酸、硝酸、硫
酸のいづれかを用いても良い。
【0012】また、本発明の半導体製造装置は、研磨布
と、研磨盤駆動軸により回転され、表面に前記研磨布を
取り付けた研磨盤と、前記研磨布に研磨粒子を溶解させ
るドレッシング液を供給する手段と、前記研磨布をブラ
ッシングするブラシと、前記研磨布に水を供給する手段
とを備えていることを特徴とする。請求項6に記載の半
導体製造装置は、さらに比抵抗計又はpHセンサからな
るセンサを前記ドレッシング液及び水を排出する手段又
はその近傍に配置し、前記センサによって排出される前
記水に含まれる前記ドレッシング液を検知するようにし
ても良い。
と、研磨盤駆動軸により回転され、表面に前記研磨布を
取り付けた研磨盤と、前記研磨布に研磨粒子を溶解させ
るドレッシング液を供給する手段と、前記研磨布をブラ
ッシングするブラシと、前記研磨布に水を供給する手段
とを備えていることを特徴とする。請求項6に記載の半
導体製造装置は、さらに比抵抗計又はpHセンサからな
るセンサを前記ドレッシング液及び水を排出する手段又
はその近傍に配置し、前記センサによって排出される前
記水に含まれる前記ドレッシング液を検知するようにし
ても良い。
【0013】
【作用】ポリッシング装置の研磨布は、ブラシによるブ
ラッシングに代えて、又は、このブラッシングに加え
て、化学的なドレッシング液によるドレッシングを行う
ことにより殆ど使用前の状態に戻すことができる。ポリ
ッシングレートの増大及び半導体基板の面内ばらつきが
減少する。
ラッシングに代えて、又は、このブラッシングに加え
て、化学的なドレッシング液によるドレッシングを行う
ことにより殆ど使用前の状態に戻すことができる。ポリ
ッシングレートの増大及び半導体基板の面内ばらつきが
減少する。
【0014】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図1は、本発明の半導体装置の製造方法に使用す
る半導体製造装置のポリッシング装置の研磨盤が形成さ
れている部分の断面図である。この研磨盤を含むポリッ
シング装置は、図6に示す従来のポリッシング装置を適
用することができる。この研磨盤17には、図示しない
研磨盤受けを介して駆動シャフト21がその中心部分に
接続されている。そして、研磨盤17の上には半導体基
板(ウェーハ)を研磨する研磨布19が張り付けられて
いる。研磨布19は、発砲ポリウレタンやポリウレタン
不織布などから構成されている。駆動シャフト21は、
モータにより回転され、研磨盤受け及び研磨盤17を回
転させる。一方、半導体基板は、研磨布19と対抗する
位置にくるように真空などにより、図示しない吸着布が
設けられた吸着盤により吸着されている。吸着盤は、図
示しない駆動シャフトに接続され、この駆動シャフトの
移動によって、吸着盤に固定された半導体基板が研磨布
19に押しつけられたり研磨布19から離れたりする。
このポリッシング装置でポリッシングする場合、セリア
(CeO2 )やシリカ(SiO2 )などの研磨粒子を含
有する研磨剤(スラリー)を研磨布に供給しながら半導
体基板をポリッシングする。
する。図1は、本発明の半導体装置の製造方法に使用す
る半導体製造装置のポリッシング装置の研磨盤が形成さ
れている部分の断面図である。この研磨盤を含むポリッ
シング装置は、図6に示す従来のポリッシング装置を適
用することができる。この研磨盤17には、図示しない
研磨盤受けを介して駆動シャフト21がその中心部分に
接続されている。そして、研磨盤17の上には半導体基
板(ウェーハ)を研磨する研磨布19が張り付けられて
いる。研磨布19は、発砲ポリウレタンやポリウレタン
不織布などから構成されている。駆動シャフト21は、
モータにより回転され、研磨盤受け及び研磨盤17を回
転させる。一方、半導体基板は、研磨布19と対抗する
位置にくるように真空などにより、図示しない吸着布が
設けられた吸着盤により吸着されている。吸着盤は、図
示しない駆動シャフトに接続され、この駆動シャフトの
移動によって、吸着盤に固定された半導体基板が研磨布
19に押しつけられたり研磨布19から離れたりする。
このポリッシング装置でポリッシングする場合、セリア
(CeO2 )やシリカ(SiO2 )などの研磨粒子を含
有する研磨剤(スラリー)を研磨布に供給しながら半導
体基板をポリッシングする。
【0015】このポリッシング装置には、ブラッシング
処理及びドレッシング処理を行う器具が備えられてい
る。研磨盤17の上方には、研磨布19をブラッシング
するブラシ22が配置されている。このブラシ22は、
回転シャフト26にこれを支持するブラシ受け24を介
して接続されている。ブラシは、耐腐食性の材料である
テフロンや塩化ビニールなどのブラシ受け24とその表
面に植毛された同じく耐腐食性の材料であるナイロンな
どのブラシ22から構成されている。また、金属基体の
表面にダイヤモンド粒子を貼着した構造のブラシを用い
ても良い。また、この研磨盤17の上方には、さらに、
弗酸などの研磨粒子を溶解させるドレッシング液を研磨
布に供給するパイプ27と、前記研磨布に純水を供給す
るパイプ28を備えている。一方、このポリッシング装
置は、駆動シャフト21を囲むように外囲器30が設け
られており、外囲器30の底部には、使用した純水やド
レッシング液などの廃液を排出する排出口32が形成さ
れいる。この排出口32の出口近傍には廃液の状態を検
知するセンサ34が形成され、この情報がこのセンサ3
4に接続された検出器36によって検出される。センサ
34は、例えば、比抵抗計又はpHセンサから構成され
ている。
処理及びドレッシング処理を行う器具が備えられてい
る。研磨盤17の上方には、研磨布19をブラッシング
するブラシ22が配置されている。このブラシ22は、
回転シャフト26にこれを支持するブラシ受け24を介
して接続されている。ブラシは、耐腐食性の材料である
テフロンや塩化ビニールなどのブラシ受け24とその表
面に植毛された同じく耐腐食性の材料であるナイロンな
どのブラシ22から構成されている。また、金属基体の
表面にダイヤモンド粒子を貼着した構造のブラシを用い
ても良い。また、この研磨盤17の上方には、さらに、
弗酸などの研磨粒子を溶解させるドレッシング液を研磨
布に供給するパイプ27と、前記研磨布に純水を供給す
るパイプ28を備えている。一方、このポリッシング装
置は、駆動シャフト21を囲むように外囲器30が設け
られており、外囲器30の底部には、使用した純水やド
レッシング液などの廃液を排出する排出口32が形成さ
れいる。この排出口32の出口近傍には廃液の状態を検
知するセンサ34が形成され、この情報がこのセンサ3
4に接続された検出器36によって検出される。センサ
34は、例えば、比抵抗計又はpHセンサから構成され
ている。
【0016】このような構造の半導体製造装置を用い
て、ポリッシング及びドレッシング、ブラッシングが行
われる。ポリッシング−ドレッシング/ブラッシングプ
ロセスは、次の様な手順で行われる。即ち、複数枚のウ
ェーハを一枚の研磨布でポリッシングする(複数回のポ
リッシングを行う)→この研磨布をドレッシング/ブラ
ッシングして再生する→再びこの研磨布で複数枚のウェ
ーハをポリッシングする(複数回のポリッシングを行
う)。そして、このプロセスを繰り返す。ポリッシング
は、例えば、図6に示すポリッシング装置の吸着盤を用
い、半導体基板が100rpm程度で回転する研磨盤1
7の上の研磨布19に押しつけられて行われる。研磨盤
17の回転数は、通常20〜200rpmであり、加工
圧は、50〜500g/cm2 である。また、この時セ
リア(CeO2 )やシリカ(SiO2 )などの研磨粒子
を含有する研磨剤(スラリー)を研磨布に供給しながら
ポリッシングする。複数枚の半導体基板について、所定
の研磨布でポリッシングを行ってから、この研磨布に対
してドレッシング/ブラッシングを行う。その際ブラシ
を支持する駆動シャフトを、半導体基板を吸着支持する
吸着盤を駆動する駆動シャフトに代えてスイングアーム
などにより、研磨盤の上に持ってくる。
て、ポリッシング及びドレッシング、ブラッシングが行
われる。ポリッシング−ドレッシング/ブラッシングプ
ロセスは、次の様な手順で行われる。即ち、複数枚のウ
ェーハを一枚の研磨布でポリッシングする(複数回のポ
リッシングを行う)→この研磨布をドレッシング/ブラ
ッシングして再生する→再びこの研磨布で複数枚のウェ
ーハをポリッシングする(複数回のポリッシングを行
う)。そして、このプロセスを繰り返す。ポリッシング
は、例えば、図6に示すポリッシング装置の吸着盤を用
い、半導体基板が100rpm程度で回転する研磨盤1
7の上の研磨布19に押しつけられて行われる。研磨盤
17の回転数は、通常20〜200rpmであり、加工
圧は、50〜500g/cm2 である。また、この時セ
リア(CeO2 )やシリカ(SiO2 )などの研磨粒子
を含有する研磨剤(スラリー)を研磨布に供給しながら
ポリッシングする。複数枚の半導体基板について、所定
の研磨布でポリッシングを行ってから、この研磨布に対
してドレッシング/ブラッシングを行う。その際ブラシ
を支持する駆動シャフトを、半導体基板を吸着支持する
吸着盤を駆動する駆動シャフトに代えてスイングアーム
などにより、研磨盤の上に持ってくる。
【0017】ポリッシングは、例えば、次のような4つ
の方法で行われる。 (1) 研磨盤17の上の研磨布19に供給パイプ27
から研磨粒子を溶解するドレッシング液を滴下し、研磨
布19のドレッシング面の全面にこのドレッシング液を
浸透させて研磨布19に残っているポリッシング時に使
用した研磨剤に含まれる研磨粒子を溶解する。研磨粒子
を溶かし込んだドレッシング液は、外囲器30へ流れ、
外囲器30の底面に形成した排出口32から外部へ排出
される。次に、供給パイプ28から純水を研磨布19に
滴下し、残っているドレッシング液を溶かして排出口3
2から外部へ排出する。 (2) 研磨盤17の上の研磨布19に供給パイプ27
から研磨粒子を溶解するドレッシング液を滴下し、研磨
布19のドレッシング面の全面にこのドレッシング液を
浸透させて研磨布19に残っているポリッシング時に使
用した研磨剤に含まれる研磨粒子を溶解する。研磨粒子
を溶かし込んだドレッシング液は、外囲器30へ流れ、
外囲器30の底面に形成した排出口32から外部へ排出
される。次に、供給パイプ28から純水を研磨布19に
滴下するとともに、回転シャフト26により回転されて
いるブラシ22により研磨布19をブラッシングしなが
ら残っているドレッシング液を排出口32から外部へ排
出させる。ブラシ22の回転速度は50rpm程度であ
る。
の方法で行われる。 (1) 研磨盤17の上の研磨布19に供給パイプ27
から研磨粒子を溶解するドレッシング液を滴下し、研磨
布19のドレッシング面の全面にこのドレッシング液を
浸透させて研磨布19に残っているポリッシング時に使
用した研磨剤に含まれる研磨粒子を溶解する。研磨粒子
を溶かし込んだドレッシング液は、外囲器30へ流れ、
外囲器30の底面に形成した排出口32から外部へ排出
される。次に、供給パイプ28から純水を研磨布19に
滴下し、残っているドレッシング液を溶かして排出口3
2から外部へ排出する。 (2) 研磨盤17の上の研磨布19に供給パイプ27
から研磨粒子を溶解するドレッシング液を滴下し、研磨
布19のドレッシング面の全面にこのドレッシング液を
浸透させて研磨布19に残っているポリッシング時に使
用した研磨剤に含まれる研磨粒子を溶解する。研磨粒子
を溶かし込んだドレッシング液は、外囲器30へ流れ、
外囲器30の底面に形成した排出口32から外部へ排出
される。次に、供給パイプ28から純水を研磨布19に
滴下するとともに、回転シャフト26により回転されて
いるブラシ22により研磨布19をブラッシングしなが
ら残っているドレッシング液を排出口32から外部へ排
出させる。ブラシ22の回転速度は50rpm程度であ
る。
【0018】(3) 研磨盤17の上の研磨布19に供
給パイプ27から研磨粒子を溶解するドレッシング液を
滴下し、研磨布19のドレッシング面の全面にこのドレ
ッシング液を浸透させて研磨布19に残っているポリッ
シング時に使用した研磨剤に含まれる研磨粒子を溶解す
る。この時回転シャフト26により回転されているブラ
シ22により研磨布19をブラッシングして研磨布19
の内部に入り込んでいる研磨粒子を表面に浮き上がらせ
て研磨粒子の溶解を容易にする。ブラシ22の回転速度
は50rpm程度である。研磨粒子を溶かし込んだドレ
ッシング液は、外囲器30へ流れ、外囲器30の底面に
形成した排出口32から外部へ排出される。次に、供給
パイプ28から純水を研磨布19に滴下し、残っている
ドレッシング液を溶かして排出口32から外部へ排出す
る。
給パイプ27から研磨粒子を溶解するドレッシング液を
滴下し、研磨布19のドレッシング面の全面にこのドレ
ッシング液を浸透させて研磨布19に残っているポリッ
シング時に使用した研磨剤に含まれる研磨粒子を溶解す
る。この時回転シャフト26により回転されているブラ
シ22により研磨布19をブラッシングして研磨布19
の内部に入り込んでいる研磨粒子を表面に浮き上がらせ
て研磨粒子の溶解を容易にする。ブラシ22の回転速度
は50rpm程度である。研磨粒子を溶かし込んだドレ
ッシング液は、外囲器30へ流れ、外囲器30の底面に
形成した排出口32から外部へ排出される。次に、供給
パイプ28から純水を研磨布19に滴下し、残っている
ドレッシング液を溶かして排出口32から外部へ排出す
る。
【0019】(4) 研磨盤17の上の研磨布19に供
給パイプ27から研磨粒子を溶解するドレッシング液を
滴下し、研磨布19のドレッシング面の全面にこのドレ
ッシング液を浸透させて研磨布19に残っているポリッ
シング時に使用した研磨剤に含まれる研磨粒子を溶解す
る。この時回転シャフト26により回転されているブラ
シ22により研磨布19をブラッシングして研磨布19
の内部に入り込んでいる研磨粒子を表面に浮き上がらせ
て研磨粒子の溶解を容易にする。ブラシ22の回転速度
は50rpm程度である。研磨粒子を溶かし込んだドレ
ッシング液は、外囲器30へ流れ、外囲器30の底面に
形成した排出口32から外部へ排出される。次に、供給
パイプ28から純水を研磨布19に滴下するとともに、
回転シャフト26により回転されているブラシ22によ
り研磨布19をブラッシングしながら残っているドレッ
シング液を排出口32から外部へ排出させる。ブラシ2
2の回転速度は50rpm程度であり、ドレッシング液
でドレッシングしているときのブラッシング時のブラシ
22の回転数と同じにして、連続してブラシ22を回転
させてもよい。
給パイプ27から研磨粒子を溶解するドレッシング液を
滴下し、研磨布19のドレッシング面の全面にこのドレ
ッシング液を浸透させて研磨布19に残っているポリッ
シング時に使用した研磨剤に含まれる研磨粒子を溶解す
る。この時回転シャフト26により回転されているブラ
シ22により研磨布19をブラッシングして研磨布19
の内部に入り込んでいる研磨粒子を表面に浮き上がらせ
て研磨粒子の溶解を容易にする。ブラシ22の回転速度
は50rpm程度である。研磨粒子を溶かし込んだドレ
ッシング液は、外囲器30へ流れ、外囲器30の底面に
形成した排出口32から外部へ排出される。次に、供給
パイプ28から純水を研磨布19に滴下するとともに、
回転シャフト26により回転されているブラシ22によ
り研磨布19をブラッシングしながら残っているドレッ
シング液を排出口32から外部へ排出させる。ブラシ2
2の回転速度は50rpm程度であり、ドレッシング液
でドレッシングしているときのブラッシング時のブラシ
22の回転数と同じにして、連続してブラシ22を回転
させてもよい。
【0020】以上、この実施例では4つの方法のいづれ
かによりポリッシングを行う。ドレッシング液によるド
レッシングは、ドレッシング液が研磨布に入り込んでい
る研磨粒子を溶かし出すまでドレッシング液は、研磨布
19に供給しなければならずそのために所定の時間まで
供給パイプ27から供給する。研磨布19から研磨粒子
が十分溶かし出されあとドレッシング液の供給を止め、
つづいて純水を供給パイプ28から研磨布19に供給す
る。純水によるドレッシングは、研磨布に供給され、排
出された純水の中にドレッシング液が含まれなくなって
から供給を止める。そのために、センサをドレッシング
液や水を排出する外囲器30の底部もしくはその近傍に
形成された近傍に配置し、このセンサによって排出され
る純水に含まれるドレッシング液を検知してドレッシン
グの終了を知る。
かによりポリッシングを行う。ドレッシング液によるド
レッシングは、ドレッシング液が研磨布に入り込んでい
る研磨粒子を溶かし出すまでドレッシング液は、研磨布
19に供給しなければならずそのために所定の時間まで
供給パイプ27から供給する。研磨布19から研磨粒子
が十分溶かし出されあとドレッシング液の供給を止め、
つづいて純水を供給パイプ28から研磨布19に供給す
る。純水によるドレッシングは、研磨布に供給され、排
出された純水の中にドレッシング液が含まれなくなって
から供給を止める。そのために、センサをドレッシング
液や水を排出する外囲器30の底部もしくはその近傍に
形成された近傍に配置し、このセンサによって排出され
る純水に含まれるドレッシング液を検知してドレッシン
グの終了を知る。
【0021】ドレッシング液は、ポリッシングに用いる
研磨剤に含まれる研磨粒子を有効に溶かす材料でなけれ
ばならない。したがって、研磨粒子の材料によってドレ
ッシング液は、材料が異なる。例えば、弗酸(HF)
は、研磨粒子に用いられるシリカ(SiO2 )やセリア
(CeO2 )を溶かし、硫酸(H2 SO4 )は、シリカ
を特に良く溶かす。また、硝酸(HNO3 )も本発明の
ドレッシング液として有効である。前述した弗酸は、ど
の材料の研磨粒子も溶かすことができるので、材料選択
の必要がなく、有効なドレッシング液材料である。この
実施例では、どの材料の研磨粒子にも対応可能な弗酸を
ドレッシング液として用いている。排出口32の近傍に
配置されるセンサ34には、例えば、比抵抗計、pHセ
ンサなどが用いられる。そして、これらセンサにより、
抵抗値の変化やpHの値の変化を知って排出される純水
中に含まれる、例えば、弗酸などのドレッシング液が含
まれなくなったことを検知した時点でドレッシングを終
了させる。
研磨剤に含まれる研磨粒子を有効に溶かす材料でなけれ
ばならない。したがって、研磨粒子の材料によってドレ
ッシング液は、材料が異なる。例えば、弗酸(HF)
は、研磨粒子に用いられるシリカ(SiO2 )やセリア
(CeO2 )を溶かし、硫酸(H2 SO4 )は、シリカ
を特に良く溶かす。また、硝酸(HNO3 )も本発明の
ドレッシング液として有効である。前述した弗酸は、ど
の材料の研磨粒子も溶かすことができるので、材料選択
の必要がなく、有効なドレッシング液材料である。この
実施例では、どの材料の研磨粒子にも対応可能な弗酸を
ドレッシング液として用いている。排出口32の近傍に
配置されるセンサ34には、例えば、比抵抗計、pHセ
ンサなどが用いられる。そして、これらセンサにより、
抵抗値の変化やpHの値の変化を知って排出される純水
中に含まれる、例えば、弗酸などのドレッシング液が含
まれなくなったことを検知した時点でドレッシングを終
了させる。
【0022】次に、図2を参照して本発明のドレッシン
グ方法による作用効果を説明する。図は、ポリッシング
レート及び面内ばらつきのポリッシングされる半導体基
板の枚数依存性を示す特性図であり、縦軸は、ポリッシ
ングレート(nm/min)及び半導体基板の面内ばら
つき(%)を示し、横軸は、1枚の研磨布がポリッシン
グする半導体基板の枚数を示している。本発明の弗酸に
よるドレッシング処理を行った研磨布は、半導体基板を
150枚以上ポリッシングしても、ポリッシングレート
や面内ばらつきの変化は殆ど認められなかった。従来の
ドレッシング処理を行った研磨布では、前述のように高
々半導体基板を50枚程度ポリッシングしてもポリッシ
ングレートや面内ばらつきが著しく変化する。本発明の
半導体製造装置は、図7乃至図11に示したウェーハ処
理工程を含む半導体装置の製造方法などに適用される。
グ方法による作用効果を説明する。図は、ポリッシング
レート及び面内ばらつきのポリッシングされる半導体基
板の枚数依存性を示す特性図であり、縦軸は、ポリッシ
ングレート(nm/min)及び半導体基板の面内ばら
つき(%)を示し、横軸は、1枚の研磨布がポリッシン
グする半導体基板の枚数を示している。本発明の弗酸に
よるドレッシング処理を行った研磨布は、半導体基板を
150枚以上ポリッシングしても、ポリッシングレート
や面内ばらつきの変化は殆ど認められなかった。従来の
ドレッシング処理を行った研磨布では、前述のように高
々半導体基板を50枚程度ポリッシングしてもポリッシ
ングレートや面内ばらつきが著しく変化する。本発明の
半導体製造装置は、図7乃至図11に示したウェーハ処
理工程を含む半導体装置の製造方法などに適用される。
【0023】
【発明の効果】以上のように本発明では、研磨布に侵入
した研磨粒子をドレッシング液でドレッシングするの
で、この研磨布でポリッシングする半導体基板のポリッ
シングレート及び面内ばらつきは、どの半導体基板でも
同じような値であり、ポリッシングレートや面内ばらつ
きが安定する。
した研磨粒子をドレッシング液でドレッシングするの
で、この研磨布でポリッシングする半導体基板のポリッ
シングレート及び面内ばらつきは、どの半導体基板でも
同じような値であり、ポリッシングレートや面内ばらつ
きが安定する。
【図1】本発明の半導体製造装置のポリッシング装置の
部分断面図。
部分断面図。
【図2】本発明の製造方法を説明するポリッシングレー
ト及び面内ばらつきの研磨布による半導体基板枚数依存
性を示す特性図。
ト及び面内ばらつきの研磨布による半導体基板枚数依存
性を示す特性図。
【図3】従来の製造方法を説明するポリッシングレート
及び面内ばらつきの研磨布による半導体基板枚数依存性
を示す特性図。
及び面内ばらつきの研磨布による半導体基板枚数依存性
を示す特性図。
【図4】従来のエッチバックRIE法による積層された
膜の平坦化プロセス断面図。
膜の平坦化プロセス断面図。
【図5】従来のエッチバックRIE法による積層された
膜の平坦化プロセス断面図。
膜の平坦化プロセス断面図。
【図6】従来のポリッシング装置の断面図。
【図7】本発明及び従来のCMP法によるSiO2 膜の
平坦化プロセス断面図。
平坦化プロセス断面図。
【図8】本発明及び従来のCMP法によるSiO2 膜の
平坦化プロセス断面図。
平坦化プロセス断面図。
【図9】本発明及び従来のCMP法によるトレンチ素子
分離プロセス断面図。
分離プロセス断面図。
【図10】本発明及び従来のCMP法による金属配線埋
込みプロセス断面図。
込みプロセス断面図。
【図11】本発明及び従来のCMP法による金属配線埋
込みプロセス断面図。
込みプロセス断面図。
1・・・半導体基板、 2、5、12、18・・・S
iO2 膜、3・・・ポリシリコン膜、 4、8、9、
14・・・溝部、6・・・エッチバックレジスト、
7・・・Si3 N4 膜、10・・・チャネルカット領
域、 11・・・台、13・・・ベアリング、 1
5・・・研磨盤受け、16・・・Cu膜、 17・・
・研磨盤、 19・・・研磨布、20・・・ウェー
ハ、 21、26、35・・・駆動シャフト、22・
・・ブラシ、 23、37・・・モータ、24・・・
ブラシ受け、 25・・・回転ベルト、27、28・
・・供給パイプ、 29・・・テンプレート、30・
・・外囲器、 31・・・吸着布、 32・・・排
出口、33・・・吸着盤、 34・・・センサ、
36・・・検出器、39、41・・・ギア、 43・
・・駆動台、 45・・・シリンダ、51・・・へこ
み、 52・・・凸部
iO2 膜、3・・・ポリシリコン膜、 4、8、9、
14・・・溝部、6・・・エッチバックレジスト、
7・・・Si3 N4 膜、10・・・チャネルカット領
域、 11・・・台、13・・・ベアリング、 1
5・・・研磨盤受け、16・・・Cu膜、 17・・
・研磨盤、 19・・・研磨布、20・・・ウェー
ハ、 21、26、35・・・駆動シャフト、22・
・・ブラシ、 23、37・・・モータ、24・・・
ブラシ受け、 25・・・回転ベルト、27、28・
・・供給パイプ、 29・・・テンプレート、30・
・・外囲器、 31・・・吸着布、 32・・・排
出口、33・・・吸着盤、 34・・・センサ、
36・・・検出器、39、41・・・ギア、 43・
・・駆動台、 45・・・シリンダ、51・・・へこ
み、 52・・・凸部
Claims (7)
- 【請求項1】 研磨粒子を含む研磨剤をかけながらポリ
ッシングする研磨布を用いて複数の半導体基板をポリッ
シングする工程と、前記複数の半導体基板をポリッシン
グした研磨布を研磨粒子を溶解させるドレッシング液で
ドレッシングする工程とを備えていることを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 前記研磨布をドレッシングする工程にお
いて、このドレッシングを行いながらブラシを用いてブ
ラッシングすることを特徴とする請求項1に記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項3】 前記研磨布をドレッシングする工程の後
に、前記研磨布を水でドレッシングする工程をさらに加
えることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項4】 前記研磨布を水でドレッシングする工程
において、このドレッシングを行いながらブラシを用い
てブラッシングすることを特徴とする請求項3に記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項5】 前記研磨粒子を溶解させるドレッシング
液は、弗酸、硝酸、硫酸のいづれかから構成されている
ことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいづれかに記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項6】 研磨布と、 研磨盤駆動軸により回転され、表面に前記研磨布を取り
付けた研磨盤と、 前記研磨布に研磨粒子を溶解させるドレッシング液を供
給する手段と、 前記研磨布をブラッシングするブラシと、 前記研磨布に水を供給する手段とを備えていることを特
徴とする半導体製造装置。 - 【請求項7】 請求項6に記載の半導体製造装置は、さ
らに比抵抗計又はpHセンサからなるセンサを前記ドレ
ッシング液及び水を排出する手段もしくはその近傍に配
置し、前記センサによって排出される前記水に含まれる
前記ドレッシング液を検知することを特徴とする半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8486095A JP3192346B2 (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8486095A JP3192346B2 (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08255775A true JPH08255775A (ja) | 1996-10-01 |
JP3192346B2 JP3192346B2 (ja) | 2001-07-23 |
Family
ID=13842572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8486095A Expired - Fee Related JP3192346B2 (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3192346B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2001244224A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-09-07 | Applied Materials Inc | アルミニウムの化学的機械研磨におけるパッドグレージングの除去 |
JP2001347450A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-18 | Promos Technologies Inc | 化学機械研磨装置 |
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-
1995
- 1995-03-15 JP JP8486095A patent/JP3192346B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2007059820A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | パッドドレッサー、パッドドレッシング方法、及び研磨装置 |
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Publication number | Publication date |
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JP3192346B2 (ja) | 2001-07-23 |
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