JPH08235409A - 物品真偽判別装置、物品の真偽判別方法および偽造防止物品 - Google Patents
物品真偽判別装置、物品の真偽判別方法および偽造防止物品Info
- Publication number
- JPH08235409A JPH08235409A JP7314399A JP31439995A JPH08235409A JP H08235409 A JPH08235409 A JP H08235409A JP 7314399 A JP7314399 A JP 7314399A JP 31439995 A JP31439995 A JP 31439995A JP H08235409 A JPH08235409 A JP H08235409A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electromagnetic wave
- inspected
- article
- light source
- authenticity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Inspection Of Paper Currency And Valuable Securities (AREA)
- Credit Cards Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 紙幣や有価証券等の偽造品を検出する。
【解決手段】 偽造を防止すべき物品（偽造防止物品
１）には、予め所定の混合比で光半導体を混合してお
く。まず、光源６が消灯された状態でフィードフォーン
５を介して偽造防止物品１にマイクロ波が放射される。
このマイクロ波は偽造防止物品１で反射され、フィード
フォーン７を介して受信部８に供給され、その受信レベ
ルが測定される。次に、光源６が点灯され、同様に受信
レベルが測定される。光半導体は、光が放射されると励
起状態になりマイクロ波反射率が高くなる。従って、光
源６の点灯時の受信レベルは、消灯時のものよりも高く
なる。従って、かかる特性が得られたか否かに基づいて
偽造防止物品１の真偽が判定される。
１）には、予め所定の混合比で光半導体を混合してお
く。まず、光源６が消灯された状態でフィードフォーン
５を介して偽造防止物品１にマイクロ波が放射される。
このマイクロ波は偽造防止物品１で反射され、フィード
フォーン７を介して受信部８に供給され、その受信レベ
ルが測定される。次に、光源６が点灯され、同様に受信
レベルが測定される。光半導体は、光が放射されると励
起状態になりマイクロ波反射率が高くなる。従って、光
源６の点灯時の受信レベルは、消灯時のものよりも高く
なる。従って、かかる特性が得られたか否かに基づいて
偽造防止物品１の真偽が判定される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、紙幣、有価証券
等の真偽判別に用いて好適な物品真偽判別装置、物品の
真偽判別方法および偽造防止物品に関する。
等の真偽判別に用いて好適な物品真偽判別装置、物品の
真偽判別方法および偽造防止物品に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、紙幣、パスポート、クレジットカ
ード、債券、免許証など（以下、偽造防止物品という）
の偽造や変造が問題になっており、これらの物品の真正
さをチェックする各種の技術が提案されている。その一
つとして、所定の分布パターンで偽造防止物品に金属フ
ァイバを含ませておき、その分布パターンに基づいて紙
幣等の真偽を判別する技術が知られている（特表昭６３
−５０１２５０，特開平６−８７２８８，特開平６−７
９９９１）。これらの技術によれば、マイクロ波を伝搬
する導波管に対して、この導波管を横切るようにスリッ
トが形成される。そして、このスリットに偽造防止物品
が挿入され、マイクロ波の透過率が測定される。もし偽
造防止物品が正当なものであれば透過率は上記分布パタ
ーンに応じて変動する筈であり、かかる透過率の変動が
得られたか否かに基づいて偽造防止物品の真偽が判定さ
れる。
ード、債券、免許証など（以下、偽造防止物品という）
の偽造や変造が問題になっており、これらの物品の真正
さをチェックする各種の技術が提案されている。その一
つとして、所定の分布パターンで偽造防止物品に金属フ
ァイバを含ませておき、その分布パターンに基づいて紙
幣等の真偽を判別する技術が知られている（特表昭６３
−５０１２５０，特開平６−８７２８８，特開平６−７
９９９１）。これらの技術によれば、マイクロ波を伝搬
する導波管に対して、この導波管を横切るようにスリッ
トが形成される。そして、このスリットに偽造防止物品
が挿入され、マイクロ波の透過率が測定される。もし偽
造防止物品が正当なものであれば透過率は上記分布パタ
ーンに応じて変動する筈であり、かかる透過率の変動が
得られたか否かに基づいて偽造防止物品の真偽が判定さ
れる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した技
術においては、何れも所定の分布パターンを形成するた
めに金属ファイバが用いられている。しかし、金属ファ
イバは入手容易なものであるから、偽造品が簡単に製造
されてしまうという問題があった。例えば、特表昭６３
−５０１２５０においては、金属ファイバとして長さ
「０．５〜１．５ｍｍ」、直径「２〜２５μｍ」のもの
が用いられているが、これ以外の寸法を有する金属ファ
イバを用いた場合であっても同様のマイクロ波反射特性
を容易に得ることができる。
術においては、何れも所定の分布パターンを形成するた
めに金属ファイバが用いられている。しかし、金属ファ
イバは入手容易なものであるから、偽造品が簡単に製造
されてしまうという問題があった。例えば、特表昭６３
−５０１２５０においては、金属ファイバとして長さ
「０．５〜１．５ｍｍ」、直径「２〜２５μｍ」のもの
が用いられているが、これ以外の寸法を有する金属ファ
イバを用いた場合であっても同様のマイクロ波反射特性
を容易に得ることができる。
【０００４】この理由は、本発明者らが検討したところ
では、マイクロ波反射特性は金属ファイバの長さに依存
する傾向が強く、太さが異なったとしてもマイクロ波反
射特性に大きな変動は見られないからである。また、偽
造品に用いる金属ファイバの長さ、あるいは材質が真正
品のものと相違したとしても、一定面積あたりの金属フ
ァイバの含有率を適宜設定することにより、真正品と同
様のマイクロ波反射特性を得ることができる。
では、マイクロ波反射特性は金属ファイバの長さに依存
する傾向が強く、太さが異なったとしてもマイクロ波反
射特性に大きな変動は見られないからである。また、偽
造品に用いる金属ファイバの長さ、あるいは材質が真正
品のものと相違したとしても、一定面積あたりの金属フ
ァイバの含有率を適宜設定することにより、真正品と同
様のマイクロ波反射特性を得ることができる。
【０００５】このように、従来のものにおいては、真正
品と同様の特性を有する偽造品を製作することは容易で
あり、偽造防止物品の真偽を正確に判別することは困難
である。この発明は上述した事情に鑑みてなされたもの
であり、偽造防止物品の真偽を正確に判別できる物品真
偽判別装置、物品の真偽判別方法および偽造防止物品を
提供することを目的としている。
品と同様の特性を有する偽造品を製作することは容易で
あり、偽造防止物品の真偽を正確に判別することは困難
である。この発明は上述した事情に鑑みてなされたもの
であり、偽造防止物品の真偽を正確に判別できる物品真
偽判別装置、物品の真偽判別方法および偽造防止物品を
提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１記載の物品真偽判別装置にあっては、被検査物
に光を放射する光源と、前記被検査物に向かって電磁波
を放射する電磁波発生手段と、前記電磁波発生手段から
放射され前記被検査物によって反射、散乱または透過さ
れた電磁波を受信し、該受信した電磁波の受信レベルを
出力する電磁波受信手段と、前記光源を点灯または消灯
状態に適宜設定する点滅制御手段と、前記点滅制御手段
によって前記光源が点灯状態に設定された場合に前記電
磁波受信手段から出力された受信レベルと、前記点滅制
御手段によって前記光源が消灯状態に設定された場合に
前記電磁波受信手段から出力された受信レベルとに基づ
いて、前記被検査物の真偽を判定する判定手段とを具備
することを特徴とする。。
請求項１記載の物品真偽判別装置にあっては、被検査物
に光を放射する光源と、前記被検査物に向かって電磁波
を放射する電磁波発生手段と、前記電磁波発生手段から
放射され前記被検査物によって反射、散乱または透過さ
れた電磁波を受信し、該受信した電磁波の受信レベルを
出力する電磁波受信手段と、前記光源を点灯または消灯
状態に適宜設定する点滅制御手段と、前記点滅制御手段
によって前記光源が点灯状態に設定された場合に前記電
磁波受信手段から出力された受信レベルと、前記点滅制
御手段によって前記光源が消灯状態に設定された場合に
前記電磁波受信手段から出力された受信レベルとに基づ
いて、前記被検査物の真偽を判定する判定手段とを具備
することを特徴とする。。
【０００７】また、請求項２記載の構成にあっては、請
求項１記載の物品真偽判別装置において、前記被検査物
は光半導体を含有させた物品であることを特徴とする。
求項１記載の物品真偽判別装置において、前記被検査物
は光半導体を含有させた物品であることを特徴とする。
【０００８】また、請求項３記載の構成にあっては、請
求項２記載の物品真偽判別装置において、前記光半導体
は、前記光源によって光が照射されると、その導電率が
上昇する性質を有し、前記判定手段は、該性質に基づい
て前記被検査物の真偽を判定することを特徴とする。
求項２記載の物品真偽判別装置において、前記光半導体
は、前記光源によって光が照射されると、その導電率が
上昇する性質を有し、前記判定手段は、該性質に基づい
て前記被検査物の真偽を判定することを特徴とする。
【０００９】また、請求項４記載の物品真偽判別装置に
あっては、光半導体を含有させた被検査物に光を放射す
る光源と、前記被検査物に向かって電磁波を放射する電
磁波発生手段と、前記電磁波発生手段から放射され前記
被検査物によって反射、散乱または透過された電磁波を
受信し、該受信した電磁波の受信レベルを出力する電磁
波受信手段と、前記電磁波受信手段により出力された受
信レベルに基づいて、前記被検査物の真偽を判定する判
定手段とを具備することを特徴とする。
あっては、光半導体を含有させた被検査物に光を放射す
る光源と、前記被検査物に向かって電磁波を放射する電
磁波発生手段と、前記電磁波発生手段から放射され前記
被検査物によって反射、散乱または透過された電磁波を
受信し、該受信した電磁波の受信レベルを出力する電磁
波受信手段と、前記電磁波受信手段により出力された受
信レベルに基づいて、前記被検査物の真偽を判定する判
定手段とを具備することを特徴とする。
【００１０】また、請求項５記載の構成にあっては、請
求項４記載の物品真偽判別装置において、前記光源を点
灯または消灯状態に適宜設定する点滅制御手段を具備
し、前記判定手段は、前記点滅制御手段によって前記光
源が点灯状態に設定された場合に前記電磁波受信手段か
ら出力された受信レベルと、前記点滅制御手段によって
前記光源が消灯状態に設定された場合に前記電磁波受信
手段から出力された受信レベルとに基づいて、前記被検
査物の真偽を判定することを特徴とする。
求項４記載の物品真偽判別装置において、前記光源を点
灯または消灯状態に適宜設定する点滅制御手段を具備
し、前記判定手段は、前記点滅制御手段によって前記光
源が点灯状態に設定された場合に前記電磁波受信手段か
ら出力された受信レベルと、前記点滅制御手段によって
前記光源が消灯状態に設定された場合に前記電磁波受信
手段から出力された受信レベルとに基づいて、前記被検
査物の真偽を判定することを特徴とする。
【００１１】また、請求項６記載の物品の真偽判別方法
にあっては、光半導体を含有させた被検査物に対して光
を放射し、この光を放射した際に前記被検査物に向かっ
て電磁波を放射し、前記被検査物によって前記電磁波を
反射、散乱または透過させ、反射、散乱または透過され
た電磁波を受信し、前記光を放射した際に受信した電磁
波の受信レベルを第１の受信レベルとして出力し、該第
１の受信レベルに基づいて、前記被検査物の真偽を判定
することを特徴とする。
にあっては、光半導体を含有させた被検査物に対して光
を放射し、この光を放射した際に前記被検査物に向かっ
て電磁波を放射し、前記被検査物によって前記電磁波を
反射、散乱または透過させ、反射、散乱または透過され
た電磁波を受信し、前記光を放射した際に受信した電磁
波の受信レベルを第１の受信レベルとして出力し、該第
１の受信レベルに基づいて、前記被検査物の真偽を判定
することを特徴とする。
【００１２】また、請求項７記載の方法にあっては、請
求項６記載の物品の真偽判別方法において、光の放射を
禁止しつつ前記被検査物に向かって電磁波を放射し、前
記被検査物によって前記電磁波を反射、散乱または透過
させ、反射、散乱または透過された電磁波を受信し、前
記光の放射を禁止した際に受信した電磁波の受信レベル
を第２の受信レベルとして出力し、該第１および第２の
受信レベルに基づいて、前記被検査物の真偽を判定する
ことを特徴とする。
求項６記載の物品の真偽判別方法において、光の放射を
禁止しつつ前記被検査物に向かって電磁波を放射し、前
記被検査物によって前記電磁波を反射、散乱または透過
させ、反射、散乱または透過された電磁波を受信し、前
記光の放射を禁止した際に受信した電磁波の受信レベル
を第２の受信レベルとして出力し、該第１および第２の
受信レベルに基づいて、前記被検査物の真偽を判定する
ことを特徴とする。
【００１３】また、請求項８記載の偽造防止物品にあっ
ては、所定波長の光に対して励起状態となり導電率が上
昇する光半導体を含有したことを特徴とする
ては、所定波長の光に対して励起状態となり導電率が上
昇する光半導体を含有したことを特徴とする
【００１４】
Ａ．実施形態の構成 以下、図１を参照してこの発明の一実施形態について説
明する。図において１は偽造防止物品（紙幣、クレジッ
トカード等）であり、搬送ローラ２，２，……によっ
て、図上左右方向に搬送される。これら搬送ローラ２，
２，……は、モータ３によって駆動される。４は送信部
であり、所定周波数のマイクロ波を発生させる。このマ
イクロ波はフィードフォーン５を介して偽造防止物品１
に放射される。６は光源であり、電球または半導体レー
ザ等によって構成される。
明する。図において１は偽造防止物品（紙幣、クレジッ
トカード等）であり、搬送ローラ２，２，……によっ
て、図上左右方向に搬送される。これら搬送ローラ２，
２，……は、モータ３によって駆動される。４は送信部
であり、所定周波数のマイクロ波を発生させる。このマ
イクロ波はフィードフォーン５を介して偽造防止物品１
に放射される。６は光源であり、電球または半導体レー
ザ等によって構成される。
【００１５】次に、８は受信部であり、偽造防止物品１
によって反射または散乱されたマイクロ波をフィードフ
ォーン７を介して受信する。受信部８の内部において９
はマイクロ波増幅器であり、フィードフォーン７を介し
て受信したマイクロ波を増幅し、第１混合器１１に供給
する。１０は第１局部発振器であり、所定の周波数のキ
ャリアを第１混合器１１に供給する。これにより、第１
混合器１１に供給されたマイクロ波の周波数は第１中間
周波数に変換される。１２は第１中間周波増幅器であ
り、第１中間周波数に変換された信号を増幅する。
によって反射または散乱されたマイクロ波をフィードフ
ォーン７を介して受信する。受信部８の内部において９
はマイクロ波増幅器であり、フィードフォーン７を介し
て受信したマイクロ波を増幅し、第１混合器１１に供給
する。１０は第１局部発振器であり、所定の周波数のキ
ャリアを第１混合器１１に供給する。これにより、第１
混合器１１に供給されたマイクロ波の周波数は第１中間
周波数に変換される。１２は第１中間周波増幅器であ
り、第１中間周波数に変換された信号を増幅する。
【００１６】１４は第２局部発振器、１３は第２混合器
であり、第１中間周波数に変換された信号をさらに第２
中間周波数に変換する。この第２中間周波数の信号は、
検波回路１６を介して検波され、低周波増幅器１７を介
して増幅された後、検波信号Ｓ1 として出力される。従
って、検波信号Ｓ1 のレベルは、受信部８に入力された
マイクロ波のＲＦレベルに比例する値になる。１８はＡ
／Ｄコンバータであり、検波信号Ｓ1 をデジタル信号に
変換して出力する。
であり、第１中間周波数に変換された信号をさらに第２
中間周波数に変換する。この第２中間周波数の信号は、
検波回路１６を介して検波され、低周波増幅器１７を介
して増幅された後、検波信号Ｓ1 として出力される。従
って、検波信号Ｓ1 のレベルは、受信部８に入力された
マイクロ波のＲＦレベルに比例する値になる。１８はＡ
／Ｄコンバータであり、検波信号Ｓ1 をデジタル信号に
変換して出力する。
【００１７】次に、１９はＣＰＵであり、ＲＯＭ２５に
格納された制御プログラムに基づいて他の構成要素を制
御する。２６はＲＡＭであり、上記制御プログラムで用
いられる各種変数等を記憶する。２０は光源インターフ
ェース回路であり、ＣＰＵ１９の制御の下、光源６を点
灯または消灯させる。２１はモータ・インターフェース
回路であり、ＣＰＵ１９の制御の下、モータ３を駆動す
る。２２は受信インターフェース回路であり、１８を介
して受信した検波信号Ｓ1 を適宜ＣＰＵ１９に供給す
る。２３は表示インターフェース回路であり、ＣＰＵ１
９の制御の下、表示部２４に各種の情報を表示させる。
格納された制御プログラムに基づいて他の構成要素を制
御する。２６はＲＡＭであり、上記制御プログラムで用
いられる各種変数等を記憶する。２０は光源インターフ
ェース回路であり、ＣＰＵ１９の制御の下、光源６を点
灯または消灯させる。２１はモータ・インターフェース
回路であり、ＣＰＵ１９の制御の下、モータ３を駆動す
る。２２は受信インターフェース回路であり、１８を介
して受信した検波信号Ｓ1 を適宜ＣＰＵ１９に供給す
る。２３は表示インターフェース回路であり、ＣＰＵ１
９の制御の下、表示部２４に各種の情報を表示させる。
【００１８】次に、本実施形態に適用される偽造防止物
品１の物理的構成について説明する。偽造防止物品１
は、適宜な方法で光半導体を含有させた物品である。例
えば、光半導体の粒子を樹脂内に分散したクレジットカ
ード、光半導体をコーティングした書類、または、光半
導体を含有するインクを用いて印刷した有価証券等が該
当する。光半導体とは、その吸収する波長の光が照射さ
れると励起状態になり、導電率が上昇する物質のことで
あり、これにマイクロ波と光とを同時に照射すると、マ
イクロ波の反射波のレベルが増大する。
品１の物理的構成について説明する。偽造防止物品１
は、適宜な方法で光半導体を含有させた物品である。例
えば、光半導体の粒子を樹脂内に分散したクレジットカ
ード、光半導体をコーティングした書類、または、光半
導体を含有するインクを用いて印刷した有価証券等が該
当する。光半導体とは、その吸収する波長の光が照射さ
れると励起状態になり、導電率が上昇する物質のことで
あり、これにマイクロ波と光とを同時に照射すると、マ
イクロ波の反射波のレベルが増大する。
【００１９】本実施形態はこの性質を利用したものであ
る。すなわち、商取引等の際に偽造防止物品１にマイク
ロ波を放射し、マイクロ波および光を同時に放射した場
合と、マイクロ波のみを放射した場合とにおける反射波
のレベルを比較することにより、偽造防止物品１に光半
導体が含まれているか否かを判別することができる。偽
造防止物品１に光半導体が含まれていなれば、これは偽
物であるから、商取引等を停止するのである。
る。すなわち、商取引等の際に偽造防止物品１にマイク
ロ波を放射し、マイクロ波および光を同時に放射した場
合と、マイクロ波のみを放射した場合とにおける反射波
のレベルを比較することにより、偽造防止物品１に光半
導体が含まれているか否かを判別することができる。偽
造防止物品１に光半導体が含まれていなれば、これは偽
物であるから、商取引等を停止するのである。
【００２０】偽造防止物品１に用いられる光半導体とし
ては、無機半導体、有機半導体の何れも使用することが
でき、判別に使用される光源に対応する分光感度を有し
ていればよい。無機半導体としては、複写機用無機感光
体に使用されている材料が各種適用可能であり、具体的
には次のような物質が挙げられる。
ては、無機半導体、有機半導体の何れも使用することが
でき、判別に使用される光源に対応する分光感度を有し
ていればよい。無機半導体としては、複写機用無機感光
体に使用されている材料が各種適用可能であり、具体的
には次のような物質が挙げられる。
【００２１】(1)Ｓｅ，ＴｅなどのVI族、およびその化
合物半導体。 (2)Ｓｉ，Ｇｅ，ＳｎなどのIV族、およびその化合物半
導体。 (3)ＧａＡｓ，ＩｎＰなどのIII−Ｖ族、およびその化合
物半導体。 (4)ＺｎＯ，ＺｎＳｅ，ＣｄＳ、などのII−VI族、およ
びその化合物半導体。 これらは、結晶、非結晶の何れも適用可能である。
合物半導体。 (2)Ｓｉ，Ｇｅ，ＳｎなどのIV族、およびその化合物半
導体。 (3)ＧａＡｓ，ＩｎＰなどのIII−Ｖ族、およびその化合
物半導体。 (4)ＺｎＯ，ＺｎＳｅ，ＣｄＳ、などのII−VI族、およ
びその化合物半導体。 これらは、結晶、非結晶の何れも適用可能である。
【００２２】有機半導体としては、いわゆるＯＰＣ（有
機感光体）に適用できるものが各種適用可能であり、具
体的には次のような化合物が挙げられる。 (1)モノアゾ顔料、ビスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、テ
トラゾ顔料等のアゾ系顔料。 (2)ペリレン酸無水物、ペリレン酸イミド等のペリレン
系顔料、 (3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体、
ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、ビ
オラントロン誘導体、イソビオラントロン誘導体等の多
環キノン系顔料。 (4)インジゴ誘導体、チオインジゴ誘導体等のインジゴ
系顔料。 (5)銅フタロシアニン、チタニルフタロシアニン等の金
属フタロシアニン顔料。 (6)ジフェニルメタン顔料、トリフェニルメタン顔料、
キサンテン顔料、アクリジン顔料等のカルボニウム系顔
料。 (7)アジン顔料、オキサジン顔料、チアジン顔料等のキ
ノンイミン系顔料。
機感光体）に適用できるものが各種適用可能であり、具
体的には次のような化合物が挙げられる。 (1)モノアゾ顔料、ビスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、テ
トラゾ顔料等のアゾ系顔料。 (2)ペリレン酸無水物、ペリレン酸イミド等のペリレン
系顔料、 (3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体、
ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、ビ
オラントロン誘導体、イソビオラントロン誘導体等の多
環キノン系顔料。 (4)インジゴ誘導体、チオインジゴ誘導体等のインジゴ
系顔料。 (5)銅フタロシアニン、チタニルフタロシアニン等の金
属フタロシアニン顔料。 (6)ジフェニルメタン顔料、トリフェニルメタン顔料、
キサンテン顔料、アクリジン顔料等のカルボニウム系顔
料。 (7)アジン顔料、オキサジン顔料、チアジン顔料等のキ
ノンイミン系顔料。
【００２３】(8)シアニン顔料、アゾメチン顔料等のメ
チン系顔料。 (9)キノリン系顔料。 (10)ベンゾキノン、およびナフトキノン系顔料。 (11)ナフタルイミド系顔料。 (12)ビスベンゾイミダゾール誘導体等のペリノン系顔
料。 (13)アズレニウム系顔料。 (14)スクエアリウム系顔料。 (15)ピリリウム／チアピリリウム系染料とポリカーボネ
ート化合物から形成される共晶錯体。 (16)ニトロ基、ニトロソ基、シアノ基等の電子受容性置
換基を有する電子受容性化合物と、アミノ基、フェニル
基、アルキル基、複素環基等の電子供与性置換基を有す
る電子供与性化合物との電荷移動錯体。
チン系顔料。 (9)キノリン系顔料。 (10)ベンゾキノン、およびナフトキノン系顔料。 (11)ナフタルイミド系顔料。 (12)ビスベンゾイミダゾール誘導体等のペリノン系顔
料。 (13)アズレニウム系顔料。 (14)スクエアリウム系顔料。 (15)ピリリウム／チアピリリウム系染料とポリカーボネ
ート化合物から形成される共晶錯体。 (16)ニトロ基、ニトロソ基、シアノ基等の電子受容性置
換基を有する電子受容性化合物と、アミノ基、フェニル
基、アルキル基、複素環基等の電子供与性置換基を有す
る電子供与性化合物との電荷移動錯体。
【００２４】これらの中でも、アゾ系顔料、ペリレン系
顔料、多環キノン系顔料、およびフタロシアニン顔料
は、光導電性や耐候性が優れているため特に好ましい。
これらは有色性色材でもあるため、塗料やインクとして
使用する際には、所望の色を有するものを選択すればよ
い。使用する際には、光導電性を有していない色材と併
用してもよい。これらを塗料やインクにする場合は適宜
なバインダー樹脂に分散されるが、カードの場合はベー
スとなるプラスチック材料に直に分散してもよい（分散
比率はバインダー樹脂、またはベースプラスチック材料
に対して５〜１００重量％が好ましい）。
顔料、多環キノン系顔料、およびフタロシアニン顔料
は、光導電性や耐候性が優れているため特に好ましい。
これらは有色性色材でもあるため、塗料やインクとして
使用する際には、所望の色を有するものを選択すればよ
い。使用する際には、光導電性を有していない色材と併
用してもよい。これらを塗料やインクにする場合は適宜
なバインダー樹脂に分散されるが、カードの場合はベー
スとなるプラスチック材料に直に分散してもよい（分散
比率はバインダー樹脂、またはベースプラスチック材料
に対して５〜１００重量％が好ましい）。
【００２５】Ｂ．実施形態の動作 次に、本実施形態の動作を図２を参照し説明する。ま
ず、偽造防止物品１が所定の挿入口（図示せず）にセッ
トされると、同図に示す処理が開始される。図において
処理がステップＳＰ１に進むと、ＣＰＵ１９によってモ
ータ３が駆動され、搬送ローラ２，２，……によって偽
造防止物品１が正方向（図１において左方向）に搬送さ
れる。また、この際に送信部４、フィードフォーン５を
順次介して偽造防止物品１にマイクロ波が放射される。
なお、この時点では光源６は消灯状態にされる。
ず、偽造防止物品１が所定の挿入口（図示せず）にセッ
トされると、同図に示す処理が開始される。図において
処理がステップＳＰ１に進むと、ＣＰＵ１９によってモ
ータ３が駆動され、搬送ローラ２，２，……によって偽
造防止物品１が正方向（図１において左方向）に搬送さ
れる。また、この際に送信部４、フィードフォーン５を
順次介して偽造防止物品１にマイクロ波が放射される。
なお、この時点では光源６は消灯状態にされる。
【００２６】次に、処理がステップＳＰ２に進むと、検
波信号Ｓ1 は所定値Ｌa 以下であるか否かが判定され
る。ここで、偽造防止物品１は、光源６の消灯時には所
定値Ｌa 以下の検波信号Ｓ1 が得られる程度のマイクロ
波反射率を有し、光源６の点灯時には所定値Ｌb（但し
Ｌa＜Ｌb）以上の検波信号Ｓ1 が得られる程度のマイク
ロ波反射率を有する。従って、偽造防止物品１が正当な
ものであれば、検波信号Ｓ1 は所定値Ｌa 以下になるか
ら「ＹＥＳ」と判定され、処理がステップＳＰ３に進
む。
波信号Ｓ1 は所定値Ｌa 以下であるか否かが判定され
る。ここで、偽造防止物品１は、光源６の消灯時には所
定値Ｌa 以下の検波信号Ｓ1 が得られる程度のマイクロ
波反射率を有し、光源６の点灯時には所定値Ｌb（但し
Ｌa＜Ｌb）以上の検波信号Ｓ1 が得られる程度のマイク
ロ波反射率を有する。従って、偽造防止物品１が正当な
ものであれば、検波信号Ｓ1 は所定値Ｌa 以下になるか
ら「ＹＥＳ」と判定され、処理がステップＳＰ３に進
む。
【００２７】次に、ステップＳＰ３においては光源６が
点灯される。そして、ステップＳＰ４においては、モー
タ３の回転方向が逆転され、偽造防止物品１が逆方向
（図１において右方向）に搬送される。そして、処理が
ステップＳＰ５に進むと、検波信号Ｓ1 は所定値Ｌb 以
上であるか否かが判定される。この時点では、光源６が
点灯されているから、偽造防止物品１内の光半導体が励
起状態になっている。従って、検波信号Ｓ1 は所定値Ｌ
b 以上になるから「ＹＥＳ」と判定され処理がステップ
ＳＰ６に進む。
点灯される。そして、ステップＳＰ４においては、モー
タ３の回転方向が逆転され、偽造防止物品１が逆方向
（図１において右方向）に搬送される。そして、処理が
ステップＳＰ５に進むと、検波信号Ｓ1 は所定値Ｌb 以
上であるか否かが判定される。この時点では、光源６が
点灯されているから、偽造防止物品１内の光半導体が励
起状態になっている。従って、検波信号Ｓ1 は所定値Ｌ
b 以上になるから「ＹＥＳ」と判定され処理がステップ
ＳＰ６に進む。
【００２８】ステップＳＰ６においては、正当な偽造防
止物品１に対応する処理が行われる。この処理の内容
は、偽造防止物品１の用途に応じて種々異なる。例え
ば、偽造防止物品１がクレジットカードであれば金銭取
引が行われる。次に、処理がステップＳＰ８に進むと、
偽造防止物品１が排出され、光源６が消灯される。な
お、上記一連の処理における検波信号Ｓ1 の波形を図６
の特性Ｌ3 に示す。この図においては、上記ステップＳ
Ｐ３が実行された（光源６が点灯された）時刻をｔ1と
している。
止物品１に対応する処理が行われる。この処理の内容
は、偽造防止物品１の用途に応じて種々異なる。例え
ば、偽造防止物品１がクレジットカードであれば金銭取
引が行われる。次に、処理がステップＳＰ８に進むと、
偽造防止物品１が排出され、光源６が消灯される。な
お、上記一連の処理における検波信号Ｓ1 の波形を図６
の特性Ｌ3 に示す。この図においては、上記ステップＳ
Ｐ３が実行された（光源６が点灯された）時刻をｔ1と
している。
【００２９】一方、挿入口に偽造品がセットされた場合
の動作を説明する。まず、樹脂や紙などに金属ファイバ
を散布して偽造品を製造した場合、検波信号Ｓ1 は図６
の特性Ｌ1 ，Ｌ2のようになる。これらの特性では、ス
テップＳＰ２またはＳＰ５の何れかにおいて必ず「Ｎ
Ｏ」と判定され、処理がステップＳＰ７に進む。ここで
は偽造品に対応した処理（例えば商取引を停止する、ブ
ザーを鳴らす等）が行われ、ステップＳＰ８を介して偽
造品が排出される。
の動作を説明する。まず、樹脂や紙などに金属ファイバ
を散布して偽造品を製造した場合、検波信号Ｓ1 は図６
の特性Ｌ1 ，Ｌ2のようになる。これらの特性では、ス
テップＳＰ２またはＳＰ５の何れかにおいて必ず「Ｎ
Ｏ」と判定され、処理がステップＳＰ７に進む。ここで
は偽造品に対応した処理（例えば商取引を停止する、ブ
ザーを鳴らす等）が行われ、ステップＳＰ８を介して偽
造品が排出される。
【００３０】また、樹脂や紙などに光半導体を散布して
偽造品を製造することは、以下の理由により、一般的に
はきわめて困難である。 まず、光半導体には多数の種類があるが、光源６の放
射光の波長に対して励起されるものを選択しなければ意
味をなさない。従って、偽造者は光源６の波長または光
半導体の組成を予め知っておく必要がある。 また、真正品に用いられている光半導体の組成が偽造
者に漏れたとしても、その組成を有する光半導体を実際
に製造するためには大規模な設備が必要になる。 また、偽造者は、適切な濃度で光半導体を偽造品に散
布する必要がある。すなわち、光半導体の濃度が薄い場
合、または濃い場合は、検波信号Ｓ1 の波形は特性Ｌ3
を上下にシフトしたような形になり、ステップＳＰ２ま
たはＳＰ５で「ＮＯ」と判定されるからである。
偽造品を製造することは、以下の理由により、一般的に
はきわめて困難である。 まず、光半導体には多数の種類があるが、光源６の放
射光の波長に対して励起されるものを選択しなければ意
味をなさない。従って、偽造者は光源６の波長または光
半導体の組成を予め知っておく必要がある。 また、真正品に用いられている光半導体の組成が偽造
者に漏れたとしても、その組成を有する光半導体を実際
に製造するためには大規模な設備が必要になる。 また、偽造者は、適切な濃度で光半導体を偽造品に散
布する必要がある。すなわち、光半導体の濃度が薄い場
合、または濃い場合は、検波信号Ｓ1 の波形は特性Ｌ3
を上下にシフトしたような形になり、ステップＳＰ２ま
たはＳＰ５で「ＮＯ」と判定されるからである。
【００３１】以上のように本実施形態によれば、光源６
の点灯時および消灯時の双方における検波信号Ｓ1 に基
づいて、偽造防止物品１の真偽が判定される。従って、
偽造品を製造することはきわめて困難になり、その判定
結果はきわめて正確なものになる。
の点灯時および消灯時の双方における検波信号Ｓ1 に基
づいて、偽造防止物品１の真偽が判定される。従って、
偽造品を製造することはきわめて困難になり、その判定
結果はきわめて正確なものになる。
【００３２】Ｃ．変形例 本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、
例えば以下のように種々の変形が可能である。 上記実施形態において、送信部４、フィードフォーン
５、光源６、フィードフォーン７および受信部８は、図
３に示すように変形してもよい。図において３０はラッ
トレース回路であり、送信部４と受信部８と無反射終端
抵抗器３１とフィードフォーン３２とが接続されてい
る。送信部４から出力されたマイクロ波は、その「１／
２」が無反射終端抵抗器３１に吸収され、残り「１／
２」がフィードフォーン３２を介して偽造防止物品１に
放射される。そして、偽造防止物品１で反射または散乱
されたマイクロ波がフィードフォーン３２を介してラッ
トレース回路３０に入射すると、その「１／２」は無反
射終端抵抗器３１に吸収され、残り「１／２」が受信部
８に受信される。
例えば以下のように種々の変形が可能である。 上記実施形態において、送信部４、フィードフォーン
５、光源６、フィードフォーン７および受信部８は、図
３に示すように変形してもよい。図において３０はラッ
トレース回路であり、送信部４と受信部８と無反射終端
抵抗器３１とフィードフォーン３２とが接続されてい
る。送信部４から出力されたマイクロ波は、その「１／
２」が無反射終端抵抗器３１に吸収され、残り「１／
２」がフィードフォーン３２を介して偽造防止物品１に
放射される。そして、偽造防止物品１で反射または散乱
されたマイクロ波がフィードフォーン３２を介してラッ
トレース回路３０に入射すると、その「１／２」は無反
射終端抵抗器３１に吸収され、残り「１／２」が受信部
８に受信される。
【００３３】偽造防止物品１が光を透過する紙幣等で
あれば、図４に示すように、偽造防止物品１の下方に光
源６を設け、ここから光を放射するようにしてもよい。
あれば、図４に示すように、偽造防止物品１の下方に光
源６を設け、ここから光を放射するようにしてもよい。
【００３４】上記実施形態においては光源６の点灯／
消灯状態を切り換え、モータ３の回転方向を適宜逆転さ
せることによって偽造防止物品１の真偽を判定した。し
かし、マイクロ波の送受信部を二系統設け、搬送方向を
一方向に固定し、光源６を常時点灯させてもよい。その
一例を図５に示す。図において搬送ローラ２，２，……
は偽造防止物品１を一方向（図上で右方向）にのみ搬送
する。３３はフィードフォーンであり、その上部には図
３に示す回路と同様のものが設けられている（但し光源
６は設けられていない）。従って、この部分において
は、光が偽造防止物品１に放射されない場合における検
波信号Ｓ1 が得られる。
消灯状態を切り換え、モータ３の回転方向を適宜逆転さ
せることによって偽造防止物品１の真偽を判定した。し
かし、マイクロ波の送受信部を二系統設け、搬送方向を
一方向に固定し、光源６を常時点灯させてもよい。その
一例を図５に示す。図において搬送ローラ２，２，……
は偽造防止物品１を一方向（図上で右方向）にのみ搬送
する。３３はフィードフォーンであり、その上部には図
３に示す回路と同様のものが設けられている（但し光源
６は設けられていない）。従って、この部分において
は、光が偽造防止物品１に放射されない場合における検
波信号Ｓ1 が得られる。
【００３５】また、フィードフォーン３２の開口部には
光源６が設けられ、この光源６は常に点灯状態に設定さ
れる。また、フィードフォーン３２の上部には図３に示
す回路と同様のものが設けられている。従って、この部
分においては、光が放射された場合の検波信号Ｓ1 が得
られる。かかる構成においては複数の偽造防止物品１を
連続して搬送することができるから、多数の偽造防止物
品を短時間で検査しなければならない場合に用いると特
に好適である。
光源６が設けられ、この光源６は常に点灯状態に設定さ
れる。また、フィードフォーン３２の上部には図３に示
す回路と同様のものが設けられている。従って、この部
分においては、光が放射された場合の検波信号Ｓ1 が得
られる。かかる構成においては複数の偽造防止物品１を
連続して搬送することができるから、多数の偽造防止物
品を短時間で検査しなければならない場合に用いると特
に好適である。
【００３６】また、上記実施形態では偽造防止物品１
によって反射または散乱されたマイクロ波を受信部８で
受信したが、偽造防止物品１を透過したマイクロ波を受
信するように構成してもよい。その一例を図７に示す。
図において送信部４から出力されたマイクロ波は、エル
ボー３４、導波管３５を順次介して受信部８に供給され
る。ここで、導波管３５にはスリット３６が形成され、
ここに偽造防止物品１が適宜挿入される。また、エルボ
ー３４には、偽造防止物品１に光を放射する光源６が埋
め込まれている。
によって反射または散乱されたマイクロ波を受信部８で
受信したが、偽造防止物品１を透過したマイクロ波を受
信するように構成してもよい。その一例を図７に示す。
図において送信部４から出力されたマイクロ波は、エル
ボー３４、導波管３５を順次介して受信部８に供給され
る。ここで、導波管３５にはスリット３６が形成され、
ここに偽造防止物品１が適宜挿入される。また、エルボ
ー３４には、偽造防止物品１に光を放射する光源６が埋
め込まれている。
【００３７】上記実施形態にあっては電磁波の一例と
してマイクロ波を用いたが、電磁波はマイクロ波に限定
されないことは言うまでもない。
してマイクロ波を用いたが、電磁波はマイクロ波に限定
されないことは言うまでもない。
【００３８】上記実施形態および各変形例において、
偽造防止物品１に散布する光半導体をバーコード状に形
成しておき、このバーコードに対応した検波信号Ｓ1 が
得られるか否かに基づいて偽造防止物品１の真偽を判定
してもよい。
偽造防止物品１に散布する光半導体をバーコード状に形
成しておき、このバーコードに対応した検波信号Ｓ1 が
得られるか否かに基づいて偽造防止物品１の真偽を判定
してもよい。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、光
源の点灯／消灯の両状態における受信レベルに基づい
て、被検査物の真偽を判定するから、被検査物の偽造が
困難になり、偽造防止物品の真偽を正確に判別できる。
源の点灯／消灯の両状態における受信レベルに基づい
て、被検査物の真偽を判定するから、被検査物の偽造が
困難になり、偽造防止物品の真偽を正確に判別できる。
【図１】 一実施形態の構成を示すブロック図である。
【図２】 一実施形態の制御プログラムのフローチャー
トである。
トである。
【図３】 一実施形態の変形例の要部の断面図である。
【図４】 一実施形態の変形例の要部の断面図である。
【図５】 一実施形態の変形例の要部の断面図である。
【図６】 検波信号Ｓ1 の波形図である。
【図７】 一実施形態の変形例の要部の断面図である。
１ 偽造防止物品（被検査物） ４ 送信部（電磁波発生手段） ５ フィードフォーン（電磁波発生手段） ６ 光源 ７ フィードフォーン（電磁波受信手段） ８ 受信部（電磁波受信手段） １９ ＣＰＵ（点滅制御手段、判定手段）
Claims (8)
- 【請求項１】 被検査物に光を放射する光源と、 前記被検査物に向かって電磁波を放射する電磁波発生手
段と、 前記電磁波発生手段から放射され前記被検査物によって
反射、散乱または透過された電磁波を受信し、該受信し
た電磁波の受信レベルを出力する電磁波受信手段と、 前記光源を点灯または消灯状態に適宜設定する点滅制御
手段と、 前記点滅制御手段によって前記光源が点灯状態に設定さ
れた場合に前記電磁波受信手段から出力された受信レベ
ルと、前記点滅制御手段によって前記光源が消灯状態に
設定された場合に前記電磁波受信手段から出力された受
信レベルとに基づいて、前記被検査物の真偽を判定する
判定手段とを具備することを特徴とする物品真偽判別装
置。 - 【請求項２】 前記被検査物は、光半導体を含有させた
物品であることを特徴とする請求項１記載の物品真偽判
別装置。 - 【請求項３】 前記光半導体は、前記光源によって光が
照射されると、その導電率が上昇する性質を有し、 前記判定手段は、該性質に基づいて前記被検査物の真偽
を判定することを特徴とする請求項２記載の物品真偽判
別装置。 - 【請求項４】 光半導体を含有させた被検査物に光を放
射する光源と、 前記被検査物に向かって電磁波を放射する電磁波発生手
段と、 前記電磁波発生手段から放射され前記被検査物によって
反射、散乱または透過された電磁波を受信し、該受信し
た電磁波の受信レベルを出力する電磁波受信手段と、 前記電磁波受信手段により出力された受信レベルに基づ
いて、前記被検査物の真偽を判定する判定手段とを具備
することを特徴とする物品真偽判別装置。 - 【請求項５】 前記光源を点灯または消灯状態に適宜設
定する点滅制御手段を具備し、 前記判定手段は、前記点滅制御手段によって前記光源が
点灯状態に設定された場合に前記電磁波受信手段から出
力された受信レベルと、前記点滅制御手段によって前記
光源が消灯状態に設定された場合に前記電磁波受信手段
から出力された受信レベルとに基づいて、前記被検査物
の真偽を判定することを特徴とする請求項４記載の物品
真偽判別装置。 - 【請求項６】 光半導体を含有させた被検査物に対して
光を放射し、 この光を放射した際に前記被検査物に向かって電磁波を
放射し、 前記被検査物によって前記電磁波を反射、散乱または透
過させ、 反射、散乱または透過された電磁波を受信し、 前記光を放射した際に受信した電磁波の受信レベルを第
１の受信レベルとして出力し、 該第１の受信レベルに基づいて、前記被検査物の真偽を
判定することを特徴とする物品の真偽判別方法。 - 【請求項７】 光の放射を禁止しつつ前記被検査物に向
かって電磁波を放射し、 前記被検査物によって前記電磁波を反射、散乱または透
過させ、 反射、散乱または透過された電磁波を受信し、 前記光の放射を禁止した際に受信した電磁波の受信レベ
ルを第２の受信レベルとして出力し、 該第１および第２の受信レベルに基づいて、前記被検査
物の真偽を判定することを特徴とする請求項６記載の物
品の真偽判別方法。 - 【請求項８】 所定波長の光に対して励起状態となり導
電率が上昇する光半導体を含有したことを特徴とする偽
造防止物品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31439995A JP3637656B2 (ja) | 1994-12-09 | 1995-12-01 | 物品真偽判別装置、物品の真偽判別方法および偽造防止物品 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-306605 | 1994-12-09 | ||
| JP30660594 | 1994-12-09 | ||
| JP31439995A JP3637656B2 (ja) | 1994-12-09 | 1995-12-01 | 物品真偽判別装置、物品の真偽判別方法および偽造防止物品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08235409A true JPH08235409A (ja) | 1996-09-13 |
| JP3637656B2 JP3637656B2 (ja) | 2005-04-13 |
Family
ID=26564785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31439995A Expired - Fee Related JP3637656B2 (ja) | 1994-12-09 | 1995-12-01 | 物品真偽判別装置、物品の真偽判別方法および偽造防止物品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3637656B2 (ja) |
-
1995
- 1995-12-01 JP JP31439995A patent/JP3637656B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3637656B2 (ja) | 2005-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100739248B1 (ko) | 광간섭장치와 함께 사용하기 위한 자동 인증 시스템 및 방법 | |
| US5903340A (en) | Optically-based methods and apparatus for performing document authentication | |
| US6970236B1 (en) | Methods and systems for verification of interference devices | |
| EP3213303B1 (en) | Authentication systems, authentication devices, and methods for authenticating a value article | |
| US9355296B2 (en) | Authentication of articles | |
| GB2355522A (en) | Improvements in verifying printed security substrates | |
| EP0083062A2 (en) | Apparatus for inspecting printed matters | |
| JP2002536214A (ja) | 狭帯域発光利得媒体を使用してソート、符号化、及び認証を行う光を利用した方法及び装置 | |
| JPH08185558A (ja) | 書類を認証する方法および装置 | |
| CN101297190A (zh) | 用发光标签对材料编码的方法以及用于将其读出的仪器 | |
| JP2002510102A (ja) | 物品を検査するための方法及び装置 | |
| WO2001027883A9 (en) | Coding and authentication by phase measurement modulation response and spectral emission | |
| CA2075056A1 (en) | Detection apparatus | |
| US7262604B2 (en) | Method of testing documents provided with optico-diffractively effective markings | |
| EP1357522A2 (en) | Paper quality discriminating machine | |
| JP3637656B2 (ja) | 物品真偽判別装置、物品の真偽判別方法および偽造防止物品 | |
| US5825911A (en) | Device for ascertaining the authenticity of an article and image forming apparatus used for preventing bank bills, securities and the like from being, forged | |
| JP3637657B2 (ja) | 画像形成装置、偽造防止書類およびインク | |
| LU84308A1 (fr) | Systeme pour l'identification d'articles en feuilles par micro-ondes | |
| JPH08132773A (ja) | 原稿読取り装置およびこれを有する画像形成装置 | |
| FR2531248A1 (fr) | Procede et appareil pour l'identification d'articles en feuilles par microondes | |
| KR20010020271A (ko) | 회절-광학 효과 안전층을 가진 문서 시험 방법 및 그 사용 방법 | |
| WO2000013808A1 (en) | Produce identification system | |
| US20150332040A1 (en) | Systems, Devices, and Methods for Authenticating A Value Article | |
| JP2021050923A (ja) | 真贋判別装置、真贋判別システム、偽造防止構造体、および真贋判別方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040615 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040813 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041221 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050103 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |