JPH08233852A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH08233852A
JPH08233852A JP7183784A JP18378495A JPH08233852A JP H08233852 A JPH08233852 A JP H08233852A JP 7183784 A JP7183784 A JP 7183784A JP 18378495 A JP18378495 A JP 18378495A JP H08233852 A JPH08233852 A JP H08233852A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 耐衝撃性に優れた半導体加速度・圧力センサ
を含む半導体装置を得る。 【構成】 一端が支持された半導体基板で片持ち梁１近
傍に拡散抵抗を有し、拡散抵抗部の厚みが片持ち梁１と
同一の厚みとし、片持ち梁１に増幅機能やトリミング機
能を有し、各構成が簡単に接合できる構成とした。ま
た、拡散抵抗や配線、増幅回路等が片持ち梁の加速度検
出方向の側面にある構成とした。さらに、側面に拡散抵
抗があることにより変位による圧縮抵抗、引っ張り抵抗
を同時に検出でき出力の増加を図れる。また、圧力セン
サの場合、圧力基準室に対し垂直方向に拡散抵抗を圧力
基準室の上部側と下部側にブリッジ回路を形成するよう
に設ける。 【効果】 半導体基板よりダイシング等の切り出しで簡
単に半導体素子を作製でき製造原価の安い素子ができ
る。また、支持台や素子を別々に作製するため、製造プ
ロセスを容易にまた工程を削減でき、歩留まり向上がで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンなどの半導体
結晶のもつピエゾ抵抗効果を利用して変位を電気信号に
変換する半導体装置の特に加速度センサおよび圧力セン
サに係わる。
【０００２】
【従来の技術】近年、マイクロマシニング技術の発展に
より、半導体基板上に半導体加速度センサを薄膜形成、
エッチングにより形成できるようになってきた。たとえ
ば、L.M.ROYLANCE, J.B.Angell:IEEE Transactions on
Electron Devices, Vol. ED-26, No.12, Dec 1979に代
表的なマイクロマシニングで作製した加速度センサがあ
る。マイクロマシニングによれば、化学的に変位を検出
する拡散抵抗部を変位を容易にするために薄肉にするこ
とができる。また、特開平１−３０２１６７によれば、
感度向上のため拡散抵抗部を等方性エッチングにより薄
肉化したとある。半導体加速度センサの従来例を図６に
示す。この従来例においては、等方性エッチングにより
拡散抵抗部を薄肉化するため、表面の配線を保護するた
めの保護膜２１が必要である。
【０００３】また薄肉部の破壊を防止するために、図７
０に示すように変形量を制限するためのストッパー１０
０８やストッパー１００９が用いられていた。次に、半
導体圧力センサの従来技術を説明する。従来、図３４に
示すように、セラミックからなる支持台７０６にシリコ
ンからなる基体７０２を接合したガラスからなる基体７
０５と、端子７０７を接着し、基体７０２と端子７０７
を接着し、基体７０２と端子７０７をワイヤ７０９で接
続した半導体圧力センサが知られていた。例えば、エレ
クトロニクス、２９、６（１９８４）１７にこのような
構造が開示されている。この従来例においても、圧力基
準室７０３が設けられその上部にダイヤフラム７０４が
形成されている。
【０００４】また、マイクロマシニング技術を応用し
て、１辺の長さ８０μｍの正方形ダイヤフラム７０４を
もつマイクロ圧力センサが試作されている。この圧力セ
ンサの最大の特徴は、シリコン基板７０２の表面からの
エッチング加工を行い、ダイヤフラム７０４および圧力
基準室を形成したことである。図３５にマイクロマシニ
ングで作製した圧力センサの断面構造の模式図を示す。
基板は（１００）面のシリコンを用い、ダイヤフラム７
０４はＳｉ3Ｎ4膜７１３で包まれている。ダイヤフラム
７０４の周辺にエッチング穴をあけ、その穴からダイヤ
フラムの直下をくりぬき空洞を形成し、エッチング穴は
後で、Ｓｉ3Ｎ4膜７１３で封止している。
【０００５】さらに加速度センサの場合、耐衝撃性を向
上させるための方策として、過剰変位を阻止するための
ストッパを用いている。従来の半導体加速度センサの断
面図を図６０に示す。図６０において、シリコン基体８
１０１に、エッチングにより形成した片持ち梁８１０
２、質量部である重り８１０３により構成され、片持ち
梁８１０２上には加速度を電気信号に変換するための拡
散抵抗が形成されている。また、シリコン基体８１０１
上には、多大な加速度を生じたとき破壊を防止するため
の上部ストッパ８１０５、下部ストッパ８１０６が構成
されている。また、電気信号の取り出しは、取り出し線
８１０７で行う。
【０００６】この加速度センサに、図示した方向から、
すなわち図面の上部から下部に向かって加速度が加わる
と片持ち梁８１０２にたわみが生じ拡散抵抗の抵抗値が
応力により変化するのでその変化量を取り出すことによ
り加速度を検出する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のマイク
ロマシニング技術で作製した半導体装置の半導体加速度
センサやエッチングにより拡散抵抗部を薄くし感度を向
上させるという方法では、下記の課題があった。 変位検出部を薄肉化するためのエッチングを行うため
に、他の配線などを保護する工程をとらなければならな
い。 レジストの塗布などリソグラフィの工程のため製造工
程が長い。 湿式プロセスのためエッチング液の状態により、エッ
チング時間や変位検出部の厚みのばらつきが大きい。 拡散抵抗部を薄肉化しているため、耐衝撃性に弱い。 拡散抵抗部を薄肉化しているため、素子作製に手間が
かかる。
【０００８】本発明は、拡散抵抗を有する基板から取り
出し、片持ち梁を形成するという簡単な手法で、半導体
基板から取り個数の多い加速度センサ素子を得ることが
でき、しいては低価格の加速度センサを供給できる。ま
た、片持ち梁が単一の厚みの平面である構成をとってい
るため、一部に応力集中することがないため耐衝撃性に
強い構造が得られる。
【０００９】また、半導体装置の圧力センサにおいて
は、圧力基準室を設けダイヤフラムにより変位を検出す
る場合、湿式プロセスにより薄くする方法が用いられる
が下記に示す加速度センサと類似の課題が生じていた。 フォトリソグラフィーの工程を使用するため、レジス
ト塗布など製造工程が長くなる。 ダイヤフラムのエッチングに強アルカリ等を使用する
ため、ダイヤフラムを除く部分に対して薬品の影響があ
るため、ダイヤフラム以外の部分の製造に使用できるプ
ロセスの制限がある。 湿式プロセスのためエッチング液の状態によりダイヤ
フラムの加工時間や仕上げ厚みにばらつきが大きく、歩
留まりが低下する。 湿式プロセスを使用するため、エッチング液の状態に
よりダイヤフラムの加工時間や仕上げ厚みにばらつきが
大きく、歩留まりが低下する。
【００１０】そこで、本発明の目的は、従来のこのよう
な課題を解決するため、拡散抵抗の加工を容易にし、か
つ検出感度の高い半導体圧力センサを得ることである。
次に、従来の破壊防止機構について図６１から図６３を
もちいて説明する。図６１から図６３において、基体８
０１は上部ストッパ８０３と下部ストッパ８０４に挟ま
れており、課題な加速度に対して、基体８０１の変形量
は制限されている。図６２は加速度の加わっていない状
態の基体８０１と上部ストッパ８０３と下部ストッパ８
０４の位置を示す。図６１と図６３の加速度の加わった
状態で、図６１においては、上部ストッパ８０３で、基
体８０１の破壊を防止した例であるが、この場合負荷
は、薄片部にかかり薄片部より破壊してしまう恐れがあ
った。また図６３においては、下部ストッパ８０４によ
り基体８０１を破壊する可能性があった。
【００１１】従って、従来の加速度センサの破壊防止機
構においては、下記の課題があった。 多大な加速度に対して変位を防止するためのストッパ
と、片持ち梁の先端があたり課題な変位をとるため、片
持ち梁に衝撃を生じる。 拡散抵抗を有する薄片部に負荷がかかる。 衝撃を緩和するために、加速度センサのケース内にシ
リコンオイルを封入し衝撃力を緩和する方法がとられて
いるが、シリコンオイルを封入するために製造設備など
コストがかかる。
【００１２】そこで、本発明は下記の目的とする。 （１）衝撃力を緩和するための構造とする。 （２）拡散抵抗を有する薄片部の負荷を緩和する。 （３）製造コストを低減し、耐衝撃性の向上を図る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、以下の手段を取った。第１の手段として、半導体加
速度センサおよび半導体圧力センサを含む半導体装置の
素子構造を柱状（直方体）とした。
【００１４】第２の手段として、変位を検出するための
拡散抵抗部を薄くすることなく、応力を検出するための
拡散抵抗部を片持ち梁と同一の厚みにより構成する。素
子が薄肉部を作ることなく平面でできている。第３の手
段として、半導体基板から半導体加速度センサの素子を
取り出し、支持体に接合する。
【００１５】第４の手段として、応力により変位するた
わみ部分（梁）とたわみ部分を支持する支持体の接続を
高分子材料で形成する。第５の手段として、応力により
変位するたわみ部分（梁）とたわみ部分を支持する支持
体の接続を機械的に勘合する。
【００１６】第６の手段として、支持体にガラスを用い
陽極接合により梁と支持体を接続する。第７の手段とし
て、電気回路をＣＭＯＳ構造とした。第８の手段とし
て、温度によるドリフトを除去するため温度補償回路を
梁部の半導体素子上に内蔵する。
【００１７】第９の手段として、加速度に比例した電位
差出力を増幅するための回路を併用した構成により、微
弱な出力を増幅することによりたとえ変位する梁部から
の出力がマイクロボルトでも充分対応可能とした。第１
０の手段として、所望の出力値を得るため、出力値に合
わせるためのトリミングを増幅回路より出力される電圧
を数個の抵抗を設置し、出力に合わせ抵抗を削除しトリ
ミングすることとした。
【００１８】第１１の手段として、重りを適正な質量に
残存させることは非常にむずかしいため、梁の数カ所に
重りを有する構成として、出力により取るべき重りを選
択し、トリミングする方法としたものである。第１２の
手段として、加速度センサをパッケージする方法でレー
ザ光を用いパッケージ設置後トリミングできる方法とし
た。
【００１９】第１３の手段として、この発明は半導体加
速度センサを含む半導体装置において、拡散抵抗や電気
配線など片持ち梁の側面にある構成とした。第１４の手
段として、拡散抵抗を片持ち梁の表面近傍と裏面近傍に
配置する構成により圧縮応力と引っ張り応力に対応する
抵抗値変化を検出する方法とした。
【００２０】圧力センサの課題を解決するためについて
は、以下の手段を取った。第１５の手段として、ダイヤ
フラムを有する基体７０２と検出素子７０１を別体と
し、接合した構造とする。第１６の手段として、圧力基
準室となるダイヤフラムを有する基体７０２に拡散抵抗
を検出素子の側面（ダイヤフラムと垂直の位置）に配置
した検出素子７０１を設ける構成とする。
【００２１】第１７の手段として、拡散抵抗を素子側面
の表面近傍（圧力印加側）と裏面近傍（ダイヤフラム
側）に配置する構成により圧縮応力と引っ張り応力に対
応する抵抗値変化をブリッジ回路より検出する方法とし
た。第１８の手段として、拡散抵抗７０８を有する検出
素子７０１の端部のみを固定する構成とした。
【００２２】第１９の手段として、拡散抵抗７０８を有
する検出素子７０１を切り出し、ダイヤフラム７０４を
有する基体７０２に接合した。第２０の手段として、開
口部を有する基体７１６に検出素子７０１を接合した。
【００２３】第２１の手段として、半導体基板より検出
素子７０１を切りだし、ダイヤフラム７０４を有する基
体７０２に接合した後、研削により薄片化する。第２２
の手段として、加速度センサの耐衝撃性を向上するため
に、破壊防止のためのストッパが加速度により変形する
片持ち梁の形状に合わせた構造よりなり、耐衝撃性の向
上を実現した。なお、本発明は、片持ち梁のたわみ曲線
に準ずる構造にすることが好ましい。
【００２４】第２３の手段として、拡散抵抗を有する加
速度センサの拡散抵抗側を支持基板に対向するように固
定する構成とし、加速度センサ素子が多大な加速度をう
けた場合でも支持基板で加速度センサを保護する構成と
し、さらに加速度センサの出力パッドと配線基板とをリ
フローにより接合し、加速度センサ素子１００１と配線
基板の固着と電気信号を取り出す方法を同時に行える構
成とした。
【００２５】
【作用】図１は、本発明の半導体加速度センサの代表的
な構成の一例を示すブロック図である。片持ち梁１を支
持体接続手段１０１により支持体２と接続する。片持ち
梁１で検出した加速度信号は増幅回路１０３により増幅
し出力手段１０４に伝達する。この時温度補償回路１０
２により温度補償回路１０２により温度によりドリフト
除去できる。
【００２６】図２は、本発明の加速度センサの製造方法
を示すブロック図である。片持ち梁を製作し（工程２０
１）と、別工程で支持体を作製し（工程２０２）片持ち
梁と支持体を接続する（工程２０３）。図３は、本発明
の加速度センサの製造工程を示すブロック図である。増
幅回路と温度補償回路を内蔵した半導体素子を作製し
（工程３０１）、ウェハでのゲイン・オフセットトリミ
ングを行い（工程３０２）、ダイシングにより個々の素
子を分ける（工程３０３）、半導体素子と支持台を固定
し（工程３０４）、ケースと端子台を固定する（工程３
０５）、次にオフセット電圧、ゲインを測定し（工程３
０６）、そのデータにより抵抗（Ｒ）をレーザにより切
断しオフセットおよびゲインをトリミング（工程３０
７）する。最後に、周波数特性や温度特性などを測定し
（工程３０８）、出荷検査とする。この後出荷する。
【００２７】図４は、本発明の加速度センサーの別の製
造工程を示すブロック図である。ウエハのゲイン・オフ
セットトリミングを省略することもできる。以上の手段
により、以下のような作用が得られる。第１の手段を取
ることで、拡散抵抗部を薄くすることなく簡単に片持ち
梁を形成できる。
【００２８】第２の手段を取ることで、拡散抵抗部を薄
くすることなく簡単に片持ち梁を形成できる。第３の手
段を取ることで、個々の機能を別々に作製できることに
より、シリコンプロセスによる一体加工のようにプロセ
スが長くならない。また、薄膜プロセスで問題となる膜
ストレスによる変形の問題も解除できる。既存の半導体
プロセスにおいて梁部を形成できる効果があり、現在の
半導体プロセスにおいては、長さ８ｍｍ幅０．５ｍｍ厚
さ０．１ｍｍの大きさの半導体素子も可能である。
【００２９】第４の手段を取ることで、低温で片持ち梁
１と支持体２を接続でき、さらに片持ち梁１または支持
体２の部品交換を容易に行うことができる。第５の手段
を取ることで、強固に片持ち梁１と支持体を接続でき、
さらに片持ち梁１または支持体２の部品交換を容易に行
うことができる。
【００３０】第６の手段を取ることで、容易に梁部と支
持体を接続できる。第７の手段を取ることで、低消費電
力の回路を構成できる。第８の手段を取ることで、片持
ち梁１は半導体プロセスにおいて片持ち梁１を形成する
ため、容易に温度補償回路を設置できる。
【００３１】第９に手段を取ることで、片持ち梁１は半
導体プロセスにおいて片持ち梁１を形成するため、容易
に出力増幅回路を設置できる。第１０の手段をとること
で、所望の出力値を得るため出力に合わせ抵抗を削除し
トリミングするという方法で可能となる。
【００３２】第１１に手段を取ることで、片持ち梁１の
厚さのばらつきなどによる出力のばらつきに対し、外部
からの手段により微調できる。第１２の手段を取ること
で、梁部の厚さのばらつきなどによる出力のばらつきに
対し、外部からの手段により微調できる。
【００３３】第１３の手段を取ることで、拡散抵抗や出
力部などの電気回路パターンを半導体加速度センサの側
面に配置することにより、半導体基板からの取り個数を
多くすることができ、製造単価の削減ができる。また、
単一の厚みで作製できることにより耐衝撃性に優れてい
る。
【００３４】第１４の手段を取ることで、出力値とし
て、表面に拡散抵抗を設けものと比較して２倍の感度が
得られる。圧力センサの場合、以下のような作用が得ら
れる。第１５の手段を取ることで、基体７０２のダイヤ
フラム７０４形成の加工工程と独立に検出素子７０１の
加工工程を取ることで、そこで、検出素子７０１の加工
工程において基体７０２の加工工程の影響を受けること
がなく、すなわち拡散抵抗８の加工を精度良く行うこと
ができる。
【００３５】第１６の手段を取ることで、圧力基準室と
なるダイヤフラム７０４を有する基体７０２に拡散抵抗
７０８を検出素子７０１の側面（ダイヤフラムと垂直の
位置）に配置した素子の構成により、圧力基準室とは一
体加工ではないため、歩留まり良く製造することができ
る。
【００３６】第１７の手段をとることで、図３６の拡散
抵抗７８３と拡散抵抗７８４に加わる圧縮応力と、拡散
抵抗７８１と拡散抵抗７８２に加わる引っ張り応力を掛
け合わせた抵抗値変化を出力値として得ることができ
る。これに対して、検出素子７０１の表面にのみ拡散抵
抗を設けた場合、検出素子７０１に加わる圧縮応力また
は引っ張り応力のどちらか一方の抵抗値変化を出力とす
るのみである。したがって、表面のみに拡散抵抗を設け
た場合と比較して２倍の感度が得られる。
【００３７】第１８の手段をとることで、図４０から図
４２に示すようにダイヤフラムの基準圧力より正の特性
のみ出力できる。第１９の手段をとることで、半導体基
板より検出素子７０１を切り出し、ダイヤフラム７０４
を有する基体７０２に接合するため、検出素子７０１を
容易に歩留まり良く製造できる。
【００３８】第２０の手段を取ることで、基体７０２に
ダイヤフラム７０４形成のための加工を行う工程が不要
となり、基体７０２の製造が極めて容易となる。第２１
の手段をとることで、検出素子の薄片化により検出感度
を向上できる。第２２の手段をとることで、片持ち梁と
対面する破壊防止用ストッパの面が片持ち梁のたわみ曲
線と同一の曲線を有することにより多大な加速度を受け
片持ち梁が変位しても、破壊防止用のストッパの構造
が、片持ち梁のたわみ曲線と同一のため、点での接触で
はなく、面での接触により衝撃を緩和でき破壊を防ぐこ
とができる。
【００３９】なお、片持ち梁で均一に加速度がかかる場
合、たわみ曲線は、 ｙ＝Ｗｌ4／８ＥＩ（１−４ｘ／３ｌ＋ｘ4／３ｌ4） ・・・（１） で表される。 ｙ：たわみ量 Ｗ：質量 ｌ：片持ち梁長さ Ｅ：縦弾性係数 Ｉ：断面二次モーメント 第２３の手段をとることで、拡散抵抗や出力部などの電
気回路パターンを半導体加速度センサの側面に配置する
構成において、拡散抵抗側を配線基板に対向することに
よりねじれなどの影響を受けにくく、他軸の影響を受け
ない良好な素子を提供できる。また、従来品の拡散抵抗
部を薄片化する方法においても以下のような理由により
良好な特性を示す。半導体加速度センサに用いられる材
料は、一般的にいえばシリコンが用いられる。シリコン
素材は、信号変換効果に優れた素材であるが機械的性質
においても特質した性質を持つ。例えば、シリコンのヤ
ング係数は結晶方向によって若干異なるが、その最大値
は鋼に近い値であり、良好なばね特性を示している。
【００４０】一端を支持された片持ち梁で構成された加
速度センサ素子においては、図７２に示すように、加速
度センサの薄肉部を有する側から加速度を検出した場
合、と拡散抵抗側から加速度を受ける場合では、後者の
方が破壊しずらい。そこで本発明では、拡散抵抗を有す
る加速度センサの拡散抵抗側を配線基板に対向するよう
にする構成とし、以下の作用が得られた。 （１）拡散抵抗側を支持基板に対向するようにする構成
により、拡散抵抗側に変位しようとする場合、配線基板
に接触し破壊防止を防ぐことができる。拡散抵抗側への
変位は、拡散抵抗部の薄肉部がひっぱりの場合破壊しや
すい。圧縮の場合、その数倍破壊しずらいとされてい
る。 （２）加速度センサの配線と配線基板を対向することに
より、容易に配線接続でき出力できる。
【００４１】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図に基づいて説
明する。 （実施例１）図５は、本発明の半導体装置の半導体加速
度センサの斜視図である。片持ち梁１に拡散抵抗Ｒをブ
リッジ回路で接続し、温度補償回路や増幅回路を付加
し、その片持ち梁１に支持体２と接合した構成で半導体
加速度センサがある。本実施例では、一体加工ではなく
片持ち梁１、支持体２を独立の構成とした。本実施例で
は、長さ８ｍｍ、幅０．５ｍｍ、厚さ０．１ｍｍであ
り、半導体の素子としてかなり小さなサイズの素子を実
現している。
【００４２】本発明の半導体加速度センサの製造方法
は、片持ち梁１となる半導体素子を作製する。次に、支
持体２を作製する。支持体２は、できるだけ熱応力の影
響をさけるため半導体素子と同様の材料でおこなった。
ここでは、シリコンを材料として用いている。つぎに、
片持ち梁１と支持体２との接続であるが、本発明では、
図７から図１０に片持ち梁１と支持体２の接続方法を示
す。
【００４３】（実施例２）まず容易な固定は、図７に示
す機械的に固定する方法である。支持体２に取り付けよ
うボルト穴を設置し、梁を押さえるためのステイ２２と
一緒に締め付ければ固定できる。
【００４４】（実施例３）また、図８に示すように、支
持体にガラス５を使用し、陽極接合で梁部１と接続し
た。 （実施例４）また図９に示すように接着材やエポキシ樹
脂６に代表される高分子材料を用いることにより容易に
接続した。
【００４５】（実施例５）また図１０に示すように金属
の溶融結合により接合することも可能で、半田バンプ７
を介在し接合した。 （実施例６）しかし、熱応力を除外するためにも片持ち
梁１と支持体２と同一の熱膨張係数の材料の接合材を用
いることが好ましい。
【００４６】（実施例７）本発明による半導体加速度セ
ンサの素子の構成は図１１に示すように、出力値は重り
を２．８ｍｇとして上記サイズにて計算したところ０．
１ｍＶの出力であるため出力値としては小さいため出力
増幅回路をいれ１００倍のゲインを得るようにした。
【００４７】（実施例８）また、本発明での片持ち梁１
は、半導体素子のため、素子内に、温度ドリフトなどの
影響を避けるための温度補償回路も設置できる。また、
回路にトリミング機能をもたせられることが可能であ
る。その時の回路のブロック図１２、図１３に示す。図
１２は、ブリッジ回路２０に差動増幅回路を設置したも
のである。差動増幅回路にトリミングするための回路９
を設置する。トリミング回路９は図１４（Ａ）のような
構成であり、図１５のように出力に合わせ不要の抵抗を
レーザ光で切断することによりトリミングを行った。
【００４８】トリミングするための抵抗の位置は、セン
サの支持部に形成した。また、トリミング方法は図１４
（Ｂ）のような方法でも良い。 （実施例９）また、図１３のブロック図のブリッジ回路
２０に図示のごとくＲ5、Ｒ6を設け出力に合わせトリミ
ングする素子を設けた。さらに、演算増幅回路に図１１
に示すようにオフセットのための抵抗を設けることによ
りオフセット調整を行う。オフセット、増幅のトリミン
グを図１４、１５に示すように、数個の抵抗を用意しレ
ーザ光などで不要の抵抗を削除する前記したトリミング
方法と同等の方法で行った。
【００４９】（実施例１０）図１６に示すように、変位
量を増加するために、片持ち梁１の先端に重り３を設置
した。 （実施例１１）図１７に重り３をトリミングした例を示
す。片持ち梁１の端部に重り３を数個設けた。あらかじ
め重り３の位置と出力の関係を計算し、仕様の出力値に
合わせ適合する番地のおもりをレーザ光１７で削除する
方法を取った。この方法により、さらに出力値の精度の
良い加速度センサが得られた。
【００５０】（実施例１２）さらに、ガラス管１０など
を梁部、支持体、重りの部分を覆う構造にしておけば、
レーザ光１７の波長であれば容易にガラス管を通し外部
から容易に微調整できる。このパッケージの構成を図１
８に示す。さらに、パッケージ構造において、パッケー
ジと半導体センサ構造体を取り付ける部分を弾性体とす
ることで耐衝撃性を向上できる。
【００５１】（実施例１３）次に、図１９から２３に本
実施例における半導体センサの作製例を詳細に示す。ま
ず図１９（Ａ）の模式図に示すように、増幅回路、温度
補償回路を内蔵した半導体素子１５を作製した。図１９
（Ｂ）は半導体素子１５のパターンを示す。続いて図２
０に示すように、半導体素子１５を変位するための支持
台１６と固定した。次に図２１に示すように中空の管に
端子となるステンレス１２を通し、溶融したガラスを流
し固定した端子台１３を作製した。次に図２２に示すよ
うに、端子台１３を支持台１６を固定した半導体素子１
５を取り付ける。最後に図２３に示すように保護用の管
１４を取り付け加速度センサを完成した。保護用の管１
４は外部よりレーザ光１７を導入できるガラス管を用い
ると良い。ここでは、衝撃の際の過剰の変位に対し、ス
トッパを用いていないが、ストッパを用いた方がよい。
但し、拡散抵抗部を薄肉化させる方法に比較し、本発明
は耐衝撃性に強い （実施例１４）次に、本発明半導体加速度センサの片持
ち梁の側面に拡散抵抗を設けた場合の実施例を記する。
【００５２】以下に、この発明の実施例を図に基づいて
説明する。図２４は、本発明半導体加速度センサの片持
ち梁の側面に電気回路を設けた実施例の斜視図である。
図２４において、応力を検出するための片持梁５０１、
梁部を支持するための支持体５０２、出力値によつては
重りが片持梁の先端部に設置される構成である。片持梁
５０１の側面では、拡散抵抗や出力するためのパット
部、配線やさらには、温度補償回路、増幅回路などが片
持ち梁５０１の側面に配置されている。その出力値を支
持台５０２上の配線５０４を介してパッケージに付加し
てある端子５１２により出力する。
【００５３】本発明の製造方法であるが、まず半導体基
板５０７上に拡散抵抗５０５を有する片持ち梁の形状の
半導体素子を形成する。半導体素子の外形部にスクライ
ブするためのラインを設け、このスクライブライン５０
８を基準にダイシングにより切削する。その時の半導体
基板５０７を図２９に示す。パターンの外形寸法として
は、本実施例としては長さ６ｍｍ幅、０．１ｍｍ、高さ
は半導体基板に通常用いられる０．５２５ｍｍを用い
た。この形状は片持ち梁にした場合、長さ６ｍｍ、幅
０．５２５ｍｍ、高さ０．１ｍｍとなる。ダイシングで
形成できた半導体素子を図３０に示す。ダイシングによ
れば、０．１ｍｍの幅の作製は容易にできる。
【００５４】次に、片持ち梁５０１と支持部５０２との
接合であるが、熱膨張係数を同一にしたいため、シリコ
ン系の接着剤により行った。また、片持梁５０１と支持
部５０２との配線の接続は、パット部５０３を金で作製
し、片持ち梁５０１と支持部５０２のパッドを近接し半
田５０９にて接合した。このときの接合部を図３１に示
す。片持梁ち５０１と支持部５０２との接合は完了し、
最後にパッケージより外に出力するため、パッケージの
端子５１２と支持部５０２上の端子パッドをワイヤボン
ディングすることにより出力できる。
【００５５】つぎに、本発明の電気回路を図２５を用い
説明する。片持ち梁５０１の変位によりブリッジ回路５
１１により圧縮応力、引っ張り応力の差により出力を検
出し、出力パッド５０３より出力する。さらに詳細に説
明するため図２７、２８を用い説明する。従来の平面に
拡散抵抗がある場合、Ｒ2を参照用抵抗、Ｒ1を測定用抵
抗のブリッジ回路５１１を形成する。Ｒ2をＲとした
時、Ｒ1はＲ＋△Ｒで表される。このときの出力ＶOUTと
すると以下の（２）式で示される。
【００５６】 Ｖ1＝（Ｒ／２Ｒ＋△Ｒ）Ｖ Ｖ2＝（Ｒ＋△Ｒ／２Ｒ＋△Ｒ）Ｖ ＶOUT＝Ｖ2−Ｖ1＝（△Ｒ／２Ｒ＋△Ｒ）Ｖ ・・・（２） また、図２８の本発明の電気回路においては、Ｒ1を圧
縮応力による抵抗値Ｒ＋△Ｒ、Ｒ2の引っ張り応力によ
る抵抗値をＲ−△Ｒとすると以下の式で示される。
【００５７】 Ｖ1＝（Ｒ−△Ｒ／２Ｒ）Ｖ Ｖ2＝（Ｒ＋△Ｒ／２Ｒ）Ｖ ＶOUT＝Ｖ2−Ｖ1＝（△Ｒ／Ｒ）Ｖ ・・・（３） （２）、（３）式より△Ｒが非常に小さい値とし無視す
ると、本発明の電気回路では２倍の出力がある。
【００５８】本発明において、長さ６ｍｍ、幅０．５２
５ｍｍ、厚さ０.１ｍｍの半導体加速度センサを作製し
た。この半導体加速度センサでは、電圧を５Ｖと印加し
たこのときの出力電圧は０．７ｍＶであった。さらに出
力を増加させるため重りを付加し３ｍＶの出力を得た。
この時の出力は、増幅回路を通さない場合である。
【００５９】本実施例においては、片持ち梁の側面の片
側のみに拡散抵抗を設けたことを示したが、片持ち梁の
側面の両側に設けた場合においては、捻れの検出も可能
であり、側面に拡散抵抗を設けることが有効であること
がわかる。また、本実施例では半導体加速度センサの大
きさを、長さ６ｍｍ、幅０．５２５ｍｍ、厚さ０.１ｍ
ｍとしたが、使用する半導体基板によって、幅０．３ｍ
ｍ等に変更可能である。通常の半導体基板の厚みから考
えて、０．２から１ｍｍ程度である。
【００６０】次に、片持ち梁の加速度検出方向に対する
側面に拡散抵抗を有する構成について述べる。 （実施例１５）図４５に本発明の加速度検出方向の側面
に設けた拡散抵抗を有する加速度センサの構成（位置関
係）を説明する。
【００６１】片持ち梁５０１と支持体５０２との関係で
あるが、この両者の位置関係は、最大感度を出力するた
めには重要である。まず基準位置は、図４５に図示する
ように全体の拡散抵抗の長さＬの１／２Ｌの位置より、
支持体側に設置する。最適値に関しては、図４６と図４
７を用い説明する。支持体側の拡散抵抗をＬ1とした場
合、±１／２Ｌ1（使用できる範囲）の範囲で出力でき
る。最適値は、応力の集中からプラス方向にシフトした
位置（１／８Ｌ1付近）にある。その時の結果を図４７
に示す。
【００６２】次に、拡散抵抗の素子幅に対する位置関係
を図４５において説明する。図示するｔ1はより外周に
配置する方が、高感度が得られる。また感度の調整とし
てｔXとｔ0を調整することにより行うことができる。ま
た、感度の調整としてｔXとｔ0の関係式は以下の式
（４）、 ＶOUT＝Ｖ2−Ｖ1＝（△Ｒ／Ｒ）Ｖ×（ｔX＋2W）／ｔ0 ・・・（４） に示される。つまり、ｔXがｔ0に対し占める割合が大き
いとき感度が向上する。
【００６３】次に加速度センサ素子の構造仕様を決める
ための方法について説明する。図４８は、例えば加速度
１Ｇ〜５Ｇで同一の出力を出すために必要なチップ長さ
およびチップ厚の関係を示す。ダイシングによる製法の
限界からチップ厚が決まる（０．０８ｍｍ以上必要：ダ
イシングのチッピングの問題さらに出力パッドの大き
さ）。図中の実線は、加速度１Ｇから５Ｇに対する出力
を得るためのチップの大きさを示す。
【００６４】まず、の１Ｇの曲線では図中ａ点以上の
領域で素子を作製するため、チップサイズ領域が広くな
るため、増幅回路を内蔵した方が有利である。の１Ｇ
〜５Ｇの曲線は、重りを付加した場合であるが、ｂ点の
ケースのように増幅回路内蔵では作製できない領域も存
在するため、重りを付加した方が良い場合が生じる。つ
まりトレードオフの関係にある。
【００６５】しかし、（重りなし）（重りあり）の
ような高Ｇの場合最低チップサイズにてサイズが決定す
るため（ｃ点、ｄ点）、重りをのせることはコスト増に
なるのみである。また前記した出力パッドであるが、チ
ップ厚の関係でセンサの支持部分に、センサ長手方向に
一列にパッドを並べた。
【００６６】半導体加速度センサを含む半導体装置の製
造方法は、半導体基板からダイシングにより素子を切り
出し、素子を半導体加速度センサの片持ち張りの加速度
検出方向側面に形成する。その際、非常に幅の小さい素
子をダイシングにより切り出すため水圧で流されないよ
うに、粘着力の高い固定用テープで半導体基板を固定し
紫外線照射などにより粘着力を弱め、取り出す方法で行
った。
【００６７】チップ厚（幅）の小さい素子内に、電気回
路を形成するための実施例を記す。電気回路は、センサ
のセンサ部分にＭＯＳトランジスタのソースドレインの
ｗ長方向をセンサのＬ長方向の中心線を対称にして上下
２列にＭＯＳトランジスタを形成したこのことによりチ
ップ厚（幅）の小さい素子に電気回路を設けることがで
きた。また、配線に関しては、電気回路を構成している
ＭＯＳトランジスタ間電気的に結びつけているアルミ配
線又はそのＭＯＳトランジスタと抵抗部を形成している
ポリシリコンとを電気的に結びつけているアルミ配線を
ＭＯＳトランジスタおよびポリシリコン抵抗部の外側に
形成した。なお、配線をアルミ２層構造とすることで、
本発明の素子内に電気回路を配置することができた。
【００６８】また、拡散抵抗の形成においては、ウェル
により形成することにより、より一層感度の向上が望め
る。次に、この発明の実施例を図に基づいて説明する。 （実施例１６）図３２は、本発明の圧力センサである。
【００６９】図３２において、ダイヤフラム７０４を有
する基体７０２、応力により変形するダイヤフラム７０
４、ダイヤフラム７０４上に拡散抵抗により変位を抵抗
値の変動により検出する検出素子７０１が配置されてい
る。検出素子７０１は、電気信号を出力するためのパッ
ト部、配線やさらには温度補償回路、増幅回路、を側面
に形成した構成である。その出力値を基体７０２からワ
イヤ７０９を介してパッケージに付加してある端子７０
７から出力する。図３３は、検出素子部分の拡大図で、
圧力により変化する圧力基準室７０３上のダイヤフラム
７０４の上に側面に拡散抵抗８を設けた検出素子７０１
を有する。
【００７０】本発明の製造方法であるが、図３７から図
３９に本発明の製造方法を示す。まず図３７に示すよう
に半導体基板７１０上に拡散抵抗７０８を有する半導体
素子を形成する続いて検出素子７０１の外形部にスクラ
イブするためのラインを設け、このスクライブライン７
１１を基準にダイシングにより切削する。図３７におい
て長さ６ｍｍ幅、０．１ｍｍで切断を行った。図３７
（Ｂ）の拡大図は、ダイシングで切り出した個々の素子
を示す図であるが、つまり、この製法はダイシング（ダ
イス、個分けにすること）で、変位部（図４５のｔ0）
を決定する製法である。この製法で作製した検出素子１
を図３８に示す。高さは半導体基板厚みの０．５２５ｍ
ｍである。ダイシングによれば、０．１ｍｍの幅の作製
は容易にできる。
【００７１】次に、図３９に基体７０２に検出素子７０
１を接合した図を示す。図３９において基体７０２と検
出素子７０１の接合部の熱膨張係数を同一とするため、
シリコン系の接着剤で接着した。このような接合により
熱応力の影響がない圧力センサを供給することができ
た。
【００７２】次に、本発明において使用したの電気回路
を図３６を用い説明する。図３６において、検出素子７
０１の側面に拡散抵抗７８１と拡散抵抗７８２と拡散抵
抗７８３と拡散抵抗７８４からなるブリッジ回路７１４
とグランド端子７５１と出力端子７５２と出力端子７５
３と入力電圧端子７５４が構成されており、さらに、検
出素子７０１はダイヤフラム７０４に接合されている。
ここで、検出素子１の変位により、検出素子７０１の上
端と下端に圧縮応力、引っ張り応力がかかりブリッジ回
路７１４によりその圧縮応力、引っ張り応力を拡散抵抗
により検出し圧縮応力、引っ張り応力の差により出力す
る。その出力を出力パッド７０３より出力する。検出素
子の側面に拡散抵抗７０８がある優位性について説明す
る。従来の平面に拡散抵抗がある場合、Ｒ2を参照用抵
抗、Ｒ1を測定用抵抗のブリッジ回路７１１を形成す
る。Ｒ2をＲとした時、Ｒ1はＲ＋△Ｒで表される。この
ときの出力ＶOUTとすると以下の式で示される。
【００７３】 Ｖ1＝（Ｒ／２Ｒ＋△Ｒ）Ｖ ・・・（５） Ｖ2＝（Ｒ＋△Ｒ／２Ｒ＋△Ｒ）Ｖ ・・・（６） ＶOUT＝Ｖ2−Ｖ1＝（△Ｒ／２Ｒ＋△Ｒ）Ｖ ・・・（７） また、本発明の電気回路においては、Ｒ1を圧縮応力に
よる抵抗値Ｒ＋△Ｒ、Ｒ2の引っ張り応力による抵抗値
をＲ−△Ｒとすると以下の式で示される。
【００７４】 Ｖ1＝（Ｒ−△Ｒ／２Ｒ）Ｖ ・・・（８） Ｖ2＝（Ｒ＋△Ｒ／２Ｒ）Ｖ ・・・（９） ＶOUT＝Ｖ2−Ｖ1＝（△Ｒ／Ｒ）Ｖ ・・・（１０） （７）、（１０）式より△Ｒが非常に小さい値とし無視
すると、本発明の電気回路で従来の回路と比較して２倍
の出力がある。
【００７５】本発明において、長さ６ｍｍ、幅０．５２
５ｍｍ、厚さ０.１ｍｍの半導体加速度センサを作製し
た。この半導体加速度センサでは、電圧を５Ｖと印加し
たこのときの出力電圧は１．４ｍＶであった。なお、こ
の出力値は、増幅回路を通さない場合である。
【００７６】（実施例１７）次に検出素子７０１の端部
のみ固定した実施例を図４０から図４２に示す。図４０
において検出素子７０１は基体７０２のダイヤフラム７
０４を有していない部分に対して接合する。図４０は、
圧力基準室７０３と外部の圧力が平衡状態である。図４
１は、基準圧力より周囲の圧力が高い場合でダイヤフラ
ム７０４は変形するが、検出素子７０１は、端部で支持
された形となり圧力による変位を検出しない。しかし、
図４２のように基準圧力よりも周囲の圧力が低い場合、
図示のごとくダイヤフラム７０４は変位し、圧力の検出
素子７０１も変位する。これにより周囲が圧力基準室よ
り低い場合のみ検出できる。
【００７７】また図４１（Ｂ）、図４２（Ｂ）に片側の
みを固定した実施例を記載する。図４１（Ｂ）は、基準
圧力より周囲の圧力が高い場合でダイヤフラム７０４は
変形するが、検出素子７０１は、端部で支持された形と
なり圧力による変位を検出しない。図４２（Ｂ）は、基
準圧力よりも周囲の圧力が低い場合、図示のごとくダイ
ヤフラム７０４は変位し、圧力の検出素子７０１も変位
する。これにより周囲が圧力基準室より低い場合のみ検
出できる。
【００７８】本発明の感度向上方法について記述する。
図３７の本発明の製造方法において、シリコン基体７０
２に、検出素子７０１を具備したのち、検出素子７０１
側からポリシングを行うことにより、検出素子７０１を
薄片化することを行った。このことにより、本発明の検
出素子７０１の感度が向上した。
【００７９】（実施例１８）図４３は本発明の第１８実
施例の正面図である。また、図４４は、第１８実施例の
圧力検出部を示す図である。検出手段として、基体７１
６に開口部を形成し、その開口部に検出素子７１５を勘
合させる構成とした。
【００８０】このような構成とすることにより、基体７
１６はダイヤフラム形成のためのエッチング加工を必要
とせず、製造工程の短縮と基体の歩留まりの向上ができ
た。 （実施例１９）図４９、図５０は、本発明を利用した加
速度センサの各角度による電圧出力例を示す。図４９が
本発明の柱状のセンサ素子を利用した場合の電圧出力例
であり、図５０が、従来のエッチングプロセスを利用し
た場合の電圧出力例である。図の中に線は素子の幅と厚
さの比（Ｗ／Ｈ＝１／２、１／３）を記載してある。従
来の構造の場合、エッチング部がねじれやすいため、ね
じれによる抵抗変化がおこり電圧を出力してしまう。そ
のため、図５０に示すように、出力０の中心部で結ぶこ
とがない。この部分の構造からくるノイズ成分を除去す
るには、電気回路による除去をする方法をとる必要があ
る。
【００８１】本発明の加速度センサを用いての柱状の構
造の幅／高さ（Ｗ／Ｈ）の関係を図５１に示す。横軸が
チップ幅／チップ厚を示し、縦軸がノイズレベルを示
す。１Ｇ用においては、チップ幅／チップ厚の関係は６
以下であればノイズレベルは小さく使用しやすい。２０
Ｇ用においては、２以下がねじれの影響を受けず、より
精度の良いセンサを供給できる。
【００８２】（実施例２０）２軸センサに利用した例を
説明する。本発明の柱状（直方体）加速度センサをチッ
プ幅を小さくしてくると、拡散抵抗側からも変位による
抵抗変化が生じる。この原理を利用したのが、本発明の
２軸加速度センサである。図５２、図５３、図５４、図
５５を用い説明する。
【００８３】本発明の加速度検出側の側面に拡散抵抗を
設けた場合、前述したように従来例に比較し２倍の出力
が得られる。しかし、２軸センサに用いる場合、、本発
明の柱状（直方体）加速度センサをチップ幅を小さくし
ていく必要があるが、図５３に示すブリッジ回路の拡散
抵抗の配置では出力が小さい（ブリッジ回路図５４）。
そこで２軸センサとして作製する場合より高感度の加速
度センサを得るために支持台近傍の拡散抵抗（５６では
Ｒ１とＲ４）を参照抵抗とする方法を取り入れた。図５
２は、その時の出力例であるが、Ｏ１が加速度検出方向
からの出力パターンであり、Ｏ２は拡散抵抗側からの出
力を示す。Ｏ１とＯ２においての出力形状の差は、前記
した拡散抵抗に加わる変位量の違いによるものである。
この変位量の差異を調整することにより、両軸の出力感
度を調整し２軸の加速度センサを得る。本実施例では、
出力感度調整をトリミングにより行ったが、チップ幅／
チップ厚の関係を調整しても目的を達成できる。図５２
に調整後の曲線Ｏ１’、Ｏ２’（点線）を示す。この結
果より、２軸とも均一の出力であり２軸センサとしても
使用できる。
【００８４】（実施例２１）本実施例において、作製し
た半導体加速度センサの詳細を説明する。増幅回路を内
蔵した電気回路を図５６を用い説明する。電気回路とし
てフルブリッジ回路２００２が構成され、加速度により
生じたひずみに応じて、ピエゾ抵抗ゲージの抵抗値が変
化し、これをブリッジ回路２００２で電圧変化として検
出する。センサの差動出力は、ＣＭＯＳ単電源オペアン
プをシングルエンドで３つ揃えた差動増幅回路２００１
で単一出力に変換される。なお、差動増幅回路内には感
度調整用、またバッファを通してオフセット調整用トリ
ミング回路を含んでいる。なお本実施例では、支持部を
いれた全長１２ｍｍ、増幅回路内蔵で幅０．１６ｍｍで
作製した。
【００８５】さらに、Ｓ／Ｎの向上方法として、全差動
アンプ・シングルエンドを二つ使用・チョッパアンプを
使用すると良い。図５９に本発明の半導体加速度センサ
の電気回路のレイアウトを示す平面図を示す。出力パッ
ド部２００４、ブリッジ回路（ピエゾ抵抗）２００２、
オペアンプ部２００１バイアス回路部が内蔵されてい
る。幅が狭い領域のレイアウトにおいて、前記したよう
に以下のことに留意した。センサのセンサ部分にＭＯＳ
トランジスタのソースドレインのｗ長方向をセンサのＬ
長方向の中心線を対称にして上下２列にＭＯＳトランジ
スタを形成したこのことによりチップ厚（幅）の小さい
素子に電気回路を設けることができた。また、配線に関
しては、電気回路を構成しているＭＯＳトランジスタ間
電気的に結びつけているアルミ配線又はそのＭＯＳトラ
ンジスタと抵抗部を形成しているポリシリコンとを電気
的に結びつけているアルミ配線をＭＯＳトランジスタお
よびポリシリコン抵抗部の外側に形成した。
【００８６】（実施例２２）図５８は、本発明の半導体
加速度センサの断面図である。図５９は、本発明の半導
体加速度センサの斜視図である。図５９（Ｂ）は、拡散
抵抗が加速度検出方向の側面にある場合の斜視図であ
る。図５８において材質がシリコンからなるシリコン基
体８０１に、薄片部を形成し、変位により生じた応力を
電気信号にするための拡散抵抗８０５がある。基体８０
１上には、多大な加速度を生じたとき破壊を防止するた
めの上部ストッパ８０３と下部ストッパ８０４が構成さ
れている。基体８０１には、拡散抵抗８０５の他、出力
するためのパット部８０６、配線やさらには、温度補償
回路、増幅回路などが側面に配置された構成となってい
る。その出力値を基体８０１からワイヤ８０７を介して
パッケージに付加してある端子により出力する。
【００８７】ストッパのシリコン基体に接する面の構造
であるが、本実施例の場合片持ち梁のため、前記たわみ
曲線の式（１）に準ずる、曲面よりなる形状で製作し
た。上部、下部の曲面は同一とした。また、シリコン基
体とストッパとの接点であるが、第５８図に示す拡散抵
抗を有する溝部８０８の端部、図示するａ部およびａ部
の上のｂ部が接点となる。シリコン基体とストッパの最
大の間隔であるが、理想的には仕様の加速度を検出した
時のシリコン基体の変位より、若干距離をもたせ、検出
すべき加速度が検出できるようにする。
【００８８】次に、本発明の半導体加速度センサの破壊
防止のための機構について図６４から図６６をもちいて
説明する。図６４は、片持ち梁のシリコン基体８０１
が、下部からの加速度を受け、上部に変位した場合であ
る。この場合基体８０１は、上部ストッパ８０３の内面
にそって変位し、部分的な衝撃もなく衝撃に耐え得るこ
とができた。図６５は、加速度がかからない状態を示
す。図６６は、片持ち梁の基体８０１が、上部からの加
速度を受け、下部に変位した場合である。この場合基体
８０１は、下部ストッパの内面にそって変位する。
【００８９】本実施例の半導体加速度センサをもちい
て、耐衝撃性の実験を行った。本発明による半導体加速
度センサのセンサ部の長さは、８ｍｍ、幅１ｍｍ、厚さ
０．６ｍｍとした。拡散抵抗部の厚さは、８０μｍであ
る。このような仕様の半導体加速度センサにおいて、例
えば１００Ｇの衝撃を受けた場合、半導体加速度センサ
の先端部の最大変位は、１２μｍである。本半導体加速
度センサの仕様は、重力を検出するためのものであるか
ら仕様は１Ｇの加速度を検出するものとした。その時の
半導体加速度センサの最大変位は１μｍ以下である。こ
のため、耐衝撃性を向上するためのストッパの構造は、
最大の変位をする先端部の加速度センサとストッパとの
すきまは、２μｍあればよいが製造的にも困難でありす
きまは１０μｍとし本発明の加速度センサを形成した。
ストッパのシリコン基体に接する面の構造は、たわみ曲
線の式に準ずる、曲面よりなる形状で製作した。
【００９０】ストッパと加速度センサを固定する方法
は、ストッパと加速度センサの熱膨張係数を合わせるた
め、本発明では本発明で使用した材料と同一の成分より
なる接着剤により行った。この方法により熱応力による
拡散抵抗をへの影響を防ぎ、温度ドリフトの影響を防ぐ
ことができた。
【００９１】本発明の加速度センサを用いて耐衝撃性を
測定したところ３０００Ｇの衝撃を与えても本発明の加
速度センサは破壊することはなかった。 （実施例２３）図６７は本発明の第２２実施例の斜視図
である。本実施例では、シリコンを加速度センサの検出
部にもちいている。シリコンは、ばね材として優れた材
料であり良好のばね特性を示すが、片持ち梁で下部に切
込みをいれ、その上部に拡散抵抗をいれた場合、下部へ
の変位は大きくできるが、上部への変位量は小さい。そ
こで、本実施例では、ストッパを拡散抵抗の上側のみ設
けた。このような構造においても耐衝撃性の向上が望め
た。このことにより製造コストを下げる効果がある。
【００９２】（実施例２４）図６８は、本発明の第２４
実施例の斜視図である。本実施例は、変位を検出するた
めの拡散抵抗８０５が、加速度により変位する方向に対
し側面に拡散抵抗が形成されている。側面に拡散抵抗が
形成されている場合、ストッパにより拡散抵抗部に熱応
力が発生し、温度ドリフトの影響が生じることを防げ
る。
【００９３】本発明のように側面に変位を検出するため
の拡散抵抗がある本発明の場合、破壊防止のためのスト
ッパとシリコン基体との接点は、拡散抵抗近傍とした。
本実施例では、第２２実施例、第２３実施例のように拡
散抵抗部を薄片化することはなく、本実施例ではより耐
衝撃の向上が望める。本実施例では、半導体加速度セン
サの長さ８ｍｍ、幅１ｍｍ、高さ０．２ｍｍで耐衝撃性
は４０００Ｇに向上した。
【００９４】（実施例２５）第２５実施例では、拡散抵
抗側を支持基板に対向するように構成した場合の実施例
を説明する。図６９は、本発明の半導体加速度センサの
実施例である。図６９（Ａ）が正面図であり、図６９
（Ｂ）が下図が平面図である。
【００９５】図６９において構成を説明する。材質がシ
リコンからなるシリコン基体に、薄片部を形成し、変位
により生じた応力を電気信号にするための拡散抵抗３が
ある。その片持ち梁の加速度センサ素子１００１は、拡
散抵抗側を配線基板５に対向するように設置する。その
加速度センサ素子１には、予め半田バンププロセスによ
り支持体となる部分１００２（台座）と電気信号出力端
子部に半田バンプ１００６を形成しておき、加速度セン
サ素子１を配線基板５に設置することにより容易に構成
できることとした。
【００９６】図７１を用い本発明の加速度センサの製造
プロセスを説明する。図７１（Ａ）から図７１（Ｃ）が
正面図で、図７１（Ｄ）から図７１（Ｅ）が平面図であ
る。まず、加速度センサを保護するためのパッケージ１
０１０に具備してある端子７から電気信号を導くためと
加速度センサ素子１を保持するための配線基板５を作製
する。本発明においては、ガラス上に金配線（下地クロ
ム）で配線１１を作製した。配線用膜の厚さは、クロム
１０００Ａ、金１０００Ａとしスパッタリングで膜形成
した。配線パターン内には、端子１０１２および配線１
０１１、加速度センサ素子１００１を支持するための台
座パターンを形成した。
【００９７】次に、加速度センサ素子１００１の作製で
あるが、通常のイオン注入などにより拡散抵抗を形成
し、配線、絶縁膜形成などの半導体プロセスにより加速
度センサ素子１を形成する。必要に応じては、増幅回路
および温度補償回路などを形成することもある。本実施
例においては、加速度センサ素子１００１自体に配線基
板１００５に設置するための台座１００２をもうけるた
め、半田バンププロセスを実施し、素子自体に台座を形
成した。加速度センサ素子１００１を配線基板１００５
に設置する方法であるが、台座を半田バンププロセスで
形成し、配線基板内のパターンに金配線を利用している
ため、半田とは馴染みがよく、２００℃程度にすること
により容易に加速度センサ素子１００１と配線基板１０
０５を固着することができる。
【００９８】また、本方式によればセルフアライメント
機能により正確に位置出しが実施される。ここで、加速
度センサ素子１００１と配線基板１００５との隙間を保
持する必要があるため、本実施例としては半田バンプ形
成時に作製する下地の銅パターンを利用することで行っ
た、銅パターンの膜厚を加速度センサ素子１００１と配
線基板１００５との隙間制御に使用する。銅パターンの
形成は、鍍金により行うためミクロンオーダで隙間制御
できる。
【００９９】本実施例では、１Ｇの加速度を正確に検知
する使用で加速度センサを製作した。そのため、最大変
位量としては、１０ミクロン以下であるため、銅めっき
厚としては１０ミクロンとし作製した。半田１０１４を
２００℃でリフローし加速度センサー素子１００１と配
線基板１００５を接合、半田が配線基板上の金パターン
に流出し、残存した銅で保持し隙間を形成する。完成し
た基板を有する加速度センサをケース１０１０に接着
し、パッケージ１０１０に具備されている端子７とワイ
ヤボンディング１０１３により接続し、パッケージング
１０１０のふたを接着することにより加速度センサがで
きあがる。
【０１００】本実施例で作製した加速度センサの耐衝撃
性を測定したところ４０００Ｇの衝撃を与えても本発明
の加速度センサは破壊することはなかった。 （実施例２６）第２５実施例においては、加速度センサ
素子１００１に半田バンプ１００６を形成し、保持する
ための台座とする例を記載した。第２６実施例において
は、配線基板１００５に半田バンプを形成し、加速度セ
ンサ素子１００１を固着する方法により作製した。
【０１０１】図７３をもちいて説明する。まず、第一工
程として、ガラス基板に全面クロムを成膜しその上に、
銅を成膜後、リソグラフィ工程により配線を形成する。
第二工程として、加速度センサ素子１を固定するための
台座、加速度センサ素子１からの電気信号を取り出すた
めのパッド上への半田バンプ形成を行う。この工程より
配線基板５が作製される。半田バンププロセスにより形
成した台座１００２、出力パッドの拡大図を図７４に示
す。
【０１０２】加速度センサ素子１００１については、あ
らかじめ半導体プロセスにおいて、拡散抵抗１００３お
よび増幅回路などを形成しておく。ちなみに、感度を向
上させるための薄肉部形成においては、エッチングなど
により行うと良い。第三工程として、配線基板１００５
と半導体プロセスで作製した加速度センサ素子１００１
を固着する。
【０１０３】配線基板１００５と半導体プロセスで作製
した加速度センサ素子１００１を固着する方法を図７４
と図７５を用いて説明する。第１０５図（図７５に示
す）のように形成された配線基板１００５に、加速度セ
ンサ素子１００１を乗せる、その後２００℃で加熱する
と半田１０１４が流出する流出した半田１０１４は、あ
らかじめ加速度センサ素子にパターニングされている金
属の部分に流出し、セルフアライメントにより位置決め
固着される。加速度センサ素子１を具備した配線基板１
００５をパッケージング１０１０内に固定し、配線基板
１００５ないの端子１０１３とパッケージに具備された
端子１００７とをワイヤボンディングにより接続し、外
部へ電気信号を供給できるようにする。その後、パッケ
ージ１０１０に蓋をつけ封止することにより加速度セン
サは作製される。
【０１０４】（実施例２７）第２５実施例および第２６
実施例とも、台座形成方法として半田バンププロセスを
用い行ったが、本第２７実施例においては厚膜レジスト
１０１６を台座形成に用い実施した。
【０１０５】図７６を用いて、レジスト１０１６を台座
としたプロセスを説明する。第１プロセスとして、基板
（例えばガラス）に配線材料、本実施例ではアルミニウ
ムを用い配線層を形成し、リソグラフィプロセスにより
所望の配線パターンを基板５上に形成する。第二プロセ
スとして、厚膜のレジスト１０１６をスピンコートで形
成する。
【０１０６】その際、レジストの厚みが耐衝撃構造上、
重要であるためレジスト塗布等膜厚制御が必要である。
次に、台座の形状を得るためパターニングを行い。第三
プロセスとして、加速度センサ素子１００１を固着す
る。その後、出力端子を接続するため、リフローを行い
接続を完了する。厚膜レジスト１０１６を使用すること
により容易に、加速度センサーを作ることができる。本
実施例の加速度センサにより耐衝撃性を評価したところ
４０００Ｇの衝撃にも耐え得ることができた。
【０１０７】（実施例２８）拡散抵抗が加速度検出方向
の側面に設置した素子を、拡散抵抗を支持基板に対向さ
せ取り付ける場合の実施例を説明する。第２５実施例と
同様に加速度センサ素子１に予め半田バンププロセスに
より支持体となる部分１００２（台座）と電気信号端子
ぶ半田バンプ１００６を形成しておき、加速度センサ素
子１００１を配線基板１００５に設置することにより容
易に構成できることとした。
【０１０８】（実施例２９）本実施例においては、重り
の設置方法について記載する。従来、重りの設置方法と
しては、金属塊を素子先端に接着剤等で固着していた
が、本２９実施例においては、図７７のように加速度セ
ンサ素子１１０１をチャック１１０３により溶融物１１
０２内に挿入し引き出すことにより先端に設ける方法に
て行った。本方法によれば、容易に均一の重量の重り１
１０４を設置できる。図７８（Ａ）にその拡大図を示
す。また、図７８（Ｂ）では、重り１１０４の形状を形
成するため容器を用いた。容器のなかに溶融物１１０２
をいれ、センサ素子１１０１をチャック１１０３によ
り、ケース１１０６内に挿入し、凝固後引き出すことに
より所望の形状の重りを形成できた。
【０１０９】また、本方法によれば重りが凝固し、収縮
することを利用し破壊防止に利用した。以下その内容を
説明する。図７９のようなパッケージケース１１０５を
用い、前記した図７７のような溶融物１１０２に重り１
１０４となる部分を浸せきさせる。溶融物１１０２は凝
固することにより収縮し、パッケージケースとの間に隙
間を生じる。この隙間は、加速度センサ素子１１０１が
加速度を受けたとき変位でき、過剰の加速度を受けたと
きパッケージケース１１０５により過剰変位を制止でき
る。
【０１１０】（実施例３０）本実施例において、マイコ
ンチップ１２０１に付随した加速度センサの例を記す
る。図８０に、本実施例を図示する。図８０は通常のマ
イコンチップ１２０１であるが、図示のごとくマイコン
チップの端部をダイシングなどの切削により切り出し、
端部のみを切断しないで固定する構造とする。この方法
により、端部を固定した加速度センサを作製することが
できる。マイコンチップ１２０１は、セルフトリミング
機能内蔵のＥ2ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭを用いた。
【０１１１】本実施例によれば、容易にマイコンチップ
内蔵の加速度センサを作製することができる。
【０１１２】
【発明の効果】この発明は、以上説明したような構成に
より下記の効果を有する。 拡散抵抗部を所持する半導体加速度センサが表裏とも
平面であり、拡散抵抗部が薄肉かされていないためデバ
イスが容易に作れる。煩雑なプロセスを必要としない。
さらには、耐衝撃性に強い。 厚みが、半導体基板の厚さに起因するため厚みのばら
つきが少なくデバイスごとの出力のばらつきの少ない加
速度センサが得られる。 外部から容易に微調整できる。 精度のよいデバイスを供給できる。 半導体基板から多数の加速度センサ素子を得られるた
め、低価格の加速度センサを供給できる。 拡散抵抗部に薄肉部が不要のため製造時間が少なくて
すみ、しいては低価格につながる。 圧縮応力、引っ張り応力を同時に検出するため精度の
良いデバイスを供給できる。 チップ厚、チップ幅を調整することにより２軸加速度
センサを得ることができる。
【０１１３】半導体圧力センサにおいては、一辺がダイ
ヤフラムの中空部を有する基体と、基体内を気密にする
支持体と、電気信号を取り出す電気信号出力手段と、ダ
イヤフラム上にダイヤフラムの変形を検出する拡散抵抗
を具備し機械的変形を電気信号に変換する検出素子と、
前記検出素子の検出回路がブリッジ回路を構成してなる
半導体圧力センサにおいて、前記拡散抵抗がダイヤフラ
ムに対し垂直になる位置に拡散抵抗を具備した構成によ
り下記の効果を有する。 半導体基板から多数の圧力センサ素子を得られるた
め、低価格の圧力センサを供給できる。 拡散抵抗を含む圧力検出部と圧力基準室を別個に作製
するため、工程が容易になり製造単価の低減につなが
る。 圧縮応力、引っ張り応力を同時に検出するため出力感
度の良いデバイスを供給できる。
【０１１４】（ストッパ）支持体に具備され片持ち梁の
変位を制限するストッパにおいて、ストッパが加速度に
より変形する片持ち梁の形状に合わせた構造よりなるこ
とにより下記の効果を有する。 ・多大な加速度が生じた場合においても、破壊防止のた
めのストッパが面による接触により衝撃を緩和させるた
め、破壊防止になりしいては、信頼性の向上につなが
る。 ・シリコンオイルなど緩衝剤が不用となり半導体加速度
センサの製造コスト削減になる。
【０１１５】（拡散抵抗を支持基板と対向して設置）片
持ち梁と支持体の固定を前記拡散抵抗側を支持体に固定
する構成よりなることにより下記の効果を有する。 ・製造コストが安価で、耐衝撃性の向上を得ることがで
きる。 ・拡散抵抗を含む電気回路と支持および配線機能を有し
た基板が対向しているため、容易に電気信号を取り出す
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体加速度センサのブロック図であ
る。
【図２】本発明の半導体加速度センサの製造工程を示す
ブロック図である。
【図３】本発明の半導体加速度センサの製造工程を示す
ブロック図である。
【図４】本発明の半導体加速度センサの製造工程を示す
ブロック図である。
【図５】本発明の半導体加速度センサの斜視図である。
【図６】従来の半導体加速度センサの斜視図である。
【図７】本発明の片持ち梁と支持体の取り付けを示す側
面図である。
【図８】本発明の片持ち梁と支持体の取り付けを示す側
面図である。
【図９】本発明の片持ち梁と支持体の取り付けを示す側
面図である。
【図１０】本発明の片持ち梁と支持体の取り付けを示す
側面図である。
【図１１】本発明の半導体加速度センサの増幅回路の回
路図である。
【図１２】本発明の半導体加速度センサの増幅回路の回
路図である。
【図１３】本発明の差動増幅回路のトリミング部を示す
回路図である。
【図１４】本発明のブリッジ回路のトリミング方法を示
す説明図である。
【図１５】本発明のブリッジ回路のトリミング方法を示
す説明図である。
【図１６】本発明の半導体加速度センサの側面図であ
る。
【図１７】本発明のレーザ光によるトリミング方法を示
す説明図である。
【図１８】本発明の半導体加速度センサのパッケージ方
法を示す図である。
【図１９】本発明の半導体素子を示す図である。
【図２０】本発明の半導体素子を示す図である。
【図２１】発明の端子台を示す図である。
【図２２】発明の半導体加速度センサを示す図である。
【図２３】発明の半導体加速度センサを示す図である。
【図２４】本発明の半導体加速度センサの実施例の斜視
図である。
【図２５】本発明の半導体加速度センサの電気回路を示
す模式図である。
【図２６】従来の半導体加速度センサを示す斜視図であ
る。
【図２７】従来の半導体加速度センサの電気回路を示す
ブロック図である
【図２８】本発明の半導体加速度センサの電気回路を示
すブロック図である
【図２９】本発明の一実施例におけるウェハ状態のシリ
コン板ないの素子を位置の説明図である。
【図３０】本発明の一実施例における素子の取り出し状
態の説明図
【図３１】本発明の一実施例における素子と支持台との
接続の説明図
【図３２】本発明の半導体圧力センサの実施例の断面図
である。
【図３３】本発明の半導体圧力センサの実施例の圧力検
出部を示す断面図である。
【図３４】従来の半導体圧力センサの断面図である。
【図３５】従来の半導体圧力センサのマイクロマシニン
グにより作製した圧力センサの断面図である。
【図３６】本発明の半導体圧力センサの電気回路を示す
図である。
【図３７】本発明の半導体圧力センサの製造工程を示す
図である。
【図３８】本発明の半導体圧力センサの製造工程を示す
図である。
【図３９】本発明の半導体圧力センサの製造工程を示す
図である。
【図４０】本発明の検出素子の動作を示す説明図であ
る。
【図４１】本発明の検出素子の動作を示す説明図であ
る。
【図４２】本発明の検出素子の動作を示す説明図であ
る。
【図４３】本発明の半導体圧力センサの実施例の断面図
である。
【図４４】本発明の半導体圧力センサの実施例の圧力検
出部を示す断面図である。
【図４５】本発明の拡散抵抗の配置を示す説明図であ
る。
【図４６】本発明の拡散抵抗と支持台の関係の説明図で
ある。
【図４７】本発明の拡散抵抗と支持台との関係による出
力感度の説明図である。
【図４８】本発明のチップサイズと出力感度の関係の説
明図。
【図４９】本発明による０Oから３６０oの出力電圧を示
す説明図である。
【図５０】従来の０Oから３６０oの出力電圧を示す説明
図である。
【図５１】本発明によるチップ幅／チップ厚とＳ／Ｎの
関係の説明図である。
【図５２】本発明による２軸センサの０Oから３６０oの
出力電圧を示す説明図である。
【図５３】本発明による２軸センサを説明するための説
明図である。
【図５４】本発明による２軸センサのブリッジ回路を説
明するための説明図である。
【図５５】本発明による２軸センサのブリッジ回路を説
明するための説明図である。
【図５６】本発明の電気回路図である。
【図５７】本発明の電気回路レイアウトを示す平面図で
ある。
【図５８】本発明の半導体加速度センサの断面図であ
る。
【図５９】本発明の半導体加速度センサの斜視図であ
る。
【図６０】従来の半導体加速度センサの断面図である。
【図６１】従来の半導体加速度センサの説明図である。
【図６２】従来の半導体加速度センサの説明図である。
【図６３】従来の半導体加速度センサの説明図である。
【図６４】本発明の半導体加速度センサの説明図であ
る。
【図６５】本発明の半導体加速度センサの説明図であ
る。
【図６６】本発明の半導体加速度センサの説明図であ
る。
【図６７】本発明の半導体加速度センサの第二実施例の
斜視図である。
【図６８】本発明の半導体加速度センサの第三実施例の
斜視図である。
【図６９】本発明の半導体加速度センサの実施例の正面
図、斜視図である。
【図７０】従来の半導体加速度センサの正面図である。
【図７１】本発明の半導体加速度センサの第２５実施例
の製造方法を示す説明図である。
【図７２】従来の半導体加速度センサの実施例の説明図
である。
【図７３】本発明の半導体加速度センサの第２６実施例
の製造方法を示す説明図である。
【図７４】本発明の半導体加速度センサの製造過程を示
す説明図である。
【図７５】本発明の半導体加速度センサの製造過程方法
を示す説明図である。
【図７６】本発明の半導体加速度センサの第２７実施例
の製造方法を示す説明図である。
【図７７】本発明の半導体加速度センサの第２９実施例
の製造方法を示す説明図である。
【図７８】本発明の半導体加速度センサの第２９実施例
の製造方法を示す説明図である。
【図７９】本発明の半導体加速度センサの第２９実施例
の製造方法を示す説明図である。
【図８０】本発明の半導体加速度センサの第３０実施例
の説明図である。
【符号の説明】
１ 梁部 ２ 支持体 ３ 重り ４ 出力パッド ５ ガラス ６ エポキシ樹脂 ７ 半田バンプ ８ 増幅回路 ９ トリミング回路 １０ ガラス管 １１ ふた １２ ステンレス １３ 端子台 １４ 保護用の管 １５ 半導体素子 １６ 支持台 １７ レーザ光 １８ ねじ １９ 薄肉部 ２０ ブリッジ回路 ２１ 保護膜 ２２ ステイ ５０１ 片持梁（加速度検出方向の側面に拡散抵抗を設
置） ５０２ 支持部 ５０３ 出力パッド ５０４ 配線 ５０５ 拡散抵抗 ５０６ おもり ５０７ 半導体基板 ５０８ スクライブライン ５０９ 半田 ５１０ 印加電圧 ５１１ ブリッジ回路 ５１２ 端子 ７０１ 検出素子 ７０２ シリコン基体 ７０３ 圧力基準室 ７０４ ダイヤフラム ７０５ ガラス板 ７０６ 支持台 ７０７ 端子 ７０８ 拡散抵抗 ７０９ ワイヤ ７１０ 半導体基板 ７１１ スクライブライン ７１２ 空洞 ７１３ Ｓｉ3Ｎ4 ７１４ ブリッジ回路 ７１５ 検出素子（第二実施例） ７１６ シリコン基体（第二実施例） ８０１ 基体 ８０２ 支持体 ８０３ 上部ストッパ ８０４ 下部ストッパ ８０５ 拡散抵抗 ８０６ パット ８０７ ワイヤ ８０８ 溝部 １００１ 加速度センサ素子 １００２ 支持体（台座） １００３ 拡散抵抗 １００４ 薄肉部 １００５ 配線基板 １００６ 半田バンプ １００７ 出力端子 １００８ 上部ストッパ １００９ 下部ストッパ １０１０ パッケージ １０１１ 配線 １０１２ パッド １０１３ ワイヤ １０１４ 半田 １０１５ 銅 １０１６ レジスト １０１７ 取り出し線 １１０１ 加速度センサ素子 １１０２ 溶融物 １１０３ チャック １１０４ 重り １１０５ パッケージケース １１０６ ケース １２０１ マイコンチップ １２０２ 加速度センサ素子 ２００１ オペアンプ ２００２ ブリッジ回路 ２００３ トリミング部 ２００４ 出力パッド
フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平6−204032 (32)優先日 平６(1994)８月29日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平6−210208 (32)優先日 平６(1994)９月２日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 加藤 健二 千葉県千葉市美浜区中瀬１丁目８番地 株 式会社エスアイアイ・アールディセンター 内

Claims (33)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 片持ち梁（１）と支持体（２）からなる
    半導体加速度センサを含む半導体装置において、前記片
    持ち梁（１）が柱状であることを特徴とする半導体装
    置。
  2. 【請求項２】 片持ち梁（１）と支持体（２）からなる
    半導体加速度センサを含む半導体装置において、前記片
    持ち梁（１）が単一の厚みの平面を有することを特徴と
    する半導体装置。
  3. 【請求項３】 請求項２項記載の半導体装置において、
    前記片持ち梁（１）と同一の厚みで応力を検出するため
    の拡散抵抗を有することを特徴とする半導体装置。
  4. 【請求項４】 請求項２項記載の半導体装置において、
    前記片持ち梁（１）と前記支持体（２）の固定手段が高
    分子材料であることを特徴とする半導体加速度センサ。
  5. 【請求項５】 請求項２項記載の半導体装置において、
    前記片持ち梁（１）と前記支持体（２）の固定手段が金
    属材料であることを特徴とする半導体装置。
  6. 【請求項６】 請求項２項記載の半導体装置において、
    前記片持ち梁（１）と前記支持体（２）の固定手段が機
    械的手段であることを特徴とする半導体装置。
  7. 【請求項７】 請求項２項記載の半導体装置において、
    前記片持ち梁（１）と前記支持体（２）の固定手段が、
    陽極接合であることを特徴とする半導体装置。
  8. 【請求項８】 請求項２項記載の半導体装置において、
    前記片持ち梁（１）にＣＭＯＳ構造の電気回路を有する
    ことを特徴とする半導体装置。
  9. 【請求項９】 請求項２項記載の半導体装置において、
    前記片持ち梁（１）に温度補償回路を有することを特徴
    とする半導体装置。
  10. 【請求項１０】 請求項２項記載の半導体装置におい
    て、前記片持ち梁（１）に、増幅回路を有することを特
    徴とする半導体装置。
  11. 【請求項１１】 請求項２項記載の半導体装置におい
    て、前記片持ち梁（１）に、出力電圧調整の抵抗（Ｒ）
    を有することを特徴とする半導体加速度センサ。
  12. 【請求項１２】 請求項２項記載の半導体加速度センサ
    において、前記片持ち梁（１）に重り（３）を有するこ
    とを特徴とする半導体装置。
  13. 【請求項１３】 片持ち梁（１）と支持体（２）からな
    る半導体加速度センサを含む半導体装置の製造方法にお
    いて、出力電圧調整の抵抗をトリミングすることを特徴
    とする半導体装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 片持ち梁（１）と支持体（２）からな
    る半導体加速度センサを含む半導体装置の製造方法にお
    いて、重り（３）をトリミングすることを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 半導体素子（１５）と支持体（１６）
    からなる半導体加速度センサを含む半導体装置におい
    て、前記半導体素子（１５）と、前記半導体素子（１
    ５）に接続した支持台（１６）と、前記支持台（１６）
    に接続した端子台（１６）と、前記端子台（１６）に接
    続したガラス管（１０）を有することを特徴とする半導
    体装置。
  16. 【請求項１６】 半導体素子（１５）と支持体（１６）
    からなる半導体加速度センサを含む半導体装置におい
    て、前記支持台（１６）を端子台（１３）と接続する工
    程と、前記端子台（１６）をガラス管（１０）と接続す
    る工程と、レーザにより前記半導体素子（１５）をトリ
    ミングする工程からなることを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  17. 【請求項１７】 片持ち梁（５０１）と支持体（５０
    ２）からなる半導体加速度センサを含む半導体におい
    て、加速度検出方向の側面に加速度を検出する部位を有
    することを特徴とする半導体装置。
  18. 【請求項１８】 請求項１７項記載の半導体加速度セン
    サを含む半導体装置において、半導体基板の上面近傍に
    第１の拡散抵抗を有し、半導体基板の下面近傍に第２の
    拡散抵抗を有し、第１の拡散抵抗と第２の拡散抵抗がブ
    リッジ回路を有し、該片持ち梁の加速度による圧縮応
    力、引っ張り応力を検出することを特徴とする半導体装
    置。
  19. 【請求項１９】 一端が支持された半導体基板よりなる
    片持ち梁と、該片持ち梁の支持部近傍に拡散抵抗を有す
    る半導体加速度センサを含む半導体装置の製造方法にお
    いて、前記半導体基板をダイシングにより切り出す工程
    と、該素子を半導体加速度センサの片持ち梁側面に形成
    する工程を有することを特徴とする半導体装置のの製造
    方法。
  20. 【請求項２０】 片持ち梁と支持体からなり、片持ち梁
    が単一の厚みの平面である半導体加速度センサを含む半
    導体装置において、出力パッド部が列状に配列している
    ことを特徴とする半導体装置。
  21. 【請求項２１】 ダイヤフラム（７０４）を有する基体
    （７０２）と基体（７０２）の一部を気密にする基板
    （７０５）と機械的変形を電気信号に変換する検出素子
    （７０１）からなる半導体圧力センサを含む半導体装置
    において検出素子（７０１）と基体（７０２）の間に接
    合部を有することを特徴とする半導体装置。
  22. 【請求項２２】 ダイヤフラム（７０４）を有する基体
    （７０２）と、基体（７０２）の一部を気密にする基板
    （７０５）と、電気信号を取り出す電気信号出力手段
    （７０７）と、前記ダイヤフラム上にダイヤフラム（７
    ０４）の変形を検出する拡散抵抗（７０８）を有し機械
    的変形を電気信号に変換する検出素子（７０１）と、前
    記検出素子の検出回路がブリッジ回路（７１４）を構成
    してなる半導体圧力センサを含む半導体装置において、
    前記検出素子（７０１）と前記基体（７０２）が接する
    面に対して垂直の前記検出素子（７０１）の面に前記拡
    散抵抗（７０８）を有することを特徴とする半導体装
    置。
  23. 【請求項２３】 前記拡散抵抗（７０８）が、拡散抵抗
    （７８１）と拡散抵抗（７８２）と拡散抵抗（７８３）
    と拡散抵抗（７８４）からなるブリッジ回路を形成し、
    前記検出素子（７０１）の圧力による変形により生じる
    圧縮応力と引っ張り応力を検出することを特徴とする請
    求項２２項記載の半導体装置。
  24. 【請求項２４】 前記拡散抵抗（７０８）が、拡散抵抗
    （７８１）と拡散抵抗（７８２）と拡散抵抗（７８３）
    と拡散抵抗（７８４）からなるブリッジ回路を形成し、
    拡散抵抗（７８３）と拡散抵抗（７８４）が検出素子
    （７０１）の圧力印加側に、拡散抵抗（７８１）と拡散
    抵抗（７８２）が検出素子（７０１）のダイヤフラム側
    にあることを特徴とする請求項２２項記載の半導体装
    置。
  25. 【請求項２５】 前記基体（７０２）に検出素子（７０
    １）の端部のみを固定したことを特徴とする請求項２２
    項記載の半導体装置。
  26. 【請求項２６】 ダイヤフラム（７０４）を有する基体
    （７０２）と、基体（７０２）の一部を気密にする基板
    （７０５）と、電気信号出力手段（７０７）と、前記ダ
    イヤフラム上にダイヤフラム（７０４）の変形を検出す
    る拡散抵抗（７０８）を具備し機械的変形を電気信号に
    変換する検出素子（７０１）を有する半導体圧力センサ
    を含む半導体装置の製造方法において、 半導体基板（７１０）上に圧力を検出するための拡散抵
    抗（７０８）、抵抗値を出力するための出力部と配線を
    形成する第１の工程と、 前記半導体基板（７１０）から検出素子（７０１）を切
    り出す第２の工程と、 前記基体（７０２）に検出素子（７０１）を接合する第
    ３の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  27. 【請求項２７】 前記第３の工程に続いて、検出素子
    （７０１）を研削し厚みを減少することを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
  28. 【請求項２８】 開口部を有する基体（７１６）と、前
    記開口部内に機械的変形を電気信号に変換する検出素子
    （７１５）と前記基体内を気密にする基板（７０５）
    と、電気信号を取り出す電気信号出力手段（７０７）と
    前記検出素子の検出回路がブリッジ回路（７１４）を構
    成し、前記拡散抵抗（７０８）がダイヤフラムに対し垂
    直になる位置に拡散抵抗（７０８）を有することを特徴
    とする半導体装置。
  29. 【請求項２９】 一端が支持された半導体基体よりなる
    片持ち梁と、前記片持ち梁を支持する支持体と、前記片
    持ち梁に変位を検出するための拡散抵抗を具備し、加え
    られた加速度に基づく変位を前記拡散抵抗の抵抗値の変
    化に基づき検出する加速度検出手段と、前記支持体に具
    備され前記片持ち梁の変位を制限するストッパを有する
    半導体加速度センサを含む半導体装置において、前記ス
    トッパが変形時の片持ち梁の外形形状に合わせたことを
    特徴とする半導体装置。
  30. 【請求項３０】 請求項２９項記載の半導体装置におい
    て、前記片持ち梁と対向する前記ストッパの断面が前記
    片持ち梁のたわみ曲線と同一であることを特徴とする半
    導体装置。
  31. 【請求項３１】 一端が支持された半導体基体よりなる
    片持ち梁（１００１）と、前記片持ち梁を支持する支持
    体（１００２）と、前記片持ち梁（１００１）に変位を
    検出するための拡散抵抗（１００３）を具備し、加えら
    れた加速度に基づく変位を前記拡散抵抗の抵抗値の変化
    に基づき検出する加速度検出手段により加速度を検出す
    る半導体加速度センサを含む半導体装置において、前記
    片持ち梁（１００１）と支持体（１００２）の固定を前
    記拡散抵抗側を支持体（１００２）に固定する構成であ
    ることを特徴とする半導体装置。
  32. 【請求項３２】 請求項３１項記載の半導体装置におい
    て、前記拡散抵抗と支持体との間に隙間を有することを
    特徴とする半導体装置。
  33. 【請求項３３】 請求項３１項記載の半導体装置におい
    て、前記片持ち梁（１００１）と支持体（１００２）と
    の固定により、前記拡散抵抗より生じる電気信号を支持
    体（１００２）に具備した配線より取り出すことを特徴
    とする半導体装置。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0793103A3 (en) * 1996-02-27 1998-10-07 Seiko Instruments R&D Center Inc. Semiconductor acceleration sensor
JP2800112B2 (ja) * 1996-02-28 1998-09-21 株式会社エスアイアイ・アールディセンター 半導体装置
JP2939726B2 (ja) * 1996-04-19 1999-08-25 株式会社エスアイアイ・アールディセンター 半導体加速度センサの製造方法
JP3117925B2 (ja) * 1996-04-19 2000-12-18 株式会社エスアイアイ・アールディセンター 半導体加速度センサ
DE10116931A1 (de) 2001-04-05 2002-10-17 Bosch Gmbh Robert Sensor
DE10226683A1 (de) * 2002-06-15 2003-12-24 Bosch Gmbh Robert Fahrstabilitätsmanagement durch einen Fahrzeugreglerverbund
DE10235370A1 (de) * 2002-08-02 2004-02-12 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement
US7297896B2 (en) * 2002-11-21 2007-11-20 Hadco Santa Clara, Inc. Laser trimming of resistors
US6972391B2 (en) * 2002-11-21 2005-12-06 Hadco Santa Clara, Inc. Laser trimming of annular passive components
AU2003291150A1 (en) * 2002-11-21 2004-06-18 Sanmina-Sci Corporation Laser trimming of resistors
FI119785B (fi) * 2004-09-23 2009-03-13 Vti Technologies Oy Kapasitiivinen anturi ja menetelmä kapasitiivisen anturin valmistamiseksi
US7691723B2 (en) 2005-01-07 2010-04-06 Honeywell International Inc. Bonding system having stress control
JP4957158B2 (ja) * 2006-10-02 2012-06-20 株式会社デンソー 電子装置の製造方法
TWI484149B (zh) * 2011-01-17 2015-05-11 Nihon Dempa Kogyo Co 外力檢測裝置及外力檢測感測器
JP5912510B2 (ja) * 2011-01-17 2016-04-27 日本電波工業株式会社 外力検出方法及び外力検出装置
DE102011112935B4 (de) * 2011-09-13 2015-02-12 Micronas Gmbh Kraftsensor
JP2014052263A (ja) * 2012-09-06 2014-03-20 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 外力検出装置及び外力検出センサー
JP6468304B2 (ja) * 2017-02-28 2019-02-13 株式会社デンソー 物理量センサ
EP3617686B1 (en) * 2018-08-31 2021-10-27 Melexis Technologies NV Pressure sensor device and method of sensing pressure

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR414588A (fr) * 1910-04-08 1910-09-06 Robert Haardt Bouton de manchette avec tete garnie d'une montre
US3304787A (en) * 1962-12-29 1967-02-21 Toyoda Chuo Kenkyusho Kk Three-dimensional accelerometer device
US4025942A (en) * 1974-03-18 1977-05-24 Kulite Semiconductor Products, Inc. Low pressure transducers employing large silicon diaphragms having non-critical electrical properties
CA1078217A (en) * 1976-03-31 1980-05-27 Robert C. Whitehead (Jr.) Force transducing cantilever beam and pressure transducer incorporating it
US4494409A (en) * 1981-05-29 1985-01-22 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Engine vibration sensor
JPS5938621A (ja) * 1982-08-27 1984-03-02 Nissan Motor Co Ltd 振動分析装置
EP0333091B1 (en) * 1988-03-15 1992-10-21 Pfister GmbH Transducer for picking-up pressures, vibrations and/or accelerations and converting them into electrical signals
DE3860447D1 (de) * 1988-04-26 1990-09-13 Landis & Gyr Betriebs Ag Anordnung zur verminderung von piezoeffekten in mindestens einem in einem halbleitermaterial angeordneten piezoeffekt-empfindlichen elektrischen bauelement und verfahren zur herstellung dieser anordnung.
US5101669A (en) * 1988-07-14 1992-04-07 University Of Hawaii Multidimensional force sensor
US5060504A (en) * 1988-09-23 1991-10-29 Automotive Systems Laboratory, Inc. Self-calibrating accelerometer
US4881408A (en) * 1989-02-16 1989-11-21 Sundstrand Data Control, Inc. Low profile accelerometer
US4969359A (en) * 1989-04-06 1990-11-13 Ford Motor Company Silicon accelerometer responsive to three orthogonal force components and method for fabricating
JP2811768B2 (ja) * 1989-07-17 1998-10-15 株式会社デンソー 半導体式加速度センサおよびその製造方法
FR2650895B1 (fr) * 1989-08-08 1991-10-11 Onera (Off Nat Aerospatiale) Capteur accelerometrique a poutres vibrant en flexion
DE4000903C1 (ja) * 1990-01-15 1990-08-09 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De
JPH04258175A (ja) * 1991-02-12 1992-09-14 Mitsubishi Electric Corp シリコン半導体加速度センサの製造方法
DE69232273T2 (de) * 1991-09-24 2002-08-08 Murata Manufacturing Co Beschleunigungsmessaufnehmer
JP2776142B2 (ja) * 1992-05-15 1998-07-16 株式会社日立製作所 加速度センサ
JP2804874B2 (ja) * 1992-12-25 1998-09-30 三菱電機株式会社 半導体加速度検出装置
US5536963A (en) * 1994-05-11 1996-07-16 Regents Of The University Of Minnesota Microdevice with ferroelectric for sensing or applying a force

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