JPH08228134A - 固定インターバル(時間間隔)タイミング回路及びその方法 - Google Patents

固定インターバル(時間間隔)タイミング回路及びその方法

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JPH08228134A
JPH08228134A JP7313695A JP31369595A JPH08228134A JP H08228134 A JPH08228134 A JP H08228134A JP 7313695 A JP7313695 A JP 7313695A JP 31369595 A JP31369595 A JP 31369595A JP H08228134 A JPH08228134 A JP H08228134A
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capacitor
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frequency
circuit
fixed
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JP7313695A
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Masakazu Shoji
ショウジ マサカズ
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AT&T Corp
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/13Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals

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  • Manipulation Of Pulses (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 信頼性のある、固定持続時間あるいは遅延を
有する信号を、絶対的ではなく、相対的なデバイス特性
の関数として生成するためのシステム及び方法を提供す
る。 【解決手段】 本発明においては、生成された信号の時
間間隔は、ひとつのデバイスの、もう一つのデバイスの
動作特性に対する、動作特性の比として決定される。と
りわけ、本発明は、互いに既知の電気容量の比を持った
2つのコンデンサーの特性を有する要素の相対値の関数
として、固定時間信号を提供するものである。本発明は
集積回路上で実施された場合、それらの回路に対する標
準的な組み立て技術によって、相対的なデバイス特性が
比較的厳密な許容誤差内に維持されることを許すもので
あることから、特に有用である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、デジタル電子回路
における、固定インターバル(時間間隔)タイミング回
路及びその方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ほとんどいかなる場合においても、デジ
タル電子回路の操作には、信頼性があり、一定の持続時
間を持った、パルスもしくは遅延が利用可能であるか、
あるいは生成されることが要求される。個々のデバイ
ス、とりわけ、高密度集積回路上に組み立てられたデバ
イスには、大抵の場合、正確であるかまたは一定の、遅
れ時間やクロック機能を備えることを期待することは不
可能である。この理由としては、利用できないくらい高
価な方法(トリミングのような)の利用を避ける以上、
それらの回路が製造される典型的な環境である、バッチ
生産環境にとっては、組み立てプロセスにおける許容誤
差を厳密に制御できないことがある。例えば、半導体集
積回路の大量生産においては、例えば電界効果型トラン
ジスター(FET)内の特定のチャネル抵抗あるいは所
与のデバイスの容量レベルといったような、個々の、絶
対的なデバイス特性が、ウエファー毎にほぼ100%近
くまで異なっているということも、希なことではないの
である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】デバイスの各特性にお
ける、このような幅の広い偏差のために、一つの集積回
路上にある、個々の受動的あるいは能動的デバイスは、
予見可能なタイミングの時間間隔を備えるという目的に
関して、非実用的、あるいは信頼性がないものとなって
いる。とりわけ、正しいタイミングと正確な回路遅延時
間が非常に重要な高速度コンピューテイングへの応用に
おいては一層そうなる。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の原理に従い、信
頼性のある固定持続時間を有する信号あるいは遅延を、
絶対的ではなく、相対的デバイス特性の関数として与え
ることによって、前述の問題は解決される。すなわち、
生成された信号の周期は、ひとつのデバイスの動作特性
のもう一つのデバイスの動作特性に対する比として決定
される。とりわけ、本発明においては、互いについて既
知のキャパシタンス(容量)の比を有する2つのコンデ
ンサーの特性を有する(容電性のある)要素の相対値の
関数として、固定した時間を有する信号あるいは遅延を
与えている。本発明は、集積回路上で実施された場合、
特に有用である。というのは、そのような回路に対する
標準的な組み立て技術によっても、相対的なデバイス特
性が比較的厳密な許容誤差に維持されることを許すもの
だからである。
【0005】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施例を含むタ
イミング回路の概略図を与える例図である。ここでの回
路は、単一集積回路上に組み立てられており、電界効果
型トランジスター(FET)101−108、インバー
タ(NOT素子)109−110、バッファー111−
113、基準コンデンサー114、遅延コンデンサー1
15、フィードバックコンデンサー116、抵抗器11
7−119及びOPアンプ(オペアンプ、演算増幅器)
120を含むものである。電界効果型トランジスター
(FET)103及び104は、整合する対をなしてい
る。(すなわち、これらは、実際には同一の電気的特性
を示すように組み立てられている。)同様に、抵抗器1
17及び118もまた、整合する対をなすように、組み
立てられている。スイッチングによるノイズ(雑音)を
最小限にするために、理想的には、電界効果型トランジ
スター(FET)101及び102は、同一の、チャネ
ル寸法を有することが望ましい。同じように、電界効果
型トランジスター(FET)105−108のチャネル
のサイズもまた、そろえられていることが望ましい。
【0006】電界効果型トランジスター(FET)10
1及び102は、インバータ109及びバッファー11
2と共に(以下では、これらの構成要素の集合を、FE
Tスイッチ121と呼ぶ。)、単極、単投形スイッチと
して、効率的に動作するように配置されており、端子1
22に入力された基準クロック信号に応答して、基準コ
ンデンサー114と回路ノード123の一端子を、接地
端子124に対し、選択的に接続及び切断する。基準ク
ロック信号が、低い状態(論理的に0の状態と呼称され
る。)にあるときは、FETスイッチ121は、基準コ
ンデンサー114と接地端子124との間に伝導路を与
えることになる。同様に、電界効果型トランジスター
(FET)105、106、107、108も、インバ
ータ110及びバッファー113と共に(集合的に、F
ETスイッチ125と呼ぶ。)、単極、双投形スイッチ
として、効率的に動作するように配置されており、端子
126に入力されたトリガー信号に応答して、遅延コン
デンサー115の端子のひとつを、回路ノード127あ
るいは回路ノード128に対して選択的に接続する。基
準クロック信号が、高い状態(論理的に1の状態と呼称
される。)にあるときは、遅延コンデンサー115と回
路ノード127との間に伝導路が作り出され、さらに、
基準クロック信号が論理的に0の状態にあるときには、
基準コンデンサー114と回路ノード128の間に伝導
路が作り出される。
【0007】図1に例示された回路は、以下の様に動作
する。周波数fcを有する基準クロック信号は、およそ
50%の動作周期を持つ水晶結晶あるいはその他の電子
的振動子のような安定した発振源から端子122に供給
される。fcよりも、より小さい周波数を有する電気信
号に対して、基準コンデンサー114は、あたかも抵抗
値Rrefの固定した抵抗となるであろう。すなわち、こ
こで、Rref=1/(8Crefc)という式が成り立ち、
refとは基準コンデンサー114の容量である。残念
ながら、典型的な集積回路上では、各構成要素の絶対値
を非常に厳格な許容誤差内に保つことはできないこと、
及び、1/(8Crefc)という値は、fcよりもより小
さい周波数を有する電気信号、あるいは、1/fcよりも
はるかに長い時間スケールを持った電気的過渡現象に対
してのみ有効な数値であることから、基準コンデンサー
114を通じた、見かけ上の特定の抵抗値を、固定した
時間信号あるいは遅延の生成のためのベースを提供する
ために、直接頼りにすることはできない。その代わり
に、図1の回路は、基準コンデンサー114の容量の値
(Cref)と遅延コンデンサー115の容量の値(C
delay)の比の関数として、固定した持続時間のパルス
あるいは遅延を与えている。すなわち、典型的な集積回
路組み立て方法では、デバイスの絶対的な値を正確に制
御することは困難である一方、ウエハー上でのデバイス
の相対的な値は、精密に維持されることが可能であるこ
とによる。
【0008】ノード123に現れている電圧は、基準ク
ロック信号と同じ周波数を有する。このような時間依存
性の信号は、低域コンパレータ(比較器)129(入力
抵抗器119、フィードバックコンデンサー116、及
びオペアンプ120を含む。)により、1/fcよりもは
るかに長い周期にわたって、時間平均される。低域コン
パレータ(比較器)129の出力は、ノード130にお
いて現れ、FET103及び104のゲートにバイアス
をかけるために用いられる。ノード123において現れ
ている電圧が、ノード131において現れている電圧よ
りも大きいときには、低域コンパレータ(比較器)12
9の出力は低下する。この低下した電圧はFET103
のゲートに供給され、結果として、FET103の実効
チャネル抵抗が増加する。結果として、ノード131に
おいて現れた電圧は増加する。逆に、ノード123に現
れた電圧が、ノード131において現れた電圧よりも低
いときには、低域コンパレータ(比較器)129の出力
は増加し、それによってFET103の実効チャネル抵
抗が低下し、ノード131における電圧を減少させる。
ノード123における電圧は、以下の式によって与えら
れる。 V123=VDD(Rref/R117+Rref) 同様に、ノード131において現れた電圧V131はFE
T103の実効チャネル抵抗R103及び抵抗118、R
118の値の相対値の関数である。この電圧131は、以
下の式が示す値と、等価となるであろう。 V131=VDD(R103/R118+R103) 低域コンパレータ(比較器)129の動作を通して、F
ET103のゲートに供給された電圧は、Rref=R103
及びバーV123=V131(ここで、バーV123とは、V123
の時間平均した値である。)という等式が成り立つ状態
になるまで、調節されることになるであろう。FET1
03及びFET104は、整合する対をなしており、両
者とも同一のゲート電圧に従うものであることから、F
ET104の実効チャネル抵抗R104は、FET103
のそれと、すなわちR103と等しくなるであろう。従っ
て、 1/8Crefc=Rref=R103=R104 となる。抵抗器117及び抵抗器118が、それぞれ、
1/8Crefcの抵抗値のおよそ3倍の値を有するよう
に組み立てられているとすると、基準クロック信号が論
理的に1の状態にあるときは、V123の電圧のレベル
は、およそ1/4VDDという最大値にまで上昇するであ
ろう。基準クロック信号が振動するにつれて、V
123は、抵抗器117及び遅延コンデンサー114によ
って形成される回路の時定数を伴って上昇及び下降し、
ノード131に現れた電圧はバーV123という一定値に
維持される。図2は、基準クロック信号(201)及び
ノード123で現れる波形(202)ノード130で現
れる波形(203)も含めて、通常の動作において、図
1の回路内で生じる様々な信号の例図を示すものであ
る。
【0009】図3は、図1のタイミング回路に対する等
価回路の図式を用いた例図である。示されているよう
に、FETスイッチ121及び基準コンデンサー114
の組み合わせは、抵抗器314(抵抗値Rrefを有す
る。)によって代表されている。FETスイッチ125
は、トリガー信号によって制御されている単極双投形リ
レー(継電器)によって代表されている。対をなしてい
るFET103及び104は、それぞれ抵抗器303及
び304(抵抗値R103及びR104を有し、R103=R104
が成り立つ。)として図示されている。オペアンプ12
0の出力と抵抗器303及び304を接続する点線は、
低域コンパレータ(比較器)129によりなされる電圧
の等化作用を示すものである。
【0010】図1及び図3に例示された回路の操作を開
始するために、端子126に供給されたトリガー信号
は、論理的に0の状態から論理的に1の状態になる。
(図2における時刻t0で生じることが示されてい
る。)図1及び図3の回路によって信頼性のある出力を
保証するため、トリガー信号が遷移をする瞬間が、基準
クロックあるいはノード122に現れた信号による信号
レベルでの何らかの遷移とシンクロする必要はない。さ
らにその上に、トリガー信号が論理的に1の状態に保た
れる時間間隔(図2における波形204により示され
た、tf−t0間)もまた、当該回路による固定時間信号
あるいは遅延の生成と調和するものではない。(時間間
隔tf−t0がTfixよりも長い持続時間を有していると
いう明らかな限定、及び当該信号が、端子132におけ
る図1及び図3の回路による出力であるということ以外
は)
【0011】トリガー信号が論理的に0のレベルにある
ときには、遅延コンデンサー115及びVDDの間の伝導
路はFETスイッチ125内につくられる。基準クロッ
ク信号が論理的に1のレベルになっているときには、F
ETスイッチ125は、遅延コンデンサー115及びノ
ード127の間に伝導路をつくりだす。これによって、
遅延コンデンサー115がFET104を経由して、接
地するために放電することが可能となる。図2の波形2
05によって示されているように、時刻t0において論
理的に1のレベルになっているトリガー信号に応答し
て、ノード127における電圧は、時刻t1で、初めに
0からおよそVDDへと上昇する。t0からt 1への遅延は
インバーター110及びバッファー113(図1)によ
り導入される遅延の結果である。ノード127での電圧
の上昇のため、バッファー111の出力(図1及び図3
の端子132で現れる。)が時刻t2において論理的に
1のレベルとみなされるようになる。(図2の波形20
6を参照せよ。)t1からt2への遅延は、バッファー1
11の応答時間の関数である。
【0012】さらに、遅延コンデンサー115が、FE
T104を通じて放電するにつれて、ノード127にお
ける電圧は減衰してゆく。この減衰の割合は、TD
(Cdel ay104)である時定数TDによって、影響を受
ける。すなわち、 V127(t)=VDDexp[−t/TD] (以下、exp[x]=ex を示すものとする。) FET104のチャネル抵抗値R104は、1/(8Cref
c)に等しいことから、この電圧の減衰は、基準コン
デンサー及び遅延コンデンサーの値の関数となる。すな
わち、 V127(t)=VDDexp[−t/TD] V127(t)=VDDexp[−t/(Cdelay104)] V127(t)=VDDexp[−(8Crefct)/(C
delay)] 時刻t3においては、ノード127における電圧のレベ
ルは、バッファー111のしきい値電圧Vth以下に(バ
ッファー111の出力はV>Vthで1であり、V<Vth
で0となる。)低下する。結果として、バッファー11
1の出力は時刻t4において、論理的に0のレベルとみ
なされるようになる。(t3からt4への遅延はバッファ
ー111の応答時間の関数である。)
【0013】図1及び図3に例示された回路によって供
給される信号の、固定した持続時間Tfixは、時刻t2
ら時刻t4にいたる時間であり、ノード127における
電圧がVDDからVthへと減衰するためにかかる時間とし
て定義されることが可能であり、以下のように表現され
ることができる。すなわち、 Tfix=(Cdelay/8Crefct)(−ln[Vth/
DD]) VDD、Vth、fcは既知で、固定した値であるので、T
fixの持続時間を決定するに際して、事実上唯一変化し
うるものは、Cref/Cdelayである。標準的な集積回路
組み立て技術では、デバイスの相対的な特性について
は、厳格な許容誤差に維持することが許されるので、集
積回路上で実施された場合、図1の回路構成は、固定間
隔を定義付ける信号を、信頼性をもって正確に提供する
ことになろう。
【0014】図1及び図3に例示された発明は、また、
固定した遅延を提供するように用いられることも可能で
ある。波形206(図2)におけるパルスの立下り区間
は、時刻t0(トリガー信号が論理的に0から1に遷移
する時刻)から、正確に(Tf ix+K)の割合で、常に
減衰することになるであろう。Kとは、低域コンパレー
タ(比較器)129、バッファー111−113、及び
インバーター109及び110の動作によって導入され
る全体的な遅延である。Kは特定の回路に対する定数で
あり、容易に算出あるいは測定することが可能な値であ
る。(当該回路の特定デバイスの物理的特性を元にし
て)
【0015】
【発明の効果】本発明により、デジタル電子回路におい
て、固定インターバル(時間間隔)タイミング(パルス
もしくは遅延)を備えた回路が実現され、特に高速度コ
ンピューテイングへの応用へ有効である。また、従来の
半導体集積回路の標準的組み立て技術における許容誤差
の範囲内での実現が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の実施例を組み込んだタイミン
グ回路の図式による線図である。
【図2】図2は、図1の回路内で生じる様々な信号波形
の例図を示している。
【図3】図3は、図1のタイミング回路に対する単純化
した等価回路の図式による線図である。
【符号の説明】
101 電界効果型トランジスター(FET) 102 電界効果型トランジスター(FET) 103 電界効果型トランジスター(FET) 104 電界効果型トランジスター(FET) 105 電界効果型トランジスター(FET) 106 電界効果型トランジスター(FET) 107 電界効果型トランジスター(FET) 108 電界効果型トランジスター(FET) 109 インバータ(NOT素子) 110 インバータ(NOT素子) 111 バッファー 112 バッファー 113 バッファー 114 基準コンデンサー 115 遅延コンデンサー 116 フィードバックコンデンサー 117 抵抗器 118 抵抗器 119 抵抗器 120 オペアンプ(OPアンプ、演算増幅器) 121 電界効果型トランジスター(FET)スイッチ 122 端子 123 (回路)ノード 124 接地端子 125 電界効果型トランジスター(FET)スイッチ 126 端子 127 (回路)ノード 128 (回路)ノード 129 低域コンパレータ(比較器) 130 ノード 131 ノード 132 端子 303 抵抗器 304 抵抗器 314 抵抗器

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リアクタンスの特性を有する第一の要素
    と、 調節可能なインピーダンスの特性を有する要素と、 所定の周波数において、前記調節可能なインピーダンス
    の特性を有する要素を、リアクタンスの特性を有する第
    二の要素のインピーダンスに相互に比例した値に調節す
    る手段と、 前記リアクタンスの特性を有する第一の要素内に保存さ
    れたエネルギーが、前記調節可能なインピーダンスの特
    性を有する要素を通じて放電する割合の関数として、固
    定持続時間を有する信号を生成する手段と、を含むこと
    を特徴とする、固定インターバル(時間間隔)を決定す
    る回路。
  2. 【請求項2】 請求項1の回路において、前記回路が
    単一の集積回路上に組み立てられていることを特徴とす
    る回路。
  3. 【請求項3】 (A)リアクタンスの特性を有する第一
    の要素に、固定したレベルの電圧を供給するステップ
    と、 (B)周波数fcにおいて、リアクタンスの特性を有す
    る第二の要素の実効インピーダンスを測定するステップ
    と、 (C)周波数fcにおいて、調節可能なインピーダンス
    の特性を有する要素を、前記リアクタンスの特性を有す
    る第二の要素のインピーダンスに相互に比例した値に調
    節するステップと、 (D)前記リアクタンスの特性を有する第一の要素が、
    前記調節可能なインピーダンスの特性を有する要素を通
    じて放電する割合の関数として、固定持続時間を有する
    信号を生成するステップと、を含むことを特徴とする固
    定インターバル(時間間隔)を決定する方法。
  4. 【請求項4】 コンデンサーの特性を有する第一の要素
    と、 調節可能な抵抗の特性を有する要素と、 所定の周波数において、前記調節可能な抵抗の特性を有
    する要素を、コンデンサーの特性を有する第二の要素の
    インピーダンスに相互に比例した値に調節する手段と、 前記コンデンサーの特性を有する第一の要素上の電荷
    が、前記調節可能な抵抗の特性を有する要素を通じて放
    電する割合の関数として、固定持続時間を有する信号を
    生成するための手段と、 を含むことを特徴とする、固定インターバル(時間間
    隔)を決定する回路。
  5. 【請求項5】 請求項4の回路において、前記回路が
    単一の集積回路上に組み立てられていることを特徴とす
    る回路。
  6. 【請求項6】 (A)コンデンサーの特性を有する第
    一の要素に、固定したレベルの電荷を充電するステップ
    と、 (B)周波数fcにおいて、コンデンサーの特性を有す
    る第二の要素の実効抵抗を測定するステップと、 (C)周波数fcにおいて、調節可能な抵抗の特性を有
    する要素を、前記コンデンサーの特性を有する第二の要
    素のインピーダンスに相互に比例した値に調節するステ
    ップと、 (D)前記コンデンサーの特性を有する第一の要素が、
    前記調節可能な抵抗の特性を有する要素を通じて放電す
    る割合の関数として、固定持続時間を有する信号を生成
    するステップと、を含むことを特徴とする固定インター
    バル(時間間隔)を決定する方法。
  7. 【請求項7】 第一のコンデンサーと、 周波数fcにおいて、前記第一のコンデンサーを選択的
    に充電及び放電するように配置された第一のスイッチ
    と、 周波数fcにおいて、前記第一のコンデンサーの実効抵
    抗を測定し、トランジスターについて、その実効抵抗
    が、前記第一コンデンサーの前記測定された実効抵抗の
    値に、実質的に等しいレベルに維持されるように、応答
    性をもってバイアスをかけるように適合させた手段と、 第一のレベルに充電された第二のコンデンサーと、 前記バイアスをかけられたトランジスターを経由して、
    前記第二のコンデンサーを、開閉可能に放電するように
    配置された第二のスイッチと、 前記第二のコンデンサー上の前記電荷が、前記バイアス
    をかけられたトランジスターを通じて放電する割合の関
    数として、固定持続時間を有する信号を生成する手段
    と、を含むことを特徴とする固定インターバル(時間間
    隔)を決定する回路。
  8. 【請求項8】 (A)周波数fcにおいて、第一のコン
    デンサーの実効抵抗を測定するステップと、 (B)トランジスターについて、その実効抵抗が、前記
    第一コンデンサーの前記測定された実効抵抗の値に、実
    質的に等しいレベルに維持されるように、応答性をもっ
    てバイアスをかけるステップと、 (C)第二のコンデンサーを第一のレベルに充電するス
    テップと、 (D)前記バイアスをかけられたトランジスターを通じ
    て前記第二のコンデンサーを放電するステップと、 (E)前記第二のコンデンサー上の前記電荷が、前記バ
    イアスをかけられたトランジスターを通じて放電する割
    合の関数として、固定持続時間を有する信号を生成する
    ステップと、を含むことを特徴とする固定インターバル
    (時間間隔)を決定するための方法。
  9. 【請求項9】 第一のコンデンサーと、 周波数fcにおいて、前記第一のコンデンサーを選択的
    に充電及び放電するように配置された第一のスイッチ
    と、 周波数fcにおいて、前記第一のコンデンサーの実効抵
    抗を測定し、トランジスターについて、前記トランジス
    ターの抵抗が、前記第一コンデンサーの前記測定された
    実効抵抗の値に、実質的に等しいレベルに維持されるよ
    うに、応答性をもってバイアスをかけるように適合させ
    た手段と、 第一の電圧レベルに充電された第二のコンデンサーと、 前記バイアスをかけられたトランジスターを経由して、
    前記第二のコンデンサーを、開閉可能可能に放電するよ
    うに配置された第二のスイッチと、 前記第二のコンデンサーを通して現れる電圧を測定する
    手段と、 前記測定された電圧が、前記第一の電圧レベルから所定
    の第二の電圧レベルにまで減衰するインターバル(時間
    間隔)の表示を提供する手段と、を含むことを特徴とす
    る固定インターバル(時間間隔)を決定する回路。
  10. 【請求項10】 第一のコンデンサーと、 周波数fcにおいて、前記第一コンデンサーを選択的に
    充電及び放電するように配置された第一のスイッチと、 周波数fcにおいて、前記第一コンデンサーの実効抵抗
    を測定し、さらに一組の電界効果型トランジスター(F
    ET)について、前記電界効果型トランジスター(FE
    T)の各チャネル抵抗が、前記第一コンデンサーの前記
    測定された実効抵抗の値に、実質的に等しいレベルに維
    持されるように、応答性をもってバイアスをかけるよう
    に適合させたコンパレーター(比較器)と、 第一の電圧レベルに充電された第二のコンデンサーと、 前記バイアスをかけられた電界効果型トランジスター
    (FET)のひとつのチャネルを経由して、前記第二の
    コンデンサーを、開閉可能可能に放電するように配置さ
    れた第二のスイッチと、 前記第二のコンデンサーを通して現れる電圧を測定する
    手段と、 前記測定された電圧が、前記第一の電圧レベルから所定
    の第二の電圧レベルにまで減衰するインターバル(時間
    間隔)の表示を提供する手段と、 を含むことを特徴とする固定インターバル(時間間隔)
    を決定する回路。
JP7313695A 1994-11-08 1995-11-08 固定インターバル(時間間隔)タイミング回路及びその方法 Pending JPH08228134A (ja)

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