JPH08227647A - マイクロメカニカルな静電リレー - Google Patents

マイクロメカニカルな静電リレー

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JPH08227647A
JPH08227647A JP7268714A JP26871495A JPH08227647A JP H08227647 A JPH08227647 A JP H08227647A JP 7268714 A JP7268714 A JP 7268714A JP 26871495 A JP26871495 A JP 26871495A JP H08227647 A JPH08227647 A JP H08227647A
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JP
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layer
mover
spring tongue
substrate
base
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JP7268714A
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Helmut Schlaak
シュラーク ヘルムート
Joachim Schimkat
シムカト ヨアヒム
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Siemens AG
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    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0067—Mechanical properties
    • B81B3/0072—For controlling internal stress or strain in moving or flexible elements, e.g. stress compensating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/01—Switches
    • B81B2201/012—Switches characterised by the shape
    • B81B2201/014—Switches characterised by the shape having a cantilever fixed on one side connected to one or more dimples
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
    • H01H2059/0081—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics with a tapered air-gap between fixed and movable electrodes

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 可動子ばね舌片において、不所望の横方向の
湾曲を回避し、しかも全体的に見た場合、最適な切換特
性が得られるように湾曲領域を区分毎に生ぜしめる。 【解決手段】 機械的な応力を生ぜしめる層４１が可動
子ばね舌片で、所望の湾曲方向に対して直交方向に延び
る平行な各スリット２１によって、ストリップ２２に分
割されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロメカニカ
ルな静電リレーであって、 −ベース電極層とベースコンタクト片とを支持するベー
ス基板と、該ベース基板上に設けられた可動子基板とが
設けられており、該可動子基板には片側で結合された可
動子ばね舌片が露出するように加工されており、該可動
子ばね舌片が、可動子電極層と、可動子ばね舌片の端部
の近くに可動子コンタクト片とを支持しており、 −可動子ばね舌片が少なくとも１つの層を支持してお
り、該層が、基板材料に対して機械的な応力を生ぜしめ
て、可動子ばね舌片が静止状態では定常の湾曲によって
ベース基板から離反する方向に撓んでいて、作業状態で
は両電極層相互間に制御電圧が印加することによってベ
ース基板に密着するようになっており、ベースコンタク
ト片と可動子コンタクト片とが互いに上下に位置してい
る形式のものに関する。
【０００２】
【従来の技術】このようなマイクロメカニカルなリレー
は既にドイツ連邦共和国特許第４２０５０２９号明細書
に基づき公知である。この明細書に記載されているよう
に、このようなリレー構造は例えば結晶半導体基板、有
利にはシリコンから製造することができる。可動子とし
て働くばね舌片は、適当なドーピング動作およびエッチ
ング動作によって半導体基板から加工される。ばね舌片
の可動子電極と平らなベース電極との間に制御電圧が印
加されることにより、湾曲したばね舌片が対向電極上に
延展し、ひいてはいわゆる移動楔(Wanderkeil)を形成す
る。このような延展中にはこのばね舌片は、このばね舌
片の自由端部に設けられた可動子コンタクト片が、ベー
ス基板に設けられたベースコンタクト片に接触するまで
延びる。
【０００３】上記明細書には一般的な形で、ＳｉＯ2や
Ｓｉ3Ｎ4のような所定の付加的な層により、ばね舌片に
応力を生ぜしめることができることが既に述べられてい
る。この応力により、静止状態における所望の湾曲を達
成することができる。このような所望の湾曲は有利に
は、ばね舌片の前記ベース電極に向いた面に、ばね舌片
の基板材料に対して圧縮応力を生ぜしめるような層を被
着することにより得られる。これにより、このばね舌片
はベース基板から離反する方向に均質に湾曲する。
【０００４】しかしながら、応力を生ぜしめるような材
料を備えた、上に述べたような被覆層は、応力が１つの
方向だけでなく、全ての側に向かって作用するので、ば
ね舌片は長手方向の所望の湾曲だけでなく、横方向の大
抵は不所望の湾曲をも有してしまう。つまりこのこと
は、自由端部の真ん中の領域にコンタクト片を支持する
ようなばね舌片の場合、ばね舌片の前記コンタクト片の
両側に位置するラグが、ベース基板から離反する方向に
上方に向かってコンタクト領域よりも大きく湾曲するこ
とを意味している。つまりコンタクト距離が増大するこ
となく、このようなコンタクト領域においては両電極間
の作業エアギャップが増大してしまう訳である。これに
より、応答電圧も不所望に高められる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、冒頭
で述べた形式の静電リレーのばね舌片を改良して、不所
望の横方向の湾曲が回避され、しかも全体的に見た場
合、最適な切換特性が得られるように湾曲領域が区分毎
に生ぜしめられるような静電リレーを提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の構成では、機械的な応力を生ぜしめる層が可
動子ばね舌片で、所望の湾曲方向に対して直交方向に延
びる平行な各スリットによって、ストリップに分割され
ているようにした。
【０００７】
【発明の効果】ばね舌片の前記ベース基板に向いた側
が、圧縮応力を生ぜしめる層、例えばＳｉＯ2を有して
いると有利な構成が得られる。つまりこのことは、ばね
舌片の長手方向に延びるスリットが、ばね舌片の長手方
向湾曲を達成し、しかも横方向湾曲を回避するために設
けられていることを意味する。この場合、ばね舌片の前
記ベース基板に向いた側が、引張り応力を生ぜしめる付
加的な層、有利にはＳｉ3Ｎ4を支持しており、該層の厚
さが圧縮応力を生ぜしめる層の厚さよりも著しく小さ
く、この付加的な層がスリットにも中断なしに被さって
いるとさらに有利である。
【０００８】場合によっては、ばね舌片の湾曲が所定の
領域にわたってのみ得られ、これに対してコンタクト片
を支持する区分のような他の領域は出来る限り平らであ
ることも望ましい。このために本発明のさらに別の構成
では、機械的な応力を生ぜしめる層が、互いに直角を成
すスリットから成る格子によって碁盤目状に分割されて
いる。ばね舌片の長手方向に対して直交方向のスリット
を特に密に配置することにより、引張り応力を生ぜしめ
る前記第２の層によって、ばね舌片の主湾曲に対して逆
方向にも湾曲を形成することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に本発明を、図面に示した実施
の形態について説明する。
【００１０】図１は、本発明が適用されるマイクロメカ
ニカルな静電リレーの基本的な構造を概略的に示したも
のである。可動子基板１、有利にはシリコンウエハーに
可動子ばね舌片２が、適宜にドーピングされたシリコン
層内部に選択的なエッチング法により露出加工されてい
る。このばね舌片の下面には二重層４が形成されてい
る。この二重層は例えば、圧縮応力を生ぜしめるＳｉＯ
2層と、引張り応力を生ぜしめるＳｉ3Ｎ4層とから成っ
ている。このことに関しては図３に付きさらに詳しく説
明する。層厚さを適宜に選択することによって、このば
ね舌片には所望の湾曲をもたらすことができる。さらに
このばね舌片は、可動子電極５として形成された金属層
を下面で支持している。図２に示したように、このよう
な可動子電極５は、２つの部分に分割されている。これ
により、ばね舌片の真ん中に、可動子コンタクト片７の
ための金属の給電部６が形成される。
【００１１】図２からさらに判るように、ばね舌片の自
由端部には、２つのスリット８によって分離されること
によりコンタクトばね領域９が露出されている。このコ
ンタクトばね領域は可動子コンタクト片７を支持してい
る。このコンタクトばね領域９は、可動子電極５がベー
ス電極にフラットに載置されると、弾性的に撓むことが
できる。これによりコンタクト力が生ぜしめられる。
【００１２】図１からさらに判るように、可動子基板１
はベース基板１０に固定されている。このベース基板
は、この実施例の場合パイレックスガラス(Pyrex-Glas)
から成っている。しかしながらこのベース基板は例えば
シリコンから形成されていてもよい。このベース基板１
０の平らな上面はベース電極１１と絶縁層１２とを支持
している。これにより、ベース電極１１は可動子電極５
に対して絶縁される。ベースコンタクト片１３が、図示
しない形式で給電部を備えており、勿論ベース電極１１
に対して絶縁されて配置されている。可動子電極５を備
えた湾曲した可動子ばね舌片２とベース電極１１との間
には、楔状のエアギャップ１４が形成されている。これ
らの可動子電極５とベース電極１１との間に電圧源１５
から電圧が印加されると、ばね舌片がベース電極１１上
に延展する。これにより、可動子コンタクト片７がベー
スコンタクト片１３に結合される。なお図面における大
きさの割合と層の厚さとは、見易さの観点から選択した
に過ぎず、実際の割合には相当しない。
【００１３】静止状態においては励起されることなく湾
曲を有する、マイクロメカニカルに製造された図１に示
されたばね舌片は、適当な層系によって予荷重をかけら
れていなければならない。このことは、ベース電極に向
いた側が舌片裏面に対して圧縮応力を有していることに
より達成することができる。シリコン製舌片の形状変化
は、予荷重をかけられた層系がシリコンウエハー表面に
被着されることにより、生ぜしめられる。このような予
荷重は、製造プロセス時に熱膨張した状態で「凍結」つ
まり凝固することにより生じる。ＳｉＯ2層は例えばシ
リコンをほぼ１１００°Ｃで熱により酸化することによ
って製造される。ＳｉＯ2はＳｉよりもその膨張率が小
さいので、冷却時にはＳｉＯ2層はＳｉ層に対して圧縮
応力下にあり、エッチングされることにより露出された
舌片の場合には、均質な湾曲を有する撓みを可動子基板
内に生ぜしめる。これに対してＳｉ3Ｎ4層はＳｉ基板に
対して引張り応力を生ぜしめる。それというのはこのＳ
ｉ3Ｎ4の膨張率がＳｉの膨張率よりも大きいからであ
る。ＳｉＯ2層とＳｉ3Ｎ4層とを組合せることにより、
両層厚さを選択するだけで任意に湾曲を生ぜしめること
ができる。
【００１４】図３においては、このような層系の１例が
示されている。ほぼ１０μｍの厚さを備えたシリコン製
の舌片に、ほぼ４００ｎｍのＳｉ2層が被着されてお
り、このＳｉ2層には、ほぼ７０ｎｍのＳｉ3Ｎ4層が被
着されている。これらの層厚さは、製造時に１〜２％の
誤差で正確に維持することができる。有限要素法（ＦＥ
Ｍ）によるコンピュータシミュレーションにおいて、開
き(Oeffnung)のずれはほぼ０．１μｍであった。このず
れはほぼ１％の誤差に相当する。これによりこのような
層系は大量生産においても統制できる。図３において
は、ＳｉＯ2層内における圧縮応力が斜め格子状に示さ
れており、これに対してＳｉ3Ｎ4層内における引張り応
力が斜線で示されている。ＳｉＯ2層がＳｉ3Ｎ4層より
も著しく厚いので、全体的にばね舌片の撓みが上方に向
かって生ぜしめられる。Ｓｉ舌片内部には、引張り応力
を有する領域と圧縮応力を有する領域とが中立ゾーンの
両側に生じる。
【００１５】図１に示されたばね舌片の場合、一貫して
延びる層を備えたこのような層構造は２つの軸線を中心
にして湾曲を生ぜしめる。このことは図４に示されてい
る。この図４にはばね舌片の平面図が示されている。こ
の図４において、可動子基板の基礎平面から上方に向か
って形成された湾曲が個々の等高線ｈ１〜ｈ８によって
明確にされている。それぞれの等高線は、所定の撓み値
もしくは底面からの所定の距離に相当する。上に述べた
層構造を備えたばね舌片が１３００μｍの長さと１００
０μｍの幅を有している場合、シミュレーションによれ
ば、例えば等高線ｈ１においては底面に対して１．２μ
ｍの距離が得られ、等高線ｈ８においては９．３μｍの
距離が得られる。これにより、ばね端部においてはほぼ
１１μｍの距離が実現される。これらの等高線は真っ直
に延びているのではなく、湾曲している。このことは、
ばね舌片が長手方向にのみ湾曲しているのではなく、横
方向にも湾曲を有していることを意味する。このことは
冒頭で既に述べた欠点を有している。従って本発明で
は、このような横方向湾曲を回避しようとしている。
【００１６】図５は、図３に示した層構造を備えたばね
舌片の横断面を概略的に示したものである。しかしなが
らこの場合、間隔ａを置いて幅ｂの各長手方向スリット
２１が加工成形されている。これに対してＳｉ3Ｎ4層は
一貫してスリットを超えて延びている。このスリット幅
は例えば２μｍである。さらに図５においては、舌片の
下方に湾曲特性ｋが示されている。これにより判るよう
に、ＳｉＯ2層の圧縮応力に基づく内向きの湾曲は今や
両長手方向スリット２１相互間に形成されたストリップ
２２の幅に制限されている。これらの長手方向スリット
にはＳｉ3Ｎ4層の引張り応力に基づき、ばね舌片の反対
方向の湾曲が生ぜしめられる。つまりこのばね舌片は横
方向において若干波状の特性曲線を有しているものの全
体的には直線的な特性曲線を有している。長手方向スリ
ット２１の数もしくはストリップ２２の幅を適宜に選択
することによって、横方向湾曲の補償を所望の通りに行
うことができる。
【００１７】図６は図５の長手方向スリット２１を備え
たばね舌片を概略的に示した平面図である。これらの長
手方向スリットは、自由端部に設けられたサイドラグ２
ａを含むばね舌片２の全長にわたって案内されている。
しかしながら両サイドラグ２ａ相互間に形成されたコン
タクトばね領域９には、コンタクト片のより良好な位置
調整のために、このコンタクトばね領域が平らであるこ
とが望まれる。このコンタクトばね領域は電極面を支持
していないので、このコンタクトばね領域は静電的な引
付けのためには何ら寄与しない。従って、このようなコ
ンタクトばね領域９は長手方向スリット２１に加えて横
方向スリット２３をも備えている。これにより、寸法設
定が適宜に行われると、事実上平らなコンタクトばね領
域が形成される。図７（ａ）および図７（ｂ）は、図６
に示されたこのようなばね舌片の側面図である。なお図
７（ａ）は励起されていない静止状態で示されており、
図７（ｂ）は引付け状態で示されている。
【００１８】リレーの開閉時における傾動状態に関連し
て最適な切換特性を得るために、つまり、例えばコンタ
クトクリープを回避するために、長さの一部にわたって
のみ湾曲部を有し、残りの部分では平らであるような切
換舌片が望まれる。成層はシリコンウエハー全体にわた
って均質に行われるで、区分毎に厚さが変わった層を製
造するのは困難である。本発明の手段により、種々の湾
曲を異なる領域にわたって形成することができる。図８
はばね舌片２の平面図と概略的な側面図とを示してい
る。異なる３つの区分が異なった状態でスリットを備え
ており、従って異なる湾曲を有している。ばね舌片２の
緊定部に続いて設けられた第１の領域Ｚ１はスリット
（２１）を長手方向にのみ支持している。これにより、
このような領域Ｚ１は長手方向において曲率半径Ｒで湾
曲している。領域Ｚ２は長手方向スリット２１と横方向
スリット２３とを支持している。これによりばね舌片の
このような領域Ｚ２は、ほぼ平らに保たれている。さら
に端部の領域Ｚ３は、ばね舌片のスリット８によってサ
イドラグ２ａとコンタクトばね領域９とに分割されてい
る。これらのサイドラグ２ａは領域Ｚ２と同じように長
手方向スリットと横方向スリットとを支持している。コ
ンタクトばね領域９もやはり長手方向スリット２１と横
方向スリット２３とを支持している。しかしながらこの
場合、横方向スリット２３が互いに狭い間隔で配置され
ているので、この部分の湾曲は領域Ｚ１とは逆方向に生
ぜしめられる。すなわち、このコンタクトばね領域はベ
ースコンタクト片に向かって湾曲している訳である。
【００１９】圧縮応力層におけるスリットの製造技術的
な形成は図９に示したように、全面的に形成されたＳｉ
Ｏ2層からリトグラフ工程によりスリット構造がエッチ
ングされ、次いでＳｉ3Ｎ4層が全面的に例えばＣＶＤプ
ロセスにより被着されることにより行われてよい。
【００２０】別の実施例が図１０に示されている。この
場合、予め適当なマーキング層（例えばＳｉ3Ｎ4層）が
被着されることにより、酸化が局部的に制限されるの
で、ＳｉＯ2層がストリップ状に生じる。次いでＳｉ3Ｎ
4層が全面にわたって被着される。このＳｉＯ2層の代わ
りに、圧縮応力を生ぜしめるようなシリコンのドーピン
グが行われてもよい。次いでＳｉ3Ｎ4層が全面的に形成
される。この方法の利点は平滑な表面地形にある。
【図面の簡単な説明】
【図１】湾曲した可動子ばね舌片を備えたマイクロメカ
ニカルなリレーの基本的な構造を概略的に示した断面図
である。
【図２】公知の形式でスリットによって形成されたコン
タクトばね領域を備えたばね舌片を示した底面図であ
る。
【図３】ばね舌片の層系の緊張状態を示した概略図であ
る。
【図４】図２に示したばね舌片に、層が一様である場合
に静止状態において生ぜしめられる湾曲を示す等高線を
付した平面図である。
【図５】層系における個々のスリットを示す、ばね舌片
部分の横断面図である。
【図６】スリット構造を概略的に示した、ばね舌片の平
面図である。
【図７】図６のばね舌片の静止状態を示す側面図（ａ）
と作業状態を示す側面図（ｂ）である。
【図８】スリット構造に変更を加えたばね舌片の別の実
施例の平面と概略的な側面とを示した図である。
【図９】スリット構造のための１実施例の横断面図であ
る。
【図１０】スリット構造のための別の実施例の横断面図
である。
【符号の説明】
１ 可動子基板、 ２ 可動子ばね舌片、 ２ａ サイ
ドラグ、 ４ 二重層、 ５ 可動子電極、 ６ 給電
部、 ７ 可動子コンタクト片、 ８ スリット、 ９
コンタクトばね領域、 １０ ベース基板、 １１
ベース電極、１２ 絶縁層、 １３ ベースコンタクト
片、 １４ エアギャップ、 １５電圧源、 ２１ 長
手方向スリット、 ２２ ストリップ、 ２３ 横方向
スリット、 ４１，４２ 層

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マイクロメカニカルな静電リレーであっ
    て、 （イ）ベース電極層（１１）とベースコンタクト片（１
    ３）とを支持するベース基板（１０）と、該ベース基板
    （１０）上に設けられた可動子基板（１）とが設けられ
    ており、該可動子基板には片側で結合された可動子ばね
    舌片（２）が露出するように加工されており、該可動子
    ばね舌片が、可動子電極層（５）と、可動子ばね舌片の
    端部の近くに可動子コンタクト片（７）とを支持してお
    り、 （ロ）可動子ばね舌片（２）が少なくとも１つの層
    （４）を支持しており、該層が、基板材料に対して機械
    的な応力を生ぜしめて、可動子ばね舌片（２）が静止状
    態では定常の湾曲によってベース基板（１０）から離反
    する方向に撓んでいて、作業状態では両電極層（５，１
    １）相互間に制御電圧が印加することによってベース基
    板（１０）に密着するようになっており、ベースコンタ
    クト片（１３）と可動子コンタクト片（７）とが互いに
    上下に位置している形式のものにおいて、 （ハ）機械的な応力を生ぜしめる層（４；４１）が可動
    子ばね舌片で、所望の湾曲方向に対して直交方向に延び
    る平行な各スリット（２１；２３）によって、ストリッ
    プ（２２）に分割されていることを特徴とする、マイク
    ロメカニカルな静電リレー。
  2. 【請求項２】 可動子ばね舌片（２）の前記ベース基板
    （１０）に向いた側が、圧縮応力を生ぜしめる層（４
    １）、有利にはＳｉＯ2を有しており、該層がスリット
    （２１）によってばね舌片の長手方向でストリップ（２
    ２）に分割されている、請求項１記載の静電リレー。
  3. 【請求項３】 ばね舌片の前記ベース基板（１０）に向
    いた側が、引張り応力を生ぜしめる付加的な層（４
    ２）、有利にはＳｉ3Ｎ4を支持しており、該層の厚さが
    圧縮応力を生ぜしめる層（４１）の厚さよりも著しく小
    さく、この付加的な層（４２）がスリット（２１）にも
    中断なしに被さっている、請求項２記載の静電リレー。
  4. 【請求項４】 平らな領域（Ｚ２，９）を得るために、
    機械的な応力を生ぜしめる層（４１）が、互いに直角を
    成すスリット（２１，２３）から成る格子によって碁盤
    目状に分割されている、請求項１から３までのいずれか
    １項記載の静電リレー。
  5. 【請求項５】 可動子ばね舌片（２）の長手方向に対し
    て横方向のスリットを密に配置することにより、主湾曲
    方向に対して逆方向に湾曲する領域（９）が形成されて
    いる、請求項３または４記載の静電リレー。
  6. 【請求項６】 応力を生ぜしめる層（４１）がストリッ
    プ状に基板に被着されており、ストリップ（２２）相互
    間に形成されたスリット（２１）に、基板のウェブが充
    填されている、請求項１から５までのいずれか１項記載
    の静電リレー。
  7. 【請求項７】 応力を生ぜしめる層（４１）を分割する
    スリット（２１）が、この層の残されたストリップ（２
    ２）相互間の凹部として形成されており、対向応力を生
    ぜしめる別の層（４２）が凹部内に延びている、請求項
    １から５までのいずれか１項記載の静電リレー。
JP7268714A 1994-10-18 1995-10-17 マイクロメカニカルな静電リレー Withdrawn JPH08227647A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4437260.4 1994-10-18
DE4437260A DE4437260C1 (de) 1994-10-18 1994-10-18 Mikromechanisches Relais

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08227647A true JPH08227647A (ja) 1996-09-03

Family

ID=6531105

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7268714A Withdrawn JPH08227647A (ja) 1994-10-18 1995-10-17 マイクロメカニカルな静電リレー

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5635750A (ja)
EP (1) EP0710972B1 (ja)
JP (1) JPH08227647A (ja)
DE (2) DE4437260C1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008517785A (ja) * 2004-10-27 2008-05-29 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 電子デバイス

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19730715C1 (de) * 1996-11-12 1998-11-26 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Relais
DE19646667C2 (de) * 1996-11-12 1998-11-12 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Relais
US5796152A (en) * 1997-01-24 1998-08-18 Roxburgh Ltd. Cantilevered microstructure
US6087638A (en) * 1997-07-15 2000-07-11 Silverbrook Research Pty Ltd Corrugated MEMS heater structure
DE19736674C1 (de) 1997-08-22 1998-11-26 Siemens Ag Mikromechanisches elektrostatisches Relais und Verfahren zu dessen Herstellung
US6091050A (en) * 1997-11-17 2000-07-18 Roxburgh Limited Thermal microplatform
FR2772512B1 (fr) * 1997-12-16 2004-04-16 Commissariat Energie Atomique Microsysteme a element deformable sous l'effet d'un actionneur thermique
US6054659A (en) * 1998-03-09 2000-04-25 General Motors Corporation Integrated electrostatically-actuated micromachined all-metal micro-relays
US6101371A (en) * 1998-09-12 2000-08-08 Lucent Technologies, Inc. Article comprising an inductor
DE19950373B4 (de) * 1998-10-23 2005-06-30 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Mikromechanisches Relais mit federndem Kontakt und Verfahren zum Herstellen desselben
US6239685B1 (en) * 1999-10-14 2001-05-29 International Business Machines Corporation Bistable micromechanical switches
US6367252B1 (en) * 2000-07-05 2002-04-09 Jds Uniphase Corporation Microelectromechanical actuators including sinuous beam structures
US6375475B1 (en) * 2001-03-06 2002-04-23 International Business Machines Corporation Method and structure for controlled shock and vibration of electrical interconnects
US6731492B2 (en) * 2001-09-07 2004-05-04 Mcnc Research And Development Institute Overdrive structures for flexible electrostatic switch
US8080221B2 (en) * 2002-08-05 2011-12-20 Palo Alto Research Center Incorporated Capillary-channel probes for liquid pickup, transportation and dispense using stressy metal
US7241420B2 (en) * 2002-08-05 2007-07-10 Palo Alto Research Center Incorporated Capillary-channel probes for liquid pickup, transportation and dispense using stressy metal
FR2868591B1 (fr) * 2004-04-06 2006-06-09 Commissariat Energie Atomique Microcommutateur a faible tension d'actionnement et faible consommation
DE102004058103B4 (de) * 2004-12-01 2011-03-17 Technische Universität Chemnitz Einrichtung zur Spalteinstellung
US7579424B2 (en) * 2005-09-27 2009-08-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Ceramic material made from siloxane-acetylene polymer containing metal-acetylene complex
KR20080066762A (ko) * 2005-10-03 2008-07-16 아나로그 디바이시즈 인코포레이티드 Ｍｅｍｓ 스위치 접촉 시스템
US7968364B2 (en) * 2005-10-03 2011-06-28 Analog Devices, Inc. MEMS switch capping and passivation method
JP4848752B2 (ja) * 2005-12-09 2011-12-28 イビデン株式会社 部品実装用ピンを有するプリント配線板及びこれを使用した電子機器
JP2007165383A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Ibiden Co Ltd 部品実装用ピンを形成したプリント基板
JP4654897B2 (ja) * 2005-12-09 2011-03-23 イビデン株式会社 部品実装用ピンを有するプリント配線板の製造方法
WO2010049865A1 (en) * 2008-10-29 2010-05-06 Nxp B.V. Mems switch with reduced impact stress
US8546712B2 (en) 2009-03-04 2013-10-01 Nxp B.V. MEMS devices

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB897972A (en) * 1960-01-13 1962-06-06 Langham Thompson Ltd J Improvements in or relating to mechanical systems
US3979568A (en) * 1974-09-23 1976-09-07 Xerox Corporation Keyboard switch assembly having raised contacts supported by helicline legs on a common conductive sheet
US4066860A (en) * 1974-09-26 1978-01-03 Sharp Kabushiki Kaisha Pushbutton switch key arrangement for keyboards having indicia
SU601771A1 (ru) * 1976-02-05 1978-04-05 Предприятие П/Я В-8754 Электростатическое реле
FR2376548A1 (fr) * 1977-01-04 1978-07-28 Thomson Csf Dispositif bistable electrostatique
GB2095911B (en) * 1981-03-17 1985-02-13 Standard Telephones Cables Ltd Electrical switch device
JPS6046636U (ja) * 1983-09-05 1985-04-02 オムロン株式会社 多極リレ−
US4959515A (en) * 1984-05-01 1990-09-25 The Foxboro Company Micromechanical electric shunt and encoding devices made therefrom
DE3681927D1 (de) * 1985-01-21 1991-11-21 Nec Corp Piezoelektrische bistabile betaetigungsvorrichtung mit einem projektil das einen stoss empfaengt.
US4742263A (en) * 1986-08-15 1988-05-03 Pacific Bell Piezoelectric switch
US5258591A (en) * 1991-10-18 1993-11-02 Westinghouse Electric Corp. Low inductance cantilever switch
DE4205029C1 (en) * 1992-02-19 1993-02-11 Siemens Ag, 8000 Muenchen, De Micro-mechanical electrostatic relay - has tongue-shaped armature etched from surface of silicon@ substrate
JP3402642B2 (ja) * 1993-01-26 2003-05-06 松下電工株式会社 静電駆動型リレー
US5334811A (en) * 1993-05-17 1994-08-02 Honeywell Inc. Switch with laminated cover
US5367136A (en) * 1993-07-26 1994-11-22 Westinghouse Electric Corp. Non-contact two position microeletronic cantilever switch
US5376764A (en) * 1993-10-27 1994-12-27 Industrial Innovations, Inc. Three-way switch

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008517785A (ja) * 2004-10-27 2008-05-29 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 電子デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
DE59501489D1 (de) 1998-04-02
EP0710972B1 (de) 1998-02-25
US5635750A (en) 1997-06-03
EP0710972A1 (de) 1996-05-08
DE4437260C1 (de) 1995-10-19

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