JPH08222766A - 樹脂封止形半導体発光装置 - Google Patents
樹脂封止形半導体発光装置Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 26
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リードに発生するクリンチストレスに耐えら
れる樹脂封止形半導体発光装置を提供する。 【構成】 本発明による樹脂封止形半導体発光装置（２
０）は、第１のリード（２１）の素子搭載部（２３）は
第１のリード（２１）の両側面で厚さ方向に突出する載
置フランジ部（２７）と、載置フランジ部（２７）の上
面に形成された凹面部（２８）を備え、半導体発光素子
（２４）は厚さ方向の略中央部において凹面部（２８）
に固着される。第２のリード（２２）の頂部は第２のリ
ード（２２）の両側面で厚さ方向に突出する対応フラン
ジ部（３０）を備えている。第１のリード（２１）に形
成した載置フランジ部（２７）及び第２のリード（２
２）に形成した対応フランジ部（３０）は、樹脂封止体
（２６）に強固に密着するので、クリンチストレスが付
与されたとき、リードに発生する応力が分散してクッシ
ョンの作用を生ずる。
れる樹脂封止形半導体発光装置を提供する。 【構成】 本発明による樹脂封止形半導体発光装置（２
０）は、第１のリード（２１）の素子搭載部（２３）は
第１のリード（２１）の両側面で厚さ方向に突出する載
置フランジ部（２７）と、載置フランジ部（２７）の上
面に形成された凹面部（２８）を備え、半導体発光素子
（２４）は厚さ方向の略中央部において凹面部（２８）
に固着される。第２のリード（２２）の頂部は第２のリ
ード（２２）の両側面で厚さ方向に突出する対応フラン
ジ部（３０）を備えている。第１のリード（２１）に形
成した載置フランジ部（２７）及び第２のリード（２
２）に形成した対応フランジ部（３０）は、樹脂封止体
（２６）に強固に密着するので、クリンチストレスが付
与されたとき、リードに発生する応力が分散してクッシ
ョンの作用を生ずる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止形半導体発光
装置、特に外部リードに引張力等の外力が加っても光透
過性の樹脂封止体及びリード細線に大きな応力が発生し
ない半導体発光装置の構造に関する。
装置、特に外部リードに引張力等の外力が加っても光透
過性の樹脂封止体及びリード細線に大きな応力が発生し
ない半導体発光装置の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４に示す従来の樹脂封止形発光ダイオ
ードは、一方のリード（２）と、一方のリード（２）上
に固着された発光ダイオードチップ（１）と、発光ダイ
オードチップ（１）に電気的に接続された他方のリード
（３）と、発光ダイオードチップ（１）を封止する光透
過性の樹脂封止体（４）を有する。リード（２）（３）
は一方がカソード、他方がアノードである。発光ダイオ
ードチップ（１）の下面に形成された電極（図示せず）
は、リード（２）の上端に固着され且つ電気的に接続さ
れる。また、発光ダイオードチップ（１）の上面に形成
された電極（図示せず）はリード細線（５）でリード
（３）の上端に接続される。樹脂封止体（４）は底面側
にある円板形状の台座部（４ａ）と、台座部（４ａ）か
ら上方に伸びるレンズ部（４ｂ）から構成される。
ードは、一方のリード（２）と、一方のリード（２）上
に固着された発光ダイオードチップ（１）と、発光ダイ
オードチップ（１）に電気的に接続された他方のリード
（３）と、発光ダイオードチップ（１）を封止する光透
過性の樹脂封止体（４）を有する。リード（２）（３）
は一方がカソード、他方がアノードである。発光ダイオ
ードチップ（１）の下面に形成された電極（図示せず）
は、リード（２）の上端に固着され且つ電気的に接続さ
れる。また、発光ダイオードチップ（１）の上面に形成
された電極（図示せず）はリード細線（５）でリード
（３）の上端に接続される。樹脂封止体（４）は底面側
にある円板形状の台座部（４ａ）と、台座部（４ａ）か
ら上方に伸びるレンズ部（４ｂ）から構成される。
【０００３】図４の発光ダイオードを回路基板に実装す
るとき、カットアンドクリンチ法によりリード（２）
（３）を回路基板（８）に固着している。例えば、図５
及び図６に示すように、回路基板（８）の孔（９）に挿
入したリード（２）（３）を２つの刃（１０）（１１）
によって折り曲げながらリード（２）（３）を延伸方向
に引張る。これによって、幅広部（６）（７）を回路基
板（８）に密着させると共にリード（２）（３）の先端
側を切除することができる。このとき、リード（２）
（３）に形成された幅広部（６）（７）は、回路基板
（８）への実装時に回路基板（８）に当接してストッパ
として働く。このため、実装時にリード（２）（３）に
強い引張力が加っても光透過性樹脂（４）又はリード細
線（５）に大きな応力が発生しないことが期待された。
リード（２）（３）に幅広部（６）（７）を設けない
と、樹脂封止体（４）の底面が回路基板（８）の上面に
直接密着して、リード（２）（３）が引張られ、樹脂封
止体（４）にクラックが生じ易かった。図４のダイオー
ドでは、幅広部（６）（７）が当接部として働き、リー
ド（２）（３）の引張力が樹脂封止体（４）に伝達され
ないと考えられた。
るとき、カットアンドクリンチ法によりリード（２）
（３）を回路基板（８）に固着している。例えば、図５
及び図６に示すように、回路基板（８）の孔（９）に挿
入したリード（２）（３）を２つの刃（１０）（１１）
によって折り曲げながらリード（２）（３）を延伸方向
に引張る。これによって、幅広部（６）（７）を回路基
板（８）に密着させると共にリード（２）（３）の先端
側を切除することができる。このとき、リード（２）
（３）に形成された幅広部（６）（７）は、回路基板
（８）への実装時に回路基板（８）に当接してストッパ
として働く。このため、実装時にリード（２）（３）に
強い引張力が加っても光透過性樹脂（４）又はリード細
線（５）に大きな応力が発生しないことが期待された。
リード（２）（３）に幅広部（６）（７）を設けない
と、樹脂封止体（４）の底面が回路基板（８）の上面に
直接密着して、リード（２）（３）が引張られ、樹脂封
止体（４）にクラックが生じ易かった。図４のダイオー
ドでは、幅広部（６）（７）が当接部として働き、リー
ド（２）（３）の引張力が樹脂封止体（４）に伝達され
ないと考えられた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、幅広部
（６）（７）を設けても、樹脂封止体及びリード細線に
大きな応力が発生し、実際には当初予想された程に樹脂
封止体及びリード細線を保護する十分な効果は得られな
かった。この理由は、明らかではないが、リード（２）
（３）の軸周りの回転方向にも応力が加わるためと考え
られる。
（６）（７）を設けても、樹脂封止体及びリード細線に
大きな応力が発生し、実際には当初予想された程に樹脂
封止体及びリード細線を保護する十分な効果は得られな
かった。この理由は、明らかではないが、リード（２）
（３）の軸周りの回転方向にも応力が加わるためと考え
られる。
【０００５】そこで、本発明はリードに発生するクリン
チストレスに耐えられる樹脂封止形半導体発光装置を提
供することを目的とする。
チストレスに耐えられる樹脂封止形半導体発光装置を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による樹脂封止形
半導体発光装置は、第１及び第２のリードと、第１のリ
ードの上部に形成された素子搭載部に固着された一方の
電極及びリード細線を介して第２のリードのリード接続
部に電気的に接続された他方の電極を有する半導体発光
素子と、半導体発光素子及び第１及び第２のリードの一
部を封止する光透過性樹脂封止体とを備えている。第１
のリードは第１の幅狭部と、第１の幅狭部の上部に設け
られた幅広部と、幅広部の上部に設けられた第２の幅狭
部とを備え、第１のリードの第２の幅狭部の上部に素子
搭載部が形成される。第２のリードは第１の幅狭部と、
第１の幅狭部の上部に設けられた幅広部と、幅広部の上
部に設けられた第２の幅狭部とを備え、第２のリードの
第２の幅狭部の上部にリード接続部が形成される。第１
のリードの素子搭載部は第１のリードの両側面で厚さ方
向に突出する載置フランジ部と、載置フランジ部の上面
に形成された凹面部を備え、半導体発光素子は凹面に固
着される。第２のリードの頂部は第２のリードの両側面
で厚さ方向に突出する対応フランジ部を備えている。第
１のリードの第２の幅狭部は第２のリード側に偏位する
折曲げ部を備えている。第２のリードの第２の幅狭部は
第１のリード側に偏位する折曲げ部を備えている。第１
のリード及び第２のリードの各幅広部の下部は光透過性
樹脂封止体から露出する。
半導体発光装置は、第１及び第２のリードと、第１のリ
ードの上部に形成された素子搭載部に固着された一方の
電極及びリード細線を介して第２のリードのリード接続
部に電気的に接続された他方の電極を有する半導体発光
素子と、半導体発光素子及び第１及び第２のリードの一
部を封止する光透過性樹脂封止体とを備えている。第１
のリードは第１の幅狭部と、第１の幅狭部の上部に設け
られた幅広部と、幅広部の上部に設けられた第２の幅狭
部とを備え、第１のリードの第２の幅狭部の上部に素子
搭載部が形成される。第２のリードは第１の幅狭部と、
第１の幅狭部の上部に設けられた幅広部と、幅広部の上
部に設けられた第２の幅狭部とを備え、第２のリードの
第２の幅狭部の上部にリード接続部が形成される。第１
のリードの素子搭載部は第１のリードの両側面で厚さ方
向に突出する載置フランジ部と、載置フランジ部の上面
に形成された凹面部を備え、半導体発光素子は凹面に固
着される。第２のリードの頂部は第２のリードの両側面
で厚さ方向に突出する対応フランジ部を備えている。第
１のリードの第２の幅狭部は第２のリード側に偏位する
折曲げ部を備えている。第２のリードの第２の幅狭部は
第１のリード側に偏位する折曲げ部を備えている。第１
のリード及び第２のリードの各幅広部の下部は光透過性
樹脂封止体から露出する。
【０００７】本発明の実施例では、第１のリード及び第
２のリードの各第２の幅狭部は対応する第１の幅狭部の
延長上に位置する直線部を有する。また、第１のリード
及び第２のリードの各幅広部は対応する折曲げ部に直接
連絡する。
２のリードの各第２の幅狭部は対応する第１の幅狭部の
延長上に位置する直線部を有する。また、第１のリード
及び第２のリードの各幅広部は対応する折曲げ部に直接
連絡する。
【０００８】
【作用】第１のリードに形成した載置フランジ部及び第
２のリードに形成した対応フランジ部は、樹脂封止体に
強固に密着するので、第１及び第２のリードの軸周りの
回転を防止すると共に、クリンチストレスが付与された
とき、第１のリード及び第２のリードに発生する応力が
分散してクッションの作用を生ずる。このため、実装時
に第１のリード及び第２のリードに強い引張力が加わっ
ても、樹脂封止体又はリード細線に大きな応力が発生せ
ず、樹脂封止体にクラックが生じたり、リード細線が切
断されない。また、カップ形状に形成された載置フラン
ジ部及び対応フランジ部の上面は、半導体発光素子から
の光を反射し、輝度アップに寄与する。更に、カップ状
の載置フランジ部と対応フランジ部を組合せると、反射
板となるため、広い発光エリアを形成することができ
る。第１及び第２のリードに設けた折曲げ部は、第１の
リード及び第２のリードに発生する機械的応力を緩和す
る作用がある。
２のリードに形成した対応フランジ部は、樹脂封止体に
強固に密着するので、第１及び第２のリードの軸周りの
回転を防止すると共に、クリンチストレスが付与された
とき、第１のリード及び第２のリードに発生する応力が
分散してクッションの作用を生ずる。このため、実装時
に第１のリード及び第２のリードに強い引張力が加わっ
ても、樹脂封止体又はリード細線に大きな応力が発生せ
ず、樹脂封止体にクラックが生じたり、リード細線が切
断されない。また、カップ形状に形成された載置フラン
ジ部及び対応フランジ部の上面は、半導体発光素子から
の光を反射し、輝度アップに寄与する。更に、カップ状
の載置フランジ部と対応フランジ部を組合せると、反射
板となるため、広い発光エリアを形成することができ
る。第１及び第２のリードに設けた折曲げ部は、第１の
リード及び第２のリードに発生する機械的応力を緩和す
る作用がある。
【０００９】
【実施例】以下、樹脂封止形発光ダイオードに適用した
本発明の実施例を図１〜図３について説明する。
本発明の実施例を図１〜図３について説明する。
【００１０】図１〜図２に示す本発明の第１の実施例に
よる樹脂封止形半導体発光装置（２０）は、第１のリー
ド（２１）及び第２のリード（２２）とを有する。第１
のリード（２１）は第１の幅狭部（２１ａ）と、第１の
幅狭部（２１ａ）の上部に設けられた幅広部（２１ｂ）
と、幅広部（２１ｂ）の上部に設けられた第２の幅狭部
（２１ｃ）と、第２の幅狭部（２１ｃ）の上部に設けら
れた素子搭載部（２３）とを有する。第１のリード（２
１）の第２の幅狭部（２１ｃ）の中心軸は第１の幅狭部
（２１ａ）の中心軸を延長した位置よりも第２のリード
（２２）側に偏位する折曲げ部（２１ｄ）を有する。第
２のリード（２２）は第１の幅狭部（２２ａ）と、第１
の幅狭部（２２ａ）の上部に設けられた幅広部（２２
ｂ）と、幅広部（２２ｂ）の上部に設けられた第２の幅
狭部（２２ｃ）と、第２の幅狭部（２２ｃ）の上部に設
けられたリード接続部（２５）とを有する。第２のリー
ド（２２）の第２の幅狭部（２２ｃ）の中心軸は第１の
幅狭部（２２ａ）の中心軸を延長した位置よりも第１の
リード（２１）側に偏位する折曲げ部（２２ｄ）を有す
る。
よる樹脂封止形半導体発光装置（２０）は、第１のリー
ド（２１）及び第２のリード（２２）とを有する。第１
のリード（２１）は第１の幅狭部（２１ａ）と、第１の
幅狭部（２１ａ）の上部に設けられた幅広部（２１ｂ）
と、幅広部（２１ｂ）の上部に設けられた第２の幅狭部
（２１ｃ）と、第２の幅狭部（２１ｃ）の上部に設けら
れた素子搭載部（２３）とを有する。第１のリード（２
１）の第２の幅狭部（２１ｃ）の中心軸は第１の幅狭部
（２１ａ）の中心軸を延長した位置よりも第２のリード
（２２）側に偏位する折曲げ部（２１ｄ）を有する。第
２のリード（２２）は第１の幅狭部（２２ａ）と、第１
の幅狭部（２２ａ）の上部に設けられた幅広部（２２
ｂ）と、幅広部（２２ｂ）の上部に設けられた第２の幅
狭部（２２ｃ）と、第２の幅狭部（２２ｃ）の上部に設
けられたリード接続部（２５）とを有する。第２のリー
ド（２２）の第２の幅狭部（２２ｃ）の中心軸は第１の
幅狭部（２２ａ）の中心軸を延長した位置よりも第１の
リード（２１）側に偏位する折曲げ部（２２ｄ）を有す
る。
【００１１】第１のリード（２１）の素子搭載部（２
３）は第１のリード（２１）の両側面で厚さ方向に突出
する載置フランジ部（２７）と、載置フランジ部（２
７）の上面に形成された凹面部（２８）を備え、発光ダ
イオード素子である半導体発光素子（２４）は厚さ方向
の略中央部において凹面部（２８）に固着される。この
ため、第１のリード（２１）の素子搭載部（２３）には
半導体発光素子（２４）の下面側に設けられた一方の電
極（図示せず）が固着される。第２のリード（２２）の
頂部は第２のリード（２２）の両側面で厚さ方向に突出
する対応フランジ部（３０）を備えている。対応フラン
ジ部（３０）には凹面部（３２）が形成される。半導体
発光素子（２４）の上面側に設けられた他方の電極（図
示せず）はリード細線（３１）を介して第２のリード
（２２）のリード接続部（２５）に電気的に接続され
る。光透過性の樹脂封止体（２６）は、半導体発光素子
（２４）、素子搭載部（２３）、リード接続部（２５）
及び第１のリード（２１）及び第２のリード（２２）の
一部を封止する。各幅広部（２１ｂ）（２２ｂ）の下部
は樹脂封止体（２６）の底面から露出する。樹脂封止体
（２６）は、透明又は半透明の樹脂により形成される。
第１のリード（２１）及び第２のリード（２２）の各第
２の幅狭部（２１ｃ）（２２ｃ）は対応する第１の幅狭
部（２１ａ）（２２ａ）の延長上に位置する直線部（２
１ｅ）（２２ｅ）を有する。
３）は第１のリード（２１）の両側面で厚さ方向に突出
する載置フランジ部（２７）と、載置フランジ部（２
７）の上面に形成された凹面部（２８）を備え、発光ダ
イオード素子である半導体発光素子（２４）は厚さ方向
の略中央部において凹面部（２８）に固着される。この
ため、第１のリード（２１）の素子搭載部（２３）には
半導体発光素子（２４）の下面側に設けられた一方の電
極（図示せず）が固着される。第２のリード（２２）の
頂部は第２のリード（２２）の両側面で厚さ方向に突出
する対応フランジ部（３０）を備えている。対応フラン
ジ部（３０）には凹面部（３２）が形成される。半導体
発光素子（２４）の上面側に設けられた他方の電極（図
示せず）はリード細線（３１）を介して第２のリード
（２２）のリード接続部（２５）に電気的に接続され
る。光透過性の樹脂封止体（２６）は、半導体発光素子
（２４）、素子搭載部（２３）、リード接続部（２５）
及び第１のリード（２１）及び第２のリード（２２）の
一部を封止する。各幅広部（２１ｂ）（２２ｂ）の下部
は樹脂封止体（２６）の底面から露出する。樹脂封止体
（２６）は、透明又は半透明の樹脂により形成される。
第１のリード（２１）及び第２のリード（２２）の各第
２の幅狭部（２１ｃ）（２２ｃ）は対応する第１の幅狭
部（２１ａ）（２２ａ）の延長上に位置する直線部（２
１ｅ）（２２ｅ）を有する。
【００１２】本発明の実施例では、第１のリード（２
１）に形成した載置フランジ部（２７）及び第２のリー
ド（２２）に形成した対応フランジ部（３０）は、樹脂
封止体（２６）に強固に密着するので、第１のリード
（２１）及び第２のリード（２２）の軸回りの回転を防
止できると共に、クリンチストレスが付与されたとき、
第１のリード（２１）及び第２のリード（２２）に発生
する応力が分散されてクッションの作用を生ずる。この
ため、実装時に第１のリード（２１）及び第２のリード
（２２）に強い引張力が加わっても、樹脂封止体（２
６）又はリード細線（３１）に大きな応力が発生せず、
樹脂封止体（２６）にクラックが生じたり、リード細線
（３１）が切断されない。また、カップ形状に形成され
た載置フランジ部（２７）及び対応フランジ部（３０）
の凹面部（２８）（３２）は半導体発光素子（２４）か
らの光を反射し、輝度アップに寄与する。更に、第１の
リード（２１）及び第２のリード（２２）のカップを組
合せた形状が楕円になるので、広い発光エリアを形成す
ることができる。第１のリード（２１）及び第２のリー
ド（２２）に設けた折曲げ部（２１ｄ）（２２ｄ）は、
第１のリード（２１）及び第２のリード（２２）に発生
する機械的応力を緩和する作用がある。載置フランジ部
（２７）及び対応フランジ部（３０）は例えば金型によ
り押し潰して形成される。
１）に形成した載置フランジ部（２７）及び第２のリー
ド（２２）に形成した対応フランジ部（３０）は、樹脂
封止体（２６）に強固に密着するので、第１のリード
（２１）及び第２のリード（２２）の軸回りの回転を防
止できると共に、クリンチストレスが付与されたとき、
第１のリード（２１）及び第２のリード（２２）に発生
する応力が分散されてクッションの作用を生ずる。この
ため、実装時に第１のリード（２１）及び第２のリード
（２２）に強い引張力が加わっても、樹脂封止体（２
６）又はリード細線（３１）に大きな応力が発生せず、
樹脂封止体（２６）にクラックが生じたり、リード細線
（３１）が切断されない。また、カップ形状に形成され
た載置フランジ部（２７）及び対応フランジ部（３０）
の凹面部（２８）（３２）は半導体発光素子（２４）か
らの光を反射し、輝度アップに寄与する。更に、第１の
リード（２１）及び第２のリード（２２）のカップを組
合せた形状が楕円になるので、広い発光エリアを形成す
ることができる。第１のリード（２１）及び第２のリー
ド（２２）に設けた折曲げ部（２１ｄ）（２２ｄ）は、
第１のリード（２１）及び第２のリード（２２）に発生
する機械的応力を緩和する作用がある。載置フランジ部
（２７）及び対応フランジ部（３０）は例えば金型によ
り押し潰して形成される。
【００１３】本発明の第２の実施例を示す図３では、図
１に示す直線部（２１ｅ）（２２ｅ）が第２の幅狭部
（２１ｃ）（２２ｃ）から除去され、第１のリード（２
１）及び第２のリード（２２）の各幅広部（２１ｂ）
（２２ｂ）は対応する折曲げ部（２１ｄ）（２２ｄ）に
直接連絡する。
１に示す直線部（２１ｅ）（２２ｅ）が第２の幅狭部
（２１ｃ）（２２ｃ）から除去され、第１のリード（２
１）及び第２のリード（２２）の各幅広部（２１ｂ）
（２２ｂ）は対応する折曲げ部（２１ｄ）（２２ｄ）に
直接連絡する。
【００１４】
【発明の効果】本発明による樹脂封止形半導体発光装置
は機械的強度が大きいため、使用時の信頼性が向上する
と共に光量が増加する利点がある。
は機械的強度が大きいため、使用時の信頼性が向上する
と共に光量が増加する利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明を適用した樹脂封止形発光ダイオード
の断面図
の断面図
【図２】 図１の平面図
【図３】 本発明の他の実施例を示す断面図
【図４】 従来の樹脂封止形発光ダイオードの断面図
【図５】 リードを切除する前の状態を示す側面図
【図６】 リードを切除する状態を示す側面図
（２０）・・樹脂封止形半導体発光装置、 （２１）・
・第１のリード、 （２１ａ）・・第１の幅狭部、
（２１ｂ）・・幅広部、 （２１ｃ）・・第２の幅狭
部、 （２１ｄ）・・折曲げ部、 （２２）・・第２の
リード、 （２２ａ）・・第１の幅狭部、 （２２ｂ）
・・幅広部、 （２２ｃ）・・第２の幅狭部、 （２
３）・・素子搭載部、 （２４）・・半導体発光素子、
（２５）・・リード接続部、 （２６）・・樹脂封止
体、 （２７）・・載置フランジ部、（２８）・・凹面
部、 （３０）・・対応フランジ部、 （３１）・・リ
ード細線、
・第１のリード、 （２１ａ）・・第１の幅狭部、
（２１ｂ）・・幅広部、 （２１ｃ）・・第２の幅狭
部、 （２１ｄ）・・折曲げ部、 （２２）・・第２の
リード、 （２２ａ）・・第１の幅狭部、 （２２ｂ）
・・幅広部、 （２２ｃ）・・第２の幅狭部、 （２
３）・・素子搭載部、 （２４）・・半導体発光素子、
（２５）・・リード接続部、 （２６）・・樹脂封止
体、 （２７）・・載置フランジ部、（２８）・・凹面
部、 （３０）・・対応フランジ部、 （３１）・・リ
ード細線、
Claims (3)
- 【請求項１】 第１及び第２のリードと、前記第１のリ
ードの上部に形成された素子搭載部に固着された一方の
電極及びリード細線を介して前記第２のリードのリード
接続部に電気的に接続された他方の電極を有する半導体
発光素子と、該半導体発光素子及び前記第１及び第２の
リードの一部を封止する光透過性樹脂封止体とを備えた
樹脂封止形半導体発光装置において、 前記第１のリードは第１の幅狭部と、該第１の幅狭部の
上部に設けられた幅広部と、該幅広部の上部に設けられ
た第２の幅狭部とを備え、前記第１のリードの第２の幅
狭部の上部に前記素子搭載部が形成され、 前記第２のリードは第１の幅狭部と、該第１の幅狭部の
上部に設けられた幅広部と、該幅広部の上部に設けられ
た第２の幅狭部とを備え、前記第２のリードの第２の幅
狭部の上部に前記リード接続部が形成され、 前記第１のリードの前記素子搭載部は前記第１のリード
の両側面で厚さ方向に突出する載置フランジ部と、該載
置フランジ部の上面に形成された凹面部を備え、前記半
導体発光素子は前記凹面に固着され、 前記第２のリードの頂部は第２のリードの両側面で厚さ
方向に突出する対応フランジ部を備え、 前記第１のリードの前記第２の幅狭部は前記第２のリー
ド側に偏位する折曲げ部を備え、前記第２のリードの前
記第２の幅狭部は前記第１のリード側に偏位する折曲げ
部を備え、 前記第１のリード及び第２のリードの各幅広部の下部は
前記光透過性樹脂封止体から露出することを特徴とする
樹脂封止形半導体発光装置。 - 【請求項２】 前記第１のリード及び第２のリードの各
第２の幅狭部は対応する前記第１の幅狭部の延長上に位
置する直線部を有する請求項１に記載の樹脂封止形半導
体発光装置。 - 【請求項３】 前記第１のリード及び第２のリードの各
幅広部は対応する折曲げ部に直接連絡する請求項１に記
載の樹脂封止形半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7023212A JP2820197B2 (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 樹脂封止形半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7023212A JP2820197B2 (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 樹脂封止形半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222766A true JPH08222766A (ja) | 1996-08-30 |
| JP2820197B2 JP2820197B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=12104365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7023212A Expired - Fee Related JP2820197B2 (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 樹脂封止形半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2820197B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160013378A1 (en) * | 2014-07-11 | 2016-01-14 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device and method for producing the same |
-
1995
- 1995-02-10 JP JP7023212A patent/JP2820197B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160013378A1 (en) * | 2014-07-11 | 2016-01-14 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device and method for producing the same |
| US9947848B2 (en) * | 2014-07-11 | 2018-04-17 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device and method for producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2820197B2 (ja) | 1998-11-05 |
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