JPH08222680A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPH08222680A
JPH08222680A JP2530195A JP2530195A JPH08222680A JP H08222680 A JPH08222680 A JP H08222680A JP 2530195 A JP2530195 A JP 2530195A JP 2530195 A JP2530195 A JP 2530195A JP H08222680 A JPH08222680 A JP H08222680A
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JP
Japan
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circuit board
semiconductor device
resin
mounting portion
chip
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JP2530195A
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English (en)
Inventor
Hiroyuki Kozono
浩由樹 小園
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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    • H05K3/3421—Leaded components

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】耐湿性に優れ、高信頼性を有し、低価格の半導
体装置を提供する。 【構成】多層回路基板２１０の中央部には、穴が設けら
れる。基板２１０の一面側の穴の周辺部には、電極２２
０が形成される。基板２１０の他面側には、電極２２０
に接続されるピン（外部端子）２５０が形成される。Ｉ
Ｃ搭載部は、樹脂封止部２００とリード２０１を有す
る。ＩＣチップは、樹脂封止部２００内に搭載される。
リード２０１は、樹脂封止部２００内のＩＣチップに接
続され、樹脂封止部２００から直線状に伸びている。リ
ード２０１と電極２２０は、互いに接続される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多数の端子を有し、数
ＧＨｚの周波数で動作する集積回路（ＩＣ）を有する半
導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２１乃至図２３は、第１従来例に係わ
る半導体装置を示すものである。図２１は、第１従来例
に係わる半導体装置の上面図、図２２は、第１従来例に
係わる半導体装置の下面図、図２３は、図２２のＡ１−
Ａ１線に沿う断面図である。
【０００３】この半導体装置の構成について説明する。
多層回路基板１１０の中央部には、穴が設けられてい
る。放熱板１２０は、半導体装置の上面から見た場合
に、多層回路基板１１０よりも小さく、多層回路基板１
１０の穴よりも大きい。放熱板１２０は、多層回路基板
１１０の穴を塞ぐように、多層回路基板１１０の一面側
に搭載される。
【０００４】半導体装置の中央部には、多層回路基板１
１０と放熱板１２０により、凹部が形成される。ＩＣチ
ップ１００は、接着剤１７０により、半導体装置の凹部
の放熱板１２０上に搭載されている。ボンディングワイ
ヤ１４０は、ＩＣチップ１００と多層回路基板１１０の
配線１３０の一端とを接続する。
【０００５】多層回路基板１１０の他面側には、配線１
３０の他端に繋がる電極１５０が形成されている。ピン
（外部端子）１８０は、電極１５０上に搭載されてい
る。樹脂１６０は、多層回路基板１１０の一面側を覆う
ように、放熱板１２０の周囲に形成され、かつ、半導体
装置の凹部を満たすように、その凹部内に形成されてい
る。
【０００６】上記構成の半導体装置において、一般に、
多層回路基板１１０と樹脂１６０との密着性は、良好と
はいえない。従って、図２７の矢印に示すように、半導
体装置の外部の水分は、多層回路基板１１０と樹脂１６
０の界面を通り、ＩＣチップ１００へ直接到達する。こ
の水分は、ＩＣチップ１００を不良にする原因となるた
め、半導体装置の信頼性を低下させる。
【０００７】図２４乃至図２６は、第２従来例に係わる
半導体装置を示すものである。図２４は、第２従来例に
係わる半導体装置の上面図、図２５は、第２従来例に係
わる半導体装置の下面図、図２６は、図２５のＢ１−Ｂ
１線に沿う断面図である。
【０００８】この半導体装置の構成について説明する。
多層回路基板１１０の中央部には、穴が設けられてい
る。放熱板１２０は、半導体装置の上面から見た場合
に、多層回路基板１１０よりも小さく、多層回路基板１
１０の穴よりも大きい。放熱板１２０は、多層回路基板
１１０の穴を塞ぐように、多層回路基板１１０の一面側
に搭載される。
【０００９】半導体装置の中央部には、多層回路基板１
１０と放熱板１２０により、凹部が形成される。ＩＣチ
ップ１００は、接着剤１７０により、半導体装置の凹部
の放熱板１２０上に搭載されている。ボンディングワイ
ヤ１４０は、ＩＣチップ１００と多層回路基板１１０の
配線１３０の一端とを接続する。
【００１０】多層回路基板１１０の他面側には、配線１
３０の他端に繋がる半田ボール（外部端子）１９０が形
成されている。樹脂１６０ａは、多層回路基板１１０の
一面側を覆うように、放熱板１２０の周囲に形成されて
いる。樹脂１６０ｂは、半導体装置の凹部を満たすよう
に、その凹部内に形成されている。
【００１１】樹脂１６０ｂは、いわゆるポッティング樹
脂であり、凹部からはみ出さないように形成されてい
る。上記構成の半導体装置においても、多層回路基板１
１０と樹脂１６０との密着性は、良好とはいえない。従
って、図２８の矢印に示すように、半導体装置の外部の
水分は、多層回路基板１１０と樹脂１６０ａ，１６０ｂ
の界面を通り、ＩＣチップ１００へ直接到達する。
【００１２】また、半田ボール１９０の高さが低いた
め、樹脂１６０ｂは、凹部からはみ出さないように形成
される。従って、図２８の矢印に示すように、半導体装
置の外部の水分は、樹脂１６０を通り、ＩＣチップ１０
０へ直接到達する。この水分は、ＩＣチップ１００を不
良にする原因となるため、半導体装置の信頼性を低下さ
せる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の半
導体装置は、水分を吸収し易い構造であるため、半導体
装置の信頼性を低下させるという欠点がある。本発明
は、上記欠点を解決すべくなされたもので、その目的
は、水分を吸収し難い構造を有する高信頼性の半導体装
置を提供すること、及び、かかる構造の半導体装置を低
価格で提供すること、及び、かかる構造の半導体装置に
高周波（数ＧＨｚ）の集積回路を搭載できるようにする
ことである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の樹脂封止型半導体装置は、回路基板とＩＣ
搭載部から構成される。回路基板は、その中央部に形成
される穴と、回路基板の一面側の穴の周辺部に形成され
る電極と、電極に接続され回路基板の他面側に形成され
る外部端子とを有する。ＩＣ搭載部は、ＩＣチップと、
ＩＣチップを覆う樹脂と、ＩＣチップに接続され樹脂か
ら突出するリードとを有する。ＩＣ搭載部は、回路基板
の穴上に配置され、かつ、回路基板の電極とＩＣ搭載部
のリードは、互いに接続されている。
【００１５】回路基板の穴上から見た場合に、ＩＣ搭載
部の樹脂は、回路基板の穴の大きさよりも小さく、か
つ、ＩＣ搭載部の樹脂から突出する部分のリードの長さ
は、できるだけ短くなるように設定されている。
【００１６】リードは、ＩＣ搭載部の樹脂から直線状に
突出しているのがよい。ＩＣ搭載部の樹脂は、回路基板
に接触していないのが好ましい。回路基板の電極とＩＣ
搭載部のリードの接続点を含む前記回路基板の一面側を
覆う樹脂をさらに備えているのがよい。
【００１７】ＩＣ搭載部は、一面側にＩＣチップを搭載
するための板状のベッドをさらに備え、ベッドの他面側
は、樹脂から露出させている。外部端子は、ピン又は半
田ボールである。
【００１８】
【作用】上記構成の半導体装置は、ＩＣ搭載部と回路基
板から構成され、ＩＣチップは、ＩＣ搭載部の樹脂内に
搭載され、かつ、ＩＣ搭載部と回路基板は、それぞれ分
離されている。即ち、回路基板とＩＣチップを覆う樹脂
とが接触することがないため、水分が、回路基板と樹脂
の界面からＩＣチップへ直接到達するということもな
い。また、ＩＣ搭載部のみを見れば、このＩＣ搭載部
は、プラスチックパッケージとほぼ同じ構造を有してい
る。
【００１９】従って、水分を吸収し難い耐湿性に優れた
半導体装置を提供でき、半導体装置の信頼性を向上させ
ることができる。また、半導体装置全体として見た場合
に、半導体装置の反りを防止することができる。
【００２０】また、ＩＣ搭載部をベッドを有するリード
フレームから構成することにより、高周波（数ＧＨｚ）
で動作する集積回路を有する半導体装置に応用すること
も可能である。
【００２１】また、ＩＣ搭載部は、プラスチックパッケ
ージとほぼ同じ構造を有しており、簡易に製造できるた
め、半導体装置の低価格化にも貢献できる。また、樹脂
により回路基板の一面側のほぼ全体を覆えば、回路基板
の配線を保護できると共に、放熱性をさらに向上させる
ことができる。
【００２２】さらに、回路基板の外部端子に半田ボール
を用いることにより、半導体装置の薄型化に貢献でき
る。しかも、ＩＣ搭載部の厚さは、回路基板の厚さより
も薄いため、ＩＣ搭載部が半田ボールよりも下の位置に
くることがない。
【００２３】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の樹脂封
止型半導体装置について詳細に説明する。図１乃至図３
は、本発明の第１実施例に係わる樹脂封止型半導体装置
を示している。図１は、本発明の第１実施例に係わる半
導体装置の上面図、図２は、本発明の第１実施例に係わ
る半導体装置の下面図、図３は、図２のＡ２−Ａ２線に
沿う断面図である。
【００２４】まず、この半導体装置の構成について説明
する。多層回路基板２１０の中央部には、穴が設けられ
ている。電極２２０は、多層回路基板２１０の一面側に
おいて、穴の周辺部にのみ形成されている。電極２４０
は、多層回路基板２１０の他面側の全体に形成されてい
る。
【００２５】配線２３０は、多層回路基板２１０の一面
側の電極２２０と多層回路基板２１０の他面側の電極２
４０とを接続する。ピン（外部端子）２５０は、電極２
４０上に搭載されている。
【００２６】一方、ＩＣ搭載部は、多層回路基板２１０
の穴上に配置されている。ＩＣ搭載部は、樹脂封止部２
００と、樹脂封止部２００から突出したリード２０１と
を有している。
【００２７】ＩＣチップは、樹脂封止部２００内に搭載
されている。ＩＣ搭載部のリード２０１の一端は、多層
回路基板２１０の一面側の電極２２０に接続されてい
る。樹脂封止部２００は、半導体装置の上面から見た場
合に、多層回路基板１１０の穴の大きさよりも小さくな
るように構成される。但し、リード２０１は、できるだ
け短い方がよいため、樹脂封止部２００は、できるだけ
穴の大きさに近づけるのが最適である。
【００２８】リード２０１は、樹脂封止部２００から一
直線状に伸びていても、数箇所で折り曲げられていても
よい。但し、製造工程を簡略化し、半導体装置の低価格
化を達成するため、及び半導体装置の薄型化を達成する
ためには、リード２０１は、樹脂封止部２００から一直
線状に伸びているのが最適である。
【００２９】図４は、図１乃至３の半導体装置の多層回
路基板２１０のみを示す上面図である。図５は、図１乃
至３の半導体装置のＩＣ搭載部のみを示す上面図であ
る。図６は、図５のＢ２−Ｂ２線に沿う断面図である。
【００３０】多層回路基板２１０の穴の周辺部には、電
極２２０が設けられている。ここで、多層回路基板２１
０の上面から見た場合に、多層回路基板２１０の穴が例
えば正方形を有し、その一辺の長さがＨであり、当該多
層回路基板２１０の穴の縁に垂直な方向の電極２２０の
長さがＤであると仮定する。
【００３１】この場合、ＩＣ搭載部の樹脂封止部２００
は、正方形を有し、その一辺の長さは、Ｐ（＜Ｈ）とな
る。また、樹脂封止部２００とリード２０１の境界点か
らリード２０１の一端までの長さＬは、Ｌ＞（Ｈ−Ｐ）
／２であり、かつ、Ｄよりも短いのがよい。これは、リ
ード２０１と電極２２０を確実に接触させることができ
るからである。
【００３２】上記構成の半導体装置において、ＩＣチッ
プは、ＩＣ搭載部の樹脂封止部２００内に搭載され、か
つ、ＩＣ搭載部と多層回路基板は、それぞれ独立に形成
することができる。
【００３３】即ち、多層回路基板と樹脂とが接触するこ
とがないため、水分が、多層回路基板と樹脂の界面から
ＩＣチップへ直接到達するということもない。また、Ｉ
Ｃ搭載部のみを見れば、このＩＣ搭載部は、従来のいわ
ゆるプラスチックパッケージとほぼ同じ構造を有してい
る。
【００３４】従って、水分を吸収し難い耐湿性に優れた
半導体装置を提供でき、半導体装置の信頼性を向上させ
ることができる。また、半導体装置全体として見た場合
に、半導体装置の反りを防止することができる。
【００３５】また、ＩＣ搭載部をリードフレームから構
成すれば、高周波（数ＧＨｚ）で動作する集積回路を有
する半導体装置にすることも可能である。また、ＩＣ搭
載部は、従来のプラスチックパッケージとほぼ同じ構造
を有しており、簡易に製造できるため、半導体装置の低
価格化にも貢献できる。
【００３６】ＩＣ搭載部は、ＩＣチップを覆う樹脂と、
この樹脂から突出するリードとを有し、多層回路基板と
独立に形成できれば、どのような構造であってもよい。
以下に、ＩＣ搭載部の具体例について説明する。
【００３７】図７は、図１乃至図３の半導体装置のＩＣ
搭載部の第１実施例を示すものである。図８は、図７の
Ｃ２−Ｃ２線に沿う断面図である。このＩＣ搭載部の構
成について説明する。
【００３８】ＩＣチップ２０３は、接着剤２０６によ
り、板状のベッド２０２上に搭載されている。ボンディ
ングワイヤ２０４は、リード２０１の他端とＩＣチップ
２０３とを接続する。樹脂２０５は、リードの他端部、
ベッド２０２、ＩＣチップ２０３及びボンディングワイ
ヤ２０４を覆っている。
【００３９】リード２０１の２つの面のうち多層回路基
板の電極に接続される面Ｓは、例えばボンディングワイ
ヤ２０４が接続される面と同じ面である。このＩＣ搭載
部は、リードフレームから構成されているため、高周波
で動作する集積回路が形成されたＩＣチップ２０３を搭
載できる。
【００４０】図９は、図１乃至図３の半導体装置のＩＣ
搭載部の第２実施例を示すものである。図１０は、図９
のＤ２−Ｄ２線に沿う断面図である。このＩＣ搭載部の
構成について説明する。
【００４１】ＩＣチップ２０３は、接着剤２０６によ
り、板状のベッド２０２上に搭載されている。ボンディ
ングワイヤ２０４は、リード２０１の他端とＩＣチップ
２０３とを接続する。樹脂２０５は、リードの他端部、
ベッド２０２、ＩＣチップ２０３及びボンディングワイ
ヤ２０４を覆っている。但し、ベッド２０２の裏面（Ｉ
Ｃチップ２０３が搭載される面に対して反対側の面）
は、樹脂２０５から露出している。
【００４２】リード２０１の２つの面のうち多層回路基
板の電極に接続される面Ｓは、ボンディングワイヤ２０
４が接続される面と同じ面であるのが最適である。この
ＩＣ搭載部は、ベッド２０２の裏面が樹脂２０５から露
出しているため、ＩＣチップ２０３の熱を外部に放出す
るのに適している。
【００４３】図１１は、図１乃至図３の半導体装置のＩ
Ｃ搭載部の第３実施例を示すものである。図１２は、図
１１のＥ２−Ｅ２線に沿う断面図である。このＩＣ搭載
部の構成について説明する。
【００４４】バンプ２０７は、ＩＣチップ２０３上に形
成されている。リード２０１の他端は、ＩＣチップのバ
ンプ２０７に接続されている。樹脂２０５は、リードの
他端部及びＩＣチップ２０３を覆っている。但し、ＩＣ
チップ２０３の裏面（バンプ２０７が搭載される面に対
して反対側の面）は、樹脂２０５から露出している。
【００４５】リード２０１の２つの面のうち多層回路基
板の電極に接続される面Ｓは、バンプ２０７が接続され
る面に対して反対側の面とすると、放熱性が向上するた
め、最適である。
【００４６】このＩＣ搭載部は、バンプ２０７により、
リード２０１とＩＣチップ２０３が接続されるため、電
気的なロスが少ない高性能の半導体装置を提供するのに
適している。
【００４７】図１３は、図１乃至図３の半導体装置のＩ
Ｃ搭載部の第４実施例を示すものである。図１４は、図
１３のＦ２−Ｆ２線に沿う断面図である。このＩＣ搭載
部の構成について説明する。
【００４８】バンプ２０７は、ＩＣチップ２０３上に形
成されている。リード２０１の他端は、回路基板２０８
により、ＩＣチップのバンプ２０７に接続されている。
樹脂２０５は、リードの他端部、ＩＣチップ２０３及び
回路基板２０８を覆っている。但し、ＩＣチップ２０３
の裏面（バンプ２０７が搭載される面に対して反対側の
面）は、樹脂２０５から露出している。
【００４９】リード２０１の２つの面のうち多層回路基
板の電極に接続される面Ｓは、バンプ２０７が接続され
る面に対して反対側の面とすると、放熱性が向上するた
め、最適である。
【００５０】このＩＣ搭載部は、バンプ２０７により、
リード２０１とＩＣチップ２０３が接続されるため、電
気的なロスが少ない高性能の半導体装置を提供するのに
適している。
【００５１】図１５乃至図１７は、本発明の第２実施例
に係わる樹脂封止型半導体装置を示している。図１５
は、本発明の第２実施例に係わる半導体装置の上面図、
図１６は、本発明の第２実施例に係わる半導体装置の下
面図、図１７は、図１６のＧ２−Ｇ２線に沿う断面図で
ある。
【００５２】まず、この半導体装置の構成について説明
する。多層回路基板２１０の中央部には、穴が設けられ
ている。電極２２０は、多層回路基板２１０の一面側に
おいて、穴の周辺部にのみ形成されている。電極２４０
は、多層回路基板２１０の他面側の全体に形成されてい
る。
【００５３】配線２３０は、多層回路基板２１０の一面
側の電極２２０と多層回路基板２１０の他面側の電極２
４０とを接続する。ピン（外部端子）２５０は、電極２
４０上に搭載されている。
【００５４】一方、ＩＣ搭載部は、多層回路基板２１０
の穴上に配置されている。ＩＣ搭載部は、樹脂封止部２
００と、樹脂封止部２００から突出したリード２０１と
を有している。
【００５５】ＩＣチップは、樹脂封止部２００内に搭載
されている。ＩＣ搭載部のリード２０１の一端は、多層
回路基板２１０の一面側の電極２２０に接続されてい
る。樹脂封止部２００は、半導体装置の上面から見た場
合に、多層回路基板１１０の穴の大きさよりも小さくな
るように構成される。但し、リード２０１は、できるだ
け短い方がよいため、樹脂封止部２００は、できるだけ
穴の大きさに近づけるのが最適である。
【００５６】リード２０１は、樹脂封止部２００から一
直線状に伸びていても、数箇所で折り曲げられていても
よい。但し、製造工程を簡略化し、半導体装置の低価格
化を達成するためには、リード２０１は、樹脂封止部２
００から一直線状に伸びているのが最適である。
【００５７】そして、樹脂２６０は、リード２０１と電
極２２０の接続部を含む多層回路基板２１０の一面側の
ほぼ全体を覆うように形成されている。上記構成の半導
体装置において、ＩＣチップは、ＩＣ搭載部の樹脂封止
部２００内に搭載され、かつ、ＩＣ搭載部と多層回路基
板は、それぞれ独立に形成することができる。
【００５８】即ち、多層回路基板と樹脂とが接触するこ
とがないため、水分が、多層回路基板と樹脂の界面から
ＩＣチップへ直接到達するということもない。また、Ｉ
Ｃ搭載部のみを見れば、このＩＣ搭載部は、従来のいわ
ゆるプラスチックパッケージとほぼ同じ構造を有してい
る。
【００５９】従って、水分を吸収し難い耐湿性に優れた
半導体装置を提供でき、半導体装置の信頼性を向上させ
ることができる。また、半導体装置全体として見た場合
に、半導体装置の反りを防止することができる。
【００６０】また、ＩＣ搭載部をリードフレームから構
成すれば、高周波（数ＧＨｚ）で動作する集積回路を有
する半導体装置にすることも可能である。また、ＩＣ搭
載部は、従来のプラスチックパッケージとほぼ同じ構造
を有しており、簡易に製造できるため、半導体装置の低
価格化にも貢献できる。
【００６１】さらに、樹脂２６０により多層回路基板２
１０の一面側のほぼ全体を覆っているため、多層回路基
板の配線を保護できると共に、放熱性がさらに向上す
る。図１８乃至図２０は、本発明の第３実施例に係わる
樹脂封止型半導体装置を示している。図１８は、本発明
の第３実施例に係わる半導体装置の上面図、図１９は、
本発明の第３実施例に係わる半導体装置の下面図、図２
０は、図１９のＨ２−Ｈ２線に沿う断面図である。
【００６２】まず、この半導体装置の構成について説明
する。多層回路基板２１０の中央部には、穴が設けられ
ている。電極２２０は、多層回路基板２１０の一面側に
おいて、穴の周辺部にのみ形成されている。電極２４０
は、多層回路基板２１０の他面側の全体に形成されてい
る。
【００６３】配線２３０は、多層回路基板２１０の一面
側の電極２２０と多層回路基板２１０の他面側の半田ボ
ール２７０とを接続する。一方、ＩＣ搭載部は、多層回
路基板２１０の穴上に配置されている。ＩＣ搭載部は、
樹脂封止部２００と、樹脂封止部２００から突出したリ
ード２０１とを有している。
【００６４】ＩＣチップは、樹脂封止部２００内に搭載
されている。ＩＣ搭載部のリード２０１の一端は、多層
回路基板２１０の一面側の電極２２０に接続されてい
る。樹脂封止部２００は、半導体装置の上面から見た場
合に、多層回路基板１１０の穴の大きさよりも小さくな
るように構成される。但し、リード２０１は、できるだ
け短い方がよいため、樹脂封止部２００は、できるだけ
穴の大きさに近づけるのが最適である。
【００６５】リード２０１は、樹脂封止部２００から一
直線状に伸びていても、数箇所で折り曲げられていても
よい。但し、製造工程を簡略化し、半導体装置の低価格
化を達成するためには、リード２０１は、樹脂封止部２
００から一直線状に伸びているのが最適である。
【００６６】そして、樹脂２６０は、リード２０１と電
極２２０の接続部を含む多層回路基板２１０の一面側の
ほぼ全体を覆うように形成されている。上記構成の半導
体装置において、ＩＣチップは、ＩＣ搭載部の樹脂封止
部２００内に搭載され、かつ、ＩＣ搭載部と多層回路基
板は、それぞれ独立に形成することができる。
【００６７】即ち、多層回路基板と樹脂とが接触するこ
とがないため、水分が、多層回路基板と樹脂の界面から
ＩＣチップへ直接到達するということもない。また、Ｉ
Ｃ搭載部のみを見れば、このＩＣ搭載部は、従来のいわ
ゆるプラスチックパッケージとほぼ同じ構造を有してい
る。
【００６８】従って、水分を吸収し難い耐湿性に優れた
半導体装置を提供でき、半導体装置の信頼性を向上させ
ることができる。また、半導体装置全体として見た場合
に、半導体装置の反りを防止することができる。
【００６９】また、ＩＣ搭載部をリードフレームから構
成すれば、高周波（数ＧＨｚ）で動作する集積回路を有
する半導体装置にすることも可能である。また、ＩＣ搭
載部は、従来のプラスチックパッケージとほぼ同じ構造
を有しており、簡易に製造できるため、半導体装置の低
価格化にも貢献できる。
【００７０】また、樹脂２６０により多層回路基板２１
０の一面側のほぼ全体を覆っているため、多層回路基板
の配線を保護できると共に、放熱性がさらに向上する。
さらに、半田ボール２７０を用いているため、半導体装
置の薄型化に貢献できる。しかも、ＩＣ搭載部の厚さ
は、多層回路基板２１０の厚さよりも薄いため、ＩＣ搭
載部が半田ボール２７０よりも下の位置にくることがな
い。
【００７１】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の樹脂封
止型半導体装置によれば、次のような効果を奏する。Ｉ
Ｃ搭載部と多層回路基板から構成され、ＩＣチップは、
ＩＣ搭載部の樹脂封止部内に搭載され、かつ、ＩＣ搭載
部と多層回路基板は、それぞれ独立に形成される。即
ち、多層回路基板と樹脂とが接触することがないため、
水分が、多層回路基板と樹脂の界面からＩＣチップへ直
接到達するということもない。また、ＩＣ搭載部のみを
見れば、このＩＣ搭載部は、プラスチックパッケージと
ほぼ同じ構造を有している。
【００７２】従って、水分を吸収し難い耐湿性に優れた
半導体装置を提供でき、半導体装置の信頼性を向上させ
ることができる。また、半導体装置全体として見た場合
に、半導体装置の反りを防止することができる。
【００７３】また、ＩＣ搭載部をリードフレームから構
成すれば、高周波（数ＧＨｚ）で動作する集積回路を有
する半導体装置にすることも可能である。また、ＩＣ搭
載部は、従来のプラスチックパッケージとほぼ同じ構造
を有しており、簡易に製造できるため、半導体装置の低
価格化にも貢献できる。
【００７４】また、樹脂により多層回路基板の一面側の
ほぼ全体を覆えば、多層回路基板の配線を保護できると
共に、放熱性をさらに向上させることができる。さら
に、多層回路基板の外部端子に半田ボールを用いること
により、半導体装置の薄型化に貢献できる。しかも、Ｉ
Ｃ搭載部の厚さは、多層回路基板の厚さよりも薄いた
め、ＩＣ搭載部が半田ボールよりも下の位置にくること
がない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に係わる半導体装置を示す
上面図。
【図２】本発明の第１実施例に係わる半導体装置を示す
下面図。
【図３】図２のＡ２−Ａ２線に沿う断面図。
【図４】図１乃至図３の半導体装置の多層回路基板を示
す上面図。
【図５】図１乃至図３の半導体装置のＩＣ搭載部を示す
上面図。
【図６】図５のＢ２−Ｂ２線に沿う断面図。
【図７】図１乃至図３の半導体装置のＩＣ搭載部の第１
実施例を示す上面図。
【図８】図７のＣ２−Ｃ２線に沿う断面図。
【図９】図１乃至図３の半導体装置のＩＣ搭載部の第２
実施例を示す上面図。
【図１０】図９のＤ２−Ｄ２線に沿う断面図。
【図１１】図１乃至図３の半導体装置のＩＣ搭載部の第
３実施例を示す上面図。
【図１２】図１１のＥ２−Ｅ２線に沿う断面図。
【図１３】図１乃至図３の半導体装置のＩＣ搭載部の第
４実施例を示す上面図。
【図１４】図１３のＦ２−Ｆ２線に沿う断面図。
【図１５】本発明の第２実施例に係わる半導体装置を示
す上面図。
【図１６】本発明の第２実施例に係わる半導体装置を示
す下面図。
【図１７】図１６のＧ２−Ｇ２線に沿う断面図。
【図１８】本発明の第３実施例に係わる半導体装置を示
す上面図。
【図１９】本発明の第３実施例に係わる半導体装置を示
す下面図。
【図２０】図１９のＨ２−Ｈ２線に沿う断面図。
【図２１】第１従来例に係わる半導体装置を示す上面
図。
【図２２】第１従来例に係わる半導体装置を示す下面
図。
【図２３】図２２のＡ１−Ａ１線に沿う断面図。
【図２４】第２従来例に係わる半導体装置を示す上面
図。
【図２５】第２従来例に係わる半導体装置を示す下面
図。
【図２６】図２５のＢ１−Ｂ１線に沿う断面図。
【図２７】図２１乃至図２３の半導体装置の吸湿性につ
いて示す図。
【図２８】図２４乃至図２６の半導体装置の吸湿性につ
いて示す図。
【符号の説明】
１００，２０３ …ＩＣチップ、 １１０，２１０ …多層回路基板、 １２０ …放熱板、 １３０，２３０ …配線、 １４０，２０４ …ボンディングワイ
ヤ、 １５０，１７０，２４０，２０６ …接着剤、 １６０，１６０ａ，１６０ｂ，２０５，２６０ …樹
脂、 １８０，２５０ …ピン（外部端
子）、 １９０，２７０ …半田ボール（外部
端子）、 ２００ …樹脂封止部、 ２０１ …リード、 ２０２ …ベッド、 ２０７ …バンプ、 ２０８ …回路基板、 ２２０ …電極。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 回路基板とＩＣ搭載部から構成され、 前記回路基板は、その中央部に形成される穴と、前記回
    路基板の一面側の前記穴の周辺部に形成される電極と、
    前記電極に接続され前記回路基板の他面側に形成される
    外部端子とを有し、 前記ＩＣ搭載部は、ＩＣチップと、前記ＩＣチップを覆
    う樹脂と、前記ＩＣチップに接続され前記樹脂から突出
    するリードとを有し、 前記ＩＣ搭載部は、前記回路基板の穴上に配置され、か
    つ、前記回路基板の電極と前記ＩＣ搭載部のリードは、
    互いに接続されていることを特徴とする樹脂封止型半導
    体装置。
  2. 【請求項２】 前記回路基板の穴上から見た場合に、前
    記ＩＣ搭載部の樹脂は、前記回路基板の穴の大きさより
    も小さく、かつ、前記ＩＣ搭載部の樹脂から突出する部
    分のリードの長さは、できるだけ短くなるように設定さ
    れていることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型
    半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記リードは、前記ＩＣ搭載部の樹脂か
    ら直線状に突出していることを特徴とする請求項２に記
    載の樹脂封止型半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記ＩＣ搭載部の樹脂は、前記回路基板
    に接触していないことを特徴とする請求項１に記載の樹
    脂封止型半導体装置。
  5. 【請求項５】 前記回路基板の電極と前記ＩＣ搭載部の
    リードの接続点を含む前記回路基板の一面側を覆う樹脂
    をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の樹脂
    封止型半導体装置。
  6. 【請求項６】 前記ＩＣ搭載部は、一面側に前記ＩＣチ
    ップを搭載するための板状のベッドをさらに備え、前記
    ベッドの他面側は、前記樹脂から露出していることを特
    徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
  7. 【請求項７】 前記外部端子は、ピン又は半田ボールで
    あることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導
    体装置。
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