JPH08222405A - Chip-type electronic component and its manufacture - Google Patents
Chip-type electronic component and its manufactureInfo
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- JPH08222405A JPH08222405A JP7046404A JP4640495A JPH08222405A JP H08222405 A JPH08222405 A JP H08222405A JP 7046404 A JP7046404 A JP 7046404A JP 4640495 A JP4640495 A JP 4640495A JP H08222405 A JPH08222405 A JP H08222405A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、絶縁基板上に抵抗体
やその他の電子素子を設けて表面実装型電子部品を形成
したチップ状電子部品とその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip-shaped electronic component in which a resistor or other electronic element is provided on an insulating substrate to form a surface-mounted electronic component, and a method for manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の表面実装型の電子部品は、回路基
板表面に、フローハンダ付け又はリフローハンダ付け法
によりハンダ付けされるものであり、チップ抵抗器の基
板は、これらハンダ付け時の熱に耐え得るものである必
要があった。従って、例えば本願出願人による特公平5
−53281号公報に開示されているチップ抵抗器のよ
うに、薄い平板状のセラミックス製基板の表面に、多数
の電極を印刷形成し、これらの電極間に複数の抵抗体を
印刷形成し、このれを分割してなるものであった。2. Description of the Related Art Conventional surface mount type electronic components are soldered to the surface of a circuit board by a flow soldering method or a reflow soldering method. Had to be able to withstand. Therefore, for example, Japanese Patent Publication No.
Like the chip resistor disclosed in Japanese Patent No. 53281, a large number of electrodes are printed on the surface of a thin plate-shaped ceramic substrate, and a plurality of resistors are printed between these electrodes. It was made by dividing it.
【0003】また、特開昭62−9601号公報に開示
されているように、ポリイミド樹脂等のフィルム上に、
銅箔または導電性塗料により電極を形成し、抵抗体ペー
ストをこの電極間に印刷したり蒸着やスパッタリングに
より金属薄膜抵抗体を形成して、チップ抵抗器を形成し
たものも提案されている。Further, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 62-9601, a film made of a polyimide resin or the like is
It is also proposed that electrodes are formed of copper foil or conductive paint, a resistor paste is printed between the electrodes, or a metal thin film resistor is formed by vapor deposition or sputtering to form a chip resistor.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の前者
場合、回路基板に取り付けられるチップ抵抗器は、大き
なセラミック基板を分割してここのチップ抵抗器を形成
するものであり、その分割性や、強度、及び取扱性等か
ら、今日用いられている1×0.5mm程度の外形が小
型化の限界であり、同様に薄型化もセラミック基板の強
度等からあまり薄くできないものであった。従って、こ
のチップ上電子部品が実装される回路基板や混成集積回
路の小型化の妨げになっていた。In the former case of the above-mentioned prior art, the chip resistor mounted on the circuit board is formed by dividing a large ceramic substrate to form the chip resistor here. In terms of strength, handleability, etc., the outer shape of about 1 × 0.5 mm used today is the limit of downsizing, and similarly, thinning cannot be made too thin due to the strength of the ceramic substrate. Therefore, this has hindered the miniaturization of the circuit board and the hybrid integrated circuit on which the electronic components on the chip are mounted.
【0005】また、上記従来の技術の後者の場合、薄い
フィルム上に導電性塗料や抵抗体ペーストを印刷して乾
燥させるので、乾燥により、印刷された抵抗体等が収縮
し、抵抗体側が凹になるように大きく湾曲し、さらに不
均一な反り等の歪を生じさせ、回路基板上に安定して載
置し、ハンダ付けすることができないという問題があっ
た。さらに、真空蒸着や、スパッタリングは、比較的高
温中で行われるので、樹脂フィルム表面に薄膜形成後、
室温に戻すと、金属薄膜と樹脂フィルムとの熱膨張係数
の差により、反りが生じてしまうという問題がある。In the latter case of the above-mentioned prior art, since a conductive paint or a resistor paste is printed on a thin film and dried, the printed resistor or the like contracts due to the drying, and the resistor side is depressed. However, there is a problem in that it is not possible to mount it stably on a circuit board and solder it, because it is greatly curved so that it becomes uneven, and distortion such as non-uniform warpage occurs. Furthermore, since vacuum deposition and sputtering are performed at a relatively high temperature, after forming a thin film on the resin film surface,
When returned to room temperature, there is a problem that warpage occurs due to the difference in thermal expansion coefficient between the metal thin film and the resin film.
【0006】この発明は、上記従来の技術に鑑みて成さ
れたもので、表面実装型電子部品の薄型化が容易であ
り、安定した品質で、製造も容易なチップ状電子部品と
その製造方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned prior art, and it is easy to reduce the thickness of the surface mount type electronic component, has stable quality, and is easy to manufacture, and a method of manufacturing the same. The purpose is to provide.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】この発明は、絶縁性の樹
脂フィルム上の端部に金等の金属微粒子が堆積した薄膜
からなる電極を少なくとも一対形成し、この電極間に、
電子素子として、抵抗体である金属薄膜抵抗体や、金属
薄膜の電極間にチタン酸バリウム等の誘電体薄膜を形成
したコンデンサが設けられたチップ状電子部品である。According to the present invention, at least one pair of electrodes made of a thin film in which fine metal particles such as gold are deposited is formed on an end portion of an insulating resin film, and between the electrodes,
The electronic element is a chip-shaped electronic component provided with a metal thin film resistor which is a resistor, and a capacitor having a dielectric thin film such as barium titanate formed between electrodes of the metal thin film.
【0008】さらに、この発明は、絶縁性の樹脂フィル
ム表面には、セラミックス薄膜を介して、上記電極や電
子素子が形成されているものである。また、上記電極
は、上記樹脂フィルムの表裏に形成され、この表裏の電
極間を貫通し電気的に接続したスルーホールが形成され
ているものである。また、上記電極は、上記樹脂フィル
ムの表裏に形成され、この表裏の電極間を上記樹脂フィ
ルムの端面に上記表裏の電極と同様に形成された端面電
極により、電気的に接続しているものである。さらに、
上記セラミックス薄膜、電極、電子素子は、ガスデポジ
ション法により、各々その構成成分の微粒子が緊密に堆
積してなるものである。Further, according to the present invention, the above electrodes and electronic elements are formed on the surface of an insulating resin film via a ceramic thin film. The electrodes are formed on the front and back surfaces of the resin film, and through-holes are formed so as to penetrate between the electrodes on the front and back surfaces and be electrically connected. Further, the electrodes are formed on the front and back of the resin film, and the front and back electrodes are electrically connected to each other by end face electrodes formed on the end faces of the resin film in the same manner as the front and back electrodes. is there. further,
The ceramic thin film, the electrode, and the electronic element are each formed by densely depositing fine particles of the constituent components by the gas deposition method.
【0009】またこの発明は、絶縁性の樹脂フィルム上
の端部に、ほぼ常温の真空中で金、銀、銅、パラジウム
等の金属微粒子をガスデポジション法により吹き付けて
緊密に堆積させ、複数の電極を形成するとともに、その
前又は後に、この電極間に接続した電子素子である抵抗
体やコンデンサを、ほぼ常温の真空中でその抵抗体金属
微粒子やコンデンサを形成する電極と誘電体の各微粒子
をガスデポジション法により所定位置に吹き付けて緊密
に堆積させ、この後、個々に分割するチップ状電子部品
の製造方法である。Further, according to the present invention, fine particles of metal such as gold, silver, copper, and palladium are sprayed on the end portion of the insulating resin film in vacuum at a room temperature by a gas deposition method to closely deposit the fine particles. A resistor or a capacitor, which is an electronic element connected between the electrodes before and after the formation of the electrodes, is formed in a vacuum at about room temperature. This is a method of manufacturing a chip-shaped electronic component in which fine particles are sprayed at a predetermined position by a gas deposition method to be closely deposited, and then divided individually.
【0010】上記フィルム上の電極や電子素子は、上記
フィルム上に、ほぼ常温の真空中でエアロゾルガスデポ
ジション法により、セラミックス微粒子を吹き付けて緊
密に堆積させた後、その上に蒸発方式ガスデポジション
法により形成したものである。また微粒子が堆積される
樹脂フィルムの温度は、ほぼ常温からフィルムに悪影響
を与えない程度の温度に上昇させても良い。例えば20
0〜300℃に昇温すると、体積微粒子の密着力が向上
する。The electrodes and electronic elements on the film are formed by spraying ceramic fine particles onto the film in a vacuum at about room temperature by an aerosol gas deposition method to closely deposit them, and then evaporating the gas on the film. It is formed by the position method. Further, the temperature of the resin film on which the fine particles are deposited may be raised from about room temperature to a temperature at which the film is not adversely affected. Eg 20
When the temperature is raised to 0 to 300 ° C., the adhesion of the volume fine particles is improved.
【0011】[0011]
【作用】この発明のチップ状電子部品は、絶縁性基板を
樹脂フィルムにより形成し、その表面の電極及び電子素
子を、ガスデポジション法による薄膜で形成したので、
きわめて薄い形状にすることができる。また、このチッ
プ状電子部品の製造工程上、数百℃以上の高温にさらさ
れる部分がなく、樹脂フィルムの基板等が製造後、反っ
たり亀裂が生じたりすることがない。In the chip-shaped electronic component of the present invention, the insulating substrate is formed of a resin film, and the electrodes and electronic elements on the surface are formed of a thin film by the gas deposition method.
It can be made extremely thin. In addition, in the manufacturing process of this chip-shaped electronic component, there is no portion exposed to high temperatures of several hundreds of degrees Celsius or more, so that a resin film substrate or the like does not warp or crack after being manufactured.
【0012】[0012]
【実施例】以下この発明の実施例について図面に基づい
て説明する。図1、図2はこの発明の第一実施例を示す
もので、この実施例のチップ状電子部品であるチップ抵
抗器10は、例えば厚さ30μm程度の絶縁性の樹脂フ
ィルム基板12の表面側に、例えば10μm程度の厚さ
でセラミックス薄膜14が形成され、セラミックス薄膜
14の表面の両端部には、一対の電極16が設けられ、
同様に裏面側にも一対の電極17が形成されている。樹
脂フィルム基板12は、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、BT樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂、ポリエ
ステル樹脂、フッ素樹脂、ポリブタジエン樹脂や、液晶
ポリエステル樹脂、液晶ポリアミド樹脂等であり、セラ
ミックス薄膜14は、アルミナやムライト等のセラミッ
クスである。電極16,17は、例えば20μm程度の
厚さのAu薄膜である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 and 2 show a first embodiment of the present invention. A chip resistor 10 which is a chip-shaped electronic component of this embodiment has a surface side of an insulating resin film substrate 12 having a thickness of, for example, about 30 μm. , A ceramic thin film 14 having a thickness of, for example, about 10 μm is formed, and a pair of electrodes 16 are provided on both ends of the surface of the ceramic thin film 14.
Similarly, a pair of electrodes 17 is also formed on the back surface side. The resin film substrate 12 is an epoxy resin, a phenol resin, a BT resin, a polyimide resin, a silicon resin, a polyester resin, a fluororesin, a polybutadiene resin, a liquid crystal polyester resin, a liquid crystal polyamide resin, or the like, and the ceramic thin film 14 is alumina or mullite. And other ceramics. The electrodes 16 and 17 are, for example, Au thin films having a thickness of about 20 μm.
【0013】また、樹脂フィルム基板12の表面側の一
対の電極16間には、電子素子として、Ni−Cr系、
又はTa系の金属薄膜の抵抗体18が形成されている。
さらに、この抵抗体18の表面は、エポキシ系樹脂等の
オーバーコート19により覆われている。また、電極1
6,17間には、スルーホール20が形成されている。
スルーホール20は、表裏の電極16,17を電気的に
接続するもので、内部に、銀塗料等の導電性ペースト2
1が充填されている。In addition, between the pair of electrodes 16 on the front surface side of the resin film substrate 12, as an electronic element, a Ni--Cr system,
Alternatively, the Ta-based metal thin film resistor 18 is formed.
Further, the surface of the resistor 18 is covered with an overcoat 19 made of epoxy resin or the like. Also, the electrode 1
A through hole 20 is formed between 6 and 17.
The through hole 20 is for electrically connecting the electrodes 16 and 17 on the front and back sides, and has a conductive paste 2 such as silver paint inside.
1 is filled.
【0014】次にこの実施例のチップ状電子部品の製造
方法について説明する。この実施例のチップ抵抗器10
は、先ず、大型の樹脂フィルム基板12の表面にセラミ
ックス薄膜14を形成する。形成方法は、エアロゾルガ
スデポジション法によるもので、ほぼ常温の真空中で、
セラミックス薄膜14の成分であるセラミックスの微粒
子を、ノズルから表面に吹き付け、緊密に堆積させるも
のである。セラミックスの微粒子は、1μm以下の微粒
子の粉体を使用し、堆積厚は、例えば10μm程度の薄
いものにする。この後、表裏の所定個所に、多数の電極
16,17を形成する。この形成方法は、蒸発方式ガス
デポジション法によるもので、ほぼ常温の真空中で、A
u微粒子を、ノズルから基板表面に吹き付け、緊密に例
えば20μm程度の厚さに堆積させるものである。蒸発
方式ガスデポジション法は、数気圧に加圧されたヘリウ
ムガス中で、蒸発された原子が、ヘリウムガスと衝突し
冷却されて超微粒子を形成し、この長微粒子を、搬送管
を介してほぼ真空の生成室に導き、ノズルから基板表面
に噴射させ堆積させるものである。このときの基板12
の温度は、ほぼ常温であるが、基板12に影響のない範
囲で200〜300℃に昇温しても良く、これにより堆
積した金属微粒子の密着力が増す。Next, a method of manufacturing the chip-shaped electronic component of this embodiment will be described. The chip resistor 10 of this embodiment
First, the ceramic thin film 14 is formed on the surface of the large-sized resin film substrate 12. The formation method is based on the aerosol gas deposition method, in a vacuum at about room temperature,
Fine particles of ceramics, which is a component of the ceramic thin film 14, are sprayed from the nozzle onto the surface and are closely deposited. As fine particles of ceramics, fine particles of 1 μm or less are used, and the deposition thickness is thin, for example, about 10 μm. After that, a large number of electrodes 16 and 17 are formed at predetermined locations on the front and back. This formation method is based on the vaporization gas deposition method.
The u fine particles are sprayed from the nozzle onto the surface of the substrate and are tightly deposited to a thickness of, for example, about 20 μm. Evaporation method Gas deposition method, in helium gas pressurized to several atmospheres, vaporized atoms collide with helium gas and are cooled to form ultrafine particles, and these long fine particles are passed through a carrier pipe. It is introduced into a substantially vacuum generation chamber and is sprayed from the nozzle onto the surface of the substrate to deposit it. Substrate 12 at this time
Although the temperature is about room temperature, it may be raised to 200 to 300 ° C. within a range that does not affect the substrate 12, thereby increasing the adhesion of the deposited metal fine particles.
【0015】さらに、大型の樹脂フィルム基板12の表
面側の各電極16間に、Ni−Cr系、又はTa系金属
薄膜抵抗体材料の微粒子を、上記と同様にほぼ常温の真
空中で蒸発方式ガスデポジション法により吹き付け、緊
密に堆積させて、抵抗体18を形成する。その厚さも、
例えば十数μm程度である。そして、この抵抗体18の
表面にオーバーコート19を印刷等により形成する。ま
た、電極16,17間を導通させるために、先ずパンチ
ングにより、透孔を形成し、この透孔に導電性ペースト
21を充填して、スルーホール20を形成する。この
後、大きな樹脂フィルム基板12を、個々のチップ抵抗
器10が1列に並んだテープ状に切断し、搬送等のため
に所定の収納個所に収納する。そして、実装に際して、
自動機等により、個々のチップ抵抗器10に切断して、
回路基板上に表面実装される。Further, between the electrodes 16 on the front surface side of the large-sized resin film substrate 12, fine particles of a Ni-Cr-based or Ta-based metal thin film resistor material are vaporized in a vacuum at about room temperature as described above. It is sprayed by the gas deposition method and is closely deposited to form the resistor 18. Its thickness
For example, it is about ten and several μm. Then, an overcoat 19 is formed on the surface of the resistor 18 by printing or the like. Further, in order to electrically connect the electrodes 16 and 17, a through hole is first formed by punching, and the through hole is filled with a conductive paste 21 to form a through hole 20. After that, the large resin film substrate 12 is cut into a tape shape in which the individual chip resistors 10 are arranged in a line, and is stored in a predetermined storage location for transportation and the like. And when mounting
Cut into individual chip resistors 10 with an automatic machine,
Surface-mounted on a circuit board.
【0016】実装に際しては、図示しない回路基板上に
エポキシ樹脂やシリコン樹脂等の接着剤により仮止め
し、回路基板上の銅箔電極とハンダ付け、または導電性
樹脂塗料により接続する。このチップ抵抗器10は、例
えば100μm程度以下の厚さに適宜設定されて製造さ
れ、100μm以下であれば、回路基板上の銅箔電極の
厚さと大差なく、導電性樹脂塗料の印刷により確実に電
気的接続及び固定が可能である。At the time of mounting, a circuit board (not shown) is temporarily fixed with an adhesive such as an epoxy resin or a silicone resin, and is soldered to a copper foil electrode on the circuit board or is connected with a conductive resin coating. The chip resistor 10 is manufactured, for example, by appropriately setting the thickness to about 100 μm or less. If the chip resistor 10 is 100 μm or less, the thickness is not much different from the thickness of the copper foil electrode on the circuit board, and it is surely printed by the conductive resin paint. It can be electrically connected and fixed.
【0017】この実施例のチップ抵抗器10によれば、
きわめて薄いチップ抵抗器10を形成することができ
る。しかも樹脂フィルム基板12にセラミックス薄膜1
4が形成されているので、熱伝導性が良く、小型のチッ
プ抵抗器でも、高出力の電子機器にも使用可能なもので
ある。また、電極16や抵抗体18を真空蒸着やスパッ
タリングより短時間で比較的厚い層に形成可能であり、
製造効率が良い。さらに、樹脂フィルム基板12に金属
等の微粒子を吹き付けて電極12や、抵抗体18等を形
成するので、樹脂フィルム基板12や、その他の前工程
で形成された部分が後工程の熱的影響を受けることがな
く、製造後の製品に反り等のひずみが生じることがない
ものである。なお、セラミックス薄膜14は、樹脂フィ
ルム基板12の表裏面に形成しても良いものである。According to the chip resistor 10 of this embodiment,
A very thin chip resistor 10 can be formed. Moreover, the ceramic thin film 1 is formed on the resin film substrate 12.
Since No. 4 is formed, it has good thermal conductivity and can be used for small chip resistors and high-power electronic devices. Further, the electrode 16 and the resistor 18 can be formed in a relatively thick layer in a shorter time than vacuum deposition or sputtering.
Good manufacturing efficiency. Furthermore, since fine particles such as metal are sprayed onto the resin film substrate 12 to form the electrodes 12, the resistor 18, and the like, the resin film substrate 12 and other portions formed in the previous process have a thermal effect in the subsequent process. It is not subject to distortion, and distortion such as warpage does not occur in the manufactured product. The ceramic thin film 14 may be formed on the front and back surfaces of the resin film substrate 12.
【0018】次にこの発明の第二実施例のチップ状電子
部品について図3を基にして説明する。ここで上述の実
施例と同様の部材は同一符号を付して説明を省略する。
この実施例のチップ状電子部品もチップ抵抗器10につ
いてのもので、大型の樹脂フィルム基板12の表面一面
に、先ず、上記実施例と同様にセラミックス薄膜14が
形成され、さらに、このセラミックス薄膜14の表面一
面に、上記実施例と同様の方法により、抵抗体18の薄
膜が形成されたものである。そして、この抵抗体18の
表裏面の所定個所に、多数対の電極16,17が形成さ
れ、この電極16間にオーバーコート19が形成されて
いる。そして、電極16,17間にスルーホール20が
形成され、個々のチップ抵抗器10毎に分割されて回路
基板に表面実装されるものである。Next, a chip-shaped electronic component according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, the same members as those in the above-described embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
The chip-shaped electronic component of this embodiment is also for the chip resistor 10. First, a ceramic thin film 14 is formed on the entire surface of a large-sized resin film substrate 12 in the same manner as in the above-mentioned embodiment, and the ceramic thin film 14 is further formed. The thin film of the resistor 18 is formed on the entire surface of the above by the same method as in the above embodiment. Then, a large number of pairs of electrodes 16 and 17 are formed at predetermined locations on the front and back surfaces of the resistor 18, and an overcoat 19 is formed between the electrodes 16. Then, a through hole 20 is formed between the electrodes 16 and 17, divided into individual chip resistors 10 and surface-mounted on the circuit board.
【0019】この実施例のチップ状電子部品は、抵抗体
18が一面に形成された上に、電極16が形成されてい
るので、電極16の角部で、抵抗体18にクラックが生
じたりすることがなく、表面が扁平なものであり、きわ
めて薄くすることが可能であり、回路基板への実装も容
易であり、このチップ抵抗器10の上にさらに他の電子
素子を取り付けることもでき、電子機器の小型化に大き
く寄与するものである。In the chip-shaped electronic component of this embodiment, the resistor 18 is formed on one surface, and the electrode 16 is formed on it. Therefore, cracks may occur in the resistor 18 at the corners of the electrode 16. , The surface is flat, it can be made extremely thin, it can be easily mounted on a circuit board, and other electronic elements can be mounted on the chip resistor 10. This greatly contributes to miniaturization of electronic devices.
【0020】次に、この発明の第三実施例のチップ状電
子部品について図4、図5を基にして説明する。ここで
上述の実施例と同様の部材は同一符号を付して説明を省
略する。この実施例のチップ状電子部品は、チップコン
デンサ30についてのもので、上記第一実施例と同様
に、大型の樹脂フィルム基板12の表面一面に、先ず、
セラミックス薄膜14が、その表面の所定個所に、一方
の電極26が、個々のチップコンデンサ30の大きさの
半分程度の広さに各々形成されている。そして、その表
面側の電極26の中央部が、チタン酸バリウムや、スチ
レン等の高誘電率樹脂の誘電体層32で覆われている。
この誘電体層32の表面側には、電極26と中央部で重
なり合うように対面して、他方の側に延びた電極27が
形成されている。そして、この電極27の表面の中央部
も、オーバーコート19が施され、個々のチップコンデ
ンサ30として使用可能となる。そして、電極26,1
7及び電極27,17間にスルーホール20が形成さ
れ、個々のチップ抵抗器10毎に分割されて回路基板に
表面実装されるものである。Next, a chip-shaped electronic component according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Here, the same members as those in the above-described embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. The chip-shaped electronic component of this embodiment is for the chip capacitor 30, and as in the first embodiment, first, on the entire surface of the large resin film substrate 12, first,
The ceramic thin film 14 is provided with one electrode 26 at a predetermined position on the surface thereof in an area about half the size of each chip capacitor 30. Then, the central portion of the electrode 26 on the surface side is covered with a dielectric layer 32 of barium titanate or a high dielectric constant resin such as styrene.
An electrode 27 is formed on the surface side of the dielectric layer 32 so as to face the electrode 26 so as to overlap the central portion thereof and extend to the other side. The central portion of the surface of the electrode 27 is also overcoated 19 and can be used as an individual chip capacitor 30. And the electrodes 26, 1
A through hole 20 is formed between the semiconductor chip 7 and the electrodes 27 and 17, and each chip resistor 10 is divided and surface-mounted on the circuit board.
【0021】この実施例のチップコンデンサ30の、セ
ラミックス薄膜14、電極26,27は各々上記と同様
に、エアロゾルガスデポジション法、蒸発方式ガスデポ
ジション法により形成され、チタン酸バリウムの誘電体
層32も、エアロゾルガスデポジション法により、その
構成材料の微粒子が、ほぼ常温の真空中で所定位置に吹
き付けられ、所望の厚さに形成されているものである。
これにより、電極27の形成時に、誘電体層32等に熱
的に悪影響を与えることがなく歪みも生じさせないよう
にすることができる。しかも、きわめて薄いチップコン
デンサ30を形成することができる。The ceramic thin film 14 and the electrodes 26 and 27 of the chip capacitor 30 of this embodiment are formed by the aerosol gas deposition method and the evaporation gas deposition method, respectively, in the same manner as described above, and the dielectric layer of barium titanate is used. Also in 32, the fine particles of the constituent material are sprayed at a predetermined position in a vacuum at a room temperature by the aerosol gas deposition method to form a desired thickness.
As a result, when the electrode 27 is formed, it is possible to prevent the dielectric layer 32 and the like from being thermally adversely affected and to prevent distortion. Moreover, the extremely thin chip capacitor 30 can be formed.
【0022】次にこの発明の第四実施例のチップ状電子
部品について図6を基にして説明する。ここで上述の実
施例と同様の部材は同一符号を付して説明を省略する。
この実施例のチップ状電子部品も、チップコンデンサ3
0についてのもので、この実施例のチップコンデンサ3
0も、大型の樹脂フィルム基板12の表面に、大小の一
対の電極26,27を形成し、樹脂フィルム基板12の
表面と面一になるようにプレスする。このプレスは、樹
脂フィルム基板12が柔軟になる程度の温度で良い。そ
して、電極26の中央部に誘電体32を設ける。この
後、誘電体32を覆うようにし、電極27側に延びて接
続したAu等の導体層33を形成する。この導体層33
の形成も、ガスデポジション法により、Au微粒子を真
空中で吹き付けて形成する。そして、オーバーコート1
9が施され、個々のチップコンデンサ30として使用可
能となる。この後、電極26,17及び電極27,17
間にスルーホール20が形成され、個々のチップ抵抗器
10毎に分割されて回路基板に表面実装されるものであ
る。Next, a chip-shaped electronic component according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, the same members as those in the above-described embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
The chip-shaped electronic component of this embodiment also includes the chip capacitor 3
0, which is the chip capacitor 3 of this embodiment.
In No. 0, a pair of large and small electrodes 26 and 27 are formed on the surface of the large resin film substrate 12 and pressed so as to be flush with the surface of the resin film substrate 12. This press may be performed at a temperature at which the resin film substrate 12 becomes flexible. Then, the dielectric 32 is provided at the center of the electrode 26. After that, a conductor layer 33 of Au or the like is formed so as to cover the dielectric 32 and extend toward the electrode 27 side and be connected. This conductor layer 33
The formation is also performed by spraying Au fine particles in a vacuum by the gas deposition method. And overcoat 1
9 is applied, and the chip capacitors 30 can be used as individual chip capacitors 30. After this, the electrodes 26 and 17 and the electrodes 27 and 17
A through hole 20 is formed between them, and each chip resistor 10 is divided and surface-mounted on the circuit board.
【0023】この実施例のチップコンデンサ30の、電
極26,27、及びチタン酸バリウムの誘電体層32
も、上記と同様にガスデポジション法により、その構成
材料の微粒子が、常温の真空中で所定位置に吹き付けら
れ、所望の厚さに形成されているものである。これによ
り、電極27や導体層33の形成時に、誘電体層32等
に熱的に悪影響を与えることがなく歪みも生じさせない
ようにすることができる。しかも、上記第三実施例の場
合、誘電体層32が、電極26の角部に掛かり、この角
部で誘電体層32にクラックが生じやすいものである
が、そのような個所がなく、クラックの発生によるショ
ートがないものである。The electrodes 26 and 27 of the chip capacitor 30 of this embodiment and the dielectric layer 32 of barium titanate.
Also in the same manner as described above, fine particles of the constituent material are sprayed at a predetermined position in a vacuum at room temperature by the gas deposition method to have a desired thickness. Thereby, when the electrode 27 and the conductor layer 33 are formed, it is possible to prevent the dielectric layer 32 and the like from being thermally adversely affected and to prevent distortion. Moreover, in the case of the above-mentioned third embodiment, the dielectric layer 32 hangs on the corner portion of the electrode 26, and cracks are likely to occur in the dielectric layer 32 at this corner portion. There is no short circuit due to the occurrence of.
【0024】次にこの発明の第五実施例のチップ状電子
部品について図7、図8を基にして説明する。ここで上
述の実施例と同様の部材は同一符号を付して説明を省略
する。この実施例のチップ状電子部品は、抵抗体とコン
デンサが設けられたチップ状のCR複合チップ部品40
についてのもので、上記実施例と同様に、大型の樹脂フ
ィルム基板12の表裏面一面に、先ず、上記実施例と同
様の方法によりセラミックス薄膜14が形成され、さら
に、このセラミックス薄膜14の裏面一面に、抵抗体1
8の薄膜が形成されたものである。そして、このセラミ
ックス薄膜14と抵抗体18の表裏面の所定個所に、多
数対の電極17,26が各々形成され、この裏面側の電
極17間にオーバーコート19が形成されている。これ
らの形成方法は上記実施例と同様である。Next, a chip-shaped electronic component according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Here, the same members as those in the above-described embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. The chip-shaped electronic component of this embodiment is a chip-shaped CR composite chip component 40 provided with a resistor and a capacitor.
In the same manner as in the above embodiment, the ceramic thin film 14 is first formed on the front and back surfaces of the large-sized resin film substrate 12 by the same method as in the above embodiment. And resistor 1
8 is formed. Then, a large number of pairs of electrodes 17 and 26 are formed at predetermined locations on the front and back surfaces of the ceramic thin film 14 and the resistor 18, respectively, and an overcoat 19 is formed between the electrodes 17 on the back surface side. The method of forming these is similar to that of the above-mentioned embodiment.
【0025】さらに、樹脂フィルム基板12の表面の所
定個所に、一方の電極26が、個々のチップコンデンサ
30の大きさの半分程度の広さに各々形成されている。
そして、その表面側の電極26の中央部が、チタン酸バ
リウムや、スチレン等の誘電体層32で覆われている。
この誘電体層32の表面側には、電極26と中央部で重
なり合うように対面して、他方の側に延びた電極27が
形成されている。この誘電体層32も上記実施例と同様
に形成されるものである。そして、この電極27の表面
の中央部も、オーバーコート19が施され、個々のチッ
プコンデンサ30として使用可能となる。そして、電極
26,17及び電極27,17間にスルーホール20が
形成され、個々のチップ抵抗器10毎に分割されて回路
基板に表面実装されるものである。Further, one electrode 26 is formed at a predetermined position on the surface of the resin film substrate 12 so as to have an area about half the size of each chip capacitor 30.
The central portion of the electrode 26 on the surface side is covered with a dielectric layer 32 of barium titanate, styrene, or the like.
An electrode 27 is formed on the surface side of the dielectric layer 32 so as to face the electrode 26 so as to overlap the central portion thereof and extend to the other side. This dielectric layer 32 is also formed in the same manner as in the above embodiment. The central portion of the surface of the electrode 27 is also overcoated 19 and can be used as an individual chip capacitor 30. Then, a through hole 20 is formed between the electrodes 26 and 17 and the electrodes 27 and 17, and each chip resistor 10 is divided and surface-mounted on the circuit board.
【0026】この実施例のチップ状電子部品は、裏面側
に、比較的平な抵抗体形成部分が位置し、容易に表面実
装することができ、しかも、薄いチップに形成すること
ができるものである。In the chip-shaped electronic component of this embodiment, a relatively flat resistor forming portion is located on the back surface side, which can be easily surface-mounted and can be formed into a thin chip. is there.
【0027】次にこの発明の第六実施例のチップ状電子
部品について図9を基にして説明する。ここで上述の実
施例と同様の部材は同一符号を付して説明を省略する。
この実施例のチップ状電子部品も、ガスデポジション法
により抵抗体とコンデンサが設けられたチップ状のCR
複合チップ部品40についてのもので、上記第五実施例
の表面側に形成されたコンデンサ部分が、上記第四実施
例のコンデンサと同様に形成されたものである。そし
て、この実施例のチップ状電子部品は、より薄型化する
ことができるものである。Next, a chip-shaped electronic component according to a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, the same members as those in the above-described embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
The chip-shaped electronic component of this embodiment is also a chip-shaped CR provided with a resistor and a capacitor by the gas deposition method.
Regarding the composite chip part 40, the capacitor portion formed on the front surface side of the fifth embodiment is formed in the same manner as the capacitor of the fourth embodiment. The chip-shaped electronic component of this embodiment can be made thinner.
【0028】次にこの発明の第七実施例のチップ状電子
部品について図10、図11を基にして説明する。ここ
で上述の実施例と同様の部材は同一符号を付して説明を
省略する。この実施例のチップ状電子部品は、多連チッ
プ抵抗器50についてのもので、複数の抵抗体が、一つ
の樹脂フィルム基板12上に設けられたものである。抵
抗体18は、上記第一実施例または、第二実施例と同様
の方法により形成されている。また、この実施例では、
電極16,17間の端面にも端面電極51が、ガスデポ
ジション法により形成されている。Next, a chip-shaped electronic component according to a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Here, the same members as those in the above-described embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. The chip-shaped electronic component of this embodiment is for the multiple chip resistor 50, and a plurality of resistors are provided on one resin film substrate 12. The resistor 18 is formed by the same method as in the first embodiment or the second embodiment. Also, in this example,
An end face electrode 51 is also formed on the end face between the electrodes 16 and 17 by the gas deposition method.
【0029】この実施例の多連チップ抵抗器50によれ
ば、比較的長い基板にしても、樹脂フィルム基板12が
折れたり、クラックが入ったりすることがなく、より多
くの素子を有した多連チップにすることができる。な
お、ここに形成される電子素子は、抵抗体に限らず、多
連コンデンサや、CR複合体の多連素子にしても良い。
また端面に電極を形成することにより、スルーホールを
省略することができ、この端面電極により表裏の電極の
導通を図る構成は、上記の各実施例にも適用可能なもの
である。According to the multiple chip resistor 50 of this embodiment, even if the substrate is relatively long, the resin film substrate 12 is not broken or cracked, and the multiple chip resistor 50 having more elements is provided. It can be a continuous chip. The electronic elements formed here are not limited to resistors, and may be multiple capacitors or multiple elements of CR composites.
Further, by forming the electrodes on the end faces, the through holes can be omitted, and the structure for achieving conduction between the front and back electrodes by the end face electrodes can be applied to each of the above embodiments.
【0030】尚、この発明の樹脂フィルム基板の材質
は、上記以外の液晶ポリマ樹脂や、その他の樹脂を選択
しても良い。チップ状電子部品の各構成要素の厚みは、
適宜設定可能なものであり、抵抗体やコンデンサの各電
子素子は、適宜に材質を選択可能なものである。また電
極材料は金の他、銀、銅、パラジウム等適宜選択可能で
ある。また、フィルム基板の温度は、各構成要素の超微
粒子が吹き付けられるフィルム基板の温度は、常温か
ら、基板によっては、300℃程度に昇温してもよく、
数百℃以下の比較的低温であれば良い。The material of the resin film substrate of the present invention may be selected from liquid crystal polymer resins other than the above and other resins. The thickness of each component of the chip-shaped electronic component is
It can be set as appropriate, and the material of each electronic element such as the resistor and the capacitor can be appropriately selected. In addition to gold, silver, copper, palladium and the like can be appropriately selected as the electrode material. Further, the temperature of the film substrate, the temperature of the film substrate to which the ultrafine particles of each component are sprayed, may be raised from room temperature to about 300 ° C. depending on the substrate.
A relatively low temperature of several hundreds of degrees Celsius or less is sufficient.
【0031】[0031]
【発明の効果】この発明のチップ状電子部品とその製造
方法は、小型で薄いチップ状の電子部品を安価に大量に
製造することができるものである。また、樹脂フィルム
基板表面に、ほぼ常温から数百℃以下の比較的低温の、
真空中で吹き付けることにより、熱的悪影響なく、電極
や電子素子を形成することができ、良好な特性の素子を
形成することができるものである。The chip-shaped electronic component and the method for manufacturing the same according to the present invention are capable of mass-producing a small-sized and thin chip-shaped electronic component at low cost. In addition, on the surface of the resin film substrate, at a relatively low temperature from approximately room temperature to several hundreds of degrees Celsius,
By spraying in a vacuum, it is possible to form electrodes and electronic elements without thermal adverse effects, and it is possible to form elements having good characteristics.
【図1】この発明の第一実施例のチップ状電子部品の平
面図である。FIG. 1 is a plan view of a chip-shaped electronic component according to a first embodiment of the present invention.
【図2】この発明の第一実施例のチップ状電子部品の縦
断面図である。FIG. 2 is a vertical cross-sectional view of the chip-shaped electronic component of the first embodiment of the present invention.
【図3】この発明の第二実施例のチップ状電子部品の縦
断面図である。FIG. 3 is a vertical sectional view of a chip-shaped electronic component according to a second embodiment of the present invention.
【図4】この発明の第三実施例のチップ状電子部品の平
面図である。FIG. 4 is a plan view of a chip-shaped electronic component according to a third embodiment of the present invention.
【図5】この発明の第三実施例のチップ状電子部品の縦
断面図である。FIG. 5 is a vertical sectional view of a chip-shaped electronic component of a third embodiment of the present invention.
【図6】この発明の第四実施例のチップ状電子部品の縦
断面図である。FIG. 6 is a vertical sectional view of a chip-shaped electronic component according to a fourth embodiment of the present invention.
【図7】この発明の第五実施例のチップ状電子部品の平
面図である。FIG. 7 is a plan view of a chip-shaped electronic component of a fifth embodiment of the present invention.
【図8】この発明の第五実施例のチップ状電子部品の縦
断面図である。FIG. 8 is a vertical sectional view of a chip-shaped electronic component of a fifth embodiment of the present invention.
【図9】この発明の第六実施例のチップ状電子部品の縦
断面図である。FIG. 9 is a vertical sectional view of a chip-shaped electronic component according to a sixth embodiment of the present invention.
【図10】この発明の第七実施例のチップ状電子部品の
平面図である。FIG. 10 is a plan view of a chip-shaped electronic component according to a seventh embodiment of the present invention.
【図11】この発明の第七実施例のチップ状電子部品の
正面図である。FIG. 11 is a front view of a chip-shaped electronic component according to a seventh embodiment of the present invention.
10 チップ抵抗器(チップ状電子部品) 12 樹脂フィルム基板 14 セラミックス薄膜 16,17,26,27 電極 18 抵抗体 20 スルーホール 10 Chip Resistor (Chip-shaped Electronic Component) 12 Resin Film Substrate 14 Ceramics Thin Film 16, 17, 26, 27 Electrode 18 Resistor 20 Through Hole
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 流 一郎 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 (72)発明者 小原 陽三 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Ryuichiro 3158 Shimookubo, Osawano-cho, Kamishinagawa-gun, Toyama Prefecture Hokuriku Electric Industry Co., Ltd. (72) Yozo Ohara 3158 Shimookubo, Osawano-cho, Kamishinkawa-gun, Toyama Prefecture Within the corporation
Claims (9)
膜が形成され、このセラミックス薄膜の端部に、金属微
粒子が緊密に堆積してなる金属薄膜による電極が形成さ
れ、この電極間に電子素子が形成されたチップ状電子部
品。1. A ceramic thin film is formed on an insulating resin film, and an electrode is formed at the end of the ceramic thin film by a metal thin film in which metal fine particles are densely deposited, and an electronic element is formed between the electrodes. Chip-shaped electronic components.
の微粒子が緊密に堆積してなるものである請求項1記載
のチップ状電子部品。2. The chip-shaped electronic component according to claim 1, wherein the ceramic thin film is formed by closely depositing fine particles of its constituent components.
形成され、この表裏の電極間を貫通し電気的に接続した
スルーホールが形成されているものである請求項1又は
2記載のチップ状電子部品。3. The chip shape according to claim 1, wherein the electrodes are formed on the front and back surfaces of the resin film, and through holes are formed so as to penetrate between the electrodes on the front and back surfaces and electrically connect to each other. Electronic components.
形成され、この表裏の電極間を上記樹脂フィルムの端面
に形成された端面電極により電気的に接続しているもの
である請求項1又は2記載のチップ状電子部品。4. The electrode is formed on the front and back of the resin film, and the electrodes on the front and back are electrically connected by an end face electrode formed on an end face of the resin film. 2. The chip-shaped electronic component according to 2.
樹脂フィルム上にほぼ常温の真空中で金属薄膜抵抗体の
微粒子を吹き付けて緊密に堆積してなる抵抗体である請
求項1,2,3又は4記載のチップ状電子部品。5. The electronic element on the resin film is a resistor formed by spraying fine particles of a metal thin film resistor on the resin film in a vacuum at about room temperature and closely depositing them. The chip-shaped electronic component according to 3 or 4.
樹脂フィルム上にほぼ常温の真空中で電極及び誘電体の
微粒子を吹き付けて緊密に堆積させてなるコンデンサで
ある請求項1,2,3又は4記載のチップ状電子部品。6. The electronic device on the resin film is a capacitor formed by spraying fine particles of an electrode and a dielectric material on the resin film in a vacuum at a room temperature to closely deposit them. Alternatively, the chip-shaped electronic component according to item 4.
で金属微粒子を吹き付けて緊密に堆積させることにより
複数の電極を形成するとともに、この電極形成の前又は
後に、この電極間に接続する電子素子を、真空中でその
成分の微粒子を所定位置に吹き付けて緊密に堆積させ、
この後、上記樹脂フィルムを個々の電子素子毎に分割す
るチップ状電子部品の製造方法。7. A plurality of electrodes are formed by spraying fine metal particles in vacuum onto the ends of an insulating resin film in vacuum to form a plurality of electrodes, and before or after forming the electrodes, connecting between the electrodes. The electronic element to be sprayed, the fine particles of the component are sprayed at a predetermined position in a vacuum to be closely deposited,
After that, a method for manufacturing a chip-shaped electronic component in which the resin film is divided into individual electronic elements.
は、上記樹脂フィルム上に、真空中で各構成要素の微粒
子を吹き付けて緊密に堆積させたものである請求項7記
載のチップ状電子部品の製造方法。8. The chip-shaped electronic component according to claim 7, wherein the electrode and the electronic element on the resin film are obtained by spraying fine particles of each constituent element in vacuum on the resin film and closely depositing them. Manufacturing method.
から約300℃以下の真空中で金属薄膜抵抗体の微粒子
を吹き付けて緊密に堆積させ、この後、真空中で電極形
成用の金属微粒子を所定位置に吹き付けて緊密に堆積さ
せて電極を形成し、この後、上記樹脂フィルムを個々の
電子素子毎に分割する請求項7記載のチップ状電子部品
の製造方法。9. The fine particles of the metal thin film resistor are sprayed and densely deposited on the entire surface of the resin film in a vacuum from about room temperature to about 300 ° C. or less, and thereafter, the metal particles for forming electrodes are formed in a vacuum. 9. The method for manufacturing a chip-shaped electronic component according to claim 7, wherein the resin film is sprayed at a predetermined position to be closely deposited to form an electrode, and thereafter the resin film is divided into individual electronic elements.
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11214250A (en) * | 1998-01-28 | 1999-08-06 | Kuraray Co Ltd | Device and circuit board mounted with the device |
JP2005235880A (en) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | Laminate structure and its manufacturing method |
JP2005235878A (en) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | Laminate structure and its manufacturing method |
JP2008218481A (en) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Fujitsu Ltd | Capacitor and its manufacturing method |
US8278217B2 (en) | 2004-10-22 | 2012-10-02 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same |
-
1995
- 1995-02-10 JP JP04640495A patent/JP3614915B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11214250A (en) * | 1998-01-28 | 1999-08-06 | Kuraray Co Ltd | Device and circuit board mounted with the device |
JP2005235880A (en) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | Laminate structure and its manufacturing method |
JP2005235878A (en) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | Laminate structure and its manufacturing method |
JP4516327B2 (en) * | 2004-02-18 | 2010-08-04 | 富士フイルム株式会社 | Manufacturing method of laminated structure |
US8278217B2 (en) | 2004-10-22 | 2012-10-02 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same |
JP2008218481A (en) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Fujitsu Ltd | Capacitor and its manufacturing method |
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