JPH08221736A - Magnetic recording medium and its production - Google Patents
Magnetic recording medium and its productionInfo
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- JPH08221736A JPH08221736A JP5336995A JP5336995A JPH08221736A JP H08221736 A JPH08221736 A JP H08221736A JP 5336995 A JP5336995 A JP 5336995A JP 5336995 A JP5336995 A JP 5336995A JP H08221736 A JPH08221736 A JP H08221736A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に磁性層と保護
層を設けてなる磁気記録媒体に関し、特に低ノイズ、高
信頼性、耐久性および耐摩耗性に優れた磁気記録媒体及
びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic recording medium having a magnetic layer and a protective layer provided on a substrate, and particularly to a magnetic recording medium excellent in low noise, high reliability, durability and abrasion resistance. It relates to a manufacturing method.
【0002】[0002]
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
コンピューターの外部記録装置として用いられるハード
ディスクの高密度記録化に伴い、ディスク回転の高速化
や磁気ヘッドの浮上量の低下が図られており、ディスク
として用いられる磁気記録媒体に要求される耐摩耗性は
年々高度なレベルが要求されている。2. Description of the Related Art In recent years,
Along with the high-density recording of hard disks used as external recording devices for computers, the rotation speed of the disks has been increased and the flying height of the magnetic head has been reduced, and the wear resistance required for magnetic recording media used as disks. Is required a high level year by year.
【0003】従来の磁気記録媒体は、その耐摩耗性を向
上させるために、1)テープ、スパッタ法、CVD等の
工程により基板上に凹凸を形成する、2)ドライエッチ
ング、イオンミリング、イオンボンバード等により成膜
した磁性層又は保護層に凹凸形状を形成する(特開昭6
2−267924号公報、特開平6−139561号公
報)、3)島状の保護層を磁性層上に形成する(特開平
1−273219号公報)、といった工夫を行ってき
た。しかしながら、1)のように基板上に凹凸を付けた
のではスペーシング(磁気ヘッドと磁性層との間隔)の
変化によるノイズが多くなり、2)のようにエッチング
による凹凸の形成では工程が複雑となり、また3)のよ
うに島状の保護層では表面がすべて覆われていないた
め、耐摩耗性がやや劣る、といった欠点があった。In order to improve the wear resistance of conventional magnetic recording media, 1) irregularities are formed on a substrate by a process such as tape, sputtering, CVD, etc. 2) Dry etching, ion milling, ion bombardment An uneven shape is formed on the magnetic layer or the protective layer formed by, for example,
2-267924, JP-A-6-139561), and 3) forming an island-shaped protective layer on the magnetic layer (JP-A-1-273219). However, if unevenness is formed on the substrate as in 1), noise is increased due to a change in spacing (a gap between the magnetic head and the magnetic layer), and as in 2), the process is complicated in forming unevenness by etching. In addition, as in 3), the surface is not entirely covered with the island-shaped protective layer, so that the abrasion resistance is slightly inferior.
【0004】これらの欠点を解決すべく、4)Alをス
パッタターゲットとしてスパッタリング法(スパッタ
法)により凹凸形成層を磁性層と保護層の間に形成する
(特公平4−62414号公報)、5)非磁性のクラス
ターを磁気記録層(磁性層)の表面に物理蒸着法によっ
て形成し、さらにカーボン等からなる保護層を形成する
(特開平5−20659号公報)等が提案されている。
4)、5)はいずれも上記1)、2)、3)の欠点を克
服したものであるが、4)はAlをスパッタターゲット
として用いているため、耐摩耗性に不安がのこる、5)
は非磁性のクラスターとカーボンとの密着性が劣るた
め、クラスター又は保護層が剥離する恐れがある、とい
った課題を有するものである。In order to solve these drawbacks, 4) an unevenness forming layer is formed between the magnetic layer and the protective layer by a sputtering method (sputtering method) using Al as a sputtering target (Japanese Patent Publication No. 4-62414), 5 It has been proposed that a non-magnetic cluster is formed on the surface of a magnetic recording layer (magnetic layer) by a physical vapor deposition method, and a protective layer made of carbon or the like is further formed (JP-A-5-20659).
4) and 5) overcome the drawbacks of 1), 2), and 3) above, but 4) uses Al as a sputter target, so there is concern about wear resistance.
Has a problem that the cluster or the protective layer may be peeled off due to poor adhesion between the non-magnetic cluster and carbon.
【0005】したがって本発明の目的は、かかる課題を
解決すべく、耐摩耗性に優れ、かつ低ノイズであって高
信頼性を有する磁気記録媒体及びその製造方法を提供す
ることにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a magnetic recording medium having excellent abrasion resistance, low noise and high reliability, and a method for manufacturing the same, in order to solve the above problems.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成すべく鋭意研究した結果、基板上に磁性層と、さ
らに該磁性層上に保護層を設けてなる磁気記録媒体にお
いて、該保護層が実質的に平滑な磁性層上に設けられ、
かつ該保護層がAlとカーバイド形成金属との合金を用
いてスパッタ法により表面に凹凸形状を形成することに
より、耐摩耗性が改善され、保護層等の剥離を抑制でき
ることを見出し、本発明を完成するに至った。As a result of intensive studies aimed at achieving the above-mentioned object, the present inventors have found that in a magnetic recording medium comprising a magnetic layer on a substrate and a protective layer on the magnetic layer, The protective layer is provided on a substantially smooth magnetic layer,
And by forming an uneven shape on the surface of the protective layer by a sputtering method using an alloy of Al and a carbide forming metal, it was found that the wear resistance is improved, it is possible to suppress the peeling of the protective layer, the present invention, It came to completion.
【0007】即ち、本発明の要旨は、(1) 基板上に
磁性層と、さらに該磁性層上に保護層を設けてなる磁気
記録媒体において、該保護層が実質的に平滑な磁性層上
に設けられ、かつ該保護層がAlとカーバイド形成金属
との合金を用いてスパッタ法により表面に凹凸形状を形
成したものであることを特徴とする磁気記録媒体、
(2) 保護層が1又は2以上の層からなるものである
前記(1)記載の磁気記録媒体、(3) 2以上の層の
うち、少なくとも1層がAlとカーバイド形成金属との
合金を用いてスパッタ法により表面に凹凸形状を形成し
たものである前記(2)記載の磁気記録媒体、(4)
カーバイド形成金属が、Si、Cr、Ta、Ti、Z
r、Y、Mo、W、Vからなる群より選ばれる1種以上
である前記(1)〜(3)いずれか記載の磁気記録媒
体、(5) 保護層がAlとカーバイド形成金属との合
金の酸化物を含むか、又は全てが酸化物からなる前記
(1)〜(4)いずれか記載の磁気記録媒体、(6)
保護層の表面のRa(中心線平均粗さ)が、1〜10n
mである前記(1)〜(5)いずれか記載の磁気記録媒
体、(7) 基板がカーボン基板である前記(1)〜
(6)いずれか記載の磁気記録媒体、(8) 表面に潤
滑層を設けてなる前記(1)〜(7)いずれか記載の磁
気記録媒体、(9) 基板と磁性層との間に1以上の薄
膜が形成されている前記(1)〜(8)いずれか記載の
磁気記録媒体、並びに(10) 基板上に磁性層と、さ
らに該磁性層上に保護層を設けてなる磁気記録媒体の製
造方法において、Alとカーバイド形成金属との合金を
用いてスパッタ法により表面に凹凸形状を形成した保護
層を実質的に平滑な磁性層上に設けることを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法、に関するものである。以下、
本発明について詳述する。That is, the gist of the present invention is (1) a magnetic recording medium comprising a magnetic layer on a substrate and a protective layer on the magnetic layer, wherein the protective layer is a substantially smooth magnetic layer. A magnetic recording medium, wherein the protective layer is formed on the surface by an sputtering method using an alloy of Al and a metal forming a carbide,
(2) The magnetic recording medium according to (1) above, wherein the protective layer comprises one or more layers, and (3) at least one layer of the two or more layers comprises an alloy of Al and a carbide forming metal. (4) The magnetic recording medium as described in (2) above, wherein an uneven shape is formed on the surface by a sputtering method.
Carbide forming metal is Si, Cr, Ta, Ti, Z
The magnetic recording medium according to any one of (1) to (3) above, which is one or more selected from the group consisting of r, Y, Mo, W, and V. (5) An alloy in which the protective layer is Al and a carbide-forming metal. (6) The magnetic recording medium according to any one of (1) to (4), wherein the magnetic recording medium contains the oxide according to any one of (1) to (4).
Ra (center line average roughness) of the surface of the protective layer is 1 to 10 n.
m, the magnetic recording medium according to any one of (1) to (5), (7) the substrate is a carbon substrate, (1) to
(6) The magnetic recording medium according to any one of the above, (8) The magnetic recording medium according to any one of the above (1) to (7), wherein a lubricating layer is provided on the surface, (9) 1 between the substrate and the magnetic layer. (1) The magnetic recording medium according to any one of (1) to (8) above, wherein the thin film is formed, and (10) a magnetic recording medium comprising a magnetic layer on a substrate and a protective layer on the magnetic layer. The method for producing a magnetic recording medium according to claim 1, wherein an alloy of Al and a carbide-forming metal is used to provide a protective layer on the surface of which unevenness is formed by a sputtering method on a substantially smooth magnetic layer. Is related to. Less than,
The present invention will be described in detail.
【0008】本発明における、磁気記録媒体の製造に用
いられる基板は磁性を有するものでも非磁性のものでも
よいが、一般的には非磁性のものが用いられる。非磁性
基板としては特に限定されるものではなく、通常用いら
れる公知のものでよい。具体的には、アモルファスカー
ボン等のカーボン(特公昭63−46004号公報、特
開平3−11005号公報など)、ガラス(強化ガラ
ス、結晶化ガラス等)、Al、Al合金、チタン、チタ
ン合金、セラミックス(Al2 O3 ,SiC等)、樹脂
又はこれら材料の複合材料が用いられる。これらのう
ち、アモルファスカーボンは、耐熱性、スパッタによっ
て磁性層などを設ける際の加熱によるガス発生が少ない
こと等から好ましく用いられる。The substrate used for manufacturing the magnetic recording medium in the present invention may be magnetic or non-magnetic, but generally a non-magnetic one is used. The non-magnetic substrate is not particularly limited, and may be a commonly used non-magnetic substrate. Specifically, carbon such as amorphous carbon (Japanese Patent Publication No. 63-46004, Japanese Patent Laid-Open No. 3-11005, etc.), glass (tempered glass, crystallized glass, etc.), Al, Al alloy, titanium, titanium alloy, Ceramics (Al 2 O 3 , SiC, etc.), resin, or a composite material of these materials is used. Among these, amorphous carbon is preferably used because it has heat resistance and generates less gas due to heating when a magnetic layer or the like is formed by sputtering.
【0009】即ち、カーボン基板は黒色であるため、従
来のNiP/A1基板に比して、同一条件で加熱しても
基板の表面到達温度が高くなる。また、カーボンは非磁
性体であるため、高温に加熱しても磁性層に磁気的影響
を与えない。更に、カーボンは耐熱性が高いため、25
0℃以上の温度に加熱しても変形しにくい。更にまた、
カーボンは導電体であるため、バイアス電圧を印加しつ
つ、磁性層を成膜することが可能である。従って、従来
に比して表面温度が高温であり、且つ、負のバイアス電
圧を印加した基板上にCo系合金からなる磁性層を形成
することが可能である。これにより、従来に比して保磁
力が高い磁性層を得ることができる。また、カーボンの
硬度は高く、従来、磁気記録媒体の基板として使用され
ているアルミニウム合金、又はNiPに比して、平滑性
が優れている。更に、カーボンの比重は1.5〜2.0
とアルミニウム(比重2.7)よりも軽量であると共に
曲げ強度が約180MPaと高いため、磁気記録媒体の
軽量化が可能であり、駆動用モーターの負荷を軽減する
ことができるという長所もある。このように、カーボン
基板は軽量であると共に強度が高く、平滑性が優れてい
ると共に、磁性層を成膜するときに負のバイアス電圧を
印加することが可能であり、更に基板の表面温度を高温
にすることができるため、磁気記録媒体用基板として極
めて優れている。That is, since the carbon substrate is black, the surface arrival temperature of the substrate becomes higher than that of the conventional NiP / A1 substrate even when heated under the same conditions. Further, since carbon is a non-magnetic material, it does not magnetically affect the magnetic layer even when heated to a high temperature. In addition, since carbon has high heat resistance, 25
It does not easily deform even when heated to a temperature of 0 ° C or higher. Furthermore,
Since carbon is a conductor, it is possible to form a magnetic layer while applying a bias voltage. Therefore, it is possible to form a magnetic layer made of a Co-based alloy on a substrate having a surface temperature higher than that of the prior art and having a negative bias voltage applied. This makes it possible to obtain a magnetic layer having a higher coercive force than the conventional one. Further, the hardness of carbon is high, and the smoothness is excellent as compared with the aluminum alloy or NiP that has been conventionally used as a substrate of a magnetic recording medium. Furthermore, the specific gravity of carbon is 1.5 to 2.0.
Since it is lighter than aluminum (specific gravity 2.7) and has a high bending strength of about 180 MPa, the magnetic recording medium can be made lighter and the load on the drive motor can be reduced. As described above, the carbon substrate is lightweight, has high strength, is excellent in smoothness, can apply a negative bias voltage when forming the magnetic layer, and further reduces the surface temperature of the substrate. Since it can be heated to a high temperature, it is extremely excellent as a substrate for a magnetic recording medium.
【0010】また、本発明で用いる基板の物性としては
特に限定されるものではないが、硬度はショア硬度とし
て120〜180(HS)、表面粗さはRa(中心線平
均粗さ)として0.3〜1.5nmの範囲のものが耐衝
撃性、浮上量の低下、ノイズ特性の観点から好ましい。The physical properties of the substrate used in the present invention are not particularly limited, but the hardness is Shore hardness of 120 to 180 (HS), and the surface roughness is Ra (center line average roughness) of 0. The range of 3 to 1.5 nm is preferable from the viewpoint of impact resistance, reduction in flying height, and noise characteristics.
【0011】本発明における磁性層は、基板上に金属薄
膜型磁性層としてPVD手段で設けられる。磁性層を構
成する材料としては特に限定されるものではなく、通常
用いられる公知のものでよい。例えばCoCr、CoC
rX、CoNiX、CoW等で表されるCoを主成分と
するCo系の磁性合金が挙げられる。ここでXとして
は、Ta、Pt、Au、Ti、V、Cr、Ni、W、L
a、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Li、S
i、B、Ca、As、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、R
h、Ag、Sb、Hfよりなる群から選ばれる1種以上
の元素が挙げられる。これらのうち、高出力,耐食性の
観点からCoCrやCoCrPtを好ましいものとして
挙げることができる。また、合金中の各元素の重量比に
ついては、通常用いられる公知の程度でよい。このよう
な磁性層の膜厚は30〜100nmが好ましく、30〜
50nmが特に好ましい。出力の観点から膜厚は30n
m以上が好ましく、ノイズの観点から100nm以下が
好ましい。The magnetic layer in the present invention is provided on the substrate as a metal thin film type magnetic layer by PVD means. The material forming the magnetic layer is not particularly limited, and may be a commonly used known material. For example, CoCr, CoC
Examples thereof include Co-based magnetic alloys containing Co as a main component, such as rX, CoNiX, and CoW. Here, X is Ta, Pt, Au, Ti, V, Cr, Ni, W, L.
a, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Li, S
i, B, Ca, As, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, R
One or more elements selected from the group consisting of h, Ag, Sb and Hf can be mentioned. Among these, CoCr and CoCrPt can be mentioned as preferable ones from the viewpoint of high output and corrosion resistance. Further, the weight ratio of each element in the alloy may be a commonly used known level. The thickness of such a magnetic layer is preferably 30 to 100 nm,
50 nm is particularly preferred. From the viewpoint of output, the film thickness is 30n
m or more is preferable, and 100 nm or less is preferable from the viewpoint of noise.
【0012】本発明においては、保護層を実質的に平滑
な磁性層上に設けることを特徴とするものであり、ここ
で実質的に平滑とは磁性層の表面のRa(中心線平均粗
さ)が0.5〜3nm、好ましくは0.5〜1.5nm
のものをいう。このように磁性層の表面が平滑であるこ
とから、スペーシングの変化が抑制され、磁気記録媒体
の表面粗さの影響を受けることなく低ノイズを達成でき
る。即ち、従来法では磁性層の下に凹凸形状を形成して
いるため、磁性層の表面粗さが大きくなっているが、こ
の表面粗さが大きくなるにつれてスペーシングの変化に
よるノイズが多くなるという問題点が指摘されている。
しかし、本発明においてはこのような問題を解消するこ
とができる。The present invention is characterized in that a protective layer is provided on a substantially smooth magnetic layer, where "substantially smooth" means Ra (center line average roughness) of the surface of the magnetic layer. ) Is 0.5 to 3 nm, preferably 0.5 to 1.5 nm
Means Since the surface of the magnetic layer is smooth in this way, a change in spacing is suppressed, and low noise can be achieved without being affected by the surface roughness of the magnetic recording medium. That is, in the conventional method, since the uneven shape is formed under the magnetic layer, the surface roughness of the magnetic layer increases, but as the surface roughness increases, noise due to changes in spacing increases. Problems have been pointed out.
However, in the present invention, such a problem can be solved.
【0013】次に保護層について説明する。上記のよう
にして形成された磁性層上に、Alとカーバイド形成金
属との合金(以下、「Al−M合金」と略記する場合が
ある。)よりなる保護層を設ける。なお、本明細書にお
いて「カーバイド形成金属」とは熱あるいは物理吸着,
化学吸着によりカーバイドを形成し得る金属の意であ
る。Al−M合金はAlよりも、炭素との密着性が良好
であり硬度も高いため、Al−M合金を保護層の少なく
とも1層に用いることにより、耐摩耗性が向上し、また
他の保護層として汎用される炭素の剥離が抑制されると
いった効果が期待できる。Next, the protective layer will be described. A protective layer made of an alloy of Al and a metal forming a carbide (hereinafter sometimes abbreviated as "Al-M alloy") is provided on the magnetic layer formed as described above. In the present specification, "carbide forming metal" means heat or physical adsorption,
It means a metal that can form carbide by chemisorption. Since Al-M alloy has better adhesion to carbon and higher hardness than Al, use of Al-M alloy in at least one protective layer improves wear resistance and protects other materials. The effect of suppressing peeling of carbon, which is commonly used as a layer, can be expected.
【0014】形成される保護層の層数は特に限定される
ものではないが、1〜3が好ましく、出力、ノイズの観
点から1〜2がさらに好ましい。保護層が2層以上の場
合は、少なくとも1層がAl−M合金を用いてスパッタ
法により表面に凹凸形状を形成したものであれば所望の
効果を得ることができる。保護層の厚さは層数にかかわ
らず、保護層全体として5〜50nm、好ましくは5〜
30nmである。ここで、耐摩耗性、耐食性の観点から
厚さは5nm以上が好ましく、電磁変換特性の観点から
50nm以下が好ましい。また、保護層成膜後の表面の
凹凸形状の粗さRa(中心線平均粗さ)は特に限定され
るものではないが、1〜10nmが好ましく、より好ま
しくは1〜5nmである。また、凹凸は全面あるいは一
部分であってもよい。ここで、耐摩耗性の観点から1n
m以上が好ましく、電磁変換特性の観点から10nm以
下が好ましい。The number of protective layers formed is not particularly limited, but is preferably 1 to 3, and more preferably 1 to 2 from the viewpoint of output and noise. When the protective layer has two or more layers, the desired effect can be obtained as long as at least one layer has an uneven shape formed on the surface by sputtering using an Al-M alloy. The thickness of the protective layer is 5 to 50 nm, preferably 5 to 5 nm as a whole, regardless of the number of layers.
It is 30 nm. Here, the thickness is preferably 5 nm or more from the viewpoint of wear resistance and corrosion resistance, and is preferably 50 nm or less from the viewpoint of electromagnetic conversion characteristics. Further, the roughness Ra (center line average roughness) of the irregularities on the surface after forming the protective layer is not particularly limited, but is preferably 1 to 10 nm, more preferably 1 to 5 nm. Further, the unevenness may be the whole surface or a part thereof. Here, from the viewpoint of wear resistance, 1n
m or more is preferable, and 10 nm or less is preferable from the viewpoint of electromagnetic conversion characteristics.
【0015】このAl−M合金の具体例としては、カー
バイド形成金属がSi、Cr、Ta、Ti、Zr、Y、
Mo、W、V、等からなる群より選ばれる1種以上を含
有する合金が挙げられる。より具体的には、表1に示す
合金が挙げられる。As a concrete example of this Al-M alloy, the carbide forming metals are Si, Cr, Ta, Ti, Zr, Y,
Examples include alloys containing at least one selected from the group consisting of Mo, W, V, and the like. More specifically, the alloys shown in Table 1 are listed.
【0016】[0016]
【表1】 [Table 1]
【0017】さらに、Al−5wt%Si−5wt%C
r系合金、Al−5wt%Si−3wt%Mo系合金、
Al−5wt%Si−3wt%W系合金などの三元以上
の系のAl−M合金も挙げられる。さらに、これらの合
金の酸化物も用いることができる。合金の酸化物は保護
層の一部であってもよく、また全てが酸化物であっても
よい。上記の合金のうちで特に好ましいのは表面形状の
制御及び磁性層との密着性の観点からAl−Si系合金
及びAl−Cr系合金である。Further, Al-5 wt% Si-5 wt% C
r-based alloy, Al-5 wt% Si-3 wt% Mo-based alloy,
An Al-M alloy of a ternary or higher system such as an Al-5 wt% Si-3 wt% W-based alloy can also be used. Further, oxides of these alloys can also be used. The oxide of the alloy may be a part of the protective layer, or all may be the oxide. Among the above alloys, particularly preferable are Al—Si alloys and Al—Cr alloys from the viewpoint of controlling the surface shape and adhering to the magnetic layer.
【0018】Al−M合金よりなる、表面に凹凸形状を
有する保護層はスパッタ法により設けられる。本発明に
おけるスパッタ法は、一般に用いられる公知の方法でよ
く、例えば、DCマグネトロンスパッタリング、RFマ
グネトロンスパッタリング等が挙げられるが、中でもD
Cマグネトロンスパッタリングが好適である。即ち、D
CマグネトロンスパッタリングはRFマグネトロンスパ
ッタリングに比べ電源が簡単であり、装置のコストが安
い。また、DCマグネトロンスパッタリングでは操作が
簡単であり(RFマグネトロンスパッタリングでは、有
効に電力を投入するには、インピーダンスマッチングが
必要である。)、大電力の投入が容易であり、高速成膜
に向いている。The protective layer made of an Al-M alloy and having an uneven surface is provided by the sputtering method. The sputtering method in the present invention may be a commonly used known method, and examples thereof include DC magnetron sputtering and RF magnetron sputtering.
C magnetron sputtering is preferred. That is, D
Compared to RF magnetron sputtering, C magnetron sputtering has a simpler power supply and is less expensive. In addition, DC magnetron sputtering is easy to operate (in RF magnetron sputtering, impedance matching is required to effectively apply power), and it is easy to apply large power, which is suitable for high-speed film formation. There is.
【0019】スパッタリングの条件は特に限定されない
が、DCマグネトロンスパッタリングによる場合、基板
温度は80〜500℃が好ましく、120〜350℃が
さらに好ましい。ここで、凹凸形状形成の観点から基板
温度は80℃以上が好ましく、成膜条件の観点から50
0℃以下が好ましい。スパッタ時間は0.5〜2分、投
入電力は0.5〜3kWの範囲が好ましい。スパッタ室
内はAr等の不活性ガスを1〜10mTorrとなるよ
うにしておく。ここで、少量の酸素を室内に導入するこ
とにより、得られる保護層を合金の酸化物からなるもの
にすることができる。このような条件でスパッタリング
を行うことにより、上述の保護層の厚さの範囲内にAl
−M合金層を設けることができる。この範囲内では、A
l−M合金層は凹凸形状を有する連続した膜状又は点在
する島状に形成され、両者はいずれも表面に凹凸形状を
有する保護層を形成することができる。The sputtering conditions are not particularly limited, but in the case of DC magnetron sputtering, the substrate temperature is preferably 80 to 500 ° C, more preferably 120 to 350 ° C. Here, the substrate temperature is preferably 80 ° C. or higher from the viewpoint of forming the uneven shape, and 50 from the viewpoint of film forming conditions.
It is preferably 0 ° C or lower. The sputtering time is preferably 0.5 to 2 minutes, and the input power is preferably 0.5 to 3 kW. An inert gas such as Ar is kept at 1 to 10 mTorr in the sputtering chamber. Here, by introducing a small amount of oxygen into the chamber, the protective layer obtained can be made of an oxide of the alloy. By performing the sputtering under such conditions, Al within the above-mentioned thickness of the protective layer is formed.
-M alloy layer can be provided. Within this range, A
The 1-M alloy layer is formed in a continuous film shape having unevenness or in the form of scattered islands, and both of them can form a protective layer having unevenness on the surface.
【0020】次に、本発明における保護層の層数と形状
との関係について説明する。層数が1層の場合、保護層
は上述の保護層の厚さの凹凸形状を有するAl−M合金
層のみとなる。このとき、充分な耐摩耗性を得る観点か
ら、保護層は凹凸形状を有する連続した膜状とするのが
好ましい。層数が2層以上の場合、保護層は凹凸形状を
有するAl−M合金層が少なくとも1層存在しておれば
よい。Al−M合金層は保護層内のどの位置にあっても
よい、即ち、保護層の最下層でもよく、保護層の最上層
であってもよく、また保護層の中間層でもよい。また、
保護層の厚さは、その合計が上述の範囲内であればよ
い。Al−M合金層の形状は、凹凸形状を有する連続し
た膜状であってもよく、点在する島状であってもよい。
凹凸が形成された層の上にAl−M合金以外の層を設け
たとしても、保護層が上述の厚さの範囲内であれば凹凸
はそのまま引き継がれるため、Al−M合金層の保護層
内の位置及び形状にかかわらず所望の効果を得ることが
できる。Next, the relationship between the number of layers and the shape of the protective layer in the present invention will be described. When the number of layers is one, the protective layer is only the Al-M alloy layer having the uneven shape of the thickness of the protective layer described above. At this time, from the viewpoint of obtaining sufficient wear resistance, the protective layer is preferably a continuous film having an uneven shape. When the number of layers is two or more, at least one Al-M alloy layer having an uneven shape may be present in the protective layer. The Al-M alloy layer may be located anywhere in the protective layer, that is, it may be the lowermost layer of the protective layer, the uppermost layer of the protective layer, or the intermediate layer of the protective layer. Also,
The total thickness of the protective layer may be within the above range. The shape of the Al-M alloy layer may be a continuous film shape having an uneven shape, or may be a dotted island shape.
Even if a layer other than the Al-M alloy is provided on the layer on which the unevenness is formed, the unevenness is inherited as it is as long as the protective layer is within the above-mentioned thickness range. The desired effect can be obtained regardless of the position and shape inside.
【0021】また、保護層が2層以上の際に用いられ
る、Al−M合金以外の層の成分としては、アモルファ
スカーボン;一部の構造がダイヤモンド状のアモルファ
スカーボン(以下、「ダイヤモンドライクカーボン」と
略記する。);Al、Si、Ti、V、Cr、Zr、N
b、Mo、Sn、Ta、Zn、In、及びこれらの酸化
物からなる群より選ばれる1種以上の物質;Si、T
i、Ta、これらの炭化物、及びこれらの窒化物からな
る群より選ばれる1種以上の物質;MoS2 等の硫化物
等が挙げられる。これらのうち、潤滑性及び耐久性の観
点からアモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカー
ボンが好ましい。これらの層を設ける方法としては、通
常用いられる公知のPVD手段を使用できる。例えば、
アモルファスカーボン層の場合は、スパッタターゲット
としてカーボンを用いるスパッタ法によって達成でき
る。これらの層の厚さも、PVD手段の条件を変えるこ
とにより上述の保護層の厚さの範囲内に設けることがで
きる。上述のように、本発明の範疇に入るいずれの態様
においても磁気記録媒体の表面が適度に粗面化されたも
のとなるため、本発明の磁気記録媒体は磁気ヘッドの吸
着を防止でき、耐摩耗性に富み、又、摩擦係数が小さ
く、走行性に優れたものになる。Further, as a component of layers other than the Al-M alloy used when the protective layer has two or more layers, amorphous carbon; amorphous carbon partially having a diamond-like structure (hereinafter referred to as "diamond-like carbon") Abbreviated as)); Al, Si, Ti, V, Cr, Zr, N
b, Mo, Sn, Ta, Zn, In, and one or more substances selected from the group consisting of oxides thereof; Si, T
One or more substances selected from the group consisting of i, Ta, carbides thereof, and nitrides thereof; sulfides such as MoS 2 and the like. Of these, amorphous carbon and diamond-like carbon are preferable from the viewpoint of lubricity and durability. As a method for providing these layers, a commonly used known PVD means can be used. For example,
In the case of an amorphous carbon layer, it can be achieved by a sputtering method using carbon as a sputtering target. The thickness of these layers can also be provided within the range of the thickness of the protective layer described above by changing the conditions of the PVD means. As described above, in any of the embodiments falling within the scope of the present invention, the surface of the magnetic recording medium is appropriately roughened, so that the magnetic recording medium of the present invention can prevent adsorption of the magnetic head and It has excellent wear properties and a small friction coefficient, resulting in excellent running properties.
【0022】また、本発明において、磁気ヘッドの走行
性を向上させるために、媒体表面に潤滑層を設けてもよ
い。潤滑層は公知の方法で設けることができ、例えば塗
布法等により所望の厚さの層を設けることができる。用
いる潤滑剤としては特に限定されるものではなく、通常
用いられる公知のものを使用することができる。例え
ば、分子量が2000〜10000のパーフルオロポリ
エーテル系のものが挙げられる。具体的には、フォンブ
リンAM2001、フォンブリンZ03(ともにモンテ
カチーニ社製)、デムナムSP(ダイキン工業社製)等
が挙げられる。潤滑剤は単独で塗布してもよく、複数の
ものを混合して塗布してもよく、潤滑剤を塗布後に別の
潤滑剤を塗布してもよい。このような方法で塗布する場
合には、潤滑層の厚さを0.5〜4nm、特に1〜3n
mとするのが好ましい。ここで、潤滑効果を得る観点か
ら潤滑層の厚さは0.5nm以上が好ましく、スペーシ
ングロスを抑制する観点から4nm以下が好ましい。In the present invention, a lubricating layer may be provided on the surface of the medium in order to improve the running property of the magnetic head. The lubricating layer can be provided by a known method, and for example, a layer having a desired thickness can be provided by a coating method or the like. The lubricant to be used is not particularly limited, and a commonly used known lubricant can be used. For example, a perfluoropolyether type having a molecular weight of 2000 to 10,000 can be mentioned. Specific examples include Fomblin AM2001, Fomblin Z03 (both manufactured by Montecatini), and Demnum SP (manufactured by Daikin Industries, Ltd.). The lubricant may be applied alone, a plurality of lubricants may be mixed and applied, or another lubricant may be applied after the lubricant is applied. When applying by such a method, the thickness of the lubricating layer is 0.5 to 4 nm, especially 1 to 3 n.
It is preferably m. Here, the thickness of the lubricating layer is preferably 0.5 nm or more from the viewpoint of obtaining a lubricating effect, and is preferably 4 nm or less from the viewpoint of suppressing spacing loss.
【0023】本発明において特に好ましくは、潤滑層は
気相重合により得られた重合体により形成されており、
且つ保護層上に固着された固定層と該固定層上に形成さ
れたフリー層とからなる。この場合、潤滑層は、フッ化
炭素系化合物と酸素との気相重合により形成されること
が好ましい。フッ化炭素系化合物は、下記一般式(I)
〜 (III)で表される化合物から成る群から選択されるこ
とが好ましい。In the present invention, particularly preferably, the lubricating layer is formed of a polymer obtained by gas phase polymerization,
Further, it comprises a fixed layer fixed on the protective layer and a free layer formed on the fixed layer. In this case, the lubricating layer is preferably formed by vapor phase polymerization of a fluorocarbon compound and oxygen. The fluorocarbon compound has the following general formula (I):
Preferably selected from the group consisting of compounds represented by
【0024】 CF2 =CFRf 1 (I) (式中、Rf 1 は、フッ素原子、パーフルオロアルキル
基、パーフルオロアルケニル基、部分フッ素化アルキル
基、部分フッ素化アルケニル基、パーフルオロアリール
基又は部分フッ素化アリール基を示す。)CF 2 ═CFR f 1 (I) (In the formula, R f 1 is a fluorine atom, a perfluoroalkyl group, a perfluoroalkenyl group, a partially fluorinated alkyl group, a partially fluorinated alkenyl group, a perfluoroaryl group. Or represents a partially fluorinated aryl group.)
【0025】 CF2 =C(Rf 2 )(Rf 3 ) (II) (式中、Rf 2 及びRf 3 は、同一のまたは異なる水素
原子、フッ素原子、パーフルオロアルキル基、パーフル
オロアルケニル基、部分フッ素化アルキル基、部分フッ
素化アルケニル基、パーフルオロアリール基又は部分フ
ッ素化アリール基を示す。)CF 2 ═C (R f 2 ) (R f 3 ) (II) (wherein R f 2 and R f 3 are the same or different hydrogen atom, fluorine atom, perfluoroalkyl group, perfluoro). An alkenyl group, a partially fluorinated alkyl group, a partially fluorinated alkenyl group, a perfluoroaryl group or a partially fluorinated aryl group is shown.)
【0026】 CF2 =CFO(Rf 4 ) (III) (式中、Rf 4 は、フッ素原子、パーフルオロアルキル
基、パーフルオロアルケニル基、部分フッ素化アルキル
基、部分フッ素化アルケニル基、パーフルオロアリール
基、部分フッ素化アリール基またはパーフルオロアルコ
キシアルキル基を示す。)CF 2 ═CFO (R f 4 ) (III) (In the formula, R f 4 is a fluorine atom, a perfluoroalkyl group, a perfluoroalkenyl group, a partially fluorinated alkyl group, a partially fluorinated alkenyl group, a perfluoroalkyl group. Indicates a fluoroaryl group, a partially fluorinated aryl group or a perfluoroalkoxyalkyl group.)
【0027】フッ化炭素系化合物と酸素との気相重合に
より得られた重合体は、主として−(CF2 O)−の構
造単位を有する重合体であり、その分子量は、好ましく
は1500〜30000である。The polymer obtained by vapor phase polymerization of a fluorocarbon compound and oxygen is a polymer mainly having a-(CF 2 O)-structural unit, and its molecular weight is preferably 1500 to 30000. Is.
【0028】上記重合体の構造は必ずしも明確ではない
が、例えば、下記構造式で示される重合体等が推定され
る。 X-(CF2 O)1-(CF2 CF2 CF2 O)m -(CF(C
F3)CFO)n X’ (ここで、1、m及びnは、正の整数を示し(但し、1
≫m、1≫n)、X及びX’は、同一の又は異なるアル
コール、エーテル結合、エステル結合又はウレタン結合
等を含む末端部を示す。) 上記重合体における上記−(CF2 O)−の構造単位の
含有率は、全構造単位中70%以上であることが好まし
く、例えば、上記構造式で表される重合体においては
〔1/(1+m+n)〕×100が70%以上であるこ
とが好ましい。Although the structure of the above-mentioned polymer is not always clear, for example, a polymer represented by the following structural formula is estimated. X- (CF 2 O) 1- (CF 2 CF 2 CF 2 O) m- (CF (C
F 3 ) CFO) n X '(wherein 1, m and n are positive integers (provided that 1
>> m, 1 >> n), X and X'represent end portions containing the same or different alcohol, ether bond, ester bond, urethane bond or the like. ) Above in the polymer - (CF 2 O) - the content of the structural units, is preferably at least 70% in the total structural units, for example, in polymer represented by the structural formula [1 / It is preferable that (1 + m + n)] × 100 is 70% or more.
【0029】なお、固定層とは、保護層に化学的または
物理的に強固に固着されている層を意味し、例えば商品
名「フロン113」等のフッ素系溶媒を用いて洗浄して
も洗い流されない層のことをいう。一方、フリー層と
は、フッ素系溶媒を用いて洗浄した場合に洗い流されて
しまう層のことをいう。The fixed layer means a layer which is chemically or physically firmly fixed to the protective layer, and is washed off even if it is washed with a fluorine-based solvent such as a trade name "Freon 113". It refers to the layer that does not exist. On the other hand, the free layer means a layer that is washed away when washed with a fluorine-based solvent.
【0030】潤滑層が、固定層とフリー層とから成る場
合、フリー層/固定層は重量比で1/10〜10/1、
好ましくは2/5〜5/1である。潤滑層は厚すぎると
スペーシングロスが大きくなり、薄すぎると潤滑効果が
乏しくなる。そのため潤滑層の厚さは0.2〜20nm
が好ましく、1〜10nmがより好ましく、2〜8nm
がさらに好ましく、2〜5nmが特に好ましい。When the lubricating layer is composed of a fixed layer and a free layer, the weight ratio of the free layer / fixed layer is 1/10 to 10/1,
It is preferably 2/5 to 5/1. If the lubricating layer is too thick, spacing loss will be large, and if it is too thin, the lubricating effect will be poor. Therefore, the thickness of the lubricating layer is 0.2-20 nm
Is preferred, 1-10 nm is more preferred, and 2-8 nm
Is more preferable, and 2 to 5 nm is particularly preferable.
【0031】気相重合は真空条件下で行い、フッ化炭素
系化合物と酸素とを重合させて潤滑層を形成する第1の
重合工程と、水蒸気を導入した後、真空条件下で気相重
合を行い、フッ化炭素系化合物と酸素とを重合させて潤
滑層を形成する第2の重合工程とを、順次行うことが好
ましい。この際、上記の水蒸気の導入を、上記の第1の
重合工程の終了後、第1の重合工程における真空条件を
大気圧条件下に戻すことにより行うことが特に好まし
い。The gas phase polymerization is carried out under a vacuum condition, and the first polymerization step in which a fluorocarbon compound and oxygen are polymerized to form a lubricating layer, and after introducing steam, the gas phase polymerization is carried out under a vacuum condition. And a second polymerization step of polymerizing the fluorocarbon compound and oxygen to form a lubricating layer is sequentially performed. At this time, it is particularly preferable to introduce the water vapor by returning the vacuum condition in the first polymerization step to the atmospheric pressure condition after the completion of the first polymerization step.
【0032】気相重合とは、フッ化炭素系化合物と酸素
とを気相にガス状態で保持した系で重合を行い、重合反
応を気相のみで生ぜしめる重合方法を意味する。重合に
際して採用することができる手法としては、例えば、プ
ラズマ重合や光化学的気相成長法(以下、「CVD」と
いう)等のCVDを採用することができるが、本発明に
おいては、装置・設備が簡単なもので済む点から光CV
Dが好ましく採用される。The gas phase polymerization means a polymerization method in which a fluorocarbon compound and oxygen are polymerized in a gas phase in a gas state and a polymerization reaction is caused only in the gas phase. As a method that can be adopted for the polymerization, for example, CVD such as plasma polymerization or photochemical vapor deposition (hereinafter referred to as “CVD”) can be adopted. Light CV from the point of simple things
D is preferably adopted.
【0033】上記の第1及び第2の重合工程について、
図4を参照して説明する。ここで図4は、潤滑層を形成
する際に用いることのできる光反応用のチャンバーを示
す模式図である。図4に示す光反応用のチャンバー11
は、その上方の左右両側面に設けられたレーザー光を透
過するレーザー透過窓12と、下部に設けられた磁気記
録媒体としての磁気ディスク13(支持体上に下地層、
磁性層及び保護層が設けられたもの)を一定間隔をおい
て立設させることができる媒体設置部材14と、上記チ
ャンバー11の上部に設けられたチャンバー内部の減圧
及び大気解放を行うためのバルブ15とを有する。Regarding the above first and second polymerization steps,
This will be described with reference to FIG. Here, FIG. 4 is a schematic diagram showing a photoreaction chamber that can be used when forming the lubricating layer. Chamber 11 for photoreaction shown in FIG.
Is a laser transmission window 12 provided on both left and right side surfaces above the laser transmission window 12 for transmitting laser light, and a magnetic disk 13 as a magnetic recording medium provided below (a base layer on a support,
A medium setting member 14 capable of vertically arranging a magnetic layer and a protective layer) and a valve for decompressing the inside of the chamber provided above the chamber 11 and releasing to the atmosphere. 15 and.
【0034】そして、第1の重合工程に際しては、まず
バルブ15を真空ポンプ(図示せず)に接続して、一
旦、チャンバー11内を減圧して真空(例えば、1×1
0-5〜1Torr)にした後、フッ化炭素系化合物及び
酸素を導入して後述する真空条件とする。次に、エキシ
マレーザー16からのエキシマレーザー光等を磁気ディ
スク13上部とチャンバー天井との間の中央を透過し且
つ磁気ディスク13には当たらないように、図4に示す
矢印方向に照射する。真空条件とは、真空状態のチャン
バー11内にフッ化炭素系化合物と酸素とを導入した状
態を意味し、この状態におけるチャンバー11内の圧力
は、5〜200Torrとすることが好ましい。また、
潤滑層が、磁気ディスク13の全面にわたって均一に形
成されるようにするために、媒体設置部材14は、各磁
気ディスク13をその円周方向に向けて回転させること
ができるようになされている。なお、第1の重合工程
は、数回繰り返されてもよい。In the first polymerization step, first, the valve 15 is connected to a vacuum pump (not shown) to temporarily reduce the pressure in the chamber 11 to vacuum (for example, 1 × 1).
After the 0 -5 ~1Torr), the vacuum conditions described later by introducing a fluorocarbon-based compound and oxygen. Next, an excimer laser beam or the like from the excimer laser 16 is applied in the direction of the arrow shown in FIG. 4 so as to pass through the center between the upper part of the magnetic disk 13 and the chamber ceiling and not hit the magnetic disk 13. The vacuum condition means a state in which a fluorocarbon compound and oxygen are introduced into the chamber 11 in a vacuum state, and the pressure in the chamber 11 in this state is preferably 5 to 200 Torr. Also,
In order for the lubrication layer to be formed uniformly over the entire surface of the magnetic disk 13, the medium setting member 14 can rotate each magnetic disk 13 in the circumferential direction. The first polymerization step may be repeated several times.
【0035】次いで、第2の重合工程に際しては、第1
の重合工程の終了後、バルブ15を大気解放して、第1
の重合工程における真空条件を大気圧条件に戻して、チ
ャンバー11内に水蒸気を導入した後、第1の重合工程
と同様に、減圧して真空にした後、フッ化炭素系化合物
及び酸素を導入して真空条件とし、エキシマレーザー光
等を照射する。ここで、第2の重合工程における「真空
条件」も、第1の重合工程における「真空条件」と同じ
である。Then, in the second polymerization step, the first
After the completion of the polymerization step, the valve 15 is opened to the atmosphere, and the first
After returning the vacuum condition in the polymerization step to atmospheric pressure and introducing water vapor into the chamber 11, after depressurizing and vacuuming as in the first polymerization step, introducing a fluorocarbon compound and oxygen. Then, a vacuum condition is set and irradiation with excimer laser light or the like is performed. Here, the "vacuum condition" in the second polymerization step is the same as the "vacuum condition" in the first polymerization step.
【0036】また、本発明において、水蒸気の導入は、
上述の如く、チャンバー11を大気圧条件とすることに
より大気を導入して行うことが好ましい。この際導入さ
れる大気の相対湿度は、30〜90%であることが好ま
しく、40〜80%であることが更に好ましい。なお、
第2の重合工程も、数回繰り返されてもよい。更に、第
2の重合工程の後に、再度第1の重合工程を行うことも
できる。In the present invention, the introduction of water vapor is
As described above, it is preferable to introduce the atmosphere by setting the chamber 11 under atmospheric pressure. At this time, the relative humidity of the air introduced is preferably 30 to 90%, more preferably 40 to 80%. In addition,
The second polymerization step may also be repeated several times. Furthermore, the first polymerization step can be performed again after the second polymerization step.
【0037】なお、上記の説明において、特に詳述しな
かった点については、従来公知の磁気記録媒体の製造方
法と同様の方法を特に制限なく用いることができる。In the above description, with respect to points not particularly described, the same method as the conventionally known method for manufacturing a magnetic recording medium can be used without particular limitation.
【0038】さらに、本発明において、磁性層の配向性
等を向上させるといった効果を得るため、基板と磁性層
との間に1以上の薄膜を形成してもよい。薄膜の厚さ、
材質等は特に限定されるものではなく、通常用いられる
公知の厚さ、材質でよい。具体的には、Cr又はCr合
金からなる非磁性のCr系層をPVD手段により10〜
100nmの厚さに設けるのが好ましい。Further, in the present invention, one or more thin films may be formed between the substrate and the magnetic layer in order to obtain the effect of improving the orientation of the magnetic layer. Thin film thickness,
The material and the like are not particularly limited, and may be a commonly used known thickness and material. Specifically, a non-magnetic Cr-based layer made of Cr or a Cr alloy is used for 10 to 10 times by PVD means.
The thickness is preferably 100 nm.
【0039】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、前記
のように保護層の成膜工程においてAl−M合金を用い
てスパッタ法により表面に凹凸形状を形成した保護層を
実質的に平滑な磁性層上に設けることを特徴とするもの
である。この場合、磁性層をスパッタ法で成膜している
時には、単一工程で成膜を行えるので有利である。この
ようにして得られる本発明の磁気記録媒体の性能は、以
下の実施例で示されるような磁気ヘッドと磁気記録媒体
との摩擦係数の測定、磁気記録媒体の耐久性試験、及び
成膜安定性試験により、耐摩耗性に優れ、保護層の剥離
のないことが示される優れた媒体である。ここで、摩擦
係数は、CSS(コンタクト・スタート・ストップ)を
所定回数行った後の磁気記録媒体の摩擦係数を測定する
ものである。また、耐久性試験は、CSSを所定回数行
った後の磁気記録媒体を目視検査し、傷の有無について
観察することにより評価する。さらに、成膜安定性は、
同じ条件で複数回成膜を行い、同じ性質の成膜が安定的
に製造できるかどうかをみるものである。In the method of manufacturing a magnetic recording medium of the present invention, the protective layer having the irregular surface formed by the sputtering method using the Al-M alloy in the step of forming the protective layer as described above is substantially smooth. It is characterized by being provided on the magnetic layer. In this case, when the magnetic layer is formed by the sputtering method, the film can be formed in a single step, which is advantageous. The performance of the magnetic recording medium of the present invention thus obtained is measured by measuring the friction coefficient between the magnetic head and the magnetic recording medium as shown in the following examples, durability test of the magnetic recording medium, and film formation stability. It is an excellent medium which shows excellent abrasion resistance and no peeling of the protective layer by a property test. Here, the friction coefficient is to measure the friction coefficient of the magnetic recording medium after CSS (contact start stop) is performed a predetermined number of times. Further, the durability test is evaluated by visually inspecting the magnetic recording medium after performing the CSS a predetermined number of times and observing for the presence of scratches. Furthermore, the film formation stability is
The purpose of this study is to determine whether or not a film having the same properties can be stably manufactured by forming the film multiple times under the same conditions.
【0040】[0040]
【実施例】以下、実施例及び比較例により本発明をさら
に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例等により
なんら限定されるものではない。なお、実施例において
磁性層に最も近い保護層を第1保護層、その上の層を第
2保護層と表す。EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to these Examples. In the examples, the protective layer closest to the magnetic layer is referred to as the first protective layer, and the layer above it is referred to as the second protective layer.
【0041】実施例1〜10 密度1.5g/cm3 、ショア硬度150(HS)のア
モルファスカーボン基板(特公昭60−35333号公
報に記載のもの)を用いて基板を作製した。この基板は
Raが0.8nm(触針式表面粗さ計による評価)であ
る。この基板上に、Arガス圧2mTorr、基板温度
250℃、スパッタ時間1分、投入電力2kWの条件で
DCマグネトロンスパッタリングにより40nm厚さの
Cr層を、続いて同じ条件で40nm厚さのCoCrP
t系合金磁性層を設けた。更に、Arガス圧2mTor
r、基板温度250℃、スパッタ時間1分、投入電力1
〜2kWの条件でDCマグネトロンスパッタリングによ
り表2中の第1保護層を設け、第1保護層上に、Arガ
ス圧2mTorr、基板温度250℃、スパッタ時間1
分、投入電力1kWの条件でDCマグネトロンスパッタ
リングにより表2中の第2保護層を設けた。ここで、保
護層成膜後の表面粗さRaを触針式表面粗さ計により測
定した。表2に結果を示す。なお、実施例及び比較例に
おけるRaの測定は触針式表面粗さ計(Tencor
(株)製、型式P2)を用いて下記の条件で測定した。 触針径:0.6μm(針曲率半径) 触針押し付け圧力:7mg 測定長:250μm×8ヶ所 トレース速度:2.5μm/秒 カットオフ:1.25μm(ローパスフィルタ)Examples 1 to 10 A substrate was prepared using an amorphous carbon substrate having a density of 1.5 g / cm 3 and a Shore hardness of 150 (HS) (described in Japanese Patent Publication No. 60-33333). This substrate has Ra of 0.8 nm (evaluation by a stylus type surface roughness meter). On this substrate, a 40 nm-thick Cr layer was formed by DC magnetron sputtering under the conditions of Ar gas pressure of 2 mTorr, substrate temperature of 250 ° C., sputtering time of 1 minute, and input power of 2 kW, and then 40 nm-thick CoCrP under the same conditions.
A t-based alloy magnetic layer was provided. Furthermore, Ar gas pressure 2 mTorr
r, substrate temperature 250 ° C., sputtering time 1 minute, input power 1
The first protective layer in Table 2 was provided by DC magnetron sputtering under the condition of up to 2 kW, and the Ar gas pressure was 2 mTorr, the substrate temperature was 250 ° C. and the sputtering time was 1 on the first protective layer.
The second protective layer shown in Table 2 was provided by DC magnetron sputtering under the condition that the input power was 1 kW. Here, the surface roughness Ra after forming the protective layer was measured by a stylus type surface roughness meter. The results are shown in Table 2. In addition, the measurement of Ra in Examples and Comparative Examples was performed by a stylus surface roughness meter (Tencor).
It was measured under the following conditions using Model P2 manufactured by Co., Ltd. Stylus diameter: 0.6 μm (needle curvature radius) Stylus pressing pressure: 7 mg Measuring length: 250 μm x 8 places Tracing speed: 2.5 μm / sec Cut-off: 1.25 μm (low pass filter)
【0042】この後、フォンブリンZ03溶液をディッ
プコート法により塗布して表2中の厚さの潤滑層を設
け、図1に示す磁気記録媒体を得た。なお、保護層の厚
さは蛍光X線分析装置(リガク製:システム327
2)、潤滑層の厚さはFT−IR(フーリエ変換型赤外
分光計、パーキンエルマ製)によって測定した。Thereafter, a Fomblin Z03 solution was applied by a dip coating method to form a lubricating layer having the thickness shown in Table 2 to obtain the magnetic recording medium shown in FIG. The thickness of the protective layer depends on the fluorescent X-ray analyzer (manufactured by Rigaku: System 327).
2), the thickness of the lubricating layer was measured by FT-IR (Fourier transform infrared spectrometer, manufactured by Perkin Elmer).
【0043】実施例11 実施例1で製造した、Cr層と磁性層が形成されたアモ
ルファスカーボン基板上に、Arガス圧2mTorr、
基板温度250℃、スパッタ時間1分、投入電力1kW
の条件でDCマグネトロンスパッタリングにより表3中
の第1保護層を設け、この第1保護層上にArガス圧2
mTorr、基板温度250℃、スパッタ時間0.5
分、投入電力1kWの条件でDCマグネトロンスパッタ
リングにより表3中の第2保護層を島状に設けた。ここ
で保護層成膜後の表面粗さRaを測定した。表3に結果
を示す。この後フォンブリンZ03溶液をディップコート
法により塗布して表3中の厚さの潤滑層を設け、図2に
示す磁気記録媒体を得た。Example 11 An Ar gas pressure of 2 mTorr was applied on the amorphous carbon substrate prepared in Example 1 on which the Cr layer and the magnetic layer were formed.
Substrate temperature 250 ° C, sputtering time 1 minute, input power 1kW
The first protective layer shown in Table 3 was provided by DC magnetron sputtering under the conditions described above, and an Ar gas pressure of 2 was provided on the first protective layer.
mTorr, substrate temperature 250 ° C., sputtering time 0.5
The second protective layer shown in Table 3 was provided in an island shape by DC magnetron sputtering under the condition that the input power was 1 kW. Here, the surface roughness Ra after forming the protective layer was measured. The results are shown in Table 3. Thereafter, a Fomblin Z03 solution was applied by a dip coating method to form a lubricating layer having the thickness shown in Table 3 to obtain the magnetic recording medium shown in FIG.
【0044】実施例12 実施例1で製造した、Cr層と磁性層が形成されたアモ
ルファスカーボン基板上に、Arガス圧2mTorr、
基板温度250℃、スパッタ時間1.5分、投入電力2
kWの条件でDCマグネトロンスパッタリングにより表
3中の第1保護層を設けた。ここで、保護層成膜後の表
面粗さRaを測定した。表3に結果を示す。この後、フ
ォンブリンZ03溶液をディップコート法により塗布し
て表3中の厚さの潤滑層を設け、図3に示す磁気記録媒
体を得た。Example 12 An Ar gas pressure of 2 mTorr was applied on the amorphous carbon substrate having the Cr layer and the magnetic layer formed in Example 1.
Substrate temperature 250 ° C, sputtering time 1.5 minutes, input power 2
The first protective layer in Table 3 was provided by DC magnetron sputtering under the condition of kW. Here, the surface roughness Ra after forming the protective layer was measured. The results are shown in Table 3. After that, a Fomblin Z03 solution was applied by a dip coating method to provide a lubricating layer having the thickness shown in Table 3 to obtain the magnetic recording medium shown in FIG.
【0045】実施例13 Al基板をNiPメッキし、基板を作成した。この基板
のショア硬度は20(HS)、Raは0.8nmであ
る。この基板上に、Arガス圧2mTorr、基板温度
250℃、スパッタ時間1分、投入電力2kWの条件で
DCマグネトロンスパッタリングにより40nm厚さの
Cr層を、続いて同じ条件で40nm厚さのCoCrP
t系合金磁性層を設けた。更に、Arガス圧2mTor
r、基板温度250℃、スパッタ時間1分、投入電力2
kWの条件でDCマグネトロンスパッタリングにより表
3中の第1保護層を設け、この第1保護層上に、Arガ
ス圧2mTorr、基板温度250℃、スパッタ時間1
分、投入電力1kWの条件でDCマグネトロンスパッタ
リングにより表3中の第2保護層を設けた。ここで、保
護層成膜後の表面粗さRaを測定した。表3に結果を示
す。この後、フォンブリンZ03溶液をディップコート
法により塗布して表3中の厚さの潤滑層を設け、図1に
示す磁気記録媒体を得た。Example 13 An Al substrate was plated with NiP to prepare a substrate. The Shore hardness of this substrate is 20 (HS), and Ra is 0.8 nm. On this substrate, a 40 nm-thick Cr layer was formed by DC magnetron sputtering under the conditions of Ar gas pressure of 2 mTorr, substrate temperature of 250 ° C., sputtering time of 1 minute, and input power of 2 kW, and then 40 nm-thick CoCrP under the same conditions.
A t-based alloy magnetic layer was provided. Furthermore, Ar gas pressure 2 mTorr
r, substrate temperature 250 ° C., sputtering time 1 minute, input power 2
The first protective layer shown in Table 3 was provided by DC magnetron sputtering under the condition of kW, and the Ar gas pressure was 2 mTorr, the substrate temperature was 250 ° C., and the sputtering time was 1 on the first protective layer.
The second protective layer shown in Table 3 was provided by DC magnetron sputtering under the condition that the input power was 1 kW. Here, the surface roughness Ra after forming the protective layer was measured. The results are shown in Table 3. Thereafter, a Fomblin Z03 solution was applied by a dip coating method to provide a lubricating layer having the thickness shown in Table 3 to obtain the magnetic recording medium shown in FIG.
【0046】実施例14 強化ガラスを用いて基板を作成した。この基板のショア
硬度は135(HS)、Raは0.8nmである。この
基板上に、Arガス圧2mTorr、基板温度250
℃、スパッタ時間1分、投入電力2kWの条件でDCマ
グネトロンスパッタリングにより40nm厚さのCr層
を、続いて同じ条件で40nm厚さのCoCrPt系合
金磁性層を設けた。更に、Arガス圧2mTorr、基
板温度250℃、スパッタ時間1分、投入電力2kWの
条件でDCマグネトロンスパッタリングにより表3中の
第1保護層を設け、第1保護層上に、Arガス圧2mT
orr、基板温度250℃、スパッタ時間1分、投入電
力1kWの条件でDCマグネトロンスパッタリングによ
り表3中の第2保護層を設けた。ここで、保護層成膜後
の表面粗さRaを測定した。表3に結果を示す。この
後、フォンブリンZ03溶液をディップコート法により
塗布して表3中の厚さの潤滑層を設け、図1に示す磁気
記録媒体を得た。Example 14 A substrate was prepared using tempered glass. The Shore hardness of this substrate is 135 (HS), and Ra is 0.8 nm. Ar gas pressure 2 mTorr, substrate temperature 250 on this substrate.
A 40 nm thick Cr layer was formed by DC magnetron sputtering under the conditions of a temperature of 1 minute, a sputtering time of 1 minute, and an applied power of 2 kW, and subsequently a 40 nm thick CoCrPt-based alloy magnetic layer was formed under the same conditions. Further, the first protective layer in Table 3 was provided by DC magnetron sputtering under the conditions of Ar gas pressure of 2 mTorr, substrate temperature of 250 ° C., sputtering time of 1 minute, and input power of 2 kW, and Ar gas pressure of 2 mT was provided on the first protective layer.
The second protective layer shown in Table 3 was provided by DC magnetron sputtering under the conditions of orr, substrate temperature of 250 ° C., sputtering time of 1 minute, and input power of 1 kW. Here, the surface roughness Ra after forming the protective layer was measured. The results are shown in Table 3. Thereafter, a Fomblin Z03 solution was applied by a dip coating method to provide a lubricating layer having the thickness shown in Table 3 to obtain the magnetic recording medium shown in FIG.
【0047】実施例15〜17 実施例1で製造した、Cr層と磁性層が形成されたアモ
ルファスカーボン基板上に、Arガス圧2mTorr、
O2 分圧10%、基板温度250℃、スパッタ時間1.
5分、投入電力2kWの条件でDCマグネトロンスパッ
タリングにより表3中の第1保護層を設け、第1保護層
上に、Arガス圧2mTorr、基板温度250℃、ス
パッタ時間1分、投入電力1kWの条件でDCマグネト
ロンスパッタリングにより表3中の第2保護層を設け
た。ここで、保護層成膜後の表面粗さRaを測定した。
表3に結果を示す。この後、フォンブリンZ03溶液を
ディップコート法により塗布して表3中の厚さの潤滑層
を設け、図1に示す磁気記録媒体を得た。Examples 15 to 17 Ar gas pressure was 2 mTorr, on the amorphous carbon substrate prepared in Example 1 and having the Cr layer and the magnetic layer formed thereon.
O 2 partial pressure 10%, substrate temperature 250 ° C., sputtering time 1.
The first protective layer in Table 3 was provided by DC magnetron sputtering under the conditions of 5 minutes and input power of 2 kW, and Ar gas pressure of 2 mTorr, substrate temperature of 250 ° C., sputtering time of 1 minute, and input power of 1 kW on the first protection layer. Under the conditions, the second protective layer shown in Table 3 was provided by DC magnetron sputtering. Here, the surface roughness Ra after forming the protective layer was measured.
The results are shown in Table 3. Thereafter, a Fomblin Z03 solution was applied by a dip coating method to provide a lubricating layer having the thickness shown in Table 3 to obtain the magnetic recording medium shown in FIG.
【0048】実施例18 第1保護層の材料を表3に示される合金に変えた以外
は、全て実施例1と同様にして、図1に示す磁気記録媒
体を得た。Example 18 A magnetic recording medium shown in FIG. 1 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the alloy shown in Table 3 was used as the material of the first protective layer.
【0049】実施例19、20 実施例1、2と同様に保護層までを作製し、以下のよう
にして潤滑層を作製した。即ち、保護層が形成された基
板を、CVD装置である図4に示す光反応用のチャンバ
ー11内に所定の間隔を設けて図4に示すように並列配
置し、チャンバー11内を5×10-2Torrに排気し
た後、分圧が10Torrのヘキサフルオロプロペン
(CF3 CF=CF2 )と分圧が60Torrの酸素と
を導入し、ArFエキシマレーザー(波長193nm)
16からのレーザー光(パワー150mJ、繰り返し速
度2Hz)を12.5分間かけて1500パルス照射
し、第1の重合工程を1度行った。Examples 19 and 20 A protective layer was prepared in the same manner as in Examples 1 and 2, and a lubricating layer was prepared as follows. That is, the substrates on which the protective layer is formed are arranged in parallel as shown in FIG. 4 in the photoreaction chamber 11 shown in FIG. 4 which is a CVD device, and the inside of the chamber 11 is 5 × 10 5. After exhausting to -2 Torr, hexafluoropropene (CF 3 CF = CF 2 ) with a partial pressure of 10 Torr and oxygen with a partial pressure of 60 Torr are introduced, and an ArF excimer laser (wavelength 193 nm) is introduced.
A laser beam from 16 (power 150 mJ, repetition rate 2 Hz) was irradiated for 1500 pulses over 12.5 minutes, and the first polymerization step was performed once.
【0050】次いで、チャンバー11をリークして湿度
60%の大気を導入し、大気圧条件にした。この後、再
び、チャンバー11内を5×10-2Torrに排気した
後、分圧が10Torrのヘキサフルオロプロペンと分
圧が60Torrの酸素とを導入し、レーザー光を1
2.5分間かけて1500パルス照射し、第2の重合工
程を1度行った。その結果、保護層上に厚さ2.5nm
の潤滑層を設けた。なお、レーザー光は基板に直接照射
されないよう、図4に示す矢印方向に向けて照射した。
また、光CVDに際して、基板の温度は室温(22℃)
とした。このようにして、保護層の表面に化学結合によ
り重合体分子が固着されてなる固定層(1.7nm)
と、固定層上に形成されたフリー層(0.8nm)とか
ら成る潤滑層を形成した。Next, the chamber 11 was leaked, and an atmosphere having a humidity of 60% was introduced to make atmospheric conditions. After this, the chamber 11 was again evacuated to 5 × 10 -2 Torr, and then hexafluoropropene with a partial pressure of 10 Torr and oxygen with a partial pressure of 60 Torr were introduced to make the laser light 1
The second polymerization step was performed once by irradiating 1500 pulses for 2.5 minutes. As a result, the thickness of the protective layer is 2.5 nm.
Was provided with a lubricating layer. The laser light was irradiated in the direction of the arrow shown in FIG. 4 so that the substrate was not directly irradiated.
Also, the temperature of the substrate is room temperature (22 ° C.) during photo-CVD.
And In this way, a fixed layer (1.7 nm) in which polymer molecules are fixed to the surface of the protective layer by a chemical bond.
And a free layer (0.8 nm) formed on the fixed layer was formed.
【0051】比較例1〜4 実施例14で作成した、Cr層及び磁性層を有するガラ
ス基板に、Arガス圧2mTorr、基板温度180
℃、スパッタ時間1分、投入電力2kWの条件でDCマ
グネトロンスパッタリングにより表4中の第1保護層を
設け、第1保護層の上に、Arガス圧2mTorr、基
板温度250℃、スパッタ時間1分、投入電力2kWの
条件でDCマグネトロンスパッタリングにより表4中の
第2保護層設けた。ここで、保護層成膜後の表面粗さR
aを測定した。表4に結果を示す。この後、フォンブリ
ンZ03溶液をディップコート法により塗布して表4中
の厚さの潤滑層を設け、図1に示す磁気記録媒体を得
た。Comparative Examples 1 to 4 On the glass substrate having the Cr layer and the magnetic layer prepared in Example 14, the Ar gas pressure was 2 mTorr and the substrate temperature was 180.
The first protective layer shown in Table 4 was provided by DC magnetron sputtering under the conditions of ℃, sputtering time of 1 minute, and input power of 2 kW, and Ar gas pressure of 2 mTorr, substrate temperature of 250 ° C., sputtering time of 1 minute on the first protective layer. The second protective layer shown in Table 4 was provided by DC magnetron sputtering under the condition that the input power was 2 kW. Here, the surface roughness R after forming the protective layer
a was measured. The results are shown in Table 4. Thereafter, a Fomblin Z03 solution was applied by a dip coating method to form a lubricating layer having the thickness shown in Table 4 to obtain the magnetic recording medium shown in FIG.
【0052】比較例5〜7 実施例13で作成した、Cr層、磁性層を有するNiP
メッキAl基板上に、Arガス圧2mTorr、基板温
度250℃、スパッタ時間1分、投入電力0.5〜2k
Wの条件でDCマグネトロンスパッタリングにより表4
中の第1保護層を設け、第1保護層上に、Arガス圧2
mTorr、基板温度250℃、スパッタ時間1分、投
入電力0.8kWの条件でDCマグネトロンスパッタリ
ングにより表4中の第2保護層を設けた。ここで、保護
層成膜後の表面粗さRaを測定した。表4に結果を示
す。この後、フォンブリンZ03溶液をディップコート
法により塗布して表4中の厚さの潤滑層を設け、図1に
示す磁気記録媒体を得た。Comparative Examples 5 to 7 NiP prepared in Example 13 having a Cr layer and a magnetic layer
Ar gas pressure 2 mTorr, substrate temperature 250 ° C., sputtering time 1 minute, input power 0.5-2 k on plated Al substrate
Table 4 was obtained by DC magnetron sputtering under the condition of W.
A first protective layer is provided inside, and an Ar gas pressure of 2 is provided on the first protective layer.
The second protective layer in Table 4 was provided by DC magnetron sputtering under the conditions of mTorr, substrate temperature of 250 ° C., sputtering time of 1 minute, and input power of 0.8 kW. Here, the surface roughness Ra after forming the protective layer was measured. The results are shown in Table 4. Thereafter, a Fomblin Z03 solution was applied by a dip coating method to form a lubricating layer having the thickness shown in Table 4 to obtain the magnetic recording medium shown in FIG.
【0053】比較例8 実施例13で作成した、Cr層、磁性層を有するNiP
メッキしたAl基板上に、Arガス圧2mTorr、O
2 分圧10%、基板温度250℃、スパッタ時間1分、
投入電力1〜2.5kWの条件でDCマグネトロンスパ
ッタリングにより表4中の第1保護層を設け、第1保護
層上に、Arガス圧2mTorr、基板温度250℃、
スパッタ時間1分、投入電力0.8kWの条件でDCマ
グネトロンスパッタリングにより表4中の第2保護層を
設けた。ここで、保護層成膜後の表面粗さRaを測定し
た。表4に結果を示す。この後、フォンブリンZ03溶
液をディップコート法により塗布して表4中の厚さの潤
滑層を設け、図1に示す磁気記録媒体を得た。Comparative Example 8 NiP having a Cr layer and a magnetic layer prepared in Example 13
Ar gas pressure of 2 mTorr, O on the plated Al substrate
2 partial pressure 10%, substrate temperature 250 ° C, sputtering time 1 minute,
The first protective layer shown in Table 4 was provided by DC magnetron sputtering under the condition of input power of 1 to 2.5 kW, and Ar gas pressure was 2 mTorr, substrate temperature was 250 ° C. on the first protective layer.
The second protective layer in Table 4 was provided by DC magnetron sputtering under the conditions of a sputtering time of 1 minute and an input power of 0.8 kW. Here, the surface roughness Ra after forming the protective layer was measured. The results are shown in Table 4. Thereafter, a Fomblin Z03 solution was applied by a dip coating method to form a lubricating layer having the thickness shown in Table 4 to obtain the magnetic recording medium shown in FIG.
【0054】比較例9 実施例1で製造した、Cr層と磁性層が形成されたアモ
ルファスカーボン基板上に、Arガス圧2mTorr、
O2 分圧10%、基板温度250℃、スパッタ時間1
分、投入電力2kWの条件でDCマグネトロンスパッタ
リングにより表4中の第1保護層を設け、第1保護層上
に、Arガス圧2mTorr、基板温度250℃、スパ
ッタ時間1分、投入電力0.8kWの条件でDCマグネ
トロンスパッタリングにより表4中の第2保護層を設け
た。ここで、保護層成膜後の表面粗さRaを測定した。
表4に結果を示す。この後、フォンブリンZ03溶液を
ディップコート法により塗布して表4中の厚さの潤滑層
を設け、図1に示す磁気記録媒体を得た。Comparative Example 9 An Ar gas pressure of 2 mTorr was applied on the amorphous carbon substrate prepared in Example 1 and having the Cr layer and the magnetic layer formed thereon.
O 2 partial pressure 10%, substrate temperature 250 ° C., sputtering time 1
The first protective layer shown in Table 4 is provided by DC magnetron sputtering under the conditions of a power input of 2 kW, an Ar gas pressure of 2 mTorr, a substrate temperature of 250 ° C., a sputtering time of 1 minute, and a power of 0.8 kW on the first protective layer. The second protective layer shown in Table 4 was provided by DC magnetron sputtering under the above conditions. Here, the surface roughness Ra after forming the protective layer was measured.
The results are shown in Table 4. Thereafter, a Fomblin Z03 solution was applied by a dip coating method to form a lubricating layer having the thickness shown in Table 4 to obtain the magnetic recording medium shown in FIG.
【0055】なお、試験条件等は次の通りである。 (耐摩耗性について)耐摩耗性は、CSSを10000
0回行った後の磁気記録媒体をハロゲン光源下で目視検
査し、傷の有無により判定した。CSS回数が1000
00に達するまでに摩擦係数が1を超えた場合は、その
時点でCSSを終え、磁気記録媒体を目視検査した。The test conditions are as follows. (About abrasion resistance) As for abrasion resistance, CSS is 10,000
The magnetic recording medium after 0 times was visually inspected under a halogen light source and judged by the presence or absence of scratches. 1000 times of CSS
If the coefficient of friction exceeded 1 before reaching 00, CSS was terminated at that point and the magnetic recording medium was visually inspected.
【0056】CSSは次の条件で行った。ヘッドはヤマ
ハ社製の薄膜ヘッドを用いた。ヘッド荷重は3.5g、
ヘッド浮上量は2.8μインチ、回転数は4500r.
p.m.で5秒間稼働、5秒間停止のサイクルを1回と
し、100000回行った。静摩擦係数(摩擦係数)は
ストレインゲージを用いて随時測定した。CSS was performed under the following conditions. As the head, a thin film head manufactured by Yamaha Corporation was used. Head load is 3.5g,
The head flying height is 2.8 μ inches, and the rotation speed is 4500 r.
p. m. The cycle of 5 seconds of operation for 5 seconds and 1 second of stop was once, and 100,000 times. The static friction coefficient (friction coefficient) was measured at any time using a strain gauge.
【0057】(成膜安定性について)成膜安定性は、同
じ条件で10回磁気記録媒体を作製し、全て同じものが
再現できた例を◎、1〜2回異常なものができた例を○
とした。これらの評価については、表2〜4に示す。(Regarding film formation stability) Regarding film formation stability, a magnetic recording medium was produced 10 times under the same conditions, and the same thing was reproduced in all cases ⊚, and an example in which abnormal one or two times was made ○
And Tables 2 to 4 show these evaluations.
【0058】[0058]
【表2】 [Table 2]
【0059】[0059]
【表3】 [Table 3]
【0060】[0060]
【表4】 [Table 4]
【0061】表2〜4より、本発明の磁気記録媒体はい
ずれも目視検査による傷が見られないため、耐摩耗性に
優れ、保護層の剥離のない優れた媒体であることが分か
った。また、摩擦係数の上昇率も抑制され耐久性の優れ
た媒体を得ることが出来た(実施例1〜20)。一方、
保護層にAl−M合金を用いずに作製した磁気記録媒体
は、いずれも傷が見られ、本発明品のものより耐摩耗性
等に劣ることが分かった(比較例1〜9)。From Tables 2 to 4, it was found that all the magnetic recording media of the present invention were excellent in abrasion resistance and had no peeling of the protective layer because no scratch was observed by visual inspection. Further, it was possible to obtain a medium having excellent durability in which the rate of increase in the friction coefficient was suppressed (Examples 1 to 20). on the other hand,
It was found that the magnetic recording media produced without using the Al-M alloy for the protective layer were all scratched, and were inferior in wear resistance and the like to those of the products of the present invention (Comparative Examples 1 to 9).
【0062】[0062]
【発明の効果】本発明によれば、保護層の剥離が抑えら
れた、耐摩耗性に優れた磁気記録媒体を作製することが
できる。さらに、本発明によれば、成膜プロセスのみで
磁気記録媒体を作製できるため、磁性層をスパッタ法で
成膜している時には、単一工程で成膜を行えるので有利
である。According to the present invention, it is possible to manufacture a magnetic recording medium having excellent abrasion resistance, in which peeling of the protective layer is suppressed. Further, according to the present invention, since the magnetic recording medium can be produced only by the film forming process, it is advantageous that the film can be formed in a single step when the magnetic layer is formed by the sputtering method.
【図1】図1は、本発明の磁気記録媒体の要部断面図で
ある。FIG. 1 is a cross-sectional view of essential parts of a magnetic recording medium of the present invention.
【図2】図2は、本発明の磁気記録媒体の要部断面図で
ある。FIG. 2 is a cross-sectional view of essential parts of a magnetic recording medium of the present invention.
【図3】図3は、本発明の磁気記録媒体の要部断面図で
ある。FIG. 3 is a cross-sectional view of essential parts of a magnetic recording medium of the present invention.
【図4】図4は、本発明における潤滑層の形成に用いる
CVD装置の概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a CVD apparatus used for forming a lubricating layer in the present invention.
1 基板 2 薄膜 3 磁性層 4 第1保護層 5 第2保護層 6 潤滑層 11 チャンバー 12 レーザー透過窓 13 磁気ディスク 14 媒体設置部材 15 バルブ 16 エキシマレーザー 17 パワーメーター 1 Substrate 2 Thin Film 3 Magnetic Layer 4 First Protective Layer 5 Second Protective Layer 6 Lubrication Layer 11 Chamber 12 Laser Transmission Window 13 Magnetic Disk 14 Medium Setting Member 15 Valve 16 Excimer Laser 17 Power Meter
Claims (10)
保護層を設けてなる磁気記録媒体において、該保護層が
実質的に平滑な磁性層上に設けられ、かつ該保護層がA
lとカーバイド形成金属との合金を用いてスパッタ法に
より表面に凹凸形状を形成したものであることを特徴と
する磁気記録媒体。1. A magnetic recording medium comprising a magnetic layer provided on a substrate and a protective layer provided on the magnetic layer, wherein the protective layer is provided on a substantially smooth magnetic layer, and the protective layer is provided on the magnetic layer. A
A magnetic recording medium having an uneven surface formed by a sputtering method using an alloy of 1 and a metal forming a carbide.
である請求項1記載の磁気記録媒体。2. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the protective layer is composed of one or more layers.
lとカーバイド形成金属との合金を用いてスパッタ法に
より表面に凹凸形状を形成したものである請求項2記載
の磁気記録媒体。3. Of the two or more layers, at least one layer is A
The magnetic recording medium according to claim 2, wherein an uneven shape is formed on the surface by a sputtering method using an alloy of 1 and a metal forming a carbide.
a、Ti、Zr、Y、Mo、W、Vからなる群より選ば
れる1種以上である請求項1〜3いずれか記載の磁気記
録媒体。4. The carbide forming metal is Si, Cr, T.
The magnetic recording medium according to any one of claims 1 to 3, which is one or more selected from the group consisting of a, Ti, Zr, Y, Mo, W, and V.
合金の酸化物を含むか、又は全てが酸化物からなる請求
項1〜4いずれか記載の磁気記録媒体。5. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the protective layer contains an oxide of an alloy of Al and a carbide forming metal, or all of the oxide is an oxide.
が、1〜10nmである請求項1〜5いずれか記載の磁
気記録媒体。6. Ra (center line average roughness) of the surface of the protective layer
Is 1 to 10 nm, the magnetic recording medium according to claim 1.
いずれか記載の磁気記録媒体。7. The carbon substrate as the substrate according to claim 1.
The magnetic recording medium according to any one of the above.
いずれか記載の磁気記録媒体。8. A lubricating layer is provided on the surface of the device.
The magnetic recording medium according to any one of the above.
成されている請求項1〜8いずれか記載の磁気記録媒
体。9. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein one or more thin films are formed between the substrate and the magnetic layer.
に保護層を設けてなる磁気記録媒体の製造方法におい
て、Alとカーバイド形成金属との合金を用いてスパッ
タ法により表面に凹凸形状を形成した保護層を実質的に
平滑な磁性層上に設けることを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。10. A method of manufacturing a magnetic recording medium comprising a magnetic layer on a substrate and a protective layer on the magnetic layer, wherein an uneven shape is formed on the surface by sputtering using an alloy of Al and a metal forming a carbide. A method of manufacturing a magnetic recording medium, comprising: providing a protective layer on which is formed a substantially smooth magnetic layer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5336995A JPH08221736A (en) | 1995-02-16 | 1995-02-16 | Magnetic recording medium and its production |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5336995A JPH08221736A (en) | 1995-02-16 | 1995-02-16 | Magnetic recording medium and its production |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08221736A true JPH08221736A (en) | 1996-08-30 |
Family
ID=12940910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5336995A Pending JPH08221736A (en) | 1995-02-16 | 1995-02-16 | Magnetic recording medium and its production |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08221736A (en) |
-
1995
- 1995-02-16 JP JP5336995A patent/JPH08221736A/en active Pending
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