JPH08220317A - 回折格子および光導体の製造方法 - Google Patents
回折格子および光導体の製造方法Info
- Publication number
- JPH08220317A JPH08220317A JP7320311A JP32031195A JPH08220317A JP H08220317 A JPH08220317 A JP H08220317A JP 7320311 A JP7320311 A JP 7320311A JP 32031195 A JP32031195 A JP 32031195A JP H08220317 A JPH08220317 A JP H08220317A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- film
- substrate
- grating
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 72
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 91
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 23
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 23
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 23
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 15
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- -1 Ta2OFive Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910018404 Al2 O3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 66
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 7
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 6
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 6
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 5
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 241000282461 Canis lupus Species 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高屈折率の誘電体皮膜と基板系に結合及び解
離格子を製造する安価で大量生産に適した方法を提供す
る。 【解決手段】 基板上の高屈折率の誘電皮膜に光を結合
及び解離するための回折格子構造を製造する方法におい
て、高屈折率の誘電皮膜及び／又は基板に、同時空間的
に周期的に強度変調した紫外レーザー光を照射し、しか
も強度変調の周期を所望の格子周期に対応して選択す
る。好ましくは、前記強度変調を少なくとも互いに干渉
する２つの紫外レーザー光か、好ましくはマスク構造に
よって行い、前記紫外レーザー光を１つ以上のエキシマ
ーレーザーによって形成し、紫外レーザー光を所定時間
内に、好ましくは１μｓ以下パルス時間で１回以上発振
し、高屈折率の皮膜及び／又は少なくとも基板の表面区
域の屈折率をレーザー光によって空間的に変調する。
離格子を製造する安価で大量生産に適した方法を提供す
る。 【解決手段】 基板上の高屈折率の誘電皮膜に光を結合
及び解離するための回折格子構造を製造する方法におい
て、高屈折率の誘電皮膜及び／又は基板に、同時空間的
に周期的に強度変調した紫外レーザー光を照射し、しか
も強度変調の周期を所望の格子周期に対応して選択す
る。好ましくは、前記強度変調を少なくとも互いに干渉
する２つの紫外レーザー光か、好ましくはマスク構造に
よって行い、前記紫外レーザー光を１つ以上のエキシマ
ーレーザーによって形成し、紫外レーザー光を所定時間
内に、好ましくは１μｓ以下パルス時間で１回以上発振
し、高屈折率の皮膜及び／又は少なくとも基板の表面区
域の屈折率をレーザー光によって空間的に変調する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上の誘導体皮
膜に回折格子構造を製造する方法、及び得られる回折構
造を有する光導体に関する。
膜に回折格子構造を製造する方法、及び得られる回折構
造を有する光導体に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１に大要が示されているように、光は
ガラス繊維と類似に平面基板上の皮膜２内でも伝送され
る。この場合前提となるのは、皮膜の屈折率は基板１の
屈折率及び周囲３の屈折率よりも高く、系全体１、２、
３の光学的損失が十分に低いことである。
ガラス繊維と類似に平面基板上の皮膜２内でも伝送され
る。この場合前提となるのは、皮膜の屈折率は基板１の
屈折率及び周囲３の屈折率よりも高く、系全体１、２、
３の光学的損失が十分に低いことである。
【０００３】基板１上に付着した導波性を有する高屈折
率の誘電体皮膜は、膜厚と基板１、皮膜２及び周囲３の
屈折率を適当に選択すれば、周囲に減衰する強度の大き
いエバネッセント領域４を持つ。ここで、エバネッセン
ト領域４とは、伝送されたモードの領域の、周囲媒質中
を通る部分を言う。高屈折率の皮膜のエバネッセント領
域は、物理学的、化学的分析で多用されている。この場
合、周囲媒質３は、原則として被分析物であるか、ある
いは被分析物を含んでいる。
率の誘電体皮膜は、膜厚と基板１、皮膜２及び周囲３の
屈折率を適当に選択すれば、周囲に減衰する強度の大き
いエバネッセント領域４を持つ。ここで、エバネッセン
ト領域４とは、伝送されたモードの領域の、周囲媒質中
を通る部分を言う。高屈折率の皮膜のエバネッセント領
域は、物理学的、化学的分析で多用されている。この場
合、周囲媒質３は、原則として被分析物であるか、ある
いは被分析物を含んでいる。
【０００４】これと異なり、通信技術に使用されるガラ
ス繊維や平面導波路では、周囲に減衰するエバネッセン
ト強度は非常に小さい。伝送された波長を励起するため
に、光、好ましくはレーザー光１１を皮膜に結合及び／
又は解離しなければならない。文献（Ｐ．Ｋ．Ｔｉｅ
ｎ、Ａｐｐｌ．Ｏｐｔｉｃｓ、Ｖｏｌ．１０、Ｎｏｖ．
１９７１、２３９５−２４１３ページ）により、光を導
波皮膜に結合する方法として、プリズムによる結合、端
面を通した結合及び結合格子６を用いた結合の３通りが
知られている。このうち、大量分析に応用するには結合
格子を用いた結合が最も好適と思われる。なぜならばこ
の場合、繁雑な機械的調整を省略できるからである。結
合格子(Koppelgitter)の作用は、入射光の一部を回折に
よって高屈折率の皮膜に結合することである。結合格子
の正確な作用方式は、例えばＴ．Ｔａｍｉｒ、Ｓ．Ｔ．
Ｐｅｎｇ、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．１４、２３５−２５４
ページ（１９７７）に記載されている。
ス繊維や平面導波路では、周囲に減衰するエバネッセン
ト強度は非常に小さい。伝送された波長を励起するため
に、光、好ましくはレーザー光１１を皮膜に結合及び／
又は解離しなければならない。文献（Ｐ．Ｋ．Ｔｉｅ
ｎ、Ａｐｐｌ．Ｏｐｔｉｃｓ、Ｖｏｌ．１０、Ｎｏｖ．
１９７１、２３９５−２４１３ページ）により、光を導
波皮膜に結合する方法として、プリズムによる結合、端
面を通した結合及び結合格子６を用いた結合の３通りが
知られている。このうち、大量分析に応用するには結合
格子を用いた結合が最も好適と思われる。なぜならばこ
の場合、繁雑な機械的調整を省略できるからである。結
合格子(Koppelgitter)の作用は、入射光の一部を回折に
よって高屈折率の皮膜に結合することである。結合格子
の正確な作用方式は、例えばＴ．Ｔａｍｉｒ、Ｓ．Ｔ．
Ｐｅｎｇ、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．１４、２３５−２５４
ページ（１９７７）に記載されている。
【０００５】〔定義〕高屈折率の誘電体皮膜とは、屈折
率が基板の屈折率より１０％以上大きい皮膜を言う。一
般に用いられる屈折率ＮSubstrat≒１．５の基板に対
し、皮膜の屈折率はＮ＞１．６５、特にＮ＞１．７５と
すべきである。材料にはＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5、ＨｆＯ
2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｙ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 など
の酸化物を用いる。Ａｌ、Ｓｉ及びＨｆの窒化物及びそ
れらのオキシ窒化物も用いられる。例えば、ＴｉＯ2 と
ＳｉＯ2 との混合物も、屈折率を混合比に応じて調整す
る可能性によって用いられる。高屈折率の誘電体皮膜の
材料に、それ自体低屈折率の物質、例えばＳｉＯ2 を添
加する場合は、必ず上記の皮膜が「高屈折率」であり続
ける範囲で行う。
率が基板の屈折率より１０％以上大きい皮膜を言う。一
般に用いられる屈折率ＮSubstrat≒１．５の基板に対
し、皮膜の屈折率はＮ＞１．６５、特にＮ＞１．７５と
すべきである。材料にはＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5、ＨｆＯ
2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｙ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 など
の酸化物を用いる。Ａｌ、Ｓｉ及びＨｆの窒化物及びそ
れらのオキシ窒化物も用いられる。例えば、ＴｉＯ2 と
ＳｉＯ2 との混合物も、屈折率を混合比に応じて調整す
る可能性によって用いられる。高屈折率の誘電体皮膜の
材料に、それ自体低屈折率の物質、例えばＳｉＯ2 を添
加する場合は、必ず上記の皮膜が「高屈折率」であり続
ける範囲で行う。
【０００６】導波路には、上記の高屈折率の材料からな
る個別の皮膜だけでなく、上記の高屈折率の皮膜を少な
くとも１つ含んだ複数の皮膜からなる系を用いることも
できる。例えば特に、基板と高屈折率の皮膜の間及び／
又は周囲と高屈折率の皮膜の間に、ＳｉＯ2 からなる薄
い中間皮膜を導入することが、例えばＰＣＴ第９２／１
９９７６号公開明細書などに従い可能である。
る個別の皮膜だけでなく、上記の高屈折率の皮膜を少な
くとも１つ含んだ複数の皮膜からなる系を用いることも
できる。例えば特に、基板と高屈折率の皮膜の間及び／
又は周囲と高屈折率の皮膜の間に、ＳｉＯ2 からなる薄
い中間皮膜を導入することが、例えばＰＣＴ第９２／１
９９７６号公開明細書などに従い可能である。
【０００７】導波路とは、皮膜内で伝送されたモードを
損失＜５０ｄＢ／ｃｍ、特に＜１０ｄＢ／ｃｍで励起で
きる皮膜を言う。基板材料として、例えばケイ素、種々
のガラス、セラミック材料又はプラスチック、例えばポ
リカーボネート、ＰＭＭＡ、ポリスチロールなどが用い
られる。結合格子に必要であるような空間的周期は、使
用する光の波長と同程度であり、特に可視光に対しては
３００ｎｍと１０００ｎｍの間であり、赤外領域に対し
ては対応して大きい（Ｔ．Ｔａｍｉｒ、上掲箇所参
照）。
損失＜５０ｄＢ／ｃｍ、特に＜１０ｄＢ／ｃｍで励起で
きる皮膜を言う。基板材料として、例えばケイ素、種々
のガラス、セラミック材料又はプラスチック、例えばポ
リカーボネート、ＰＭＭＡ、ポリスチロールなどが用い
られる。結合格子に必要であるような空間的周期は、使
用する光の波長と同程度であり、特に可視光に対しては
３００ｎｍと１０００ｎｍの間であり、赤外領域に対し
ては対応して大きい（Ｔ．Ｔａｍｉｒ、上掲箇所参
照）。
【０００８】図２ａ、ｂ及びｃには、結合格子として作
用する公知の光学配置構成が示されている。図２ａに
は、導波皮膜２を付着させた平面基板１が示されてい
る。皮膜２には、表面レリーフがエッチングされてい
る。図２ｂに示すような、構造を付与された基板に導波
皮膜２を設けた構造も、やはり結合格子として作用す
る。
用する公知の光学配置構成が示されている。図２ａに
は、導波皮膜２を付着させた平面基板１が示されてい
る。皮膜２には、表面レリーフがエッチングされてい
る。図２ｂに示すような、構造を付与された基板に導波
皮膜２を設けた構造も、やはり結合格子として作用す
る。
【０００９】図２ａ及び２ｂは、例えば欧州特許出願第
０２２６６０４号公開明細書に従う、工業的仕様を示し
ている。図２ａに示す配置構成は、最初に基板１に被覆
する。それから、例えば写真平版法、次いでエッチング
により、高屈折率の皮膜２の膜厚を変化させる。そうす
ることによって、「導波路内格子」（ＧＩＷ）が生じ
る。格子の空間的周期Λは７５０ｎｍ、格子深さｄは約
１０ｎｍである。膜厚は、屈折率ＮSubstrat＝１．５３
１５のＣ７０５９からなる基板に付着させた屈折率Ｎ＝
２．２のＴａ2 Ｏ5で１５５ｎｍである。
０２２６６０４号公開明細書に従う、工業的仕様を示し
ている。図２ａに示す配置構成は、最初に基板１に被覆
する。それから、例えば写真平版法、次いでエッチング
により、高屈折率の皮膜２の膜厚を変化させる。そうす
ることによって、「導波路内格子」（ＧＩＷ）が生じ
る。格子の空間的周期Λは７５０ｎｍ、格子深さｄは約
１０ｎｍである。膜厚は、屈折率ＮSubstrat＝１．５３
１５のＣ７０５９からなる基板に付着させた屈折率Ｎ＝
２．２のＴａ2 Ｏ5で１５５ｎｍである。
【００１０】図２ｂに示す別の構成形態は、最初に基板
に構造を付与し（基板内格子、ＧＩＷ）、その後で被覆
する。格子深さは５〜１０ｎｍである。格子結合器を有
する統合光学センサーの応用例は、次のとおりである。 ・格子結合器を有するセンサー（欧州特許第０２２６６
０４号明細書） ・基板に被覆しホログラフィック格子を用いたセンサー
（ＰＣＴ第９３／０１４８７号公開明細書、欧州特許出
願第０４８２３７７号公開明細書） ・レーザー光をマッハ・ツェンダー干渉計に結合／解離
する目的の位相感受性センサー（欧州特許出願第０４８
７９９２号公開明細書） ・導波路内を通る絶対的強度を測定するためにモード強
度、例えば吸収に比例して信号を発生するセンサーにレ
ーザー光を結合／解離する目的 ・結合格子を一般的な回折構造に拡張して可能なセンサ
ー原理を統合する目的（Ｒ．Ｅ． Ｋｕｎｚ、Ｐｒｏ
ｃ．ＳＰＩＥ，Ｖｏｌ．１５８７（１９９２）、ＰＣＴ
第９２／１９９７６号公開明細書） 図３ａに断面図、図３ｂに斜視図で図式的に示したよう
に、これらの例では、結合格子６か、解離格子７か、伝
送されたモードが通過する面８のいずれかが、センサー
面として作用できる。ＰＣＴ第９３／０１４８７号公開
明細書に従い、ホログラフィック格子もセンサー面とし
て作用できる。
に構造を付与し（基板内格子、ＧＩＷ）、その後で被覆
する。格子深さは５〜１０ｎｍである。格子結合器を有
する統合光学センサーの応用例は、次のとおりである。 ・格子結合器を有するセンサー（欧州特許第０２２６６
０４号明細書） ・基板に被覆しホログラフィック格子を用いたセンサー
（ＰＣＴ第９３／０１４８７号公開明細書、欧州特許出
願第０４８２３７７号公開明細書） ・レーザー光をマッハ・ツェンダー干渉計に結合／解離
する目的の位相感受性センサー（欧州特許出願第０４８
７９９２号公開明細書） ・導波路内を通る絶対的強度を測定するためにモード強
度、例えば吸収に比例して信号を発生するセンサーにレ
ーザー光を結合／解離する目的 ・結合格子を一般的な回折構造に拡張して可能なセンサ
ー原理を統合する目的（Ｒ．Ｅ． Ｋｕｎｚ、Ｐｒｏ
ｃ．ＳＰＩＥ，Ｖｏｌ．１５８７（１９９２）、ＰＣＴ
第９２／１９９７６号公開明細書） 図３ａに断面図、図３ｂに斜視図で図式的に示したよう
に、これらの例では、結合格子６か、解離格子７か、伝
送されたモードが通過する面８のいずれかが、センサー
面として作用できる。ＰＣＴ第９３／０１４８７号公開
明細書に従い、ホログラフィック格子もセンサー面とし
て作用できる。
【００１１】図４に、結合格子６もしくは解離格子７を
有するマッハ・ツェンダー干渉計の例を示す。このよう
な統合光学センサーの製造プロセスは、次の２つのサブ
グループに分けることができる。 １．特定の屈折率と特定の膜厚を有する被覆 ２．結合格子の製造 被覆には、比較的安価な解決法、例えばＰＶＤ法（蒸
着、スパッタリングなど）、ＣＶＤ法、ＰＥＣＶＤ法、
イオンメッキ法又はゾル・ゲル法を用いることができ
る。コストの最大部分は、結合格子を製造する間に発生
する。これについて以下の方法が知られている。
有するマッハ・ツェンダー干渉計の例を示す。このよう
な統合光学センサーの製造プロセスは、次の２つのサブ
グループに分けることができる。 １．特定の屈折率と特定の膜厚を有する被覆 ２．結合格子の製造 被覆には、比較的安価な解決法、例えばＰＶＤ法（蒸
着、スパッタリングなど）、ＣＶＤ法、ＰＥＣＶＤ法、
イオンメッキ法又はゾル・ゲル法を用いることができ
る。コストの最大部分は、結合格子を製造する間に発生
する。これについて以下の方法が知られている。
【００１２】１）写真平版法 鉱物ガラス又はセラミックからなる基板上に、写真平版
技法により図２ａ、２ｂ、３及び４に従う表面レリーフ
構造を作製する。このために、場合によって被覆された
基板にラッカーを塗布してから露光し、現像した後にエ
ッチングする。最後の工程で、フォトラッカーを再び取
り除く。この技法は、操作及びそれに必要な機器（洗
浄、ラッカー遠心分離機、露光装置、エッチング装置な
ど）が多いので高価である。
技法により図２ａ、２ｂ、３及び４に従う表面レリーフ
構造を作製する。このために、場合によって被覆された
基板にラッカーを塗布してから露光し、現像した後にエ
ッチングする。最後の工程で、フォトラッカーを再び取
り除く。この技法は、操作及びそれに必要な機器（洗
浄、ラッカー遠心分離機、露光装置、エッチング装置な
ど）が多いので高価である。
【００１３】２）プラスチック上における表面レリーフ
構造の複製 Ｒ．Ｋｕｎｚ、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ、Ｖｏｌ．ｌ５８７
（１９９２）では、プラスチックからなる結合格子を製
造してから被覆することが提案されている。この方法の
長所は、プラスチック基板にとって安価な複製技術、例
えばエンボッシング、射出成型又は注型を利用できると
いう長所がある。
構造の複製 Ｒ．Ｋｕｎｚ、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ、Ｖｏｌ．ｌ５８７
（１９９２）では、プラスチックからなる結合格子を製
造してから被覆することが提案されている。この方法の
長所は、プラスチック基板にとって安価な複製技術、例
えばエンボッシング、射出成型又は注型を利用できると
いう長所がある。
【００１４】基板材料にプラスチックを使用すること
は、次のような短所もある。基板の機械的性質は、ガラ
スの機械的性質ほど正確に知られておらず、ガラスの機
械的性質ほど安定ではなく、高屈折率の皮膜の機械的性
質とは非常に異なっている。プラスチックの熱膨張率
は、ほとんどの高屈折率の誘電体の熱膨張率よりほぼ１
等級大きい。
は、次のような短所もある。基板の機械的性質は、ガラ
スの機械的性質ほど正確に知られておらず、ガラスの機
械的性質ほど安定ではなく、高屈折率の皮膜の機械的性
質とは非常に異なっている。プラスチックの熱膨張率
は、ほとんどの高屈折率の誘電体の熱膨張率よりほぼ１
等級大きい。
【００１５】プラスチックに対する種々の構造付与法も
短所がある。エンボッシングには製造が高価なラムを用
いる。その上、これらの構造付与法は表面粗さを引き起
こして、導波性質に不利な影響を与えることがある。ま
た、プラスチック内のサブ・マイクロメーター構造の再
現性も明らかになっていない。 ３）プラスチックにおける表面レリーフ構造の除去（Ａ
ｂｌａｔｉｏｎ） さらに、紫外レーザー除去によるポリマーにおける表面
レリーフ構造の製造が知られている（ＥＸＩＴＥＣ社カ
タログ、ハンボロー・パーク、ロング・ハンボロー、Ｏ
Ｘ８ ８ＬＨ、イギリス）。
短所がある。エンボッシングには製造が高価なラムを用
いる。その上、これらの構造付与法は表面粗さを引き起
こして、導波性質に不利な影響を与えることがある。ま
た、プラスチック内のサブ・マイクロメーター構造の再
現性も明らかになっていない。 ３）プラスチックにおける表面レリーフ構造の除去（Ａ
ｂｌａｔｉｏｎ） さらに、紫外レーザー除去によるポリマーにおける表面
レリーフ構造の製造が知られている（ＥＸＩＴＥＣ社カ
タログ、ハンボロー・パーク、ロング・ハンボロー、Ｏ
Ｘ８ ８ＬＨ、イギリス）。
【００１６】しかしながら、これまで製作された格子の
深さは約１００ｎｍであり、したがって結合格子として
用いるの必要なものより１桁深い。図２ｃに基板１内の
種々の屈折率の区域９及び９ａで示すように屈折率を変
調するために、感光性基板材料を紫外光で空間的に変調
して露光することも知られている。この目的のために、
特殊な感光性ガラス及びポリマーが知られている（フォ
トラッカー）。
深さは約１００ｎｍであり、したがって結合格子として
用いるの必要なものより１桁深い。図２ｃに基板１内の
種々の屈折率の区域９及び９ａで示すように屈折率を変
調するために、感光性基板材料を紫外光で空間的に変調
して露光することも知られている。この目的のために、
特殊な感光性ガラス及びポリマーが知られている（フォ
トラッカー）。
【００１７】しかし、これらの特殊な材料も高価であ
る。ガラス繊維については、ガラス繊維の光学的性質が
紫外レーザー光の照射によって変化することが、文献か
ら知られている（Ａ．Ｍ．Ｇｌａｓｓ、Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｔｏｄａｙ、１９９３年１０月、３４〜３８ページ、
Ｋ．Ｏ．Ｈｉｌｌｅｔ ａｌ．、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．
Ｌｅｔｔ．３２（１９７８年５月１０、１５日、６４７
ページ））。この場合、変化は概ね、Ｇｅをドープした
繊維のＳｉＯ2 核の屈折率（Δｎ≒１０-2）が示す時間
的に安定した変化である。繊維に干渉性エキシマーレー
ザー光を適当に照射することによって、直接ガラス繊維
の核に位相格子を作ることができる。１つ以上の位相格
子を用いて、反射器、共鳴器、格子結合器、マルチプレ
クサーなど一連の部材を作ることができる。
る。ガラス繊維については、ガラス繊維の光学的性質が
紫外レーザー光の照射によって変化することが、文献か
ら知られている（Ａ．Ｍ．Ｇｌａｓｓ、Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｔｏｄａｙ、１９９３年１０月、３４〜３８ページ、
Ｋ．Ｏ．Ｈｉｌｌｅｔ ａｌ．、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．
Ｌｅｔｔ．３２（１９７８年５月１０、１５日、６４７
ページ））。この場合、変化は概ね、Ｇｅをドープした
繊維のＳｉＯ2 核の屈折率（Δｎ≒１０-2）が示す時間
的に安定した変化である。繊維に干渉性エキシマーレー
ザー光を適当に照射することによって、直接ガラス繊維
の核に位相格子を作ることができる。１つ以上の位相格
子を用いて、反射器、共鳴器、格子結合器、マルチプレ
クサーなど一連の部材を作ることができる。
【００１８】このような部材は波長１３３０ｎｍ及び１
５５０ｎｍで駆動され、そのように設計されている。屈
折率の変化はＧｅドーピングと関連しており、これなく
してこの方法は機能しない。ガラス繊維の核は、低屈折
率のジャケットに埋め込まれている。このような仕方で
製造された部材は通信技術に応用される。
５５０ｎｍで駆動され、そのように設計されている。屈
折率の変化はＧｅドーピングと関連しており、これなく
してこの方法は機能しない。ガラス繊維の核は、低屈折
率のジャケットに埋め込まれている。このような仕方で
製造された部材は通信技術に応用される。
【００１９】次の著作を参照されたい。 ・”Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ”，Ｂｄ．６３，Ｎｒ．１３，２７． Ｓｅｐｔｅｍ
ｂｅｒ １９９３，Ｐ１７２７−１７２９，ＸＰ０００
３９７７７４，Ｍｉｚｒａｈｉ Ｖ ｅｔ ａｌ．，
“Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｌａｓｅｒ ｆａｂｒｉｃ
ａｔｉｏｎ ｏｆ ｕｌｔｒａｓｔｒｏｎｇ ｏｐｔｉ
ｃａｌ ｆｉｂｅｒ ｇｒａｔｉｎｇｓ ａｎｄ ｏｆ
ｇｅｒｍａｎｉａ−ｄｏｐｅｄ ｃｈａｎｎｅｌ ｗ
ａｖｅ−ｇｕｉｄｅｓ ・Ｐａｔｅｎｔ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ Ｊａｐａ
ｎ， Ｖｏｌ．００９，ｎｏ．０２４（Ｐ−３３１），
１９８５年１月３１日、＆ ＪＰ，Ａ，５９１６８４０
３（住友電工社），１９８４年９月２２日 ・欧州特許出願第５６９１８２号公開明細書（Ａｍｅｒ
ｉｃａｎ Ｔｅｌｅｐｈｏｎｅ ＆ Ｔｅｌｅｇｒａｐ
ｈ），１９９３年１１月１０日 ・米国特許第５１７８９７８号明細書（Ｚａｎｏｎｉ
Ｒａｙｍｏｎｄ ｅｔａｌ．），１９９３年１月１２
日」 ・Ｄａｔａｂａｓｅ ＷＰＩ，Ｓｅｃｔｉｏｎ Ｃｈ，
Ｗｅｅｋ ９３０５，Ｄｅｒｗｅｎｔ Ｐｕｂｌｉｃａ
ｔｉｏｎｓ Ｌｔｄ．，Ｌｏｎｄｏｎ，ＧＢ；Ｃｌａｓ
ｓ Ａ８９，ＡＮ ９３−０４０９２０，＆ ＪＰ−Ａ
−０４ ３６６ ６３７（Ｋｏｍａｔｓｕ Ｓｅｉｒｅ
ｎ ＫＫ），１９９２年１２月１８日 ・”Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ”，Ｂｄ．５９，Ｎｒ．１６，１９９１年１０月１４
日、Ｐ１９２９〜１９３１，ＸＰ ０００２５７４０
７， Ｙｏｕｄｅｎ Ｋ Ｅ ｅｔ ａｌ．，“Ｅｐｉ
ｔａｘｉａｌ ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ ＢＩ１２ＧＥＧＥ
０２０ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｏｐｔｉｃａｌ ｗａｖ
ｅ−ｇｕｉｄｅｓ ｕｓｉｎｇ ｅｘｃｉｍｅｒ ｌａ
ｓｅｒ ａｂｌａｔｉｏｎ”． 本発明の課題は、高屈折率の誘電体皮膜／皮膜系（つま
りフォトラッカーのような有機皮膜ではなく）に、下記
の特質を持った結合／解離格子を製造する、安価で大量
生産に適した方法を提供することである。
ｓ”，Ｂｄ．６３，Ｎｒ．１３，２７． Ｓｅｐｔｅｍ
ｂｅｒ １９９３，Ｐ１７２７−１７２９，ＸＰ０００
３９７７７４，Ｍｉｚｒａｈｉ Ｖ ｅｔ ａｌ．，
“Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｌａｓｅｒ ｆａｂｒｉｃ
ａｔｉｏｎ ｏｆ ｕｌｔｒａｓｔｒｏｎｇ ｏｐｔｉ
ｃａｌ ｆｉｂｅｒ ｇｒａｔｉｎｇｓ ａｎｄ ｏｆ
ｇｅｒｍａｎｉａ−ｄｏｐｅｄ ｃｈａｎｎｅｌ ｗ
ａｖｅ−ｇｕｉｄｅｓ ・Ｐａｔｅｎｔ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ Ｊａｐａ
ｎ， Ｖｏｌ．００９，ｎｏ．０２４（Ｐ−３３１），
１９８５年１月３１日、＆ ＪＰ，Ａ，５９１６８４０
３（住友電工社），１９８４年９月２２日 ・欧州特許出願第５６９１８２号公開明細書（Ａｍｅｒ
ｉｃａｎ Ｔｅｌｅｐｈｏｎｅ ＆ Ｔｅｌｅｇｒａｐ
ｈ），１９９３年１１月１０日 ・米国特許第５１７８９７８号明細書（Ｚａｎｏｎｉ
Ｒａｙｍｏｎｄ ｅｔａｌ．），１９９３年１月１２
日」 ・Ｄａｔａｂａｓｅ ＷＰＩ，Ｓｅｃｔｉｏｎ Ｃｈ，
Ｗｅｅｋ ９３０５，Ｄｅｒｗｅｎｔ Ｐｕｂｌｉｃａ
ｔｉｏｎｓ Ｌｔｄ．，Ｌｏｎｄｏｎ，ＧＢ；Ｃｌａｓ
ｓ Ａ８９，ＡＮ ９３−０４０９２０，＆ ＪＰ−Ａ
−０４ ３６６ ６３７（Ｋｏｍａｔｓｕ Ｓｅｉｒｅ
ｎ ＫＫ），１９９２年１２月１８日 ・”Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ”，Ｂｄ．５９，Ｎｒ．１６，１９９１年１０月１４
日、Ｐ１９２９〜１９３１，ＸＰ ０００２５７４０
７， Ｙｏｕｄｅｎ Ｋ Ｅ ｅｔ ａｌ．，“Ｅｐｉ
ｔａｘｉａｌ ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ ＢＩ１２ＧＥＧＥ
０２０ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｏｐｔｉｃａｌ ｗａｖ
ｅ−ｇｕｉｄｅｓ ｕｓｉｎｇ ｅｘｃｉｍｅｒ ｌａ
ｓｅｒ ａｂｌａｔｉｏｎ”． 本発明の課題は、高屈折率の誘電体皮膜／皮膜系（つま
りフォトラッカーのような有機皮膜ではなく）に、下記
の特質を持った結合／解離格子を製造する、安価で大量
生産に適した方法を提供することである。
【００２０】形態は任意の立体面であることができる
が、好ましくは平面でなければならない。ガラス繊維に
おけるように、高屈折率の導波皮膜のＧｅドーピングは
必要ない。種々の高屈折率の誘電体皮膜材料は、ドーピ
ングなしでも直接構造を付与できる。
が、好ましくは平面でなければならない。ガラス繊維に
おけるように、高屈折率の導波皮膜のＧｅドーピングは
必要ない。種々の高屈折率の誘電体皮膜材料は、ドーピ
ングなしでも直接構造を付与できる。
【００２１】４００ｎｍから１２００ｎｍの光、例えば
６３３ｎｍのＨｅＮｅ光でも作業できるように格子を形
成することが可能でなければならない。この方法は、で
きるだけ基板の材料に依存すべきではない。無機ガラ
ス、セラミック又はプラスチックを使用できなければな
らない。感光性として知られていない基板材料を使用で
きなければならない。
６３３ｎｍのＨｅＮｅ光でも作業できるように格子を形
成することが可能でなければならない。この方法は、で
きるだけ基板の材料に依存すべきではない。無機ガラ
ス、セラミック又はプラスチックを使用できなければな
らない。感光性として知られていない基板材料を使用で
きなければならない。
【００２２】この方法により基板に格子を作ってから被
覆するか、又は既に被覆した基板に構造を付与できなけ
ればならない。表面除去によって結合格子を製造する際
に、格子深さは２０ｎｍ以下、特に１０ｎｍ以下に選択
できるなければならない。格子面積は自由に、好ましく
は１×１ｍｍ2 から８×８ｍｍ2 の範囲で選択できなけ
ればならない。
覆するか、又は既に被覆した基板に構造を付与できなけ
ればならない。表面除去によって結合格子を製造する際
に、格子深さは２０ｎｍ以下、特に１０ｎｍ以下に選択
できるなければならない。格子面積は自由に、好ましく
は１×１ｍｍ2 から８×８ｍｍ2 の範囲で選択できなけ
ればならない。
【００２３】本発明の光導体は主としてセンサー技術に
適していなければならない。
適していなければならない。
【００２４】
【課題を解決するための手段】上記課題は、基板上の高
屈折率の誘電体皮膜に光を結合／解離するための回折格
子構造を製造する方法において、高屈折率の誘電体皮膜
及び／又は基板に、同時空間的に周期的に強度変調した
紫外レーザー光を照射し、しかも強度変調の周期を所望
の格子周期に対応して選択することを特徴とする方法、
及び１つ以上の高屈折率の誘電体皮膜で被覆した基板を
有し、基板に付けた皮膜が光を伝送し、さらに回折構造
を設けた光導体において、前記回折格子が皮膜の屈折率
の周期的変調によって、及び／又は感光性として知られ
ていない基板の屈折率の周期的変調によって形成されて
いることを特徴とする光導体によって達成される。
屈折率の誘電体皮膜に光を結合／解離するための回折格
子構造を製造する方法において、高屈折率の誘電体皮膜
及び／又は基板に、同時空間的に周期的に強度変調した
紫外レーザー光を照射し、しかも強度変調の周期を所望
の格子周期に対応して選択することを特徴とする方法、
及び１つ以上の高屈折率の誘電体皮膜で被覆した基板を
有し、基板に付けた皮膜が光を伝送し、さらに回折構造
を設けた光導体において、前記回折格子が皮膜の屈折率
の周期的変調によって、及び／又は感光性として知られ
ていない基板の屈折率の周期的変調によって形成されて
いることを特徴とする光導体によって達成される。
【００２５】上記方法において、好ましくは、前記強度
変調を少なくとも互いに干渉する２つの紫外レーザー光
か、好ましくはマスク構造によって行い、前記紫外レー
ザー光を１つ以上のエキシマーレーザーによって形成
し、紫外レーザー光を所定時間内に、好ましくは１μｓ
以下、より好ましくは５０ｎｓ以下、さらに好ましくは
約２０ｎｓ以下のパルス時間で１回以上発振し、高屈折
率の皮膜及び／又は少なくとも基板の表面区域の屈折率
をレーザー光によって空間的に変調し、レーザー光の除
去により、高屈折率の少なくとも１つの皮膜の膜厚を変
調するか、又は基板の表面を変調して、それから高屈折
率の皮膜を付着させ、高屈折率の誘電体皮膜の材料の少
なくとも１成分に、ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＨｆＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｙ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、又はＡ
ｌ、Ｓｉ、Ｈｆの窒化物もしくはそれらのオキシ窒化
物、あるいは上記物質の混合物のいずれかを用い、高屈
折率の皮膜の高屈折率の材料に低屈折率の材料、例えば
ＳｉＯ2 を添加し、高屈折率の皮膜と基板及び／又は高
屈折率の皮膜と周囲の間に、低屈折率の皮膜、好ましく
はＳｉＯ2 皮膜を、好ましくは厚さ２０ｎｍ以下で付着
させ、４００ｎｍ≦λ≦１２００ｎｍ、好ましくはλ≦
１０００ｎｍの光を結合／解離するために、前記構造を
平面基板において製造し、高屈折率の皮膜の材料に半導
体をドープし、高屈折率の皮膜を微孔状に付着させる
か、好ましくは密に付着させ、基板材料にガラス、セラ
ミック又は少なくとも大部分有機材料を用い、公知の膜
厚の犠牲皮膜を、基板もしくは高屈折率の皮膜より低い
除去限界値で基板又は高屈折率の皮膜に付け、前記犠牲
皮膜を基板もしくは高屈折率の皮膜まで光によって除去
し、格子を可変周期で製造するか、又は湾曲して製造
し、格子面を紫外レーザー光経路内の絞りによって指定
する。
変調を少なくとも互いに干渉する２つの紫外レーザー光
か、好ましくはマスク構造によって行い、前記紫外レー
ザー光を１つ以上のエキシマーレーザーによって形成
し、紫外レーザー光を所定時間内に、好ましくは１μｓ
以下、より好ましくは５０ｎｓ以下、さらに好ましくは
約２０ｎｓ以下のパルス時間で１回以上発振し、高屈折
率の皮膜及び／又は少なくとも基板の表面区域の屈折率
をレーザー光によって空間的に変調し、レーザー光の除
去により、高屈折率の少なくとも１つの皮膜の膜厚を変
調するか、又は基板の表面を変調して、それから高屈折
率の皮膜を付着させ、高屈折率の誘電体皮膜の材料の少
なくとも１成分に、ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＨｆＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｙ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、又はＡ
ｌ、Ｓｉ、Ｈｆの窒化物もしくはそれらのオキシ窒化
物、あるいは上記物質の混合物のいずれかを用い、高屈
折率の皮膜の高屈折率の材料に低屈折率の材料、例えば
ＳｉＯ2 を添加し、高屈折率の皮膜と基板及び／又は高
屈折率の皮膜と周囲の間に、低屈折率の皮膜、好ましく
はＳｉＯ2 皮膜を、好ましくは厚さ２０ｎｍ以下で付着
させ、４００ｎｍ≦λ≦１２００ｎｍ、好ましくはλ≦
１０００ｎｍの光を結合／解離するために、前記構造を
平面基板において製造し、高屈折率の皮膜の材料に半導
体をドープし、高屈折率の皮膜を微孔状に付着させる
か、好ましくは密に付着させ、基板材料にガラス、セラ
ミック又は少なくとも大部分有機材料を用い、公知の膜
厚の犠牲皮膜を、基板もしくは高屈折率の皮膜より低い
除去限界値で基板又は高屈折率の皮膜に付け、前記犠牲
皮膜を基板もしくは高屈折率の皮膜まで光によって除去
し、格子を可変周期で製造するか、又は湾曲して製造
し、格子面を紫外レーザー光経路内の絞りによって指定
する。
【００２６】また、上記光導体おいて、好ましくは、光
を結合／解離するための回折格子の周期性を波長４００
ｎｍ〜１２００ｎｍ、好ましくは１０００ｎｍで設計
し、高屈折率の皮膜が、６３３ｎｍの光に対して屈折率
Ｎ≧１．６５を有し、高屈折率の皮膜がＴｉＯ2 及び／
又はＴａ2 Ｏ5 からなり、高屈折率の皮膜と基板との間
及び／又は高屈折率の皮膜の上に、低屈折率の皮膜、好
ましくはＳｉＯ2 皮膜を好ましくは厚さ２０ｎｍ以下で
付着させ、前記基板がガラス、セラミック又はプラスチ
ックからなる。
を結合／解離するための回折格子の周期性を波長４００
ｎｍ〜１２００ｎｍ、好ましくは１０００ｎｍで設計
し、高屈折率の皮膜が、６３３ｎｍの光に対して屈折率
Ｎ≧１．６５を有し、高屈折率の皮膜がＴｉＯ2 及び／
又はＴａ2 Ｏ5 からなり、高屈折率の皮膜と基板との間
及び／又は高屈折率の皮膜の上に、低屈折率の皮膜、好
ましくはＳｉＯ2 皮膜を好ましくは厚さ２０ｎｍ以下で
付着させ、前記基板がガラス、セラミック又はプラスチ
ックからなる。
【００２７】
【発明の実施の形態】本発明の方法に従い、同時空間的
に周期的に強度変調した紫外レーザー光、好ましくはエ
キシマーレーザー光により、皮膜内の、及び／又は皮膜
表面の即ち基板表面の複合屈折率、及び／又は膜厚を空
間的に周期的に変える。図２ｄに従い、本発明の光導体
は、高屈折率の誘電体皮膜及び／又は感光性として知ら
れていない基板の屈折率の周期的変化によって形成され
る回折格子構造を有する。
に周期的に強度変調した紫外レーザー光、好ましくはエ
キシマーレーザー光により、皮膜内の、及び／又は皮膜
表面の即ち基板表面の複合屈折率、及び／又は膜厚を空
間的に周期的に変える。図２ｄに従い、本発明の光導体
は、高屈折率の誘電体皮膜及び／又は感光性として知ら
れていない基板の屈折率の周期的変化によって形成され
る回折格子構造を有する。
【００２８】「同時空間的に変調する」とは、面を「走
査する」ことなく同時に加工する面状変調を意味する。
したがって、１つ以上のパルスによる順次加工も、その
意味で同時空間的加工である。図５に従い、紫外光の同
時空間的変調は、図示のように皮膜２で被覆した基板１
の区域１０で、又は皮膜２を被覆する前に基板１の表面
で、２つ以上のコヒーレントなレーザー光１２ａ、１２
ｂを用いたホログラフィック露光によって達成される。
鏡１４ａ及び１４ｂもしくは光線部分１６に図式的に示
されているような、２つのコヒーレント光の分離と、そ
れに続く重ね合わせは、文献、例えばＭ．Ｂｏｒｎ、
Ｅ．Ｗｏｌｆ”Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ ｏｆ Ｏｐｔｉ
ｃｓ”６ｔｈ ｅｄｉｔｉｏｎ、Ｐｅｒｇａｍｏｎ Ｐ
ｒｅｓｓ、２６０ページ以下に詳細に記載されている。
査する」ことなく同時に加工する面状変調を意味する。
したがって、１つ以上のパルスによる順次加工も、その
意味で同時空間的加工である。図５に従い、紫外光の同
時空間的変調は、図示のように皮膜２で被覆した基板１
の区域１０で、又は皮膜２を被覆する前に基板１の表面
で、２つ以上のコヒーレントなレーザー光１２ａ、１２
ｂを用いたホログラフィック露光によって達成される。
鏡１４ａ及び１４ｂもしくは光線部分１６に図式的に示
されているような、２つのコヒーレント光の分離と、そ
れに続く重ね合わせは、文献、例えばＭ．Ｂｏｒｎ、
Ｅ．Ｗｏｌｆ”Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ ｏｆ Ｏｐｔｉ
ｃｓ”６ｔｈ ｅｄｉｔｉｏｎ、Ｐｅｒｇａｍｏｎ Ｐ
ｒｅｓｓ、２６０ページ以下に詳細に記載されている。
【００２９】これによると、図６にも示すように、基板
及び／又は皮膜の所望の区域で格子構造を形成するため
に、フレネルの複プリズム１８を用いて光線分割と、そ
れに続く重ね合わせが行われる。もう１つの好適な可能
性を図７に示す。ここでは被覆した（図示）及び／又は
被覆しない（図示せず）基板１に、同時空間的に変調し
た紫外光を当てるが、その照射はマスク２０を通して行
う。同時に衝突し空間的に変調された紫外光を皮膜及び
／又は基板に照射することによって、皮膜及び／又は基
板で残りの屈折率の空間的変調が達成され、その代替又
は補完として、被覆していない基板１の皮膜及び／又は
表面の材料除去が行われる。上述したように、これは好
都合な仕方である。
及び／又は皮膜の所望の区域で格子構造を形成するため
に、フレネルの複プリズム１８を用いて光線分割と、そ
れに続く重ね合わせが行われる。もう１つの好適な可能
性を図７に示す。ここでは被覆した（図示）及び／又は
被覆しない（図示せず）基板１に、同時空間的に変調し
た紫外光を当てるが、その照射はマスク２０を通して行
う。同時に衝突し空間的に変調された紫外光を皮膜及び
／又は基板に照射することによって、皮膜及び／又は基
板で残りの屈折率の空間的変調が達成され、その代替又
は補完として、被覆していない基板１の皮膜及び／又は
表面の材料除去が行われる。上述したように、これは好
都合な仕方である。
【００３０】さらに、紫外光、特にエキシマーレーザー
光を使用し、他の強力な光源を使用しないので、基板と
皮膜材料の熱負荷は非常に小さく押さえられる。そうす
ることによって、基板の機械的性質及び熱可塑性に対す
る非依存性が実現される。これについては、「Ｇｅｒｈ
ａｒｄｔ、Ｌａｍｂｄａ Ｐｈｙｓｉｋ Ｓｃｉｅｎｃ
ｅ Ｒｅｐｏｒｔ，１９９１年６月」、「Ｍ．Ｃ．Ｇｏ
ｗｅｒ ｅｔ ａｌ．， Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ，Ｖｏ
ｌ．１８３５，１９９２，１３２ページ」を参照された
い。
光を使用し、他の強力な光源を使用しないので、基板と
皮膜材料の熱負荷は非常に小さく押さえられる。そうす
ることによって、基板の機械的性質及び熱可塑性に対す
る非依存性が実現される。これについては、「Ｇｅｒｈ
ａｒｄｔ、Ｌａｍｂｄａ Ｐｈｙｓｉｋ Ｓｃｉｅｎｃ
ｅ Ｒｅｐｏｒｔ，１９９１年６月」、「Ｍ．Ｃ．Ｇｏ
ｗｅｒ ｅｔ ａｌ．， Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ，Ｖｏ
ｌ．１８３５，１９９２，１３２ページ」を参照された
い。
【００３１】本発明の仕方により、空間的に変化した周
期で格子を製造すること、及び種々の格子を重ね合わせ
ることが可能となる。例えば、第１周期を有する基板表
面区域内の格子と、第２周期を有する格子とを、皮膜内
で、又は皮膜表面で重ね合わせたり、湾曲した格子を重
ね合わせることが可能となる。この場合、構造付与によ
って結合格子を製造する際、図２ａ及び２ｂに従う格子
深さｄは一般に臨界的である。なぜならば、結合効率は
それに大きく依存しているからである。結合格子に対す
る典型的な格子深さは、１０ｎｍより小さい。このこと
により、基板、例えばＣ７０５９ガラスとその上に付着
させたＴｉＯ2からなる皮膜が異なる除去限界値を有す
る場合は、「犠牲皮膜(Opferschichten)」を用いること
によって正確な調整が可能となる。最初に、犠牲皮膜を
所望の格子深さの厚さで基板に付着させる。このとき、
被覆時の膜厚は非常に正確に、例えば０．５ｎｍの精度
で調整できる。
期で格子を製造すること、及び種々の格子を重ね合わせ
ることが可能となる。例えば、第１周期を有する基板表
面区域内の格子と、第２周期を有する格子とを、皮膜内
で、又は皮膜表面で重ね合わせたり、湾曲した格子を重
ね合わせることが可能となる。この場合、構造付与によ
って結合格子を製造する際、図２ａ及び２ｂに従う格子
深さｄは一般に臨界的である。なぜならば、結合効率は
それに大きく依存しているからである。結合格子に対す
る典型的な格子深さは、１０ｎｍより小さい。このこと
により、基板、例えばＣ７０５９ガラスとその上に付着
させたＴｉＯ2からなる皮膜が異なる除去限界値を有す
る場合は、「犠牲皮膜(Opferschichten)」を用いること
によって正確な調整が可能となる。最初に、犠牲皮膜を
所望の格子深さの厚さで基板に付着させる。このとき、
被覆時の膜厚は非常に正確に、例えば０．５ｎｍの精度
で調整できる。
【００３２】次に、この薄膜を基板までは除去するが、
基板の除去限界値がより高いのでそれ以上深く除去しな
いで、それからこのようにして作られた格子に、図８に
示すように、さらに所望の膜厚で光学的導波体、すなわ
ち、基板１上の除去された犠牲皮膜２２と、場合によっ
て、破線で示した皮膜２を被覆できる。これと類似に、
皮膜２の材料が犠牲皮膜２２より高い除去限界値を有す
る場合は、図９に示すように、導波皮膜２上に犠牲皮膜
２２を付着させることができる。
基板の除去限界値がより高いのでそれ以上深く除去しな
いで、それからこのようにして作られた格子に、図８に
示すように、さらに所望の膜厚で光学的導波体、すなわ
ち、基板１上の除去された犠牲皮膜２２と、場合によっ
て、破線で示した皮膜２を被覆できる。これと類似に、
皮膜２の材料が犠牲皮膜２２より高い除去限界値を有す
る場合は、図９に示すように、導波皮膜２上に犠牲皮膜
２２を付着させることができる。
【００３３】
【実施例】例１ 基板Ｃ７０５９ 被覆 膜厚１５５ｎｍのＴａ2 Ｏ5 皮膜 照射源 エキシマーレーザー、２４８ｎｍ 変調技術 図６に従うフレネルの複プリズム 基板におけるエネルギー密度 ５０ｍＪ／ｃｍ２ Ｔａ2 Ｏ5 皮膜の除去により、３７５ｎｍの周期Λと格
子深さ５ｎｍの回折格子が生じた。格子構造の断面は三
角形である。
子深さ５ｎｍの回折格子が生じた。格子構造の断面は三
角形である。
【００３４】波長６３３ｎｍの光による回折効率は０．
１％より大きく、約２％であった。例２ 基板Ｃ７０５９ガラス 被覆 ＴｉＯ2 、１２５ｎｍ 照射源 エキシマーレーザー２４８ｎｍ 変調技術 図６に従うフレネルの複プリズム 基板におけるエネルギー密度 ５０ｍＪ／ｃｍ２ 除去により、格子面積８×８ｍｍ2 及び格子周期４４０
ｎｍの回折格子が、格子深さ１ｎｍで得られた。λ＝６
３３ｎｍの光に対する回折効率は、例１と同様であっ
た。例３ 例２に従う基板Ｃ７０５９の代わりに石英ガラスを使用
して、例２の上記の回折格子が面積８ｍｍ2 で作られ
た。この場合、格子は長面側と平行に延びている。
１％より大きく、約２％であった。例２ 基板Ｃ７０５９ガラス 被覆 ＴｉＯ2 、１２５ｎｍ 照射源 エキシマーレーザー２４８ｎｍ 変調技術 図６に従うフレネルの複プリズム 基板におけるエネルギー密度 ５０ｍＪ／ｃｍ２ 除去により、格子面積８×８ｍｍ2 及び格子周期４４０
ｎｍの回折格子が、格子深さ１ｎｍで得られた。λ＝６
３３ｎｍの光に対する回折効率は、例１と同様であっ
た。例３ 例２に従う基板Ｃ７０５９の代わりに石英ガラスを使用
して、例２の上記の回折格子が面積８ｍｍ2 で作られ
た。この場合、格子は長面側と平行に延びている。
【００３５】ここでも、例１と同じ回折効率を示した。
例１、２及び３の比較から、次のことが明らかとなる。 １．皮膜の除去による本発明の回折格子の製造は、使用
する基板にほぼ依存しない（例、１、２：ガラス；例
３：石英、例６以下：プラスチックも参照）。 ２．空間的に変調されたレーザー光の衝突面積を限定す
ることにより、好ましくは変調レーザー光の経路に絞り
構成を設けるだけで、かなり大きい、すなわち結合した
レーザー光（Ф通常約０．８ｍｍ）の衝突面積よりはる
かに大きい格子面積（例２）が得られる同時に、唯一基
準となる延長方向、すなわち格子縞に対して横断方向で
光線直径の延長にほぼ対応した格子面積を得ることにも
成功する（例３）。格子構造に対して横断方向の延長が
結合すべきレーザー光の延長に概ね対応している格子面
の場合は、結合した光は導波皮膜内で、例えば所定の解
離点まで伝播する。
例１、２及び３の比較から、次のことが明らかとなる。 １．皮膜の除去による本発明の回折格子の製造は、使用
する基板にほぼ依存しない（例、１、２：ガラス；例
３：石英、例６以下：プラスチックも参照）。 ２．空間的に変調されたレーザー光の衝突面積を限定す
ることにより、好ましくは変調レーザー光の経路に絞り
構成を設けるだけで、かなり大きい、すなわち結合した
レーザー光（Ф通常約０．８ｍｍ）の衝突面積よりはる
かに大きい格子面積（例２）が得られる同時に、唯一基
準となる延長方向、すなわち格子縞に対して横断方向で
光線直径の延長にほぼ対応した格子面積を得ることにも
成功する（例３）。格子構造に対して横断方向の延長が
結合すべきレーザー光の延長に概ね対応している格子面
の場合は、結合した光は導波皮膜内で、例えば所定の解
離点まで伝播する。
【００３６】ＰＣＴ第９３／０１４８７号公開明細書に
より周知のように、大きい格子面は、センサー面として
作用できる。この場合、結合すべきレーザー光の機械的
位置決めは非臨界的であり、同じ格子において再び結合
した光の一部が再び解離する。いずれの仕方も、所期の
技術に応じて分析に応用できる。例４ 例３と同じ基板、同じ皮膜及び同じ照射源を使用して、
やはりフレネルの複プリズムを用い、基板におけるエネ
ルギー密度を４０ｍＪ／ｃｍ2 としたら、表面を目に見
えるほど除去することなく、被覆した基板で格子面積８
×８ｍｍ2 の回折格子が得られた。
より周知のように、大きい格子面は、センサー面として
作用できる。この場合、結合すべきレーザー光の機械的
位置決めは非臨界的であり、同じ格子において再び結合
した光の一部が再び解離する。いずれの仕方も、所期の
技術に応じて分析に応用できる。例４ 例３と同じ基板、同じ皮膜及び同じ照射源を使用して、
やはりフレネルの複プリズムを用い、基板におけるエネ
ルギー密度を４０ｍＪ／ｃｍ2 としたら、表面を目に見
えるほど除去することなく、被覆した基板で格子面積８
×８ｍｍ2 の回折格子が得られた。
【００３７】回折効率は例３におけるより少し小さかっ
たが、それでも依然として０．１％を上回り、約１％で
あった。この例から分かるように、延長した光線のエネ
ルギー密度が皮膜材料の除去限界値を下回ると（５０ｍ
Ｊ／ｃｍ2 →４０ｍＪ／ｃｍ2 ）、それにもかかわらず
効率的な回折格子が得られる。この場合、石英ガラスも
Ｃ７０５９も、特に感光性として知られていない材料で
ある。
たが、それでも依然として０．１％を上回り、約１％で
あった。この例から分かるように、延長した光線のエネ
ルギー密度が皮膜材料の除去限界値を下回ると（５０ｍ
Ｊ／ｃｍ2 →４０ｍＪ／ｃｍ2 ）、それにもかかわらず
効率的な回折格子が得られる。この場合、石英ガラスも
Ｃ７０５９も、特に感光性として知られていない材料で
ある。
【００３８】この考察に基づく唯一可能な結論は、皮膜
及び／又は特に感光性として知られていない基板もしく
は基板と皮膜の界面における屈折率は、変調光線によっ
て空間的に変調されるということである。例５ 基板 石英ガラス 犠牲皮膜 基板上の３ｎｍのＴｉＯ2 照射源及び変調技術 例３に同じ この例では犠牲皮膜の除去により、格子深さ３ｎｍの回
折格子をが格子周期４４０ｎｍで得ることができた。例６ 基板 ポリカーボネート 被覆 基板上に最初に１０ｎｍのＳｉＯ2 、次に１０ｎｍのＴｉＯ2 照射源 エキシマーレーザー、２４８ｎｍ 変調技術 図６に従う複プリズム ＴｉＯ2 皮膜の除去により、深さ５ｎｍの回折格子が生
じた。回折効率は、例２と同様であった。
及び／又は特に感光性として知られていない基板もしく
は基板と皮膜の界面における屈折率は、変調光線によっ
て空間的に変調されるということである。例５ 基板 石英ガラス 犠牲皮膜 基板上の３ｎｍのＴｉＯ2 照射源及び変調技術 例３に同じ この例では犠牲皮膜の除去により、格子深さ３ｎｍの回
折格子をが格子周期４４０ｎｍで得ることができた。例６ 基板 ポリカーボネート 被覆 基板上に最初に１０ｎｍのＳｉＯ2 、次に１０ｎｍのＴｉＯ2 照射源 エキシマーレーザー、２４８ｎｍ 変調技術 図６に従う複プリズム ＴｉＯ2 皮膜の除去により、深さ５ｎｍの回折格子が生
じた。回折効率は、例２と同様であった。
【００３９】ここではＴｉＯ2 からなる導波皮膜を、ポ
リカーボネート基板上に付着させることができるために
ＳｉＯ2 中間皮膜を設けた。その他の例 変調レーザー光でＴｉＯ2 の除去限界値を下回り、そし
て屈折率変調により例４に従う回折格子が得られた。
リカーボネート基板上に付着させることができるために
ＳｉＯ2 中間皮膜を設けた。その他の例 変調レーザー光でＴｉＯ2 の除去限界値を下回り、そし
て屈折率変調により例４に従う回折格子が得られた。
【００４０】さらに、例６のＳｉＯ2 被覆の前に、ポリ
カーボネート表面の除去により、格子深さ５ｎｍの格子
構造及び上記の格子周期３７５ｎｍの格子構造が得ら
れ、その後で初めてＳｉＯ2 皮膜、次にＴｉＯ2 皮膜を
付着させた。その結果得られた格子の回折効率は、例２
に示すのと同様であった。ポリカーボネート表面の構造
付与は、ＳｉＯ2 皮膜及びＴｉＯ2 皮膜を通して、Ｔｉ
Ｏ2 皮膜に複製されるのが確認できた。
カーボネート表面の除去により、格子深さ５ｎｍの格子
構造及び上記の格子周期３７５ｎｍの格子構造が得ら
れ、その後で初めてＳｉＯ2 皮膜、次にＴｉＯ2 皮膜を
付着させた。その結果得られた格子の回折効率は、例２
に示すのと同様であった。ポリカーボネート表面の構造
付与は、ＳｉＯ2 皮膜及びＴｉＯ2 皮膜を通して、Ｔｉ
Ｏ2 皮膜に複製されるのが確認できた。
【００４１】本発明の仕方により、ポリカーボネートと
いうプラスチックで格子深さ５ｎｍ及び上記の周期の格
子を製造することが可能になったことは、それ自体驚く
べきである。それ以上に驚くべきは、この極めて微細な
構造付与が、その上に被覆しても前述の意味で模写され
ることである。上掲の例に従うすべての回折格子におい
て、回折格子の回折効率の影響を考慮することなく、導
波皮膜を通してＳｉＯ2 皮膜を付着させることができ
た。
いうプラスチックで格子深さ５ｎｍ及び上記の周期の格
子を製造することが可能になったことは、それ自体驚く
べきである。それ以上に驚くべきは、この極めて微細な
構造付与が、その上に被覆しても前述の意味で模写され
ることである。上掲の例に従うすべての回折格子におい
て、回折格子の回折効率の影響を考慮することなく、導
波皮膜を通してＳｉＯ2 皮膜を付着させることができ
た。
【００４２】そうすることによって、本発明に従って製
造した回折格子においても、例えば化学分析に対して、
その都度信頼されたセンサー表面材料を提供する可能性
が維持されている。好ましくはＳｉＯ2 からなる低屈折
率の皮膜を設ける場合、その厚さは２０ｎｍ以下に選択
することが好ましい。導波皮膜又はその上に付着させた
低屈折率の材料の皮膜、特にＳｉＯ2 の皮膜を公知の仕
方で微孔状に、又は好ましくは密に付着させる。こうす
ることにより、分析で知られているように、第１の場合
には好感度の非選択的なセンサーを実現でき、第２の場
合は高選択的で低感度のセンサーを実現できる。これに
ついては、「Ｒ．Ｅ．Ｋｕｎｚ，Ｃ．Ｌ．Ｄｕ ｅｔ
ａｌ．，Ｅｕｒｏｓｅｎｓｏｒｓ ４，Ｐａｐｅｒ Ｂ
６．１；１．−３．１０．１９９０，Ｋａｒｌｓｒｕｈ
ｅ」を参照されたい。
造した回折格子においても、例えば化学分析に対して、
その都度信頼されたセンサー表面材料を提供する可能性
が維持されている。好ましくはＳｉＯ2 からなる低屈折
率の皮膜を設ける場合、その厚さは２０ｎｍ以下に選択
することが好ましい。導波皮膜又はその上に付着させた
低屈折率の材料の皮膜、特にＳｉＯ2 の皮膜を公知の仕
方で微孔状に、又は好ましくは密に付着させる。こうす
ることにより、分析で知られているように、第１の場合
には好感度の非選択的なセンサーを実現でき、第２の場
合は高選択的で低感度のセンサーを実現できる。これに
ついては、「Ｒ．Ｅ．Ｋｕｎｚ，Ｃ．Ｌ．Ｄｕ ｅｔ
ａｌ．，Ｅｕｒｏｓｅｎｓｏｒｓ ４，Ｐａｐｅｒ Ｂ
６．１；１．−３．１０．１９９０，Ｋａｒｌｓｒｕｈ
ｅ」を参照されたい。
【００４３】さらに、上記の格子を作るためには、例え
ば２０ｎｓの変調レーザー光の短いパルスで十分であっ
た。このことの本質的な長所は、製造工程における機械
的振動など、どのような外乱も、格子を取り付ける工作
物及び変調レーザー光の相対的位置に機械的に影響を与
えることができない点である。もちろん、機械的に十分
安定した光学系では一連の連続パルスも使用できる。
ば２０ｎｓの変調レーザー光の短いパルスで十分であっ
た。このことの本質的な長所は、製造工程における機械
的振動など、どのような外乱も、格子を取り付ける工作
物及び変調レーザー光の相対的位置に機械的に影響を与
えることができない点である。もちろん、機械的に十分
安定した光学系では一連の連続パルスも使用できる。
【００４４】本発明の枠内で、波長４００ｎｍから１２
００ｎｍ、好ましくは１０００ｎｍ以下の波長の光を結
合もしくは解離するために、平面基板上に格子を作り、
そして導波皮膜に例えばＧｅをドープすることが完全に
可能である。変調レーザー光の空間的に可変な周期を実
現したことにより、空間的に可変な周期を有する格子を
問題なく製作できる。さらに、変調レーザー光の変調パ
ターンを計画的に湾曲して設計することにより、本発明
に従う湾曲した格子を、場合によって空間的に可変な格
子周期と結合して製作できる。
００ｎｍ、好ましくは１０００ｎｍ以下の波長の光を結
合もしくは解離するために、平面基板上に格子を作り、
そして導波皮膜に例えばＧｅをドープすることが完全に
可能である。変調レーザー光の空間的に可変な周期を実
現したことにより、空間的に可変な周期を有する格子を
問題なく製作できる。さらに、変調レーザー光の変調パ
ターンを計画的に湾曲して設計することにより、本発明
に従う湾曲した格子を、場合によって空間的に可変な格
子周期と結合して製作できる。
【００４５】材料要素としての高屈折率の誘電体皮膜
に、低屈折率として知られている材料を添加するとき
は、必ず皮膜が所定の高屈折率を維持する範囲で行う。
必要ではないが、紫外区域の感度を増すために皮膜材料
に半導体をドープできる。皮膜材料要素として、次の物
質を用いることが好ましい。ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ 5 、Ｈ
ｆＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｚｒ
Ｏ2 、又はＡｌ、Ｓｉ、Ｈｆの窒化物もしくはそれらの
オキシ窒化物、あるいは上記物質の混合物。
に、低屈折率として知られている材料を添加するとき
は、必ず皮膜が所定の高屈折率を維持する範囲で行う。
必要ではないが、紫外区域の感度を増すために皮膜材料
に半導体をドープできる。皮膜材料要素として、次の物
質を用いることが好ましい。ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ 5 、Ｈ
ｆＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｚｒ
Ｏ2 、又はＡｌ、Ｓｉ、Ｈｆの窒化物もしくはそれらの
オキシ窒化物、あるいは上記物質の混合物。
【図１】光伝送に際に生じる状況を説明するために、回
折格子を有する光導体の構造を図式的に示した断面図で
ある。
折格子を有する光導体の構造を図式的に示した断面図で
ある。
【図２】図２のａからｃは、図１に従う光導体における
公知の回折格子構造を示す図である。図２のｄは、本発
明の第１の回折格子構造である。
公知の回折格子構造を示す図である。図２のｄは、本発
明の第１の回折格子構造である。
【図３】図３のａとｂは、公知の光導体構造の断面図と
斜視図である。
斜視図である。
【図４】公知の干渉計構造の平面図である。
【図５】第１の構成例における本発明の態様の説明図で
ある。
ある。
【図６】第２の構成例における本発明の態様の説明図で
ある。
ある。
【図７】第３の構成例における本発明の態様の説明図で
ある。
ある。
【図８】犠牲皮膜を使用した本発明の変形例の説明図で
ある。
ある。
【図９】犠牲皮膜を使用した本発明の第２の変形例の説
明図である。
明図である。
１…基板 ２…皮膜 １２ａ…レーザー光 １２ｂ…レーザー光 １４ａ…鏡 １４ｂ…鏡 ２２…犠牲皮膜
Claims (25)
- 【請求項１】 基板上の高屈折率の誘電体皮膜に光を結
合／解離するための回折格子構造を製造する方法におい
て、高屈折率の誘電体皮膜及び／又は基板に、同時空間
的に周期的に強度変調した紫外レーザー光を照射し、し
かも強度変調の周期を所望の格子周期に対応して選択す
ることを特徴とする方法。 - 【請求項２】 前記強度変調を少なくとも互いに干渉す
る２つの紫外レーザー光か、好ましくはマスク構造によ
って行う、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記紫外レーザー光を１つ以上のエキシ
マーレーザーによって得る、請求項１又は２に記載の方
法。 - 【請求項４】 紫外レーザー光を所定時間内に、好まし
くは１μｓ以下、好ましくは５０ｎｓ以下、好ましくは
約２０ｎｓ以下のパルス時間で１回以上発振する、請求
項１〜３のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項５】 高屈折率の皮膜及び／又は少なくとも基
板の表面区域の屈折率をレーザー光によって空間的に変
調する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項６】 レーザー光の除去により、高屈折率の少
なくとも１つの皮膜の膜厚を変調するか、又は基板の表
面を変調して、それから高屈折率の皮膜を付着させる、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項７】 高屈折率の誘電体皮膜の材料の少なくと
も１成分に、ＴｉＯ 2 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＨｆＯ2 、Ａｌ2
Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｙ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、又はＡｌ、Ｓ
ｉ、Ｈｆの窒化物もしくはそれらのオキシ窒化物、ある
いは上記物質の混合物のいずれかを用いる、請求項１〜
６のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項８】 高屈折率の皮膜の高屈折率の材料に低屈
折率の材料、例えばＳｉＯ2 を添加する、請求項１〜７
のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項９】 高屈折率の皮膜と基板及び／又は高屈折
率の皮膜と周囲の間に、低屈折率の皮膜、好ましくはＳ
ｉＯ2 皮膜を、好ましくは厚さ２０ｎｍ以下で付着させ
る、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１０】 ４００ｎｍ≦λ≦１２００ｎｍ、好ま
しくはλ≦１０００ｎｍの光を結合／解離するために、
前記構造を平面基板において製造する、請求項１〜９の
いずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１１】 高屈折率の皮膜の材料に半導体をドー
プした、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１２】 高屈折率の皮膜を微孔状に付着させる
か、好ましくは密に付着させる、請求項１〜１１のいず
れか１項に記載の方法。 - 【請求項１３】 基板材料にガラス、セラミック又は少
なくとも大部分有機材料を用いる、請求項１〜１２のい
ずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１４】 公知の膜厚の犠牲皮膜を、基板もしく
は高屈折率の皮膜より低い除去限界値で基板又は高屈折
率の皮膜に付け、前記犠牲皮膜を基板もしくは高屈折率
の皮膜まで光によって除去する請求項１〜１３のいずれ
か１項に記載の方法。 - 【請求項１５】 格子を可変周期で製造するか、又は湾
曲して製造する、請求項１〜１４のいずれか１項に記載
の方法。 - 【請求項１６】 格子面を紫外レーザー光経路内の絞り
によって指定する、請求項１〜１５のいずれか１項に記
載の方法。 - 【請求項１７】 １つ以上の高屈折率の誘電体皮膜で被
覆した基板を有し、基板に付けた皮膜が光を伝送し、さ
らに回折構造を設けた光導体において、前記回折格子が
皮膜の屈折率の周期的変調によって、及び／又は感光性
として知られていない基板の屈折率の周期的変調によっ
て形成されていることを特徴とする光導体。 - 【請求項１８】 光を結合／解離するための回折格子の
周期性を波長４００ｎｍ〜１２００ｎｍ、好ましくは１
０００ｎｍで設計する請求項１７に記載の光導体。 - 【請求項１９】 高屈折率の皮膜が、６３３ｎｍの光に
対して屈折率Ｎ≧１．６５を有する、請求項１７又は１
８に記載の光導体。 - 【請求項２０】 高屈折率の皮膜がＴｉＯ2 及び／又は
Ｔａ2 Ｏ5 からなる、請求項１７〜１９のいずれか１項
に記載の光導体。 - 【請求項２１】 高屈折率の皮膜と基板との間及び／又
は高屈折率の皮膜の上に、低屈折率の皮膜、好ましくは
ＳｉＯ2 皮膜を好ましくは厚さ２０ｎｍ以下で付着させ
た、請求項１７〜２０のいずれか１項に記載の光導体。 - 【請求項２２】 前記基板がガラス、セラミック又はプ
ラスチックからなる、請求項１７〜２１のいずれか１項
に記載の光導体。 - 【請求項２３】 請求項１〜１６のいずれか１項に記載
の方法をホログラフィック格子の製造に適用したホログ
ラフィック格子の製造方法。 - 【請求項２４】 請求項１７〜２２のいずれか１項に記
載の光導体を、好ましくは関連したエバネッセント領域
を有するセンサーとして、特に化学分析に応用。 - 【請求項２５】 請求項１〜１６のいずれか１項に記載
の格子製造法を用い、関連したエバネッセント領域を有
する光導体を製造する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH03743/94-8 | 1994-12-09 | ||
| CH03743/94A CH693368A5 (de) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | Verfahren zur Herstellung eines Beugungsgitters, Lichtleiterbauteil sowie deren Verwendungen. |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006153525A Division JP2006251827A (ja) | 1994-12-09 | 2006-06-01 | 回折格子および光導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08220317A true JPH08220317A (ja) | 1996-08-30 |
| JP3902678B2 JP3902678B2 (ja) | 2007-04-11 |
Family
ID=4262547
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32031195A Expired - Fee Related JP3902678B2 (ja) | 1994-12-09 | 1995-12-08 | 回折格子および光導体の製造方法 |
| JP2006153525A Withdrawn JP2006251827A (ja) | 1994-12-09 | 2006-06-01 | 回折格子および光導体の製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006153525A Withdrawn JP2006251827A (ja) | 1994-12-09 | 2006-06-01 | 回折格子および光導体の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5675691A (ja) |
| JP (2) | JP3902678B2 (ja) |
| CH (1) | CH693368A5 (ja) |
| DE (1) | DE19544125B4 (ja) |
| GB (1) | GB2295904B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001134204A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-05-18 | Stanley Electric Co Ltd | 反射型ディスプレイ及びその製造方法 |
| JP2002169010A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Minolta Co Ltd | 回折光学素子 |
| JP2007514136A (ja) * | 2003-10-29 | 2007-05-31 | バイエル・テクノロジー・サービシーズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 光アドレス可能なポリマーに基づく層構造体及び光導波路センサー |
| JP2008209425A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-09-11 | Japan Science & Technology Agency | グレーティング作製方法 |
| WO2015119459A1 (ko) * | 2014-02-07 | 2015-08-13 | 한국기계연구원 | 위조방지 패턴 생성 장치 및 그 방법, 위조방지 패턴 감지 장치 및 그 방법 |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2202308C (en) * | 1996-04-19 | 2001-05-08 | Michihiro Nakai | Optical waveguide grating and production method therefor |
| SE510703C2 (sv) * | 1996-09-17 | 1999-06-14 | Optisk Forskning Inst | Optisk organ samt förfarande vid sådant organ |
| AU729612B2 (en) * | 1996-11-19 | 2001-02-08 | Alcatel | Optical waveguide with Bragg grating |
| US6233381B1 (en) * | 1997-07-25 | 2001-05-15 | Corning Incorporated | Photoinduced grating in oxynitride glass |
| CA2217806A1 (en) * | 1997-10-07 | 1999-04-07 | Mark Farries | Grating and method of providing a grating in an ion diffused waveguide |
| US5982545A (en) * | 1997-10-17 | 1999-11-09 | Industrial Technology Research Institute | Structure and method for manufacturing surface relief diffractive optical elements |
| CA2259350A1 (en) * | 1999-01-20 | 2000-07-20 | Hamid Hatami-Hanza | Method for volume production of optical grating devices with tuning capability |
| AUPP865599A0 (en) * | 1999-02-12 | 1999-03-11 | University Of Sydney, The | Laser etching of waveguide structures |
| US6977137B2 (en) | 1999-07-29 | 2005-12-20 | Corning Incorporated | Direct writing of optical devices in silica-based glass using femtosecond pulse lasers |
| US6573026B1 (en) | 1999-07-29 | 2003-06-03 | Corning Incorporated | Femtosecond laser writing of glass, including borosilicate, sulfide, and lead glasses |
| WO2001023923A1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-04-05 | Corning Incorporated | Deep uv laser internally induced densification in silica glasses |
| US6510263B1 (en) * | 2000-01-27 | 2003-01-21 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Waveguide plate and process for its production and microtitre plate |
| US7058245B2 (en) | 2000-04-04 | 2006-06-06 | Waveguide Solutions, Inc. | Integrated optical circuits |
| US6785433B2 (en) * | 2000-08-09 | 2004-08-31 | Artificial Sensing Instruments Asi Ag | Waveguide grid array and optical measurement arrangement |
| DE60118474T2 (de) * | 2000-08-23 | 2006-09-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung |
| EP1326809B1 (de) * | 2000-09-29 | 2006-09-06 | Schott Ag | Optisches substrat sowie ein verahren zur herstellung optischer substrate |
| US6898350B2 (en) * | 2001-01-18 | 2005-05-24 | General Dynamics Advanced Information Systems, Inc. | Interferometric focusing technique for forming taps in fibers |
| FR2830626B1 (fr) * | 2001-10-04 | 2004-02-27 | Kloe S A | Procede de fabrication de composants optiques integres utilisant des reseaux de bragg et composants optiques ainsi obtenus |
| US6654512B2 (en) * | 2002-01-04 | 2003-11-25 | Codeon Corporation | Buffer layer structures for stabilization of a lithium niobate device |
| DE60218743T2 (de) * | 2002-01-04 | 2007-12-06 | Covega Corp. | Pufferschichtstruktur zur stabilisierung einer lithiumniobat-vorrichtung |
| US6950591B2 (en) * | 2002-05-16 | 2005-09-27 | Corning Incorporated | Laser-written cladding for waveguide formations in glass |
| US7555024B2 (en) | 2003-12-18 | 2009-06-30 | Yeda Research And Development Company Ltd. | Resonator cavity configuration and method |
| WO2008032812A1 (en) | 2006-09-15 | 2008-03-20 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor, method for producing the same, phosphor-containing composition, light-emitting device, image display and illuminating device |
| DE102007058169A1 (de) * | 2007-11-30 | 2009-06-10 | Ovd Kinegram Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Fensters in einem Wertdokument oder Sicherheitsdokument |
| EP2110694B1 (en) * | 2008-04-18 | 2013-08-14 | Sony DADC Austria AG | Method for manufacturing an optical waveguide, optical waveguide, and sensor arrangement |
| US7792402B2 (en) * | 2008-08-25 | 2010-09-07 | Seagate Technology Llc | Apparatus and method for coupling light to a thin film optical waveguide |
| US9791623B2 (en) * | 2009-11-30 | 2017-10-17 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Multilevel leaky-mode resonant optical devices |
| CN101833138B (zh) * | 2010-04-30 | 2012-01-25 | 华中科技大学 | 一种偏振无关光栅耦合器的制作方法 |
| KR101845514B1 (ko) * | 2010-12-17 | 2018-04-04 | 삼성전자주식회사 | 소형 광 변조기 및 이를 포함하는 광 송신기 |
| DE102012103443B4 (de) * | 2012-04-19 | 2015-03-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Reflexionsbeugungsgitter und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US8918746B1 (en) * | 2013-09-04 | 2014-12-23 | Globalfoundries Inc. | Cut mask aware contact enclosure rule for grating and cut patterning solution |
| DE102018100547B4 (de) | 2018-01-11 | 2022-02-03 | Dr. Schneider Kunststoffwerke Gmbh | Beleuchtungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung |
| WO2020048129A1 (en) | 2018-09-07 | 2020-03-12 | Huawei Technologies Co., Ltd. | High refractive index waveguide for augmented reality |
| CN110927107B (zh) * | 2019-12-02 | 2021-07-23 | 四川大学 | 照射双棱镜单侧棱面实现测量材质折射率的方法 |
| CN110927105B (zh) * | 2019-12-02 | 2021-07-20 | 四川大学 | 一种双棱镜材质折射率的测量方法 |
| CN110927108B (zh) * | 2019-12-02 | 2021-07-20 | 四川大学 | 照射双棱镜的棱和底面测量材质折射率的方法 |
| CN111175251B (zh) * | 2020-01-15 | 2021-08-03 | 四川大学 | 照射双棱镜的棱面和底面测量材质折射率的方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59168403A (ja) * | 1983-03-15 | 1984-09-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 露光装置 |
| WO1986001303A1 (en) * | 1984-08-13 | 1986-02-27 | United Technologies Corporation | Method for impressing grating within fiber optics |
| US5080503A (en) * | 1989-12-12 | 1992-01-14 | Ecole Polytechnique | Optical waveguide device and method for making such device |
| GB9007912D0 (en) * | 1990-04-06 | 1990-06-06 | British Telecomm | A method of forming a refractive index grating in an optical waveguide |
| US5208136A (en) * | 1990-09-06 | 1993-05-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Fabricating of integrated optics |
| US5224197A (en) * | 1990-09-06 | 1993-06-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Integrated optics using photodarkened polystyrene |
| US5178978A (en) * | 1990-09-06 | 1993-01-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Fabricating integrated optics |
| US5066133A (en) * | 1990-10-18 | 1991-11-19 | United Technologies Corporation | Extended length embedded Bragg grating manufacturing method and arrangement |
| US5104209A (en) * | 1991-02-19 | 1992-04-14 | Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of Communications | Method of creating an index grating in an optical fiber and a mode converter using the index grating |
| JPH04366637A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-18 | Komatsu Seiren Kk | フラットスクリーン製版における焼き付け方法 |
| JPH0540920A (ja) * | 1991-08-02 | 1993-02-19 | Sony Corp | 複合型磁気ヘツド及びその製造方法 |
| DE4228853C2 (de) * | 1991-09-18 | 1993-10-21 | Schott Glaswerke | Optischer Wellenleiter mit einem planaren oder nur geringfügig gewölbten Substrat und Verfahren zu dessen Herstellung sowie Verwendung eines solchen |
| US5285508A (en) * | 1992-01-14 | 1994-02-08 | Pioneer Electronic Corporation | Optical wavelength converter |
| WO1993018420A1 (en) * | 1992-03-09 | 1993-09-16 | British Telecommunications Public Limited Company | Silica germania glass compositions |
| US5322986A (en) * | 1992-04-06 | 1994-06-21 | Eastman Kodak Company | Methods for preparing polymer stripe waveguides and polymer stripe waveguides prepared thereby |
| US5287427A (en) * | 1992-05-05 | 1994-02-15 | At&T Bell Laboratories | Method of making an article comprising an optical component, and article comprising the component |
| CA2153798C (en) * | 1993-01-29 | 1999-11-23 | Raman Kashyap | Optical device packaging |
| GB2275347A (en) * | 1993-02-19 | 1994-08-24 | Univ Southampton | Optical waveguide grating formed by transverse optical exposure |
-
1994
- 1994-12-09 CH CH03743/94A patent/CH693368A5/de not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-11-27 DE DE19544125A patent/DE19544125B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-12-07 GB GB9525087A patent/GB2295904B/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-12-08 JP JP32031195A patent/JP3902678B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-12-11 US US08/570,161 patent/US5675691A/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-06-01 JP JP2006153525A patent/JP2006251827A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001134204A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-05-18 | Stanley Electric Co Ltd | 反射型ディスプレイ及びその製造方法 |
| JP2002169010A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Minolta Co Ltd | 回折光学素子 |
| JP2007514136A (ja) * | 2003-10-29 | 2007-05-31 | バイエル・テクノロジー・サービシーズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 光アドレス可能なポリマーに基づく層構造体及び光導波路センサー |
| JP2008209425A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-09-11 | Japan Science & Technology Agency | グレーティング作製方法 |
| WO2015119459A1 (ko) * | 2014-02-07 | 2015-08-13 | 한국기계연구원 | 위조방지 패턴 생성 장치 및 그 방법, 위조방지 패턴 감지 장치 및 그 방법 |
| US10388098B2 (en) | 2014-02-07 | 2019-08-20 | Korea Institute Of Machinery & Materials | Apparatus and method of processing anti-counterfeiting pattern, and apparatus and method of detecting anti-counterfeiting pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006251827A (ja) | 2006-09-21 |
| DE19544125A1 (de) | 1996-06-13 |
| GB2295904B (en) | 1999-01-20 |
| US5675691A (en) | 1997-10-07 |
| DE19544125B4 (de) | 2010-11-11 |
| JP3902678B2 (ja) | 2007-04-11 |
| GB2295904A (en) | 1996-06-12 |
| CH693368A5 (de) | 2003-06-30 |
| GB9525087D0 (en) | 1996-02-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08220317A (ja) | 回折格子および光導体の製造方法 | |
| Paterson et al. | Optically inscribed surface relief diffraction gratings on azobenzene‐containing polymers for coupling light into slab waveguides | |
| US5091983A (en) | Optical modulation apparatus and measurement method | |
| US5940568A (en) | Planar optical waveguide, planar optical waveguide with Bragg grating, and method of fabricating such a planar optical waveguide | |
| JP2806417B2 (ja) | 光伝送体の屈折率を選択的に変更する方法と屈折率が変動している光伝送装置 | |
| JPH04230708A (ja) | 外界から保護された集積光学素子及びその製造方法 | |
| US20040047388A1 (en) | Optical device and method for making same | |
| Chou et al. | Subwavelength amorphous silicon transmission gratings and applications in polarizers and waveplates | |
| JP2007528516A (ja) | フォトニック結晶センサ | |
| JPH09508713A (ja) | 光格子 | |
| Park et al. | Polymer-waveguide Bragg-grating devices fabricated using phase-mask lithography | |
| Kempen et al. | Replicated Mach-Zehnder interferometers with focusing grating couplers for sensing applications | |
| US20090098468A1 (en) | Photo-masks and methods of fabricating photonic crystal devices | |
| Hanaizumi et al. | Frontiers related with automatic shaping of photonic crystals | |
| JP3090293B2 (ja) | 光回路及びその製造方法 | |
| Pu et al. | Surface micromachined integrated optic polarization beam splitter | |
| JPH04298702A (ja) | 光回路及びその特性調節方法 | |
| Xu et al. | A silicon nitride grating coupler for efficent coupling bewteen waveguide and fiber | |
| JP2001272559A (ja) | 光導波路素子および半導体レーザ装置 | |
| JPH0720336A (ja) | 光導波路の構造とその製造方法 | |
| KR100562942B1 (ko) | 편광도가 높은 반도체 레이저 장치 | |
| JPH10153718A (ja) | プレーナ形光導波路、ブラッグ格子を有するプレーナ形光導波路、および該プレーナ形光導波路を製造する方法 | |
| Davis et al. | Distributed Bragg deflectors fabricated in sol-gel based waveguides | |
| Escoubas et al. | Optical thin films for micro-components | |
| Hu et al. | An integrated two-stage cascaded Mach-Zehnder device in GaAs |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20040210 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20040216 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040511 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050301 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20050531 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20050603 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050901 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060425 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060601 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061205 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070104 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112 Year of fee payment: 4 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112 Year of fee payment: 4 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112 Year of fee payment: 4 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112 Year of fee payment: 4 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |