JPH08213398A - Method and device for leveling bump of semiconductor element - Google Patents

Method and device for leveling bump of semiconductor element

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JPH08213398A
JPH08213398A JP7018047A JP1804795A JPH08213398A JP H08213398 A JPH08213398 A JP H08213398A JP 7018047 A JP7018047 A JP 7018047A JP 1804795 A JP1804795 A JP 1804795A JP H08213398 A JPH08213398 A JP H08213398A
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JP
Japan
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semiconductor element
bump
suction
semiconductor
bumps
Prior art date
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Application number
JP7018047A
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Japanese (ja)
Inventor
Norito Tsukahara
法人 塚原
Kazuji Azuma
和司 東
Takahiko Yagi
能彦 八木
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods

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Abstract

PURPOSE: To remarkably reduce the time required for performing a bump leveling process so as to shorten the work time of the production of a semiconductor element by leveling the bumps of the element while the element is attracted to and carried by means of a nozzle after the bumps are formed on the electrodes of the element by using gold wires. CONSTITUTION: A capillary 12 driven in the X-, Y-, and Z-directions by means of a capillary driving section 12a forms bumps 3 in a semiconductor element 2 on a bump forming stage 9 by using gold wires. After the bumps are formed, a nozzle 1 attracts the element 2 by suction from the stage 9 and carries the element 2 to a tray 8a. While the element 2 is carried, the bumps 3 are leveled. Namely, the nozzle 1 approaches the element 2 by maintaining the plane 1c of its attracting surface 1b in parallel with the element 2 and makes the height of the bumps 3 uniform by deforming the front end sections of the bumps 3 by bringing the plane 1c into contact with the front ends of the bumps 3.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、基板に半導体素子を高
密度・高信頼性でフリップチップ実装するために、半導
体素子の電極に形成されたバンプの先端をレベリングす
る半導体素子のバンプレベリング方法とその装置に関す
るものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bump leveling method for a semiconductor element for leveling the tips of bumps formed on electrodes of the semiconductor element for flip chip mounting of the semiconductor element on a substrate with high density and high reliability. And the device.

【0002】[0002]

【従来の技術】ワイヤボンディング法を使用し金線でバ
ンプを形成した半導体素子のバンプレベリング方法の従
来例を図7〜図10に基づいて説明する。
2. Description of the Related Art A conventional example of a bump leveling method for a semiconductor device in which bumps are formed of gold wires using a wire bonding method will be described with reference to FIGS.

【0003】図10は、ワイヤボンディング法を使用し
金線で形成されたバンプをレベリングする従来例のバン
プレベリング方法の工程を示し、先ず、バンプを形成す
るために、IC搬送第1工程#1において、半導体素子
が金線でバンプを形成するバンプ形成装置に搬入され、
バンプ形成工程#2において、ワイヤボンディング法を
使用し金線して、半導体素子の素子電極上に金線による
バンプ3を形成する。
FIG. 10 shows the steps of a conventional bump leveling method for leveling bumps formed of gold wires using the wire bonding method. First, in order to form bumps, the first step # 1 of carrying an IC. In, the semiconductor element is carried into a bump forming apparatus for forming bumps with gold wires,
In the bump forming step # 2, a gold wire is used by a wire bonding method to form the bump 3 by the gold wire on the element electrode of the semiconductor element.

【0004】次いで、バンプのレベリングを行うため
に、IC搬送第2工程#13において、図7、図8に示
すように、ワイヤボンディング法で金線を使用してバン
プ付けされた半導体素子2をノズル20が吸着して次工
程に搬送する。この場合、ノズル20は、半導体素子2
のバンプ3には全く接触しない位置で半導体素子2を吸
着している。10は吸着孔である。
Next, in order to perform bump leveling, in the second step # 13 of carrying the IC, as shown in FIGS. 7 and 8, the semiconductor element 2 bumped using a gold wire by the wire bonding method is mounted. The nozzle 20 adsorbs and conveys to the next process. In this case, the nozzle 20 is the semiconductor element 2
The semiconductor element 2 is adsorbed at a position where it does not contact the bump 3 at all. Reference numeral 10 is an adsorption hole.

【0005】IC反転工程#14において、ワイヤボン
ディング法で金線を使用してバンプ付けされた半導体素
子2を、バンプが付いた面が下になるように反転させて
置き直す。
In the IC reversing step # 14, the semiconductor element 2 bumped with a gold wire by the wire bonding method is reversed and replaced so that the bumped surface faces down.

【0006】IC吸着・搬送工程#15において、前工
程で反転された半導体素子2をノズル20で吸着して別
のレベリング装置に搬送する。
In the IC adsorption / conveyance step # 15, the semiconductor element 2 inverted in the previous step is adsorbed by the nozzle 20 and conveyed to another leveling device.

【0007】レベリング工程#16において、図9に示
すように、ノズル20が半導体素子2を吸着しレベリン
グステージ7に押圧することにより、バンプ3の先端を
変形させてバンプ3の高さを均一化し、半導体素子2の
バンプ3のレベリングを行う。この場合、ノズル20
は、図示しない移動部による移動とこの移動部による移
動を制御する制御部とにより、ノズル20が吸着し保持
する半導体素子2のレベリングステージ7に対する平行
状態を維持しながら、半導体素子2をレベリングステー
ジ7に接近させ、所定の押圧でレベリングステージ7に
押し付けるようになっている。押圧の大きさはバンプの
数等に基づいて調整している。
In the leveling step # 16, as shown in FIG. 9, the nozzle 20 attracts the semiconductor element 2 and presses it against the leveling stage 7, whereby the tip of the bump 3 is deformed and the height of the bump 3 is made uniform. Then, the bumps 3 of the semiconductor element 2 are leveled. In this case, the nozzle 20
Is a leveling stage for the semiconductor element 2 while maintaining a parallel state with respect to the leveling stage 7 of the semiconductor element 2 attracted and held by the nozzle 20 by a movement section (not shown) and a control section that controls the movement by this movement section. 7, and is pressed against the leveling stage 7 with a predetermined pressure. The magnitude of pressing is adjusted based on the number of bumps and the like.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来例
の構成では、バンプ形成工程#2とレベリング工程#1
6との間に、バンプ付き半導体素子2を反転して置き直
すIC反転工程#14と、レベリングのために別の設備
に移動させるIC吸着・搬送工程#15とがあり、レベ
リング工程#16のレベリングそのものにもかなりの時
間を要するので、これらの工程が、製造タクトタイム短
縮の障害になるという問題点がある。
However, in the structure of the conventional example described above, the bump forming step # 2 and the leveling step # 1 are performed.
6, there is an IC reversing step # 14 in which the bumped semiconductor element 2 is reversed and replaced, and an IC adsorption / conveying step # 15 for moving the bumped semiconductor element 2 to another facility for leveling. Since the leveling itself requires a considerable amount of time, there is a problem that these steps are an obstacle to shortening the manufacturing tact time.

【0009】本発明は、上記の問題点を解決し、工程数
が減少してタクトタイムが短く、操作が簡単な、半導体
素子のバンプレベリング方法とその装置との提供を課題
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above problems and provide a bump leveling method for semiconductor devices and an apparatus therefor, which reduces the number of steps, shortens the tact time, and is easy to operate.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本願第1発明の半導体素
子のバンプレベリング方法は、上記の課題を解決するた
めに、半導体素子の素子電極上にワイヤボンディング法
を用いてバンプを形成し、バンプが形成された半導体素
子を吸着手段で吸着し搬出する際に、前記半導体素子に
接触する前記吸着手段の吸着面の外周を前記半導体素子
の総ての素子電極が前記吸着面の外周内に収まるように
形成すると共に、前記吸着面の前記バンプに対向する部
分を前記半導体素子に平行な平面に形成し、前記吸着手
段による前記半導体素子の吸着時に、前記半導体素子に
対する前記平面の平行状態を維持しながら前記吸着手段
を前記半導体素子に接近させ、前記平面を前記平行状態
で前記バンプの先端に接触させて、前記バンプの先端部
を変形させ、各バンプの高さを均一化することを特徴と
する。
In order to solve the above-mentioned problems, a bump leveling method for a semiconductor device according to a first aspect of the present invention forms a bump on a device electrode of the semiconductor device by a wire bonding method, When the semiconductor element formed with the suction means is sucked and carried out by the suction means, the outer circumference of the suction surface of the suction means that comes into contact with the semiconductor element fits all the device electrodes of the semiconductor element within the outer circumference of the suction surface. And a portion of the suction surface facing the bump is formed in a plane parallel to the semiconductor element, and the parallel state of the plane to the semiconductor element is maintained when the semiconductor element is suctioned by the suction means. At the same time, the suction means is brought close to the semiconductor element, and the plane is brought into contact with the tips of the bumps in the parallel state to deform the tips of the bumps. Wherein the equalizing the height of the flop.

【0011】本願第2発明の半導体素子のバンプレベリ
ング方法は、上記の課題を解決するために、本願第1発
明の半導体素子のバンプレベリング方法において、吸着
手段の吸着面に所定高さのスペーサーを付加し、前記吸
着手段が半導体素子を吸着する際に、前記スペーサーに
より、前記吸着手段の吸着面の平面を前記半導体素子に
対して平行状態に維持し、且つ、前記平面と前記半導体
素子との距離を一定に維持して、レベリングされた各バ
ンプの高さを揃えることを特徴とする。
In order to solve the above problems, the semiconductor element bump leveling method according to the second aspect of the present invention is the semiconductor element bump leveling method according to the first aspect of the present invention, wherein a spacer having a predetermined height is provided on the suction surface of the suction means. In addition, when the suction means sucks the semiconductor element, the spacer keeps the flat surface of the suction surface of the suction means parallel to the semiconductor element, and the flat surface and the semiconductor element The feature is that the heights of the leveled bumps are made uniform by keeping the distance constant.

【0012】本願第3発明の半導体素子のバンプレベリ
ング装置は、上記の課題を解決するために、前記半導体
素子に接触する吸着面の外周を前記半導体素子の総ての
素子電極が前記吸着面の外周内に収まるように形成され
た吸着手段と、前記吸着面の前記半導体素子の素子電極
上のバンプに対向する部分に形成され前記半導体素子に
平行な平面と、前記吸着手段が前記半導体素子を吸着す
る際に、前記半導体素子に対する前記平面の平行状態を
維持しながら前記吸着手段を前記半導体素子に接近さ
せ、前記平行状態で前記平面を前記バンプの先端に接触
させて、前記バンプの先端部を変形させ、各バンプの高
さを均一化する吸着手段移動部と、前記吸着手段移動部
を制御する吸着手段制御部とを有することを特徴とす
る。
In order to solve the above-mentioned problems, in the bump leveling device for a semiconductor device according to the third aspect of the present invention, all the device electrodes of the semiconductor device are located on the outer periphery of the suction face in contact with the semiconductor device. Adsorption means formed so as to fit within the outer circumference, a plane parallel to the semiconductor element formed at a portion of the adsorption surface facing the bump on the element electrode of the semiconductor element, and the adsorption means attaches the semiconductor element. When sucking, the suction means is brought close to the semiconductor element while maintaining the parallel state of the plane with respect to the semiconductor element, and the plane is brought into contact with the tip of the bump in the parallel state, and the tip of the bump is contacted. And a suction means control section for controlling the suction means movement section.

【0013】本願第4発明の半導体素子のバンプレベリ
ング装置は、上記の課題を解決するために、本願第3発
明の半導体素子のバンプレベリング装置において、吸着
手段の吸着面に、前記吸着手段の吸着面の平面を半導体
素子に対して平行に維持し、且つ、前記平面と前記半導
体素子との距離を一定に維持して、レベリングされた各
バンプの高さを揃える所定高さのスペーサーを付加する
ことを特徴とする。
In order to solve the above problems, a semiconductor element bump leveling device according to a fourth aspect of the present invention is the semiconductor element bump leveling device according to the third aspect of the present invention, wherein the suction surface of the suction means adsorbs the suction means. A spacer having a predetermined height is added to maintain the plane of the surface parallel to the semiconductor element and to keep the distance between the plane and the semiconductor element constant so that the heights of the leveled bumps are equalized. It is characterized by

【0014】又、本願第4発明の半導体素子のバンプレ
ベリング装置は、上記の課題を解決するために、スペー
サーは、吸着手段の吸着面に設けたピンであることが好
適である。
Further, in the bump leveling device for semiconductor elements according to the fourth aspect of the present invention, in order to solve the above problems, it is preferable that the spacer is a pin provided on the suction surface of the suction means.

【0015】又、本願第4発明の半導体素子のバンプレ
ベリング装置は、上記の課題を解決するために、スペー
サーは、吸着手段の吸着面に設けた段差であることが好
適である。
Further, in the bump leveling device for a semiconductor device according to the fourth aspect of the present invention, in order to solve the above problems, it is preferable that the spacer is a step provided on the suction surface of the suction means.

【0016】[0016]

【作用】本願第1発明の半導体素子のバンプレベリング
方法と本願第3発明の半導体素子のバンプレベリング装
置とは、半導体素子の素子電極上にワイヤボンディング
法を用いてバンプを形成し、バンプが形成された半導体
素子を吸着手段で吸着し搬出する際に、前記半導体素子
に接触する前記吸着手段の吸着面の外周を前記半導体素
子の総ての素子電極が前記吸着面の外周内に収まるよう
に形成すると共に、前記吸着面の前記バンプに対向する
部分を前記半導体素子に平行な平面に形成し、前記吸着
手段による前記半導体素子の吸着時に、前記半導体素子
に対する前記平面の平行状態を維持しながら前記吸着手
段を前記半導体素子に接近させ、前記平面を前記平行状
態で前記バンプの先端に接触させて、前記バンプの先端
部を変形させ、各バンプの高さを均一化するので、従来
技術で行っている、バンプ形成後の半導体素子の反転、
別個のレベリング設備でのレベリング等が不要になり、
大幅な工程の削減とタクトタイムの短縮が可能になる。
According to the bump leveling method for a semiconductor element of the first invention of the present application and the bump leveling apparatus for a semiconductor element of the third aspect of the present invention, bumps are formed on the element electrodes of the semiconductor element by the wire bonding method, and the bumps are formed. When carrying out the carried semiconductor device by suction with the suction means, the outer circumference of the suction surface of the suction means that comes into contact with the semiconductor element is set so that all the device electrodes of the semiconductor element fit within the outer circumference of the suction surface. While forming, the portion of the suction surface facing the bump is formed in a plane parallel to the semiconductor element, and while the semiconductor element is sucked by the suction means, while maintaining the parallel state of the plane to the semiconductor element. The suction means is brought close to the semiconductor element, and the plane is brought into contact with the tips of the bumps in the parallel state to deform the tips of the bumps. Since equalizing the height of the lamp is performed in the prior art, reversal of the semiconductor element after bump formation,
There is no need for leveling in a separate leveling facility,
It is possible to significantly reduce the process and shorten the tact time.

【0017】本願第2発明の半導体素子のバンプレベリ
ング方法と本願第4発明の半導体素子のバンプレベリン
グ装置とは、レベリング後のバンプの高さを均一にする
ために、吸着手段の吸着面と半導体素子間の距離を一定
に保持するスペーサーやピンや段差を、吸着手段の吸着
面に有するので、レベリング後のバンプの高さが、面倒
な制御なしに無条件に均一になり、操作が簡単で、且
つ、半導体装置を基板にフリップチップ実装する際に高
信頼性が得られる。
The bump leveling method for a semiconductor device according to the second aspect of the present invention and the bump leveling device for a semiconductor element according to the fourth aspect of the present invention are designed so that the bump surface after the leveling is made uniform and the bump surface of the suction means and the semiconductor. Since there are spacers, pins, and steps on the suction surface of the suction means that keep the distance between elements constant, the height of bumps after leveling is unconditionally uniform without troublesome control, and the operation is easy. In addition, high reliability can be obtained when the semiconductor device is flip-chip mounted on the substrate.

【0018】[0018]

【実施例】本発明の半導体素子のバンプレベリング方法
を使用するバンプレベリング装置の第1実施例を説明す
る。
EXAMPLE A first example of a bump leveling apparatus using the bump leveling method for a semiconductor device of the present invention will be described.

【0019】図1は、ワイヤボンデイング法によるバン
プ形成装置に本実施例を使用した場合の外観を示す斜視
図である。
FIG. 1 is a perspective view showing the external appearance of this embodiment when used in a bump forming apparatus using the wire bonding method.

【0020】本実施例を使用する図1では、半導体素子
を吸着するノズル1は下記の構成になっている。即ち、
図3に示すように、ノズル1の半導体素子2に接触する
吸着面1bの外周が前記半導体素子2の総ての素子電極
11が前記吸着面1bの外周内に収まるように形成され
ており、且つ、前記吸着面1bの前記半導体素子2の素
子電極11上のバンプ3に対向する部分が前記半導体素
子2に平行な平面1cに形成されている。そして、ノズ
ル1は、ノズル移動部1aによってXYZ方向に移動
し、その移動は図示しないノズル制御部によって制御さ
れる。10は空気を吸引することによって半導体素子2
を吸着する吸着穴である。
In FIG. 1 using this embodiment, the nozzle 1 for adsorbing a semiconductor element has the following structure. That is,
As shown in FIG. 3, the outer periphery of the suction surface 1b of the nozzle 1 which is in contact with the semiconductor element 2 is formed so that all the device electrodes 11 of the semiconductor element 2 fit within the outer circumference of the suction surface 1b. Further, a portion of the suction surface 1b facing the bump 3 on the element electrode 11 of the semiconductor element 2 is formed on a plane 1c parallel to the semiconductor element 2. Then, the nozzle 1 is moved in the XYZ directions by the nozzle moving unit 1a, and the movement is controlled by a nozzle control unit (not shown). 10 is a semiconductor element 2 by sucking air
Is a suction hole for sucking.

【0021】本実施例では、図1において、図2に示す
工程でバンプのレベリングを行う。
In this embodiment, bumps are leveled in the step shown in FIG. 2 in FIG.

【0022】先ず、バンプを形成するために、図2のI
C搬入工程#1において、ウエハーよりダイシングされ
た半導体素子が詰められたトレー8が収納箱17に収納
されてトレー供給部15に載置される。前記トレー8
は、トレー供給部15から供給され搬入手段13によっ
て所定位置に搬入される。半導体素子を吸着・搬送する
ノズル1がノズル移動部1aにより前記所定位置にある
トレー8まで移動し半導体素子を吸着し、吸着した半導
体素子をバンプ形成を行うバンプ形成ステージ9の所定
位置まで、次のバンプ形成工程#2のバンプ形成動作に
合わせて順次搬送する。
First, in order to form bumps, I of FIG.
In the C loading step # 1, the tray 8 filled with the semiconductor elements diced from the wafer is stored in the storage box 17 and placed on the tray supply unit 15. The tray 8
Is supplied from the tray supply unit 15 and carried into a predetermined position by the carrying-in means 13. The nozzle 1 for adsorbing / conveying the semiconductor element is moved to the tray 8 at the predetermined position by the nozzle moving unit 1a to adsorb the semiconductor element, and the adsorbed semiconductor element is bumped up to a predetermined position on the bump forming stage 9 for bump formation. The bumps are sequentially conveyed in accordance with the bump forming operation of the bump forming step # 2.

【0023】バンプ形成工程#2において、バンプ形成
ステージ9はステージ移動部9aによってXY方向に移
動し、この移動と組み合わせて、キャピラリー駆動部1
2aにXYZ方向に駆動されるキャピラリー12が、バ
ンプ形成ステージ9上の半導体素子に金線を使用してバ
ンプを形成する。
In the bump forming step # 2, the bump forming stage 9 is moved in the XY directions by the stage moving section 9a, and in combination with this movement, the capillary driving section 1 is moved.
The capillary 12 driven in the XYZ directions on 2a forms bumps on the semiconductor element on the bump formation stage 9 using a gold wire.

【0024】次いでバンプレベリングを行うために、I
C搬送・レベリング工程#3において、ノズル1が図3
に示すようにして、バンプ3が形成された半導体素子2
をバンプ形成ステージ9上から吸着して図1のトレー8
aまで搬送する。トレー8aは一杯になると搬出手段1
4によってトレー搬出部16のトレー収納箱17に収納
される。
Then, in order to perform bump leveling, I
In the C transport / leveling process # 3, the nozzle 1 is moved to the position shown in FIG.
The semiconductor element 2 having the bumps 3 formed thereon as shown in FIG.
1 from the bump forming stage 9 by suction.
Transport to a. When the tray 8a is full, the unloading means 1
The tray 4 is stored in the tray storage box 17 of the tray unloading section 16.

【0025】本実施例では、この搬送作業中にバンプ3
のレベリングを行う。即ち、ノズル1は、半導体素子2
に対する吸着面1bの平面1cの平行状態を維持しなが
ら半導体素子2に接近し、前記平面1cを前記平行状態
で前記バンプ3の先端に接触させて、前記バンプ3の先
端部を変形させ、各バンプ3の高さを均一化する。この
場合に、前記のバンプ3の先端部を変形する力は、ノズ
ル1の吸着力とノズル1をZ方向に移動させる押圧とで
あるが、これらの制御は図示していないノズル制御部に
よって行う。そして、ノズル1をZ方向に移動させる押
圧の制御と、半導体素子2に対するノズル1の平面1c
の平行状態を維持しながらノズル1を半導体素子2に接
近させることとには、従来例のバンプレベリングにおけ
る前述の技術が利用できる。そして、前記の押圧の大き
さと、吸着力の大きさとは、半導体素子の構成やレベリ
ングするバンプの数等に基づいて調整すれば良い。
In this embodiment, the bumps 3 are transferred during this carrying operation.
Leveling. That is, the nozzle 1 is the semiconductor element 2
While maintaining the parallel state of the flat surface 1c of the suction surface 1b with respect to the semiconductor element 2, the flat surface 1c is brought into contact with the tips of the bumps 3 in the parallel state to deform the tip portions of the bumps 3, The heights of the bumps 3 are made uniform. In this case, the force for deforming the tip portion of the bump 3 is the suction force of the nozzle 1 and the pressing force for moving the nozzle 1 in the Z direction, but these controls are performed by a nozzle control unit (not shown). . Then, the pressing control for moving the nozzle 1 in the Z direction and the plane 1c of the nozzle 1 with respect to the semiconductor element 2 are performed.
In order to bring the nozzle 1 closer to the semiconductor element 2 while maintaining the parallel state, the above-described technique in the conventional bump leveling can be used. Then, the magnitude of the pressing force and the magnitude of the suction force may be adjusted based on the configuration of the semiconductor element, the number of bumps to be leveled, and the like.

【0026】図2の本発明のフロチャートと、図10の
従来例のフローチャートとを比較すると、ステップ#
1、#2は同一であるが、本発明では、従来例のステッ
プ#13、#14、#15、#16の4工程を、ステッ
プ#3の1工程に簡略化している。
Comparing the flowchart of the present invention of FIG. 2 with the flowchart of the conventional example of FIG. 10, step #
Although 1 and # 2 are the same, in the present invention, the four steps of steps # 13, # 14, # 15, and # 16 of the conventional example are simplified to one step of step # 3.

【0027】次に、本発明の半導体素子のバンプレベリ
ング方法を使用するバンプレベリング装置の第2実施例
を説明する。
Next, a second embodiment of a bump leveling device using the bump leveling method for semiconductor devices of the present invention will be described.

【0028】図4において、ノズル1で半導体素子2を
吸着し、その吸引力とノズル1を下降させる力とで、半
導体素子2の素子電極11上に形成したバンプ3の高さ
を揃える際に、バンプ3の高さを所定の高さに揃えるた
めに、ノズル1の吸着面1bに所定の高さのスペーサー
4を設ける。このようにすると、ノズル1の吸着力とノ
ズル1を下降させる力との如何に関わらず、バンプ3の
高さを、スペーサー4の所定の高さに揃えることがで
き、操作が簡単になり、且つ、次工程で半導体素子2を
基板にフリップチップ実装する際に、信頼性の高い実装
が可能になる。
In FIG. 4, when the height of the bumps 3 formed on the element electrodes 11 of the semiconductor element 2 is made uniform by the suction force of the semiconductor element 2 sucked by the nozzle 1 and the force of lowering the nozzle 1. In order to make the height of the bumps 3 uniform to a predetermined height, a spacer 4 having a predetermined height is provided on the suction surface 1b of the nozzle 1. By doing so, the height of the bumps 3 can be made equal to the predetermined height of the spacers 4 regardless of the suction force of the nozzles 1 and the force of lowering the nozzles 1, and the operation becomes easy. In addition, when the semiconductor element 2 is flip-chip mounted on the substrate in the next step, highly reliable mounting becomes possible.

【0029】そして、前記スペーサー4は、図5に示す
ようなピン5であっても、図6に示すような切り欠き6
であっても同様の結果が得られる。これらの選択は、半
導体素子2の表面構成に合わせて決めれば良い。
Even if the spacer 4 is a pin 5 as shown in FIG. 5, a notch 6 as shown in FIG. 6 is formed.
Even if it is, the same result is obtained. These selections may be determined according to the surface configuration of the semiconductor element 2.

【0030】[0030]

【発明の効果】本発明の半導体素子のバンプレベリング
方法とその装置によると、半導体素子の素子電極に金線
を使用してバンプを形成した後に、それらの半導体素子
をノズルで吸着・搬送する途中でバンプレベリングを行
うので、従来技術に比較して、大幅に工程が削減され生
産タクトタイムが短くなるという効果を奏する。
According to the bump leveling method and apparatus for semiconductor elements of the present invention, bumps are formed on the element electrodes of the semiconductor elements by using gold wires, and then these semiconductor elements are adsorbed and conveyed by nozzles. Since the bump leveling is performed by the method, it is possible to significantly reduce the steps and shorten the production takt time as compared with the conventional technology.

【0031】又、バンプの高さを揃えるスペーサーを使
用することにより、バンプレベリングの操作が簡単にな
り、且つ、半導体素子を基板にフリップチップ実装する
際に、信頼性の高い実装が可能になるという効果を奏す
る。
Further, by using the spacers which make the heights of the bumps uniform, the bump leveling operation can be simplified and highly reliable mounting can be performed when the semiconductor element is flip-chip mounted. Has the effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の半導体素子のバンプレベリング方法を
使用する半導体素子のバンプレベリング装置の斜視図で
ある。
FIG. 1 is a perspective view of a bump leveling apparatus for semiconductor devices using a bump leveling method for semiconductor devices according to the present invention.

【図2】本発明の半導体素子のバンプレベリング方法の
動作を示すフローチャートである。
FIG. 2 is a flowchart showing an operation of a bump leveling method for a semiconductor device of the present invention.

【図3】本発明の半導体素子のバンプレベリング方法を
使用する半導体素子のバンプレベリング装置の第1実施
例の要部を示す側面図である。
FIG. 3 is a side view showing a main part of a first embodiment of a bump leveling device for semiconductor devices using the bump leveling method for semiconductor devices of the present invention.

【図4】本発明の半導体素子のバンプレベリング方法を
使用する半導体素子のバンプレベリング装置の第2実施
例の要部の一例を示す側面図である。
FIG. 4 is a side view showing an example of a main part of a second embodiment of a bump leveling device for semiconductor devices using the bump leveling method for semiconductor devices of the present invention.

【図5】本発明の半導体素子のバンプレベリング方法を
使用する半導体素子のバンプレベリング装置の第2実施
例の要部の他の例を示す側面図である。
FIG. 5 is a side view showing another example of the essential parts of the second embodiment of the bump leveling apparatus for semiconductor devices using the bump leveling method for semiconductor devices of the present invention.

【図6】本発明の半導体素子のバンプレベリング方法を
使用する半導体素子のバンプレベリング装置の第2実施
例の要部の他の例を示す側面図である。
FIG. 6 is a side view showing another example of the main part of the second embodiment of the bump leveling apparatus for semiconductor devices using the bump leveling method for semiconductor devices of the present invention.

【図7】従来例の半導体素子のバンプレベリング方法の
動作を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing an operation of a bump leveling method for a semiconductor device of a conventional example.

【図8】従来例の半導体素子のバンプレベリング方法の
動作を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing an operation of a bump leveling method for a semiconductor device of a conventional example.

【図9】従来例の半導体素子のバンプレベリング方法の
動作を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing an operation of a bump leveling method for a semiconductor device of a conventional example.

【図10】従来例の半導体素子のバンプレベリング方法
の動作を示すフローチャートである。
FIG. 10 is a flowchart showing an operation of a bump leveling method for a semiconductor device of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ノズル(吸着手段) 1a ノズル移動部(吸着手段移動部) 1c 平面 2 半導体素子 3 バンプ 4 スペーサー 5 ピン 6 切り欠き(段差) 8 トレー 8a トレー 9 バンプ形成ステージ 9a ステージ移動部 10 吸着孔 11 素子電極 12 キャピラリー 12aキャピラリー駆動部 13 搬入手段 14 搬出手段 15 トレー供給部 16 トレー搬出部 17 トレー収納箱 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Nozzle (adsorption means) 1a Nozzle moving part (adsorption means moving part) 1c Plane 2 Semiconductor element 3 Bump 4 Spacer 5 Pin 6 Notch (step) 8 Tray 8a Tray 9 Bump forming stage 9a Stage moving part 10 Adsorption hole 11 Element Electrode 12 Capillary 12a Capillary drive unit 13 Carrying-in means 14 Carrying-out means 15 Tray supply section 16 Tray carry-out section 17 Tray storage box

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体素子の素子電極上にワイヤボンデ
ィング法を用いてバンプを形成し、バンプが形成された
半導体素子を吸着手段で吸着し搬出する際に、前記半導
体素子に接触する前記吸着手段の吸着面の外周を前記半
導体素子の総ての素子電極が前記吸着面の外周内に収ま
るように形成すると共に、前記吸着面の前記バンプに対
向する部分を前記半導体素子に平行な平面に形成し、前
記吸着手段による前記半導体素子の吸着時に、前記半導
体素子に対する前記平面の平行状態を維持しながら前記
吸着手段を前記半導体素子に接近させ、前記平面を前記
平行状態で前記バンプの先端に接触させて、前記バンプ
の先端部を変形させ、各バンプの高さを均一化すること
を特徴とする半導体素子のバンプレベリング方法。
1. A suction means for contacting the semiconductor element when the bump is formed on the element electrode of the semiconductor element by a wire bonding method and the semiconductor element having the bump is adsorbed by the suction means and carried out. The outer periphery of the suction surface is formed so that all the device electrodes of the semiconductor element fit within the outer periphery of the suction surface, and the portion of the suction surface facing the bump is formed in a plane parallel to the semiconductor element. Then, when the semiconductor element is sucked by the suction means, the suction means is brought close to the semiconductor element while maintaining the parallel state of the plane to the semiconductor element, and the plane is brought into contact with the tip of the bump in the parallel state. A bump leveling method for a semiconductor device, characterized in that the tips of the bumps are deformed to make the heights of the bumps uniform.
【請求項2】 請求項1に記載のバンプレベリング方法
において、吸着手段の吸着面に所定高さのスペーサーを
付加し、前記吸着手段が半導体素子を吸着する際に、前
記スペーサーにより、前記吸着手段の吸着面の平面を前
記半導体素子に対して平行状態に維持し、且つ、前記平
面と前記半導体素子との距離を一定に維持して、レベリ
ングされた各バンプの高さを揃えることを特徴とする半
導体素子のバンプレベリング方法。
2. The bump leveling method according to claim 1, wherein a spacer having a predetermined height is added to the suction surface of the suction means, and when the suction means sucks a semiconductor element, the spacer causes the suction means to move. Maintaining a flat surface of the suction surface of the semiconductor element in parallel with the semiconductor element, and maintaining a constant distance between the flat surface and the semiconductor element so that the height of each leveled bump is uniform. Bump leveling method for semiconductor devices.
【請求項3】 ワイヤボンディング法を用いて素子電極
上にバンプを形成した半導体素子の前記バンプをレベリ
ングする装置において、前記半導体素子に接触する吸着
面の外周を前記半導体素子の総ての素子電極が前記吸着
面の外周内に収まるように形成された吸着手段と、前記
吸着面の前記半導体素子の素子電極上のバンプに対向す
る部分に形成され前記半導体素子に平行な平面と、前記
吸着手段が前記半導体素子を吸着する際に、前記半導体
素子に対する前記平面の平行状態を維持しながら前記吸
着手段を前記半導体素子に接近させ、前記平行状態で前
記平面を前記バンプの先端に接触させて、前記バンプの
先端部を変形させ、各バンプの高さを均一化する吸着手
段移動部と、前記吸着手段移動部を制御する吸着手段制
御部とを有することを特徴とする半導体素子のバンプレ
ベリング装置。
3. In a device for leveling bumps of a semiconductor device having bumps formed on the device electrodes by a wire bonding method, all the device electrodes of the semiconductor device are provided on the outer periphery of a suction surface in contact with the semiconductor device. A suction means formed so as to fit within the outer periphery of the suction surface, a plane parallel to the semiconductor element formed on a portion of the suction surface facing the bump on the element electrode of the semiconductor element, and the suction means. When adsorbing the semiconductor element, the adsorption means is brought close to the semiconductor element while maintaining the parallel state of the plane with respect to the semiconductor element, and the plane is brought into contact with the tip of the bump in the parallel state, And a suction means control section for controlling the suction means movement section for deforming the tip of the bump to make the height of each bump uniform. A bumper leveling device for semiconductor devices.
【請求項4】 請求項3に記載の半導体素子のバンプレ
ベリング装置において、吸着手段の吸着面に、前記吸着
手段の吸着面の平面を半導体素子に対して平行に維持
し、且つ、前記平面と前記半導体素子との距離を一定に
維持して、レベリングされた各バンプの高さを揃える所
定高さのスペーサーを付加することを特徴とする半導体
素子のバンプレベリング装置。
4. The bump leveling device for a semiconductor element according to claim 3, wherein a flat surface of the suction surface of the suction means is maintained parallel to the semiconductor element on the suction surface of the suction means. A bump leveling device for a semiconductor device, characterized in that a spacer having a predetermined height is added to maintain a constant distance from the semiconductor device and to make the height of each leveled bump uniform.
【請求項5】 スペーサーは、吸着手段の吸着面に設け
たピンである請求項4に記載の半導体素子のバンプレベ
リング装置。
5. The bump leveling device for a semiconductor element according to claim 4, wherein the spacer is a pin provided on the suction surface of the suction means.
【請求項6】 スペーサーは、吸着手段の吸着面に設け
た段差である請求項4に記載の半導体素子のバンプレベ
リング装置。
6. The bump leveling device for a semiconductor device according to claim 4, wherein the spacer is a step provided on the suction surface of the suction means.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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